JP3238831B2 - 多層プリント回路基板の設計方法 - Google Patents
多層プリント回路基板の設計方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 82
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000011533 mixed conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
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Description
り付けかつこれらのICチップの間の信号分布のための
マルチチップモジュール(MCM)システムのための多
層プリント回路基板の設計方法に関する。さらに詳細に
は、本発明は信号平面で運ばれる信号の要求に基づいて
信号平面毎に異なった機械的及び電気的特性を有する区
分された複数の信号平面を備えた多層プリント回路基板
の設計方法に関する。
ント回路基板の使用により典型的に達成される。高性能
コンピュータのための最近のMCMシステムにおける多
数のチップの接続は、多層プリント回路基板を必要と
し、且つチップ高密度化、高周波信号、及び設計上の高
度の複雑さは、プリント回路基板の設計技術及び製造プ
ロセスに高度の要求を生じさせている。プリント回路基
板の望ましい可能性は、低い抵抗、一定の伝送線インピ
ーダンス、高い導体密度、導体間の低いクロストーク、
高い伝播速度、行路間の低い信号タイミングスキュー、
特性インピーダンスにおいてラインを終端させる能力、
工学上の変化の可能性等である。
技術的なトレードを要求する。複数の所望の特性を同時
に達成するのは難しい。低い抵抗と低いクロストークは
導体の高密度と両立できない。同様に、高密度と組み合
わせた高伝播速度のための望みは、プリント回路基板の
再設計なしに工学上の変化を実施する可能性を低下させ
る。
技術及び設計技術が存在する。クロストークやインピー
ダンスの制御のために多層プリント回路基板においては
ストリップライン及びマイクロストリップラインの技術
が、単独で、あるいは組み合わせて使用される。ベリー
ドマイクロストリップ技術やデュアルストリップライン
技術は多層プリント回路基板の基本的な設計の可能性を
さらに洗練するために当技術分野における改善の例であ
る。
の複雑な配置、及び最近の多層プリント回路基板に必要
となっている極端な高密度は、プリント回路のレイアウ
トの生成のためにCADシステムの使用を典型的に要求
している。グリッドデザイン及びグリッドレスデザイン
を利用したCADシステムが最近のシステムにおいて使
用されている。グリッドシステムは異なった導体幅を許
容しながら与えられたグリッド間隔で導体を配置するこ
とを要求する。グリッドレスシステムは同様に異なった
導体幅を許容しながら導体の固定の分離を典型的に利用
している。最近のCADシステムは与えられたプリント
回路基板について導体のピッチやインピーダンス等の等
しい気体的及び電気的特性を採用している。同期及び非
同期信号にかかわらず、データ信号や、クロック信号
や、制御信号等の全ての信号に許容するように、信号平
面において信号が運ばれるように設計は妥協してなされ
ている。従って、重要な信号の偽のトリガーを防止する
ためにクロストークを低減するために非同期信号やクロ
ック信号の要求に合わせるために、多くの信号に対して
過度の設計状態が存在する。
つの隣接する電源及びグランド平面の間に2つの信号層
を採用したものである。これらの信号層は典型的にXY
層として特定されるように垂直な関係で配置され、X層
の導体とY層の導体との間のオーバーラップの面積が小
さくなることによりXY層間のクロストークを小さくす
ることができる。従来技術において2つの隣接する電源
及びグランド平面の間に配置されるその他の層は、XY
層に対して±45度で追加される層(rs層として知ら
れる)である。この場合にもオーバーラップの面積が小
さくなるので、rsXY層間のクロストークが小さくな
る。
ではあるが、これらの層のオリエンテーションは最近の
設計のシナリオに十分なフレキシビリティを与えるもの
ではない。
多層プリント回路基板の設計技術によって全ての信号に
ついて必要であった過度の設計を改善し、小型で、高密
度の多層プリント回路基板を提供することを目的とする
ものである。
は、クロストーク及びラインインピーダンスに対する重
要性及び感度に基づいて、信号がカテゴリー別に分類さ
れる。重要な信号のため、第1の導体ピッチと誘電体厚
さとを有する第1の信号平面が設けられる。非重要な信
号のため、第1の導体信号平面の導体密度の約4倍以上
の導体密度と誘電体厚さとを有する第2の信号平面が設
けられる。
CAD設計は、プリント回路基板の全ての進行平面につ
いて共通の設計ではなくて、上記2つの進行平面のため
の別の設計規則を採用することによって実施される。M
CMに採用される信号は信号の性質及び感度に基づいて
カテゴリー別に分類される。クロック信号、制御信号、
非同期信号、及びかなりの距離にわたって伝送を必要と
される信号は、第1のカテゴリーに分類される重要な信
号の例である。伝送距離が短く、クロストークに対して
敏感でない信号は、重要な信号の4倍以上の密度で配置
され、非重要な信号として第2のカテゴリーに分類され
る。
の設計規則は、第1の信号平面の機械的及び電気的特性
を達成するために低い抵抗と、低いノイズ又は低いクロ
ストークを要求されるように規定される。非重要な信号
の設計規則は、短い距離にわたって延びる最大の導体密
度ための狭い分離をもった狭いトレースを許容する。隣
接する信号平面へのみバイアホールを制限し、且つチッ
プレジデントシリーズ終端を要求するすることを含む、
もう1つの設計の特徴は、最大の密度を達成する非重要
な信号平面のための設計規則を提供する。第1及び第2
の信号平面に採用される設計規則はそれから第1及び第
2の信号平面の特徴を有する複数の混合平面について実
施される。
平面の間にY−X−Y´層構造の少なくとも3つの信号
層を設けることによってMCMの密度がさらに高められ
る。Y層とY´はX層とは垂直に配置され、Y層とY´
とは約半ピッチだけずらして配置される。電源とグラン
ド平面の間のY−X−Y´層構造は層間のクロストーク
を低減するとともに高い密度を提供するものである。
の低い製造プロセスに適合しながら、非常に小型で、高
密度の多層プリント回路基板を得ることができる。
基板の実施例について説明する。多層プリント回路基板
2はVLSIチップを取り付けるためのIC取り付けパ
ッド4を有する。多層プリント回路基板2にはMCMシ
ステムの種々のチップを接続する多層の信号平面があ
り、バイアホール6がこれらのパッド4を多層の信号平
面の導体に接続する。図2によく示されるように、総体
的に参照数字10で示された第1の信号平面は、最小の
ピッチ14及び導体幅16をもつ導体12を備える。第
1の信号平面の導体12のピッチ14及び導体幅16
は、重要信号と指定された第1のグループの信号のため
の要求を解析することによって定められた間隔のための
設計の要求に基づいて確立される。重要な信号は、クロ
ック信号、制御信号、多層プリント回路基板2上で長い
距離にわたる伝送を必要とする信号、非同期信号、工学
上の変化が予期される信号等である。
を与えるように決定され、且つピッチ14は偽のトリガ
ーを防止するために最小のクロストークを与えるように
規定される。誘電体18は、重要な信号平面10のため
に信号平面間に最小の幅20を有する。図面に示される
ように、信号平面22、23として例示されるような信
号平面が、重要な信号の手順決定のために第1の信号平
面10とともに共通の設計の特性を有する。
は次のように配置される。すなわち、第1の信号平面1
0は0度のオリエンテーションで配置され、次の信号平
面23は90度のオリエンテーションで配置され、第3
の信号平面22は0度のオリエンテーションで配置され
るが、第1の信号平面10から約半ピッチずられて配置
される。最近のVLSIにおいては、接続はボードのあ
る部分において所望の一方向に向いたバスである。2セ
ットの信号導体が一方向に延び、もう1セットの信号導
体が第1の方向と垂直な方向に延びることによって、高
密度の接続が得られる。同じ方向に延びる2セットの信
号導体はグランド平面に隣接して配置され、中間の1セ
ットの信号導体が第1のものに対して90度回転され
る。これは、X−Y−X、又はY−X−Yオリエンテー
ションと記載できる。いずれの平面においても、信号導
体間のクロストークは導体間の比較的に広い間隔によっ
て抑えられる。第1及び第2の層の間、又は第2及び第
3の層の間においては信号導体は互いに直交し、よって
オーバーラップする面積は小さいので、第1及び第2の
層の間、又は第2及び第3の層の間におけるクロストー
クは低減される。
いてX層とY層とが互いに90度の向きとなるX−Yオ
リエンテーションの構造のものであった。従来技術の構
成は図3及び図4に示されている。図3はX−Yオリエ
ンテーションの構造の平面図であり、図4は同断面図で
ある。2つの信号平面の導体34、36のオーバーラッ
プする面積は非常に小さい。38はグランド又は電源導
体である。図5及び図6はそれよりも複雑な従来技術を
示し、XYrsアプローチとして公知のものである。X
層40は0度の向きで配置され、Y層42は90度の向
きで配置される。r層44は−45度の向きで配置さ
れ、s層46は+45度の向きで配置される。この構成
においては、これらの4つの層がグランド平面38の間
に配置される。この場合にも、図5及び図6に斜影をつ
けて示したオーバーラップする面積は非常に小さい。
X層23の信号導体との間のクロストークは、これらの
2つの層の直交するオリエンテーションに基づいて最小
化される。同様に、X層23の信号導体とY´層22の
信号導体との間のクロストークは、これらの2つの層の
直交するオリエンテーションに基づいて最小化される。
Y層10の信号導体とY´層22の信号導体との間のク
ロストークは、信号導体を約半ピッチずつずらした配置
によって最小化される。クロストークのさらなる減少
は、中間層の存在と約半ピッチずつずらした配置とに基
づく距離の組合せにより、Y層10の信号導体とY´層
22の信号導体との間の距離が大きくなることにより、
達成される。図7に示されるように、Y層10X層23
との間、及びX層23とY´層22との間のクロストー
クを生じるオーバーラップ領域48、並びに、Y層10
とY´層22との間のクロストークを生じる領域50
は、非常に小さい。Y層10とY´層22との間のクロ
ストークは同じ単一の平面内の信号導体間のクロストー
クと比較すべきである。YXY´オリエンテーションは
最小の層数で最大の非対称的な接続可能性を許容するも
のである。
24で示された第2の信号平面は、重要な信号のカテゴ
リに入らない信号のために確立された設計規則に基づい
た、最小の導体間隔26と、種々の導体幅とを備える。
非重要信号は、データバス、クロストークや偽のトリガ
ーを受けにくく且つ短い距離にわたって設けられたその
他の信号を含む。例えば、第2の信号平面24における
導体については最大で1又は2のチップの交差がなされ
る。第2の信号平面24における導体は狭いトレース、
例えば5μm、及び比較的に狭い導体の分離、例えば5
〜20μmを採用する。第2の信号平面24における導
体の密度は、システムの要求によって定められる第1の
信号平面10の密度の約4倍である。第2の信号平面2
4の導体に接続されたVLSIチップに属する直列終端
のためのデザインの要求は、物理的結合のために密度の
低下が必要となるような終端抵抗、又は同様の手段を不
要とする。隣接する信号平面間にのみバイアホールを設
ける設計規則は密度の低減のための要求を解消する。
的に高いクロストークを許容し、トレース寸法に基づい
て比較的に高い導体抵抗を有する。導体の長さ及びバイ
アホールの深さについての制限は信号の品質にかかるか
なりのインパクトを防止する。さらに、第2の信号平面
24のための第2の設計規則に従って形成され、第2の
信号平面24とともに、上記した信号平面10、22、
23と同様にY−X−Y´構造を形成する信号平面2
8、29がプリント回路基板2内にある。
1の信号平面のための設計規則を採用したその他の信号
平面において収容される。採用されるピッチ及び導体の
大きさは、導体間のジャンパーワイヤリング、及び機械
的な切断やレーザーによる気化、又は標準的な手段を使
用した導体の分離を収容するものである。
例は、Y−X−Y´信号平面のグループを分離する電源
平面30及びグランド平面32を有するデュアルストリ
ップラインの技術を含む。本発明はベリードマイクロス
トリップに対する応用又は組み合わせた応用等に等しく
応用可能である。
の設計規則の確立は、信号を、重要な信号と、非重要な
信号のカテゴリーに分離することを要求する。重要な信
号の最悪の場合の要求の決定は、導体の寸法、導体のピ
ッチ又は間隔、及び隣接する信号平面間の誘電体の厚さ
についての設計のパラメータを確立する。標準的なCA
Dシステムは第1の信号平面及び同じような特性の要求
をもった信号平面のためのルーチングに採用された。
確立され、標準的なCADシステムは第2の信号平面及
び同じような特性の要求をもった信号平面のための設定
に採用された。図面に示す実施例では2つのタイプの信
号平面しか図示説明されていないが、本発明は、種々の
レベルの重要性及び関連する設計の要求を収容するため
に、種々の導体密度及び機械的及び電気的性質をもった
多くのタイプの信号平面に応用可能である。
る接続部の70〜80パーセントにも及ぶ非重要な信号
の信号ネットのために高密度の信号平面を提供するもの
である。残りの重要な信号は信号の劣化を防止するのに
十分な設計規則を取り入れた第1の信号平面に収容され
る。本発明により、MCMシステムのために全プリント
回路基板についての混合された導体密度は全ての信号平
面について重要な信号の要求に従って単一的に設計され
た従来技術のシステムよりもかなり高くすることができ
る。
ンテーションは、導体のバス接続のための所望の方向に
基づいた種々の設計規則を採用した信号平面のグループ
の間で変えることができる。Y−X−Y´オリエンテー
ションと重要な信号平面及び高密度の非重要な信号平面
のための多くの設計規則との組合せは、MCMシステム
のための全スリント回路基板における最大の密度を許容
するものである。
いて説明したが、本発明はそのような実施例に限定され
ものではなく、本発明の範囲内において、種々の変更や
修正を行うことができる。
断面図である。
る。
X−Y´構造を示す平面図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 重要な信号のための第1のカテゴリを確
立し、 重要な信号の劣化を防止するための要求に適合する第1
の導体間隔と第1の導体特性とのために第1の設計規則
を規定し、 バス接続のための所望の方向を設定し、 第1の設計規則を採用するために、所望の方向に対して
0度を向いた導体を有する少なくとも1つのY平面と、
所望の方向に対して90度を向いた導体を有する少なく
とも1つのX平面と、所望の方向に対して0度を向いた
導体を有する少なくとも1つのY´平面とを有する、隣
接する信号平面の第1のオリエンテーションを規定し、
該Y´平面の導体は該Y平面の導体から約半ピッチだけ
ずらされており、 該第1の設計規則及び該第1のオリエンテーションを使
用して第1の複数の信号平面をレイアウトし、 重要な信号のカテゴリに入らない信号のための第2の導
体間隔と第2の導体特性とのために第2の設計規則を規
定し、 該第2の設計規則を使用して第2の複数の信号平面をレ
イアウトする、 ステップからなることを特徴とする多層プリント回路基
板の設計方法。 - 【請求項2】 バス接続のための第2の所望の方向を設
定し、 第2の設計規則を採用するために、所望の方向に対して
0度を向いた導体を有する少なくとも1つのY平面と、
所望の方向に対して90度を向いた導体を有する少なく
とも1つのX平面と、所望の方向に対して0度を向いた
導体を有する少なくとも1つのY´平面とを有する、隣
接する信号平面の第2のオリエンテーションを規定し、
該Y´平面の導体は該Y平面の導体から約半ピッチだけ
ずらされており、 これらのステップをさらに備えるとともに、該第2の設
計規則を使用して第2の複数の信号平面をレイアウトす
るステップは該第2のオリエンテーションを使用するこ
とを特徴とする請求項1に記載の多層プリント回路基板
の設計方法。 - 【請求項3】 重要な信号のための第1のカテゴリを確
立するステップは、クロック信号を選択し、制御信号を
選択し、非同期信号を選択するステップを含むことを特
徴とする請求項1に記載の多層プリント回路基板の設計
方法。 - 【請求項4】 重要な信号のための第1のカテゴリを確
立するステップはさらに、一層よりも大きいバイアホー
ルを要求する信号を選択するステップを含むことを特徴
とする請求項3に記載の多層プリント回路基板の設計方
法。 - 【請求項5】 該重要な信号を選択するステップはさら
に、2つ分のチップの長さを越える通路長を有する信号
を選択するステップを含むことを特徴とする請求項3に
記載の多層プリント回路基板の設計方法。 - 【請求項6】 第2の設計規則を規定するステップはさ
らに、第1の導体間隔及び第1の導体特性によって達成
される導体密度よりも少なくとも約4倍の導体密度を達
成するために第2の導体間隔及び第2の導体特性を定め
るステップを備えることを特徴とする請求項1に記載の
多層プリント回路基板の設計方法。 - 【請求項7】 該重要な信号を選択するステップはさら
に、工学的な変化を潜在的に要求する信号を選択するス
テップを含むことを特徴とする請求項3に記載の多層プ
リント回路基板の設計方法。 - 【請求項8】 該重要な信号を選択するステップはさら
に、チップとは別の終端を要求する信号を選択するステ
ップを含むことを特徴とする請求項3に記載の多層プリ
ント回路基板の設計方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/125,035 US5508938A (en) | 1992-08-13 | 1993-09-21 | Special interconnect layer employing offset trace layout for advanced multi-chip module packages |
US125035 | 1993-09-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07152823A JPH07152823A (ja) | 1995-06-16 |
JP3238831B2 true JP3238831B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=22417927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22312694A Expired - Lifetime JP3238831B2 (ja) | 1993-09-21 | 1994-09-19 | 多層プリント回路基板の設計方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5508938A (ja) |
EP (1) | EP0644596B1 (ja) |
JP (1) | JP3238831B2 (ja) |
DE (1) | DE69421658T2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010828 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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