JPH0473841A - マイクロ波電子管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明はマイクロ波電子管に係り、特にその共振空胴
の改良に関する。

（従来の技術） 一般に進行波管、クライストロン、マグネトロン、ジャ
イロトロンなどのようなマイクロ波電子管においては、
その内部の真空領域に高周波エネルギを吸収する減衰器
が装着されている。

１例として空胴結合型遅波回路を有する進行波管につい
て、説明することにする。即ち、２０〜９０個からなる
空胴共振器内には、回路整合を改善及び帯域内発振を防
止するために分布損失体を全共振空胴又は一部の共振空
胴内に挿入しているが、この分布損失体は、ニッケル、
タンタルなどの材料を蒸着したもの、あるいは炭化硅素
セラミックス（以下、ＳｉＣと記す）などのマイクロ波
損失体であり、空胴共振器の一部に挿入するか、複空胴
内に設けた空胴回路より構成されている。

この種の進行波管は、従来、第５図に概略を示すように
構成されている。即ち、電子銃部１、遅波回路部２、コ
レクタ部３が順次連結されており、遅波回路部２の両端
にはそれぞれ人力導波管４、出力導波管５が接続されて
いる。そして、遅波回路部２は高真空に保たれた多数の
共振空胴６からなり、この共振空胴６の一部にＳｉＣか
らなるマイクロ波損失体である減衰器７が設けられてい
る。

尚、符号８は磁石である。

（発明が解決しようとする課題） 上記のような従来の進行波管においては、減衰器７は遅
波回路部２を伝播する高周波エネルギの一部を吸収する
。このため、進行波管の動作時にこの減衰器７は発熱し
て高温となるので、熱を進行波管の真空外囲器に効率良
く放出する必要がある。しかし、減衰器７は高真空領域
内に設置されているので、外への熱放出の効率か悪く、
減衰器７の温度が上昇して誘電率、比誘電体損失が変化
する。それに伴い、進行波管の出力特性も変化するとい
う不都合か生しる。

この発明は、共振空胴の温度上昇を抑制し、安定した動
作を行なうマイクロ波電子管を提供することを目的とす
る。

［発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 二の発明は、共振空胴の空胴壁の一部又は全部がＳｉＣ
で構成され、必要に応じその一部又は内面の一部に導電
体壁又は導電体層が形成されて減衰量か所定値に設定さ
れてなるマイクロ波電子管である。

（作用） この発明によれば、高周波エネルギを吸収するＳｉＣを
共振空胴壁の一部として用いることにより、共振空胴の
温度上昇を抑制して安定した特性を得ることが出来る。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。

マイクロ波電子管として進行波管を例にとれば、この発
明による進行波管は第１図及び第２図に示すように構成
され、第２図は全体を示し、第１図はその要部を拡大し
て示している。即ち、進行波管は第２図に示すように、
電子銃部１１、遅波回路部１２、コレクタ部１３が順次
連結されており、遅波回路部１２の両端にはそれぞれ人
力導波管１４、出力導波管１５が接続されている。尚、
図中の符合１７は減衰器、１８は磁界発生装置である。

さて、遅波回路部１２は高真空に保たれた多数の共振空
胴１６からなり、この共振空胴１６は第１図に示すよう
に隣り合う共振空胴を隔てる各空胴壁２０と真空外囲器
を兼ねる円筒状の空胴壁２１により形成されている。尚
、図中の符合１９は高周波結合孔、２２はドリフト管で
ある。

この場合、板状の空胴壁２０は銅からなり、円筒状の空
胴壁２１は高周波損失物質であるＳｉＣからなっている
。更に、このＳｉＣからなる空胴壁２１の内面の一部に
は、導電体層２３が形成されており、ＳｉＣと共に共振
空胴壁の一部を構成している。そして、各空胴のマイク
ロ波損失の必要量に応じて、銅とＳｉＣの表面積比率を
異ならせて、減衰量かそれぞれ所定値に設定されている
。

表面積比率としては、例えば２〜５０％の範囲が考えら
れる。尚、空胴壁２０と空胴壁２１の接合は、空胴壁２
１のＳｉＣの表面にメタライズを施すことにより、空胴
壁２０の銅とろう接することか出来、真空気密が得られ
る。

このように、高周波エネルギを吸収するＳｉＣを共振空
胴１６の空胴壁の一部として用いることにより、このＳ
ｉＣが直接真空外に露出するため、放熱効率か上がる。

従って、温度上昇が低減され安定した動作特性が得られ
る。

（変形例） 第３図及び第４図はこの発明の変形例を示したもので、
上記実施例と同様効果が得られる。即ち、第３図の場合
は、銅製の空胴壁２５．２６及びＳｉＣリング２８によ
り各共振空胴１６が構成されている。そして、空胴壁２
５．２６とＳｉＣリング２８とは、接触面Ｂで気密ろう
接されている。

こうしてＳｉＣが空胴壁の一部を構成している。

又、第４図の場合は、この発明をクライストロンに適用
したもので、銅製の板状空胴壁２９とＳｉＣ製の有底円
筒状の空胴壁３０とにより共振空胴１６か構成されてい
る。そして、ＳｉＣ製め空胴壁３０の内面の一部には、
銅からなる導電体層３２か被覆されている。

更に、図示していないが、空胴壁の全部をＳｉＣで形成
し、その一部又は内面の一部に銅からなる導電体層を形
成するように構成しても良い。

［発明の効果］ この発明によれば、共振空胴の壁の一部又は全部がＳｉ
Ｃで構成され、必要に応じその一部又は内面の一部に導
電体壁又は導電体層が形成されているので、容易に所定
の減衰量に設定出来る。又、動作時においても、管外に
熱を直接、伝導放散することか出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係るマイクロ波電子管（
進行波管）における共振空胴を示す縦断面図、第２図は
この発明の一実施例に係るマイクロ波電子管（進行波管
）の全体を示す概略縦断面図、第３図及び第４図はこの
発明の変形例を示す縦断面図、第５図は従来のマイクロ
波電子管（進行波管）の全体を示す概略縦断面図である
。 １６・・・共振空胴、２０，２１．３０・・・空胴壁、
２３．３２・・・導電体層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 共振空胴を有するマイクロ波電子管において、上記共振
   空胴の空胴壁の一部又は全部がＳｉＣで構成され、必要
   に応じその一部又は内面の一部に導電体壁又は導電体層
   が形成されて減衰量が所定値に設定されてなることを特
   徴とするマイクロ波電子管。