JP2598827B2 - フロスト像作成方法 - Google Patents
フロスト像作成方法Info
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- JP2598827B2 JP2598827B2 JP1311490A JP31149089A JP2598827B2 JP 2598827 B2 JP2598827 B2 JP 2598827B2 JP 1311490 A JP1311490 A JP 1311490A JP 31149089 A JP31149089 A JP 31149089A JP 2598827 B2 JP2598827 B2 JP 2598827B2
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- thermoplastic resin
- resin layer
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は熱可塑性樹脂層上にフロスト像を形成するた
めのフロスト像作成方法に関する。
めのフロスト像作成方法に関する。
従来、熱可塑性樹脂層上に静電荷像を形成して加熱す
ることにより凹凸像を形成し、その後冷却して凹凸像を
固定化することにより、静電荷パターンを現像すること
が知られている。
ることにより凹凸像を形成し、その後冷却して凹凸像を
固定化することにより、静電荷パターンを現像すること
が知られている。
この現像方法は、例えば第９図（ａ）に示すように支
持体10c上に電極10b、熱可塑性樹脂層10aを形成した光
導電体10上に画像状の静電荷パターンを形成し、電極10
bを接地した状態で加熱装置12により光導電体を加熱す
ると、熱可塑性樹脂層10aが可塑化し、静電荷パターン
に対応して電極10b上に誘起されている逆符合の電荷と
表面の電荷とが引っ張りあい、その結果、第９図（ｂ）
に示すように熱可塑性樹脂層表面に凹凸像10a、すなわ
ちフロスト像が形成される。フロスト像形成後、光導電
体を冷却するとこの凹凸像が固定化され、静電荷パター
ンの現像を行うことができる。
持体10c上に電極10b、熱可塑性樹脂層10aを形成した光
導電体10上に画像状の静電荷パターンを形成し、電極10
bを接地した状態で加熱装置12により光導電体を加熱す
ると、熱可塑性樹脂層10aが可塑化し、静電荷パターン
に対応して電極10b上に誘起されている逆符合の電荷と
表面の電荷とが引っ張りあい、その結果、第９図（ｂ）
に示すように熱可塑性樹脂層表面に凹凸像10a、すなわ
ちフロスト像が形成される。フロスト像形成後、光導電
体を冷却するとこの凹凸像が固定化され、静電荷パター
ンの現像を行うことができる。
しかしながら、第９図に示す従来の現像方法では、凹
凸の深さを必ずしも十分とることができず、そのため濃
度レンジを大きくとることができなかった。
凸の深さを必ずしも十分とることができず、そのため濃
度レンジを大きくとることができなかった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、凹凸の深
さの大きいフロスト像を形成することができ、その結果
現像の濃度レンジを広くできるフロスト像作成方法を提
供することを目的とする。
さの大きいフロスト像を形成することができ、その結果
現像の濃度レンジを広くできるフロスト像作成方法を提
供することを目的とする。
本発明は、熱現像時、静電荷パターンを形成した熱可
塑性樹脂層に対向して所定の電位を有する絶縁体または
導電体を対向配置することにより、熱可塑性樹脂層表面
の静電荷に加わるクローン力を大きくして凹凸の深さを
大きくするようにしたものである。
塑性樹脂層に対向して所定の電位を有する絶縁体または
導電体を対向配置することにより、熱可塑性樹脂層表面
の静電荷に加わるクローン力を大きくして凹凸の深さを
大きくするようにしたものである。
第１図は本発明の静電荷パターン形成方法を説明する
ための図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図
は形成されたフロスト像を説明するための図である。図
中、１は観光体、1aはガラス基板、1bは透明電極、1cは
光導電層、２は電荷保持媒体、2aは熱可塑性樹脂層、2b
は透明電極、2cは支持体、Ｅは電源、３は導電体、４は
加熱装置、21はフロスト像である。
ための図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図
は形成されたフロスト像を説明するための図である。図
中、１は観光体、1aはガラス基板、1bは透明電極、1cは
光導電層、２は電荷保持媒体、2aは熱可塑性樹脂層、2b
は透明電極、2cは支持体、Ｅは電源、３は導電体、４は
加熱装置、21はフロスト像である。
感光体１は1mm程の厚みを有するガラス基板1aに1000
Å厚みのITOからなる透明電極1bを形成し、その上に厚
み10μｍ程度の光導電層を形成したものであり、光が当
たったところは導電性となるものである。この感光体に
対向して10μｍ程の間隙を設けて配置される電荷保持媒
体２は、ガラス基板等からなる支持体2c上にITOを蒸着
して透明電極2bを形成し、透明電極上にロジンエステル
重合体等の熱可塑性樹脂層2aを３〜10μｍ厚で形成した
ものである。
Å厚みのITOからなる透明電極1bを形成し、その上に厚
み10μｍ程度の光導電層を形成したものであり、光が当
たったところは導電性となるものである。この感光体に
対向して10μｍ程の間隙を設けて配置される電荷保持媒
体２は、ガラス基板等からなる支持体2c上にITOを蒸着
して透明電極2bを形成し、透明電極上にロジンエステル
重合体等の熱可塑性樹脂層2aを３〜10μｍ厚で形成した
ものである。
このような感光体と電荷保持媒体とを対向配置し、両
電極間に電圧を印加しながら画像露光すると、光の照射
された領域は感光体が導電性となって感光体と電荷保持
媒体の間隙に大きな電圧が加わって放電が起こり、一
方、光の照射されない領域では感光体が絶縁性のままで
あるので感光体と電荷保持媒体との間隙には放電破壊電
圧を越える電圧が加わらないため放電が起こらず、電荷
保持媒体上には画像状に静電荷パターンが形成される。
電極間に電圧を印加しながら画像露光すると、光の照射
された領域は感光体が導電性となって感光体と電荷保持
媒体の間隙に大きな電圧が加わって放電が起こり、一
方、光の照射されない領域では感光体が絶縁性のままで
あるので感光体と電荷保持媒体との間隙には放電破壊電
圧を越える電圧が加わらないため放電が起こらず、電荷
保持媒体上には画像状に静電荷パターンが形成される。
次に、第２図に示すように、静電荷パターンが形成さ
れた熱可塑性樹脂層2aに対向して0.5〜10μｍの空隙を
介して導電体３を配置し、加熱装置４で、例えば60℃で
３分間というように加熱して熱可塑性樹脂層2aを可塑化
する。このとき、導電体３には熱可塑性樹脂層上の表面
電荷と逆符合の電荷が誘起し、また、電極2bにも表面の
静電荷と逆符合の電荷が誘起しているので、表面静電荷
には電極2b、導電体３に誘起された両方の電荷との間で
クローン力が作用する。この場合、導電体３に誘起した
電荷と熱可塑性樹脂層上の電荷との間にクーロン力が作
用する結果、可塑化した樹脂層表面には凹凸深さの大き
い第３図に示すようなフロスト像21が形成され、冷却す
ることにより凹凸が固定化されて情報として記録され
る。こうして凹凸像が形成された電荷保持媒体に光を照
射すると、凹凸が形成された部分では乱反射が起こり、
透過光または反射光により凹凸の有無を読み取って情報
の再生を行うことができる。
れた熱可塑性樹脂層2aに対向して0.5〜10μｍの空隙を
介して導電体３を配置し、加熱装置４で、例えば60℃で
３分間というように加熱して熱可塑性樹脂層2aを可塑化
する。このとき、導電体３には熱可塑性樹脂層上の表面
電荷と逆符合の電荷が誘起し、また、電極2bにも表面の
静電荷と逆符合の電荷が誘起しているので、表面静電荷
には電極2b、導電体３に誘起された両方の電荷との間で
クローン力が作用する。この場合、導電体３に誘起した
電荷と熱可塑性樹脂層上の電荷との間にクーロン力が作
用する結果、可塑化した樹脂層表面には凹凸深さの大き
い第３図に示すようなフロスト像21が形成され、冷却す
ることにより凹凸が固定化されて情報として記録され
る。こうして凹凸像が形成された電荷保持媒体に光を照
射すると、凹凸が形成された部分では乱反射が起こり、
透過光または反射光により凹凸の有無を読み取って情報
の再生を行うことができる。
例えば、光を照射してその通過像を観察すると、フロ
スト像の形成されている部分は乱反射が生じて黒く見
え、フロスト像が形成されていない部分は光は透過して
白く見えるのでフロスト像のポジ像が観察される。一
方、光を照射してその反射像を観察すると、フロスト像
の形成されている部分は乱反射が生じて白く見え、フロ
スト像が形成されていない部分は光は透過して背景色が
見えるので、フロスト像のネガ像が観察される。なお、
表面の電荷は加熱の過程でリークして大部分は消滅する
ことになる。
スト像の形成されている部分は乱反射が生じて黒く見
え、フロスト像が形成されていない部分は光は透過して
白く見えるのでフロスト像のポジ像が観察される。一
方、光を照射してその反射像を観察すると、フロスト像
の形成されている部分は乱反射が生じて白く見え、フロ
スト像が形成されていない部分は光は透過して背景色が
見えるので、フロスト像のネガ像が観察される。なお、
表面の電荷は加熱の過程でリークして大部分は消滅する
ことになる。
なお、上記説明では導電体３は全面均一であり、電荷
保持媒体２のフロスト像形成部分と同面積あるいはそれ
以上の面積を有しているものとして説明したが、これ以
外にも、例えば導電体をパターン状に形成したり、導電
体に凹凸を設けたりすることにより、導電体パターンや
凹凸形状で変調したフロスト画像を得ることも可能であ
る。
保持媒体２のフロスト像形成部分と同面積あるいはそれ
以上の面積を有しているものとして説明したが、これ以
外にも、例えば導電体をパターン状に形成したり、導電
体に凹凸を設けたりすることにより、導電体パターンや
凹凸形状で変調したフロスト画像を得ることも可能であ
る。
第４図、第５図は絶縁体上に表面静電荷パターンと逆
極性の電荷を帯電させて対向配置した例を示す図であ
る。図中、第１図と同一番号は同一内容を示している。
なお、５は絶縁体である。
極性の電荷を帯電させて対向配置した例を示す図であ
る。図中、第１図と同一番号は同一内容を示している。
なお、５は絶縁体である。
第４図において、第１図の場合と同様に画像露光して
電荷保持媒体２上に静電荷パターンを形成する。次に、
第５図に示すように加熱装置で電荷保持媒体を加熱する
際、熱可塑性樹脂層2aに対向して静電荷パターンと逆極
性の電荷を表面に均一に帯電させた絶縁体５を所定の間
隙を置いて対向配置する。その結果、絶縁体上の表面電
荷と熱可塑性樹脂層上の表面電荷との間に電気的クーロ
ン力が作用するので、第２図の場合と同様に深さの大き
い凹凸像を形成することが可能である。
電荷保持媒体２上に静電荷パターンを形成する。次に、
第５図に示すように加熱装置で電荷保持媒体を加熱する
際、熱可塑性樹脂層2aに対向して静電荷パターンと逆極
性の電荷を表面に均一に帯電させた絶縁体５を所定の間
隙を置いて対向配置する。その結果、絶縁体上の表面電
荷と熱可塑性樹脂層上の表面電荷との間に電気的クーロ
ン力が作用するので、第２図の場合と同様に深さの大き
い凹凸像を形成することが可能である。
なお、絶縁体５に形成する熱可塑性樹脂層上の電荷と
逆極性の電荷は、必ずしも均一に分布させる必要はな
く、パターン状に形成してもよく、その場合はフロスト
像はパターン状に強調されることになる。したがって、
フロスト像として強調したいところには逆極性の電荷の
量を多くして電位差を大きくし、逆にフロスト像として
弱めたいところは電位差を小さくするように帯電させる
ことによりフロスト像に変調をかけることが可能であ
る。
逆極性の電荷は、必ずしも均一に分布させる必要はな
く、パターン状に形成してもよく、その場合はフロスト
像はパターン状に強調されることになる。したがって、
フロスト像として強調したいところには逆極性の電荷の
量を多くして電位差を大きくし、逆にフロスト像として
弱めたいところは電位差を小さくするように帯電させる
ことによりフロスト像に変調をかけることが可能であ
る。
第６図、第７図は熱可塑性樹脂層に対向して導電体を
配置するとともに、導電体に電圧を印加するようにした
例を示す図である。図中、６は導電体、７は電源であ
る。
配置するとともに、導電体に電圧を印加するようにした
例を示す図である。図中、６は導電体、７は電源であ
る。
第６図において、第１図の場合と同様に画像露光して
電荷保持媒体２上に静電荷パターンを形成し、次に、第
７図に示すように加熱装置４で電荷保持媒体を加熱する
際、熱可塑性樹脂層2aに対向して導電体６を熱可塑性樹
脂層と所定の間隙を置いて対向配置するとともに、電源
７により電圧を印加する。熱可塑性樹脂層と導電体との
間に電源７による電圧が加わるので、表面電荷に作用す
る電気的クーロン力は一層大きくなり、深さの大きい凹
凸像を形成することが可能である。また、第２図の場合
には熱可塑性樹脂層と導電体間のギャップに依存して導
電体に誘起される電荷量が変化してフロスト像の深さも
変化し、また第５図の場合には加熱時に絶縁体上の電荷
がリークしてしまう問題があるが、第７図のように電源
７により電圧を印加することにより、ギャップが変化し
ても導電体に誘起する電荷量が変化しないようにするこ
とが可能であり、また加熱時に電荷がリークするのを抑
えることができる。
電荷保持媒体２上に静電荷パターンを形成し、次に、第
７図に示すように加熱装置４で電荷保持媒体を加熱する
際、熱可塑性樹脂層2aに対向して導電体６を熱可塑性樹
脂層と所定の間隙を置いて対向配置するとともに、電源
７により電圧を印加する。熱可塑性樹脂層と導電体との
間に電源７による電圧が加わるので、表面電荷に作用す
る電気的クーロン力は一層大きくなり、深さの大きい凹
凸像を形成することが可能である。また、第２図の場合
には熱可塑性樹脂層と導電体間のギャップに依存して導
電体に誘起される電荷量が変化してフロスト像の深さも
変化し、また第５図の場合には加熱時に絶縁体上の電荷
がリークしてしまう問題があるが、第７図のように電源
７により電圧を印加することにより、ギャップが変化し
ても導電体に誘起する電荷量が変化しないようにするこ
とが可能であり、また加熱時に電荷がリークするのを抑
えることができる。
なお、本実施例の場合も、第２図の場合と同様に導電
体３を全面均一で電荷保持媒体２のフロスト像形成部分
と同面積あるいはそれ以上の面積を有するようにする以
外に、導電体をパターン状に形成したり、導電体に凹凸
を設けたりすることにより、導電体パターンや凹凸形状
で変調したフロスト画像を得るようにしてもよい。
体３を全面均一で電荷保持媒体２のフロスト像形成部分
と同面積あるいはそれ以上の面積を有するようにする以
外に、導電体をパターン状に形成したり、導電体に凹凸
を設けたりすることにより、導電体パターンや凹凸形状
で変調したフロスト画像を得るようにしてもよい。
第８図は第２図の導電体の電位、第５図の絶縁体の電
位、第７図の対向電極の電位とフロスト像の深さとの関
係を示す図である。
位、第７図の対向電極の電位とフロスト像の深さとの関
係を示す図である。
図から分かるように、フロスト像の深さは対向電極の
電位とともに大きくなる。したがって、対向させる電極
の電位が大きければ凹凸像の深さを深くし、広い濃度レ
ンジを得ることが可能となる。
電位とともに大きくなる。したがって、対向させる電極
の電位が大きければ凹凸像の深さを深くし、広い濃度レ
ンジを得ることが可能となる。
本発明は熱可塑性樹脂層を有する電荷保持媒体に静電
潜像を形成した後、加熱して変形歪みを形成する熱現像
時に、静電潜像を形成した熱可塑性樹脂層に対向して導
電体を配置、または静電潜像と逆符号の電荷を形成した
絶縁体を対向配置、または導電体を対向配置するととも
に、該導電体と電荷保持媒体間に電圧を印加することに
より、熱可塑性樹脂層表面の静電荷に加わるクーロン力
を大きくして凹凸の深さを大きくし、その結果濃度レン
ジを広くとることが可能となる。
潜像を形成した後、加熱して変形歪みを形成する熱現像
時に、静電潜像を形成した熱可塑性樹脂層に対向して導
電体を配置、または静電潜像と逆符号の電荷を形成した
絶縁体を対向配置、または導電体を対向配置するととも
に、該導電体と電荷保持媒体間に電圧を印加することに
より、熱可塑性樹脂層表面の静電荷に加わるクーロン力
を大きくして凹凸の深さを大きくし、その結果濃度レン
ジを広くとることが可能となる。
以下、実施例を説明する。
〔実施例１〕 ロジンエステル重合体（理科ハーキュレス株式会社、
商品名ステベライトエステル10）20gをモノクロロベン
ゼン20g中に溶解した50wt％溶解を調整し、ITO電極を蒸
着したガラス基板上にスピンコーターを用いて2000prm
で塗布した。60℃で約1hr乾燥し、膜厚５μｍの薄膜を
得た。
商品名ステベライトエステル10）20gをモノクロロベン
ゼン20g中に溶解した50wt％溶解を調整し、ITO電極を蒸
着したガラス基板上にスピンコーターを用いて2000prm
で塗布した。60℃で約1hr乾燥し、膜厚５μｍの薄膜を
得た。
〔実施例２〕 ふっ素樹脂（旭硝子社製、商品名サイトップ）の旭硝
子社製ふっ素系溶媒7wt％溶液を、ITO電極を蒸着したガ
ラス基板上にスピンコーターを用いて1500rpmで塗布し
た。150℃で約1hr乾燥し、膜厚2.6μｍのサイトップ薄
膜を得た。
子社製ふっ素系溶媒7wt％溶液を、ITO電極を蒸着したガ
ラス基板上にスピンコーターを用いて1500rpmで塗布し
た。150℃で約1hr乾燥し、膜厚2.6μｍのサイトップ薄
膜を得た。
〔実施例３〕 実施例１で得られた媒体と透明電極上に積層された有
機光導電材料とを対向させ、９μｍのポリエステルフィ
ルムをスペーサーに用い、空隙を介して配置する。次い
で光導電材料の透明電極側から像を投影し、両電極間に
700Vを0.1sec印加して像露光を行い、媒体上に静電潜像
を形成した。その後、静電潜像を形成した媒体をアルミ
ニウム板と対向させ、3.5μｍのポリエステルフィルム
をスペーサーに用い、空隙を介して配置する。これを60
℃のオーブン中で3min加熱して凹凸深さの大きいフロス
ト像が得られた。
機光導電材料とを対向させ、９μｍのポリエステルフィ
ルムをスペーサーに用い、空隙を介して配置する。次い
で光導電材料の透明電極側から像を投影し、両電極間に
700Vを0.1sec印加して像露光を行い、媒体上に静電潜像
を形成した。その後、静電潜像を形成した媒体をアルミ
ニウム板と対向させ、3.5μｍのポリエステルフィルム
をスペーサーに用い、空隙を介して配置する。これを60
℃のオーブン中で3min加熱して凹凸深さの大きいフロス
ト像が得られた。
〔実施例４〕 実施例１で得られた媒体と透明電極上に積層された有
機光導電材料とを対向させ、９μｍのポリエステルフィ
ルムをスペーサーに用い、空隙を介して配置する。次い
で光導電材料の透明電極側から像を投影し、両電極間に
700Vを0.1sec印加して像露光を行い、媒体上に静電潜像
を形成した。その後、静電潜像を形成した媒体を200Vに
コロナ帯電させた実施例２の媒体と対向させ、3.5μｍ
のポリエステルフィルムをスペーサーに用い、空隙を介
して配置する。これを60℃のオーブン中で3min加熱して
実施例１で得られた媒体上に凹凸深さの大きいフロスト
像が得られた。
機光導電材料とを対向させ、９μｍのポリエステルフィ
ルムをスペーサーに用い、空隙を介して配置する。次い
で光導電材料の透明電極側から像を投影し、両電極間に
700Vを0.1sec印加して像露光を行い、媒体上に静電潜像
を形成した。その後、静電潜像を形成した媒体を200Vに
コロナ帯電させた実施例２の媒体と対向させ、3.5μｍ
のポリエステルフィルムをスペーサーに用い、空隙を介
して配置する。これを60℃のオーブン中で3min加熱して
実施例１で得られた媒体上に凹凸深さの大きいフロスト
像が得られた。
以上のように本発明によれば、静電荷パターンを形成
した熱可塑性樹脂層に対向して所定の電位を有する絶縁
体または導電体を対向配置することにより、熱可塑性樹
脂層表面の静電荷に加わるクーロン力を大きくして凹凸
の深さを大きくし、その結果像の濃度レンジを広くとる
ことが可能となる。
した熱可塑性樹脂層に対向して所定の電位を有する絶縁
体または導電体を対向配置することにより、熱可塑性樹
脂層表面の静電荷に加わるクーロン力を大きくして凹凸
の深さを大きくし、その結果像の濃度レンジを広くとる
ことが可能となる。
第１図は本発明の静電荷パターン形成方法を説明するた
めの図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図は
形成されたフロスト像を説明するための図、第４図、第
５図は熱現像時、表面静電荷パターンと逆極性の電荷を
帯電させた絶縁体を熱可塑性樹脂に対して対向配置した
例を示す図、第６図、第７図は熱現像時、熱可塑性樹脂
層表面に対向させて電圧を印加した導電体を配置した例
を示す図、第８図は対向電極電位とフロスト像の深さを
示す図、第９図は従来のフロスト像作成方法を説明する
ための図である。 １……感光体、1a……ガラス基板、1b……透明電極、1c
……光導電層、２……電荷保持媒体、2a……熱可塑性樹
脂層、2b……透明電極、2c……支持体、３……導電体、
４……加熱装置、５……絶縁体、６……導電体、21……
フロスト像。
めの図、第２図は熱現像を説明するための図、第３図は
形成されたフロスト像を説明するための図、第４図、第
５図は熱現像時、表面静電荷パターンと逆極性の電荷を
帯電させた絶縁体を熱可塑性樹脂に対して対向配置した
例を示す図、第６図、第７図は熱現像時、熱可塑性樹脂
層表面に対向させて電圧を印加した導電体を配置した例
を示す図、第８図は対向電極電位とフロスト像の深さを
示す図、第９図は従来のフロスト像作成方法を説明する
ための図である。 １……感光体、1a……ガラス基板、1b……透明電極、1c
……光導電層、２……電荷保持媒体、2a……熱可塑性樹
脂層、2b……透明電極、2c……支持体、３……導電体、
４……加熱装置、５……絶縁体、６……導電体、21……
フロスト像。
Claims (9)
- 【請求項１】静電潜像を形成した熱可塑性樹脂層を有す
る電荷保持媒体を加熱し、変形歪みを形成した後冷却す
ることによりフロスト像を固定化するフロスト像作成方
法であって、静電潜像を形成した後の該電荷保持媒体を
分離し、変形歪みを形成する熱現像時に熱可塑性樹脂層
の静電潜像を形成した側に導電体を対向配置したことを
特徴とするフロスト像作成方法。 - 【請求項２】請求項１記載の方法において、導電体が均
一でフロスト像形成部分と同面積あるいはそれ以上の面
積を有することを特徴とするフロスト像作成方法。 - 【請求項３】請求項１記載の方法において、導電体がパ
ターン状に形成されていることを特徴とするフロスト像
作成方法。 - 【請求項４】静電潜像を形成した熱可塑性樹脂層を有す
る電荷保持媒体を加熱し、変形歪みを形成した後冷却す
ることによりフロスト像を固定化するフロスト像作成方
法であって、変形歪みを形成する熱現像時に熱可塑性樹
脂層の静電潜像を形成した側に静電潜像と逆符号の電荷
を帯電させた絶縁体を対向配置したことを特徴とするフ
ロスト像作成方法。 - 【請求項５】請求項４記載の方法において、絶縁体上の
電荷を均一帯電させたことを特徴とするフロスト像作成
方法。 - 【請求項６】請求項４記載の方法において、絶縁体上の
電荷をパターン状に帯電させたことを特徴とするフロス
ト像作成方法。 - 【請求項７】静電潜像を形成した熱可塑性樹脂層を有す
る電荷保持媒体を加熱し、変形歪みを形成した後冷却す
ることによりフロスト像を固定化するフロスト像作成方
法であって、変形歪みを形成する熱現像時に熱可塑性樹
脂層の静電潜像を形成した側に導電体を対向配置すると
ともに、該導電体と電荷保持媒体間に電圧を印加するこ
とを特徴とするフロスト像作成方法。 - 【請求項８】請求項７記載の方法において、導電体が均
一でフロスト像形成部分と同面積あるいはそれ以上の面
積を有することを特徴とするフロスト像作成方法。 - 【請求項９】請求項７記載の方法において、導電体がパ
ターン状に形成されていることを特徴とするフロスト像
作成方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311490A JP2598827B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | フロスト像作成方法 |
| DE69032659T DE69032659T2 (de) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Träger für frostbild sowie methode und gerät zum herstellen und lesen eines frostbildes |
| US07/741,505 US5378565A (en) | 1989-11-29 | 1990-11-29 | Frost image recording medium and method of and apparatus for forming and reading frost image |
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