KR0152364B1 - 다이본딩방법 및 그 장치 - Google Patents

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KR0152364B1
KR0152364B1 KR1019950018518A KR19950018518A KR0152364B1 KR 0152364 B1 KR0152364 B1 KR 0152364B1 KR 1019950018518 A KR1019950018518 A KR 1019950018518A KR 19950018518 A KR19950018518 A KR 19950018518A KR 0152364 B1 KR0152364 B1 KR 0152364B1
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Abstract

본 발명은 반도체 조립공정중 다이본딩에 있어서, 다이인덱싱존과 히트블록 스테이션 사이에 N개의 다이를 진공흡착에 의해 저장하는 다이버프 스테이션을 설치하여, 상기 히트블록 스테이션에 취부된 다이의 유무를 감지하여 히트블록 스테이션에 다이가 없으면 다이버퍼 스테이션에 있는 다이를 히트블록 스테이션으로 이송하여 다이본딩을 행하는 것을 특징으로 하는 다이본딩방법 및 그 장치를 제공하는 것으로, 본 발명의 다이본딩방법 및 장치에 의하면 히트블록 스테이션에서의 다이 대기시간을 제거하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 리드온칩 리드프레임의 각 본딩 위치간의 예열온도가 균일하고 최종제품의 품질을 향상시킬 수 있다.

Description

다이본딩방법 및 그 장치
제1도는 본 발명 다이본딩 장치의 개략도.
제2도는(a)는 본 발명 다이본딩 장치의 다이버퍼 스테이션의 평면개략도.
(b)는 본 발명 다이본딩 장치의 다이버퍼 스테이션의 단면개략도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 5 : 리드프레임 가이드레일
6 : 리드프레임 7 : 우량 다이
7' : 불량 다이 8,10,11,12 : 다이 이송경로
9,13 : 히트불록 스테이션의 이동방향
16 : 히터 17 : 히터센서
18 : 진공흡착홀 18' : 센서
3 : 다이인덱싱존 22 : 다이버퍼 스테이션
33 : 히트블록 스테이션 44 : 예열존
77 : 다이본딩존
본 발명은 다이본딩방법 및 그 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 조립공정중 다이본딩 공정에서 웨이퍼의 교체시 웨이퍼의 로딩, 정렬, 인덱싱 및 다이의 픽업에 소요되는 시간 때문에 발생되는 히트블록스테이션에서의 다이의 대기시간을 없애기 위해 다이본딩장치내의 다이인덱싱존과 히트블록스테이션 사이에 다이버퍼 스테이션을 추가하여 다이본딩 함에 의해 생산성이 향상되고 본딩 품질을 균일하게 할 수 있는 다이본딩방법 및 그 장치에 관한 것이다.
반도체는 일반적으로 웨이퍼를 단일칩으로 분리하기 위해 절단하는 다이싱 공정, 분리된 칩을 접착재료를 이용하여 리드프레임상에 접합하는 다이본딩 공정, 칩의 패드와 리드프레임 의 내부리드를 전도성 금속선을 이용하여 연결하는 와이어 본딩 공정, 와이어 본딩이 완료된 리드프레임을 외부의 각종 손상요인으로부터 보호하기 위하여 칩 주변에 보호재를 씌우고 성형하는 몰딩공정, 및 외부리드에 납도금을 하고 반도체 기판에 장착가능한 일정한 리드형상으로 성형하는 리드 성형공정을 거쳐 제조된다.
일반적으로 다이본딩시에는 바둑판처럼 잘라진 다이가 있는 웨이퍼를 인덱싱장치에 의해 X, Y 및 θ축 방향으로 이동시키면서 인덱싱하여 우량 다이를 선별하여 이를 히트블록스테이션으로 옮긴 후 히트블록 스테이션의 이동에 의해 다이를 다이본딩존으로 이송하여 예열존에서 예열된 리드프레임과 다이를 열압착에 의해 본딩하게 된다. 이 때 본딩은 온도, 본딩력, 및 시간의 요소로 이루어진다.
그런데, 다이본딩 공정중에 웨이퍼에 우량 다이가 남아 있는 경우에는 우량 다이를 픽업하여 본딩할 수 있도록 히트블록 스테이션에 로딩하는 시간(TL)이 히트블록 스테이션이 다이본딩존으로 이동하여 다이본딩하는 본딩시간(TS)보다 작거나 같다(즉, TL TB), 그러나 , 웨이퍼상의, 우량다이를 모두 픽업하여 본딩하고 나서 새로운 웨이퍼로 교체하는 경우에는 교체에 소요되는 시간(TC), 정렬시간(TA) 및 인덱싱 시간(TI)의 합은 본딩시간(TB)보다 크다(즉, TC+TA+TITB), 따라서 , 히트블록스테이션은 다이가 없는 상태로 대기하게 되고, 본딩중에 있는 리드온칩(Lead on Chip)리드프레임은 예열되었던 온도가 하강하여 리드프레임의 첫 번째 다이와 마지막 다이 사이에는 본딩품질의 불균일이 발생한다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하는 것으로, 히트블록스테이션의 다이본딩 대기시간을 제거하므로서 생산능률을 향상시키고, 다이본딩 대기로 인해 예열된 리드프레임의 온도가 강하되어 발생되는 품질 불균일 문제를 해결하므로서 품질이 향상된 반도체 장치를 제공할 수 있는 다이본딩 방법 및 그 장치를 제공하는 것이다.
즉, 본 발명은 반도체 조립공정중 다이본딩 에 있어서, 다이본딩 장치내의 다이인덱싱존과 히트블록스테이션 사이에 N개의 다이를 진공흡착에 의해 저장하는 다이버퍼 스테이션을 설치하여, 상기 히트블록스테이션 에 취부된 센서에 의해서 다이의 유무를 감지하여 다이버퍼 스테이션에 저장되어 있는 다이를 히트블록스테이션으로 이송하여 다이본딩을 진행하는것을 특징으로 하는 다이본딩 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 또한 다이인덱싱존, 다이버퍼 스테이션, 히트블록스테이션, 예열존 및 다이본딩 존을 포함하여 구성되는 반도체다이 본딩장치에 있어서, 다이인덱싱존과 히트블록스테이션 사이에 다이버퍼 스테이션을 부가하고, 상기 다이버퍼 스테이션은 각 위치에서의 다이를 감지하고 진공흡착에 의해 다이를 저장하는 진공흡착홀과 다이버퍼 스테이션을 가열하는 히터 및 히터센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이본딩장치를 제공하려는 것이다.
이하 본 발명을 첨부한 도면을 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 발명의 다이본딩 장치의 개략도로서, 다이와 리드프레임을 접착용 수지에 의해 가압본딩하는 부분은 종래기술이므로 도시를 생략하였다. 제2도(a)는 본 발명의 다이본딩장치의 다이버퍼 스테이션의 평면 개략도이며, 제2도(b)는 본 발명의 다이본딩 장치의 다이버퍼 스테이션의 단면개략도이다. 본 발명의 다이본딩 방법에 있어서, 우량 다이(7)를 픽업하여 이를 이송경로(8)을 통해 히트블록스테이션 (33)으로 이송하는데 소요되는 시간이 다이(7)를 리드프레임(6)과 본딩하는 시간보다 짧아서 시간이 남는 경우에는, 제1도에 도시된 바와 같이, 일부의 우량 다이(7)는 픽업하여 이송경로(10)을 통해 다이버퍼 스테이션(22)으로 이송하고, 일부의 우량 다이(7)는 이송경로(12)를 통해 히트블록스테이션(33)으로 옮긴 후 히트블록스테이션(33)의 이동방향(13)으로의 이동에 의해 다이본딩존(77)으로 이송하여 예열존(44)에서 예열된 리드프레임(6)과 다이(7)를 본딩시킨다. 한편, 웨이퍼(1)의 교체시에는 이송경로(10)을 통해 이송된 다이버퍼 스테이션(22)에 있는 우량 다이(7)를 픽업하여 이송경로(11)을 통해 히트블록스테이션(33)으로 옮긴 후 본딩하므로서 웨이퍼(1)교체시의 본딩대기 시간을 제거할 수 있다.
즉, 웨이퍼(1)가 교체되어 계속 본딩될 때, 인덱싱 시간(TI)과 우량다이(7)를 히트블록스테이션(33)으로 이송하는 시간( TT)은 본딩시간(TB)보다 작거나 같기(즉, TI+TT≤TB) 때문에, 이때 다이버퍼 스테이션(22)에 N개의 우량 다이(7)를 이송하여 대기하고 있다가 웨이퍼(1)교체시 다이버퍼 스테이션(22)에서 우량 다이(7)를 이송경로(11)을 통해 히트블록스테이션(33)으로 옮겨 본딩한다. 이 때 제2도에 도시된 바와 같이 상기 다이버퍼 스테이션(22)내 D1∼DN의 각 위치에는 진공흡착홀(18)이 있고, 이러한 진공흡착홀(18)을 통하여 감지하는 센서(18')에 의해 우량다이(7)가 몇 번 째에 몇 개가 있는지를 감지하여 히터(16)를 작동시켜 사전에 예열한다. 이 때 히터(16)는 히터센서(17)에 의해 가열량이 제어된다. 특히 , 각 다이의 위치, 즉 D1∼DN의 제어는 제1도에서 히트블록스테이션(33)으로 이송하는 이송제어(transfer control)를 통하여 가능하다.
본 발명의 다이본딩장치는, X, Y, θ축이 있는 인덱스 기판에 탑재되어 있는 다이싱된 웨이퍼(1)상의 우량 다이(7)와 불량 다이(7')를 인덱싱하여 우량 다이(7)를 픽업하는 다이인덱싱존(3), D1∼DN까지의 N개의 우량다이(7)를 저장할 수 있는 다이버퍼 스테이션(22), 로딩된 다이를 예열하여 다이본딩존으로 운반하는 히트블록스테이션(33), 리드프레임을 다이본딩하기 위하여 예열하는 예열존(44) 및 리드프레임 가이드레일(5)을 따라 안내되어 온 예열된 리드프레임과 다이를 열압착에 의해 본딩하는 다이본딩존(77)을 포함하여 구성된다.
본 발명의 다이본딩장치에서 상기 다이버퍼 스테이션(22)은 진공흡착에 의해 다이를 저장하는 진공흡착홀(18), 다이버퍼 스테이션(22)을 가열하는 히터(16) 및 히터센서(170을 구비한다. 따라서 , 본 발명의 다이본딩장치에서는 히트블록스테이션(33)에 다이가 있는 경우에는 다이인덱싱존(3)으로 부터 의 우량 다이(7)중 일부는 픽업되어 이송경로(12)을 따라 히트블록스테이션 (33)으로 이송되고, 일부는 다이버퍼 스테이션(22)으로 운반되어 대기하고 있다가 다이본딩이 완료되어 히트블록스테이션 (33)에 다이가 없게 되면 이송경로(11)을 따라 히트블록스테이션(33)으로 이송되어 다이본딩존(77)에서 리드프레임과 열압착에의해 본딩된다.
본 발명의 다이본딩방법 및 장치에 의하면 히트블록스테이션에서의 다이 대기시간을 제거하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 리드온칩 리드프레임의 각 본딩 위치간의 예열온도가 균일하게 되어 최종제품의 품질을 향상시킬 수 있다.

Claims (2)

  1. 반도체 조립공정중 다이본딩방법에 있어서, 다이본딩장치내의 다이인덱싱존과 히트블록스테이션 사이에 N(N은 양의 정수)개의 다이를 진공흡팍에 의해 저장하는 다이버퍼 스테이션을 설치하여, 상기 히트블록스테이션 에서의 다이의 유무를 감지하여 다이버퍼 스테이션에 저장 대기되어 있는 다이를 히트블록스테이션으로 이송하여 다이본딩을 진행하는 것을 특징으로 하는 다이본딩방법.
  2. 다이인덱싱존, 히트블록스테이션, 예열존 및 다이본딩존을 포함하는 반도체 다이본딩장치에 있어서, 다이인덱싱존과 히트블록스테이션 사이에 다이버퍼 스테이션을 부가하고, 상기 다이버퍼 스테이션은 진공흡착에 의해 다이를 저장하는 진공흡착홀과 다이버퍼 스테이션을 가열하는 히터 및 히터센서를 구비하는 것을 특징으로 하는 다이본딩방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385870B1 (ko) * 1999-08-16 2003-06-02 가부시키가이샤 신가와 반도체장치의 조립방법 및 반도체장치

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