JP3238732B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光技術に関し、例え
ば半導体製造プロセスにおけるフォトマスクを用いた集
積回路パターンの転写などに適用して有効な技術に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の微細化が進み、回路素
子や配線の設計ルールがサブミクロンのオーダになる
と、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの光を使用してフォト
マスク上の集積回路パターンを半導体ウエハに転写する
フォトリソグラフィ工程では、パターンの精度の低下が
深刻な問題となる。

【０００３】すなわち、図４９に示すようなフォトマス
ク（Ｍ）上の一対の光透過領域Ｐ₁,Ｐ₂ と遮光領域Ｎと
からなるパターンをウエハ上に転写する場合、光源から
放射される光の位相が揃っているときには、光透過領域
Ｐ₁,Ｐ₂ のそれぞれを透過した直後の二つの光の位相
は、図５０に示すように、同相となる。

【０００４】そのため、図５１に示すように、ウエハ上
の本来は遮光領域となる箇所でこれら二つの光が干渉し
て強め合い、図５２に示すように、ウエハ上における上
記パターンの投影像のコントラストが低下し、焦点深度
が浅くなる結果、パターンの寸法が光源の波長にほぼ等
しいサブミクロンのオーダになると、転写精度が大幅に
低下してしまうことになる。

【０００５】このような問題を改善する手段として、フ
ォトマスクを透過する光の位相を反転させることによっ
て、投影像のコントラストの低下を防止する位相シフト
技術が注目されている。

【０００６】例えば特公昭６２−５９２９６号公報に
は、フォトマスク上の遮光領域を挟む一対の光透過領域
の一方に透明膜（位相シフタ）を形成し、上記一対の光
透過領域を透過した二つの光の位相を互いに逆相とする
ことによって、ウエハ上の本来は遮光領域となる箇所で
二つの光の干渉光の強度を弱くする位相シフト技術が開
示されている。

【０００７】上記位相シフト技術においては、図５３に
示すようなフォトマスク（Ｍ）上の一対の光透過領域Ｐ
₁,Ｐ₂ および遮光領域Ｎからなるパターンをウエハ上に
転写する際、光透過領域Ｐ₁,Ｐ₂ のいずれか一方に所定
の屈折率を有する透明膜からなる位相シフタ１５を形成
し、光透過領域Ｐ₁,Ｐ₂ を透過した直後の二つの光の位
相が互いに逆相となる（図５４参照）ように位相シフタ
１５の膜厚を調整する。

【０００８】このようにすると、ウエハ上では、上記二
つの光が遮光領域Ｎで互いに干渉し合って弱め合う（図
５５参照）ので、上記パターンの投影像のコントラスト
が改善され（図５６参照）、解像度および焦点深度が向
上する結果、微細なパターンの転写精度が良好になる。

【０００９】また、特開昭６２−６７５１４号公報に
は、フォトマスク上の第一の光透過領域の周囲に第二の
微小な光透過領域を設けると共に、これらの光透過領域
のいずれか一方に位相シフタを形成し、二つの光透過領
域を透過した光の位相を互いに逆相とすることによっ
て、第一の光透過領域を透過した光の振幅が横方向に広
がるのを防止する位相シフト技術が開示されている。

【００１０】さらに、特開平２−１４０７４３号公報に
は、光透過領域内の一部に位相シフタを形成し、この位
相シフタが有る箇所と無い箇所とを透過した二つの光の
位相を互いに逆相とすることによって、位相シフタの境
界部を強調させる位相シフト技術が開示されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
フォトマスクは、様々な集積回路パターンが複雑に配置
されているため、前述した位相シフト技術を実際のフォ
トマスクに適用しようとすると、位相シフタを配置する
場所の選定が極めて困難となり、フォトマスクのパター
ン設計に多大な時間と労力とを要するという問題があっ
た。

【００１２】そこで本発明の目的は、フォトマスクのパ
ターン設計を容易に行うことのできる位相シフト技術を
提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】（１）本願発明の半導体
集積回路装置の製造方法は、開口部の内部に設けられ、
一辺が前記開口部を横切るように位相シフタが形成され
た第１の光透過領域と、位相シフタが形成されていない
第２の光透過領域とを有する第１のフォトマスクを用い
て、基体に、前記開口部および前記第１の光透過領域を
透過した光と前記第２の光透過領域を透過した光との干
渉の影を転写する工程と、前記開口部および前記干渉の
影に対応した領域が遮光されるように、前記開口部とほ
ぼ同じ大きさの遮光部が設けられた第２のフォトマスク
を通じて、前記基体に光を照射する工程とを有してい
る。

【００１５】（２）本発明のパターン形成方法は、位相
シフタが形成された第１の光透過領域と、位相シフタが
形成されていない第２の光透過領域との間に遮光部が設
けられた第１のフォトマスクを用いて、ウエハにパター
ンを転写する第１の工程と、前記第１の工程による投影
像の、前記遮光部による影パターンに対応する領域に光
透過領域が設けられた第２のフォトマスクを用いて、前
記ウエハにパターンを転写する第２の工程とを有してい
る。

【００１６】

【作用】

(1) 上記した手段によれば、一つのパターンを二つのフ
ォトマスクに分け、一方のフォトマスクに位相シフタを
配置するので、位相シフタを配置する場所の選定が容易
になり、位相シフト用フォトマスクのパターン設計に要
する時間および労力を著しく低減することが可能とな
る。

【００１７】(2) 上記した手段によれば、一つのパター
ンを同一のフォトマスクの二つのパターン領域に分け、
一方のパターン領域に位相シフタを配置するので、位相
シフタを配置する場所の選定が容易になり、位相シフト
用フォトマスクのパターン設計に要する時間および労力
を著しく低減することが可能となる。

【００１８】

【実施例１】図１は、本実施例において用いる露光装置
１の光学系である。光源２と試料３とを結ぶ光路上に
は、ビームエクスパンダ４、ミラー５，６，７，８、ハ
ーフミラー（またはビームスプリッタ）９、レンズ１
０，１１および対物レンズ１２，１３が配置されてお
り、アライメント系には、一対のフォトマスクＭ₁,Ｍ₂
が位置決めされている。

【００１９】光源２は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）
などの光Ｌを放射する高圧水銀ランプであり、試料３
は、例えばシリコン単結晶からなる半導体ウエハであ
る。このウエハの表面には、光Ｌに感光するフォトレジ
ストがスピン塗布されている。

【００２０】一対のフォトマスクＭ₁,Ｍ₂ は、ウエハに
所定の集積回路パターンを転写する、例えば実寸の５倍
の寸法の集積回路パターンの原画が形成されたレチクル
である。この集積回路パターンは、二つのフォトマスク
Ｍ₁,Ｍ₂ に分けて形成されており、それぞれのフォトマ
スクＭ₁,Ｍ₂ のパターンを重ね合わせることによって、
本来のパターンがウエハに転写されるようになってい
る。

【００２１】露光装置１の光源２から放射された光Ｌ
は、ビームエクスパンダ４によって拡大され、ミラー５
によって屈折された後、ハーフミラー９によって二つの
光Ｌ_1,Ｌ₂ に分割される。その後、二つの光Ｌ_1,Ｌ₂ の
一方（Ｌ₁)は、そのまま直進して第一のフォトマスクＭ
₁ に入射し、もう一方（Ｌ₂)は、ミラー６によって屈折
された後、第二のフォトマスクＭ₂ に入射する。

【００２２】なお、二つの光Ｌ_1,Ｌ₂ の干渉を防ぐた
め、光Ｌ₂ の光軸上にインコヒーレント変換器（図示せ
ず）を挿入してもよい。また、二つの光Ｌ_1,Ｌ₂ の光路
差を可干渉距離以上にするような透明ガラスを挿入して
もよい。

【００２３】第一のフォトマスクＭ₁ を透過した光Ｌ₁
は、レンズ１０を透過した後、ミラー７によって屈折さ
れ、さらに対物レンズ１２によってスポット光ビームと
なり、ＸＹテーブル１４上に位置決めされた試料３の表
面に入射する。また、第二のフォトマスクＭ₂ を透過し
た光Ｌ₂ は、レンズ１１を透過した後、ミラー８によっ
て屈折され、さらに対物レンズ１３によってスポット光
ビームとなり、試料３の表面の前記光Ｌ₁が入射した箇
所に入射する。

【００２４】このように、本実施例の露光装置１は、光
源２から放射された光Ｌを二つの光Ｌ_1,Ｌ₂ に分割し、
一方の光Ｌ₁ を第一のフォトマスクＭ₁ に、またもう一
方の光Ｌ₂ を第二のフォトマスクＭ₂ にそれぞれ入射し
た後、二つの透過光Ｌ_1,Ｌ_２ を試料３上の同一箇所に
同時に入射する。

【００２５】なお、上記手段に代え、従来の露光装置を
用いてフォトマスクＭ_１ で露光を行い、その後、もう
一つのフォトマスクＭ₂ で重ね露光を行ってもよい。た
だし、この場合は、フォトマスクＭ₁,Ｍ₂ の交換に時間
を必要とするため、露光工程のスループットが低下す
る。

【００２６】図２は、上記第一のフォトマスクＭ₁ の要
部の断面図、図３は、同じく平面図である。例えば屈折
率が1.４７程度の透明な合成石英ガラスからなるフォト
マスクＭ₁ の主面には、周囲を遮光領域Ｎ₁ によって囲
まれた、例えば矩形の光透過領域Ｐ₁ が形成されてい
る。上記遮光領域Ｎ₁ は、例えばＣｒなどの金属薄膜に
よって構成されている。

【００２７】上記光透過領域Ｐ₁ および遮光領域Ｎ₁ を
形成するには、例えばスパッタ法を用いて全面にＣｒの
薄膜を堆積したガラス基板（マスクブランクス）の主面
に電子線レジストをスピン塗布し、電子線描画装置を用
いてこのガラス基板に電子線を照射する。

【００２８】上記電子線描画装置は、集積回路パターン
の図形情報や位置座標などのパターンデータに基づい
て、コンピュータ制御により電子線を走査する。その
後、電子線レジストの露光部分を現像液により除去し、
露出したＣｒ膜をエッチングした後、残りの電子線レジ
ストを除去することにより、上記フォトマスクＭ₁ が完
成する。

【００２９】上記第一のフォトマスクＭ₁ の光透過領域
Ｐ₁ の一部には、例えばスピンオングラス(Spin On Gla
ss) などの透明な薄膜からなる位相シフタ１５が設けら
れている。上記位相シフタ１５は、光透過領域Ｐ₁ の内
部に占めるその面積が光透過領域Ｐ₁全体の面積のほぼ
半分になるように設定されている。従って、上記光透過
領域Ｐ₁ を透過する光Ｌ₁ は、位相シフタ１５の有る箇
所を透過する光の量と位相シフタ１５の無い箇所を透過
する光の量とがほぼ等しくなっている。

【００３０】位相シフタ１５の有る箇所と無い箇所とを
透過した二つの光の位相を互いに反転させるには、光の
波長をλ、位相シフタ１５の屈折率をｎとして、位相シ
フタ１５の膜厚（ｄ）を、ｄ＝λ／２（ｎ−１）の整数
倍の関係を満たすように設定すればよい。例えば光の波
長を３６５ｎｍ（ｉ線）、位相シフタ１５を構成するス
ピンオングラスの屈折率を1.５とすると、位相シフタ１
５の膜厚を３６５ｎｍまたはその整数倍とすればよい。

【００３１】光透過領域Ｐ₁ の一部に位相シフタ１５を
形成するには、フォトマスクＭ₁ の全面にスピンオング
ラスをスピン塗布し、これをベークした後、リソグラフ
ィ技術を用いて必要箇所のみを残せばよい。

【００３２】図４は、前記第二のフォトマスクＭ₂ の要
部の断面図、図５は、同じく平面図である。このフォト
マスクＭ₂ は、第一のフォトマスクＭ₁ と同一の材料か
らなり、その主面には、周囲を光透過領域Ｐ₂ によって
囲まれた遮光領域Ｎ₂ が形成されている。上記遮光領域
Ｎ₂ は、第一のフォトマスクＭ₁ の光透過領域Ｐ₁ とほ
ぼ同一の形状、寸法を有している。

【００３３】前記第一のフォトマスクＭ₁ の光透過領域
Ｐ₁ を透過した直後の光Ｌ₁ は、図６に示すように、位
相シフタ１５の有る箇所を透過した光の位相と位相シフ
タ１５の無い箇所を透過した光の位相とが互いに逆相と
なる。

【００３４】従って、試料３上では、上記二つの光がそ
れらの境界部で互いに干渉し合って弱め合い、図７に示
すようなパターンの回折投影像（Ｄ）が得られる。この
回折投影像（Ｄ）は、光源２から放射される光Ｌの位相
が揃っている場合には、コントラストの良い極微細なラ
インの像となる。

【００３５】一方、前記第二のフォトマスクＭ₂ の遮光
領域Ｎ₂の周囲を透過した直後の光Ｌ₂ は、図８に示す
ような振幅となるので、試料３上には、図９に示すよう
なパターンの投影像が得られる。

【００３６】そこで、第一のフォトマスクＭ₁ の回折投
影像（Ｄ）と、第二のフォトマスクの投影像の中心部と
を重ね合わせた場合には、試料３上には、図１０に示す
ような極微細なラインの投影像が形成される。すなわ
ち、本実施例の露光方法によれば、試料３上に極微細な
パターンを転写することができるので、集積回路パター
ンを著しく微細化することができる。

【００３７】しかも、本実施例の露光方法によれば、所
定のパターンを試料に転写する際、上記パターンを二つ
のフォトマスクＭ₁,Ｍ₂ に分けて形成し、一方のフォト
マスクＭ₁ にのみ位相シフタ１５を配置するので、一枚
のフォトマスクに位相シフタを形成する従来の位相シフ
ト技術に比べて位相シフタ１５を配置する場所の選定が
容易になり、フォトマスクのパターン設計に要する時間
および労力を著しく低減することができる。

【００３８】なお、前記第一のフォトマスクＭ₁ は、光
透過領域Ｐ₁ の一部にスピンオングラスのような透明な
薄膜を堆積して位相シフタ１５を形成したが、例えば図
１１に示すように、光透過領域Ｐ₁ の一部をエッチング
で加工して凹溝を形成し、これを位相シフタ１５とする
こともできる。この場合は、フォトマスクＭ₁ を構成す
る合成石英ガラスの屈折率をｎ、光の波長をλとして、
凹溝の深さをλ／２（ｎ−１）またはその整数倍とすれ
ばよい。

【００３９】

【実施例２】次に、本発明の露光方法に用いるフォトマ
スクの他の実施例を図１２〜図１５を用いて説明する。

【００４０】図１２は、第一のフォトマスクＭ₁ の要部
の断面図、図１３は、同じく平面図である。このフォト
マスクＭ₁ の主面には、周囲を遮光領域Ｎ₁ によって囲
まれた、例えば矩形の光透過領域Ｐ₁ が形成されてお
り、この光透過領域Ｐ₁ の一部には、例えばスピンオン
グラスからなる位相シフタ１５が設けられている。

【００４１】上記第一のフォトマスクＭ₁ は、光透過領
域Ｐ₁ の内部に占める位相シフタ１５の面積比率が前記
実施例のフォトマスクＭ₁ に比べて小さくなっており、
従って、位相シフタ１５の有る箇所を透過する光量は、
位相シフタ１５の無い箇所を透過する光量よりも少な
い。

【００４２】図１４は、第二のフォトマスクＭ₂ の要部
の断面図、図１５は、同じく平面図である。この第二の
フォトマスクＭ₂ の主面には、三方を光透過領域Ｐ₂ に
よって囲まれた遮光領域Ｎ₂ が形成されている。

【００４３】前記第一のフォトマスクＭ₁ の光透過領域
Ｐ₁ を透過した直後の光Ｌ₁ は、図１６に示すように、
位相シフタ１５の有る箇所を透過した光の位相と位相シ
フタ１５の無い箇所を透過した光の位相とが互いに逆相
となるので、試料３上では、上記二つの光がそれらの境
界部で互いに干渉し合って弱め合い、図１７に示すよう
なパターンの回折投影像（Ｄ）が得られる。この回折投
影像（Ｄ）は、前記実施例の場合と同様、光源２から放
射される光Ｌの位相が揃っている場合には、コントラス
トの良い極微細なラインの像となる。

【００４４】一方、前記第二のフォトマスクＭ₂ の遮光
領域Ｎ₂の周囲を透過した直後の光Ｌ₂ は、図１８に示
すような振幅となるので、試料３上には、図１９に示す
ようなパターンの投影像が得られる。

【００４５】そこで、第一のフォトマスクＭ₁ の回折投
影像（Ｄ）と、第二のフォトマスクＭ₂ の投影像の端部
とを重ね合わせた場合には、試料３上には、図２０に示
すように、第二のフォトマスクＭ₂ の遮光領域Ｎ₂ の端
部のコントラストが向上した投影像が形成される。

【００４６】このように、本実施例の露光方法によれ
ば、試料３上に転写されるパターンの端部のコントラス
トを向上させることができる。

【００４７】

【実施例３】本発明の露光方法は、図２１に示すよう
な、二本の平行なラインをそれらの一端で接続したコの
字形のパターンを試料３上に転写する際、上記パターン
を図２２に示す第一のフォトマスクＭ₁ と図２３に示す
第二のフォトマスクＭ₂ とに分けて形成する。

【００４８】すなわち、第一のフォトマスクＭ₁ には、
周囲が遮光領域Ｎ₁ で囲まれた二つの光透過領域Ｐ₁,Ｐ
₁ を形成し、その一方の光透過領域Ｐ₁ には、例えばス
ピンオングラスからなる位相シフタ１５を形成する。上
記一対の光透過領域Ｐ₁,Ｐ₁ は、前記図２１に示す二本
の平行なラインに対応している。

【００４９】一方、第二のフォトマスクＭ₂ には、周囲
が遮光領域Ｎ₂ で囲まれた光透過領域Ｐ₂ を形成する。
この光透過領域Ｐ₂ は、前記図２１に示す二本の平行な
ラインの接続部分に対応している。

【００５０】図２４および図２５に示すように、上記第
一のフォトマスクＭ₁ の光透過領域Ｐ₁ を透過した直後
の光Ｌ₁ は、位相シフタ１５の有る光透過領域Ｐ₁ を透
過した光の位相と位相シフタ１５の無い光透過領域Ｐ₁
を透過した光の位相とが互いに逆相となるので、試料３
上では、上記二つの光がそれらの境界部で互いに干渉し
合って弱め合い、図２６に示すようなパターンの投影像
が得られる。

【００５１】一方、図２７に示す第二のフォトマスクＭ
₂ の光透過領域Ｐ₂ を透過した直後の光Ｌ₂ は、図２８
に示すような振幅となるので、試料３上には、図２９に
示すようなパターンの投影像が得られる。

【００５２】そこで、第一のフォトマスクＭ₁ の投影像
と、第二のフォトマスクＭ₂ の投影像とを重ね合わせた
場合には、試料３上には、図３０に示すように、二本の
平行なラインの接続部分のコントラストが向上した投影
像が形成される。

【００５３】このように、本実施例の露光方法によれ
ば、二本の平行なラインの接続部分のコントラストを向
上させることができる。

【００５４】なお、本発明の露光方法で使用するフォト
マスクＭ₁,Ｍ₂ を作成する場合、図３１に示すように、
位相シフタ１５を構成する透明膜が微小な間隔で繰り返
し配置されたパターンによって遮光領域Ｎを形成するこ
ともできる。この場合は、透明なガラス基板の主面にス
ピンオングラスを塗布し、電子線描画装置を用いて上記
スピンオングラスをパターニングすればよい。

【００５５】このようなフォトマスクＭ₁,Ｍ₂ の製造方
法によれば、光透過領域Ｐ、遮光領域Ｎおよび位相シフ
タ１５を同時に作成することができるので、フォトマス
クＭ₁,Ｍ₂ の製造に要する時間および労力を著しく低減
することができる。

【００５６】

【実施例４】次に、本発明の露光方法に用いるフォトマ
スクの他の実施例を図３２〜図３４を用いて説明する。

【００５７】図３２に示すように、例えば屈折率が1.４
７程度の透明な合成石英ガラスからなるフォトマスクＭ
の主面には、周囲を遮光領域Ｎによって囲まれた第一の
パターン領域Ａ₁ および第二のパターン領域Ａ₂ が隣接
して設けられている。

【００５８】上記遮光領域Ｎは、例えばＣｒなどの金属
薄膜によって構成されており、その幅は、例えば0.５〜
１０mm程度である。また、遮光領域Ｎの外側には、同じ
くＣｒなどの金属薄膜によって構成された位置合わせマ
ークＢ₁,Ｂ₂ が設けられている。

【００５９】図３３は、上記第一のパターン領域Ａ₁ の
要部の平面図である。このパターン領域Ａ₁ の内部に
は、周囲を遮光領域Ｎ₁によって囲まれた、例えば矩形
の光透過領域Ｐ₁ が形成されている。上記遮光領域Ｎ₁
は、例えばＣｒなどの金属薄膜によって構成されてい
る。

【００６０】上記光透過領域Ｐ₁ の一部には、例えばス
ピンオングラスなどの透明な薄膜からなる位相シフタ１
５が設けられている。上記位相シフタ１５は、光透過領
域Ｐ₁ の内部に占めるその面積が光透過領域Ｐ₁ 全体の
面積のほぼ半分になるように設定されている。従って、
上記光透過領域Ｐ₁ を透過する光Ｌ₁ は、位相シフタ１
５の有る箇所を透過する光の量と位相シフタ１５の無い
箇所を透過する光の量とがほぼ等しくなっている。

【００６１】図３４は、上記第二のパターン領域Ａ₂ の
要部の平面図である。このパターン領域Ｂ₂ の内部に
は、周囲を光透過領域Ｐ₂ によって囲まれた遮光領域Ｎ
₂ が形成されている。上記遮光領域Ｎ₂ は、前記第一の
パターン領域Ａ₁ の光透過領域Ｐ₁ とほぼ同一の形状、
寸法を有している。

【００６２】このように、上記第一のパターン領域Ａ₁
に形成されたパターンは、前記実施例１の第一のフォト
マスクＭ₁ に形成されたパターンと同一の構成になって
おり、上記第二のパターン領域Ａ₂ に形成されたパター
ンは、前記実施例１の第二のフォトマスクＭ₂ に形成さ
れたパターンと同一の構成になっている。

【００６３】すなわち、前記実施例１は、試料３に転写
する所定のパターンを二つのフォトマスクＭ₁,Ｍ₂ に分
けて形成し、一方のフォトマスクＭ₁ に位相シフタ１５
を配置した構成になっているのに対し、本実施例は、試
料３に転写する所定のパターンを同一のフォトマスクＭ
の二つのパターン領域Ａ₁,Ａ₂ の内部に分けて形成し、
一方のパターン領域Ａ₁ に位相シフタ１５を配置した構
成になっている。

【００６４】図３５は、本実施例において用いる露光装
置１の光学系である。光源２と試料３とを結ぶ光路上に
は、ミラー５，６、シャッタ１６、アパーチャ１７、シ
ョートカットフィルタ１８、マスクブラインド１９、コ
ンデンサレンズ２０および縮小投影レンズ２１が配置さ
れており、アライメント系には、前記フォトマスクＭが
位置決めされている。このフォトマスクＭは、マスク移
動台２２によって水平方向に移動できるようになってい
る。

【００６５】光源２は、例えばｉ線などの光Ｌを放射す
る高圧水銀ランプであり、試料３は、例えばシリコン単
結晶からなる半導体ウエハである。このウエハの表面に
は、光Ｌに感光するフォトレジストがスピン塗布されて
いる。ウエハは、ウエハ吸着台２３の上に載置されてお
り、Ｚ軸移動台２４、Ｘ軸移動台２５およびＹ軸移動台
２６によって上下方向および水平方向に移動できるよう
になっている。

【００６６】フォトマスクＭは、ウエハに所定の集積回
路パターンを転写する、例えば実寸の５倍の寸法の集積
回路パターンの原画が形成されたレチクルである。この
集積回路パターンは、フォトマスクＭの第一のパターン
領域Ａ₁ と第二のパターン領域Ａ₂ とに分けて形成され
ており、それぞれのパターン領域Ａ₁,Ａ₂ のパターンを
重ね合わせることによって、本来のパターンがウエハに
転写されるようになっている。

【００６７】本実施例の露光装置１およびフォトマスク
Ｍを用いてウエハに所定の集積回路パターンを転写する
には、まず、光源２から放射された光Ｌをフォトマスク
Ｍに入射する。このとき、光ＬがフォトマスクＭの第一
のパターン領域Ａ₁ のみに入射するようにマスクブライ
ンド１９を調整する。

【００６８】第一のパターン領域Ａ₁ を透過した光Ｌ
は、縮小投影レンズ２１を介してスポット光ビームとな
り、ウエハ吸着台２３上に位置決めされたウエハの表面
に入射する。

【００６９】図３６に示すように、試料３であるウエハ
の表面は、多数の露光領域Ｅ₁,Ｅ₂,Ｅ₃...に分割されて
おり、第一のパターン領域Ａ₁ を透過した光Ｌは、ま
ず、第一の露光領域Ｅ₁に入射する。続いて、Ｘ軸移動
台２５およびＹ軸移動台２６を駆動してウエハを水平方
向に移動し、第一のパターン領域Ａ₁ を透過した光Ｌを
第二の露光領域Ｅ₂ に入射する。

【００７０】以後、このような操作を繰り返し、第一の
パターン領域Ａ₁ を透過した光Ｌをウエハ表面のすべて
の露光領域に入射することにより、第一のパターン領域
Ａ₁ に形成された集積回路パターンをウエハに転写す
る。

【００７１】次に、マスクブラインド１９を調整し、光
源２から放射された光ＬをフォトマスクＭの第二のパタ
ーン領域Ａ₂ のみに入射する。第二のパターン領域Ａ₂
を透過した光Ｌは、縮小投影レンズ２１を介してスポッ
ト光ビームとなり、ウエハの表面の第一の露光領域Ｅ₁
に入射する。

【００７２】以後、このような操作を繰り返し、第二の
パターン領域Ａ₂ を透過した光Ｌをウエハ表面のすべて
の露光領域に入射することにより、第二のパターン領域
Ａ₂ に形成された集積回路パターンをウエハに転写す
る。

【００７３】このように、本実施例の露光方法は、試料
３に転写する所定のパターンを同一のフォトマスクＭの
二つのパターン領域Ａ₁,Ａ₂ に分けて形成し、第一のパ
ターン領域Ａ₁ に形成されたパターンをウエハに露光し
た後、第二のパターン領域Ａ₂ に形成されたパターンを
ウエハの同一箇所に重ね露光する。

【００７４】上記第一のパターン領域Ａ₁ の光透過領域
Ｐ₁ を透過した直後の光Ｌ₁ は、前記図６に示すよう
に、位相シフタ１５の有る箇所を透過した光の位相と位
相シフタ１５の無い箇所を透過した光の位相とが互いに
逆相となる。

【００７５】従って、試料３上では、上記二つの光がそ
れらの境界部で互いに干渉し合って弱め合い、前記図７
に示すようなパターンの回折投影像（Ｄ）が得られる。
この回折投影像（Ｄ）は、光源２から放射される光Ｌの
位相が揃っている場合には、コントラストの良い極微細
なラインの像となる。

【００７６】他方、上記第二のパターン領域Ａ₂ の遮光
領域Ｎ₂の周囲を透過した直後の光Ｌ₂ は、前記図８に
示すような振幅となるので、試料３上には、前記図９に
示すようなパターンの投影像が得られる。

【００７７】そこで、第一のパターン領域Ａ₁ の回折投
影像（Ｄ）と、第二のパターン領域Ａ₂ の投影像の中心
部とを重ね合わせた場合には、試料３上には、前記図１
０に示すような極微細なラインの投影像が形成される。
すなわち、本実施例の露光方法によれば、試料３上に極
微細なパターンを転写することができるので、集積回路
パターンを著しく微細化することができる。

【００７８】しかも、本実施例の露光方法によれば、所
定のパターンを試料に転写する際、上記パターンを同一
のフォトマスクＭの二つのパターン領域Ａ₁,Ａ₂ に分け
て形成し、一方のパターン領域Ａ₁ にのみ位相シフタ１
５を配置するので、従来の位相シフト技術に比べて位相
シフタ１５を配置する場所の選定が容易になり、フォト
マスクのパターン設計に要する時間および労力を著しく
低減することができる。

【００７９】また、本実施例の露光方法によれば、試料
に転写するパターンを同一のフォトマスクＭの二つのパ
ターン領域Ａ₁,Ａ₂ に分けて形成するので、フォトマス
クの交換は不要であり、露光工程のスループットが低下
することもない。

【００８０】なお、第一のパターン領域Ａ₁ に形成され
たパターンを前記実施例２の第一のフォトマスクＭ₁ に
形成されたパターンと同一の構成とし、第二のパターン
領域Ａ₂ に形成されたパターンを前記実施例２の第二の
フォトマスクＭ₂ に形成されたパターンと同一の構成と
してもよい。

【００８１】この場合は、第一のパターン領域Ａ₁ の回
折投影像と第二のパターン領域Ａ₂ の端部とを重ね合わ
せることにより、試料３上に第二のパターン領域Ａ₂ の
遮光領域Ｎ₂ の端部のコントラストが向上した投影像を
形成することができる。

【００８２】また、第一のパターン領域Ａ₁ に形成され
たパターンを前記実施例３の第一のフォトマスクＭ₁ に
形成されたパターンと同一の構成とし、第二のパターン
領域Ａ₂ に形成されたパターンを前記実施例３の第二の
フォトマスクＭ₂ に形成されたパターンと同一の構成と
してもよい。

【００８３】この場合は、第一のパターン領域Ａ₁ の投
影像と第二のパターン領域Ａ₂ の投影像とを重ね合わせ
ることにより、試料３上に二本の平行なラインの接続部
分のコントラストが向上した投影像を形成することがで
きる。

【００８４】なお、第一のパターン領域Ａ₁ の光透過領
域Ｐ₁ の一部に形成する位相シフタ１５は、前記図１１
に示すように、光透過領域Ｐ₁ の一部をエッチングで加
工して形成した凹溝で構成してもよい。

【００８５】また、前記図３１に示すように、位相シフ
タ１５を構成する透明膜が微小な間隔で繰り返し配置さ
れたパターンによって遮光領域Ｎを形成してもよい。

【００８６】次に、本実施例のフォトマスクＭを用いた
半導体集積回路装置の製造方法の一例を図３７〜図４８
を用いて説明する。

【００８７】図３７〜図３９図において、Ｍはネガ型の
フォトマスク、Ａ₁,Ａ₂ は第一および第二のパターン領
域、２１は露光装置１の縮小投影レンズ、３はウエハ、
７４１はその主面上に形成された酸化珪素膜、７４２は
その上の全面にＣＶＤ法により堆積された多結晶シリコ
ン膜、７５４はその上にスピン塗布された厚さ0.６μｍ
程度のネガ型のフォトレジスト膜である。

【００８８】図３８において、７５４ａはパターニング
されたフォトレジスト膜であり、図３９において、７４
２ａはフォトレジスト膜７５４ａをマスクとしてパター
ニングされた多結晶シリコン膜である。

【００８９】図４１〜図４７は、ツイン・ウェル方式に
よるＣＭＯＳ−スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）の製造
プロセス・フロー断面図であり、図４８は、そのチップ
上のレイアウト図である。以下、順次説明する。

【００９０】図４１は、ツイン・ウェルプロセスによる
ｎウェルおよびｐウェル形成プロセスを示す。同図にお
いて、３はｎ^- 型のシリコン単結晶からなるウエハ（基
板）、７６０ｎはｎ型ウェル領域、７６０ｐはｐ型ウェ
ル領域である。

【００９１】図４２は、それに続くゲート形成プロセス
および形成されたゲートをマスクとして、セルフアライ
ンでイオン注入により各ＭＯＳＦＥＴのソース、ドレイ
ンを形成するプロセスを示す。同図において、７６１ａ
〜７６１ｃはフィールド酸化膜、７６２ｎおよび７６２
ｐはゲート酸化膜、７６３ｎおよび７６３ｐは多結晶シ
リコンのゲート電極、７６４ｎおよび７６４ｐはそれぞ
れｎ型およびｐ型の高濃度ソース・ドレイン領域であ
る。

【００９２】図４３は、層間絶縁膜形成プロセスおよび
第二層多結晶シリコン配線ならびに高抵抗形成プロセス
を示す。同図において、７６５は層間絶縁膜、７６６は
多結晶シリコン配線、７６６ｒは、ＳＲＡＭメモリセル
の負荷抵抗となる多結晶シリコン高抵抗である。

【００９３】図４４は、スピンオングラスによる平坦化
プロセスおよびコンタクトホール（またはスルーホー
ル）形成プロセスを示す。同図において、７６７はスピ
ンオングラス膜、７６８ａ，７６８ｂ，７６８ｄ，７６
８ｅはシリコン基板とのコンタクトホール、７６８ｃ
は、多結晶シリコン配線７６６と上層とのスルーホール
である。

【００９４】図４５は、第一層Ａｌ配線形成プロセスを
示す。同図において、７６９ａ〜７６９ｅは第一層Ａｌ
配線である。

【００９５】図４６は、第一層Ａｌ配線上の層間絶縁膜
形成プロセスおよび第二層Ａｌ配線形成プロセスを示
す。同図において、７７０は第一層Ａｌ配線上の層間絶
縁膜、７７１ａおよび７７１ｂはスルーホールを介して
第一層Ａｌ配線と接続された第二層Ａｌ配線である。

【００９６】図４７は、第二層Ａｌ配線上のファイナル
・パッシベーション膜形成プロセスを示す。同図におい
て、７７２はファイナル・パッシベーション膜である。

【００９７】図４８は、上記ＳＲＡＭのチップ単位での
レイアウトを示す平面図である。同図において、７２１
は半導体チップ、７２２はメモリセル・マット、７２３
はＩ／Ｏ回路、アドレス・デコーダ、読出しおよび書込
み回路などを含む周辺回路である。

【００９８】図４０は、上記ＳＲＡＭの製造プロセスの
フォトリソグラフィに関するプロセス、すなわち露光プ
ロセスを抽出し、フロー化して示した露光プロセス・フ
ロー図である。同図において、ｎウェル・フォト工程７
Ｐ１は、ｎウェルとなるべき部分以外を被覆するよう
に、窒化珪素膜（基板上）にフォトレジスト・パターン
を形成する工程、フィールド・フォト工程７Ｐ２は、ｎ
チャネルおよびｐチャネルのアクティブ領域上を被覆す
るように窒化珪素膜をパターニングするために、その上
にフォトレジスト膜を被着してパターニングする工程で
ある。

【００９９】ｐウェル・フォト工程７Ｐ３は、ｐウェル
のチャネル・ストッパー領域を形成するために、ｎウェ
ル上を被覆するフォトレジスト膜をパターニングする工
程、ゲート・フォト工程７Ｐ４は、ゲート電極７６３
ｎ，７６３ｐをパターニングするために全面に被着され
た多結晶シリコン層上にフォトレジスト膜をパターニン
グする工程である。

【０１００】ｎチャネル・フォト工程７Ｐ５は、ｎチャ
ネル側にゲート電極７６３ｎをマスクにしてｎ型不純物
をイオン注入するために、ｐチャネル側にフォトレジス
ト膜をパターニングする工程、ｐチャネル・フォト工程
７Ｐ６は、逆にｐチャネル側にゲート電極７６３ｐをマ
スクにしてｐ型不純物をイオン注入するために、ｎチャ
ネル側にフォトレジスト膜をパターニングする工程であ
る。

【０１０１】多結晶シリコン・フォト工程７Ｐ７は、多
結晶シリコン配線７６６または多結晶シリコン高抵抗７
６６ｒ（図４３）となる第二層多結晶シリコン膜をパタ
ーニングするために全面に被着された多結晶シリコン層
上にフォトレジスト膜をパターニングする工程、Ｒ・フ
ォト工程７Ｐ８は、多結晶シリコン高抵抗７６６ｒ（図
４３）上をフォトレジスト膜で被覆した状態でその他の
部分に不純物イオンを注入するためにマスクとなるフォ
トレジスト膜をネガ・プロセスによってパターニングす
る工程である。

【０１０２】コンタクト・フォト工程７Ｐ９は、基板、
ソース・ドレイン領域、第一層多結晶シリコン層、第二
層多結晶シリコン層などと第一層Ａｌ配線（Ａｌ−Ｉ）
とのコンタクトをとるためのコンタクトホール７６８
ａ，７６８ｂ，７６８ｄ，７６８ｅ（図４４）を形成す
るためのフォトレジスト・パターンをポジ・プロセスに
より被着、パターニングする工程、Ａｌ−Ｉ・フォト工
程７Ｐ１０（図４５）は、第一層Ａｌ配線をパターニン
グするためのフォトレジスト・パターニング・プロセス
である。

【０１０３】スルーホール・フォト工程７Ｐ１１は、第
一層Ａｌ配線と第二層Ａｌ配線との接続をとるためのス
ルーホールを開口するためのフォトレジスト・パターン
を形成する工程、Ａｌ−II・フォト工程７Ｐ１２（図４
６）は、第二層Ａｌ配線のパターニングのフォトレジス
ト・パターニング・プロセス、ボンディングパッド・フ
ォト工程７Ｐ１３は、ファイナル・パッシベーション膜
７７２にボンディングパッドに対応する１００μｍ角程
度の開口を形成するために、パッド以外のファイナル・
パッシベーション膜上にフォトレジスト膜を被着する工
程である。

【０１０４】これらの露光プロセスのうち、ｎウェル・
フォト工程７Ｐ１、ｎチャネル・フォト工程７Ｐ５、ｐ
チャネル・フォト工程７Ｐ６およびボンディングパッド
・フォト工程７Ｐ１３は、最小寸法が比較的大きいの
で、一般に位相シフト法を使用する必要はないが、その
他のフォト工程では本発明の露光方法を用いた位相シフ
ト法を使用する。

【０１０５】特に、ゲート・フォト工程７Ｐ４に本発明
の露光方法を用いることにより、ゲート寸法のばらつき
の少ない微細ゲート加工を実現することができる。

【０１０６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。

【０１０７】前記実施例では、二つのフォトマスク（ま
たは二つのパターン領域）の一方にのみ位相シフタを形
成したが、双方に位相シフタを形成してもよい。

【０１０８】また、本発明の露光方法で用いるフォトマ
スク（またはパターン領域）は、三つまたはそれ以上で
あってもよい。すなわち、試料に転写するパターンを三
つまたはそれ以上のフォトマスクに分けて形成したり、
一つのフォトマスクの三つまたはそれ以上のパターン領
域に分けて形成したりしてもよい。

【０１０９】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【０１１０】(1) 試料に転写すべきパターンを、光透過
領域の一部に位相シフタを設けた第一のフォトマスク
と、第二のフォトマスクとに分けて形成し、上記第一の
フォトマスクの光透過領域を透過した光の位相差による
回折投影像と、上記第二のフォトマスクの光透過領域を
透過した光の投影像とを試料上で重ね合わせる本発明の
露光方法によれば、位相シフタを配置する場所の選定が
容易になり、位相シフト用フォトマスクのパターン設計
に要する時間および労力を著しく低減することができ
る。

【０１１１】(2) 試料に転写すべきパターンを、光透過
領域の一部に位相シフタを設けた第一のパターン領域
と、第二のパターン領域とに分けて形成し、上記第一の
パターン領域の光透過領域を透過した光の位相差による
回折投影像と、上記第二のパターン領域の光透過領域を
透過した光の投影像とを試料上で重ね合わせる本発明の
露光方法によれば、前記(1) と同様の効果を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である露光方法に用いる露光
装置の概略図である。

【図２】この実施例で用いる第一のフォトマスクの要部
断面図である。

【図３】この実施例で用いる第一のフォトマスクの要部
平面図である。

【図４】この実施例で用いる第二のフォトマスクの要部
断面図である。

【図５】この実施例で用いる第二のフォトマスクの要部
平面図である。

【図６】第一のフォトマスクを透過した直後の光の振幅
を示す図である。

【図７】試料上におけるこの光の強度を示す図である。

【図８】第二のフォトマスクを透過した直後の光の振幅
を示す図である。

【図９】試料上におけるこの光の強度を示す図である。

【図１０】試料上における合成光の強度を示す図であ
る。

【図１１】第一のフォトマスクの別例を示す要部断面図
である。

【図１２】本発明の他の実施例で用いる第一のフォトマ
スクの要部断面図である。

【図１３】同じく第一のフォトマスクの要部平面図であ
る。

【図１４】この実施例で用いる第二のフォトマスクの要
部断面図である。

【図１５】同じく第二のフォトマスクの要部平面図であ
る。

【図１６】第一のフォトマスクを透過した直後の光の振
幅を示す図である。

【図１７】試料上におけるこの光の強度を示す図であ
る。

【図１８】第二のフォトマスクを透過した直後の光の振
幅を示す図である。

【図１９】試料上におけるこの光の強度を示す図であ
る。

【図２０】試料上における合成光の強度を示す図であ
る。

【図２１】試料に転写されるパターンの一例を示す平面
図である。

【図２２】本発明の他の実施例で用いる第一のフォトマ
スクの要部平面図である。

【図２３】この実施例で用いる第二のフォトマスクの要
部平面図である。

【図２４】第一のフォトマスクの要部断面図である。

【図２５】第一のフォトマスクを透過した直後の光の振
幅を示す図である。

【図２６】試料上におけるこの光の強度を示す図であ
る。

【図２７】第二のフォトマスクの要部断面図である。

【図２８】第二のフォトマスクを透過した直後の光の振
幅を示す図である。

【図２９】試料上におけるこの光の強度を示す図であ
る。

【図３０】試料上における合成光の強度を示す図であ
る。

【図３１】第一のフォトマスクの別例を示す要部断面図
である。

【図３２】本発明の他の実施例で用いるフォトマスクの
要部平面図である。

【図３３】この実施例で用いるフォトマスクの第一のパ
ターン領域の要部平面図である。

【図３４】この実施例で用いるフォトマスクの第二のパ
ターン領域の要部平面図である。

【図３５】本発明の他の実施例である露光方法に用いる
露光装置の概略図である。

【図３６】半導体ウエハの平面図である。

【図３７】本発明の露光方法を用いたＣＭＯＳ−ＳＲＡ
Ｍの製造方法を示すウエハの要部断面図である。

【図３８】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図３９】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４０】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造プロセスの露
光プロセスを抽出し、フロー化して示した露光プロセス
・フロー図である。

【図４１】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４２】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４３】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４４】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４５】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４６】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４７】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭの製造方法を示すウ
エハの要部断面図である。

【図４８】このＣＭＯＳ−ＳＲＡＭのチップ単位でのレ
イアウトを示す平面図である。

【図４９】従来のフォトマスクの要部断面図である。

【図５０】このフォトマスクを透過した直後の光の振幅
を示す図である。

【図５１】ウエハ上におけるこの光の振幅を示す図であ
る。

【図５２】ウエハ上におけるこの光の強度を示す図であ
る。

【図５３】従来の位相シフト用フォトマスクの要部断面
図である。

【図５４】このフォトマスクを透過した直後の光の振幅
を示す図である。

【図５５】ウエハ上におけるこの光の振幅を示す図であ
る。

【図５６】ウエハ上におけるこの光の強度を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ 露光装置 ２ 光源 ３ 試料 ４ ビームエクスパンダ ５ ミラー ６ ミラー ７ ミラー ８ ミラー ９ ハーフミラー（またはビームスプリッタ） １０ レンズ １１ レンズ １２ 対物レンズ １３ 対物レンズ １４ ＸＹテーブル １５ 位相シフタ １６ シャッタ １７ アパーチャ １８ ショートカットフィルタ １９ マスクブラインド ２０ コンデンサレンズ ２１ 縮小投影レンズ ２２ マスク移動台 ２３ ウエハ吸着台 ２４ Ｚ軸移動台 ２５ Ｘ軸移動台 ２６ Ｙ軸移動台 ７２１ 半導体チップ ７２２ メモリセル・マット ７２３ 周辺回路 ７４１ 酸化珪素膜 ７４２ 多結晶シリコン膜 ７４２ａ 多結晶シリコン膜 ７５４ フォトレジスト膜 ７５４ａ フォトレジスト膜 ７６０ｎ ｎ型ウェル領域 ７６０ｐ ｐ型ウェル領域 ７６１ａ フィールド酸化膜 ７６１ｂ フィールド酸化膜 ７６１ｃ フィールド酸化膜 ７６２ｎ ゲート酸化膜 ７６２ｐ ゲート酸化膜 ７６３ｎ ゲート電極 ７６３ｐ ゲート電極 ７６４ｎ 高濃度ソース・ドレイン領域 ７６４ｐ 高濃度ソース・ドレイン領域 ７６５ 層間絶縁膜 ７６６ 多結晶シリコン配線 ７６６ｒ 多結晶シリコン高抵抗 ７６８ａ コンタクトホール ７６８ｂ コンタクトホール ７６８ｄ コンタクトホール ７６８ｅ コンタクトホール ７６８ｃ スルーホール ７６９ａ Ａｌ配線 ７６９ｂ Ａｌ配線 ７６９ｃ スルーホール ７６９ｄ Ａｌ配線 ７６９ｅ Ａｌ配線 ７７０ 層間絶縁膜 ７７１ａ Ａｌ配線 ７７１ｂ Ａｌ配線 ７７２ ファイナル・パッシベーション膜 Ａ₁ パターン領域 Ａ₂ パターン領域 Ｂ₁ 位置合わせマーク Ｂ₂ 位置合わせマーク Ｄ 回折投影像 Ｅ₁ 露光領域 Ｅ₂ 露光領域 Ｅ₃ 露光領域 Ｌ 光 Ｌ₁ 光 Ｌ₂ 光 Ｍ フォトマスク Ｍ₁ フォトマスク Ｍ₂ フォトマスク Ｎ 遮光領域 Ｎ₁ 遮光領域 Ｎ₂ 遮光領域 Ｐ 光透過領域 Ｐ₁ 光透過領域 Ｐ₂ 光透過領域

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 開口部の内部に設けられ、一辺が前記開
   口部を横切るように位相シフタが形成された第１の光透
   過領域と、位相シフタが形成されていない第２の光透過
   領域とを有する第１のフォトマスクを用いて、基体に、
   前記開口部および前記第１の光透過領域を透過した光と
   前記第２の光透過領域を透過した光との干渉の影を転写
   する工程と、 前記開口部および前記干渉の影に対応した領域が遮光さ
   れるように、前記開口部とほぼ同じ大きさの遮光部が設
   けられた第２のフォトマスクを通じて、前記基体に光を
   照射する工程とを有することを特徴とする半導体集積回
   路装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第１の光透過領域を透過する光の量
   と前記第２の光透過領域を透過する光の量とは、ほぼ等
   しいことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装
   置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記位相シフタは、前記フォトマスクを
   構成するマスク基板を掘り込むことによって形成されて
   いることを特徴とする請求項１または２記載の半導体集
   積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記位相シフタは、前記フォトマスクを
   構成するマスク基板上に形成されていることを特徴とす
   る請求項１または２記載の半導体集積回路装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記第１の光透過領域と前記第２の光透
   過領域とは、互いに隣接して設けられていることを特徴
   とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体集積
   回路装置の製造方法。