JP3254248B2 - パターニング装置 - Google Patents

パターニング装置

Info

Publication number
JP3254248B2
JP3254248B2 JP21173392A JP21173392A JP3254248B2 JP 3254248 B2 JP3254248 B2 JP 3254248B2 JP 21173392 A JP21173392 A JP 21173392A JP 21173392 A JP21173392 A JP 21173392A JP 3254248 B2 JP3254248 B2 JP 3254248B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
circuit board
light source
printed circuit
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP21173392A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05206006A (ja
Inventor
イー．ネルソン ウイリアム
Original Assignee
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド filed Critical テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Publication of JPH05206006A publication Critical patent/JPH05206006A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3254248B2 publication Critical patent/JP3254248B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【関連出願】本ケースは米国特許第４５３，０２２号か
ら米国特許第７３０，５１１号へとつながった”結像対
象物をパターニングするための方法と装置（Ｍｅｔｈｏ
ｄａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｐａｔｔｅｒ
ｎｉｎｇ ａｎ Ｉｍａｇｉｎｇ Ｍｅｍｂｅｒ）”に
関連している。
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は一般的には集積回路やプ
リント回路基板を作製するための技術に関するものであ
り、更に詳細には空間的光変調器を用いてプリント回路
基板や結像対象物（ｉｍａｇｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）を
パターニングするための方法と装置に関するものであ
る。
【０００３】
【従来の技術】プリント回路基板（ＰＣＢ）を製造する
ための１つの標準的なプロセスにおいては、膜あるいは
その他の基板上へ望みのＰＣＢパターンの１対１の像を
露光するコンピュータ化されたシステムによって、マス
タレチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）が生成される。それに続
いて、フォトレジストを塗布された金属化ＰＣＢ基板の
密着印刷を行うためのマスクが生成される。レジストを
現像し金属をエッチして、マスタレチクルの最初の相互
接続パターンが現れる。この回路基板は完成したＰＣＢ
の異なるレベルを構成するその他の回路基板と一緒に積
層化される。次に完成したＰＣＢが試験される。プロセ
スの欠陥に対立する設計の欠陥が見つかった場合には、
プロセス全体をやり直さなければならない。
【０００４】マスタレチクルの生成は高価につく。マス
タレチクルが完成した後に、それはワーキングフィルム
（ｗｏｒｋｉｎｇ ｆｉｌｍ）に転写されなければなら
ない。これも高くつく。多くの欠陥があれば、時間の問
題もあるが、非常に高いものになる。マスタレチクルを
繰り返し製造することやワーキングフィルムを定期的に
交換することを含まない、ＰＣＢ製造方法が必要とされ
ている。
【０００５】
【発明の概要】ここに開示された本発明は、従来のパタ
ーニングの方法および装置に付随する工程を本質的に減
らすかまたはなくした、結像対象物のパターニング方法
および装置を含んでいる。本発明は、高価なレチクルセ
ットの時間の掛かる生成を行うことなく、結像対象物を
パターニングすることを許容する。
【０００６】本発明の１つの実施例はプリント回路基盤
（ＰＣＢ）製造プロセスに見いだされよう。システムの
規模や要求される処理速度に依存して、線状のまたは面
状のアレイ装置が用いられる。この実施例では、装置に
対して直列的に導入されるライン状のデータが、面状の
アレイを通して一時に１ラインずつ並列的に移動させら
れる。この時、結像対象物上で露光されるべきエリアと
の同期が保たれる。この結果、フォトリソグラフィプロ
セスの露光時間は線状のアレイを使用した場合に比べて
大幅に削減され、ＰＣＢ生成に関するプロセス速度も同
様に改善される。
【０００７】結像されるべきパターンは空間的光変調器
へ送られ、その変調器はそのパターンをレジストを塗布
されたＰＣＢ上へ直接的に結像し、レチクルおよびワー
キングフィルムを不要とする。
【０００８】本発明および本発明の更に別の特長のより
完全な理解のために、以下に図面を参照した詳細な説明
を行う。
【０００９】
【実施例】図１にはＰＣＢワーキングフィルムを作製す
るための従来技術のシステムが示されている。最初のパ
ターンを再生するために必要なデータを生成するための
ワークステーション上で行われた配置決めはこのシステ
ムには示されておらず、またレチクルを生成する工程も
示されていない。
【００１０】レチクル２０は、ワークステーションで生
成された像の１対１の露光によって作製される。レチク
ルは次に、レンズ１６によってレチクル上に焦点を結ぶ
光源１２の下へ送られる。レチクル２０上のパターンは
次にジアゾ反応を経て１片のワーキングフィルム２２へ
転写される。フィルムはレジストを塗布された銅被履の
無地のＰＣＢ上への露光に用いられる。回路基板上のパ
ターンが現像され、回路基板がエッチされる。
【００１１】いくつかの異なるレベルの回路を含むよく
知られた層状の回路基板を作製するためには、上述のプ
ロセスはレベル毎に行われる。回路基板がすべてうまく
完成した後に、それらは一緒に積層されて、１枚の回路
基板となる。その後、回路基板は試験され、回路基板上
に適正な回路が含まれていることを確認する。
【００１２】もし、回路基板中に変更して製造し直すべ
き問題点があれば、プロセス全体をやり直されなければ
ならない。明らかに、これは高価な、時間の掛かるプロ
セスである。
【００１３】本発明の１つの実施例が図２に示されてい
る。配置データがコンピュータ４０へ入力される。一例
として紫外線を放射する光源２４は光線２６を放射し、
それはレンズ２８で集められて空間的光変調器３２へ向
けられ、一般的に結像レンズ４４の開口部で焦点を結ぶ
ようにされる。空間的光変調器は画素要素を選択的に番
地指定することによって、照射ビーム３０の個々の部分
を経路４２に沿ってレンズ４４の方向へ反射させる。こ
の実施例の空間的光変調器は、一例として変形可能鏡装
置（ｄｅｆｏｒｍａｂｌｅ ｍｉｒｒｏｒ ｄｅｖｉｃ
ｅ）のような個々に制御できる要素を含んでいる。ある
いは、その他の周波数の光を用いる実施例では液晶を使
用してもよい。
【００１４】光を反射させるアレイの個々の要素を選択
することは、配置データを使用してコンピュータ４０に
よって実行される。コンピュータは、レジストを塗布さ
れた回路基板であるか、あるいはレチクル基板である対
象物４６上に望みの回路の像をアレイによって形成させ
る。前者の場合には、この工程は上で述べたのと同じ工
程を実行することになるが、マスタレチクルやワーキン
グフィルムは不要となる。望みの配置に関するコンピュ
ータデータのファイルが望みの像の情報源として、マス
タレチクルに基本的に置き代わる。後者の場合には、所
有する機器がレチクルの使用を必要とする製造業者に対
して、同様にレチクル基板のパターニングを可能にす
る。
【００１５】対象物４６は、矢印５０によって示された
ｘ方向へ移動でき、またそれとは独立に矢印５２によっ
て示されたｙ方向へ移動できる可動ステージ４８または
移動プラットフォームの上に搭載されている。このこと
は、対象物が、対象物を正しく結像するアレイの下へ送
られ、位置決めされることを許容する。対象物は、レー
ザ走査において典型的なリニアな走査方式と違って、モ
ザイク状に像を与えられる。対象物はコンピュータで制
御されたｘ−ｙステージによって、ステップ送りを繰り
返されて、一時にモザイクの１つのブロックが空間的光
変調器からの光によって露光される。
【００１６】回路基板は次に上述と同じプロセスを施さ
れる。完成した回路基板に問題が見つかった時には、配
置を再設計して、新しいマスタレチクルと新しいワーキ
ングフィルムを製造することよりも、むしろ必要とされ
ることは設計ファイルの修正とＰＣＢの再作製である。
新しい回路基板は修正された配置データから、空間的光
変調器を制御することに使用されることによって、直接
作られる。
【００１７】空間的光変調器は数多くの型のもののうち
から選ぶことができる。本発明のこの実施例では、変形
可能鏡装置（ＤＭＤ）が使用された。１つの鏡要素の側
面が図３に示されている。ＤＭＤは典型的にはシリコン
中へ線状のあるいは面状のアレイとして一体化して製造
されるが、１つの要素だけをここには示した。基板５４
は金属で覆われ、パターニングされて、図示されていな
いが番地電極を形成される。次に電極層上にスペーサ層
５６が被覆される。次に薄い反射金属の層がスペーサの
上に取り付けられ、それに続いて、同じか同様の金属の
厚い層６０が取り付けられる。鏡要素６４を定義するた
めに、厚い層６０がパターニングされ、エッチされて、
空隙６６中と蝶番（ｈｉｎｇｅ）６８の上の部分を除く
すべての領域に厚い金属が残される。スペーサ層５６の
アンダーカットを許容するために、厚い層中に孔６２が
残される。この結果の構造は、蝶番６８部の上の空中に
支えられた鏡要素６４を含む。基板５４上の鏡の蝶番の
中心線のいずれかの側の電極が番地指定された時には、
トルクがその鏡を蝶番の回りに回転させて、鏡上への光
を異なる光路へ向かわせるようにする。この構造は双安
定捻り梁（ｂｉｓｔａｂｌｅ ｔｏｒｓｉｏｎ ｂｅａ
ｍ）として知られている。ＤＭＤのその他の構造を用い
ることも可能である。それらには、線状のまたは面状の
アレイ、異なる寸法および幾何学的形状の画素が含まれ
る。プロセスあるいは単にステップ・アンド・リピート
パターンをスピードアップするために、組み合わせＤＭ
Ｄも同様に使用できる。
【００１８】図４はＤＭＤ装置の面状のアレイを示す。
基板５４は鏡要素、あるいはセルの数多くの繰り返しを
示している。結像対象物上へ投影されるべき望みのパタ
ーンと一致するようにデータをロードする方法は数多く
ある。それらの１つが図５に矢印７０と７２とで示され
ている。
【００１９】概念的に矢印７０で示されたように、デー
タはセルの行へ直列的にロードされる。鏡６４ａを含む
セルのラインは、対象物４６の出発点である像データの
ライン７６に対応している。データがアレイ中をセル６
４ｂの行へ向かって矢印７２の方向へ並列的に下ってゆ
くと、データラインと同期して対象物も移動してゆく。
データライン７６は場所７８であったところの方向へ対
象物と一緒に移動する。同様に、データが６４ｃの鏡の
行へ移動すると、回路基板はデータラインを場所８０で
あったところへ設定するように移動する。情報の与えら
れたラインは、回路基板上の同じエリアを面状アレイが
含むラインと同じ回数だけ露光する。この方法によっ
て、チップ表面上の古いデータの流れは回路基板の一定
の場所で反射される。この結果、フォトリソグラフィプ
ロセスの露光時間が大幅に改善され、プロセス速度も同
様に改善される。
【００２０】空間的光変調器アレイで利用できるライン
数は、ＰＣＢまたはレチクル基板上のフォトレジスト層
を完全に露光するのに必要な繰り返し露光回数を越え得
る。従って、空間的光変調器アレイ上で特定のデータラ
インの並列的な流れを終了させて、ＰＣＢまたはレチク
ル上へ入射する合計の光エネルギーレベルを減らすよう
な選択が可能である。実際に使用される合計の露光回数
を制御することによって、本露光プロセスは、プロセス
装置やフォトレジストの化学的変数に適応できるものと
することができる。
【００２１】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）感光材料を塗布したプリント回路基板をパターニ
ングするためのシステムであって： ａ．光源、 ｂ．前記光源からの光エネルギーを予め定められたパタ
ーン状に反射させるための空間的光変調器、 ｃ．前記予め定められたパターンに対応する光線がそれ
を通過するように設置された結像レンズ、 ｄ．前記プリント回路基板をモザイクパターン状に結像
レンズを通過して繰り返し搬送し、前記予め定められた
光パターンが前記感光材料を露光するように作動する可
動表面、 を含むシステム。
【００２２】（２）第１項記載のシステムであって、前
記光源が紫外線源であるシステム。
【００２３】（３）第１項記載のシステムであって、前
記空間的光変調器が変形可能鏡装置を含んでいるシステ
ム。
【００２４】（４）第１項記載のシステムであって、前
記可動表面が移動ステージを含んでいるシステム。
【００２５】（５）プリント回路基板を製造するため
の、レチクル基板をパターニングするためのシステムで
あって： ａ．光源、 ｂ．前記光源からの光エネルギーを予め定められたパタ
ーン状に反射させるための空間的光変調器、 ｃ．前記予め定められたパターンに対応する光線がそれ
を通過するように設置された結像レンズ、 ｄ．前記プリント回路基板をモザイクパターン状に結像
レンズを通過して繰り返し搬送し、前記予め定められた
光パターンが前記感光材料を露光するように作動する可
動表面、 を含むシステム。
【００２６】（６）第５項記載のシステムであって、前
記光源が紫外線源であるシステム。
【００２７】（７）第５項記載のシステムであって、前
記空間的光変調器が変形可能鏡装置を含んでいるシステ
ム。
【００２８】（８）第５項記載のシステムであって、前
記可動表面が移動ステージを含んでいるシステム。
【００２９】（９）感光材料を塗布したプリント回路基
板をパターニングするための方法であって： ａ．光源から光を生成すること、 ｂ．前記光源からの光エネルギーを予め定められたパタ
ーン状に変調すること、 ｃ．前記予め定められたパターンをレンズを通して結像
すること、 ｄ．前記プリント回路基板をモザイクパターン状に結像
レンズを通過して繰り返し搬送することであって、それ
によって前記予め定められた光パターンが前記感光材料
を露光することを許容すること、 を含む方法。
【００３０】（１０）第９項記載の方法であって前記生
成された光が紫外線である方法。
【００３１】（１１）第９項記載の方法であって、前記
変調工程が空間的光変調器を使用することを含んでいる
方法。
【００３２】（１２）第９項記載の方法であって、前記
搬送工程が前記回路基板を搭載した板を動かすことを含
んでいる方法。
【００３３】（１３）プリント回路基板を製造するため
にレチクル基板をパターニングするための方法であっ
て： ａ．光源から光を生成すること、 ｂ．前記光源から光エネルギーを予め定められたパター
ン状に変調すること、 ｃ．前記予め定められたパターンをレンズを通して結像
すること、 ｄ．前記プリント回路基板をモザイクパターン状に結像
レンズを通過して繰り返し搬送することであって、前記
予め定められた光パターンが前記感光材料を露光するこ
とを許容すること、 を含む方法。
【００３４】（１４）第１３項記載の方法であって前記
生成された光が紫外線である方法。
【００３５】（１５）第１３項記載の方法であって、前
記変調工程が空間的光変調器を使用することを含んでい
る方法。
【００３６】（１６）第１３項記載の方法であって、前
記搬送工程が前記回路基板を搭載した板を動かすことを
含んでいる方法。
【００３７】（１７）データ処理のめたの方法であっ
て： ａ．空間的光変調器アレイ中へデータラインをロードし
て、前記アレイを再結像すること、 ｂ．前記データラインを並列的に前記アレイ中へ送出す
ること、 ｃ．前記再結像された空間的光変調器アレイを通過して
結像対象物を移動させ、それによって前記空間的光変調
器アレイから反射された光パターンが前記結像対象物上
へ入射するようにすること、 ｄ．前記データラインの送出を前記結像対象物の移動に
同期させて、前記データラインを前記結像対象物の固定
されたエリアへ延長された時間の間反射させること、 を含む方法。
【００３８】（１８）第１７項記載の方法であって、前
記ロード工程が直列的に行われる方法。
【００３９】（１９）第１７項記載の方法であって、前
記移動工程が前記結像対象物を前記空間的光変調器アレ
イの下で移動させることを含んでいる方法。
【００４０】（２０）第１７項記載の方法であって、前
記空間的光変調器アレイが変形可能鏡装置の面状のアレ
イを含んでいる方法。
【００４１】（２１）第１７項記載の方法であって、Ｐ
ＣＢプロセス変数に対応して補償できるように合計の露
光プロセスしきい値を調節するために、与えられたデー
タラインを並列的に前記空間的光変調器アレイを通って
同期通過させることを、利用できる合計のライン数の回
数から減らすことができるようになった方法。
【００４２】結像対象物４６をパターニングするための
装置が与えられている。本装置は光線２６を放射する光
源２４を含んでいる。光線２６は集光レンズ２８を通っ
て光線３０に集光される。この光線は次に、空間的光変
調器３２に当たり、空間的光変調器３２は光４２を反射
させるようにコンピュータ４０によって制御されてい
る。光は結像レンズ４４を通過して拡大されて結像対象
物４６へ入射する。結像対象物４６はこのように、コン
ピュータ４０によって変調器３２を変化させることによ
ってパターンが与えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＰＣＢをパターニングするための従来のシステ
ムの外観図。
【図２】本発明に従って、ＰＣＢをパターニングするた
めの装置の外観図。
【図３】変形可能鏡装置の従来技術の断面図。
【図４】変形可能鏡装置アレイの平面図。
【図５】データと回路基板との互いの動きを示す図。
【符号の説明】
１２ 光源 １６ レンズ ２０ レチクル ２２ ワーキングフィルム ２４ 光源 ２６ 光線 ２８ レンズ ３０ 光線 ３２ 空間的光変調器 ４２ 光路 ４４ レンズ ４６ 結像対象物 ４８ 移動ステージ ５０，５２ 矢印 ５４ 基板 ５６ スペーサ層 ６０ 金属 ６２ 孔 ６４ 鏡要素 ６６ 空隙 ６８ 蝶番 ７０，７２ 矢印 ７６，７８，８０ データライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 - 7/24

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 感光材料を塗布したプリント回路基板を
    パターニングするためのシステムであって、 ａ．光源、 ｂ．前記光源からの入射光エネルギーを投影軸に沿って
    予め定められたパターン状に反射する、選択的に偏向可
    能なマイクロミラーのアレイからなる空間的光変調器、 ｃ．前記選択的に反射された光が通過し、前記プリント
    回路基板に像を作るように前記投影軸上に設置された結
    像レンズ、 ｄ．前記プリント回路基板を前記結像レンズに対して繰
    り返しステップ移動し、一連の露光を行うことができる
    可動表面を有することを特徴とする前記システム。
  2. 【請求項２】 感光材料を塗布したプリント回路基板を
    パターニングするための方法であって、 ａ．光源から光を生成すること、 ｂ．捻れ蝶番マイクロミラー装置を使用し前記光を選択
    的に反射することにより、前記光源からの光エネルギー
    を変調すること、 ｃ．レンズを使用して前記選択的に反射された光を結像
    すること、 ｄ．前記プリント回路基板を、結像する前記レンズに対
    して繰り返し移動し、前記感光材料に多数の露光像を作
    り出すことを含むことを特徴とする前記方法。
JP21173392A 1991-08-08 1992-08-07 パターニング装置 Expired - Fee Related JP3254248B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74213391A 1991-08-08 1991-08-08
US742133 1991-08-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05206006A JPH05206006A (ja) 1993-08-13
JP3254248B2 true JP3254248B2 (ja) 2002-02-04

Family

ID=24983622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21173392A Expired - Fee Related JP3254248B2 (ja) 1991-08-08 1992-08-07 パターニング装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US5330878A (ja)
EP (1) EP0528285B1 (ja)
JP (1) JP3254248B2 (ja)
CA (1) CA2075026A1 (ja)
DE (1) DE69220629T2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859223B2 (en) 2002-05-30 2005-02-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and pattern writing method
US6903798B2 (en) 2002-05-16 2005-06-07 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and pattern writing method
US7190435B2 (en) 2003-04-10 2007-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and pattern writing method
US7268856B2 (en) 2005-05-31 2007-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and block number determining method
DE102008050547A1 (de) 2007-10-26 2009-04-30 Adtec Engineering Co., Ltd. Direktbildbelichtungsvorrichtung

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2892765B2 (ja) * 1990-04-27 1999-05-17 株式会社日立製作所 パターン構造を有する素子の製造方法
CA2075026A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 William E. Nelson Method and apparatus for patterning an imaging member
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
US5684566A (en) * 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
US5841579A (en) 1995-06-07 1998-11-24 Silicon Light Machines Flat diffraction grating light valve
JPH09114397A (ja) * 1995-10-19 1997-05-02 Mitsubishi Electric Corp ディスプレイデバイスおよびディスプレイ装置
US5834160A (en) * 1996-01-16 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for forming fine patterns on printed circuit board
EP0914626A4 (en) * 1996-07-25 2002-02-20 Anvik Corp MASKLESS AND DISCONTINUOUS LITHOGRAPHIC SYSTEM INCLUDING A LIGHT SPACE MODULATOR
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
US6088102A (en) 1997-10-31 2000-07-11 Silicon Light Machines Display apparatus including grating light-valve array and interferometric optical system
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
ATE256303T1 (de) * 1998-04-29 2003-12-15 Cst Gmbh Verfahren zur herstellung von siebdruckformen sowie eine belichtungsvorrichtung hierfür
US6271808B1 (en) 1998-06-05 2001-08-07 Silicon Light Machines Stereo head mounted display using a single display device
US6101036A (en) 1998-06-23 2000-08-08 Silicon Light Machines Embossed diffraction grating alone and in combination with changeable image display
US6130770A (en) 1998-06-23 2000-10-10 Silicon Light Machines Electron gun activated grating light valve
US6215579B1 (en) 1998-06-24 2001-04-10 Silicon Light Machines Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
DE19944760A1 (de) * 1999-09-17 2001-03-22 Basys Print Gmbh Systeme Fuer Vorrichtung und Verfahren zur Kompensation von Inhomogenitäten bei Abbildungssystemen
AU779858B2 (en) * 1999-09-17 2005-02-17 Bioarray Solutions Ltd System and method for programmable illumination pattern generation
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
TW508653B (en) 2000-03-24 2002-11-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method
FI109054B (fi) * 2000-06-21 2002-05-15 Rauno Salmi Menetelmä yksilöivän merkinnän tekemiseksi piirilevyyn
DE10031162A1 (de) * 2000-06-27 2002-01-10 Heidelberger Druckmasch Ag System zur Belichtung einer Druckform
JP2002072491A (ja) * 2000-09-01 2002-03-12 Airex Inc プリント基板製造装置
DE10046518A1 (de) * 2000-09-15 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Verbesserung der Bildqualität und zur Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit bei Belichtung lichtempfindlicher Schichten
US6624880B2 (en) 2001-01-18 2003-09-23 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for microlithography
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6753947B2 (en) * 2001-05-10 2004-06-22 Ultratech Stepper, Inc. Lithography system and method for device manufacture
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US7095484B1 (en) * 2001-06-27 2006-08-22 University Of South Florida Method and apparatus for maskless photolithography
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6785001B2 (en) * 2001-08-21 2004-08-31 Silicon Light Machines, Inc. Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal
JP4068838B2 (ja) * 2001-12-07 2008-03-26 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6665048B2 (en) 2002-01-22 2003-12-16 Creo Inc. Method for imaging a continuously moving object
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US7057795B2 (en) * 2002-08-20 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation Micro-structures with individually addressable ribbon pairs
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
EP1947513B1 (en) 2002-08-24 2016-03-16 Chime Ball Technology Co., Ltd. Continuous direct-write optical lithography
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
WO2005081034A1 (ja) * 2004-02-25 2005-09-01 Nikon Corporation 二次元調光デバイス、露光装置、及び露光方法
JP2005311084A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法、パターン生成装置及びメンテナンス方法
JP4601482B2 (ja) * 2004-07-29 2010-12-22 新光電気工業株式会社 描画装置および描画方法
JP2006128194A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
DE102004059973A1 (de) * 2004-12-13 2006-06-22 Imi Intelligent Medical Implants Ag Vorrichtung zur Steuerung der elektrischen Ladung an Stimulationselektroden
JP2008535007A (ja) * 2005-04-02 2008-08-28 パンチ グラフィックス プレプレス ジャーマニー ゲーエムベーハー 印刷版の露光装置
EP1877869A2 (en) 2005-05-02 2008-01-16 Radove GmbH Lithographic method for maskless pattern transfer onto a photosensitive substrate
NL2007577A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization of source, mask and projection optics.
JP6106970B2 (ja) * 2012-07-02 2017-04-05 株式会社ニコン 空間光変調器および露光装置
US10532556B2 (en) 2013-12-16 2020-01-14 General Electric Company Control of solidification in laser powder bed fusion additive manufacturing using a diode laser fiber array
US10328685B2 (en) 2013-12-16 2019-06-25 General Electric Company Diode laser fiber array for powder bed fabrication or repair
RU2606607C2 (ru) * 2015-05-27 2017-01-10 3М Инновейтив Пропертиз Компани Полирующие композиции, устойчивые к воздействию отрицательных температур

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2441472A1 (de) * 1974-08-29 1976-03-11 Siemens Ag Anordnung zum lichtoptischen rechnergesteuerten zeichnen von masken fuer halbleiter-bauelemente
US4436806A (en) * 1981-01-16 1984-03-13 W. R. Grace & Co. Method and apparatus for making printed circuit boards
ZA8244B (en) * 1981-01-16 1982-11-24 Grace W R & Co Method and apparatus for making printed circuit boards
US4638309A (en) * 1983-09-08 1987-01-20 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator drive system
DE3583754D1 (de) * 1984-03-16 1991-09-19 Sharp Kk Verfahren zur herstellung eines optischen speicherelements.
US4577932A (en) * 1984-05-08 1986-03-25 Creo Electronics Corporation Multi-spot modulator using a laser diode
US5151718A (en) * 1990-12-31 1992-09-29 Texas Instruments Incorporated System and method for solid state illumination for dmd devices
CA2075026A1 (en) * 1991-08-08 1993-02-09 William E. Nelson Method and apparatus for patterning an imaging member
US5530878A (en) * 1994-11-17 1996-06-25 Sun Microsystems, Inc. Simplified power system with a single power converter providing low power consumption and a soft on/off feature

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6903798B2 (en) 2002-05-16 2005-06-07 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and pattern writing method
US6859223B2 (en) 2002-05-30 2005-02-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and pattern writing method
US7190435B2 (en) 2003-04-10 2007-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and pattern writing method
US7268856B2 (en) 2005-05-31 2007-09-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Pattern writing apparatus and block number determining method
DE102008050547A1 (de) 2007-10-26 2009-04-30 Adtec Engineering Co., Ltd. Direktbildbelichtungsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05206006A (ja) 1993-08-13
EP0528285A1 (en) 1993-02-24
US5482818A (en) 1996-01-09
DE69220629D1 (de) 1997-08-07
CA2075026A1 (en) 1993-02-09
US5672464A (en) 1997-09-30
DE69220629T2 (de) 1997-12-18
EP0528285B1 (en) 1997-07-02
US5330878A (en) 1994-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3254248B2 (ja) パターニング装置
US6509955B2 (en) Lens system for maskless photolithography
US6544698B1 (en) Maskless 2-D and 3-D pattern generation photolithography
US7271877B2 (en) Method and apparatus for maskless photolithography
US6238852B1 (en) Maskless lithography system and method with doubled throughput
US5691541A (en) Maskless, reticle-free, lithography
JPH10112579A (ja) レジスト露光方法及びその露光装置
JP2002520840A (ja) マスクレスフォトリソグラフィシステム
KR20030096011A (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
CN101111850A (zh) 用于基于全局优化的无掩模光刻光栅化技术的方法和系统
WO2001090814A2 (en) Maskless exposure system
JP4496711B2 (ja) 露光装置及び露光方法
US7242458B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates
US7397537B2 (en) Exposure apparatus and exposure method
US7050156B2 (en) Method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system
JP2014056167A (ja) パターニング装置、パターニング方法及び表示用パネル基板の製造方法
CN110597019B (zh) 一种直写式光刻机曝光方法
JP4700664B2 (ja) アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法
WO2004001508A2 (en) Method and apparatus for maskless photolithography
US7405807B2 (en) Method of forming optical images, apparatus for carrying out said method and process for manufacturing a device using said method
US20070019070A1 (en) Method of forming optical images, an array of converging elements and an array of light valves for use in this method, apparatus for carrying out this method and a process for manufacturing a device using this method
US11815818B2 (en) Method to achieve non-crystalline evenly distributed shot pattern for digital lithography
JP2002072491A (ja) プリント基板製造装置
KR20230117439A (ko) 로컬 셀 교체를 위한 디지털 리소그래피에서의 적응적교체 맵들의 사용
JPH1032159A (ja) 露光装置、反射マスク、およびデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees