JP3259633B2 - 反強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
反強誘電性液晶表示素子Info
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Description
(AFLC、AntiFerroelectric Liquid Crystal)を用
いた液晶表示素子に関し、特に、階調表示が可能なAF
LC液晶表示素子に関する。
素子は、ネマティック液晶を用いるTNモードの液晶表
示素子と比較して、高速応答、広い視野角が得られる等
の点で注目されている。
晶を用いた強誘電性液晶表示素子と反強誘電性液晶を用
いた反強誘電性液晶表示素子とが知られている。
晶が備える配向状態の安定性を利用して画像を表示する
ものである。即ち、反強誘電性液晶は、液晶分子の配向
に3つの安定状態を有し、第1のしきい値以上の電圧を
該液晶に印加したとき、印加電圧の極性に応じて液晶分
子が第1の配向方向に配列する第1の強誘電相または第
2の配向方向に配列する第2の強誘電相に配向し、前記
第1のしきい値より低い第2のしきい値以下の電圧を印
加したとき、第1と第2の強誘電相の中間の配列状態で
ある反強誘電相に配向する。液晶表示素子の両側に配置
する一対の偏光板の透過軸の方向を反強誘電相の光学軸
を基準にして設定することにより、図12に示すよう
に、印加電圧により透過率を制御して画像を表示するこ
とができる。
も、上記第1と第2のしきい値の間の範囲であれば、第
1または第2の強誘電相または反強誘電相に配向した状
態を維持するというメモリ性を有している。従来の反強
誘電性液晶表示素子は、このメモリ性を利用して単純マ
トリクス駆動されている。
液晶が第1または第2の強誘電相から反強誘電相に相転
移する電圧と、反強誘電相から第1または第2の強誘電
相に相転移する電圧との電圧差によって定まり、この電
圧差が大きいほど、配向状態のメモリ性が高い。即ち、
光学特性のヒステリシスが大きい程メモリ性が高い。こ
のため、従来の単純マトリクス駆動される反強誘電性液
晶表示素子では、反強誘電性液晶として、上記電圧差が
大きい液晶を用いている。
い反強誘電性液晶を用いる従来の反強誘電性液晶表示素
子は、光の透過率を任意に制御することができず、表示
階調の制御がほとんど不可能で、階調表示を実現するこ
とはできなかった。
で、明確な階調表示を実現できる反強誘電性液晶表示素
子を提供することを目的とする。
め、この発明の第1の観点にかかる反強誘電性液晶表示
素子は、対向する一対の基板の一方に画素電極を、他方
の基板に前記画素電極に対向する対向電極をそれぞれ形
成し、前記一対の基板間に、スメクチックCA*相を持
ち、複数のスメクチック層の液晶分子がコーンを描いて
配列すると共に二重螺旋構造を形成し、印加電圧に応じ
て、相転移前駆現象により液晶分子が前記コーンに沿っ
て移動することにより、ダイレクタが連続的に変化する
反強誘電性液晶を封入し、階調表示を可能としたことを
特徴とする。
の観点にかかる反強誘電性液晶表示素子は、画素電極と
画素電極に接続されたアクティブ素子がマトリックス状
に複数配列された一方の基板と、前記画素電極に対向す
る対向電極が形成された他方の基板と、前記基板間に封
入され、スメクチックCA * 相を持ち、液晶分子の配列
方向が互いに異なる第1と第2の強誘電相と、前記スメ
クチックCA * 相の複数のスメクチック層の液晶分子が
コーンを描いて配列すると共に前記液晶分子が二重螺旋
構造を形成し、印加電圧に応じて、相転移前駆現象によ
り液晶分子が前記コーンに沿って移動することによりダ
イレクタが連続的に変化する反強誘電性液晶と、を備え
たことを特徴とする。
の観点にかかる反強誘電性液晶表示素子は、一方の基板
と、前記一方の基板に対向して配置された他方の基板
と、前記一方の基板の間に封止され、スメクチックCA
* 相を持ち、液晶分子の配列状態が互いに異なる第1と
第2の強誘電相と、前記スメクチックCA * 相の複数の
スメクチック層の液晶分子がコーンを描いて配列すると
共に、前記液晶分子が二重螺旋構造を形成し、印加電圧
に応じて、相転移前駆現象により液晶分子が前記コーン
に沿って動くことによりダイレクタが連続的に変化する
反強誘電性液晶と、前記液晶に電圧を印加して、この印
加電圧を変えることにより、相転移前駆現象により液晶
分子を前記コーンに沿って動かしてダイレクタを変化さ
せて、任意の方向に設定する制御手段と、を備えたこと
を特徴とする。
圧に応じて、液晶分子がコーンに沿って印加電圧に応じ
た量だけ移動する。このコーンは、極性が反対で十分大
きい電圧を液晶に交互に印加した際に、液晶分子が描く
軌跡で表される。この発明の反強誘電性液晶は、中間的
な電圧が印加された際にもコーンに沿って、電圧値に対
応する量だけ傾く(チルトする)。このため、印加電圧
を制御することにより、分子の移動の程度を調整し、液
晶分子の長軸の平均的な方向、即ち、ダイレクタを連続
的に変化させることができる。このため、この発明の液
晶表示素子の光学特性は、印加電圧に対する透過率が滑
らかに変化するものとなる。従って、アクティブ素子に
より、非選択期間も該液晶に表示階調に対応する印加電
圧を保持することにより、任意の階調の表示が可能とな
る。
面を参照して説明する。まず、この実施の形態の反強誘
電性液晶表示素子の構成を説明する。図1は反強誘電性
液晶表示素子の断面図、図2は画素電極とアクティブ素
子を形成した基板の平面図である。
ブマトリクス方式のものであり、一対の透明基板(例え
ば、ガラス基板)11、12のうち、図1において下側
の基板(以下、下基板)11には透明な画素電極13と
画素電極13に接続されたアクティブ素子14とがマト
リクス状に配列形成されている。
ンジスタ(以下、TFT)から構成される。TFT14
は、基板11上に形成されたゲート電極と、ゲート電極
を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成された
半導体層と、半導体層の上に形成されたソース電極及び
ドレイン電極とから構成される。
に、画素電極13の行間にゲートライン(走査ライン)
15が配線され、画素電極13の列間にデータライン
(階調信号ライン)16が配線されている。各TFT1
4のゲート電極は対応するゲートライン15に接続さ
れ、ドレイン電極は対応するデータライン16に接続さ
れている。
行ドライバ(行駆動回路)31に接続され、データライ
ン16は端部16aを介して列ドライバ(列駆動回路)
32に接続される。行ドライバ31は、後述するゲート
信号を印加して、ゲートライン15をスキャンする。一
方、列ドライバ32は、表示データ(階調データ)を受
け、データライン16に表示データに対応するデータ信
号を印加する。
TFT14のゲート絶縁膜(透明膜)で覆われており、
データライン16は前記ゲート絶縁膜の上に形成されて
いる。画素電極13は前記ゲート絶縁膜の上に形成され
ており、その一端部においてTFT14のソース電極に
接続されている。
板)12には、下基板11の各画素電極13と対向する
透明な対向電極17が形成されている。対向電極17は
表示領域全体にわたる面積の1枚の電極から構成され、
基準電圧V0が印加されている。
は、それぞれ配向膜18、19が設けられている。配向
膜18、19はポリイミド等の有機高分子化合物からな
る水平配向膜であり、その対向面には同一方向にラビン
グによる配向処理が施されている。
において枠状のシール材20を介して接着されており、
基板11、12間のシール材20で囲まれた領域には液
晶21が封入されている。
A*相)の反強誘電性液晶(以下、AFLC)から構成さ
れ、その層の厚さは、透明なギャップ材22により規制
されている。ギャップ材22は液晶封入領域内に点在状
態で配置されている。
ック層間の液晶分子に働く分子間相互作用が弱い液晶材
料が使用されている。隣接するスメクチック層間の液晶
分子に働く分子間相互作用が弱いため、外部電界が印加
されると、液晶分子は、スメクチック相の液晶分子が描
く仮想的なコーンに沿って挙動し始め、電気的に不安定
な反強誘電相を示す。即ち、その分子の配向方向が外部
電界に応じて比較的に連続して変化するという反強誘電
−強誘電相の相転移前駆現象を示す。
き、液晶分子がその永久双極子と電界との相互作用によ
って、螺旋のコーン上を連続的に動く現象が、反強誘電
−強誘電相の相転移前駆現象である。この現象を液晶分
子の挙動から見たときには、液晶分子の基板に対するチ
ルト角が印加電圧に応じて変化するので、前駆チルト現
象としてとらえることができる。
骨格構造にテトラリン結合とその両側に酸素原子とフッ
素原子とをもったテトラリン系の反強誘電性液晶化合
物、及び分子の両側の末端の置換基に酸素原子とフッ素
原始とをもった液晶化合物等との混合によって得ること
ができる。例えば、化1に示す液晶化合物IとIIを60
重量%と40重量%の割合で配合した反強誘電性液晶化
合物からなる組成物である。
で、分子の末端基に負の極性を持つ酸素原子とフッソ原
子を持っているため、スメクチック層の層間の分子間相
互作用が小さくなり、隣接するスメクチック層間の液晶
に働く分子間相互作用が弱い。そのため、外部電界が印
加されると、液晶分子は前記相転移前駆現象により、前
記コーンに沿って挙動し始め、外部電圧に応じて、比較
的に連続して変化し、外部電圧が十分に大きくなったと
きには、完全な強誘電相に転移する。そして、この反強
誘電性液晶は、反強誘電相から強誘電相に移転する電圧
と強誘電相から反強誘電相に転移する電圧との差で表さ
れるヒステリシスが小さく、連続的な中間調を得ること
ができる。
た時、印加された電圧の極性に応じて、液晶分子が図3
に示す第1の配向方向21Aに配列した第1の強誘電相
と前記第1の配向方向と異なる第2の配向方向に配列し
た第2の強誘電相、及び液晶分子のダイレクタの平均的
な方向がスメクチックCA*相の層構造の層(スメクチ
ック層)の法線方向21Cに揃った状態と、これらの中
間状態を呈する。
3、24が配置されている。偏光板23、24の光学軸
(以下、透過軸とする)は、AFLC21の液晶分子の
配向方向に基づいて設定されている。即ち、図3に示す
ように、下側の偏光板23の透過軸23Aはスメクチッ
ク層の法線方向とほぼ平行に設定され、上側偏光板24
の透過軸24Aは下偏光板23の透過軸23Aにほぼ直
角に設定されている。
過軸を設定した反強誘電性液晶表示素子は、ダイレクタ
が第1又は第2の配向方向21A、21Bにほぼ配向し
た強誘電相の時に透過率がほぼ最大(表示が最も明る
く)になり、液晶分子のダイレクタの平均的方向がスメ
クチックCA*相の層構造の層(スメクチック層)の法
線方向21Aの配向方向21Cに向くようにほぼ配向し
た時に透過率がほぼ最小(表示が最も暗く)になる。
向方向21A、21Bを向いた状態では、入射側の偏光
板23の透過軸23Aを通過した直線偏光はAFLC2
1の複屈折作用により非直線偏光となり、出射側偏光板
24の透過軸24Aと平行な成分が出射し、表示は明る
くなる。一方、ダイレクタがスメクチック層の法線方向
21Cを向いた状態では、その光学軸が層の法線方向に
向くため、入射側の偏光板23を通った直線偏光はAF
LC21の複屈折作用をほとんど受けず、直線偏光のま
まAFLC21を通過し、そのほとんどが出射側の偏光
板14で吸収され、表示が暗くなる。また、AFLC2
1が光学的中間状態の時は、ダイレクタの方向に応じた
階調が得られる。
明する。AFLC21は、例えば、コーンアングルが3
0゜から45゜(望ましくは、35゜以上)と大きく、
I、SmA、SmCA*相)というシーケンスで相転移す
るSmCA*相の液晶から構成され、図4に示すように、
バルクの状態では、分子配列の層構造と螺旋構造を有し
ている。通常の強誘電性液晶と異なり、隣接する液晶分
子は層毎にコーンのほぼ180゜シフトして螺旋を描い
た二重螺旋構造を有する。
液晶表示素子の場合は、AFLC21の螺旋構造の1ピ
ッチ(ナチュラルピッチ)よりも小さく形成されてい
る。このため、AFLC21は、図5に模式的に示すよ
うに、二重螺旋構造が消失した状態で基板11,12間
に封止されている。なお、セルギャップをAFLC21
の螺旋構造の1ピッチよりも大きくし、代わりに、配向
膜18,19の表面を安定化することにより、表面安定
化効果により、二重螺旋構造を消失させてもよい。ま
た、この実施の形態のAFLC21は、反強誘電的相互
作用が弱い、即ち、層毎に液晶分子が反対方向に向いて
いる反強誘電相を維持しようとする作用が弱い液晶材料
から構成され、印加電圧に応じてその分子が比較的容易
に移動する作用を有する。
及び挙動を前記参考例を参照して説明するための図であ
る。また、図7は、液晶分子の描く軌跡により定義され
るコーンを示す図である。電圧無印加の状態では、図5
及び図6(A)に示すように、液晶分子は第1と第2の
配向方向21Aと21Bを層毎に交互に向いた状態とな
り、それぞれ第1の配向状態と第2の配向状態となって
いる。この状態では、層内では自発分極が発生するが、
隣接する層の永久双極子が互いに反対方向を向き、双極
子モーメントが互いに打ち消しあって総合的には自発分
極は存在せず、反強誘電相となる。空間的に平均された
AFLC21の光学軸は液晶分子の平均的な配向方向で
あるスメクチック層の法線方向21Cとなる。
(飽和電圧)を印加することにより、印加電圧の極性に
応じて第1又は第2の配向状態の液晶分子の一方が図7
に示すコーンに沿って移動し、図6(C)又は(E)に
示すように、第2又は第1の配向方向21B又は21A
に配向して第2又は第1の配向状態となる。この状態で
は、隣接する層の永久双極子が互いに同一方向を向き、
自発分極が存在し、第1又は第2の強誘電相となる。
電圧EC未満で正極性の電界Eが印加されると、分子長
軸が第2の配向方向21Bに配向した第2の配向状態の
液晶分子に、電界との相互作用による力が働いて、第2
の配向状態の液晶分子はコーンに沿って所定量(所定角
度)動く。この移動量(移動角度)は印加電圧の値に対
応する。一方、すでに第1の配向方向に配向していた液
晶分子は自発分極との相互作用による力が大きいので動
かない。このため、図6(A)に実線で示すような配向
状態のAFLC21に飽和電圧EC未満の正極性の電圧
Eを印加すると、図6(B)に破線で示すように分子が
傾き、傾き角は印加電界の強度に対応する。
の電圧Eが印加されると、分子長軸が第1の配向方向2
1Aに配向した第1の配向状態の液晶分子に、電界との
相互作用による力が働いて、第1の配向状態の液晶分子
はコーンに沿って所定量(所定角度)動く。この移動量
(移動角度)は印加電圧の値に対応する。一方、すでに
第2の配向方向に配向していた液晶分子は動かない。こ
のため、図6(A)に実線で示すような配向状態の液晶
分子群に電界−Eを印加すると、図6(D)に破線で示
すように分子が傾く。
印加電界に応じて液晶分子がコーンに沿って動く作用を
有し、印加電圧を制御することにより、液晶分子の平均
的な配向方向、即ち、ダイレクタが連続的に変化させる
ことができる。従って、その平均的な光学軸も、第1の
配向方向21Aとスメクチック層の法線方向21C及び
第2の配向方向21Aとスメクチック層の法線方向21
Cの間で連続的に変化する。また、極性が異なり絶対値
が等しい印加電圧に対する変化もほぼ等しくなる。
液晶表示素子では、偏光板23、24を図3に示すよう
に配置し、0.1Hz程度の十分低周波の三角波電圧を
画素電極13と対向電極17との間に印加して得られる
光学特性は、図8に示すように、印加電圧0V近傍にお
いて平坦な部分がなく、印加電圧の絶対値の上昇に伴っ
て光学特性も連続的に変化し、しきい値を有しないもの
となる。さらに、印加電圧の極性に対して透過率のカー
ブも対称となる。また、絶対値が一定の値(Ec)以上
の電圧が印加されると、螺旋が消失して透過率は飽和す
る。さらにヒステリシスが非常に小さい。
子によれば、印加電圧に対し表示階調が一義的に定ま
り、しかも、任意の階調を得ることができる。従って、
上述のように、液晶表示素子をアクティブマトリクス型
として、各画素の非選択期間に、印加電圧を表示階調に
対応するほぼ一定値に維持することにより、任意の階調
が表示可能となる。なお、安定した階調表示を可能とす
るためには、透過光量が最大値の50%となる位置での
電圧幅(ヒステリシス幅)が、ほぼ0.1V以下となる
AFLC21が望ましい。
を行わせる場合の駆動方法について説明する。図9
(A)は、行ドライバ31が第1行のTFT14に接続
されたゲートライン15に印加するゲート信号の波形を
示し、図9(B)は、列ドライバ32がデータライン1
6に印加するデータ信号の波形を示し、図9(C)は各
画素に保持される電圧を示す。なお、理解を容易にする
ため、第1行の画素用のデータ信号のみ示し、他の行用
のデータ信号は図示しない。
1フレーム期間、TSは第1行の画素の選択期間、TO
は非選択期間を示す。各選択期間TSは、例えば、約6
0μ秒である。この実施の形態においては、図9(B)
に示すように、連続する2つのフレームの選択期間TS
に、表示階調に応じ、極性が反対で絶対値が同一の電圧
値VD、−VDを有する駆動パルス(書き込みパルス)
をデータライン16に印加する。即ち、1つの映像信号
(表示データ)について、電圧値が+VDと−VDの2
つの駆動パルスを2つのフレームの各選択期間TSにそ
れぞれ1つずつAFLC21に印加する。駆動パルスの
極性及び電圧値は、データ信号の基準電圧V0に対する
極性と電圧である。基準電圧V0は対向電極17に印加
する電圧と同一である。
小値をV0とし、最大値Vmaxを透過率の飽和が起こる
電圧ECよりも若干低い値として、V0乃至Vmaxの範囲
で書き込み電圧VDを制御する。
号とを用いて上記反強誘電性液晶表示素子を駆動する
と、各行の選択期間TSに、駆動パルスの電圧(書き込
み電圧)VDがゲート信号によりオンしているTFT1
4を介して画素電極13に印加される。
ると、TFT14がオフ状態になり、図9(C)に示す
ように、書き込み電圧VDが、画素電極13と対向電極
17とその間のAFLC21とで形成される容量(画素
容量)に保持される。このため、図9(C)に示すよう
に、非選択期間TOの間、その画素の透過率が、画素容
量の保持電圧に対応する値に維持される。
印加電圧の変化に対する明確な閾値を有さず、透過率が
連続的に変化するものを使用し、しかも、図3に示す光
学配置を採用しているので、書き込み電圧VDの絶対値
に対する透過率が一義的に定まり、書き込み電圧VDの
絶対値により透過率を制御して、明確な階調表示を実現
できる。
つの画素データに対する正負逆極性の電圧+VDと−V
DをAFLC21に印加しているので、正負の電圧に対
する光学特性が若干異なっていてもこれらの光学的変化
の平均値として観察されるので、正負逆極性の電圧に対
する光学的特性に差があっても明確な階調表示が可能で
ある。
逆で絶対値が等しい電圧+VDと−VDを各画素(AF
LC21)に印加するので、AFLC21に直流電圧成
分が片寄って印加されることがない。従って表示の焼き
付き現象やAFLC21の劣化を生ずることもない。
度が71℃、SA−SCA*転移温度が57℃、自発分極が
176nc/cm2、チルト角が31.5゜(コーンア
ングル63゜)で、上述の特性を有する反強誘電性液晶
を使用し、配向処理方向及び偏光板の透過軸の方向を図
3に示したように設定し、各選択期間TSを60μ秒と
し、図9(B)に示すように絶対値が同一の電圧を有す
る駆動パルスを2つのフレームで異なった極性とし、書
き込み電圧を0V〜10Vまで0.5V単位で上昇さ
せ、その後、低下させた場合の印加電圧と透過率の関係
を示す。このグラフから明らかなように、この液晶表示
素子及びこの駆動方法によれば、書き込み電圧を変化さ
せることにより、透過率が連続的に変化し、さらに、書
き込み電圧に応じて表示階調がほぼ一義的に定まり、階
調表示が可能になる。
二重螺旋構造が消失した状態で基板11と12の間に配
置したが、この発明の実施の形態では、例えば、セルギ
ャップをSmCA*相の螺旋ピッチよりも大きくするこ
とにより、図11に示すように、図4に示す二重螺旋構
造を保持した状態でAFLC21を基板11と12との
間に配置されている。
加すると、第1と第2の配向状態の液晶分子の一方の液
晶分子は、液晶分子はコーンに沿って移動する。この移
動量(移動角)を図7に示すz−y平面に投射した値が
チルトの変化分となる。この場合も、チルトの量は印加
電圧とその極性に応じて変化する。このため、画素電極
と対向電極間に印加する電圧を制御することにより、A
FLC21のダイレクタを第1と第2の配向方向の21
Aと21Bの間で変化させ、任意の中間調を表示するこ
とができる。
種々の変形が可能である。例えば、液晶表示素子の駆動
方法、駆動波形等は任意に変更可能である。また、偏向
板23と24の透過軸23Aと24Aを平行としてもよ
い。さらに、偏光板23、24の光学軸は吸収軸でもよ
い。また、一方の偏光板の光学軸を第1又は第2の配向
方向に平行又は直角とし、他方の偏光板の光学軸を一方
の偏光板の光学軸に平行又は直交させてもよい。また、
本発明はTFTをアクティブ素子とする反強誘電性液晶
表示素子に限らず、MIMをアクティブ素子とする反強
誘電性液晶表示素子にも適用可能である。
素子は、印加電圧に応じた相転移前駆現象により液晶分
子のチルトが変化するスメクチックCA*相の反強誘電
性液晶を使用しているので、相転移前駆現象により、多
数の中間的な状態を生成することができる。従って、こ
の中間的な状態を用いて階調表示を行うことができる。
の構造を示す断面図である。
平面図である。
示す図である。
を説明するための図である。
するための図である。
分子のチルトとの関係を示す図であり、 (A)は、電圧を印加していない時の液晶分子の配向を
説明するための図であり、 (B)は、第1の極性の中間電圧を印加した時の液晶分
子の配向を説明するための図であり、 (C)は、第1の極性で十分大きい電圧を印加した時の
液晶分子の配向を説明するための図であり、 (D)は、第2の極性の中間電圧を印加した時の液晶分
子の配向を説明するための図であり、 (E)は、第2の極性で十分大きい電圧を印加した時の
液晶分子の配向を説明するための図である。
ある。
素子に低周波の三角波電圧を印加した時の、印加電圧−
透過率特性を示すグラフである。
方法を説明するためのタイミングチャートであり、
(A)はゲート信号、(B)はデータ信号、(C)は各
画素に保持される電圧を示すタイミングチャートであ
る。
の形態の液晶表示素子を駆動した時の印加電圧−透過率
特性を示す図である。
態で、AFLC21を基板間に封止した状態を示す図で
ある。
角波電圧を印加した時の、印加電圧−透過率特性を示す
グラフである。
板)、13・・・画素電極、14・・・アクティブ素子(TF
T)、15・・・ゲートライン(走査ライン)、16・・・デ
ータライン(階調信号ライン)、17・・・対向電極、1
8・・・配向膜、19・・・配向膜、20・・・シール材、21・
・・反強誘電性液晶(AFLC)、22・・・ギャップ材、
23・・・偏光板(下偏光板)、24・・・偏光板(上偏光
板)、31・・・行ドライバ(行駆動回路)、32・・・列ド
ライバ(列駆動回路)
Claims (5)
- 【請求項1】対向する一対の基板の一方に画素電極を、
他方の基板に前記画素電極に対向する対向電極をそれぞ
れ形成し、前記一対の基板間に、スメクチックCA*相
を持ち、複数のスメクチック層の液晶分子がコーンを描
いて配列すると共に二重螺旋構造を形成し、印加電圧に
応じて、相転移前駆現象により液晶分子が前記コーンに
沿って移動することにより、ダイレクタが連続的に変化
する反強誘電性液晶を封入し、階調表示を可能としたこ
とを特徴とする反強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項2】画素電極と画素電極に接続されたアクティ
ブ素子がマトリックス状に複数配列された一方の基板
と、 前記画素電極に対向する対向電極が形成された他方の基
板と、 前記基板間に封入され、スメクチックCA * 相を持ち、
液晶分子の配列方向が互いに異なる第1と第2の強誘電
相と、前記スメクチックCA * 相の複数のスメクチック
層の液晶分子がコーンを描いて配列すると共に前記液晶
分子が二重螺旋構造を形成し、印加電圧に応じて、相転
移前駆現象により液晶分子が前記コーンに沿って移動す
ることによりダイレクタが連続的に変化する反強誘電性
液晶と、 を備えたことを特徴とする反強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項3】一方の基板と、 前記一方の基板に対向して配置された他方の基板と、 前記一方の基板の間に封止され、スメクチックCA * 相
を持ち、液晶分子の配列状態が互いに異なる第1と第2
の強誘電相と、前記スメクチックCA * 相の複数のスメ
クチック層の液晶分子がコーンを描いて配列すると共
に、前記液晶分子が二重螺旋構造を形成し、印加電圧に
応じて、相転移前駆現象により液晶分子が前記コーンに
沿って動くことによりダイレクタが連続的に変化する反
強誘電性液晶と、 前記液晶に電圧を印加して、この印加電圧を変えること
により、相転移前駆現象により液晶分子を前記コーンに
沿って動かしてダイレクタを変化させて、任意の方向に
設定する制御手段と、 を備えたことを特徴とする反強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項4】前記反強誘電性液晶の液晶分子は、印加電
圧に応じて、前記コーンを実質的に180゜より小さい
角度動いて、印加電圧に応じてチルトすることを特徴と
する請求項1乃至3のいずれかに記載の反強誘電性液晶
表示素子 - 【請求項5】前記反強誘電性液晶表示素子は、さらに、
スメクチックCA * 相の層法線方向に実質的に平行又は
直交する方向に光学軸が配置された第1の偏光板と、 前記液晶を介して前記第1偏光板に対向し、前記第1の
偏光板の光学軸に平行又は直交するように光学軸が設定
された第2の偏光板を備える、 ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載
の反強誘電性液晶表示素子。
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