KR200145044Y1 - 마그네트론용 고조파 누설 방지용 터미널 - Google Patents

마그네트론용 고조파 누설 방지용 터미널 Download PDF

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KR200145044Y1
KR200145044Y1 KR2019960042605U KR19960042605U KR200145044Y1 KR 200145044 Y1 KR200145044 Y1 KR 200145044Y1 KR 2019960042605 U KR2019960042605 U KR 2019960042605U KR 19960042605 U KR19960042605 U KR 19960042605U KR 200145044 Y1 KR200145044 Y1 KR 200145044Y1
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전주범
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Abstract

본 고안은 마그네트론의 고조파 누설방지 구조에 관한 것으로서, 특히 절연세라믹을 통하여 마그네트론 리드에 연결되는 터미널를 개선하여 고조파를 차폐하도록 된 마그네트론의 고조파 누설 방지용 터미널에 관한 것이다.
본 고안은 특히, 필라멘트(1)와 회로를 이루며 지지하고 있는 센타리드(6), 사이드리드(7)와 연결되고, 에노드(3) 부위의 진공밀봉을 위하여 메탈(10) 하단부에 절연세라믹(4)을 부착한 마그네트론에 있어서, 상기 절연세라믹(4) 상측으로 리드와 접촉되는 플랜지 메탈(41) 저부로 중앙이 절결되어 형성된 터미널(43)을 구비하되, 상기 터미널(43)은 쵸크코일(8)과 연결되는 접촉편(432) 및 불요 고조파를 차폐하도록 λ/4길이를 갖는 차폐편(431)이 구비된 것을 특징으로 한 것으로서, 에노드 하부단으로 누설되는 고조파를 차폐할수 있다.

Description

마그네트론의 고조파 누설 방지용 터미널
본 고안은 마그네트론의 고조파 누설방지 구조에 관한 것으로서, 특히 절연세라믹을 통하여 마그네트론 리드에 연결되는 터미널을 개선하여 고조파를 차폐하도록 된 마그네트론의 고조파 누설 방지용 터미널에 관한 것이다.
일반적으로 마그네트론의 동작은 도 1에 도시된 바와 같이, 캐소드 역할을 하는 필라멘트(1)가 가열되면 열전자가 방출되는데, 이 열전자는 전계와 자계의 작용에 의해 베인(2)쪽으로 회전하면서 이끌려간다.
이때, 베인(2) 선단부는 LC병렬 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-) 전하가 유도되며 이에따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바퀴살처럼 모이게 되고 이 바퀴살의 회전각 주파수와 베인(2)들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 공진주파수가 동기가 되면 발진은 안정하게 지속된다.
현재의 가정용 전자레인지의 경우 발진주파수가 2450MHZ인 기본파를 사용하고 있는데, 공진기 구조상 기본파외에 그 정수배의 주파수, 즉 고조파성분들도 동시에 발생된다.
이 고조파성분들은 파장이 짧아지는 만큼 전자레인지에서 전자파 차폐가 곤란해 외부로 누설되기 쉬우며, 누설전파는 누설전력이 아주 미약하더라도 무선장해를 일으킬수가 있어 고조파성분을 극소화시키는 것이 요망시되고 있다.
한편, 공진기에서 발생된 고조파들은 에노드(3) 상단부인 출력부쪽을 통하여 전자레인지의 가열용 캐비티로 운반되는데, 이때 바람직스럽지 않게도 에노드(3) 하단부쪽으로 고조파들이 누설된다.
종래에는 전술한 하단부쪽으로 누설되는 고조파들을 에노드(3) 하단부의 쵸크코일(8) 및 콘덴서(9)를 둘러싸고 있는 금속성의 필터박스(5)로 차폐시켰다.
즉, 에노드(3) 부위에서 발생된 기본파중 에노드(3) 하단부쪽으로 누설되는 고조파들은 메탈(10)과, 필라멘트와 회로를 이루며 지지하고 있는 센타리드(6), 사이드리드(7) 사이에 고전압이 인가되어 있는 관계로 그 절연효과 또한 에노드(3) 부위의 진공밀봉을 위하여 메탈(10) 하단부에 절연세라믹(4)을 부착시키게 되는데, 이 절연세라믹(4)에는 도 2에 도시된 바와 같이, 플랜지메탈(41)에 리드가 접촉되며, 그리고 플랜지메탈(41) 하부로 쵸크코일(8)과 연결되는 터미널(42)이 마련된다. 그러나, 상기한 구조는 불요 고조파들을 차폐시키지 못하므로 그 외부로 파장이 짧은 고조파들이 누설되고 있어 고조파 누설전력 규제 강화추세에 비추어 볼때 심각한 문제점이 되고 있었다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 절연세라믹에 마련되는 터미널을 고조파 차폐구조로 개선하여 특정 고조파 차폐효과를 얻도록 한 마그네트론의 고조파 누설 방지용 터미널를 제공함에 있다.
도 1은 일반적인 마그네트론의 종단면도,
도 2는 종래 절연세라믹에 설치된 터미널을 보인 단면도,
도 3는 본 고안 고조파 누설 방지용 터미널의 사시도,
도 4는 본 고안 절연세락믹에 설치된 터미널을 보인 단면도,
도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
4 - 절연세라믹,5 - 필터박스,
6 - 센타리드,7 - 사이드리드,
8 - 쵸크코일,41 - 플랜지메탈,
43 - 터미널,431 - 차폐편,
432 - 접촉편.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안은 필라멘트와 회로를 이루며 지지하고 있는 센타리드, 사이드리드와 연결되고, 에노드 부위의 진공밀봉을 위하여 메탈 하단부에 절연세라믹을 부착한 마그네트론에 있어서, 상기 절연세라믹 상측으로 리드와 접촉되는 플랜지 메탈 저부로 중앙이 절결되어 형성된 터미널을 구비하되, 상기 터미널은 쵸크코일과 연결되는 접촉편 및 불요 고조파를 차폐하도록 λ/4길이를 갖는 차폐편이 구비된 특징이 있다.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 고안의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3는 본 고안 고조파 누설 방지용 터미널의 사시도, 도 4는 본 고안 절연세락믹에 설치된 터미널을 보인 단면도이다. 종래기술과 동일 기술요소는 동일부호로서 설명한다.
본 고안은 필라멘트와 회로를 이루며 지지하고 있는 센타리드(6), 사이드리드(7)와 연결되고, 에노드(3) 부위의 진공밀봉을 위하여 메탈(10) 하단부로 절연세라믹(4)을 부착하되, 상기 절연세라믹(4) 상측으로 리드(6)(7)와 접촉되는 플랜지 메탈(41)이 형성되며, 플랜지 메탈(41) 저부로 터미널(43)이 구비됨은 종래의 기술과 동일하다.
한데, 본 고안 터미널(43)은 도2와 3에 도시된 바와 같이, 터미널(43) 형상을 소정길이를 갖는 판형태로 형성한 상태에서 중앙을 일정폭으로 절결하여 접촉편(432) 및 차폐편(431)으로 나눈다. 상기 접촉편(432)은 차폐편(431)보다 길고 그 단부가 구부러진 형상으로 쵸크코일(8)과 연결되며, 차폐편(431)은 불요 고조파를 차폐하도록 λ/4길이를 갖도록 구비된다.
상기와 같이 구성된 본 고안은 에노드(3) 부위의 진공밀봉을 위하여 메탈(10) 하단부에 절연세라믹(4)을 부착시키는데, 이 절연세라믹(4)은 플랜지메탈(41)에 리드가 접촉되며, 그리고 플랜지메탈(41) 하부로 터미널(43)이 마련된다. 이때 터미널(43)의 상부 즉, 플랜지 메탈과 접촉되는 부위를 은납 브래이징으로 접합하며, 터미널(43)의 하부 접촉편을 쵸크코일(8)과 연결시킨다.
이와같이 설치되는 터미널은 에노드(3) 하단부로 방사된 고조파들이 센타리드(4) 및 사이드리드(7)를 타고 절연세라믹(4)을 통하여 누설될 때 특정고조파 성분을 차폐토록 λ/4길이를 갖는 차폐편(431)에 의해 필터박스 내로 방사되어 불요고조파를 차폐시킬수 있게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 고안은 고조파 차폐 구조를 갖는 터미널을 부착시켜 에노드 하단부로 누설되는 특정고조파를 억제할수 있는 것이다.
이상의 설명은 본 고안의 일 실시예에 불과하며 본 고안의 그 구성요지 범위내에서 얼마든지 변경이 가능하다.

Claims (1)

  1. 필라멘트(1)와 회로를 이루며 지지하고 있는 센타리드(6), 사이드리드(7)와 연결되고, 에노드(3) 부위의 진공밀봉을 위하여 메탈(10) 하단부에 절연세라믹(4)을 부착한 마그네트론에 있어서, 상기 절연세라믹(4) 상측으로 리드와 접촉되는 플랜지 메탈(41) 저부로 중앙이 절결되어 형성된 터미널(43)을 구비하되, 상기 터미널(43)은 쵸크코일(8)과 연결되는 접촉편(432) 및 불요 고조파를 차폐하도록 λ/4길이를 갖는 차폐편(431)이 구비된 것을 특징으로 한 마그네트론의 고조파 누설 방지용 터미널.
KR2019960042605U 1996-11-27 1996-11-27 마그네트론용 고조파 누설 방지용 터미널 KR200145044Y1 (ko)

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