JP3269191B2 - マグネトロン装置 - Google Patents
マグネトロン装置Info
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- JP3269191B2 JP3269191B2 JP18796293A JP18796293A JP3269191B2 JP 3269191 B2 JP3269191 B2 JP 3269191B2 JP 18796293 A JP18796293 A JP 18796293A JP 18796293 A JP18796293 A JP 18796293A JP 3269191 B2 JP3269191 B2 JP 3269191B2
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- magnetron
- cathode terminal
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマグネトロン装置に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子レンジ等の高周波加熱機器
に用いられるマグネトロン装置では、マグネトロンにお
ける不要輻射の周波数帯域として低周波からマイクロ波
に至るまでの広い周波数帯域を含んでいるため、不要輻
射防止対策としてマグネトロンの陰極端子にインダクタ
およびコンデンサからなるフィルタ回路を接続してい
る。この構成について図９を用いて説明すると、セラミ
ック支持体１に固定された陰極端子２にはインダクタ３
を介して貫通コンデンサ４の貫通導体５が接続されてい
る。セラミック支持体１およびインダクタ３を包囲する
シールドケース６は、一側面に穴を開けており、この穴
にその内側から貫通コンデンサ４をシールドケース６の
外部に突出させ、貫通コンデンサ４の接地電極７をシー
ルドケース６の内面に接続し、シールドケース６に接地
電極７を固定している。ところで、フィルタ回路のイン
ダクタ３は、フェライトコア８の外周にフォルマル銅線
等の絶縁被覆線からなるコイル９が密着して巻回された
コア型インダクタからなっている。しかし、陰極端子２
から漏洩する不要輻射には、マグネトロンの発振周波数
であるマイクロ波も含まれることから、フェライトコア
８がこのマイクロ波を吸収し、かなり高温となる。その
結果、コイル９の絶縁被覆が焼損して絶縁不良を起こし
たり、フェライトコア８に割れを生じたりする。
に用いられるマグネトロン装置では、マグネトロンにお
ける不要輻射の周波数帯域として低周波からマイクロ波
に至るまでの広い周波数帯域を含んでいるため、不要輻
射防止対策としてマグネトロンの陰極端子にインダクタ
およびコンデンサからなるフィルタ回路を接続してい
る。この構成について図９を用いて説明すると、セラミ
ック支持体１に固定された陰極端子２にはインダクタ３
を介して貫通コンデンサ４の貫通導体５が接続されてい
る。セラミック支持体１およびインダクタ３を包囲する
シールドケース６は、一側面に穴を開けており、この穴
にその内側から貫通コンデンサ４をシールドケース６の
外部に突出させ、貫通コンデンサ４の接地電極７をシー
ルドケース６の内面に接続し、シールドケース６に接地
電極７を固定している。ところで、フィルタ回路のイン
ダクタ３は、フェライトコア８の外周にフォルマル銅線
等の絶縁被覆線からなるコイル９が密着して巻回された
コア型インダクタからなっている。しかし、陰極端子２
から漏洩する不要輻射には、マグネトロンの発振周波数
であるマイクロ波も含まれることから、フェライトコア
８がこのマイクロ波を吸収し、かなり高温となる。その
結果、コイル９の絶縁被覆が焼損して絶縁不良を起こし
たり、フェライトコア８に割れを生じたりする。
【０００３】そこで従来から、上記問題点を解決するた
めに、図１０に示すように、マグネトロンとコア型イン
ダクタ３との間に空芯型インダクタ１１を接続し、入力
端子側に伝わって出ようとするマイクロ波を反射吸収し
コア型インダクタ３に伝送されるのを抑制することが知
られている。
めに、図１０に示すように、マグネトロンとコア型イン
ダクタ３との間に空芯型インダクタ１１を接続し、入力
端子側に伝わって出ようとするマイクロ波を反射吸収し
コア型インダクタ３に伝送されるのを抑制することが知
られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子レンジで
は、従来のＬＣ電源動作オーブンに比して重量が格段に
減少し、併せてコストを低減することができることか
ら、インバータ化が進んでいる。現在のインバータによ
る駆動周波数は約３０〜６０ＫＨｚであるが、駆動周波
数をさらに高め、電源を小型化する検討が進んでいる。
このようになると、従来のコア型インダクタおよび空芯
型インダクタでの発熱が電流の表皮効果によって助長さ
れるため、入力電流がカットされマグネトロンは安定に
動作しないという問題があった。
は、従来のＬＣ電源動作オーブンに比して重量が格段に
減少し、併せてコストを低減することができることか
ら、インバータ化が進んでいる。現在のインバータによ
る駆動周波数は約３０〜６０ＫＨｚであるが、駆動周波
数をさらに高め、電源を小型化する検討が進んでいる。
このようになると、従来のコア型インダクタおよび空芯
型インダクタでの発熱が電流の表皮効果によって助長さ
れるため、入力電流がカットされマグネトロンは安定に
動作しないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のマグネトロン装
置は、電波漏洩防止フィルタ回路を具備するマグネトロ
ン装置において、マグネトロンの陰極端子に各々接続さ
れた入力リード線の各延長先端部を互いに反対方向へ折
り返して、前記入力リード線が形成されているものであ
る。
置は、電波漏洩防止フィルタ回路を具備するマグネトロ
ン装置において、マグネトロンの陰極端子に各々接続さ
れた入力リード線の各延長先端部を互いに反対方向へ折
り返して、前記入力リード線が形成されているものであ
る。
【０００６】また、本発明のマグネトロン装置は、延長
先端部の折り返し長さが１５ｍｍ以上であるものです。
先端部の折り返し長さが１５ｍｍ以上であるものです。
【０００７】さらに、本発明のマグネトロン装置は、延
長先端部がマグネトロンの陰極端子の延長先端部で形成
されているものである。
長先端部がマグネトロンの陰極端子の延長先端部で形成
されているものである。
【０００８】
【作用】触角状の高周波駆動入力リード線、リード線ま
たは陰極端子は、陰極端子または陰極端子自体からの基
本波成分を反射、吸収する効果を有するとともに、高周
波電流による表皮効果を抑えることができる。
たは陰極端子は、陰極端子または陰極端子自体からの基
本波成分を反射、吸収する効果を有するとともに、高周
波電流による表皮効果を抑えることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。
いて説明する。
【００１０】図１および図２に示すように、本発明実施
例のマグネトロン装置は、インバータにより高周波駆動
するものであって、周知のインダクタおよびコンデンサ
からなる電波漏洩防止フィルタ回路（図示せず）を具備
し、マグネトロン（図示せず）の一対の陰極端子２に各
々接続された高周波駆動入力リード線１０の各延長先端
部を互いに反対方向へ折り曲げて高周波駆動入力リード
線１０の先端部を触角状に形成している。そして、高周
波駆動入力リード線１０は折り返し長さＬ1を有してい
る。これにより、空芯型インダクタと同じ陰極部から漏
洩する基本波成分を反射、吸収する特性を保持するとと
もに、インバータ化による高周波駆動に対して安定した
マグネトロン動作を得ることができる。
例のマグネトロン装置は、インバータにより高周波駆動
するものであって、周知のインダクタおよびコンデンサ
からなる電波漏洩防止フィルタ回路（図示せず）を具備
し、マグネトロン（図示せず）の一対の陰極端子２に各
々接続された高周波駆動入力リード線１０の各延長先端
部を互いに反対方向へ折り曲げて高周波駆動入力リード
線１０の先端部を触角状に形成している。そして、高周
波駆動入力リード線１０は折り返し長さＬ1を有してい
る。これにより、空芯型インダクタと同じ陰極部から漏
洩する基本波成分を反射、吸収する特性を保持するとと
もに、インバータ化による高周波駆動に対して安定した
マグネトロン動作を得ることができる。
【００１１】上記実施例のマグネトロン装置について、
実験した結果を説明する。一般に、陰極端子から基本波
成分が漏洩した場合、反射され残りは熱という形で現わ
れる。このため、陰極端子からの高周波駆動入力リード
線の長さを一定とし、図３に示すように、触角状の同リ
ード線の折り返し長さＬ1を種々変化させると、同リー
ド線の先端Ａの温度は、折り返し長さＬ1が０のとき、
数分間で４００℃以上にも達することがわかる。しか
し、折り返し長さＬ1を１５ｍｍ以上とすることによ
り、同先端Ａの温度は１００℃程度となり、安定したマ
グネトロン動作が可能となった。逆に、図４に示すよう
に、同リード線の折り返し長さＬ 1を３０ｍｍ一定と
し、陰極端子からの高周波駆動入力リード線までの長さ
Ｌ2を種々変化させた。その結果、長さＬ2が０のとき、
数分間で２００℃以上に達するが、長さＬ2を２０ｍｍ
以上にすることによって、マグネトロンは安定に動作す
る。これらの結果から考察すると、上記結果には共振の
原理があてはまる。自由空間において電波を効率よく放
出するためには、通常１／２波長のリード線が必要とな
るマグネトロンは、通常２４５５ＭＨｚ近辺で基本動作
するため、これは約６０ｍｍとなる。このことから、と
もに陰極端子からの同高周波駆動入力リード線までの距
離はトータルで４０〜６０ｍｍ以上となる。
実験した結果を説明する。一般に、陰極端子から基本波
成分が漏洩した場合、反射され残りは熱という形で現わ
れる。このため、陰極端子からの高周波駆動入力リード
線の長さを一定とし、図３に示すように、触角状の同リ
ード線の折り返し長さＬ1を種々変化させると、同リー
ド線の先端Ａの温度は、折り返し長さＬ1が０のとき、
数分間で４００℃以上にも達することがわかる。しか
し、折り返し長さＬ1を１５ｍｍ以上とすることによ
り、同先端Ａの温度は１００℃程度となり、安定したマ
グネトロン動作が可能となった。逆に、図４に示すよう
に、同リード線の折り返し長さＬ 1を３０ｍｍ一定と
し、陰極端子からの高周波駆動入力リード線までの長さ
Ｌ2を種々変化させた。その結果、長さＬ2が０のとき、
数分間で２００℃以上に達するが、長さＬ2を２０ｍｍ
以上にすることによって、マグネトロンは安定に動作す
る。これらの結果から考察すると、上記結果には共振の
原理があてはまる。自由空間において電波を効率よく放
出するためには、通常１／２波長のリード線が必要とな
るマグネトロンは、通常２４５５ＭＨｚ近辺で基本動作
するため、これは約６０ｍｍとなる。このことから、と
もに陰極端子からの同高周波駆動入力リード線までの距
離はトータルで４０〜６０ｍｍ以上となる。
【００１２】図５および図６は、電波漏洩防止フィルタ
回路を具備するマグネトロン装置において、高周波駆動
入力リード線１０が各々接続されたマグネトロンの陰極
端子２に触角状のリード線１１をそれぞれ接続してい
る。これもまた空芯型インダクタの特性を保持し、かつ
インバータ化による高周波駆動に対して安定したマグネ
トロン動作を得ることができる。
回路を具備するマグネトロン装置において、高周波駆動
入力リード線１０が各々接続されたマグネトロンの陰極
端子２に触角状のリード線１１をそれぞれ接続してい
る。これもまた空芯型インダクタの特性を保持し、かつ
インバータ化による高周波駆動に対して安定したマグネ
トロン動作を得ることができる。
【００１３】さらに本発明によると、電子レンジ等から
生じる不要輻射において、基本波周波数帯（ＦＭ帯）を
中心として低周波数帯（ＬＳＢ）、高周波数帯（ＵＳ
Ｂ）に発生するサイドバンドノイズの低減効果があり、
図７に示すように、きわめてクリーンな基本波の発生が
可能となる。図８は従来のマグネトロン装置の基本周波
数帯のコールドロス特性図を示す。図７と図８との対比
から 本発明のマグネトロン装置は、従来のマグネトロ
ン装置に比べて基本波周波数帯の両サイドバンドにおけ
るＬＳＢのコールドロスが約３５ｄＢ、ＵＳＢのコール
ドロスが約１０ｄＢ低減する効果がそれぞれ認められ
た。
生じる不要輻射において、基本波周波数帯（ＦＭ帯）を
中心として低周波数帯（ＬＳＢ）、高周波数帯（ＵＳ
Ｂ）に発生するサイドバンドノイズの低減効果があり、
図７に示すように、きわめてクリーンな基本波の発生が
可能となる。図８は従来のマグネトロン装置の基本周波
数帯のコールドロス特性図を示す。図７と図８との対比
から 本発明のマグネトロン装置は、従来のマグネトロ
ン装置に比べて基本波周波数帯の両サイドバンドにおけ
るＬＳＢのコールドロスが約３５ｄＢ、ＵＳＢのコール
ドロスが約１０ｄＢ低減する効果がそれぞれ認められ
た。
【００１４】また、本発明によれば、基本波の整数倍で
発生する各高調波もクリーンになることから、高調波減
衰のための出力部構造も簡素化し、構成部品の低廉化が
可能となる。また、本発明はＬＳＢおよびＵＳＢにおけ
るノイズの低減効果があるために、ニューメディア通信
系の携帯用移動電話のＬＳＢおよびＵＳＢの使用周波数
帯と共存するという重要な効果も有する。
発生する各高調波もクリーンになることから、高調波減
衰のための出力部構造も簡素化し、構成部品の低廉化が
可能となる。また、本発明はＬＳＢおよびＵＳＢにおけ
るノイズの低減効果があるために、ニューメディア通信
系の携帯用移動電話のＬＳＢおよびＵＳＢの使用周波数
帯と共存するという重要な効果も有する。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波駆動時も安定してマグネトロン動作が可能なマグ
ネトロン装置を提供することができるものである。
高周波駆動時も安定してマグネトロン動作が可能なマグ
ネトロン装置を提供することができるものである。
【図１】本発明の一実施例であるマグネトロン装置の要
部断面正面図
部断面正面図
【図２】同要部底面図
【図３】触角状の高周波駆動入力リード線の折り返し長
さと同リード線の先端温度との関係図
さと同リード線の先端温度との関係図
【図４】陰極端子からの高周波駆動入力リード線までの
長さと触角状のリード線の先端温度との関係図
長さと触角状のリード線の先端温度との関係図
【図５】本発明の他の実施例のマグネトロン装置の要部
断面図
断面図
【図６】同要部底面図
【図７】本発明の一実施例であるマグネトロン装置の基
本波サイドバンドノイズを示す図
本波サイドバンドノイズを示す図
【図８】従来のマグネトロン装置の基本波サイドバンド
ノイズを示す図
ノイズを示す図
【図９】従来のマグネトロン装置の底面図
【図１０】従来の他のマグネトロン装置の一部断面正面
図
図
１ セラミック支持体 ２ 陰極端子 １０ 触角状リード線
フロントページの続き (72)発明者 平石 典男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (72)発明者 野口 欣宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−10332（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−247950（ＪＰ，Ａ) 実開 昭53−53958（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭52−171258（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭48−104252（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 23/14
Claims (3)
- 【請求項１】 電波漏洩防止フィルタ回路を具備するマ
グネトロン装置において、マグネトロンの陰極端子に各
々接続された入力リード線の各延長先端部を互いに反対
方向へ折り返して、前記入力リード線が形成されている
ことを特徴とするマグネトロン装置。 - 【請求項２】 延長先端部の折り返し長さが１５ｍｍ以
上であることを特徴とする請求項１に記載のマグネトロ
ン装置。 - 【請求項３】 延長先端部がマグネトロンの陰極端子の
延長先端部で形成されていることを特徴とする請求項１
に記載のマグネトロン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18796293A JP3269191B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | マグネトロン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18796293A JP3269191B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | マグネトロン装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745208A JPH0745208A (ja) | 1995-02-14 |
| JP3269191B2 true JP3269191B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=16215210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18796293A Expired - Fee Related JP3269191B2 (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | マグネトロン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269191B2 (ja) |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18796293A patent/JP3269191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745208A (ja) | 1995-02-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |