JP3240376B2 - Icの高密度実装方法 - Google Patents

Icの高密度実装方法

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幹夫 氏家
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板にフラッ
トパッケージICを表面実装する際、特に限られたスペ
ースに数多くのICを実装するためのICの高密度実装
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近のエレクトロニクス技術の進展には
目ざましいものがあり、特にコンピュータと通信技術を
統合した電子機器は、高機能化,高密度化,軽量化およ
び低コスト化といった、いわゆる軽薄短小化がおこなわ
れている。この軽薄短小化の実現には、LSIからVL
SIへ、VLSIからULSIへと、IC半導体のチッ
プ化工技術の進歩は勿論のこと、多ピンを持つフラット
パッケージICをプリント配線板に実装する表面実装技
術の進歩もあげられる。
【0003】従来、軽薄短小化の一手法として、前述し
たようにLSI化があるか、これは複数のDigita
l回路を1チップのLSIに縮小し、高密度化を図る方
法である。しかし、マイクロコンピューターを用いたマ
イクロプロセッサーシステムでは、ソフトウェアプログ
ラムを記憶する記憶ICや、ソフトウェアプログラムに
よるソフト処理で常に情報データが変化する、つまり読
み出し書き込み可能なデータを記憶する記憶ICは、高
密度化の対象外であった。中には図5に示すように、Z
IP形の記憶ICを使って、物理的な実装スペースの密
度を高めることも行なわてているが、効果は記憶容量に
もよるがあまり期待できない。したがって記憶IC,フ
ラットICやLSIの実装方法は、限られたプリント配
線板上に物理的に並べられる(表面実装)だけとなって
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のICの
実装方法では、記憶IC,LSIやフラットICの数量
によって、プリント配線板の外形寸法が決められる。こ
れらのICをプリント配線板の片面だけに実装する場合
は、ICの数量に比例して外形寸法が大きくなる欠点が
ある。一方、プリント配線板の両面にそれぞれのICを
分散して実装する両面実装方法もあるが、表面実装設備
が高価になり、作業手順が増加するという欠点がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のICの高密度実
装方法は、DIP形記憶ICと、プリント配線板と、前
記DIP形記憶ICを前記プリント配線板に実装する際
に前記DIP形記憶ICを脱着ならしめるICソケット
と、このICソケットの内側空間に実装可能な形状のS
OP形記憶ICと、これらを前記プリント配線板の同一
なスペースに物理的に重畳させて実装する実装手段と
前記SOP形記憶ICのピンはプリント配線板上で機能
名ごとに接続せれる実装手段とを有することを特徴とす
る。
【0006】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0007】図1は本発明の第1の実施例を示し、
(a)は平面図、(b)は正面図、(c)は側面図であ
り、図2(a),(b),(c)はそれぞれ本発明の第
2,第3,第4の実施例の側面図である。また図3
(a),(b),(c)は本発明に用いるDIP形記憶
ICの一例を示す平面図,正面図,側面図であり、図4
(a),(b),(c)は第1の実施例に用いるSOP
形記憶ICの一例を示す平面図,正面図,側面図であ
る。
【0008】第1の実施例はDIP形記憶IC1と、I
Cソケット2と、SOP形記憶IC3と、プリント配線
板4とから構成される。DIP形記憶IC1はROM
で、ICソケット2はDIP形記憶IC1をプリント配
線板4上に実装する際に脱着ならしめる機能を持ってお
り、且つソケット端子のない中央部が中空状になってい
る。SOP形記憶IC3はSRAMでフラットパッケー
ジタイプのものであって、ICソケット2の中空部に物
理的に挿入実装できる大きさ・形状のものとする。一例
として図3及び図4に同じピン数(28ピン)のDIP
形記憶ICとSOP形記憶ICの形状を示すように、S
OP形記憶ICはDIP形記憶ICの下部のピン間に物
理的に挿入できる形状となっている。これらは図1
(c)に示すように、プリント配線板4上の同一実装ス
ペースを共有する、いわゆる重畳実装が可能となってい
る。
【0009】次に実装手順について説明する。プリント
配線板4に各種ICを実装する際、ICの外形寸法や形
状によって、実装手順が異なるのが一般的である。QF
P形のLSIやSOP形のフラットパッケージタイプの
ICは、DIP形ICを実装する前にリフローソルダリ
ング方式(ハンダ鏝による手付けのハンダ付けのように
ハンダの供給と接続を同時に行なう方法ではなく、あら
かじめハンダ付けの必要な箇所にハンダを供給してお
き、その後でリフロー炉等でハンダを再溶融させて接続
する方法)によるハンダ付けを行なう。その後、DIP
形IC,ICソケット等を実装して、ハンダ槽に流すこ
とによってハンダ付けを行なう。
【0010】次に、プリント配線板4上の回路パターン
(電気回路)について説明する。一般的にDIP形記憶
ICとSOP形記憶ICは、記憶容量が同一のものであ
れば、寸法は異なるがピンの配列及びピンの機能名は同
じである。したがって、DIP形記憶ICへの回路パタ
ーンとSOP形記憶ICへの回路パターンは物理的に近
接しており、最短距離で接続することが可能である。
【0011】以上のような第1の実施例と同様に本発明
は、第2ないし第4の実施例が実現できる。即ち、図1
(b)に示すICソケット2の高さ寸法Hが、SOP形
記憶IC3に代る他のICが実装できる寸法であり、且
つ両ICがほぼ同じピン数・ピン配列であれば、プリン
ト配線板4上の同一スペースにDIP形記憶IC1と他
のICを物理的に重畳させて実装することができる。
【0012】図2(a)に示す第2の実施例は、DIP
形記憶IC1と汎用のディジタルIC5を重畳実装した
ものであり、図2(c)に示す第3の実施例は、DIP
形記憶IC1と汎用のアナログIC6を重畳実装したも
のである。さらに、SOP形記憶ICに代り専用LSI
(カスタマイズドLSI)も実装できる。図2(c)に
示す第4の実施例は、DIP形記憶IC1と専用LSI
7とを重畳実装した例である。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、DIP形
記憶ICとSOP形記憶IC等を、ICソケットで分離
し、プリント配線板上の同一のスペースに2種類の記憶
ICを物理的に重畳実装することにより、高密度化が図
れるという効果がある。またリフローソルダリングによ
る実装技術の信頼性及びSOP形記憶ICの信頼性の向
上により、動作不良によるSOP形記憶ICの変換はほ
とんどなく、製品のコスト低下へ直接結びつくという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示し、(a)は平面
図、(b)は正面図、(c)は側面図である。
【図2】本発明の第2,第3,第4の実施例をそれぞれ
(a),(b),(c)に示す側面図である。
【図3】本発明に用いるDIP形記憶ICの一例を示
し、(a)は平面図、(b)は正面図、(c)は側面図
である。
【図4】本発明の第1の実施例に用いるSOP形記憶I
Cの一例を示し、(a)は平面図、(b)は正面図、
(c)は側面図である。
【図5】従来のZIP形記憶ICの一例を示し、(a)
は平面図、(b)は正面図、(c)は側面図である。
【符号の説明】
1 DIP形記憶IC 2 ICソケット 3 SOP形記憶IC 4 プリント配線板 5 ディジタルIC 6 アナログIC 7 専用LSI

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】DIP形記憶ICと、プリント配線板と、
    前記DIP形記憶ICを前記プリント配線板に実装する
    際に前記DIP形記憶ICを脱着ならしめるICソケッ
    トと、このICソケットの内側空間に実装可能な形状の
    SOP形記憶ICと、これらを前記プリント配線板の同
    一なスペースに物理的に重畳させて実装する実装手段
    、前記SOP形記憶ICのピンはプリント配線板上で
    機能名ごとに接続される実装手段とを有することを特徴
    とするICの高密度実装方法。
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