JPS60243942A - マグネトロン - Google Patents
マグネトロンInfo
- Publication number
- JPS60243942A JPS60243942A JP59098699A JP9869984A JPS60243942A JP S60243942 A JPS60243942 A JP S60243942A JP 59098699 A JP59098699 A JP 59098699A JP 9869984 A JP9869984 A JP 9869984A JP S60243942 A JPS60243942 A JP S60243942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- choke
- magnetron
- filter case
- capacitor
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子レンジ等のマイクロ波応用機器に用いられ
るマグネトロンに係わり、特にマグネトロンから発生す
る高調波等の特定の強い雑音電波の漏洩を抑止するフィ
ルタ構造に関するものである。
るマグネトロンに係わり、特にマグネトロンから発生す
る高調波等の特定の強い雑音電波の漏洩を抑止するフィ
ルタ構造に関するものである。
電子レンジ等の高周波利用設備は無線通信などへの障害
をなくすため、規定以下の雑音レベルにするように義務
付けられている。しかし、近年の通信技術の進歩により
、より小さい電力で通信が可能となったので、雑音レベ
ルの規制を更に厳しくしようとする動きがでてきた。
をなくすため、規定以下の雑音レベルにするように義務
付けられている。しかし、近年の通信技術の進歩により
、より小さい電力で通信が可能となったので、雑音レベ
ルの規制を更に厳しくしようとする動きがでてきた。
一方、マグネトロンは、その発振時においてその入力部
および出力部を介してマグネトロンの発振基本波を初め
とする高調波、さらにはＶＨＦ 。
および出力部を介してマグネトロンの発振基本波を初め
とする高調波、さらにはＶＨＦ 。
ＵＨＦ帯波などが外部へ放射される。このため、マグネ
トロンにはこの入力部あるいは出力部からの雑音電波を
減衰消去させ、テレビ、ラジオ、無線通信などへの影響
をなくすようなｊＩＩ日Ｌｉ社ｆｉ雑音消去用フィルタ
（以下フィルタと称する）を取シ付けている。これは雑
音電波をマグネトロンの中でできるだけ充分に抑止する
ことが装置全体の電波漏洩対策をよシ容易にならしめる
からである。近年ではその規制値をより厳しい値にする
ことが各国で検討されつつあり、マグネトロン単体とし
てもその電波漏洩対策が必至の問題となっている。
トロンにはこの入力部あるいは出力部からの雑音電波を
減衰消去させ、テレビ、ラジオ、無線通信などへの影響
をなくすようなｊＩＩ日Ｌｉ社ｆｉ雑音消去用フィルタ
（以下フィルタと称する）を取シ付けている。これは雑
音電波をマグネトロンの中でできるだけ充分に抑止する
ことが装置全体の電波漏洩対策をよシ容易にならしめる
からである。近年ではその規制値をより厳しい値にする
ことが各国で検討されつつあり、マグネトロン単体とし
てもその電波漏洩対策が必至の問題となっている。
このフィルタは、一般的にはチョークコイルと貫通コン
デンサとを組合せマグネトロンの入力部側陰極端子に接
続させるフィルタ構造が賞月されておシ、マた、マグネ
トロンの出力部側アンテナにチョークを複数個取υ付け
るフィルタ構造（特公昭５６−２１２１５号公報）とが
知られている。
デンサとを組合せマグネトロンの入力部側陰極端子に接
続させるフィルタ構造が賞月されておシ、マた、マグネ
トロンの出力部側アンテナにチョークを複数個取υ付け
るフィルタ構造（特公昭５６−２１２１５号公報）とが
知られている。
しかしながら、電子レンジに装着され動作させられるマ
グネトロンは、負荷インピーダンスが変化させられるた
め、発振し出力する基本周波数（２４５０ＭＩ（、帯）
も変化する。その際、高調波も同時に出力するが、その
高調波の周波数とレベルは基本波に対して不均一に変化
する。さらに高調波としては第２から第７までが確認さ
れている。特に近年の測定技術の進歩によシ第５から第
７高調波に対してもそれらの漏洩量の計測が最近になっ
て可能となった。とのため、減衰消去すべき帯域および
減衰量ｉ Ｖ）（ＦおよびＵＨＦのＴＶ放送帯や第４高
調波以下の高調波に対して設定されていた従来の）・イ
ルタ構成では広い帯域にわたって十分に大きな減衰量が
得られないという問題があった。
グネトロンは、負荷インピーダンスが変化させられるた
め、発振し出力する基本周波数（２４５０ＭＩ（、帯）
も変化する。その際、高調波も同時に出力するが、その
高調波の周波数とレベルは基本波に対して不均一に変化
する。さらに高調波としては第２から第７までが確認さ
れている。特に近年の測定技術の進歩によシ第５から第
７高調波に対してもそれらの漏洩量の計測が最近になっ
て可能となった。とのため、減衰消去すべき帯域および
減衰量ｉ Ｖ）（ＦおよびＵＨＦのＴＶ放送帯や第４高
調波以下の高調波に対して設定されていた従来の）・イ
ルタ構成では広い帯域にわたって十分に大きな減衰量が
得られないという問題があった。
第１図は従来のマグネトロンの一例を示す一部切り欠き
側面図である。同図において、公知の内部構造を有しか
つ高周波エネルギーを出力するマグネトロン本体１はそ
のマイクロ波出力部２および陰極入力部３側には図示し
ない一対の円環状の整磁板および永久磁石がそれぞれ配
設され磁気回路を形成するヨーク４に挾持されている。
側面図である。同図において、公知の内部構造を有しか
つ高周波エネルギーを出力するマグネトロン本体１はそ
のマイクロ波出力部２および陰極入力部３側には図示し
ない一対の円環状の整磁板および永久磁石がそれぞれ配
設され磁気回路を形成するヨーク４に挾持されている。
また、とのマグネトロン本体１の陰極入力部３には外部
へ漏洩する雑音電波を減衰消去させるチョークコイル５
と貫通コンデンサ６とからなるフィルタ７を収納するフ
ィルタケース８が取シ付は固定されている。そして、こ
のフィルタ７は、そのチョークコイル５が陰極入力部３
の絶縁ステム９先端部に設けられている陰極端子１０に
接続されておシ、貫通コンデンサ６はフィルタケース８
を貫通して保持され、外部にその他端部側を突出させ、
外部交流電源と接続させる入力端子１１が一体的に設け
られている。
へ漏洩する雑音電波を減衰消去させるチョークコイル５
と貫通コンデンサ６とからなるフィルタ７を収納するフ
ィルタケース８が取シ付は固定されている。そして、こ
のフィルタ７は、そのチョークコイル５が陰極入力部３
の絶縁ステム９先端部に設けられている陰極端子１０に
接続されておシ、貫通コンデンサ６はフィルタケース８
を貫通して保持され、外部にその他端部側を突出させ、
外部交流電源と接続させる入力端子１１が一体的に設け
られている。
このような構成において、マグネトロン本体１でマイク
ロ波が発振され、そのマイクロ波は出力部２から放射さ
れて例えば電子レンジの場合には食品などの被加熱物を
加熱するエネルギーとなる。
ロ波が発振され、そのマイクロ波は出力部２から放射さ
れて例えば電子レンジの場合には食品などの被加熱物を
加熱するエネルギーとなる。
一方、そのマイクロ波およびその高調波値陰極リードを
伝搬し、陰極端子１０を経由してチョークコイル５に伝
搬し、貫通コンデンサ６を介してフィルタケニス８から
外部へ漏洩し、雑音電波となる。
伝搬し、陰極端子１０を経由してチョークコイル５に伝
搬し、貫通コンデンサ６を介してフィルタケニス８から
外部へ漏洩し、雑音電波となる。
しかしながら、このように構成されるマグネトロンにお
いて、チョークコイル５と貫通コンデンサ６とからなる
フィルタ７はローパスフィルタと域に対しては貫通コン
デンサ６のシールド効果のみであった。このため、マグ
ネトロンの基本波２４５０ＭＨｚの高調波等のマイクロ
波帯の雑音電波に対しては充分なシールド効果が得られ
ず、特にレベルの高い高調波による雑音電波がフィルタ
ケース８の外部に放射されていた。
いて、チョークコイル５と貫通コンデンサ６とからなる
フィルタ７はローパスフィルタと域に対しては貫通コン
デンサ６のシールド効果のみであった。このため、マグ
ネトロンの基本波２４５０ＭＨｚの高調波等のマイクロ
波帯の雑音電波に対しては充分なシールド効果が得られ
ず、特にレベルの高い高調波による雑音電波がフィルタ
ケース８の外部に放射されていた。
〔発明の目的〕 ′
したがって本発明は、前述した問題に鑑みてなされたも
のであシ、その目的とするところ社、基本周波数および
その高調波を効率良く減衰消去させることのできるフィ
ルタ構造を備えたマグネトロンを提供することにある。
のであシ、その目的とするところ社、基本周波数および
その高調波を効率良く減衰消去させることのできるフィ
ルタ構造を備えたマグネトロンを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、チョーク構
造を内蔵した貫通形コンデンサを用いかつこの貫通形コ
ンデンサの中心導体が貫通する穴にフィルタケースと接
続する円筒体を設け、その円筒体を貫通形コンデンサの
内蔵するチョーク構−造Ｑ方向にその円筒部を延長させ
ることによ勺、チョーク効果を増大させたものである。
造を内蔵した貫通形コンデンサを用いかつこの貫通形コ
ンデンサの中心導体が貫通する穴にフィルタケースと接
続する円筒体を設け、その円筒体を貫通形コンデンサの
内蔵するチョーク構−造Ｑ方向にその円筒部を延長させ
ることによ勺、チョーク効果を増大させたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明によるマグネトロンの一実施例を説明す
るための陰極入力部の要部断面構成図であシ、第１図と
同一部分は同一符号を付し、その説明は省略する。同図
において、６は内部に貫通する中心導体６ａに入力端子
１１の方向に開口を有するカップ６ｂが固着されたチョ
ーク構造を有する貫通形セラミックコンデンサ（以下貫
通コンデンサと称する）であシ、この貫通コンデンサ６
′は、チョークの深さが例えば基本周波数に対してその
インピーダンスが最大となるように設定されておシ、理
想状態ではその深さは、波長をλとしたとき、λ／４と
ｋるが、一般的には開放端の影響によシ若干短かめに設
定されている。そして、この貫通コンデンサ６′はアー
ス板１２に開口を設けてこの開口部に取り付けられ、こ
のアース板１２は、フィルタケース８の内側に突出する
円筒部８ａを一体的に設けてこの円筒部８ａ内に貫通コ
ンデンサ６′ヲ挿入し、ネジ１３によシフィルタケース
８に取シ付は固定されている。この場合、この貫通コン
デンサ６′は２個の陰極端子１０にそれぞれチョークコ
イル５を介して２個設けられている。
るための陰極入力部の要部断面構成図であシ、第１図と
同一部分は同一符号を付し、その説明は省略する。同図
において、６は内部に貫通する中心導体６ａに入力端子
１１の方向に開口を有するカップ６ｂが固着されたチョ
ーク構造を有する貫通形セラミックコンデンサ（以下貫
通コンデンサと称する）であシ、この貫通コンデンサ６
′は、チョークの深さが例えば基本周波数に対してその
インピーダンスが最大となるように設定されておシ、理
想状態ではその深さは、波長をλとしたとき、λ／４と
ｋるが、一般的には開放端の影響によシ若干短かめに設
定されている。そして、この貫通コンデンサ６′はアー
ス板１２に開口を設けてこの開口部に取り付けられ、こ
のアース板１２は、フィルタケース８の内側に突出する
円筒部８ａを一体的に設けてこの円筒部８ａ内に貫通コ
ンデンサ６′ヲ挿入し、ネジ１３によシフィルタケース
８に取シ付は固定されている。この場合、この貫通コン
デンサ６′は２個の陰極端子１０にそれぞれチョークコ
イル５を介して２個設けられている。
このような構成によれば、貫通コンデンサ６′は、チョ
ーク構造を形成するカップ６ｂの開放先端部がアース板
１２に近接されることになり、基本波の奇数倍の高調波
に対しては開放端でのインピーダンスが極大となり、チ
ョークに大きな電圧がかかり、その点で電波が反射され
るので透過電力が減ることになり大きなチョーク効果が
得られる。
ーク構造を形成するカップ６ｂの開放先端部がアース板
１２に近接されることになり、基本波の奇数倍の高調波
に対しては開放端でのインピーダンスが極大となり、チ
ョークに大きな電圧がかかり、その点で電波が反射され
るので透過電力が減ることになり大きなチョーク効果が
得られる。
また、内部にカップ６ｂを内蔵した貫通コンデンサ６が
フィルタケース８の円筒部８ａ内に挿入されているので
、この円筒部８ａが外導体として作用するので、そのチ
ョーク効果をさらに増大させることができる。また、カ
ップ６ｂの開口の方向は図示と逆方向でも同等の効果が
得られる。
フィルタケース８の円筒部８ａ内に挿入されているので
、この円筒部８ａが外導体として作用するので、そのチ
ョーク効果をさらに増大させることができる。また、カ
ップ６ｂの開口の方向は図示と逆方向でも同等の効果が
得られる。
第３図は本発明によるマグネトロンの他の実施例を説明
するための陰極入力部の要部断面構成図であり、前述の
図と同一部分は同一符号を伺しその説明は省略する。同
図において、第２図と異なる点は、貫通コンデンサ６と
フィルタケース８の円筒部８ａとの間に、例えばフェラ
イトあるいはフェライトゴム等の電波吸収体１４を介在
させたものである。
するための陰極入力部の要部断面構成図であり、前述の
図と同一部分は同一符号を伺しその説明は省略する。同
図において、第２図と異なる点は、貫通コンデンサ６と
フィルタケース８の円筒部８ａとの間に、例えばフェラ
イトあるいはフェライトゴム等の電波吸収体１４を介在
させたものである。
このような構成によれば、基本周波数の偶数倍の高調波
がさらに吸収されて減衰消去されるので、全体的に高い
チョーク効果が得られる。
がさらに吸収されて減衰消去されるので、全体的に高い
チョーク効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、マグネトロン本体
入力部から外部へ漏洩する基本周波数およびその高調波
を効率良く減衰消去することができるので、外部への雑
音電波の漏洩を確実に抑止することができるという極め
て優れた効果が得られる。
入力部から外部へ漏洩する基本周波数およびその高調波
を効率良く減衰消去することができるので、外部への雑
音電波の漏洩を確実に抑止することができるという極め
て優れた効果が得られる。
第１図は従来のマグネトロンの一例を示す一部切シ欠き
側面図、第２図は本発明にょるマグネトロンの一実施例
を説明するためのマグネトロン本体陰極入力部の要部断
面構成図、第３図はその他の実施例を説明するためのマ
グネトロン本体陰極入力部の要部断面構成図である。 １拳・・・マグネトロン本体、２拳拳・・マイクロ波出
力部、３・・・・陰極入力部、４・・・・ヨーク、５・
・・・チ”ヨークコイル、６′・・・−貫通形セラミッ
クコンデンサ（貫通コンデンサ）、６ａ・・◆争中心導
体、６ｂ・・・・カップ、７・・・・フィルタ、８ａＩ
Ｉ１１１１フイルタケース、８８・・・・円筒部、９・
・・・ステム、１０−・・・陰極端子、１１・・・・入
力端子、１２・・・−アース板、１３Φ奉・・ネジ、１
４・・−・電波吸収体。
側面図、第２図は本発明にょるマグネトロンの一実施例
を説明するためのマグネトロン本体陰極入力部の要部断
面構成図、第３図はその他の実施例を説明するためのマ
グネトロン本体陰極入力部の要部断面構成図である。 １拳・・・マグネトロン本体、２拳拳・・マイクロ波出
力部、３・・・・陰極入力部、４・・・・ヨーク、５・
・・・チ”ヨークコイル、６′・・・−貫通形セラミッ
クコンデンサ（貫通コンデンサ）、６ａ・・◆争中心導
体、６ｂ・・・・カップ、７・・・・フィルタ、８ａＩ
Ｉ１１１１フイルタケース、８８・・・・円筒部、９・
・・・ステム、１０−・・・陰極端子、１１・・・・入
力端子、１２・・・−アース板、１３Φ奉・・ネジ、１
４・・−・電波吸収体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部にチョーク構造を有する貫通形コンデンサを、
フィルタケースに取シ付けたことを特徴とするマグネト
ロン。 ２、内部にチョーク構造を有する貫通形セラミックコン
デンサを、該コンデンサのフィルタケース取シ付は部に
該コンデンサのチョーク構造のある側に突出部を設けて
該突出部内に取シ付けたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のマグネトロン。 ３、チョーク構造を内蔵する貫通形セラミックコンデン
サを、該コンデンサのフィルタケース取り付は部に該コ
ンデンサのチョーク構造のある側に突出部を設けて該突
出部内に電波吸収体を介して取シ付けたことを特徴とす
るマグネトロン。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098699A JPS60243942A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | マグネトロン |
| KR1019850003379A KR900001700B1 (ko) | 1984-05-18 | 1985-05-17 | 마그네트론 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59098699A JPS60243942A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | マグネトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243942A true JPS60243942A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14226749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59098699A Pending JPS60243942A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | マグネトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243942A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900985A (en) * | 1986-11-29 | 1990-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-voltage input terminal structure of a magnetron for a microwave oven |
| CN107634297A (zh) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 苏州汉德威电子科技有限公司 | 大功率低互调线缆负载 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098699A patent/JPS60243942A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4900985A (en) * | 1986-11-29 | 1990-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-voltage input terminal structure of a magnetron for a microwave oven |
| CN107634297A (zh) * | 2016-07-18 | 2018-01-26 | 苏州汉德威电子科技有限公司 | 大功率低互调线缆负载 |
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