JP2777093B2 - 電子レンジのマグネトロン - Google Patents

電子レンジのマグネトロン

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JP2777093B2 JP7220450A JP22045095A JP2777093B2 JP 2777093 B2 JP2777093 B2 JP 2777093B2 JP 7220450 A JP7220450 A JP 7220450A JP 22045095 A JP22045095 A JP 22045095A JP 2777093 B2 JP2777093 B2 JP 2777093B2
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    • H01J25/50—Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
    • H05B6/64—Heating using microwaves
    • H05B6/66—Circuits
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J23/15—Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
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  • Electromagnetism (AREA)
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  • Electric Ovens (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子レンジのマグネ
トロンに関し、特に、入力側で漏洩する不要な高周波成
分を低減するために、フィラメントを支持するリードと
チョークコイルとを電気的に接続する結合端子の構造を
改良した電子レンジのマグネトロン構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、一般的なマグネトロンの断面図
である。図示のように、フィラメント２から発生した熱
電子が、アノード円筒１の内壁に形成された複数個のバ
ーイン３とフィラメント２との間の作用空間４に放出さ
れ、バーイン３とフィラメント２との間に形成される電
界と、磁石５，６、上板７、下板８、磁極９からなる磁
気回路とによりマイクロ波を発生する。さらに、マイク
ロ波を外部に放射するアンテナ１０の上面に形成された
アンテナキャップ１３と、放熱板１４がアノード外部に
結合されている。
【０００３】さらに、入力側に漏洩する高周波成分を遮
断するためにチョークコイル・アセンブリ１５及び高圧
コンデンサ１６と、これらを絶縁するためのフィルター
ケース１７，１８とにより、フィルター回路を構成して
いる。フィラメント２を支持するセンタリード１９とサ
イドリード２０は、下方の絶縁体であるセラミック部２
１内の孔に挿入されて結合端子（以下、Ｆ端子）２２と
共に結合されて構成される。
【０００４】図３は図２に示すＦ端子の詳細構造図であ
る。従来、Ｆ端子２２は、図２のセラミック２１に結合
されるＡ面と、図２のチョークコイル・アセンブリ１５
が結合させる屈曲部（点線部分）２２’とで構成されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように構成された
従来のマグネトロンでは、アノードから発生する高周波
成分のエネルギーがアンテナ１０を経て外部に放射され
るが、アノード内部から発生する高周波成分の一部は、
逆にフィラメント２及びセンターリード１９及びサイド
リード２０を経て入力側に漏洩する。
【０００６】この不要な高周波成分は、センターリード
１９及びサイドリード２０と結合されているＦ端子２２
に、溶接により連結されているチョークコイル・アセン
ブリ１５及びコンデンサ１６を取り囲むフィルターケー
ス１７，１８により遮断している。ここで、図３に示す
ようにＦ端子２２の平面部Ａは、センタリード１９とサ
イドリード２０をＦセラミック２１に結合するためにセ
ラミック２１の下段に形成されているメタルライシング
部に結合されている。
【０００７】一方、屈曲部２２’はチョークコイル・ア
センブリ１５と連結し、入力電源がフィラメントまで供
給されるようにする役割をしており、入力側に漏洩され
る不要な高周波を相殺するチョークコイルの役割はして
いない。ここで、不要な高周波成分は、マグネトロンで
使用する基本周波数と、低帯域高周波成分及び高帯域高
周波成分が包含されている。
【０００８】マグネトロンで発生される不要な高周波の
一部がチョークコイルコイルを通過しながら相殺される
過程において熱が発生し、漏洩した高周波成分が多量で
あればあるほど高い熱が発生し、その結果、チョークコ
イルのエナメル線が焼損する問題が発生していた。ま
た、このような過程中で相殺されなかった不要な高周波
成分は外部に漏洩する問題があった。
【０００９】本発明の目的は、入力側で漏洩する不要な
高周波を減少させ、チョークコイルの焼損を防止するこ
とが可能なＦ端子を備えた電子レンジのマグネトロンを
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フィラ
メントを支持するリードとチョークコイルとを電気的に
接続するＦ端子がＦセラミック外部に結合される電子レ
ンジのマグネトロンにおいて、前記Ｆ端子は、前記マグ
ネトロンの入力側に漏洩される不要な高周波を遮断する
ためのチョーク構造を有することを特徴とする。
【００１１】ここで、前記Ｆ端子は１つ以上のスリット
を有し、前記スリットの全長は抑制しようとする高周波
の１／４で与えられる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本
発明のマグネトロンのＦ端子の構造例である。（Ａ）及
び（Ｃ）は、Ｆ端子１２２にスリット部１２０を設けた
構造である。但し、（Ｃ）ではスリット部１２０は図示
のように鍵形をしている。（Ｂ）は翼部１２１にスリッ
ト１２１’を設けた構造である。
【００１３】ここで、スリット部１２０の長さＬは抑制
しようとする高周波波長の１／４に設定されている。そ
して、（Ａ）のスリット部１２０の長さＬは、（Ｂ）の
場合のスリット１２１’と同じ長さＬであり、（Ｃ）の
場合ではＬ１＋Ｌ２＝Ｌとなっている。このように構成
された本発明のＦ端子１２２は、センタリード１９とサ
イドリード２０と、チョークコイル・アセンブリ１５を
連結する役割をしたり、不要な高周波を抑制するチョー
クの役割を担うことにより、チョークコイルの焼損を防
止する。このようなＦ端子はチョークコイル・アセンブ
リ１５と共に不要な高周波を抑制するので、全体的に不
要な高周波の抑制に著しい効果があり、その結果、品質
がよくかつ信頼性の高い電子レンジのマグネトロンを提
供することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子レン
ジのマグネトロンによれば、Ｆ端子がチョークの役割を
担うので、入力に漏洩する不要な高周波を低減すること
ができ、その結果、チョークコイルの焼損を防止するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、本発明によるＦ端
子の構造例である。
【図２】一般的なマグネトロンの断面図である。
【図３】従来のＦ端子の構造図である。
【符号の説明】
１…アノード円筒 ２…フィラメント ３…バーイン ５，６…磁石 ９…磁極 １０…アンテナ １３…アンテナキャップ １４…放熱板 １５…チョークコイル・アセンブリ １６…高圧コンデンサ １７，１８…フィルターケース １９…センタリード１９と ２０…サイドリード ２１…セラミック部 ２２，１２２…Ｆ端子 ２２’…屈曲部 １２０…スリット部 １２１’…翼部

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フィラメントを支持するリードとチョー
    クコイルとを電気的に接続する結合端子（Ｆ）（２２）
    がセラミック部（２１）の外側に結合される電子レンジ
    のマグネトロンにおいて、 前記結合端子（Ｆ）は少なくとも１つのスリットを有
    し、前記スリットにより、前記マグネトロンの入力側に
    漏洩する不要な高周波を遮断することを特徴とする電子
    レンジのマグネトロン。
  2. 【請求項２】 前記スリットの全長（Ｌ）は抑制しよう
    とする高周波の波長の１／４に設定される請求項１に記
    載のマグネトロン。
JP7220450A 1994-08-29 1995-08-29 電子レンジのマグネトロン Expired - Fee Related JP2777093B2 (ja)

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