JPS6019102B2 - 高周波装置 - Google Patents
高周波装置Info
- Publication number
- JPS6019102B2 JPS6019102B2 JP51111809A JP11180976A JPS6019102B2 JP S6019102 B2 JPS6019102 B2 JP S6019102B2 JP 51111809 A JP51111809 A JP 51111809A JP 11180976 A JP11180976 A JP 11180976A JP S6019102 B2 JPS6019102 B2 JP S6019102B2
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- JP
- Japan
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- core
- high frequency
- inductor
- air
- type inductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/14—Leading-in arrangements; Seals therefor
- H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波装置に係り、とくに不所望の高周波成分
が該装置外に漏洩するのを防止する構造をもつ高周波装
置の改良に関する。
が該装置外に漏洩するのを防止する構造をもつ高周波装
置の改良に関する。
マグネトロン、クラィストロン、進行波管、その他の高
周波用電子管や、半導体などを高周波発生源として用い
る高周波装置は各種の用途に用いられている。
周波用電子管や、半導体などを高周波発生源として用い
る高周波装置は各種の用途に用いられている。
これらの装置は通常、高周波発生源に動作のための電力
を供給する導線や信号の一部をとり出すための導線を有
しており、この導線を伝わって高周波エネルギーの一部
が装置外に漏洩する現象が起りうる。このような不所望
な電波漏洩は他の電子機器に対して雑音となって障害を
与え、また場合によっては動作に悪影響を与える。従っ
てこのような不所望な電波漏洩は厳密に抑制しなければ
ならない。この電波漏洩防止のために一般にはシールド
ボックスを備えたり、また電力供Ｖ給導線にィンダクタ
艮０ちチョーク素子、コンデンサなどの組合せによるフ
ィルタ回路を接続する。
を供給する導線や信号の一部をとり出すための導線を有
しており、この導線を伝わって高周波エネルギーの一部
が装置外に漏洩する現象が起りうる。このような不所望
な電波漏洩は他の電子機器に対して雑音となって障害を
与え、また場合によっては動作に悪影響を与える。従っ
てこのような不所望な電波漏洩は厳密に抑制しなければ
ならない。この電波漏洩防止のために一般にはシールド
ボックスを備えたり、また電力供Ｖ給導線にィンダクタ
艮０ちチョーク素子、コンデンサなどの組合せによるフ
ィルタ回路を接続する。
ところで、これらのフィルタ回路を構成する素子は、そ
の大きさが装置の小形化などの目的から極力小さく設計
される。このため小形で高性能のフィルタ回路素子の開
発がすすめられている。そこで近釆はフィルタ回路を構
成するチョーク素子として、フェライトのような高透磁
率を有し、高周波損失の大きい部材と電力供給導線とを
組み合せたィンダクタ（以下コア形インダクタと記す）
が用いられている。これはフェライト又はフェライトを
含む部材の高周波吸収性のよい性質を利用し、ある帯域
の周波数成分に対してはィンダクタとして機能するとと
もにまたある帯城の高周波成分に対して高周波吸収性を
発揮して、減衰作用を奏するものである。ところで高周
波成分が強い勢力をもっていたり、また高周波吸収性の
ある部材が配置された位置が定在波の高電界値の位置と
一致すると、高周波吸収性のある部材が著しく高温とな
り、極端な場合は焼損する場合もありうる。従って、こ
のような不都合の解消が求められている。本発明は以上
のような従来構造のもつ欠陥をとりのぞき、きわめて簡
単な構造で高周波漏洩阻止用のィンダクタを保護するこ
とのできる高周波装置を提供するものである。以下図面
を参照してその実施例を説明する。
の大きさが装置の小形化などの目的から極力小さく設計
される。このため小形で高性能のフィルタ回路素子の開
発がすすめられている。そこで近釆はフィルタ回路を構
成するチョーク素子として、フェライトのような高透磁
率を有し、高周波損失の大きい部材と電力供給導線とを
組み合せたィンダクタ（以下コア形インダクタと記す）
が用いられている。これはフェライト又はフェライトを
含む部材の高周波吸収性のよい性質を利用し、ある帯域
の周波数成分に対してはィンダクタとして機能するとと
もにまたある帯城の高周波成分に対して高周波吸収性を
発揮して、減衰作用を奏するものである。ところで高周
波成分が強い勢力をもっていたり、また高周波吸収性の
ある部材が配置された位置が定在波の高電界値の位置と
一致すると、高周波吸収性のある部材が著しく高温とな
り、極端な場合は焼損する場合もありうる。従って、こ
のような不都合の解消が求められている。本発明は以上
のような従来構造のもつ欠陥をとりのぞき、きわめて簡
単な構造で高周波漏洩阻止用のィンダクタを保護するこ
とのできる高周波装置を提供するものである。以下図面
を参照してその実施例を説明する。
なお同一部分は同一符号であらわす。第１図ないし第３
図に示す高周波装置は、高周波発生源がマグネトロンの
場合であり、とくにその陰極加熱用電力を供給する導線
を伝わって不要高周波エネルギーがマグネトロン装置外
へ漏洩するのを防止するものである。
図に示す高周波装置は、高周波発生源がマグネトロンの
場合であり、とくにその陰極加熱用電力を供給する導線
を伝わって不要高周波エネルギーがマグネトロン装置外
へ漏洩するのを防止するものである。
高周波発生源２１は、内側に放射状に並んで共振空胴を
形成する陽極ベイン２２をもつ陽極機体２３を有する。
陽極横体２３の中心部にはコイル状の陰極体２４が配置
されている。陰極体２４は両端が図面で上下に示す一対
のエンドハット２５，２６に結合され、この陰極体２４
に電力を供給するための電極を構成する陰極支持用中心
支持榛２７、外側支持スリーブ２８によって保持されて
いる。支持榛２７とスリーブ２８とは陰極ステム２９に
よって絶縁して支持されている。支持棒２７及びその電
極端子２７ａは陰極ステム２９から遠い方のエンドハッ
ト２６（図面の下方に示すエンドハット）に結合され、
スリーブ２８及びその電極端子２８ａは陰極ステム２９
に近い方のエンドハット（図面の上がわ」に結合されて
いる。こうして共振空耳同からみて２つの電極端子まで
の各々の線路は不平衡の構造をなしている。これら２つ
の電極端子には共振空８同で発振された高周波エネルギ
ーの一部分が不所望ながらエンドハット及びコイル状陰
極体などを介して導き出される構造になっている。陰極
体２４と陽極ベイン２２との間に形成される電子作用空
間３０には、軸に平行な方向の磁界が形成される。この
ためポールピース３１，３２が相対向して配設され、こ
れらのポールピースは円筒状の永久磁石３３，３４１こ
磁気的に結合されている。陽極ベインには出力アンテナ
榛３５が結合され、軸に沿って外方に導き出され、出力
アンテナ端子３６に接続されている。共振空胴に発生さ
れた高周波エネルギーの大部分はこの出力アンテナ端子
から、マイクロ波利用設備例えば電子レンジのオープン
内へ伝達され、調理などに利用され、陽極機体２３の外
周にはラジェータ３７が接着され、また上下両方の磁石
３３，３４は磁性体ヨーク３８によって磁気的に短絡さ
れて磁気回路を形づくっている。さて、陰極ステム３９
のまわりには、高周波を内部に閉じこめておくための箱
状シールドボックス４１が配置され、このシールドボッ
クス４１は事実上陽極溝体に短絡され接地電位とされる
ようにシールドボックス４１の一部に円筒状の突出状部
４２が設けられてポールピース３１の背面に接触されて
いる。
形成する陽極ベイン２２をもつ陽極機体２３を有する。
陽極横体２３の中心部にはコイル状の陰極体２４が配置
されている。陰極体２４は両端が図面で上下に示す一対
のエンドハット２５，２６に結合され、この陰極体２４
に電力を供給するための電極を構成する陰極支持用中心
支持榛２７、外側支持スリーブ２８によって保持されて
いる。支持榛２７とスリーブ２８とは陰極ステム２９に
よって絶縁して支持されている。支持棒２７及びその電
極端子２７ａは陰極ステム２９から遠い方のエンドハッ
ト２６（図面の下方に示すエンドハット）に結合され、
スリーブ２８及びその電極端子２８ａは陰極ステム２９
に近い方のエンドハット（図面の上がわ」に結合されて
いる。こうして共振空耳同からみて２つの電極端子まで
の各々の線路は不平衡の構造をなしている。これら２つ
の電極端子には共振空８同で発振された高周波エネルギ
ーの一部分が不所望ながらエンドハット及びコイル状陰
極体などを介して導き出される構造になっている。陰極
体２４と陽極ベイン２２との間に形成される電子作用空
間３０には、軸に平行な方向の磁界が形成される。この
ためポールピース３１，３２が相対向して配設され、こ
れらのポールピースは円筒状の永久磁石３３，３４１こ
磁気的に結合されている。陽極ベインには出力アンテナ
榛３５が結合され、軸に沿って外方に導き出され、出力
アンテナ端子３６に接続されている。共振空胴に発生さ
れた高周波エネルギーの大部分はこの出力アンテナ端子
から、マイクロ波利用設備例えば電子レンジのオープン
内へ伝達され、調理などに利用され、陽極機体２３の外
周にはラジェータ３７が接着され、また上下両方の磁石
３３，３４は磁性体ヨーク３８によって磁気的に短絡さ
れて磁気回路を形づくっている。さて、陰極ステム３９
のまわりには、高周波を内部に閉じこめておくための箱
状シールドボックス４１が配置され、このシールドボッ
クス４１は事実上陽極溝体に短絡され接地電位とされる
ようにシールドボックス４１の一部に円筒状の突出状部
４２が設けられてポールピース３１の背面に接触されて
いる。
またシールドボックス４１の蓋４３、側壁４４には高周
波を遮断する寸法の通気孔４５が設けられ、「内部から
の放熱性をよくしている。なおシールドボックス内面の
陰極ステム近傍にはシリコンゴムなどの絶縁体４６が敷
かれている。そこで、シールドボックス４１内には、全
体としてィンダクタとしてはたらくチョーク素子５１ａ
，５１ｂが配置され、このチョーク素子５１ａ，５１ｂ
を介して陰極ステムの電極端子と貫通形コンデンサ５２
とが導線５３ａ，５３ｂによって接続される。
波を遮断する寸法の通気孔４５が設けられ、「内部から
の放熱性をよくしている。なおシールドボックス内面の
陰極ステム近傍にはシリコンゴムなどの絶縁体４６が敷
かれている。そこで、シールドボックス４１内には、全
体としてィンダクタとしてはたらくチョーク素子５１ａ
，５１ｂが配置され、このチョーク素子５１ａ，５１ｂ
を介して陰極ステムの電極端子と貫通形コンデンサ５２
とが導線５３ａ，５３ｂによって接続される。
貫通形コンデンサ５２は貫通導体５４と、一端が貫通導
体５４に結合され他端が接地極板に結合された円筒状強
議電体５５と、全体をモールド加工する樹脂５６とを有
してなり、接地電極板がシールドボックス４１にねじ止
めされている。貫通導体５４はこのマグネトロン装置の
全体の陰極端子５４ａ，５４ｂを兼ねている。チョーク
素子５１ａ，５１ｂは、導線５３ａ，５３ｂの一部がコ
イル状に巻かれた空芯形ィンダクタ６１ａ，６１ｂと、
フェライトのような高周波吸収性のある部村６２ａ，６
２ｂのまわりに導線の一部がコイル状に巻かれたコア形
ィンダクタ６３ａ，６３ｂから成る。そして空芯コイル
形ィンダクタ６１ａ，６１ｂとコア形インダク夕６３ａ
，６３ｂは離間し、両者との間にコイルの１ピッチ以上
の間隔Ｓの空隙が形成してある。空芯形ィンダクタ６１
ａ，６１ｂはコア形インダク夕６３ａ，６３ｂよりも高
周波発生源則ちマグネトロンの陰極ステムがわに接続さ
れている。しかも一方のチョーク素子５１ａの空芯コイ
ル６１ａは他方のチョーク素子５１ｂの空芯形ィンダク
タ６１ｂよりも大きいィンダクタンスを有するように、
コイルの巻き数が多くなっている。そしてこの巻き数の
多い方の空芯形インダクタ６１ａは陰極ステム２９に近
い方のエンドハット２５に結合された外側スリーブ及び
その電極端子２８ａに接続されている。巻き数の少ない
方の空芯形インダクタ６１ｂは陰極ステム２９から遠い
方のエンドハット２６に結合された中心支持棒２７とそ
の電極端子２７ａとに接続されている。このようにして
、共振空胴からみて不平碗な線路長を形づくっている中
心支持棒及びその電極端子、外側スリーブ及びその電極
端子に夫々対応して、チョーク素子５１ａ，５１ｂの空
芯形インダクタ６１ａ，６１ｂは不平衡なィンダクタン
ス則ち不平衡な巻き数を有して接続されている。以上の
ような構造の本発明高周波装置は、空芯形ィンダクタと
高周波吸収性のある部材をコアとするコァ形ィンダクタ
とが組み合わされて電力供給導線に直列援続されている
ため、高周波吸収性部材が著しく高い電界強度領域にさ
らされる度合をほとんどなくすることができ、従って、
高周波吸収性部材の焼損などがほとんど発生しない。
体５４に結合され他端が接地極板に結合された円筒状強
議電体５５と、全体をモールド加工する樹脂５６とを有
してなり、接地電極板がシールドボックス４１にねじ止
めされている。貫通導体５４はこのマグネトロン装置の
全体の陰極端子５４ａ，５４ｂを兼ねている。チョーク
素子５１ａ，５１ｂは、導線５３ａ，５３ｂの一部がコ
イル状に巻かれた空芯形ィンダクタ６１ａ，６１ｂと、
フェライトのような高周波吸収性のある部村６２ａ，６
２ｂのまわりに導線の一部がコイル状に巻かれたコア形
ィンダクタ６３ａ，６３ｂから成る。そして空芯コイル
形ィンダクタ６１ａ，６１ｂとコア形インダク夕６３ａ
，６３ｂは離間し、両者との間にコイルの１ピッチ以上
の間隔Ｓの空隙が形成してある。空芯形ィンダクタ６１
ａ，６１ｂはコア形インダク夕６３ａ，６３ｂよりも高
周波発生源則ちマグネトロンの陰極ステムがわに接続さ
れている。しかも一方のチョーク素子５１ａの空芯コイ
ル６１ａは他方のチョーク素子５１ｂの空芯形ィンダク
タ６１ｂよりも大きいィンダクタンスを有するように、
コイルの巻き数が多くなっている。そしてこの巻き数の
多い方の空芯形インダクタ６１ａは陰極ステム２９に近
い方のエンドハット２５に結合された外側スリーブ及び
その電極端子２８ａに接続されている。巻き数の少ない
方の空芯形インダクタ６１ｂは陰極ステム２９から遠い
方のエンドハット２６に結合された中心支持棒２７とそ
の電極端子２７ａとに接続されている。このようにして
、共振空胴からみて不平碗な線路長を形づくっている中
心支持棒及びその電極端子、外側スリーブ及びその電極
端子に夫々対応して、チョーク素子５１ａ，５１ｂの空
芯形インダクタ６１ａ，６１ｂは不平衡なィンダクタン
ス則ち不平衡な巻き数を有して接続されている。以上の
ような構造の本発明高周波装置は、空芯形ィンダクタと
高周波吸収性のある部材をコアとするコァ形ィンダクタ
とが組み合わされて電力供給導線に直列援続されている
ため、高周波吸収性部材が著しく高い電界強度領域にさ
らされる度合をほとんどなくすることができ、従って、
高周波吸収性部材の焼損などがほとんど発生しない。
即ち空芯形ィンダクタのコイル長又はィンダクタを適当
に選ぶことによって、仮りに導線上に定在波が発生して
も、この定在波の最大電界領域からコァ形ィンダクタの
位置をずらすことができる。とくに高周波的にアースさ
れる貫通形コンデンサの位置から、高周波発振源に浸さ
れるエンドハット付近までの線路長が不平衡になってい
るものにおいて、これに対応して各導線に接続される空
芯形ィンダクタの巻き数又はィンダクタンスを不平衡に
することによって、高周波吸収性部材をコアとするコア
形ィソダクタの焼損をいずれの導線のものも確実に抑制
することができる。また、空芯形インダクタとコア形イ
ンダクタとを、導線を巻回することによっていわば一体
的に形成し、しかも両者を少し離して両者間に空隙を形
成することによって、両者の磁気的結合度が弱くなり、
空芯形ィンダクタの機能を損うおそれがない。
に選ぶことによって、仮りに導線上に定在波が発生して
も、この定在波の最大電界領域からコァ形ィンダクタの
位置をずらすことができる。とくに高周波的にアースさ
れる貫通形コンデンサの位置から、高周波発振源に浸さ
れるエンドハット付近までの線路長が不平衡になってい
るものにおいて、これに対応して各導線に接続される空
芯形ィンダクタの巻き数又はィンダクタンスを不平衡に
することによって、高周波吸収性部材をコアとするコア
形ィソダクタの焼損をいずれの導線のものも確実に抑制
することができる。また、空芯形インダクタとコア形イ
ンダクタとを、導線を巻回することによっていわば一体
的に形成し、しかも両者を少し離して両者間に空隙を形
成することによって、両者の磁気的結合度が弱くなり、
空芯形ィンダクタの機能を損うおそれがない。
これは前述の如くコイルの１ピッチ以上の空隙を設けれ
ばよいことが確かめられた。第４図に示す実施例は、高
周波発生源２１に動作用電力を供給するための導線５３
ａ，５３ｂに直列に、空芯コイルからなるィンダクタ６
１ａ，６１ｂ高周波吸収性のある部材則ちフェライトな
どをコアとするインダクタ６３ａ，６３ｂ、さらに空芯
・コイルからなるインダクタ７１ａ，７１ｂを順次接続
したものである。そのあとにおいて導線はシールドボッ
クスに貫通形コンデンサ５２ａ，５２ｂを介して高周波
的に接地されている。これによって高周波吸収性のある
コア形ィンダクタを、定在波があっても低電界領域中に
置くことが可能となり、その焼損などを抑制することが
できる。なおこの場合も複数本の給電導線の各々のィン
ダクタを不平衡な値のものにすることもできる。第５図
に示す実施例は、高周波発生源２１のところにコンデン
サ７２を接続し、このコンデンサが接続された導線に直
列接続される空芯形ィンダクタ６１ｂを、他方の導線に
接続された空芯形ィンダクタ６１ｂよりも小さいィンダ
クタンスを有するように接続したものである。
ばよいことが確かめられた。第４図に示す実施例は、高
周波発生源２１に動作用電力を供給するための導線５３
ａ，５３ｂに直列に、空芯コイルからなるィンダクタ６
１ａ，６１ｂ高周波吸収性のある部材則ちフェライトな
どをコアとするインダクタ６３ａ，６３ｂ、さらに空芯
・コイルからなるインダクタ７１ａ，７１ｂを順次接続
したものである。そのあとにおいて導線はシールドボッ
クスに貫通形コンデンサ５２ａ，５２ｂを介して高周波
的に接地されている。これによって高周波吸収性のある
コア形ィンダクタを、定在波があっても低電界領域中に
置くことが可能となり、その焼損などを抑制することが
できる。なおこの場合も複数本の給電導線の各々のィン
ダクタを不平衡な値のものにすることもできる。第５図
に示す実施例は、高周波発生源２１のところにコンデン
サ７２を接続し、このコンデンサが接続された導線に直
列接続される空芯形ィンダクタ６１ｂを、他方の導線に
接続された空芯形ィンダクタ６１ｂよりも小さいィンダ
クタンスを有するように接続したものである。
第６図に示す実施例は、高周波吸収性のある都材をコア
とするコア形ィンダクタ６３ａとして、導線をコイル状
に巻き、全体をフェライト又はフェライトを含む高周波
吸収性材料６２ａでモールド加工したものであるごこの
場合は、コイルの内側及び外側が高周波吸収性材料で覆
われるため、高周波吸収性のよいィンダクタができると
ともに、空芯コイル形のインダクタ６１ａを少し離して
接続してあるため、コア形ィンダクタ６３ａへの過度の
高周波吸収を防止することができる。
とするコア形ィンダクタ６３ａとして、導線をコイル状
に巻き、全体をフェライト又はフェライトを含む高周波
吸収性材料６２ａでモールド加工したものであるごこの
場合は、コイルの内側及び外側が高周波吸収性材料で覆
われるため、高周波吸収性のよいィンダクタができると
ともに、空芯コイル形のインダクタ６１ａを少し離して
接続してあるため、コア形ィンダクタ６３ａへの過度の
高周波吸収を防止することができる。
第７図及び第８図に示す実施例は、コア形ィンダクタ６
３として、貫通孔のあるフェライトビーズ６２に、絶縁
被覆７４を施した導線５３ａ，５３ｂを通したものを用
いたものである。
３として、貫通孔のあるフェライトビーズ６２に、絶縁
被覆７４を施した導線５３ａ，５３ｂを通したものを用
いたものである。
なおフェライトビーズ６２の外周には導電体力バー７５
をかぶせ、シールドボックス４１に接続して、導線との
間に静電容量をもたせるとともにフェライトビーズへの
高周波の吸収作用を助けるようにしてある。第９図に示
すチョーク素子５１ａは、導線を連続的にコイル巻さし
、片側から途中までフェライトコア６２をコイルの内側
に差し込んで形成したものである。
をかぶせ、シールドボックス４１に接続して、導線との
間に静電容量をもたせるとともにフェライトビーズへの
高周波の吸収作用を助けるようにしてある。第９図に示
すチョーク素子５１ａは、導線を連続的にコイル巻さし
、片側から途中までフェライトコア６２をコイルの内側
に差し込んで形成したものである。
これによってフェライトコアが存在しない部分が空芯コ
イル形ィンダクタ６１、フェライトコアのある部分がコ
ア形インダクタ６３として機能する。第１０図に示すチ
ョーク素子５１ａは、コイル巻きの内側に透磁率が空気
に近く高周波吸収性のない円筒７６を挿入し、その内側
の途中までフェライトコア６２を挿入するようにしたも
のである。
イル形ィンダクタ６１、フェライトコアのある部分がコ
ア形インダクタ６３として機能する。第１０図に示すチ
ョーク素子５１ａは、コイル巻きの内側に透磁率が空気
に近く高周波吸収性のない円筒７６を挿入し、その内側
の途中までフェライトコア６２を挿入するようにしたも
のである。
これはフェライトコアの挿入長の可変がきわめて容易で
あるので、空芯形ィンダクタ６１とコア形ィンダクタ６
３との定数比の調整が容易となり都合がよい。なお空芯
形ィンダクタ６１を形成する部分にも円筒７６が存在す
るが、透磁率が空気に近く、高周波吸収性がないので、
事実上空芯と同じである。従ってこのようなものも空芯
形インダク夕として取り扱ってよい。第１１図，第１２
図は各々空芯形ィンダクタ６１とコア形ィンダクタ６３
との間の相互譲導作用を弱めるようにした構造のもので
あり、第１１図のものは空芯形ィンダクタ６１のコイル
の巻き方向と、コァ形ィンダクタ６３のコイルの巻き方
向とを逆にしたものである。
あるので、空芯形ィンダクタ６１とコア形ィンダクタ６
３との定数比の調整が容易となり都合がよい。なお空芯
形ィンダクタ６１を形成する部分にも円筒７６が存在す
るが、透磁率が空気に近く、高周波吸収性がないので、
事実上空芯と同じである。従ってこのようなものも空芯
形インダク夕として取り扱ってよい。第１１図，第１２
図は各々空芯形ィンダクタ６１とコア形ィンダクタ６３
との間の相互譲導作用を弱めるようにした構造のもので
あり、第１１図のものは空芯形ィンダクタ６１のコイル
の巻き方向と、コァ形ィンダクタ６３のコイルの巻き方
向とを逆にしたものである。
また第１２図のものは、空芯形ィンダクタ６１とコア形
インダクタ６３との鞠方向を交叉させて配置したもので
ある。これによって両ィンダクタの相互誘導が少なく、
空芯形ィンダクタの機能を確実に得ることができる。第
１３図に示すものは、コア形ィンダクタ６３のコア６２
を、コイル状部の端よりも幾らかの寸法〆だけ凹ませて
形成したものである。
インダクタ６３との鞠方向を交叉させて配置したもので
ある。これによって両ィンダクタの相互誘導が少なく、
空芯形ィンダクタの機能を確実に得ることができる。第
１３図に示すものは、コア形ィンダクタ６３のコア６２
を、コイル状部の端よりも幾らかの寸法〆だけ凹ませて
形成したものである。
これによって空芯形ィンダクタ６１との間の空隙Ｓを小
さくしても、空芯形ィンダクタの機能を弱めることなく
、チョーク素子５１全体の長さを短かく構成することが
できる。第１４図に示す装置は、高周波発生源がマグネ
トロンであり、陰極体２４及び上下のエンドハット２５
，２６を支持する陰極支持体２７，２８がほぼ平行に並
らぶ２本の棒状体である場合を示すものである。
さくしても、空芯形ィンダクタの機能を弱めることなく
、チョーク素子５１全体の長さを短かく構成することが
できる。第１４図に示す装置は、高周波発生源がマグネ
トロンであり、陰極体２４及び上下のエンドハット２５
，２６を支持する陰極支持体２７，２８がほぼ平行に並
らぶ２本の棒状体である場合を示すものである。
一方の支持体２７は図面下方のエンドハット２６則ちス
テム２９から遠い方のエンドハットに結合され、これに
インダクタンスの小さい空芯形インダクタンス６１ｂが
接続されている。他方の支持体２８は図面上方のエンド
ハット２５即ちステム２９に近い方のエンドハットに結
合され、これには、インダクタンスが上記インダクタ６
１ｂよりも大きい空芯形インダクタ６１ａが接続されて
いる。このようにほぼ平行にならぷ陰極支持体の場合も
、空芯形ィンダクタを夫々不平衡に接続してもよい。
テム２９から遠い方のエンドハットに結合され、これに
インダクタンスの小さい空芯形インダクタンス６１ｂが
接続されている。他方の支持体２８は図面上方のエンド
ハット２５即ちステム２９に近い方のエンドハットに結
合され、これには、インダクタンスが上記インダクタ６
１ｂよりも大きい空芯形インダクタ６１ａが接続されて
いる。このようにほぼ平行にならぷ陰極支持体の場合も
、空芯形ィンダクタを夫々不平衡に接続してもよい。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図のものの要部上面図、第３図は第１図のものの等価
回路図、第４図，第５図は各々本発明の他の実施例を示
す回路図、第６図はさらに他の実施例の要部を示す断面
略図、第７図はさらに他の実施例を示す要部断面図、第
８図は第７図の８−８における断面図、第９図ないし第
１３図は各々本発明のさらに他の実施例の姿部を示す図
、第１４図は同じくさらに他の実施例を示す概略図であ
る。 ２１・・・高周波発生源、４１…シールドボックス、５
３ａ，５３ｂ・・・導線、６１，６１ａ，６１ｂ・・・
空芯形ィンダクタ、６３，６３ａ，６３ｂ・・・コア形
ィンダクタ、５２…コンデンサ。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図
１図のものの要部上面図、第３図は第１図のものの等価
回路図、第４図，第５図は各々本発明の他の実施例を示
す回路図、第６図はさらに他の実施例の要部を示す断面
略図、第７図はさらに他の実施例を示す要部断面図、第
８図は第７図の８−８における断面図、第９図ないし第
１３図は各々本発明のさらに他の実施例の姿部を示す図
、第１４図は同じくさらに他の実施例を示す概略図であ
る。 ２１・・・高周波発生源、４１…シールドボックス、５
３ａ，５３ｂ・・・導線、６１，６１ａ，６１ｂ・・・
空芯形ィンダクタ、６３，６３ａ，６３ｂ・・・コア形
ィンダクタ、５２…コンデンサ。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図
Claims (1)
- １ 高周波発生源と、上記高周波発生源から発生する高
周波エネルギーを内部にとじこめておくために設けられ
たシールドボツクスと、上記シールドボツクス内を通つ
て高周波発生源に接続された複数の導線と、上記シール
ドボツクス内に配置されるとともに上記複数の導線の各
々に直列接続され、高周波吸収性部材と導線との組み合
せからなるコア形インダクタ、及び高周波吸収性のない
部材と導線との組み合せからなる空芯形インダクタとを
具備し、上記空芯形インダクタは各導線で異なるインダ
クタンスを有してなる高周波装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51111809A JPS6019102B2 (ja) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | 高周波装置 |
| US05/778,745 US4131824A (en) | 1976-09-20 | 1977-03-17 | Filter device for high frequency generating device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51111809A JPS6019102B2 (ja) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | 高周波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5337348A JPS5337348A (en) | 1978-04-06 |
| JPS6019102B2 true JPS6019102B2 (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=14570693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51111809A Expired JPS6019102B2 (ja) | 1976-09-20 | 1976-09-20 | 高周波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4131824A (ja) |
| JP (1) | JPS6019102B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153216U (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-22 | ||
| US20180243750A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Greenvolt LTD | Apparatus and method for forming nanoparticles |
| US20180264479A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-09-20 | Greenvolt LTD | Apparatus and method for forming nanoparticles |
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| US4310786A (en) * | 1979-09-12 | 1982-01-12 | Kumpfer Beverly D | Magnetron tube with improved low cost structure |
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| KR920003336B1 (ko) * | 1990-06-30 | 1992-04-27 | 주식회사 금성사 | 슬릿을 가진 콘덴서 취부판으로 고주파누설 차폐기능을 개선시킨 마그네트론 |
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| JP2002343263A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-11-29 | Sanyo Electric Co Ltd | マグネトロン |
| KR20040035940A (ko) | 2002-10-12 | 2004-04-30 | 삼성전자주식회사 | 고주파 발생기의 노이즈 필터 |
| KR20040065756A (ko) | 2003-01-16 | 2004-07-23 | 삼성전자주식회사 | 고주파 발생기의 노이즈 필터 |
| US8907859B2 (en) * | 2012-06-19 | 2014-12-09 | Intel Corporation | Edge-emitting antennas for ultra slim wireless mobile devices |
| JP6205223B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2017-09-27 | 東芝ホクト電子株式会社 | マグネトロン |
| DE102015221859A1 (de) * | 2014-11-06 | 2016-05-12 | Hirschmann Car Communication Gmbh | Kontaktierungspin aus Kupferdraht |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2125100C3 (de) * | 1970-05-20 | 1973-11-15 | Hitachi Cable Ltd. | Megnetron |
| FR2191254B1 (ja) * | 1972-06-30 | 1977-08-05 | Hitachi Ltd | |
| JPS5352374Y2 (ja) * | 1972-06-30 | 1978-12-14 | ||
| JPS5546623B2 (ja) * | 1972-09-01 | 1980-11-25 | ||
| US3980975A (en) * | 1975-09-08 | 1976-09-14 | Varian Associates | Broadband microwave bias network |
-
1976
- 1976-09-20 JP JP51111809A patent/JPS6019102B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-03-17 US US05/778,745 patent/US4131824A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61153216U (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-22 | ||
| US20180243750A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Greenvolt LTD | Apparatus and method for forming nanoparticles |
| US20180264479A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-09-20 | Greenvolt LTD | Apparatus and method for forming nanoparticles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4131824A (en) | 1978-12-26 |
| JPS5337348A (en) | 1978-04-06 |
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