JP3230793B2 - セラミックス発熱体 - Google Patents
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
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- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、赤外線光源や電気炉
の発熱体として用いられるセラミックス発熱体に関す
る。
の発熱体として用いられるセラミックス発熱体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図３に、従来例として特開平５−２９６
８３３号公報に示されているような、セラミックスの抵
抗発熱体を示す。同図において、セラミックス発熱体１
０は、例えば水バインダー法を用いたファインセラミッ
クス粉末の押し出し成型法により得た珪化モリブデンの
細線をコイル状に巻取り、これを乾燥して真空乾燥炉で
焼成して発熱体としている。このコイル状セラミックス
細線１０の両端には、リード線１２ａ，１２ｂが接続さ
れ、該リード線１２ａ，１２ｂを介してコイル状セラミ
ックス細線１０に電流が供給されると、コイル状セラミ
ックス細線１０が発熱する。
８３３号公報に示されているような、セラミックスの抵
抗発熱体を示す。同図において、セラミックス発熱体１
０は、例えば水バインダー法を用いたファインセラミッ
クス粉末の押し出し成型法により得た珪化モリブデンの
細線をコイル状に巻取り、これを乾燥して真空乾燥炉で
焼成して発熱体としている。このコイル状セラミックス
細線１０の両端には、リード線１２ａ，１２ｂが接続さ
れ、該リード線１２ａ，１２ｂを介してコイル状セラミ
ックス細線１０に電流が供給されると、コイル状セラミ
ックス細線１０が発熱する。
【０００３】また、コイル状セラミックス細線１０は赤
外線の放射窓１４のある耐熱性のセラミックス（例えば
アルミナ）管１６内に配置され、セラミックス細線１０
と各リード線１２ａ，１２ｂの接続部は耐熱性接着剤１
８ａ，１８ｂによりセラミックス管１６内に固定されて
いる。従って、リード線１２ａ，１２ｂを介してコイル
状セラミックス細線１０に電流を供給されると、このコ
イル状セラミックス細線１０から放射される赤外線は放
射窓１４を介して出射することになる。
外線の放射窓１４のある耐熱性のセラミックス（例えば
アルミナ）管１６内に配置され、セラミックス細線１０
と各リード線１２ａ，１２ｂの接続部は耐熱性接着剤１
８ａ，１８ｂによりセラミックス管１６内に固定されて
いる。従って、リード線１２ａ，１２ｂを介してコイル
状セラミックス細線１０に電流を供給されると、このコ
イル状セラミックス細線１０から放射される赤外線は放
射窓１４を介して出射することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭｏＳｉ2
は酸化珪素の保護皮膜の生成能力による優れた耐酸化性
を示すため、大気中での高温炉用（例えば１７５０℃）
ヒータとして利用されている。従って、ガスタービン部
材等の高温構造材料としても注目され、材料評価されて
いる。
は酸化珪素の保護皮膜の生成能力による優れた耐酸化性
を示すため、大気中での高温炉用（例えば１７５０℃）
ヒータとして利用されている。従って、ガスタービン部
材等の高温構造材料としても注目され、材料評価されて
いる。
【０００５】しかし、ＭｏＳｉ2 は、室温での脆性と高
温度での低強度という問題から実現が難しい。また、材
料の物性値である比抵抗が０．０００３（Ωｃｍ）と小
さいため、高温（１３００℃）に発熱させるためには大
電流を必要とし、消費電力が増大するという問題があ
る。さらには、高温発熱状態での大電流により電磁力が
発生し、その電磁力による吸引力または反発力の発生
と、発熱による熱応力が発熱部に作用するためクリープ
変形が発生して破断してしまい、寿命が短くなるという
難点もある。
温度での低強度という問題から実現が難しい。また、材
料の物性値である比抵抗が０．０００３（Ωｃｍ）と小
さいため、高温（１３００℃）に発熱させるためには大
電流を必要とし、消費電力が増大するという問題があ
る。さらには、高温発熱状態での大電流により電磁力が
発生し、その電磁力による吸引力または反発力の発生
と、発熱による熱応力が発熱部に作用するためクリープ
変形が発生して破断してしまい、寿命が短くなるという
難点もある。
【０００６】消費電力については、このＭｏＳｉ2 の見
かけ上の抵抗値を上昇させる方法が各種提案されてお
り、その代表的な手段として細線化がある。しかしなが
ら、一般的なＭｏＳｉ2 発熱体の作製方法は、ＭｏＳｉ
2 粉末を焼成するものであるため、細線化はもとより小
型化も到底不可能とされている。これは、焼成法そのも
のが細線化に適していないことが大きな要因となってお
り、細線化してもある程度の大きさになってしまい、抵
抗値を大きくできずに大電流を要求されてしまう。
かけ上の抵抗値を上昇させる方法が各種提案されてお
り、その代表的な手段として細線化がある。しかしなが
ら、一般的なＭｏＳｉ2 発熱体の作製方法は、ＭｏＳｉ
2 粉末を焼成するものであるため、細線化はもとより小
型化も到底不可能とされている。これは、焼成法そのも
のが細線化に適していないことが大きな要因となってお
り、細線化してもある程度の大きさになってしまい、抵
抗値を大きくできずに大電流を要求されてしまう。
【０００７】また、焼成後に機械的加工を行なうにして
も、セラミックスは本質的に脆いため、光源として使用
し得るほどの細径に加工することは不可能であり、セラ
ミックスを用いて１０００℃以上の高温度発熱体または
赤外線光源体の開発を行なうことは極めて困難とされて
いる。したがって、この発明の課題はＭｏＳｉ2 の優れ
た耐酸化性を利用して高温強度を持たせ、微小化を可能
として長寿命化と低消費電力化を図ることにある。
も、セラミックスは本質的に脆いため、光源として使用
し得るほどの細径に加工することは不可能であり、セラ
ミックスを用いて１０００℃以上の高温度発熱体または
赤外線光源体の開発を行なうことは極めて困難とされて
いる。したがって、この発明の課題はＭｏＳｉ2 の優れ
た耐酸化性を利用して高温強度を持たせ、微小化を可能
として長寿命化と低消費電力化を図ることにある。
【０００８】 このような課題を解決するため、請求項
１の発明では、ＳｉＣウイスカーが３〜４０容量％で残
部が実質的にＭｏＳｉ 2 からなる複合セラミックス材に
て発熱部を形成するとともに、その両端に電極部を設け
てなるセラミックス発熱体において、前記ＳｉＣウイス
カーの平均直径，および平均長さをそれぞれ０．２〜
１．０μｍ，２〜５０μｍ、より好ましくは０．４〜
０．９μｍ，１０〜４０μｍとし、かつ前記ＳｉＣウイ
スカーの５０％以上をα型の結晶構造、または成長方向
に積層欠陥（不整）を持つβ型の結晶構造、すなわちＸ
線回折パターンにおいて２θ＝３３．６°のピークが出
て、２θ＝４１．４°のピークが現れないβ型の結晶構
造を持つものとすることを特徴としている。
１の発明では、ＳｉＣウイスカーが３〜４０容量％で残
部が実質的にＭｏＳｉ 2 からなる複合セラミックス材に
て発熱部を形成するとともに、その両端に電極部を設け
てなるセラミックス発熱体において、前記ＳｉＣウイス
カーの平均直径，および平均長さをそれぞれ０．２〜
１．０μｍ，２〜５０μｍ、より好ましくは０．４〜
０．９μｍ，１０〜４０μｍとし、かつ前記ＳｉＣウイ
スカーの５０％以上をα型の結晶構造、または成長方向
に積層欠陥（不整）を持つβ型の結晶構造、すなわちＸ
線回折パターンにおいて２θ＝３３．６°のピークが出
て、２θ＝４１．４°のピークが現れないβ型の結晶構
造を持つものとすることを特徴としている。
【０００９】 請求項２の発明では、ＳｉＣウイスカー
が３〜４０容量％で残部が実質的にＭｏＳｉ 2 からなる
複合セラミックス材にて発熱部を形成するとともに、そ
の両端に電極部を設けてなるセラミックス発熱体におい
て、前記ＳｉＣウイスカーの平均直径，および平均長さ
をそれぞれ０．２〜１．０μｍ，２〜５０μｍ、より好
ましくは０．４〜０．９μｍ，１０〜４０μｍとし、か
つ前記ＳｉＣウイスカーの８０％以上をα型の結晶構
造、または成長方向に積層欠陥（不整）を持つβ型の結
晶構造、すなわちＸ線回折パターンにおいて２θ＝３
３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピークが
現れないβ型の結晶構造を持つものとすることを特徴と
している。
が３〜４０容量％で残部が実質的にＭｏＳｉ 2 からなる
複合セラミックス材にて発熱部を形成するとともに、そ
の両端に電極部を設けてなるセラミックス発熱体におい
て、前記ＳｉＣウイスカーの平均直径，および平均長さ
をそれぞれ０．２〜１．０μｍ，２〜５０μｍ、より好
ましくは０．４〜０．９μｍ，１０〜４０μｍとし、か
つ前記ＳｉＣウイスカーの８０％以上をα型の結晶構
造、または成長方向に積層欠陥（不整）を持つβ型の結
晶構造、すなわちＸ線回折パターンにおいて２θ＝３
３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピークが
現れないβ型の結晶構造を持つものとすることを特徴と
している。
【００１０】 上記請求項１または２の発明において
は、前記ＭｏＳｉ 2 のマトリックスがＳｉ 3 Ｎ 4 、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ 2 、ＺｒＢ 2 、Ｈｆ
Ｂ 2 、ＺｒＯ 2 、ＨｆＯ 2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ 2 Ｂ、Ｍ
ｏ 2 Ｂ 5 、ＷＢ、Ｗ 2 Ｂ、ＷＢ 2 、Ｗ 2 Ｂ 5 の中から選ばれる
第２相、または第３相で分散強化されていることができ
（請求項３の発明）、請求項３の発明においては、前記
分散強化された第２相または第３相の和が、ＭｏＳｉ 2
のマトリックスの３０％容量以内であることができる
（請求項４の発明）。
は、前記ＭｏＳｉ 2 のマトリックスがＳｉ 3 Ｎ 4 、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ 2 、ＺｒＢ 2 、Ｈｆ
Ｂ 2 、ＺｒＯ 2 、ＨｆＯ 2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ 2 Ｂ、Ｍ
ｏ 2 Ｂ 5 、ＷＢ、Ｗ 2 Ｂ、ＷＢ 2 、Ｗ 2 Ｂ 5 の中から選ばれる
第２相、または第３相で分散強化されていることができ
（請求項３の発明）、請求項３の発明においては、前記
分散強化された第２相または第３相の和が、ＭｏＳｉ 2
のマトリックスの３０％容量以内であることができる
（請求項４の発明）。
【００１１】 また、請求項３または４の発明において
は、前記分散強化された第２相がＭｏＢまたはＷＢであ
ることができ（請求項５の発明）、この請求項５の発明
においては、前記分散強化された第２相のＭｏＢまたは
ＷＢを全体の１０％容量とすることができる（請求項６
の発明）。上記請求項１ないし６の発明においては、前
記発熱体の両端に白金線を溶融接合した電極部を持つこ
とができる（請求項７の発明）。
は、前記分散強化された第２相がＭｏＢまたはＷＢであ
ることができ（請求項５の発明）、この請求項５の発明
においては、前記分散強化された第２相のＭｏＢまたは
ＷＢを全体の１０％容量とすることができる（請求項６
の発明）。上記請求項１ないし６の発明においては、前
記発熱体の両端に白金線を溶融接合した電極部を持つこ
とができる（請求項７の発明）。
【００１２】
【作用】二珪化モリブデン系セラミックスにＳｉＣウイ
スカーを混合して二珪化モリブデン系複合セラミックス
とすることにより、優れた耐酸化性を生かしつつ高温強
度を持たせ、微小化を可能として長寿命化と低消費電力
化を達成する。ＳｉＣウイスカーとしては、機械的強度
を強化する観点からＳｉＣウイスカー自身の破壊強度の
高いもの、基本的にはα型結晶型のものか、またはβ型
でも成長方向に積層欠陥を持つものを選択し、また、ウ
イスカー径や長さも破壊靱性（靭性）の向上と内部の欠
陥確率の観点から、適当なものを選択する。さらに、Ｍ
ｏＳｉ2 系マトリックスとしては、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、ＺｒＢ2 、Ｈ
ｆＢ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2
Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、ＷＢ2 、Ｗ2 Ｂ5 等の
ＭｏＳｉ2 の特性を阻害しない強化用の第２相または第
３相を同時に複合し、マトリックスの強化を図ることが
できる。
スカーを混合して二珪化モリブデン系複合セラミックス
とすることにより、優れた耐酸化性を生かしつつ高温強
度を持たせ、微小化を可能として長寿命化と低消費電力
化を達成する。ＳｉＣウイスカーとしては、機械的強度
を強化する観点からＳｉＣウイスカー自身の破壊強度の
高いもの、基本的にはα型結晶型のものか、またはβ型
でも成長方向に積層欠陥を持つものを選択し、また、ウ
イスカー径や長さも破壊靱性（靭性）の向上と内部の欠
陥確率の観点から、適当なものを選択する。さらに、Ｍ
ｏＳｉ2 系マトリックスとしては、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｔｉ
Ｃ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、ＺｒＢ2 、Ｈ
ｆＢ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2
Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、ＷＢ2 、Ｗ2 Ｂ5 等の
ＭｏＳｉ2 の特性を阻害しない強化用の第２相または第
３相を同時に複合し、マトリックスの強化を図ることが
できる。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明の実施例を示す構成図であ
る。同図において、１は炭化珪素（ＳｉＣ）ウイスカー
強化二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ2 ）系複合セラミック
スからなるサーペン状（Ｓ字形）セラミックス発熱体
で、このサーペン状セラミックス発熱体１の両端には白
金からなるリード線２ａ，２ｂが溶接されて電極を形成
している。３は例えばアルミナからなるセラミックス管
で、サーペン状セラミックス発熱体１は耐熱性接着材４
によって固定されている。従って、リード線２ａ，２ｂ
を介してサーペン状セラミックス発熱体１に電流が供給
されると、サーペン状セラミックス発熱体１が発熱し、
赤外線を放射する。
る。同図において、１は炭化珪素（ＳｉＣ）ウイスカー
強化二珪化モリブデン（ＭｏＳｉ2 ）系複合セラミック
スからなるサーペン状（Ｓ字形）セラミックス発熱体
で、このサーペン状セラミックス発熱体１の両端には白
金からなるリード線２ａ，２ｂが溶接されて電極を形成
している。３は例えばアルミナからなるセラミックス管
で、サーペン状セラミックス発熱体１は耐熱性接着材４
によって固定されている。従って、リード線２ａ，２ｂ
を介してサーペン状セラミックス発熱体１に電流が供給
されると、サーペン状セラミックス発熱体１が発熱し、
赤外線を放射する。
【００１４】ここで用いられるサーペン状セラミックス
発熱体１の材料としては、できるだけ緻密な複合セラミ
ックスに焼結するため、（１）平均粒径２μｍ以下のＭ
ｏＳｉ2 と、（２）平均直径および平均長さがそれぞれ
０．２〜１．０μｍ、および２〜５０μｍで、かつ５０
％以上がα型（六方晶）の結晶構造、または成長方向に
積層欠陥（不整）を持つβ型（立方晶）の結晶構造を有
するもの、つまり、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝
３３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピーク
が現れないβ型（立方晶）の結晶構造を有するＳｉＣウ
イスカー（直径が数μｍ、長さが数十μｍ〜数ｍｍの線
状結晶のこと）とを含有する原料粉末を用い、１４００
〜１８５０℃、５０〜５００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、１
０分〜５時間の加圧焼結を行なうことで製造される。こ
の焼結体から表面研磨によって薄いペレット状にし、例
えばワイヤカットなどの精密加工手段によってサーペン
状に成型する。
発熱体１の材料としては、できるだけ緻密な複合セラミ
ックスに焼結するため、（１）平均粒径２μｍ以下のＭ
ｏＳｉ2 と、（２）平均直径および平均長さがそれぞれ
０．２〜１．０μｍ、および２〜５０μｍで、かつ５０
％以上がα型（六方晶）の結晶構造、または成長方向に
積層欠陥（不整）を持つβ型（立方晶）の結晶構造を有
するもの、つまり、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝
３３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピーク
が現れないβ型（立方晶）の結晶構造を有するＳｉＣウ
イスカー（直径が数μｍ、長さが数十μｍ〜数ｍｍの線
状結晶のこと）とを含有する原料粉末を用い、１４００
〜１８５０℃、５０〜５００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で、１
０分〜５時間の加圧焼結を行なうことで製造される。こ
の焼結体から表面研磨によって薄いペレット状にし、例
えばワイヤカットなどの精密加工手段によってサーペン
状に成型する。
【００１５】上記ＭｏＳｉ2 系のマトリックスとして
は、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、Ｔ
ｉＢ2 、ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、Ｓ
ｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、
ＷＢ2 、Ｗ2 Ｂ5 などのＭｏＳｉ2 の特性を阻害しない
強化用の第２相または第３相を加える場合も、それらの
原料粉末を２μｍ以下とする。
は、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、Ｔ
ｉＢ2 、ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、Ｓ
ｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、
ＷＢ2 、Ｗ2 Ｂ5 などのＭｏＳｉ2 の特性を阻害しない
強化用の第２相または第３相を加える場合も、それらの
原料粉末を２μｍ以下とする。
【００１６】ＳｉＣウイスカーの平均直径が０．２μｍ
未満では、靱性（靭性）と強度の向上が十分ではなく、
また、１．０μｍより大きいものを用いると、導入され
る欠陥密度が高くなり強度が劣るようになる。また、Ｓ
ｉＣウイスカーの平均長さが２μｍ未満であると、ウイ
スカーによる強度の向上が十分とならない。一方、平均
長さが５０μｍを越えると、焼結体中に欠陥を導入する
確率が高くなり、これにより複合体の強度が低下する。
以上のことから、好ましくは平均直径が０．４μｍ〜
０．９μｍ程度で、平均長さが１０〜４０μｍ程度のＳ
ｉＣウイスカーを用いるのが良い。
未満では、靱性（靭性）と強度の向上が十分ではなく、
また、１．０μｍより大きいものを用いると、導入され
る欠陥密度が高くなり強度が劣るようになる。また、Ｓ
ｉＣウイスカーの平均長さが２μｍ未満であると、ウイ
スカーによる強度の向上が十分とならない。一方、平均
長さが５０μｍを越えると、焼結体中に欠陥を導入する
確率が高くなり、これにより複合体の強度が低下する。
以上のことから、好ましくは平均直径が０．４μｍ〜
０．９μｍ程度で、平均長さが１０〜４０μｍ程度のＳ
ｉＣウイスカーを用いるのが良い。
【００１７】また、ここで用いるＳｉＣウイスカーのう
ち、少なくとも５０％以上がα型の結晶構造、または成
長方向に積層欠陥（不整）を持つβ型の結晶構造を有す
るもの、すなわち、Ｘ線回折パターンにおいて２θ＝３
３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピークが
現れないβ型の結晶構造からなるものとする。ただし、
α型の結晶構造、またはＸ線回折パターンにおいて２θ
＝３３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピー
クが現れないβ型の結晶構造を有するＳｉＣウイスカー
が５０％未満であると、複合セラミックスの靱性（靭
性）および強度の向上が見られない。そこで、好ましく
はＳｉＣウイスカーの８０％以上をα型の結晶構造、ま
たはＸ線回折パターンにおいて２θ＝３３．６°のピー
クが出て、２θ＝４１．４°のピークが現れないβ型の
ものとする。
ち、少なくとも５０％以上がα型の結晶構造、または成
長方向に積層欠陥（不整）を持つβ型の結晶構造を有す
るもの、すなわち、Ｘ線回折パターンにおいて２θ＝３
３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピークが
現れないβ型の結晶構造からなるものとする。ただし、
α型の結晶構造、またはＸ線回折パターンにおいて２θ
＝３３．６°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピー
クが現れないβ型の結晶構造を有するＳｉＣウイスカー
が５０％未満であると、複合セラミックスの靱性（靭
性）および強度の向上が見られない。そこで、好ましく
はＳｉＣウイスカーの８０％以上をα型の結晶構造、ま
たはＸ線回折パターンにおいて２θ＝３３．６°のピー
クが出て、２θ＝４１．４°のピークが現れないβ型の
ものとする。
【００１８】ＭｏＳｉ2 系マトリックスとしては、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、
ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、ＳｉＣ、Ｍ
ｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、ＷＢ2 、
Ｗ2 Ｂ5 等のＭｏＳｉ2 の特性を阻害しない強化用の第
２相または第３相を同時に複合し、マトリックスの強化
を図ることができる。なお、これらの第２相または第３
相の容量％は、ＭｏＳｉ2 マトリックスの３０容量％以
内とすることが望ましい。
3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、
ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、ＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、ＳｉＣ、Ｍ
ｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、ＷＢ2 、
Ｗ2 Ｂ5 等のＭｏＳｉ2 の特性を阻害しない強化用の第
２相または第３相を同時に複合し、マトリックスの強化
を図ることができる。なお、これらの第２相または第３
相の容量％は、ＭｏＳｉ2 マトリックスの３０容量％以
内とすることが望ましい。
【００１９】これらマトリックスの原料粉末、すなわち
ＭｏＳｉ2 を含め、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、Ｈｆ
Ｃ、ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＨｆＯ2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ
5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、ＷＢ2 、Ｗ2Ｂ5 等は緻密質の焼結
体を得る観点から、平均粒径を２μｍ以下とする。つま
り、２μｍ以上の原料粉末を用いると、複合セラミック
スで焼結する緻密化する前に粒成長し、機械的強度に劣
るようになる。好ましくは、特にＭｏＳｉ2 において平
均粒径を１μｍ以下の原料粉末を用いるのが良い。
ＭｏＳｉ2 を含め、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、Ｈｆ
Ｃ、ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＨｆＯ2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ
5 、ＷＢ、Ｗ2 Ｂ、ＷＢ2 、Ｗ2Ｂ5 等は緻密質の焼結
体を得る観点から、平均粒径を２μｍ以下とする。つま
り、２μｍ以上の原料粉末を用いると、複合セラミック
スで焼結する緻密化する前に粒成長し、機械的強度に劣
るようになる。好ましくは、特にＭｏＳｉ2 において平
均粒径を１μｍ以下の原料粉末を用いるのが良い。
【００２０】各成分の配合は以下の通りである。ＭｏＳ
ｉ2 系セラミックスおよびＳｉＣウイスカーの合計を１
００容量％とすると、ＳｉＣウイスカーを３〜４０容量
％、残部をＭｏＳｉ2 系セラミックスとする。ＳｉＣウ
イスカーの量が３％未満では、複合セラミックスの靱性
および強度の向上が十分でない。また、４０容量％を越
す量のＳｉＣウイスカーを配合すると、逆に焼結体中に
欠陥が導入され強度が低下する。
ｉ2 系セラミックスおよびＳｉＣウイスカーの合計を１
００容量％とすると、ＳｉＣウイスカーを３〜４０容量
％、残部をＭｏＳｉ2 系セラミックスとする。ＳｉＣウ
イスカーの量が３％未満では、複合セラミックスの靱性
および強度の向上が十分でない。また、４０容量％を越
す量のＳｉＣウイスカーを配合すると、逆に焼結体中に
欠陥が導入され強度が低下する。
【００２１】次に、ＭｏＳｉ2 −ＳｉＣウイスカー複合
セラミックスの製造方法について説明する。まず、原料
となるＭｏＳｉ2 （および第２相または第３相を同時に
複合する場合はＳｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、
ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、ＺｒＯ2 、Ｈ
ｆＯ2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、Ｗ
Ｂ、Ｗ 2 Ｂ、ＷＢ2 、Ｗ2 Ｂ5 等を含む）、および上述
した規格のＳｉＣウイスカーを所定量とり、これを混合
する。
セラミックスの製造方法について説明する。まず、原料
となるＭｏＳｉ2 （および第２相または第３相を同時に
複合する場合はＳｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、
ＴｉＢ、ＴｉＢ2 、ＺｒＢ2 、ＨｆＢ2 、ＺｒＯ2 、Ｈ
ｆＯ2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ2 Ｂ、Ｍｏ2 Ｂ5 、Ｗ
Ｂ、Ｗ 2 Ｂ、ＷＢ2 、Ｗ2 Ｂ5 等を含む）、および上述
した規格のＳｉＣウイスカーを所定量とり、これを混合
する。
【００２２】混合は、ボールミル等により十分に（例え
ば４８時間以上）行なうのが良い。平均粒径が２μｍ以
上ある原料粉から始めるときは、最初にこれらの原料粉
をアトライタ等で十分粉砕し、その後ＳｉＣウイスカー
を加え、ボールミルで混合しても良い。次に、得られた
混合粉を乾燥後、所望の形状の型に入れ、５０〜５００
Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加えながら、１４００〜１８５０
℃で１０分〜５時間の加圧焼結を行なう。
ば４８時間以上）行なうのが良い。平均粒径が２μｍ以
上ある原料粉から始めるときは、最初にこれらの原料粉
をアトライタ等で十分粉砕し、その後ＳｉＣウイスカー
を加え、ボールミルで混合しても良い。次に、得られた
混合粉を乾燥後、所望の形状の型に入れ、５０〜５００
Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力を加えながら、１４００〜１８５０
℃で１０分〜５時間の加圧焼結を行なう。
【００２３】圧力が５０Ｋｇ／ｃｍ2 未満の焼結では、
十分に緻密化せず向上した機械的強度が得られない。ま
た、圧力が５００Ｋｇ／ｃｍ2 を越えても効果に差がな
いので、上限を５００Ｋｇ／ｃｍ2 とする。一方、焼結
温度については、１４００℃未満では複合セラミックス
の緻密化が達成できない。また、１８５０℃を越す温度
で焼結すると、ＭｏＳｉ2 が不純物と反応して融点を下
げ、バブリング現象を起こし緻密な焼結体を得ることが
できない。また、焼結時間を１０分未満とすると、複合
セラミックスの緻密化が達成できず、５時間を越す焼結
時間は実用的ではないので、上限を５時間とする。
十分に緻密化せず向上した機械的強度が得られない。ま
た、圧力が５００Ｋｇ／ｃｍ2 を越えても効果に差がな
いので、上限を５００Ｋｇ／ｃｍ2 とする。一方、焼結
温度については、１４００℃未満では複合セラミックス
の緻密化が達成できない。また、１８５０℃を越す温度
で焼結すると、ＭｏＳｉ2 が不純物と反応して融点を下
げ、バブリング現象を起こし緻密な焼結体を得ることが
できない。また、焼結時間を１０分未満とすると、複合
セラミックスの緻密化が達成できず、５時間を越す焼結
時間は実用的ではないので、上限を５時間とする。
【００２４】ここで、第１の実施例について具体的に説
明する。純度９９％、平均粒径が０．８μｍのＭｏＳｉ
2 粉末を７５容量％、平均直径０．５μｍ、平均長さが
３０μｍ、α型の結晶の比率（α／（α＋β））が８５
％のＳｉＣウイスカーが２５容量％となるように配合し
た混合粉をボールミルで７２時間湿式混合し、これを乾
燥させた。得られた混合粉を用い、アルゴンガス気流
中、３００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力をかけながら１７００℃
で１時間加圧焼結し５０φ×５ｍｍの焼結体を得た。
明する。純度９９％、平均粒径が０．８μｍのＭｏＳｉ
2 粉末を７５容量％、平均直径０．５μｍ、平均長さが
３０μｍ、α型の結晶の比率（α／（α＋β））が８５
％のＳｉＣウイスカーが２５容量％となるように配合し
た混合粉をボールミルで７２時間湿式混合し、これを乾
燥させた。得られた混合粉を用い、アルゴンガス気流
中、３００Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力をかけながら１７００℃
で１時間加圧焼結し５０φ×５ｍｍの焼結体を得た。
【００２５】得られた焼結体から、３×４×４０ｍｍの
試験片、および１．５×４×２５ｍｍの試験片を採取
し、３×４×４０ｍｍの試験片では３点曲げ試験（スパ
ン３０ｍｍ、クロスヘッド速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ）お
よび破壊靱性試験（新原の式によるインデンテーション
法）を、また、１．５×４×２５ｍｍの試験片では０．
１μｍまで測定できる歪計を用い、０．０３ｍｍ／ｍｉ
ｎのクロスヘッド速度、上スパン１０ｍｍ、下スパン２
０ｍｍの４点曲げ試験を室温、１０００℃、および１３
００℃で行ない、荷重／変位曲線から荷重５Ｎでの変位
量とヤング率を測定した。その結果を表１に示す。
試験片、および１．５×４×２５ｍｍの試験片を採取
し、３×４×４０ｍｍの試験片では３点曲げ試験（スパ
ン３０ｍｍ、クロスヘッド速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ）お
よび破壊靱性試験（新原の式によるインデンテーション
法）を、また、１．５×４×２５ｍｍの試験片では０．
１μｍまで測定できる歪計を用い、０．０３ｍｍ／ｍｉ
ｎのクロスヘッド速度、上スパン１０ｍｍ、下スパン２
０ｍｍの４点曲げ試験を室温、１０００℃、および１３
００℃で行ない、荷重／変位曲線から荷重５Ｎでの変位
量とヤング率を測定した。その結果を表１に示す。
【表１】
【００２６】表１には、純度９９％、平均粒径が０．８
μｍのＭｏＳｉ2 粉末のみで、上記と同様の焼結体を製
作し、強度，破壊靱性，変位量，ヤング率等の測定を行
なった結果を併記している。この表１からも明らかなよ
うに、この発明によるものの方がほぼ２倍の強度を持つ
ことが分かる。なお、この発明によるサーペン状セラミ
ックス発熱体は、上記の製造方法により製作される５０
φ×５ｍｍの焼結体を研磨して薄い板材（例えば１ｍ
ｍ）とし、この板からワイヤ放電加工のような精密加工
手段によって所望の形状に成形して構成される。
μｍのＭｏＳｉ2 粉末のみで、上記と同様の焼結体を製
作し、強度，破壊靱性，変位量，ヤング率等の測定を行
なった結果を併記している。この表１からも明らかなよ
うに、この発明によるものの方がほぼ２倍の強度を持つ
ことが分かる。なお、この発明によるサーペン状セラミ
ックス発熱体は、上記の製造方法により製作される５０
φ×５ｍｍの焼結体を研磨して薄い板材（例えば１ｍ
ｍ）とし、この板からワイヤ放電加工のような精密加工
手段によって所望の形状に成形して構成される。
【００２７】図２に発熱体の具体例を示す。各寸法は、
ａ＝０．２５ｍｍ、ｂ＝０．３ｍｍ、Ｈ＝１８ｍｍ、Ｌ
＝３．５ｍｍ、ｔ＝０．３ｍｍとなっており、この発熱
体を１３００℃に発熱させたときの消費電力は１２〜１
４Ｗとなる。板材の厚みを小さくし、精密加工により小
型の発熱体を形成することで大きな抵抗値を持つことに
なり、高温度で低消費電力の赤外線光源として使用する
ことが可能となる。
ａ＝０．２５ｍｍ、ｂ＝０．３ｍｍ、Ｈ＝１８ｍｍ、Ｌ
＝３．５ｍｍ、ｔ＝０．３ｍｍとなっており、この発熱
体を１３００℃に発熱させたときの消費電力は１２〜１
４Ｗとなる。板材の厚みを小さくし、精密加工により小
型の発熱体を形成することで大きな抵抗値を持つことに
なり、高温度で低消費電力の赤外線光源として使用する
ことが可能となる。
【００２８】また、材料においてもＭｏＳｉ2 の特性を
阻害しないウイスカーを複合するため、優れた耐酸化
性、１６００℃付近まで発熱可能という特性を損なうこ
となく機械的強度が高められ、耐変形性が向上するの
で、高寿命の赤外線光源を提供することができる。さら
に、放電加工等の精密加工が可能なので、小型化や複雑
形状の発熱体を容易に製作可能となる。
阻害しないウイスカーを複合するため、優れた耐酸化
性、１６００℃付近まで発熱可能という特性を損なうこ
となく機械的強度が高められ、耐変形性が向上するの
で、高寿命の赤外線光源を提供することができる。さら
に、放電加工等の精密加工が可能なので、小型化や複雑
形状の発熱体を容易に製作可能となる。
【００２９】図１において、発熱体１に設けた電極２
ａ，２ｂを、白金線と溶融接合することで、発熱体材料
であるＭｏＳｉ2 −ＳｉＣウイスカー複合セラミックス
のシリコン（Ｓｉ）と白金（Ｐｔ）が接触反応してプラ
チナシリサイドを形成し、リード部を成すようにする。
プラチナシリサイドの融点は１０００℃と非常に高いた
め、抵抗発熱体のリード部として非常に信頼性の高いも
のとなる利点がある。
ａ，２ｂを、白金線と溶融接合することで、発熱体材料
であるＭｏＳｉ2 −ＳｉＣウイスカー複合セラミックス
のシリコン（Ｓｉ）と白金（Ｐｔ）が接触反応してプラ
チナシリサイドを形成し、リード部を成すようにする。
プラチナシリサイドの融点は１０００℃と非常に高いた
め、抵抗発熱体のリード部として非常に信頼性の高いも
のとなる利点がある。
【００３０】第２の実施例として、平均直径０．８μ
ｍ、平均長さが２０μｍでＸ線回折パターンにおいて、
２θ＝３３．６°のピークが出て２θ＝４１．４°のピ
ークが現れないβ型の結晶構造を有するＳｉＣウイスカ
ーを用いる外は、上記第１実施例と同様にして複合セラ
ミックスを作製した。この複合セラミックスに対し、上
記具体例と同様に強度，破壊靱性，変位量およびヤング
率を測定した。その結果を表２に示す。
ｍ、平均長さが２０μｍでＸ線回折パターンにおいて、
２θ＝３３．６°のピークが出て２θ＝４１．４°のピ
ークが現れないβ型の結晶構造を有するＳｉＣウイスカ
ーを用いる外は、上記第１実施例と同様にして複合セラ
ミックスを作製した。この複合セラミックスに対し、上
記具体例と同様に強度，破壊靱性，変位量およびヤング
率を測定した。その結果を表２に示す。
【表２】
【００３１】第３の実施例として純度９８％、平均粒径
１．２μｍのＭｏＢ粉末、または純度９９％、平均粒径
０．９μｍのＷＢ粉末を用いて粒子分散強化したＭｏＳ
ｉ2マトリックスについても、上記第１実施例と同様に
してＳｉＣウイスカー強化複合セラミックスを作製し
た。ここで、ＭｏＢまたはＷＢの配合量を１０容量％、
ＳｉＣウイスカーは２５容量％とした。したがって、Ｍ
ｏＳｉ2 は６５容量％となる。
１．２μｍのＭｏＢ粉末、または純度９９％、平均粒径
０．９μｍのＷＢ粉末を用いて粒子分散強化したＭｏＳ
ｉ2マトリックスについても、上記第１実施例と同様に
してＳｉＣウイスカー強化複合セラミックスを作製し
た。ここで、ＭｏＢまたはＷＢの配合量を１０容量％、
ＳｉＣウイスカーは２５容量％とした。したがって、Ｍ
ｏＳｉ2 は６５容量％となる。
【００３２】その特性値も第１実施例と同様、強度，破
壊靱性，変位量およびヤング率を測定した。また、比較
のため、ＳｉＣウイスカーを配合しない粒子分散強化し
たＭｏＳｉ2 複合セラミックスについても同様に作製
し、同様の評価を行なった結果を表３に示す。
壊靱性，変位量およびヤング率を測定した。また、比較
のため、ＳｉＣウイスカーを配合しない粒子分散強化し
たＭｏＳｉ2 複合セラミックスについても同様に作製
し、同様の評価を行なった結果を表３に示す。
【表３】
【００３３】さらに、ＳｉＣウイスカーの平均直径、結
晶型の比率およびＳｉＣウイスカーの配合量を表４のよ
うにした外は、第３実施例と同様にしてＭｏＳｉ2 ／Ｍ
ｏＢ／ＳｉＣウイスカー複合セラミックスを作製した。
得られた複合セラミックスについて、第１実施例と同様
の３点曲げ試験と破壊靱性試験を行なった。
晶型の比率およびＳｉＣウイスカーの配合量を表４のよ
うにした外は、第３実施例と同様にしてＭｏＳｉ2 ／Ｍ
ｏＢ／ＳｉＣウイスカー複合セラミックスを作製した。
得られた複合セラミックスについて、第１実施例と同様
の３点曲げ試験と破壊靱性試験を行なった。
【表４】
【００３４】加えて、加圧焼結する以外は第１実施例と
同じようにして（第１実施例と同一の組成）、複合セラ
ミックスを作製した。得られた複合セラミックスについ
て、第１実施例と同様の３点曲げ試験と破壊靱性試験を
行なった。これらの結果を表５に示す。
同じようにして（第１実施例と同一の組成）、複合セラ
ミックスを作製した。得られた複合セラミックスについ
て、第１実施例と同様の３点曲げ試験と破壊靱性試験を
行なった。これらの結果を表５に示す。
【表５】
【００３５】なお、上記では主として赤外線光源を想定
して説明したが、この発明はこれに限らず、例えば電気
炉の発熱体としても用いることができる。すなわち、従
来酸化雰囲気中で使用可能な電気炉は、その発熱体の関
係から或る程度大型化せざるを得なかったが、この発明
にかかるセラミックス発熱体を用いることにより、超小
型の電気炉とすることが可能となる。
して説明したが、この発明はこれに限らず、例えば電気
炉の発熱体としても用いることができる。すなわち、従
来酸化雰囲気中で使用可能な電気炉は、その発熱体の関
係から或る程度大型化せざるを得なかったが、この発明
にかかるセラミックス発熱体を用いることにより、超小
型の電気炉とすることが可能となる。
【００３６】
【発明の効果】この発明によれば、二珪化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）と炭化珪素（ＳｉＣ）のウイスカーとを
用いることにより、優れた発熱特性，耐酸化性，耐変形
性を持ち低消費電力、微小で長寿命のセラミックス発熱
体を得ることができる。また、二珪化モリプデン系複合
セラミックスには白金線を溶融接合することができ、こ
の接合部の融点が１０００℃と非常に高いため、非常に
信頼性の高い接続部を形成することができる。
（ＭｏＳｉ2 ）と炭化珪素（ＳｉＣ）のウイスカーとを
用いることにより、優れた発熱特性，耐酸化性，耐変形
性を持ち低消費電力、微小で長寿命のセラミックス発熱
体を得ることができる。また、二珪化モリプデン系複合
セラミックスには白金線を溶融接合することができ、こ
の接合部の融点が１０００℃と非常に高いため、非常に
信頼性の高い接続部を形成することができる。
【図１】この発明の実施例を示す構成図である。
【図２】発熱体の具体例を説明する説明図である。
【図３】従来装置を示す構成図である。
１…サーペン状セラミックス発熱体、２ａ，２ｂ…電
極、３…セラミックス（アルミナ）管、４…耐熱性接着
材。
極、３…セラミックス（アルミナ）管、４…耐熱性接着
材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南雲 睦 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 宇野 正裕 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 山下 洋市 埼玉県熊谷市末広４−14−１ 株式会社 リケン 熊谷事業所内 (72)発明者 江 莞 埼玉県熊谷市末広４−14−１ 株式会社 リケン 熊谷事業所内 (72)発明者 内山 哲夫 埼玉県熊谷市末広４−14−１ 株式会社 リケン 熊谷事業所内 (72)発明者 辻 健一 埼玉県熊谷市末広４−14−１ 株式会社 リケン 熊谷事業所内 (56)参考文献 特開 昭62−230675（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−252973（ＪＰ，Ａ) 特許2687972（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/58,35/80,35/81 H05B 3/14
Claims (7)
- 【請求項１】 ＳｉＣウイスカーが３〜４０容量％で残
部が実質的にＭｏＳｉ 2 からなる複合セラミックス材に
て発熱部を形成するとともに、その両端に電極部を設け
てなるセラミックス発熱体において、 前記ＳｉＣウイスカーの平均直径，および平均長さをそ
れぞれ０．２〜１．０μｍ，２〜５０μｍ、より好まし
くは０．４〜０．９μｍ，１０〜４０μｍとし、かつ前
記ＳｉＣウイスカーの５０％以上をα型の結晶構造、ま
たは成長方向に積層欠陥（不整）を持つβ型の結晶構
造、すなわちＸ線回折パターンにおいて２θ＝３３．６
°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピークが現れな
いβ型の結晶構造を持つものとすることを特徴とするセ
ラミックス発熱体。 - 【請求項２】 ＳｉＣウイスカーが３〜４０容量％で残
部が実質的にＭｏＳｉ 2 からなる複合セラミックス材に
て発熱部を形成するとともに、その両端に電極部を設け
てなるセラミックス発熱体において、 前記ＳｉＣウイスカーの平均直径，および平均長さをそ
れぞれ０．２〜１．０μｍ，２〜５０μｍ、より好まし
くは０．４〜０．９μｍ，１０〜４０μｍとし、かつ前
記ＳｉＣウイスカーの８０％以上をα型の結晶構造、ま
たは成長方向に積層欠陥（不整）を持つβ型の結晶構
造、すなわちＸ線回折パターンにおいて２θ＝３３．６
°のピークが出て、２θ＝４１．４°のピークが現れな
いβ型の結晶構造を持つものとすることを特徴とするセ
ラミックス発熱体。 - 【請求項３】 前記ＭｏＳｉ 2 のマトリックスがＳｉ 3 Ｎ
4 、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴｉＢ、ＴｉＢ 2 、ＺｒＢ
2 、ＨｆＢ 2 、ＺｒＯ 2 、ＨｆＯ 2 、ＳｉＣ、ＭｏＢ、Ｍｏ
2 Ｂ、Ｍｏ 2 Ｂ 5 、ＷＢ、Ｗ 2 Ｂ、ＷＢ 2 、Ｗ 2 Ｂ 5 の中から
選ばれる第２相、または第３相で分散強化されているこ
とを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のセ
ラミックス発熱体。 - 【請求項４】 前記分散強化された第２相または第３相
の和が、ＭｏＳｉ 2 のマトリックスの３０％容量以内で
あることを特徴とする請求項３に記載のセラミックス発
熱体。 - 【請求項５】 前記分散強化された第２相がＭｏＢまた
はＷＢであることを特徴とする請求項３または４のいず
れかに記載のセラミックス発熱体。 - 【請求項６】 前記分散強化された第２相のＭｏＢまた
はＷＢを全体の１０％容量とすることを特徴とする請求
項５に記載のセラミックス発熱体。 - 【請求項７】 前記発熱体の両端に白金線を溶融接合し
た電極部を持つことを特徴とする請求項１ないし６のい
ずれかに記載のセラミックス発熱体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP858195A JP3230793B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | セラミックス発熱体 |
| DE19602141A DE19602141A1 (de) | 1995-01-24 | 1996-01-22 | Keramisches Heizelement |
| US08/589,155 US5965051A (en) | 1995-01-24 | 1996-01-22 | Ceramic heating element made of molybdenum disilicide and silicon carbide whiskers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP858195A JP3230793B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | セラミックス発熱体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08198680A JPH08198680A (ja) | 1996-08-06 |
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Family
ID=11696984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP858195A Expired - Fee Related JP3230793B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | セラミックス発熱体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5965051A (ja) |
| JP (1) | JP3230793B2 (ja) |
| DE (1) | DE19602141A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
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|---|---|---|---|---|
| JPH10104067A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Fuji Electric Co Ltd | 二珪化モリブデン複合セラミックス赤外線光源もしくは発熱源 |
| JP3657800B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2005-06-08 | 株式会社リケン | 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法 |
| JP2000058237A (ja) * | 1998-06-05 | 2000-02-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックヒ―タ及びそれを用いた酸素センサ |
| RU2160790C2 (ru) * | 1998-07-07 | 2000-12-20 | Институт физики твердого тела РАН | Композиционный жаропрочный и жаростойкий материал |
| SE9904170L (sv) * | 1999-11-18 | 2000-12-11 | Sandvik Ab | Molybdensilicid-material med hög hållfasthet |
| GB2349785B (en) * | 1999-12-06 | 2001-03-28 | Kanthal Ltd | Electrical heating elements |
| KR100460810B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2004-12-09 | (주)위너 테크 | 고효율 고온용 세라믹 발열체 및 그의 제조방법 |
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