JP3222580B2

JP3222580B2 - 情報記録媒体

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Publication number: JP3222580B2
Application number: JP29097992A
Authority: JP
Inventors: 将人岡部
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1992-10-29
Filing date: 1992-10-29
Publication date: 2001-10-29
Anticipated expiration: 2016-10-29
Also published as: JPH06138671A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電情報をフロスト像
とし、光学的に情報再生しうる情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、フロスト像を利用した情報記録媒
体としては、真空中で熱可塑性樹脂層の表面に電子ビー
ムにより情報電荷を施し、帯電後に熱可塑性樹脂を加熱
して軟化させ、その表面に帯電量に対応した凹凸部から
なるフロスト像を形成するものが知られている。しかし
ながら、この方法は、装置が大型である上、使用する樹
脂によってはフロスト像を形成させるのが困難であるも
のが多い。

【０００３】また、真空系を必要としない記録媒体とし
ては、導電層上に光導電性層、熱可塑性樹脂層とを順次
積層したもの、又は熱可塑性と光導電性を有する単層構
造のサーモプラスチック記録媒体が知られ、その記録に
あたってはコロナ帯電等による初期全面帯電後、像露光
し、再度全面帯電したものを加熱現像、或いは溶剤蒸気
中で現像することにより像露光に対応したフロスト像を
形成するものも知られている。しかしながら、光導電性
層を有するものは、その記録にあたってコロナ帯電等に
よる全面帯電を必要とする等の操作を必要とする。

【０００４】この種のサーモプラスチック記録材料とし
ては、一般にスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジンエス
テル、クマロン樹脂、塩化ビニル樹脂等が知られている
が、一般に熱や光に対し不安定であり、そのため冷暗所
に保存する必要があり、また、フロスト媒体の特徴であ
る熱消去を繰り返すうちに、媒体自体が劣化するという
問題がある。また、電荷保持性の低いものは、熱現像の
前に電荷が消失してしまうので、フロストによる記録材
料としては問題があり、フロスト像を形成するために、
膜表面に高粘性の皮膜を形成する方法や溶媒蒸気による
現像方法が提案されているが、いずれも簡便さに欠ける
ものである。

【０００５】本発明者等は、情報記録層をβ−ピネン樹
脂層とすることにより、解像性に優れた情報記録媒体と
なしうることを提案した（特開平４−４６３４７号公
報、特願平２−１５６２３９号）。このβ−ピネン樹脂
層は、他のサーモプラスチック記録材料に比較して、そ
の熱現像温度を９０℃〜１１０℃としても樹脂表面に形
成された情報電荷の減衰を生じない優れた特性を有する
が、明所に放置しておくと劣化が生じ、フロスト変形を
生じなくなるという問題があることが判明した。また、
一般に、準共振周波数と呼ばれるフロスト表面の凹凸の
度合は、情報記録層の膜厚に依存し、その膜厚が薄いほ
ど高周波数、即ち凹凸のピッチが狭くなるが、フロスト
の濃度、即ち凹凸の高さは低くなる。β−ピネン樹脂層
の場合、準共振周波数を大きくしようとすると、フロス
ト濃度が減少し、準共振周波数が５００cycles/ ｍｍ以
上のフロスト像は得られないことが判明した。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、更に高解像
性で、かつ熱や光に対する安定性に優れた情報記録媒体
の提供を課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の情報記録媒体
は、少なくとも導電層及び情報記録層が積層されてな
り、情報記録層表面に静電情報が静電荷として記録され
た後、加熱されて、該表面に静電情報に対応した凹凸状
可視像が形成され、情報が光学的に再生される情報記録
媒体において、情報記録層がβ−ピネン樹脂とスチレン
樹脂とを重量比で１０：９０〜５０：５０の割合で混合
した樹脂層からなるものであることを特徴とする。

【０００８】図１は、本発明の情報記録媒体の断面図で
あり、１０は情報記録媒体、１１は情報記録層、１３は
導電層、１５は支持体である。

【０００９】以下、本発明における情報記録層について
説明する。β−ピネン樹脂は、モノテルペン炭化水素で
あるβ−ピネンの重合体であり、その分子量は５００〜
１００００のものが好ましい。分子量が５００未満であ
ると成形性がなく、１００００を越えるとフロスト像形
成が困難となる。また、これらβ−ピネン樹脂の軟化点
は６０℃〜１６０℃のものが好ましい。また、β−ピネ
ン樹脂としてはスチレン、α−メチルスチレン、α−ピ
ネン等を共重合成分とする共重合体であってもよく、α
−ピネンに関しては適宜量含有させてもよいが、スチレ
ン、α−メチルスチレンの場合には、その含有量は６０
重量％以下とすることが必要である。

【００１０】β−ピネン樹脂としては、例えば理化ハー
キュレス（株）製、商品名ピコライトＳ−１１５（軟化
点１１５℃、分子量１７００）、安原化学（株）製、商
品明ＹＳレジンＰＸ１２５０（軟化点１２５℃、分子量
３０００）等の市販されているものが挙げられる。

【００１１】次に、スチレン樹脂としては、その分子量
は３００〜３０００のものが好ましい。分子量が３００
未満であると成形性がなく、３０００を越えるとフロス
ト像形成が困難となる。スチレン樹脂の軟化点は６０℃
〜１５０℃のものが好ましい。スチレン樹脂としては、
その単量体成分がα−メチルスチレンであるものが好ま
しいが、ビニルトルエン、ヒドロキシスチレン、スチレ
ンを単量体とするものであってもよい。また、スチレン
とビニルトルエン、α−メチルスチレンの共重合体であ
ってもよく、その場合の共重合成分の含有量は５０重量
％以下とすることが必要である。

【００１２】α−メチルスチレン重合体としては、例え
ば理化ハーキュレス（株）製、商品名クリスタレックス
３０８５（軟化点８２℃〜８８℃、分子量６６０）等の
市販されているものが挙げられる。

【００１３】本発明においては、情報記録層をβ−ピネ
ン樹脂とスチレン樹脂との重量比を１０：９０〜５０：
５０の範囲で混合した樹脂層とすると、高解像のフロス
ト像が得られ、また熱や光に対する安定性に優れること
が見出された。スチレン樹脂の含有量が５０重量％未満
であると、光に対する安定性が低下するという問題があ
り、また９０重量％を越えると電荷保持能力が低下し、
フロスト化しにくくなるという問題がある。

【００１４】β−ピネン樹脂とスチレン樹脂とは、上記
割合で混合された後、キシレン、トルエン、ベンゼン、
クロロホルム、ジクロロエタン、ｎ−ヘキサン等の溶媒
に溶解し、ブレードコーティング、ディッピング、スピ
ンナーコーティング等により、導電層上に塗布形成さ
れ、その乾燥後膜厚は０．１μｍ〜５μｍとされる。膜
厚が０．１μｍ未満であれば表面電位が乗らない、或い
は熱現像前に電荷がリークし、熱現像してもフロスト像
形成ができないとういう問題がある。

【００１５】導電層は、支持体に支持されていてもよ
く、支持体として金属板が使用される場合を除いて支持
体上に形成され、比抵抗値が１０⁶Ω・ｃｍ以下であれ
ば限定されなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電
膜、四級アンモニウム塩等の有機導電膜等を使用するこ
とができる。

【００１６】無機金属酸化物導電膜としては、例えば、
酸化インジウム−酸化錫（In₂O₃-SnO₂）（ＩＴＯ）膜、
酸化錫膜等の透明導電層が挙げられ、また、無機金属導
電膜としてはＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、
またはスパッタリングで作製された導電層が挙げられ、
更に、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリア
セチレン等のコーティングによる有機導電層、また表面
が熱酸化処理されたシリコン基板等が挙げられる。

【００１７】特に、情報記録媒体における導電層とし
て、表面熱酸化シリコン基板のごとき、導電層からの逆
電荷の注入を防止するような層を設けた基板を使用する
と、ピネン重合体記録層の膜厚を薄くすることができ、
よりフロスト像を高品位、高解像性のものとすることが
できる。

【００１８】また、支持体としては、情報記録媒体を支
持することができるある程度の強度を有していれば、厚
み、材質は特に制限がなく、例えば厚み１ｍｍ程度の可
撓性のあるプラスチックフィルム、或いは硝子、プラス
チックシート等が使用される。

【００１９】次に、本発明の情報記録媒体への静電情報
記録方法について、その一例を図２により説明する。

【００２０】図２に示す方法においては、ａ−セレン
層、又は有機光導電層等の光導電層を導電層上に積層し
た感光体を使用して、情報記録媒体と対向配置され、両
電極間に電圧を印加しつつ情報露光することにより、情
報記録層表面に静電情報が静電荷の形で付与される。

【００２１】まず、図２（ａ）に示すように、１mm厚の
ガラス支持体５上に１０００Åの膜厚の酸化インジウム
−酸化錫（ＩＴＯ）導電層７を積層し、更に１０μｍ程
度の光導電層９を積層して形成された感光体１と、１０
μｍ程度の空隙を介して情報記録媒体１０とを対向させ
て配置する。次いで同図（ｂ）に示すように、電源１７
により導電層７、１３間に電圧を印加する。暗所であれ
ば光導電層９は高抵抗体であるため、空隙に加わる電圧
がパッシェンの法則に従う放電開始電圧以下であれば、
導電層間には何の変化も生じない。感光体１側より一定
時間情報光１８を入射させると、情報光が入射した部分
の光導電層９は導電性を示し、感光体と情報記録媒体間
に放電が生じ、情報記録層上に情報電荷が蓄積される。
そして同図（ｃ）に示すように、電源１７をＯＦＦと
し、情報記録媒体３を感光体１から引き離す（同図
（ｄ））。なお、上記では電圧を印加しつつ、情報露光
したが、情報露光しつつ、電圧を一定時間印加して記録
する、所謂電圧シャッター方式としてもよい。

【００２２】以上、感光体を使用して静電情報を記録す
る場合について記載したが、本発明の情報記録媒体への
静電情報記録方法は、他にも例えば、コロナ帯電、導電
層針ヘッド、或いはイオン流ヘッドを用いた静電記録、
レーザープリンター等の光プリンター等による記録方式
を使用してもよい。

【００２３】次に、表面に情報電荷が蓄積された状態
で、情報記録層を加熱することにより、情報記録層表面
に蓄積電荷によるフロスト像を形成させる。加熱方法と
しては、支持体中に抵抗線を内蔵させ、通電して情報記
録層を加熱する抵抗加熱法、又はオーブン中に情報記録
媒体を配置する等により行うとよい。

【００２４】加熱温度或いは加熱時間は、混合樹脂の種
類及び軟化点により異なる。特に加熱温度としては、樹
脂層が完全に軟化してしまう温度より高くなると、表面
に付与された情報電荷が減衰してしまい、静電力が働か
なくなると同時にレベリングの効果により１度現れた凹
凸が消えてしまうので、樹脂層の軟化点より若干低めの
温度で加熱するのがよい。

【００２５】例えば、情報記録層が軟化点１１５℃であ
る混合樹脂からなる時には、加熱温度は９０℃〜１１０
℃、好ましくは９５℃〜１００℃で１分間〜３分間加熱
するとよい。加熱温度が９０℃未満であると樹脂は軟化
せず、充分なフロスト像を形成せず、また１１０℃を越
えると樹脂の粘度が低くなりすぎて像がぼける、或いは
像の消去が同時に行われてしまうという問題が生じる。
また、加熱時間が長いと軟らかくなった樹脂の流動性に
よりやはり像がぼけるので好ましくない。

【００２６】また、静電潜像を形成した情報記録媒体を
加熱現像する代わりに、例えばキシレン、アセトン、メ
チルエチルケトン、トルエン等の溶剤蒸気を満たした密
閉容器中に放置しても同様にフロスト像を形成すること
ができる。

【００２７】

【作用及び発明の効果】本発明の情報記録媒体は、情報
記録層をβ−ピネン樹脂とスチレン樹脂との重量比を１
０：９０〜５０：５０の範囲で混合した樹脂層とするこ
とにより、高解像のフロスト像を得ることができ、また
熱や光に対する安定性に優れるものとできる。

【００２８】スチレン樹脂は、比較的熱や光に対して安
定ではあるが、電荷を保持する能力が低く、熱現像の前
に電荷が消失してしまうので、フロストによる記録材料
としては問題があるが、β−ピネン樹脂と一定範囲で混
合すると、熱や光に対する安定性があり、また予期しえ
なかったことであるが、同一膜で比較しても、β−ピネ
ン樹脂単独の場合より本発明の混合系の方が準共振周波
数が大きくなるが、混合系においてはβ−ピネン樹脂単
独の場合に比較して薄膜化が可能であり、その結果１０
００cycles/ ｍｍ以上の準共振周波数が可能となり、高
解像性のフロスト像を得ることができる。

【００２９】また、スチレン樹脂として比較的低分子量
のものを使用することにより、β−ピネン樹脂からなる
情報記録層のフレキシビリティを上げることができる。
また、上述したように、情報記録層の膜厚と準共振周波
数は逆比例の関係にあるため、出来るだけ情報記録層の
膜厚は薄くした方がよいが、本発明の情報記録媒体で
は、膜厚を薄くしても、β−ピネン樹脂単独の場合に比
して、熱現像前での情報電荷のリークが減少させること
ができ、安定性を向上することができるものである。

【００３０】更に、本発明の情報記録媒体に対する情報
記録を、感光体を使用した電圧印加時露光により行うこ
とにより、特に諧調性を有するフロスト像を形成でき
る。

【００３１】また、本発明の情報記録媒体は、透過型又
は反射型で投影されるオーバーヘッドプロジェクター用
原稿に適したものである。

【００３２】以下、実施例により本発明を説明する。

【００３３】

【実施例１】β−ピネン樹脂（商品名：ピコライトＳ１
１５、理化ハーキュレス社製）２．０ｇと、α−メチル
スチレン樹脂（商品名：クリスタレックス３０８５、理
化ハーキュレス社製）８．０ｇとを混合し、４０ｇのキ
シレンに溶解し、２０重量％溶液とした。この溶液をＩ
ＴＯ導電層（５５０Å、８０Ω／□）を蒸着した厚さ１
mmのガラス基板におけるＩＴＯ導電層上に、スピンコー
ターを用いて１０００ｒｐｍで塗布した。

【００３４】その後、６０℃、１時間乾燥し、膜厚０．
７μｍの情報記録媒体を得た。情報記録媒体を作成した
後、ただちに、下記のようにして作成した感光体と、図
２に示すように９μｍ厚のポリエステルフィルムをスペ
ーサに用いて形成した空隙を介して対向させて配置し、
両導電層間に感光体導電層を負にして８００Ｖを１．０
秒間印加し、露光量を０．１μＪ〜１０μＪと変化さ
せ、グレースケールを投影露光した。

【００３５】このようにして情報記録媒体表面に形成さ
れた表面電位を、振動型表面電位計を使用して測定し、
露光量との関係を調べた。その結果を図３に示す。図か
ら露光量と表面電位が対応関係にあることがわかる。

【００３６】次いで、この各表面電位を有する媒体を６
５℃のホットプレート上で２分間加熱し、フロスト像を
形成させ、マイクロデンシトメータ（コニカ社製）で反
射光濃度を測定し、表面電位と濃度との関係を求めた。
その結果を図４に示す。図からフロスト像を得るには、
少なくとも１５０Ｖの表面電位が必要である。

【００３７】また、この時の最大濃度は透過光で０．４
であり、またこのフロスト像を顕微鏡（１０００倍）で
観察したところ、準共振周波数約７００周期／mmのもの
であった。但し、ここで準共振周波数とは、現像により
生じる凹凸の隣接する凸部と凸部、或いは凹部と凹部を
１周期として１mm当たりにいくつ周期があるかを顕微鏡
観察により測定したものである。以下、フロスト周波数
と記載されているものは同様の測定に従った。

【００３８】また、上記で作成した情報記録媒体を、室
温、明所で２週間放置した後、静電潜像を上記同様に記
録させ、同様にフロスト像を形成させたところ、裁断反
射光濃度、準共振周波数に変化はなかった。

【００３９】次に、上記で使用した感光体の作成方法を
示しておく。まず、充分洗浄した厚さ１．１mmのガラス
基板上に、膜厚１０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、電極層とした。次いで、その電極上に、電荷
発生剤として下記構造

【００４０】

【化１】

【００４１】を有するフルオレノンアゾ顔料（日本感光
色素社製）３重量部使用し、更にポリビニルブチラール
樹脂（積水化学社製、ＢＭＳ）１重量部、１，４−ジオ
キサン９８重量部、アノン９８重量部を混合し、ペイン
トシェーカーにて６ｈｒ分散して塗工液とし、スピンナ
ーにて１４００ｒｐｍ、０．４ｓｅｃでコーティングし
た後、１００℃、１ｈｒ乾燥して、膜厚３０００Åの電
荷発生層を積層した。

【００４２】この電荷発生層上に、電荷輸送剤として下
記構造

【００４３】

【化２】

【００４４】のパラジメチルスチルベン２５重量部を使
用し、更にポリスリレン樹脂（デンカ社製、ＨＲＭ−
３）５重量部、１，１，２−トリクロロエタン１０２重
量部、ジクロロメタン６８重量部を混合した塗工液を、
スピンナーにて３００ｒｐｍ、０．３ｍｓｅｃでコーテ
ィングした後、８０℃、２ｈｒ乾燥して電荷輸送層を積
層し、電荷発生層と電荷輸送層とからなる膜厚２０μｍ
の光導電層を有する感光体と得た。

【００４５】

【実施例２】実施例１で調製した混合樹脂溶液を、実施
例１同様に導電層上に２０００ｒｐｍでスピンコーター
により塗布し、膜厚０．５μｍの情報記録媒体を得た。

【００４６】得られた媒体上に、実施例１同様に静電潜
像を形成した後、同様に加熱してフロスト像を形成させ
た。この時の最大反射光濃度は透過光で０．１５であ
り、またこのフロスト像の準共振周波数は１０００cycl
es/mmであった。

【００４７】

【実施例３】実施例１における混合樹脂溶液において、
β−ピネン樹脂の含有率が１０重量％、３０重量％、５
０重量％である情報記録媒体を同様に作成し、同様に静
電潜像を形成させた後、同様にフロスト像を形成させ
た。得られた各フロスト像の最大反射光濃度及び準共振
周波数を下記表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【実施例４】実施例１で作成した情報記録媒体に、静電
潜像の形成方法としてコロナ帯電器を使用して＋１００
Ｖの表面電位となるようにコロナ帯電させた後、その情
報記録層における熱刺激電流（ＴＳＣ）を測定した。熱
刺激電流は、熱刺激電流測定装置（（株）東洋精機製作
所製）を使用して得たものであり、情報記録媒体の情報
記録面に電極を配置し、両電極間に電流計を設け、情報
記録層を一定の昇温速度（５℃／ｍｉｎ．）で加熱し、
その加熱温度に対して得られる電流値を測定するもので
ある。その測定結果を図５に示す。図より、情報記録媒
体における熱現像温度（６５℃）付近で鋭い電流ピーク
を示すことがわかる。

【００５０】

【実施例５】１mmのガラス板上にアルミニウム電極を蒸
着形成し、その電極面に実施例１で調製した混合樹脂溶
液を、１０００ｒｐｍでスピンコーターを使用して塗布
し、膜厚０．７μｍの情報記録媒体を作成した。

【００５１】この媒体を作成した後、ただちに実施例１
同様にして静電潜像を形成し、同様に表面電位を測定す
ると共に、６５℃のホットプレート上で２分間加熱し、
フロスト像を形成し、マイクロデンシトメーターで反射
光濃度を測定した。表面電位と反射光濃度との関係を図
６に示す。

【００５２】また、上記で作成した情報記録媒体を６０
℃、２５％ＲＨの雰囲気下で８日間放置した後、実施例
１同様にして静電潜像を形成し、同様に表面電位を測定
すると共に、６５℃のホットプレート上で２分間加熱
し、フロスト像を形成し、マイクロデンシトメーターで
反射光濃度を測定した。表面電位と反射光濃度との関係
を同様に図６に示す。

【００５３】この図からわかるように６０度、２５％Ｒ
Ｈ雰囲気下での放置により、特性が劣化していないこと
がわかる。

【００５４】

【実施例６】実施例５で作成した媒体を作成後ただちに
使用して、実施例４同様にして＋１００Ｖコロナ帯電さ
せ、同様にＴＳＣ測定を行った。また、実施例５で作成
した媒体を６０℃、２５％ＲＨの雰囲気下で８日間放置
した後、同様にしてコロナ帯電をさせ、同様にＴＳＣ測
定を行った。

【００５５】その結果を図７に示す。この図から、放置
しても両者殆ど差異がなく、本発明の情報記録媒体は、
熱、湿度等に安定であることがわかる。

【００５６】

【比較例１】β−ピネン樹脂（商品名：ピコライトＳ１
１５、理化ハーキュレス社製）５．０ｇを１５ｇのキシ
レンに溶解し、２５重量％溶液とした。この溶液をＩＴ
Ｏ導電層（５５０Ａ、８０Ω／□）を蒸着した厚さ１mm
のガラス基板におけるＩＴＯ導電層上に、スピンコータ
ーを用いて１０００〜３０００ｒｐｍで塗布した。

【００５７】その後、６０℃、１時間乾燥し、膜厚０．
７〜１．２５μｍの情報記録層を有する情報記録媒体を
得た。

【００５８】この各情報記録媒体を実施例１同様の方法
で静電潜像を形成させた後、９５℃のホットプレート上
で２分間加熱し、フロスト像を形成させた。各媒体につ
いて、実施例１同様にして、その最大反射光濃度及び準
共振周波数を測定した。情報記録層の膜厚と準共振周波
数との関係を図８に示す。また、最大反射光濃度及び準
共振周波数との関係を図９に示す。尚、図９中に実施例
１で作成した情報記録媒体におけるフロスト像の反射光
濃度及び準共振周波数を同時に示す。

【００５９】図からわかるように、情報記録層の膜厚が
薄くなると反射光濃度は低くなることがわかる。また、
この比較例１の媒体に比して本発明の情報記録媒体は高
解像のものであることがわかる。

【００６０】また、上記で調製した情報記録媒体を、明
所で２週間放置した後、実施例１同様に静電潜像を形成
させた後、９５℃のホットプレート上で５分間加熱した
が、フロスト像は得られなかった。

【００６１】

【比較例２】１mmのガラス板上にアルミニウム電極を蒸
着形成し、その電極面に比較例１で調製した樹脂溶液
を、１０００ｒｐｍ、１５００ｒｐｍでスピンコーター
を使用して塗布し、膜厚０．９７μｍ、１．３７μｍの
２種類の情報記録媒体を作成した。

【００６２】これらの媒体を６０℃、２５％ＲＨの雰囲
気下で１日間、３日間、１０日間放置した後、実施例１
同様に静電潜像を形成し、同様に表面電位を測定すると
共に、９５℃のワットプレ−ト上で２分間加熱してフロ
スト像を形成し、マイクロデンシトメーターで反射光濃
度を測定した。表面電位と反射光濃度との関係を図に示
す。図１０は膜厚０．９７μｍの場合、図１１は膜厚
１．３７μｍの場合である。

【００６３】図からわかるように、１０日放置後では、
表面電位が低い場合には反射光濃度が低く、フロスト像
が得られないことがわかる。

【００６４】

【比較例３】比較例２で調製した情報記録層の膜厚が
１．３７μｍの情報記録媒体を、媒体調製後ただち＋１
５０Ｖのコロナ帯電を実施したもの、また６０℃、２５
％ＲＨの雰囲気下で３日間、１０日間放置した後、同様
に静電潜像を形成した後、ＴＳＣ測定を行った。

【００６５】その結果を図１２に示す。この図から、３
日間、１０日間放置したものは、熱現像温度（９０℃）
よりも低温に電荷のピークが存在し、電荷の保持能力が
低下していることがわかる。

【００６６】

【比較例４】α−メチルスチレン（商品名：クリスタレ
ックス３０８５、理化ハーキュレス社製）５．０ｇを２
０ｇのキシレンに溶解し、２０重量％溶液とした。この
溶液をＩＴＯ導電層（５５０Ａ、８０Ω／□）を蒸着し
た厚さ１mmのガラス基板におけるＩＴＯ導電層上に、ス
ピンコーターを用いて１０００ｒｐｍで塗布した。

【００６７】その後、６０℃、１時間乾燥し、膜厚０．
７μｍの情報記録媒体を得た。

【００６８】この情報記録媒体を実施例１同様の方法で
静電潜像を形成させた後、６５℃のホットプレート上で
５分間加熱したがフロスト像は形成されなかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の情報記録媒体の断面図であ
る。

【図２】図２は、本発明の情報記録媒体への静電潜像形
成方法の一例を説明するための図である。

【図３】図３は、本発明の情報記録媒体に記録された表
面電位と露光量との関係を示す図である。

【図４】図４は、本発明の情報記録媒体に記録されたフ
ロストの反射光濃度と表面電位との関係を示す図であ
る。

【図５】図５は、本発明の情報記録媒体における熱刺激
電流の測定結果を示す図である。

【図６】図６は、本発明の他の情報記録媒体に記録され
たフロストの反射光濃度と表面電位との関係を示す図で
ある。

【図７】図７は、本発明の情報記録媒体の安定性を示す
図である。

【図８】図８は、比較用の情報記録媒体における膜厚と
準共振周波数、透過光濃度との関係を示す図である。

【図９】図９は、比較用の情報記録媒体における最大反
射光濃度と準共振周波数の測定結果を示す図である。

【図１０】図１０は、比較用の情報記録媒体に記録され
たフロストの反射光濃度と表面電位との関係を示す図で
ある。

【図１１】図１１は、比較用の情報記録媒体に記録され
たフロストの反射光濃度と表面電位との関係を示す図で
ある。

【図１２】図１２は、比較用の情報記録媒体における熱
刺激電流の測定結果を示す図である。

【符号の説明】

１は感光体、５は支持体、７は導電層、９は光導電層、
１０は情報記録媒体、１１は情報記録層、１３は導電
層、１５は支持体、１７は電源、１８は情報光である。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも導電層及び情報記録層が積層
されてなり、情報記録層表面に静電情報が静電荷として
記録された後、加熱されて、該表面に静電情報に対応し
た凹凸状可視像が形成され、情報が光学的に再生される
情報記録媒体において、情報記録層がβ−ピネン樹脂と
スチレン樹脂とを重量比で１０：９０〜５０：５０の割
合で混合した樹脂層からなるものであることを特徴とす
る情報記録媒体。