JPH0754668B2 - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPH0754668B2 JPH0754668B2 JP59098696A JP9869684A JPH0754668B2 JP H0754668 B2 JPH0754668 B2 JP H0754668B2 JP 59098696 A JP59098696 A JP 59098696A JP 9869684 A JP9869684 A JP 9869684A JP H0754668 B2 JPH0754668 B2 JP H0754668B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetron
- choke
- case
- filter
- feedthrough capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電子レンジ等のマイクロ波応用機器に使用さ
れるマグネトロンに係り、特にマグネトロンの高周波等
の特定の強い漏洩電波を抑止する貫通形セラミックコン
デンサからなる雑音消去用フィルタ回路素子を備えたマ
グネトロンに関する。
れるマグネトロンに係り、特にマグネトロンの高周波等
の特定の強い漏洩電波を抑止する貫通形セラミックコン
デンサからなる雑音消去用フィルタ回路素子を備えたマ
グネトロンに関する。
電子レンジ等の高周波利用設備は無線通信などへの障害
をなくすために規定以下の雑音レベルにするように義務
づけられている。しかし、近年の通信技術の進歩によ
り、より小さい電力でも通信が可能となつたので、雑音
レベルの規正を更に厳しくしようとする動きがある。
をなくすために規定以下の雑音レベルにするように義務
づけられている。しかし、近年の通信技術の進歩によ
り、より小さい電力でも通信が可能となつたので、雑音
レベルの規正を更に厳しくしようとする動きがある。
一方、マグネトロンは、その発振時においてはその入力
部および出力部を介してマグネトロンの発振基本波を初
めとする高調波，さらにはVHF,UHF帯波などが外部へ放
射される。このため、マグネトロンにはこの入力部ある
いは出力部からの雑音電波を減衰消去させ、テレビ，ラ
ジオ，無線通信などへの影響をなくすような雑音消去用
フイルタ（以下フイルタと称する）を取り付けている。
近年ではその電波雑音の規制値をより厳しい値にするこ
とを各国が検討しており、マグネトロン単体としてもそ
の電波漏洩対策が必至の問題となつている。
部および出力部を介してマグネトロンの発振基本波を初
めとする高調波，さらにはVHF,UHF帯波などが外部へ放
射される。このため、マグネトロンにはこの入力部ある
いは出力部からの雑音電波を減衰消去させ、テレビ，ラ
ジオ，無線通信などへの影響をなくすような雑音消去用
フイルタ（以下フイルタと称する）を取り付けている。
近年ではその電波雑音の規制値をより厳しい値にするこ
とを各国が検討しており、マグネトロン単体としてもそ
の電波漏洩対策が必至の問題となつている。
このフイルタは、一般的にはチヨークコイルと貫通コン
デンサとを組合せマグネトロンの入力部側陰極端子に接
続させるフイルタ構造（実開昭48−26431号公報，実開
昭51−67352号公報および実開昭51−67353号公報）と、
マグネトロンの出力部側アンテナにチヨークを複数個取
り付けるフイルタ構造（特公昭56−21215号公報）とが
知られている。
デンサとを組合せマグネトロンの入力部側陰極端子に接
続させるフイルタ構造（実開昭48−26431号公報，実開
昭51−67352号公報および実開昭51−67353号公報）と、
マグネトロンの出力部側アンテナにチヨークを複数個取
り付けるフイルタ構造（特公昭56−21215号公報）とが
知られている。
しかしながら、マグネトロンは基本周波数2450MHzを発
振し出力する際、その高調波も同時に出力し、かつその
高調波の周波数およびレベルは基本波に対して不均一に
変化する。一方、第５以上の高調波の漏洩量についての
計測は、最近やつとできる様になつたばかりである。こ
のため、減衰消去すべき帯域および減衰量をVHF及びUHF
TV放送帯や第４高調波以下の高調波に対して設定され
ていた従来のフイルタ構成では広い帯域にわたつて十分
に大きな減衰量が得られないという問題があつた。
振し出力する際、その高調波も同時に出力し、かつその
高調波の周波数およびレベルは基本波に対して不均一に
変化する。一方、第５以上の高調波の漏洩量についての
計測は、最近やつとできる様になつたばかりである。こ
のため、減衰消去すべき帯域および減衰量をVHF及びUHF
TV放送帯や第４高調波以下の高調波に対して設定され
ていた従来のフイルタ構成では広い帯域にわたつて十分
に大きな減衰量が得られないという問題があつた。
第１図は従来のマグネトロンの一例を示す一部切り欠き
側面図である。同図においては、公知の内部構造を有し
かつ高周波エネルギーを出力するマグネトロン本体１は
そのマイクロ波出力部２および陰極入力部３側には図示
しない一対の円環状の整磁板および永久磁石がそれぞれ
配設され磁気回路を形成するヨーク４に挾持されてい
る。また、このマグネトロン本体１の陰極入力部３には
外部へ漏洩する雑音電波を減衰消去させるチヨークコイ
ル５と貫通コンデンサ６とからなるフイルタ７を収納す
るフイルタケース８が取り付け固定されている。そし
て、このフイルタ７は、そのチヨークコイル５が陰極入
力部３の絶縁ステム９先端部に設けられている陰極端子
10に接続されており、貫通コンデンサ６はフイルタケー
ス８を貫通して保持され、外部にその他端部側を突出さ
せ、外部交流電源と接続させる入力端子11が一体的に設
けられている。
側面図である。同図においては、公知の内部構造を有し
かつ高周波エネルギーを出力するマグネトロン本体１は
そのマイクロ波出力部２および陰極入力部３側には図示
しない一対の円環状の整磁板および永久磁石がそれぞれ
配設され磁気回路を形成するヨーク４に挾持されてい
る。また、このマグネトロン本体１の陰極入力部３には
外部へ漏洩する雑音電波を減衰消去させるチヨークコイ
ル５と貫通コンデンサ６とからなるフイルタ７を収納す
るフイルタケース８が取り付け固定されている。そし
て、このフイルタ７は、そのチヨークコイル５が陰極入
力部３の絶縁ステム９先端部に設けられている陰極端子
10に接続されており、貫通コンデンサ６はフイルタケー
ス８を貫通して保持され、外部にその他端部側を突出さ
せ、外部交流電源と接続させる入力端子11が一体的に設
けられている。
第２図は第１図に示す貫通コンデンサ６の要部拡大断面
図であり、第１図同一部分は同一符号を付す。同図にお
いて、6aは貫通コンデンサ６のフイルタケース８の外面
側を被覆する絶縁性の第１のケース、6bはその内側面側
を被覆する絶縁性の第２のケースであり、これらのケー
ス6a,6bの中心部には交流電源を導通させる中心導体6c
が貫通配置され、この中心導体6cの第１のケース6a側は
第１図に示す入力端子11となつており、第２のケース6b
側は前述したチヨークコイル５と電気的に接続される。
6dは中心導体6cに被覆された絶縁パイプ、6eはフイルタ
ケース８の開口先端部に固着配置された円環状のセラミ
ツクコンデンサ素子、6fはセラミツクコンデンサ素子6e
の他端と中心導体6cとの間に固着配置された電極、6gは
第１のケース6aおよび第２のケース6b内に封入されて前
述した構成部品を保持固定するモールド材、6hはモール
ド材6gを流入させる開口である。
図であり、第１図同一部分は同一符号を付す。同図にお
いて、6aは貫通コンデンサ６のフイルタケース８の外面
側を被覆する絶縁性の第１のケース、6bはその内側面側
を被覆する絶縁性の第２のケースであり、これらのケー
ス6a,6bの中心部には交流電源を導通させる中心導体6c
が貫通配置され、この中心導体6cの第１のケース6a側は
第１図に示す入力端子11となつており、第２のケース6b
側は前述したチヨークコイル５と電気的に接続される。
6dは中心導体6cに被覆された絶縁パイプ、6eはフイルタ
ケース８の開口先端部に固着配置された円環状のセラミ
ツクコンデンサ素子、6fはセラミツクコンデンサ素子6e
の他端と中心導体6cとの間に固着配置された電極、6gは
第１のケース6aおよび第２のケース6b内に封入されて前
述した構成部品を保持固定するモールド材、6hはモール
ド材6gを流入させる開口である。
このように構成されるマグネトロンにおいて、マグネト
ロン本体１でマイクロ波が発振され、そのマイクロ波は
出力部２から放射されて例えば電子レンジの場合には食
品などの被加熱物を加熱するエネルギーとなる。一方、
そのマイクロ波およびその高調波は陰極リードを伝搬
し、陰極端子10を経由してチヨークコイル５に伝搬し、
貫通コンデンサ６を介してフイルタケース８から外部へ
漏洩し雑音電波となる。
ロン本体１でマイクロ波が発振され、そのマイクロ波は
出力部２から放射されて例えば電子レンジの場合には食
品などの被加熱物を加熱するエネルギーとなる。一方、
そのマイクロ波およびその高調波は陰極リードを伝搬
し、陰極端子10を経由してチヨークコイル５に伝搬し、
貫通コンデンサ６を介してフイルタケース８から外部へ
漏洩し雑音電波となる。
しかしながら、このように構成されるマグネトロンにお
いて、チヨークコイル５と貫通コンデンサ６とからなる
フイルタ７はローパスフイルタとして作用し、数10MHz
から数100MHzの特定の帯域範囲に対して大きな減衰特性
を有するが、それ以上の周波数帯域に対しては貫通コン
デンサ６のシールド効果のみであつた。このため、マグ
ネトロンの基本波2450MHzの高調波等のマイクロ波帯の
雑音電波に対しては充分なシールド効果が得られず、特
にレベルの高い高調波による雑音電波がフイルタケース
８の外部に放射されていた。
いて、チヨークコイル５と貫通コンデンサ６とからなる
フイルタ７はローパスフイルタとして作用し、数10MHz
から数100MHzの特定の帯域範囲に対して大きな減衰特性
を有するが、それ以上の周波数帯域に対しては貫通コン
デンサ６のシールド効果のみであつた。このため、マグ
ネトロンの基本波2450MHzの高調波等のマイクロ波帯の
雑音電波に対しては充分なシールド効果が得られず、特
にレベルの高い高調波による雑音電波がフイルタケース
８の外部に放射されていた。
したがつて本発明は、前述した問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、基本周波数および
その高調波を効率良く減衰消去させることのできる雑音
消去用フィルタ回路素子を備えたマグネトロンを提供す
ることにある。
のであり、その目的とするところは、基本周波数および
その高調波を効率良く減衰消去させることのできる雑音
消去用フィルタ回路素子を備えたマグネトロンを提供す
ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、貫通コンデ
ンサ内にチヨーク構造を設けとともにこのチヨーク構造
の少なくとも一部に高透磁率損失部材を配設するもので
ある。
ンサ内にチヨーク構造を設けとともにこのチヨーク構造
の少なくとも一部に高透磁率損失部材を配設するもので
ある。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第３図は本発明による雑音消去用フィルタ回路の実施例
を説明するに先立ち本発明の原理を説明するための貫通
コンデンサの要部断面図であり、前述の図と同一部分は
同一符号を付す。同図において、貫通コンデンサ６′を
構成する第２のケース6b内にはその中心導体6cに、フイ
ルタケース８の内側方向に開放端を有しかつ深さl1，l2
（l2＞l1）および直径d1，d2（d2＞d1）の異なるカツプ
状の第１のチョーク構造6i,第２のチョーク構造6jがそ
れぞれ同軸的に形成配置されており、さらにこの第１の
チョーク構造6iおよび第２のチョーク構造6jの短絡端側
にはマイクロ波吸収体、たとえば高透磁率損失の大きい
円環状の第１のフエライトリング6kおよび第２のフエラ
イトリング6lがそれぞれ挾持されている。
を説明するに先立ち本発明の原理を説明するための貫通
コンデンサの要部断面図であり、前述の図と同一部分は
同一符号を付す。同図において、貫通コンデンサ６′を
構成する第２のケース6b内にはその中心導体6cに、フイ
ルタケース８の内側方向に開放端を有しかつ深さl1，l2
（l2＞l1）および直径d1，d2（d2＞d1）の異なるカツプ
状の第１のチョーク構造6i,第２のチョーク構造6jがそ
れぞれ同軸的に形成配置されており、さらにこの第１の
チョーク構造6iおよび第２のチョーク構造6jの短絡端側
にはマイクロ波吸収体、たとえば高透磁率損失の大きい
円環状の第１のフエライトリング6kおよび第２のフエラ
イトリング6lがそれぞれ挾持されている。
このように構成される雑音消去用フイルタ回路素子にお
いて、高調波は前述したように基本周波数の整数倍であ
るため、その周波数を特定できるので、その高調波周波
数に第１のチョーク構造6iおよび第２のチョーク構造6j
の深さl1，l2を対応する波長λのλ/4にマツチングさせ
ることにより、その周波数の漏洩を抑止することがてき
る。この場合、第１のチョーク構造6iおよび第２のチョ
ーク構造6jの開放端においてはその特定の周波数に対す
るインピーダンスが最大となる。またこの場合、その偶
数倍の周波数についてはそのチョーク構造6i,6jの開放
端のインピーダンスは極小となり、奇数倍の周波数に対
しては極大となつている。さらにそのチョーク構造6i,6
jの短絡端側ではチョーク構造構造の内側および外側も
インピーダンスが極小となつている。ここで、インピー
ダンスが極大となるということは、その部分においてマ
イクロ波電圧が極大となることであり、インピーダンス
が極小となることはマイクロ波電流が極大となることで
ある。一方、マツチングしていないその他の周波数はチ
ョーク構造6i,6jの開放端でのインピーダンスは極大と
極小の間であり、また、マイクロ波電流のあるところは
マイクロ波磁界がその近傍にあるということである。し
たがつて、各チヨーク6i,6jの近傍でマイクロ波磁界の
集中している短絡端側部分に高透磁率損失の大きいフエ
ライトリング6k,6lを配置することにより、マイクロ波
エネルギはこれらのフエライトリング6k,6lに吸収され
るので、透過するマイクロ波量をさらに低減させること
ができる。
いて、高調波は前述したように基本周波数の整数倍であ
るため、その周波数を特定できるので、その高調波周波
数に第１のチョーク構造6iおよび第２のチョーク構造6j
の深さl1，l2を対応する波長λのλ/4にマツチングさせ
ることにより、その周波数の漏洩を抑止することがてき
る。この場合、第１のチョーク構造6iおよび第２のチョ
ーク構造6jの開放端においてはその特定の周波数に対す
るインピーダンスが最大となる。またこの場合、その偶
数倍の周波数についてはそのチョーク構造6i,6jの開放
端のインピーダンスは極小となり、奇数倍の周波数に対
しては極大となつている。さらにそのチョーク構造6i,6
jの短絡端側ではチョーク構造構造の内側および外側も
インピーダンスが極小となつている。ここで、インピー
ダンスが極大となるということは、その部分においてマ
イクロ波電圧が極大となることであり、インピーダンス
が極小となることはマイクロ波電流が極大となることで
ある。一方、マツチングしていないその他の周波数はチ
ョーク構造6i,6jの開放端でのインピーダンスは極大と
極小の間であり、また、マイクロ波電流のあるところは
マイクロ波磁界がその近傍にあるということである。し
たがつて、各チヨーク6i,6jの近傍でマイクロ波磁界の
集中している短絡端側部分に高透磁率損失の大きいフエ
ライトリング6k,6lを配置することにより、マイクロ波
エネルギはこれらのフエライトリング6k,6lに吸収され
るので、透過するマイクロ波量をさらに低減させること
ができる。
第４図は本発明による雑音消去用フイルタ回路素子の一
実施例を説明するための貫通コンデンサの要部断面図で
あり、前述の図と同一部分は同一符号を付す。同図にお
いては、貫通コンデンサ６″を構成する第２のケース6b
内にはその中心導体6cに、フイルタケース８の内側方向
に開放端を有しかつ深さｌを有するカツプ状のチョーク
構造6mが形成配置されており、このチョーク構造6mの外
面にはこのチョーク構造6mの開放端側に閉塞端を有する
高透磁率損失の大きいカツプ状のフエライト筒体6nが嵌
合配置されている。
実施例を説明するための貫通コンデンサの要部断面図で
あり、前述の図と同一部分は同一符号を付す。同図にお
いては、貫通コンデンサ６″を構成する第２のケース6b
内にはその中心導体6cに、フイルタケース８の内側方向
に開放端を有しかつ深さｌを有するカツプ状のチョーク
構造6mが形成配置されており、このチョーク構造6mの外
面にはこのチョーク構造6mの開放端側に閉塞端を有する
高透磁率損失の大きいカツプ状のフエライト筒体6nが嵌
合配置されている。
このような構成においては、チョーク構造6mを、マツチ
ングさせる周波数、すなわちチョーク構造6mの深さｌが
λ/4となる波長λの周波数とその奇数次高調波に対して
はチョーク構造6mの開放端のインピーダンスが極大とな
り、対応する高調波周波数の透過量を低減させることが
できる。一方、偶数次高調波に対してはチョーク構造6m
の開放端がマイクロ波電流の腹となり、磁界が集中する
が、この部分に閉塞端を有するフエライト筒体6nが配設
されているので、そのマイクロ波が吸収されることにな
る。したがつて偶数次の高調波も同時に低減させること
ができる。
ングさせる周波数、すなわちチョーク構造6mの深さｌが
λ/4となる波長λの周波数とその奇数次高調波に対して
はチョーク構造6mの開放端のインピーダンスが極大とな
り、対応する高調波周波数の透過量を低減させることが
できる。一方、偶数次高調波に対してはチョーク構造6m
の開放端がマイクロ波電流の腹となり、磁界が集中する
が、この部分に閉塞端を有するフエライト筒体6nが配設
されているので、そのマイクロ波が吸収されることにな
る。したがつて偶数次の高調波も同時に低減させること
ができる。
第５図および第６図は本発明の他の実施例を示す要部断
面図であり、前述の図と同一部分または相当する部分に
は同一符号を付す。同図において、第２のケース6b内に
形成配置されたカツプ状のチョーク構造6mの外面には、
その開放端から短絡端にわたつて筒状のフエライト筒体
6nが嵌合配置されて貫通コンデンサ６″が構成されてい
る。
面図であり、前述の図と同一部分または相当する部分に
は同一符号を付す。同図において、第２のケース6b内に
形成配置されたカツプ状のチョーク構造6mの外面には、
その開放端から短絡端にわたつて筒状のフエライト筒体
6nが嵌合配置されて貫通コンデンサ６″が構成されてい
る。
このような構成においても、チョーク構造6mの開放端お
よび短絡端側に高透磁率損失の大きいフエライト筒体6n
が位置されることになるので、チョーク構造6mが奇数次
高調波にマツチングさせたときに両端側に生ずる偶数次
高調波の透過マイクロ波量を吸収することができる。
よび短絡端側に高透磁率損失の大きいフエライト筒体6n
が位置されることになるので、チョーク構造6mが奇数次
高調波にマツチングさせたときに両端側に生ずる偶数次
高調波の透過マイクロ波量を吸収することができる。
以上説明したように本発明によれば、貫通コンデンサ内
にチヨーク構造を設けるとともに、このチヨーク構造の
少なくとも一部に高透磁率部材を配設したことによつ
て、外部へ漏洩する基本周波数およびその高調波を効率
良く減衰消去させることができるので、品質および信頼
性の高い雑音消去用フィルタ回路を備えたマグネトロン
を提供できるという極めて優れた効果が得られる。
にチヨーク構造を設けるとともに、このチヨーク構造の
少なくとも一部に高透磁率部材を配設したことによつ
て、外部へ漏洩する基本周波数およびその高調波を効率
良く減衰消去させることができるので、品質および信頼
性の高い雑音消去用フィルタ回路を備えたマグネトロン
を提供できるという極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来のマグネトロンの一例を示す一部切り欠き
側面図、第２図はその貫通コンデンサを示す要部拡大断
面図、第３図は本発明による雑音消去用フィルタ回路の
実施例を説明するに先立ち本発明の原理を説明するため
の貫通コンデンサの断面図、第４図ないし第６図は本発
明の実施例を説明するための貫通コンデンサの断面図で
ある。 １……マグネトロン本体、２……マイクロ波出力部、３
……陰極入力部、４……ヨーク、５……チヨークコイ
ル、6,6′,6″,6……貫通コンデンサ、6a……第１の
ケース、6b……第２のケース、6c……中心導体、6d……
絶縁パイプ、6e……セラミツクコンデンサ素子、6f……
電極、6g……モールド材、6h……開口部、6i……第１の
チョーク構造、6j……第２のチョーク構造、6k,6l……
フエライトリング、6m……チョーク構造、6n……フエラ
イト筒体、７……フイルタ、８……フイルタケース、９
……絶縁ステム、10……陰極端子、11……入力端子。
側面図、第２図はその貫通コンデンサを示す要部拡大断
面図、第３図は本発明による雑音消去用フィルタ回路の
実施例を説明するに先立ち本発明の原理を説明するため
の貫通コンデンサの断面図、第４図ないし第６図は本発
明の実施例を説明するための貫通コンデンサの断面図で
ある。 １……マグネトロン本体、２……マイクロ波出力部、３
……陰極入力部、４……ヨーク、５……チヨークコイ
ル、6,6′,6″,6……貫通コンデンサ、6a……第１の
ケース、6b……第２のケース、6c……中心導体、6d……
絶縁パイプ、6e……セラミツクコンデンサ素子、6f……
電極、6g……モールド材、6h……開口部、6i……第１の
チョーク構造、6j……第２のチョーク構造、6k,6l……
フエライトリング、6m……チョーク構造、6n……フエラ
イト筒体、７……フイルタ、８……フイルタケース、９
……絶縁ステム、10……陰極端子、11……入力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】マグネトロン本体の陰極入力部に設けたフ
ィルタケース内に収容され、上記陰極入力部の陰極端子
に一端を接続したチョークコイルと上記フィルタケース
を貫通して保持されて一端が上記チョークコイルの他端
に接続すると共に他端が外部交流電源と接続する中心導
体を挿通する貫通コンデンサとを有するマグネトロンに
おいて、 前記貫通コンデンサを構成する前記フィルタケースの外
部に位置する第１のケース内に前記円環状セラミックコ
ンデンサ素子を有し、前記フィルタケースの内部に位置
する第２のケース内の前記中心導体に同軸的に接続し一
端に開放端を有しかつ消去減衰したい特定高調波の電気
長のλ/4の深さを有するカップ状としたチョーク作用を
有する筒状のチョーク構造を設けると共に、上記チョー
ク構造の少なくとも一端を覆って外側に接した筒状のマ
イクロ波吸収体を設置したことを特徴とするマグネトロ
ン。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098696A JPH0754668B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | マグネトロン |
| KR1019850003379A KR900001700B1 (ko) | 1984-05-18 | 1985-05-17 | 마그네트론 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098696A JPH0754668B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | マグネトロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243939A JPS60243939A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0754668B2 true JPH0754668B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=14226666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59098696A Expired - Lifetime JPH0754668B2 (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754668B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744005B2 (ja) * | 1986-11-29 | 1995-05-15 | 株式会社東芝 | 電子レンジ用マグネトロン |
| DE3765095D1 (de) * | 1986-11-29 | 1990-10-25 | Toshiba Kawasaki Kk | Hochspannungseingang-terminalaufbau eines magnetrons fuer einen mikrowellenofen. |
| KR100449921B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2004-09-24 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 전자레인지용 커패시터의 접지금속구 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5245625B2 (ja) * | 1972-11-21 | 1977-11-17 | ||
| JPS51121161U (ja) * | 1975-03-20 | 1976-10-01 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098696A patent/JPH0754668B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60243939A (ja) | 1985-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4163175A (en) | Magnetron for which leakage of H.F. noise is minimized | |
| JPS6019102B2 (ja) | 高周波装置 | |
| KR910004087B1 (ko) | 마그네트론 | |
| JPS6114627B2 (ja) | ||
| KR20150071794A (ko) | 마그네트론 및 그를 가지는 고주파 가열기기 | |
| JP3277215B2 (ja) | マイクロウェーブオーブン用マグネトロンの不要電子波遮蔽構造 | |
| US4223245A (en) | Magnetron device exhibiting reduced microwave leakage | |
| KR890004840B1 (ko) | 전자레인지용 마그네트론 | |
| JPH0754668B2 (ja) | マグネトロン | |
| US6097154A (en) | Microwave oven magnetron design with a harmonic choke following a numerical expression | |
| JPS61288347A (ja) | 電子レンジ用マグネトロン | |
| JPH0568823B2 (ja) | ||
| US6803726B2 (en) | Noise filter of high frequency generator | |
| JPS60243942A (ja) | マグネトロン | |
| KR900001700B1 (ko) | 마그네트론 | |
| JPS60243941A (ja) | マグネトロンの雑音消去用フイルタ回路素子 | |
| KR20040065756A (ko) | 고주파 발생기의 노이즈 필터 | |
| KR950000805Y1 (ko) | 마그네트론의 고주파 누설 차폐장치 | |
| JPS60243940A (ja) | マグネトロン | |
| KR920001568Y1 (ko) | 마그네트론 | |
| KR970011497B1 (ko) | 전자렌지용 마그네트론의 커패시터(capacitor) | |
| JPS5833693Y2 (ja) | マグネトロン | |
| JP3269191B2 (ja) | マグネトロン装置 | |
| KR900010243Y1 (ko) | 마그네트론 | |
| KR950002860Y1 (ko) | 전자레인지용 마그네트론의 고조파 누설방지장치 |