JP2005032828A - 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイボンディングを効率化して処理に要する時間を短縮する。
【解決手段】半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームに接着する半導体装置の製造において、前記ボンディングヘッドの軌跡を、前記半導体チップのサイズに合わせて変更する。
上述した手段によれば、半導体チップのサイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を変えることによって、半導体チップの移動経路を短縮し、半導体チップのダイボンディングに要する時間を短縮し、ダイボンダのUPHを向上させることができる。
【選択図】 図6
【解決手段】半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームに接着する半導体装置の製造において、前記ボンディングヘッドの軌跡を、前記半導体チップのサイズに合わせて変更する。
上述した手段によれば、半導体チップのサイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を変えることによって、半導体チップの移動経路を短縮し、半導体チップのダイボンディングに要する時間を短縮し、ダイボンダのUPHを向上させることができる。
【選択図】 図6
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に関し、特に、半導体チップのダイボンディングに適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置では、単結晶シリコン等のウェハに複数のパターンを一括して形成し、夫々のパターン毎に切断して、個々の半導体チップに分離し、分離された半導体チップは、実装方式によって例えばリードフレーム、テープ基板等(以下、単にフレームという)に固定するダイボンディングを行なった後に、ワイヤボンディング等の電気的な接続、更に樹脂封止等が行なわれ半導体装置となる。
【0003】
フレームの半導体チップ搭載領域に半導体チップを接着するダイボンディングを行なうダイボンダでは、実装する半導体チップが、既にダイシングによって切断分離されており、ウェハリングに固定したシートの粘着力によってウェハ時の配列状態となっており、この半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、フレームが搬送される搬送路の半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームの所定位置に接着する。
【0004】
【特許文献1】
特開平09−008068号公報
【特許文献2】
特許登録第2974359号公報
前記特許文献1には、半導体チップの特性区分ごとにダイボンディングを行ない処理の効率化を図る技術が、前記特許文献2には、ウェハリングに限界リングを取り付けることによって作業の簡素化を図る技術が夫々記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
また近年、1枚のウェハにより多くのパターンを一括形成して、半導体チップを効率よく製造するために、ウェハの大径化が進められている。しかし、ウェハの大径化によって、様々な問題が生じる。例えば、ウェハに素子を形成する前工程では、一括してパターンを形成することができるが、半導体チップを個片化した後のダイボンディングでは、半導体チップ取得数の増加に比例して処理に要する時間が増加するため、相対的にダイボンディングに要する時間が長くなり、製造工程全体のネックとなってしまう。このため、ダイボンディングに要する時間を短縮して、生産効率であるUPH(Unit Per Hour)を向上させることが求められている。
【0006】
本発明の課題は、ダイボンディングを効率化して処理に要する時間を短縮する技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームに接着する半導体装置の製造において、前記ボンディングヘッドの軌跡を、前記半導体チップのサイズに合わせて変更する。
【0008】
上述した手段によれば、半導体チップのサイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を変えることによって、半導体チップの移動経路を短縮し、半導体チップのダイボンディングに要する時間を短縮し、ダイボンダのUPHを向上させることができる。
【0009】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1に示すのは、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造装置であるダイボンダを示す平面図であり、本実施の形態のダイボンダは、大別して、半導体チップを供給するダイ供給系のシステムと、リードフレーム等のフレームを供給するフレーム供給系のシステムと、前記フレームに半導体チップをボンディングするマウント系のシステムとからなっている。なお、以下の説明では、フレーム等の搬送方向をX方向(装置の長辺方向)、ボンディング時の半導体チップの移送方向をY方向(装置の短辺方向)、垂直方向をZ方向とする。
【0011】
この製造装置に供給される半導体チップ1は、既にダイシングによって切断分離されており、図2に示すように、ウェハリング2に固定したシート3の粘着力によってウェハ時の配列状態を保っている。なお、図2中左隅には、処理される半導体チップの最大サイズと最小サイズを示してある。
【0012】
ダイ供給系としては、このウェハリング2を収容したウェハカセット4と、ウェハカセット4からウェハリング2を取り出すウェハリングハンドラ5と、ウェハリング2を半導体チップ1供給位置にて保持するウェハホルダ6と、このウェハホルダ6をXY方向に移動させるXYテーブル7とが設けられており、
フレーム供給系としては、テープ基板等の主に短冊仕様のフレームを供給するローダ部8と、フレームを搬送する搬送路9と、ダイボンディングの終了したフレームを収容するアンローダ部10とが設けられており、マウント系としては、マウントトヘッド11及びこのマウントヘッド11をX方向,Y方向に移動させるXYテーブル12とによって構成され、マウントヘッド11にはフレームと対向させてボンディングヘッドが取り付けられている。
【0013】
先ず、ウェハカセット4からウェハリング2を取り出して、ウェハホルダ6に固定し、ウェハリング2に粘着された半導体チップ1を画像認識し、半導体チップ1ごとに割れや欠け等の不良の有無を確認し、この画像認識の際に半導体チップ1のサイズをデータとして取得する。
【0014】
ウェハリング2の移送に合わせて、半導体チップ1を実装するフレームを、ローダ部8によって搬送路9にセットする。セットされたフレームは半導体チップ固定位置まで搬送される。この搬送の途中で、フレームに塗布された熱可塑性の接着剤を加熱する或いは、フレームに接着剤をポッティング塗布し、搬送されたフレームは、フレーム認識のカメラによって認識を行ない、このデータに基づいて、所定の位置に位置合わせし、固定部によって固定する。
【0015】
図3乃至図5は、最大サイズの半導体チップ1についてダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図であり、半導体チップ1中心の軌跡を破線にて示してある。このダイボンディングでは、先ず、図3に示すように、ウェハホルダ6に固定されたウェハリング2がXYテーブル7に駆動されてXY方向に移動し、所定の半導体チップ取得位置に半導体チップを移動させ、突き上げユニット13のニードル14によって半導体チップ1をシート3から突き上げて半導体チップ1をシート3から剥離させ、a点にてボンディングヘッド15の先端の吸着コレット16に半導体チップ1を吸着させる。
【0016】
そして、半導体チップ1を吸着したボンディングヘッド15は、隣接する半導体チップ1との接触を回避するため一旦b点までZ方向に移動し、Y方向及びZ方向に移動してフレーム17の固定されている搬送路9近傍のc点に移動する。搬送路9の近傍では、半導体チップ1とフレーム17を固定するために搬送路9に設けられた固定部18との接触を防止するために、搬送路9及び固定部18から一定の間隔を保って半導体チップ1を移動させている。
【0017】
続いて、図4に示すように、半導体チップ1はc点から搬送路9の固定部18と平行に搬送路9から一定の間隔を保ったd点へY方向に移動する。ボンディングヘッド15が、固定部18を越えてフレーム上に移動した、半導体チップ1固定位置への下降開始点となる。d点から半導体チップ1固定位置上に一定間隔離れたe点へY方向及びZ方向に移動した後に、Z方向にボンディングヘッド15が下降し、図5に示すように半導体チップ1固定位置のf点にて半導体チップ1をフレーム17に接着する。この後、ボンディングヘッド15は、同一の軌跡をe点‐d点‐c点‐b点と逆に辿って、再びa点にて次のボンディングのための半導体チップ1取得を行なう。
【0018】
次に図6乃至図8は、半導体チップ1のサイズが小さな場合についてダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。従来のダイボンディングでは、処理する半導体チップの最大サイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を決定し、半導体チップのサイズに関係なく、最大サイズに合わせた軌跡で、ボンディングヘッドを移動させて、ダイボンディングを行なっていた。このため、従来のダイボンディングでは、半導体チップの中心の軌跡が、参考のために二点鎖線にて示す軌跡となり、この軌跡は図3乃至図6に示す軌跡と同一になる。
【0019】
それに対して、本実施の形態のダイボンディングでは、半導体チップ1のサイズに合わせてボンディングヘッド15の軌跡を変更し、サイズの小さな半導体チップ1のボンディングでは、ウェハリング2の半導体チップ1取得位置aを搬送路9に近づけている。これは、半導体チップ1のサイズが小さいため、半導体チップ1と搬送路9との接触を防止するために、搬送路9から一定の間隔を保ったc点の中心位置を搬送路9に近づけることができるからである。
【0020】
このボンディングヘッド15の移動では、Z方向の移動は、カム駆動されており、高速化が容易であるが、Y方向の移動はボルトを回転させてボンディングヘッド15を駆動しているために、高速化が難しい。このため、Y方向及びZ方向に移動する場合には、Y方向の移動時間に合わせてZ方向の移動時間を設定していた。このため、Y方向の移動距離の短縮により、移動に要する時間が短縮されても、Z方向の移動速度を速める、或いはb点までの距離を短縮することによって対応することができる。
【0021】
このダイボンディングでは、先ず、図6に示すように、a点にてボンディングヘッド15の先端の吸着コレット16に半導体チップ1を吸着させる。そして、半導体チップ1を吸着したボンディングヘッドは、隣接する半導体チップ1との接触を回避するため一旦b点までZ方向に移動し、Y方向及びZ方向に移動してフレーム17の固定されている搬送路9近傍のc点に移動する。搬送路9の近傍では、半導体チップ1と搬送路9との接触を防止するために、搬送路9から一定の間隔を保って半導体チップ1を移動させているが、半導体チップ1のサイズが小さいので、同一の間隔を保つ場合でも、半導体チップ1の中心は搬送路9に近づいた位置に設定することができる。
【0022】
続いて、図7に示すように、搬送路9の固定部18と平行にc点からd点へY方向に移動するが、半導体チップ1のサイズに合わせて、このd点も半導体チップ1取得位置aに近く設定している。d点から半導体チップ1固定位置上に一定間隔離れたe点へY方向及びZ方向に移動した後に、Z方向にボンディングヘッドが下降し、図8に示すように半導体チップ1固定位置であるf点にて半導体チップ1をフレーム17に接着する。この後、ボンディングヘッド15は、同一の軌跡をe点‐d点‐c点‐b点‐a点と逆に辿って、次のボンディングのための半導体チップ1取得を行なう。
【0023】
従来のダイボンディングでは、半導体チップのサイズに関係なく、ボンディングヘッドが半導体チップを吸着する半導体チップ取得位置は同一の位置に固定されており、このためボンディングヘッドも同一の軌跡で移動することになる。
【0024】
本実施の形態のダイボンディングでは、c点及びd点の夫々で、実装する半導体チップ1と最大半導体チップサイズとの差の半分程度の経路短縮がなされるので、ダイボンディングの往復では最大半導体チップサイズとの差の2倍程度の経路短縮が実現されることになる。ボンディングヘッドの移動では、Y方向の移動の高速化が難しいため、Y方向の移動経路を短縮することは、装置全体としての高速化に効果的である。
【0025】
また、半導体チップ1のサイズについては、事前の画像認識によってデータを得ることができるので、新たな部材の追加等は不要であるため、装置の価格を上昇させることがなく、加えて、作業手順の大幅な変更等も不要であることから、本発明のダイボンディングは導入が容易である。
【0026】
処理される半導体チップサイズとしては、25mm〜0.3mm程度に設定されているが、実際に処理される半導体チップ1は10mm〜5mm程度のものが多数を占めているので、最大半導体チップサイズとの差の2倍に相当する30mm〜40mm程度の経路短縮が1サイクルに期待できる。実際に、従来は1サイクルに380m秒を要していた処理を20m秒短縮することができた。
【0027】
こうしてダイボンディングの終了し半導体チップ1が実装されたフレーム17は、装置内を搬送されてアンローダ部10に収容され、次の工程に搬送される。以降の工程では半導体チップ1とフレーム17との電気的な接続を行なうワイヤボンディング、必要部分を封止体によって被覆する樹脂封止、ダイシングによる個片化等の所定の工程を経て半導体装置として完成する。
【0028】
また本発明は、前述したフレーム17の上面に半導体チップ1を接着する方法の他に、半導体チップをマウントステージに移送し、半導体チップを載せたマウントステージをボンディング位置のフレーム下に移動させて、フレームと半導体チップとを重ね合わせた状態で、フレーム上に下降させた荷重ヘッドとマウントステージとによって、半導体チップをフレームの下面に接着してダイボンディングするマウンタに適用することもできる。
【0029】
また、前述した説明ではボンディングヘッドがY方向及びZ方向に移動して、ダイボンディングを行なう場合について述べたが、ボンディングヘッドがY方向及びZ方向に加えてX方向にも移動してダイボンディングを行なう場合についても、本発明を適用してUPHを更に向上させることが可能である。
【0030】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0031】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)本発明によれば、半導体チップのサイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を変えることによって、半導体チップの移動経路を短縮することが可能となるという効果がある。
(2)本発明によれば、上記効果(1)により、ダイボンディングに要する時間を短縮し、UPHを向上させることができるという効果がある。
(3)本発明によれば、新たな部材の追加等は不要であるため、装置の価格を上昇させることがないという効果がある。
(4)本発明によれば、作業手順の大幅な変更等も不要であることから、導入が容易であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体装置製造装置の構成を示す平面図である。
【図2】本発明の一実施の形態である半導体装置製造装置にて処理されるウェハリングを示す正面図である。
【図3】最大サイズの半導体チップについて、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図4】最大サイズの半導体チップについて、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図5】最大サイズの半導体チップについて、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図6】半導体チップのサイズが小さい場合について、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図7】半導体チップのサイズが小さい場合について、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図8】半導体チップのサイズが小さい場合について、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…ウェハリング、3…シート、4…ウェハカセット、5…ウェハリングハンドラ、6…ウェハホルダ、7…XYテーブル、8…ローダ部、9…搬送路、10…アンローダ部、11…マウントヘッド、12…XYテーブル、13…突き上げユニット、14…ニードル、15…ボンディングヘッド、16…吸着コレット、17…フレーム、18…固定部。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に関し、特に、半導体チップのダイボンディングに適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置では、単結晶シリコン等のウェハに複数のパターンを一括して形成し、夫々のパターン毎に切断して、個々の半導体チップに分離し、分離された半導体チップは、実装方式によって例えばリードフレーム、テープ基板等(以下、単にフレームという)に固定するダイボンディングを行なった後に、ワイヤボンディング等の電気的な接続、更に樹脂封止等が行なわれ半導体装置となる。
【0003】
フレームの半導体チップ搭載領域に半導体チップを接着するダイボンディングを行なうダイボンダでは、実装する半導体チップが、既にダイシングによって切断分離されており、ウェハリングに固定したシートの粘着力によってウェハ時の配列状態となっており、この半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、フレームが搬送される搬送路の半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームの所定位置に接着する。
【0004】
【特許文献1】
特開平09−008068号公報
【特許文献2】
特許登録第2974359号公報
前記特許文献1には、半導体チップの特性区分ごとにダイボンディングを行ない処理の効率化を図る技術が、前記特許文献2には、ウェハリングに限界リングを取り付けることによって作業の簡素化を図る技術が夫々記載されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
また近年、1枚のウェハにより多くのパターンを一括形成して、半導体チップを効率よく製造するために、ウェハの大径化が進められている。しかし、ウェハの大径化によって、様々な問題が生じる。例えば、ウェハに素子を形成する前工程では、一括してパターンを形成することができるが、半導体チップを個片化した後のダイボンディングでは、半導体チップ取得数の増加に比例して処理に要する時間が増加するため、相対的にダイボンディングに要する時間が長くなり、製造工程全体のネックとなってしまう。このため、ダイボンディングに要する時間を短縮して、生産効率であるUPH(Unit Per Hour)を向上させることが求められている。
【0006】
本発明の課題は、ダイボンディングを効率化して処理に要する時間を短縮する技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームに接着する半導体装置の製造において、前記ボンディングヘッドの軌跡を、前記半導体チップのサイズに合わせて変更する。
【0008】
上述した手段によれば、半導体チップのサイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を変えることによって、半導体チップの移動経路を短縮し、半導体チップのダイボンディングに要する時間を短縮し、ダイボンダのUPHを向上させることができる。
【0009】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1に示すのは、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造装置であるダイボンダを示す平面図であり、本実施の形態のダイボンダは、大別して、半導体チップを供給するダイ供給系のシステムと、リードフレーム等のフレームを供給するフレーム供給系のシステムと、前記フレームに半導体チップをボンディングするマウント系のシステムとからなっている。なお、以下の説明では、フレーム等の搬送方向をX方向(装置の長辺方向)、ボンディング時の半導体チップの移送方向をY方向(装置の短辺方向)、垂直方向をZ方向とする。
【0011】
この製造装置に供給される半導体チップ1は、既にダイシングによって切断分離されており、図2に示すように、ウェハリング2に固定したシート3の粘着力によってウェハ時の配列状態を保っている。なお、図2中左隅には、処理される半導体チップの最大サイズと最小サイズを示してある。
【0012】
ダイ供給系としては、このウェハリング2を収容したウェハカセット4と、ウェハカセット4からウェハリング2を取り出すウェハリングハンドラ5と、ウェハリング2を半導体チップ1供給位置にて保持するウェハホルダ6と、このウェハホルダ6をXY方向に移動させるXYテーブル7とが設けられており、
フレーム供給系としては、テープ基板等の主に短冊仕様のフレームを供給するローダ部8と、フレームを搬送する搬送路9と、ダイボンディングの終了したフレームを収容するアンローダ部10とが設けられており、マウント系としては、マウントトヘッド11及びこのマウントヘッド11をX方向,Y方向に移動させるXYテーブル12とによって構成され、マウントヘッド11にはフレームと対向させてボンディングヘッドが取り付けられている。
【0013】
先ず、ウェハカセット4からウェハリング2を取り出して、ウェハホルダ6に固定し、ウェハリング2に粘着された半導体チップ1を画像認識し、半導体チップ1ごとに割れや欠け等の不良の有無を確認し、この画像認識の際に半導体チップ1のサイズをデータとして取得する。
【0014】
ウェハリング2の移送に合わせて、半導体チップ1を実装するフレームを、ローダ部8によって搬送路9にセットする。セットされたフレームは半導体チップ固定位置まで搬送される。この搬送の途中で、フレームに塗布された熱可塑性の接着剤を加熱する或いは、フレームに接着剤をポッティング塗布し、搬送されたフレームは、フレーム認識のカメラによって認識を行ない、このデータに基づいて、所定の位置に位置合わせし、固定部によって固定する。
【0015】
図3乃至図5は、最大サイズの半導体チップ1についてダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図であり、半導体チップ1中心の軌跡を破線にて示してある。このダイボンディングでは、先ず、図3に示すように、ウェハホルダ6に固定されたウェハリング2がXYテーブル7に駆動されてXY方向に移動し、所定の半導体チップ取得位置に半導体チップを移動させ、突き上げユニット13のニードル14によって半導体チップ1をシート3から突き上げて半導体チップ1をシート3から剥離させ、a点にてボンディングヘッド15の先端の吸着コレット16に半導体チップ1を吸着させる。
【0016】
そして、半導体チップ1を吸着したボンディングヘッド15は、隣接する半導体チップ1との接触を回避するため一旦b点までZ方向に移動し、Y方向及びZ方向に移動してフレーム17の固定されている搬送路9近傍のc点に移動する。搬送路9の近傍では、半導体チップ1とフレーム17を固定するために搬送路9に設けられた固定部18との接触を防止するために、搬送路9及び固定部18から一定の間隔を保って半導体チップ1を移動させている。
【0017】
続いて、図4に示すように、半導体チップ1はc点から搬送路9の固定部18と平行に搬送路9から一定の間隔を保ったd点へY方向に移動する。ボンディングヘッド15が、固定部18を越えてフレーム上に移動した、半導体チップ1固定位置への下降開始点となる。d点から半導体チップ1固定位置上に一定間隔離れたe点へY方向及びZ方向に移動した後に、Z方向にボンディングヘッド15が下降し、図5に示すように半導体チップ1固定位置のf点にて半導体チップ1をフレーム17に接着する。この後、ボンディングヘッド15は、同一の軌跡をe点‐d点‐c点‐b点と逆に辿って、再びa点にて次のボンディングのための半導体チップ1取得を行なう。
【0018】
次に図6乃至図8は、半導体チップ1のサイズが小さな場合についてダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。従来のダイボンディングでは、処理する半導体チップの最大サイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を決定し、半導体チップのサイズに関係なく、最大サイズに合わせた軌跡で、ボンディングヘッドを移動させて、ダイボンディングを行なっていた。このため、従来のダイボンディングでは、半導体チップの中心の軌跡が、参考のために二点鎖線にて示す軌跡となり、この軌跡は図3乃至図6に示す軌跡と同一になる。
【0019】
それに対して、本実施の形態のダイボンディングでは、半導体チップ1のサイズに合わせてボンディングヘッド15の軌跡を変更し、サイズの小さな半導体チップ1のボンディングでは、ウェハリング2の半導体チップ1取得位置aを搬送路9に近づけている。これは、半導体チップ1のサイズが小さいため、半導体チップ1と搬送路9との接触を防止するために、搬送路9から一定の間隔を保ったc点の中心位置を搬送路9に近づけることができるからである。
【0020】
このボンディングヘッド15の移動では、Z方向の移動は、カム駆動されており、高速化が容易であるが、Y方向の移動はボルトを回転させてボンディングヘッド15を駆動しているために、高速化が難しい。このため、Y方向及びZ方向に移動する場合には、Y方向の移動時間に合わせてZ方向の移動時間を設定していた。このため、Y方向の移動距離の短縮により、移動に要する時間が短縮されても、Z方向の移動速度を速める、或いはb点までの距離を短縮することによって対応することができる。
【0021】
このダイボンディングでは、先ず、図6に示すように、a点にてボンディングヘッド15の先端の吸着コレット16に半導体チップ1を吸着させる。そして、半導体チップ1を吸着したボンディングヘッドは、隣接する半導体チップ1との接触を回避するため一旦b点までZ方向に移動し、Y方向及びZ方向に移動してフレーム17の固定されている搬送路9近傍のc点に移動する。搬送路9の近傍では、半導体チップ1と搬送路9との接触を防止するために、搬送路9から一定の間隔を保って半導体チップ1を移動させているが、半導体チップ1のサイズが小さいので、同一の間隔を保つ場合でも、半導体チップ1の中心は搬送路9に近づいた位置に設定することができる。
【0022】
続いて、図7に示すように、搬送路9の固定部18と平行にc点からd点へY方向に移動するが、半導体チップ1のサイズに合わせて、このd点も半導体チップ1取得位置aに近く設定している。d点から半導体チップ1固定位置上に一定間隔離れたe点へY方向及びZ方向に移動した後に、Z方向にボンディングヘッドが下降し、図8に示すように半導体チップ1固定位置であるf点にて半導体チップ1をフレーム17に接着する。この後、ボンディングヘッド15は、同一の軌跡をe点‐d点‐c点‐b点‐a点と逆に辿って、次のボンディングのための半導体チップ1取得を行なう。
【0023】
従来のダイボンディングでは、半導体チップのサイズに関係なく、ボンディングヘッドが半導体チップを吸着する半導体チップ取得位置は同一の位置に固定されており、このためボンディングヘッドも同一の軌跡で移動することになる。
【0024】
本実施の形態のダイボンディングでは、c点及びd点の夫々で、実装する半導体チップ1と最大半導体チップサイズとの差の半分程度の経路短縮がなされるので、ダイボンディングの往復では最大半導体チップサイズとの差の2倍程度の経路短縮が実現されることになる。ボンディングヘッドの移動では、Y方向の移動の高速化が難しいため、Y方向の移動経路を短縮することは、装置全体としての高速化に効果的である。
【0025】
また、半導体チップ1のサイズについては、事前の画像認識によってデータを得ることができるので、新たな部材の追加等は不要であるため、装置の価格を上昇させることがなく、加えて、作業手順の大幅な変更等も不要であることから、本発明のダイボンディングは導入が容易である。
【0026】
処理される半導体チップサイズとしては、25mm〜0.3mm程度に設定されているが、実際に処理される半導体チップ1は10mm〜5mm程度のものが多数を占めているので、最大半導体チップサイズとの差の2倍に相当する30mm〜40mm程度の経路短縮が1サイクルに期待できる。実際に、従来は1サイクルに380m秒を要していた処理を20m秒短縮することができた。
【0027】
こうしてダイボンディングの終了し半導体チップ1が実装されたフレーム17は、装置内を搬送されてアンローダ部10に収容され、次の工程に搬送される。以降の工程では半導体チップ1とフレーム17との電気的な接続を行なうワイヤボンディング、必要部分を封止体によって被覆する樹脂封止、ダイシングによる個片化等の所定の工程を経て半導体装置として完成する。
【0028】
また本発明は、前述したフレーム17の上面に半導体チップ1を接着する方法の他に、半導体チップをマウントステージに移送し、半導体チップを載せたマウントステージをボンディング位置のフレーム下に移動させて、フレームと半導体チップとを重ね合わせた状態で、フレーム上に下降させた荷重ヘッドとマウントステージとによって、半導体チップをフレームの下面に接着してダイボンディングするマウンタに適用することもできる。
【0029】
また、前述した説明ではボンディングヘッドがY方向及びZ方向に移動して、ダイボンディングを行なう場合について述べたが、ボンディングヘッドがY方向及びZ方向に加えてX方向にも移動してダイボンディングを行なう場合についても、本発明を適用してUPHを更に向上させることが可能である。
【0030】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0031】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)本発明によれば、半導体チップのサイズに合わせて、ボンディングヘッドの軌跡を変えることによって、半導体チップの移動経路を短縮することが可能となるという効果がある。
(2)本発明によれば、上記効果(1)により、ダイボンディングに要する時間を短縮し、UPHを向上させることができるという効果がある。
(3)本発明によれば、新たな部材の追加等は不要であるため、装置の価格を上昇させることがないという効果がある。
(4)本発明によれば、作業手順の大幅な変更等も不要であることから、導入が容易であるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体装置製造装置の構成を示す平面図である。
【図2】本発明の一実施の形態である半導体装置製造装置にて処理されるウェハリングを示す正面図である。
【図3】最大サイズの半導体チップについて、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図4】最大サイズの半導体チップについて、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図5】最大サイズの半導体チップについて、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図6】半導体チップのサイズが小さい場合について、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図7】半導体チップのサイズが小さい場合について、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【図8】半導体チップのサイズが小さい場合について、本発明の一実施の形態であるダイボンディングの詳細を示す部分縦断面図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ、2…ウェハリング、3…シート、4…ウェハカセット、5…ウェハリングハンドラ、6…ウェハホルダ、7…XYテーブル、8…ローダ部、9…搬送路、10…アンローダ部、11…マウントヘッド、12…XYテーブル、13…突き上げユニット、14…ニードル、15…ボンディングヘッド、16…吸着コレット、17…フレーム、18…固定部。
Claims (5)
- 半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームに接着する半導体装置の製造装置において、
前記ボンディングヘッドの軌跡を、前記半導体チップのサイズに合わせて変更することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 前記ボンディングヘッドの半導体チップ取得位置を、半導体チップのサイズに合わせて、フレームが搬送される搬送路に近づけることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記ボンディングヘッドの下降開始点を、半導体チップのサイズに合わせて、半導体チップ取得位置に近づけることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記製造装置が、ダイボンダ或いはダイマウンタであることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の半導体装置。
- 半導体チップをボンディングヘッドによって取得し、半導体チップ固定位置にボンディングヘッドが移動し、半導体チップをフレームに接着する半導体装置の製造方法において、
前記ボンディングヘッドの軌跡を、前記半導体チップのサイズに合わせて変更して、半導体チップをフレームに接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003193760A JP2005032828A (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003193760A JP2005032828A (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005032828A true JP2005032828A (ja) | 2005-02-03 |
Family
ID=34205132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003193760A Pending JP2005032828A (ja) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005032828A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8593261B2 (en) | 2010-09-24 | 2013-11-26 | Hitachi High-Tech Instruments Co., Ltd. | Tool management method of die bonder and die bonder |
-
2003
- 2003-07-08 JP JP2003193760A patent/JP2005032828A/ja active Pending
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