KR900010243Y1 - 마그네트론 - Google Patents

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KR900010243Y1
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박승호
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주식회사 금성사
최근선
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/36Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy
    • H01J23/54Filtering devices preventing unwanted frequencies or modes to be coupled to, or out of, the interaction circuit; Prevention of high frequency leakage in the environment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/50Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field

Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론
제1도는 종래의 마그네트론 구성을 보인 종단면도.
제2도는 본 고안 마그네트론의 일 실시예를 보인 종단면도.
제3도는 본 고안 마그네트론의 다른 실시예를 보인 종단면도.
제4도는 본 고안 마그네트론의 또 다른 실시예를 보인 종단면도.
제5도는 본 고안 마그네트론의 그외의 다른 실시예를 보인 종단면도.
제6도는 본 고안에 의한 효과를 설명하기 위한 도표.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 에프실 7 : 센터리이드
8 : 사이드리이드 20 : 도전체
본 고안은 전자레인지의 마그네트론에 관한 것으로, 특히 입력전원에 따라서 누설되는 전자파에 의한 잡음을 억제시킬 수 있게한 개선된 형태의 마그네트론에 관한 것이다.
일반적으로 사용되는 마그네트론의 전형적인 일예는 제1도에 도시한 바와 같이, 요그(1)의 내측부에 애노드스트랩(2)이 고정된 다수개의 베인(3)을 갖는 애노드실린더(4)와, 베인(3)에 전기적으로 결합된 안테나리드(5)와, 열전자를 방출하는 나선상의 형상을 지닌 필라멘트(6)와, 필라멘트(6)에 전원을 공급해주는 센서리이드(7) 및 사이드 리이드(8)와, 페라이트 마그네트(9)(9')가 공급하는 자기 에너지를 필라멘트(6)와 베인(3) 사이의 작용공간에 직속시키도록 베인(3)의 상. 하측부에 설치한 상. 하부 자극편(10)(10')과 애노드 실린더(4)를 지지하는 에프실(F-seal)(11)과, 필라멘트(6)로부터 상측방향으로 방출되어 나가는 열전자를 차폐하기 위한 상. 하부캡(12)(13)과, 저면에 필터박스커버(14)를 구비한 필터박스(15)의 내측에서 센서리이드(7) 및 사이드 리이드(8)이 삽입되는 절연통(16)과, 센터리이드(7) 및 사이드 리이드(8)의 하측부에 고정된 센터리이드 연결단자(17) 및 사이드 리이드 연결단자(18)로 구성되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 일반적인 마그네트론은 필라멘트(6)에서 방출된 전자는 페라이드마그네트(9)(9')로부터 생성된 자기의 힘으로 제어됨으로써 에노드실린더(4)에서 2450MHz의 주파수를 가지는 에너지를 생성하게 되고, 다시 이 에너지를 베인(3)에 접속시켜 베인(3)이 연결된 안테나 리드(5)를 통해 외부로 방출시킨다.
이때 2450MHz의 기본파 2450MHz이 이상과 이하의 불필요한 주파수(이하, 불요파라 칭함)가 발생되는데 그 원인은 애노드 실린더(4)의 내부가 고진공상태 또는 미소한 수소가스에 의한 이온진동에 의하여 발생하게 된다.
이와 같은 불요파가 센터리이드(7) 및 사이드리이드(8)를 통해 센터리이드연결단자(17) 및 사이드리이드 연결단자(18)에 흘러 입력전원에까지 누출된다.
이와 같은 출전파는 아주 미약하더라도 무선 및 유선장애를 일으키는 경우가 있어, 누출전파의 한계치를 법으로 규제하고 있다
이상에서 설명한 바와 같이 일반적인 마그네트론은 불요파를 차폐할 수 없는 구조로 되어 있어 TV 수상기둥이 전파방해를 받는 문제점이 있었으며, 이와 같은 전파방해를 방지하기 위하여 마그네트론과는 별도로 전자레인지의 입력전원부에 차폐회로의 설치가 요구되어 제품의 생산원가가 상승되는 문제점이 있었다.
또한, 이와 같은 불요파의 발생을 방지하기 위하여 1/4 파장형 쵸크(choke)를 형성하여 임의의 특징 주파수를 억제하려하였으나 이와 같은 구조로서는 불요파의 누출을 충분하게 억제시킬 수 없는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안은 이와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 안출한 것으로, 에프실의 저면에 원통형상의 도전체를 고정설치하여 불요파의 발생을 억제함으로써 누설되는 전자파에 의한 잡음을 제거할 수 있도록 구성한 것인바, 이를 첨부된 도면에 의하여 설명하면 다음과 같다.
제2도에 도시한 바와 같이, 요크(1)의 내측부에 애노드 스크랩(2)이 고정된 다수개의 베인(3)을 갖는 애노드 실린더(4)와 베인(3)에 결합된 안테나리드(5)와, 필라멘트(6)와, 필라멘트(6)에 전원을 공급하는 센터리이드(7) 및 사이드리이드(8)와, 페라이드마그네트(9)(9')가 공급하는 자기에너지를 필라멘트(6)와 베인(3) 사이의 작용공간에 집속시키는 상. 하부 자극편(10)(10')과, 에프실(11)과, 필라멘트(6)로부터 방출되는 열전자의 차폐를 의한 상. 하부캡(12)(13)과, 저면에 필터박스(14)를 갖는 필터박스(15)와, 절연통(16)과, 센터리이드(7) 및 사이드리이드(8)의 하측부에 고정된 센터리이드 연결단자(17) 및 사이드리이드 연결단자(18)로 구성된 통상의 마그네트론이 있어서, 상기 하부자극편(10')과 에프실(11) 사이의 공간부(19)에 불요파의 제거를 위한 원통형상의 도전체(20)를 고정설치하여 구성하며, 상기 도전체(20)의 길이(ℓ)를λ(λ : 불요파의 파장)로 형성하고, 상기 도전체(20)의 직경(D)을λ로 형성하며, 상기 도전체(20)와 에프실(11)과의 개구부간격(C)을로 설정하여서된 것으로, 이와 같은 구성을 갖는 본 고안의 마그네트론은 필라멘트(6)에서 방출된 전자는 페라이드 마그네트(9)(9')의 자기의 힘에 의하여 2450MHz의 주파수를 가지는 에너지를 생성하게 되고, 다시 베인(3)에서 접속시킨 후 안테나 리드(5)를 거쳐 외부로 방출시키게 된다.
이때 센터리이드(7)와 사이드리이드(8)의 둘레에 기본파 및 불요파에 대한 모우드(Mode)가 발생되기 어렵도록 작은 지름의 동축선로가 형성되는 동시에 원통형상의 도전체(20)에 의해 고리 형상 홈(G)의 쵸크(choke)가 형성되므로 대부분 모우드의 불필요한 주파수의 성분도 이와 같은 고임피틴스를 나타내는 쵸크를 전파저지되어 불필요한 주파수의 누출을 억제하게 되는 것이다.
또한, 제6a도 내지 제6c도에 도시한 바와 같이, 임의의 주파수에 대하여 종래의 누출 불필요한 주파수 레벨(A)보다 본 고안을 적용하였을 경우의 누출 불필요한 주파수의 레벨(B)이 평균 5(dB) 이상 누출억압 효과를 얻을 수 있다.
제3도 및 제4도는 본 고안의 마그네트론의 다른 실시예 및 또다른 실시예를 보인 것으로, 이에 도시한 바와 같이, 에프실(11)의 하측부에 두개의 고리형상 홈(G1)(G2)을 형성하기 위하여 같은 길이(ℓ)의 도전체(21)(21'), 또는 각기 다른 길이(ℓ1)(ℓ2)를 갖는 두개의 도전체(21a)(21'a)를 고정설치한 것이다.
이와 같은 본 고안의 다른 실시예 및 또 다른 실시예는 임의의 여러 불요파를 선택적으로 억압할 수 있다.
또한 제4도는 본 고안 마그네트론의 그외의 다른 실시예를 보인 것으로, 하부 자극편(10')의 중간부 저면에 도전체(22)를 부착 고정한 것이다.
상기한 본 고안 마그네트론의 다른 실시예 및 또다른 실시예, 그외의 다른 실시예의 경우에서도 본 고안의 마그네트론에서 얻을 수 있는 동일한 효과를 얻게 된다.

Claims (2)

  1. 자극편(10')과 에프실(11) 사이의 공간부에 불요파제거를 위한 원통형상의 도전체(20)가 설치된 마그네트론에 있어서, 상기 에프실(11)의 저면에 길이(ℓ)는 같고, 직경(D1)(D2) 및 개구부간격(C1)(C2)은 각기 다른 두개의 도전체(21)(21')가 고정된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에프실(11)의 저면에 길이(ℓ1)(ℓ2), 직경(D1)(D2), 개구부간격(C1)(C2)이 각기 다른 도전체 (21a)(21a')가 고정된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
KR2019870023168U 1987-12-26 1987-12-26 마그네트론 KR900010243Y1 (ko)

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