JP2003045349A

JP2003045349A - マグネトロン

Info

Publication number: JP2003045349A
Application number: JP2001226326A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Murao; 則行村尾; Kazuki Miki; 一樹三木; Setsuo Hasegawa; 節雄長谷川; Noriyuki Okada; 則幸岡田; Satoshi Nakai; 聡中井
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2001-07-26
Filing date: 2001-07-26
Publication date: 2003-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】マグネトロンの雑音防止用フィルタを構成す
るインダクタにおいて、コイル巻線の絶縁被膜焼損の問
題を容易に解消し得る安価なマグネトロンを提供するこ
と。【解決手段】マグネトロン本体の陰極端子に、雑音防
止用フィルタを構成するインダクタが接続されてなるマ
グネトロンであって、前記陰極端子に直接接続されるイ
ンダクタは、絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線を用い
て形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジなどの
マイクロ波加熱機器やレーダなどに用いられるマグネト
ロンに関する。より詳しくは、マグネトロン本体の陰極
端子に、雑音防止用フィルタを構成するインダクタが接
続されてなるマグネトロンに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年電子レンジが世界的に普及している
が、電子レンジには、高周波（マイクロ波）を発生する
マグネトロンが搭載されている。この高周波が漏洩する
と、ラジオ、テレビ、通信機器などの正常な動作を妨げ
る。このため、電子レンジ等のマイクロ波装置にあって
は、マグネトロンをシールド装置に収納するとともに、
マグネトロンの電源回路にフィルタ回路からなる雑音防
止装置を設けることが必要不可欠とされている。なお、
このマグネトロンが発生する雑音は、数百ｋＨｚの低周
波数帯から数十ＧＨｚの高周波数帯に至るまでの広帯域
となっている。

【０００３】図６〜図８は、このような雑音防止装置を
備えたマグネトロンの従来例を示す。なお、図６は、従
来のマグネトロンのフィルタボックス部を破断した上面
説明図であり、図７は、図６のフィルタボックス部の側
断面説明図であり、図８は、図６及び図７におけるイン
ダクタの説明図である。これら図に示されるように、従
来のマグネトロンにおける雑音防止装置としては、マグ
ネトロン本体１の陰極端子２、３に接続されたコア型イ
ンダクタ４及び貫通型コンデンサ６からなるローパスフ
ィルタが使用されていた。また、この陰極端子２、３、
コア型インダクタ４及び貫通型コンデンサ６は、フィル
タボックス７によりシールドされていた。

【０００４】コア型インダクタ４は、図８に示されるよ
うに、電波吸収体であるフェライトからなるコア４ｂ
と、ポリアミドイミドなどの絶縁被膜で被覆された銅線
がコア４ｂの外周に巻回されているコイル巻線４ａとか
ら構成されている。そして、ローパスフィルタを透過す
る雑音の減衰量が２００〜３００ＭＨｚで最大となるよ
うに、コア４ｂのフェライトとして、透磁率μｉが１０
０程度で、キュリー温度がポリアミドイミドなどの絶縁
被膜の耐熱温度よりかなり高い２５０℃以上であるもの
が使用されていた。

【０００５】また、このように構成されたローパスフィ
ルタでは、陰極端子２、３にマグネトロン本体１の内部
で発生した基本発振周波数、例えば２４５０ＭＨｚのマ
イクロ波（以下単にマイクロ波というときは、この基本
発振周波数２４５０ＭＨｚの電波をいうものとする）出
力の一部が漏洩してきた場合、そのエネルギをコア４ｂ
で吸収していた。したがって、漏洩マイクロ波エネルギ
が大となるときには、コア４ｂの発熱によりコイル巻線
４ａの絶縁被膜が焼損して、絶縁破壊を起こしたり、直
列に接続されている貫通型コンデンサ６が昇温して絶縁
破壊を起こす場合があった。

【０００６】そこで、このような問題に対する解決策と
して、従来一般的には、陰極から見た陰極端子２、３側
のインピーダンスが最大となるように陰極端子２、３か
らコイル巻線４ａまでの導線の長さを調整し、漏洩する
マイクロ波エネルギを小さくすることが行われていた。
しかし、このように陰極端子２、３からコイル巻線４ａ
までの導線の長さを調整することのみでは、漏洩するマ
イクロ波エネルギを十分に小さくすることができなかっ
た。

【０００７】また、さらにこの問題を解決する方法とし
て、特公昭５７−１７３４４号公報に記載のものが開発
された。この方法は、前記コア型インダクタ４と陰極端
子２、３との間に、絶縁被膜で被覆された銅線を密に巻
回してなる空芯型インダクタ（コアを用いないでコイル
巻線のみで形成したもの）を接続したものである。この
方法における雑音防止用フィルタを構成するインダクタ
を図９に示す。図９において、５がコア型インダクタ４
と陰極端子２、３との間に接続される空芯型インダクタ
である。この空芯型インダクタ５は、漏洩してくるマイ
クロ波エネルギを反射又は減衰し、これによりコア型イ
ンダクタ４に直接伝送されて吸収されるエネルギを抑制
していた。また、この空芯型インダクタは高周波の吸収
性が高いコアを有しないため、それ自体は発熱量が少な
くなり熱蓄積も少なくなるので焼損を起こしにくいとい
うものであった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、電子レンジを無負荷で運転するときのように、異常
使用により漏洩マイクロ波エネルギが多大となる場合に
は、空芯型インダクタ５による反射及び減衰作用によ
り、コア型インダクタ４におけるコイル巻線４ａの絶縁
被膜の焼損が防止されるが、空芯型インダクタ５自身で
は、発熱量が大となり、コイル巻線５ａの絶縁被膜が焼
損して、発煙や異臭が発生したり、コイル間で絶縁破壊
を起こす恐れがあった。なお、この絶縁被膜の焼損は、
絶縁被膜の耐熱温度を高温とすれば（例えば、コア型イ
ンダクタ４のコア４ｂのキュリー温度２５０℃程度とす
れば）回避可能ではあるが、この場合には、材料選定が
困難となりコストアップになるという問題があった。

【０００９】本発明は、このような従来技術に存在する
問題点に鑑みされたものである。その目的とするところ
は、マグネトロンの雑音防止用フィルタを構成するイン
ダクタにおいて、コイル巻線の絶縁被膜が焼損するとい
う問題を容易に解消し得る安価なマグネトロンを提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるマグネトロンは、マグネトロン本体の
陰極端子に、雑音防止用フィルタを構成する複数のイン
ダクタが直列に接続されてなるマグネトロンであって、
前記複数のインダクタのうち陰極端子に直接接続される
第１インダクタは、絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線
を用いて形成されているものである。このようにマグネ
トロンを構成することにより、漏洩してくるマイクロ波
エネルギは、第１インダクタにより、反射又は減衰され
る。これにより、第１インダクタの反陰極端子側に接続
される第２インダクタへ伝送されるエネルギが抑制され
る。したがって、第２インダクタにおいては、コイル巻
線の絶縁被膜の耐熱温度を低く設定することができ、絶
縁被膜の焼損を防止することが容易となる。また、第１
インダクタの疎巻コイル巻線自体は絶縁被膜を有しない
ので、絶縁被膜焼損の恐れが全くない。更には、第１イ
ンダクタは、絶縁被膜を施さないため安価なマグネトロ
ンとすることができる。

【００１１】また、前記雑音防止用フィルタを構成する
複数のインダクタを、すべて疎巻コイル巻線で形成して
もよい。このように構成した場合、いずれのインダクタ
のコイル巻線にも絶縁被膜が存在しないので、絶縁被膜
焼損の恐れが全くない。また、雑音防止用フィルタを構
成するすべてのインダクタのコイル巻線を、絶縁被膜を
施さない銅線等で統一でき、コストダウンを図ることが
できる。

【００１２】また、前記第１インダクタの反陰極端子側
に接続される第２インダクタを、コア型インダクタとし
てもよい。このように構成すると、第２インダクタを所
望の雑音フィルタ特性を備えたものとすることが容易と
なる。すなわち、第２インダクタのコア材の透磁率を変
更することにより所望の雑音フィルタ特性を容易に得る
ことが可能となる。なお、コア材を用いたインダクタの
場合、発熱量が増大するが、この第２インダクタの陰極
端子側には、疎巻コイル巻線で形成されている第１イン
ダクタが用いられているので、前述のように第２インダ
クタに伝送される電波が抑制される。したがって、第２
インダクタにおけるコイル巻線の絶縁被膜の耐熱温度を
低く設定することができ、絶縁被膜の焼損を防止するこ
とが容易となる。

【００１３】また、本発明のマグネトロンは、雑音防止
用フィルタを構成する１個のインダクタが接続されてな
るマグネトロンとし、このインダクタを、絶縁被膜を施
さない疎巻コイル巻線を用いて形成されてなるコア型イ
ンダクタとしてもよい。このように構成すると、雑音防
止用フィルタを構成するインダクタにおけるコイル巻線
の絶縁被膜焼損の問題を解消することができながら、フ
ィルタを１個のインダクタで構成することができ、安価
なマグネトロンを提供することができる。しかも、イン
ダクタにはコア材を用いているので、所望の雑音フィル
タ特性を得ることも容易である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施の
形態につき、図面を参照しながら説明する。

【００１５】実施の形態１．まず、実施の形態１を図１
及び図２に基づき説明する。なお、図１は、本発明の実
施の形態１に係るマグネトロンの入力側フィルタ部分の
説明図であり、従来例として説明した図６に対応するも
のである。また、図２は、この実施の形態１における雑
音防止用フィルタを構成するインダクタの説明図であ
る。なお、これら図面において図６〜図８に示した従来
例と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略
する。

【００１６】実施の形態１に示したマグネトロンは、図
６〜図８に示した従来例と同様に、一般家庭用の電子レ
ンジに使用されている発振周波数が２４５０ＭＨｚ帯の
マグネトロンである。そして、１１は、絶縁被膜を施さ
ない疎巻コイル巻線１１ａがコア１１ｂに巻回されたコ
ア型インダクタであり、このコア型インダクタ１１（実
施の形態１における第１インダクタ）は、マグネトロン
本体の陰極端子２、３と、従来例と同様のコア型インダ
クタ４（実施の形態１における第２インダクタ）との間
に接続されている。なお、この実施の形態１は、上記の
ように、マグネトロン本体の陰極端子２、３とコア型イ
ンダクタ４との間にコア型インダクタ１１を接続する点
を除いては、図６〜図８に示した従来例のものと同様で
ある。

【００１７】このコア型インダクタ１１は、図２に示さ
れるように、コア１１ｂと、耐熱性絶縁樹脂を被膜しな
い銅線等を約４．５ターン巻回した疎巻コイル巻線１１
ａとからなるものである。なお、図２においては、耐熱
性絶縁樹脂を被膜しない銅線部分を斜線部で表し、絶縁
被膜を施した部分と区分をして図示している。なお、後
記する各実施の形態に係る図面においても、絶縁被膜を
施さない部分を斜線部として示している。また、コア１
１ｂは、例えばフェライトからなる、外直径が５ｍｍ程
度のものであり、疎巻コイル巻線１１ａは、直径が１．
４ｍｍφ程度の耐熱性絶縁樹脂を被膜しない銅線であ
る。

【００１８】実施の形態１は、以上のように構成されて
いるので、漏洩してくる高周波エネルギは、絶縁被膜を
施さない疎巻コイル巻線１１ａを備えたコア型インダク
タ１１により反射又は減衰され、これにより、このコア
型インダクタ１１の後に接続したコア型インダクタ４に
直接伝送されるエネルギを抑制する。したがって、コア
型インダクタ４におけるコイル巻線４ａの絶縁被膜の耐
熱温度を低くすることができ、焼損を防止することが容
易となる。また、コア型インダクタ１１は、コイル巻線
１１ａに絶縁被膜が施されていないので、絶縁被膜焼損
の恐れが全く存在しない。

【００１９】例えば、電子レンジの通常の運転時、マグ
ネトロン本体から陰極端子２、３にマイクロ波が漏洩す
るが、その出力は微小であり、コア型インダクタ４の温
度は約６０℃〜８０℃程度にしかならない。従って、コ
イル巻線４ａの絶縁被膜の焼損による絶縁破壊等の問題
が生じることは無い。一方、コア型インダクタ１１で
は、コア１１ｂにより漏洩マイクロ波のエネルギが吸収
されて発熱し、コイル巻線１１ａが高温となるが、この
コイル巻線１１ａは、絶縁被膜が施されていないので、
絶縁被膜の焼損を起こすことが全くない。

【００２０】また、電子レンジを無負荷運転のような異
常条件で運転し、マイクロ波出力の漏洩量が多大になっ
たような場合においては、マグネトロン本体の陰極端子
２、３から漏洩するマイクロ波が多大となり、この多大
な漏洩マイクロ波がコア１１ｂで吸収される。このと
き、コア１１ｂは高温となるが、コイル巻線１１ａは絶
縁被膜を施したものでないため、疎巻コイル巻線１１ａ
において絶縁被膜が焼損するような恐れがない。

【００２１】また、本実施の形態１においては、このよ
うに、マグネトロン本体の陰極端子２、３を通して漏洩
したマイクロ波のエネルギをコア型インダクタ１１で吸
収するため、コア型インダクタ４のコイル巻線４ａの絶
縁被膜の耐熱温度を低く設定することができ、コストダ
ウンを図ることができる。

【００２２】実施の形態２．次に、本発明の実施の形態
２について、図３に基づき説明する。なお、図３は実施
の形態２に係るマグネトロンの雑音防止用フィルタを構
成するインダクタの説明図である。

【００２３】この実施の形態２は、実施の形態１におけ
るコア型インダクタ４を、図３に示すようにコア型イン
ダクタ１２に変更したものである。すなわち、図１、２
におけるコア型インダクタ４は、コア４ｂと、絶縁被膜
を施した銅線をコア４ｂの外周に密巻にしたコイル巻線
４ａ（銅線を、間隔をあけないで密接して巻いたコイル
巻線）とから形成されているのに対し、この実施の形態
２のコア型インダクタ１２（実施の形態２における第２
インダクタ）は、コア１２ｂと、絶縁被膜を施さない銅
線をコア１２ｂの外周に疎巻にしたコイル巻線１２ａ
（銅線を、間隔をあけないで密接して巻いたコイル巻
線）とから形成されている点で、実施の形態１と異な
る。

【００２４】なお、コア型インダクタ１２において、コ
ア１２ｂは、例えばフェライトからなり、外直径が５ｍ
ｍ程度とされている。また、疎巻コイル巻線１２ａを形
成する銅線は、例えば直径が約１．４ｍｍφ程度で、耐
熱性絶縁樹脂を被膜しないものである。また、疎巻コイ
ル巻線１２ａは、上記コア１２ｂの周囲に、上記銅線が
約６．５ターン巻回されたものである。

【００２５】実施の形態２は、以上のように構成されて
いるので、漏洩してくるマイクロ波エネルギは、絶縁被
膜を施さない疎巻コイル巻線１１ａを備えたコア型イン
ダクタ１１（実施の形態２における第１インダクタ）に
より反射又は減衰され、これによりこのコア型インダク
タ１１の後に接続したコア型インダクタ１２（実施の形
態２における第２インダクタ）に伝送されるエネルギを
抑制する。なお、コア型インダクタ１２は、コイル巻線
１２ａに絶縁被膜が施されていないので、このように伝
送されるエネルギが減少することとは関係なく、コイル
巻線１２ａにおける絶縁被膜焼損の問題が全く生じない
ものである。

【００２６】また、本実施の形態２のコア型インダクタ
１２のように、コイル巻線１２ａを疎巻にした場合は、
約４００ＭＨｚ以上の周波数に対して雑音フィルタ特性
を良好化することができる。また、この実施の形態２で
は、すべてのコア型インダクタ１１、１２のコイル巻線
１１ａ、１２ａを、絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線
としているので、銅線等は絶縁被膜を施さない部分と絶
縁被膜を施す部分とに区分する必要がなくなる。したが
って、すべてのインダクタのコイル巻線を、絶縁被膜を
施さない銅線等に統一でき、コストダウンを図ることが
できる。

【００２７】実施の形態３．次に、本発明の実施の形態
３について、図４に基づき説明する。なお、図４は実施
の形態３に係るマグネトロンの雑音防止用フィルタを構
成するインダクタの説明図である。

【００２８】この実施の形態３は、実施の形態２におけ
るコア型インダクタ１１を、図３に示すような空芯型イ
ンダクタ１３に変更したものである。すなわち、マグネ
トロン本体の陰極端子２、３とコア型インダクタ１２
（実施の形態３における第２インダクタ）との間に空芯
型インダクタ１３（実施の形態３における第１インダク
タ）を配設している。

【００２９】空芯型インダクタ１３は、絶縁被膜を施さ
ない疎巻コイル巻線１３ａで形成されており、コアを有
しないインダクタとして構成されている。より具体的に
は、この空芯型インダクタ１３は、直径が約１．４ｍｍ
φ程度の、耐熱性絶縁樹脂を被膜しない銅線を、約４．
５ターン巻回したコイル巻線１３ａのみから形成されて
いる。

【００３０】実施の形態３は、以上のように構成されて
いるので、漏洩してくるマイクロ波エネルギは、絶縁被
膜を施さない疎巻コイル巻線１３ａを備えた空芯型イン
ダクタ１３（実施の形態３における第１インダクタ）に
より反射又は減衰され、これにより、このコア型インダ
クタ１３の後に接続したコア型インダクタ１２（実施の
形態３における第２インダクタ）に伝送されるエネルギ
を抑制する。なお、コア型インダクタ１２は、コイル巻
線１２ａに絶縁被膜が施されていないので、このように
伝送されるエネルギが減少することとは関係なく、コイ
ル巻線１２ａにおける絶縁被膜焼損の問題が生じない。
なお、このコア型インダクタ１２に代えて、前記実施の
形態１における密巻コア型インダクタ４を使用した場合
には、この空芯型インダクタ１３による伝播エネルギの
抑制効果により、コイル巻線４ａにおける絶縁被膜の耐
熱温度を低くすることができる。また、絶縁被膜が焼損
して電子レンジ周辺に異臭が発生することを防止するこ
とができる。

【００３１】また、本実施の形態３のような空芯型イン
ダクタ１３を用いると、約６５０ＭＨｚ以上の周波数に
対しての雑音フィルタ特性を良好にすることができる。
また、この場合も、実施の形態２と同様、すべてのイン
ダクタ１２、１３のコイル巻線１２ａ、１３ａを、絶縁
被膜を施さない疎巻コイル巻線としているので、インダ
クタのすべてのコイル巻線を、絶縁被膜を施さない銅線
等に統一でき、コストダウンを図ることができる。

【００３２】実施の形態４．次に、本発明の実施の形態
４について、図５に基づき説明する。なお、図５は実施
の形態４に係るマグネトロンの雑音防止用フィルタを構
成するインダクタの説明図である。

【００３３】この実施の形態４は、実施の形態３におけ
る空芯型インダクタ１３を取り外し、雑音防止用フィル
タを構成するインダクタを、図３及び図４に示すコア型
インダクタ１２を１個使用するのみとしたものである。

【００３４】上記構成の実施の形態４によれば、雑音防
止用フィルタを構成するコア型インダクタ１２は、コイ
ル巻線１２ａが絶縁被膜を施さない銅線で形成されてい
るので、絶縁被膜が焼損するという問題が全くない。ま
た、インダクタは１個であるが、コア材１２ａが用いら
れているので、所望の雑音フィルタ特性を得ることも容
易である。また、インダクタを１個で済ませていること
から、安価なマグネトロンを提供することができる。

【００３５】なお、本発明は、次のように変更して具体
化することもできる。（１）各実施の形態において、各インダクタは、雑音
フィルタ特性やインバータ電源駆動時の適正フィラメン
ト電流値調整などの目的に応じて、コイル巻線の線径、
巻数および巻ピッチ、並びにコアの外径および長さなど
を選択してもよい。（２）各実施の形態において、コア型インダクタは、
円柱棒状のコアの外周にコイル巻線を巻回したものとし
ているが、このようなものには限らない。例えば、コア
を、その断面形状が４角などの多角形である柱状として
もよい。また、コイル巻線を、コアの外径に対しわずか
に大きい程度の内径に形成しても良い。また、コア材
を、フェライト材料でなく、鉄又はセラミックスなどの
磁性体で形成してもよい。

【００３６】（３）また、本発明は、第１インダクタ
を、絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線により形成され
たものとする限り、第２インダクタは、コア型インダク
タ、空芯型インダクタのいずれにも適宜変更することが
できる。また、第２インダクタの個数は、所望の雑音フ
ィルタ特性等との関係で、２個以上の複数としてもよ
い。また、この第２インダクタのコイル巻線は、疎巻、
密巻いずれにも適宜変更することができる。また、上記
第１インダクタは、所望の雑音フィルタ特性等との関係
により、実施の形態１及び２のようなコア型インダク
タ、または、実施の形態３のように空芯型インダクタと
することができる。

【００３７】

【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るため、次のような効果を奏することができる。本発明
によれば、マグネトロン本体の陰極端子に、雑音防止用
フィルタを構成する複数のインダクタが直列に接続され
てなるマグネトロンであって、前記複数のインダクタの
うち陰極端子に直接接続される第１インダクタは、絶縁
被膜を施さない疎巻コイル巻線を用いて形成されている
ため、第１インダクタの反陰極端子側に接続される第２
インダクタにおけるコイル巻線の絶縁被膜の耐熱温度を
低くでき、絶縁被膜焼損による発煙や異臭の発生を防止
することができる。また、第１インダクタは、絶縁被膜
を施さないため安価な低雑音のマグネトロンを得ること
ができる。

【００３８】また、本発明では、雑音防止用フィルタを
構成する複数のインダクタを、すべて疎巻コイル巻線で
形成してもよく、その場合には、絶縁被膜焼損の恐れが
全くなくなるので、絶縁被膜焼損による発煙や異臭の発
生を防止できるとともに、より安価なマグネトロンを得
ることができる。

【００３９】また、前記第１インダクタの後に接続され
る第２インダクタを、コア型インダクタとすると、所望
の雑音フィルタ特性を得ることが容易となる。

【００４０】また、雑音防止用フィルタを構成するイン
ダクタを、１個の絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線を
用いて形成されてなるコア型インダクタとしてもよくこ
の場合は、絶縁被膜焼損の恐れがないので、絶縁被膜焼
損による発煙や異臭の発生を防止できるとともに、低コ
ストの、所望の雑音フィルタ特性をもったマグネトロン
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係るマグネトロンの雑
音防止用フィルタ部分の説明図である。

【図２】図１における雑音防止用フィルタを構成するイ
ンダクタの説明図である。

【図３】実施の形態２に係るマグネトロンの雑音防止用
フィルタを構成するインダクタの説明図である。

【図４】実施の形態３に係るマグネトロンの雑音防止用
フィルタを構成するインダクタの説明図である。

【図５】実施の形態４に係るマグネトロンの雑音防止用
フィルタを構成するインダクタの説明図である。

【図６】従来例に係るマグネトロンのフィルタボックス
部を破断した上面説明図である。

【図７】図６のフィルタボックス部の側断面説明図であ
る。

【図８】図７におけるインダクタの説明図である。

【図９】他の従来例に係るマグネトロンの雑音防止用フ
ィルタを構成するインダクタの説明図である。

【符号の説明】

１マグネトロン本体２、３陰極端子４コア型インダクタ（第２インダクタ）４ａコイル巻線４ｂコア１１コア型インダクタ（第１インダクタ）１１ａ絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線１１ｂコア１２コア型インダクタ（第２インダクタ）１２ａ絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線１２ｂコア１３空芯型インダクタ（第１インダクタ）１３ａ絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長谷川節雄大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者岡田則幸大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者中井聡大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 5C029 JJ04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マグネトロン本体の陰極端子に、雑音防
止用フィルタを構成する複数のインダクタが直列に接続
されてなるマグネトロンであって、前記複数のインダク
タのうち陰極端子に直接接続される第１インダクタは、
絶縁被膜を施さない疎巻コイル巻線を用いて形成されて
いることを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】前記雑音防止用フィルタを構成する複数
のインダクタは、すべて疎巻コイル巻線を用いて形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載のマグネトロ
ン。
【請求項３】前記第１インダクタの反陰極端子側に接
続される第２インダクタは、コア型インダクタであるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のマグネトロン。
【請求項４】マグネトロン本体の陰極端子に、雑音防
止用フィルタを構成する１個のインダクタが接続されて
なるマグネトロンであって、前記インダクタは、絶縁被
膜を施さない疎巻コイル巻線を用いて形成されてなるコ
ア型インダクタであることを特徴とするマグネトロン。