KR0129372Y1 - 전자레인지용 마그네트론의 베인 구조 - Google Patents

전자레인지용 마그네트론의 베인 구조 Download PDF

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KR0129372Y1
KR0129372Y1 KR2019950018457U KR19950018457U KR0129372Y1 KR 0129372 Y1 KR0129372 Y1 KR 0129372Y1 KR 2019950018457 U KR2019950018457 U KR 2019950018457U KR 19950018457 U KR19950018457 U KR 19950018457U KR 0129372 Y1 KR0129372 Y1 KR 0129372Y1
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구자홍
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18Resonators
    • H01J23/20Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof

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Abstract

본 고안은 전자레인지용 마그네트론의 베인 구조에 관한 것으로서, 아노드 외경에 방열판을 강제 결합시 압력에 의해 베인의 중앙부와 양단부의 길이가 동일하게 됨으로서 마그네트론의 출력이 향상되도록 한 것이다.
이와같은 본 고안의 목적은 아노드 내벽에 연재되어 있는 복수개의 베인을 중앙부의 길이 보다 양단부의 길이가 길도록 형성하므로서, 아노드의 외경에 수매의 방열판을 강제결합시 아노드의 외경보다 방열판의 내경이 작아서 아노드의 중앙부가 양단부보다 더 축소되므로 베인의 중앙부도 양단부보다 더 축소되어 베인의 내측 단부는 일직선이 된다.
그러므로 작용공간 상,하 중앙부의 직경이 동일하게 되어 필라멘트에서 방출되는 열전자는 작용공간내에서 동일한 운동에너지를 얻어 베인에 줌으로서 마그네트론의 출력이 향상시키므로서 상기의 목적을 이룰수 있도록 하였다.

Description

전자레인지용 마그네트론의 베인 구조
제1도는 일반적인 전자레인지용 마그네트론의 종단면도.
제2도는 종래의 베인을 아노드에 브래이징한 결합도.
제3도는 종래의 아노드에 방열판을 결합 후의 작용공간 변형도.
제4도는 본 고안의 베인의 사시도.
제5도는 본 고안의 베인을 아노드에 브래이징한 결합도.
제6도는 본 고안의 아노드에 방열판을 결합후의 작용공간 변형도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101 : 아노드 102 : 베인
103 : 작용공간 104 : 방열판
본 고안은 전자레인지용 마그네트론의 베인 구조에 관한 것으로서, 특히 베인의 상,하단부 보다 중앙부의 길이를 짧게하여 아노드 외부에 방열판을 강제 결합시 압력에 의해 베인의 중앙부 길이와 상,하단부 길이를 동일하게 함으로서 마그네트론의 출력이 향상되도록 한 것이다.
일반적인 전자레인지용 마그네트론은 제1도와 같이 필라멘트(2)에서 발생한 열전자가 아노드 원통(1)의 내벽에 형성된 복수개의 베인(3)끝과 필라멘트(2)사이의 작용공간(4)으로 방출되어 베인(3)과 필라멘트(2)사이에서 형성되는 전계와 자석(5)(6), 상판(7),하판(8),자극(9)으로 구성되는 자기회로에서 작용공간(4)에 인가되는 자속으로 인한 상기 열전자의 싸이클로이드 운동에 의하여 운동 에너지를 베인(3)에 줌으로서 마이크로파가 생성되며 이파가 안테나(10)를 통하여 에이세라믹(11),배기관(12),안테나캡(13)으로 구성되는 출력부를 통하여 외부로 방사되고, 전자레인지의 도파관을 통하여 오븐내에 전달되어 해동 및 가열을 하게되고, 아노드(1) 내부에서 발생하는 열을 냉각시키기 위해 아노드(1)외부에 알루미늄으로 된 방열판(14)이 수매 결합되어 있으며, 입력부쪽으로 누설되는 불요주파수를 차단하기 위해 입력부에 쵸크코일 어셈블리(15) 및 고압 관통형 콘덴서(16)와, 이들을 절연,보호하는 필터케이스(17)(18)로 구성되는 필터회로로 구성되었다.
미설명 부호19은 센터핀이다.
이와같은 구성을 가지는 전자레인지용 마그네트론의 동작설명과 이에 따른 문제점을 다음에서 설명한다.
제1도에서 도시한 바와같이 필라멘트(2)에 열전자 방사에 필요한 일정 전압이 가해지면 필라멘트(2)에서는 수많은 열전자가 방출되고, 이 열전자는 전계와 자계에 의해 작용공간(4)에서 수평으로 싸이클로이드 운동을 하면서 운동에너지를 얻게되고 이 에너지가 아노드(1) 내벽에 연재되어 있는 베인(3)과 베인(3)사이의 LC공진기내에 주어지면 2450MHz의 고주파가 발생하게 되며 따라서 상기 열전자의 싸이클로이드 운동을 위해서 필라멘트(2)와 베인(3) 끝단부와의 사이에 작용공간(4) 확보가 상당히 중요하다.
이러한 작용공간(4)은 아노드(1) 내벽에 연재되어 있는 베인(3)의 길이에 의해 결정되는데 베인(3)의 길이가 길면 작용공간(4)은 좁아지고 베인(3)의 길이가 짧으면 작용공간(4)은 넓어지게 된다.
그래서 작용공간(4) 확보를 위해 제2도와 같이 아노드(1)내에 복수개의 베인(3)을 조립시 아노드(1)의 정중앙에 원통형의 센터핀(19)을 삽입하게 되면 이 센터핀(19)이 강제 억지 끼움 되어진 후 아노드(1) 내벽과 베인(3)이 은납에 의해 브래이징 결합하고 센터핀(19)을 제거하면 정상적인 작용공간(4)의 화보가 이루어져 필라멘트(2)에서 방출되는 열전자가 작용공간(4)내에서 싸이클로이드 운동을 하여 충분한 에너지를 얻어 베인(3)에 주어짐으로서 원하고자 하는 고주파 성분의 출력을 낼수 있다.
그러나 이와같은 종래의 전자레인지용 마그네트론에서는 아노드에서 발생하는 열을 냉각시키기 위해 통상 아노드 외경보다 작은 내경을 갖는 수매의 방열판을 강제 결합시키는데 이때, 비교적 경도가 작은 구리로 된 아노드의 중앙부가 양단부보다 직경이 작아지게 되고, 따라서 아노드의 내부 중앙부에 일정 높이 갖는 복수개의 베인단부에 의해 형성되는 작용공간의 직경이 작아지게 되며, 특히 베인 양단부보다 중앙부쪽의 작용공간의 직경이 제3도와 같이 가장 작게 된다.
따라서 열전자가 가장 많이 운동하는 작용공간의 중앙부의 직경이 작게되어 이곳에서 운동하는 열전자가 제대로 싸이클로이드 운동을 하지 못하여 충분한 운동에너지를 갖지 못하여 결국 생성되는 고주파 성분도 에너지가 작아 마그네트론의 출력이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안의 목적은 아노드에 방열판을 강제 결합시 아노드의 외경보다 방열판의 내경이 작아 아노드 중앙부가 양단부보다 작아져서 작용공간이 좁아지는 것을 방지하기 위하여 베인의 중앙부 길이를 양단부보다 짧게하여, 베인과 브래이징 결합되어 있는 아노드에 방열판을 강제 결합시키면 아노드의 중앙부가 양단부보다 더 밀려서 베인의 내측 단부가 일직선이 되므로 필라멘트에서 발생하는 열전자가 작용공간내에서 싸이클로이드 운동을 하여 충분한 운동 에너지를 얻어 베인에 줌으로서 마그네트론의 출력을 향상시키는데 있다.
본 고안의 전자레인지용 마그네트론의 베인 구조와 그 주변부의 구성은 제4도내지 제6도에서와 같이 설명한다.
제4도내지 제6도에서 도시한 바와같이 아노드(10)의 내벽에 브래이징 결합되어 필라멘트에서 방출한 열전자의 충분한 운동 에너지를 받는 베인(102)과, 상기 베인(102)과 필라멘트 사이에서 필라멘트에서 방출한 열전자가 수평으로 싸이클로이드 운동을 하면서 운동 에너지를 얻도록 형성된 작용공간(103)과, 상기 아노드(101)의 외경에 결합되어 아노드(101)에서 발생하는 열을 방열시켜 주는 방열판(104)으로 구성한다.
이와같이 구성된 본 고안의 작용,효과를 제4도내지 제6도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제4도에서 도시한 바와같이 베인(102) 내측 단부에 의해 형성되는 작용공간(103) 중앙부의 축소방지를 위해, 중앙부의 길이(C)를 양단부의 길이(D)보다 짧게 한 베인(102)를 구성하여, 제5도에서와 같이 베인(102)과 브래이징 결합된 아노드(101) 외경에 방열판(104)을 강제 결합하기 전에는 베인(102)내측 단부에 의해 형성되는 작용공간(103)은 중앙부의 직경이 양단부 직경보다 큰 형상이 된다.
이때 제6도에서와 같이 아노드(101)의 외경에 조금 작은 내경을 가진 알루미늄으로 된 복수개의 방열판(104)을 강제 결합시키면 아노드(101)의 내,외경이 줄어들게 되는데, 특히 아노드(101)의 양단부보다 중앙부의 직경이 더 심하게 아노드(101)의 중앙부로 축소된다.
그리고 아노드(101)내벽에 연재되어 있는 복수개의 베인(102)도 아노드(101)와 같이 밀리게 되는데, 이때 중앙부의 길이(C)가 양단부의 길이(D)보다 짧은 베인(102)의 중앙부가 양단부보다 많이 아노드(101)의 중앙부로 밀려서 베인(102)의 내측단부가 일직선이 된다.
그래서 작용공간(103)도 상,하 중앙부의 직경이 동일하게 됨으로서, 필라멘트에서 방출되는 열전자가 작용공간(103)에서 수평으로 싸이클로이드 운동을 하면서 작용공간(103)의 상,하 중앙부에서 동일한 운동에너지를 충분히 얻어 베인(102)에 줌으로서 마그네트론이 정상적인 출력을 낼수 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 아노드 내벽에 연재되어 있는 복수개의 베인을 중앙부의 길이보다 양단부의 길이가 길도록 형성하므로서, 아노드의 외경에 수매의 방열판을 강제 결합할때 아노드의 외경보다 방열판의 내경이 작아서 아노드의 중앙부가 양단부보다 더 축소되므로 베인의 중앙부도 양단부보다 더 축소되어 베인의 내측 단부는 일직선이 된다.
그러므로 작용공간도 상,하 중앙부의 직경이 동일하게 되어 필라멘트에서 방출되는 열전자는 작용공간내에서 동일한 운동에너지를 충분히 얻어 베인에 붐으로서 마그네트론의 출력이 향상되는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 아노드 외경에 방열판을 강제결합시 베인의 내측단부의 양단부보다 중앙부가 더 많이 밀려 작용공간이 좁아져서 마그네트론의 출력이 저하되는 것을 방지하도록 베인 중앙부의 길이를 양단부의 길이보다 짧게 형성한 것을 특징으로 하는 전자레인지용 마그네트론의 베인 구조.
KR2019950018457U 1995-07-25 1995-07-25 전자레인지용 마그네트론의 베인 구조 KR0129372Y1 (ko)

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