WO2004088430A1 - 静電情報記録媒体 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an electrostatic information recording medium capable of recording information electrostatically by an exposure method at the time of applying a voltage and reproducing the information at any time.
  • the present invention relates to an electrostatic information recording medium having excellent charge retention characteristics of a load, excellent heat resistance and moisture resistance, and excellent workability.
  • a photoconductive layer is vapor-deposited on an electrode layer in an electrophotographic technique or the like, the entire surface of the photoconductive layer is charged, and then image exposure is performed to leak electric charges in an exposed portion, thereby forming an electrostatic latent on the photoconductive layer.
  • an image is formed optically, toner having a charge having a polarity opposite to that of the residual charge is adhered, and the image is electrostatically transferred to paper or the like and developed. This is mainly used for copying, but the toner is developed immediately after the electrostatic latent image is formed by shortening the electrostatic charge retention period in the photoconductive layer as a recording medium. Then, it cannot be used because of low sensitivity.
  • an electrostatic information recording medium arranged opposite to a photoreceptor having a photoconductive layer provided on an electrode, wherein the image is exposed by applying a voltage between the two electrodes to obtain a static image.
  • Electrostatic information recording methods have been developed that use an exposure at the time of voltage application to record an electrostatic image of extremely high resolution on an electrostatic information recording medium.
  • its charge retention is extremely important.
  • fluororesin has excellent charge retention characteristics, but has a problem in workability when layering on an electrode. while indicating highly insulating, e.g.
  • Tet rough Ruo Russia ethylene one to Kisafuruoropuro pyrene copolymer (FEP) in Electronics 1 0 - whereas a 1 7 cm 2 / V ⁇ s or less mobility, the hole the 2 X 1 0 - 9 cmVV - s and large mobility for holes not be said insulating is sufficient.
  • Polystyrene resin is also excellent in that it has a high glass transition temperature and low hygroscopicity, but has a low charge retention property and cannot be used as a charge retention layer.
  • An object of the present invention is to provide an electrostatic information recording medium having a charge retention layer that has excellent charge retention, particularly excellent charge retention performance of positive charges, and is also excellent in heat resistance and moisture resistance and excellent in processability. Disclosure of the invention
  • the first electrostatic information recording medium of the present invention has a charge holding layer laminated at least on an electrode layer, and the charge holding layer has photoconductivity with a resin selected from a fluororesin or a polystyrene resin. It is characterized by being made of non-conductive organic substances.
  • the heat stimulation current spectrum obtained by measuring the charge holding layer with an open circuit heat stimulation current device has a hetero peak other than a homo peak. It is characterized by being.
  • Fluororesins generally have high specific resistance and a water absorption of 0.0. Low, less than 1%, excellent moisture resistance regardless of the polarity of retained charge, leakage of retained charge in the thickness direction or on the surface due to a decrease in specific resistance due to moisture adsorption, humidity, etc. Less is.
  • the glass transition temperature is above 100 £ 1, it has excellent heat resistance, has good charge retention performance even at low temperatures, and has little temporal change in accumulated charge.
  • the fluororesin is soluble in the fluorine-based solvent, it is excellent in processability, and in particular, because it can be coated, it is necessary to make the film thickness uniform over a certain area or to make it thinner to several ⁇ m. It is excellent.
  • Polystyrene resin is also excellent in that it has a high glass transition temperature and low hygroscopicity.
  • fluororesin generally has excellent negative charge (electron) retention, but low positive charge retention, and that polystyrene resin alone has low charge retention.
  • the present inventors have found that dispersing insulating organic fine particles in a fluorine resin or a polystyrene resin improves charge retention characteristics, particularly, positive charge retention performance. Although the detailed reason is unknown, it is thought that positive charge trap sites are generated at the interface between the fine particles of the insulating organic material and the matrix of the fluororesin or polystyrene resin, and that the positive charge retention performance is improved. .
  • the electrostatic information recording medium of the present invention improves not only the negative charge but also the holding performance of the positive charge electrostatic information, so that the type of the photoreceptor used for information recording is not affected. It is possible to record information.
  • the second electrostatic information recording medium of the present invention comprises at least A charge holding layer is laminated on the pole layer, and the charge holding layer is represented by the following general formula (1): CF 2 -CF 2 F
  • the dioxonol component represented by the number m of repeating units is composed of repeating units of 20 to 90 mol, and the melt viscosity at a temperature 90 to 110 higher than the glass transition temperature is 10 to 10.
  • characterized by comprising the fluorine-Motonetsu thermoplastic resin is a 2 ⁇ 1 0 4 Pa ⁇ sec .
  • the fluorinated thermoplastic resin represented by the above general formula (1) has a high pile of 1 ⁇ 10 14 ⁇ ⁇ cm ⁇ l, for example, 10 18 ⁇ ⁇ cm, and has excellent charge retention performance.
  • the water absorption is as low as 0.1% or less, the leakage of retained charges in the film thickness direction or the retained charges in the lateral direction on the surface due to a decrease in specific resistance due to permanent adsorption. It has been found that it has excellent heat resistance due to its low glass transition temperature of 1 G0 or more, good charge retention performance even at high temperatures, and little change in accumulated charge with time. This allows information charges to be stored for a long period of time.
  • the third electrostatic information recording medium of the present invention comprises a charge holding layer laminated at least on an electrode layer, the charge holding layer being an insulating resin layer on the electrode layer, and then a photoconductive or conductive fine particle layer.
  • the insulating resin is a fluorine resin.
  • the method comprises the steps of: forming an insulating resin layer on an electrode by coating; A conductive fine particle layer or a conductive fine particle layer is formed by vapor deposition on the insulating resin layer, and an insulating resin layer is further formed on the fine particle layer by coating with a thickness of 0.1 // m to 1 m;
  • the present invention is characterized in that an electrostatic information recording medium is manufactured, and the insulating resin is a fluorine resin.
  • an insulating resin layer having a thickness of 0.1; um to lim is previously laminated on the photoconductive fine particle layer or the conductive fine particle layer. Accordingly, the electrostatic charge formed on the surface of the insulating resin layer during the electrostatic recording passes through the insulating resin layer by the action of an electric field formed by the electrostatic charge, and the photoconductive fine particles or It is presumed that the particles are retained in the conductive fine particles, whereby the particles are stably retained and do not require formation of a protective film.
  • the specific resistance is high, the water absorption is as low as 0.01% or less, and a film caused by a decrease in the specific resistance such as adsorption of water. Little leakage of the retained charge in the thickness direction or laterally on the surface
  • the glass transition temperature is 100 ° C. or higher, the heat resistance is excellent, the charge retention performance is good even at a low temperature, and the accumulated charge has little change with time.
  • the film is excellent in processability, such as making the film thickness in a certain area uniform or thinning to several ⁇ m.
  • the fourth electrostatic information recording medium of the present invention comprises a charge holding layer laminated on at least an electrode layer, and the charge holding layer is formed on the electrode layer by an insulating organic substance having no photoconductivity and a green color.
  • the fourth method for manufacturing an electrostatic information recording medium of the present invention comprises the steps of: forming an insulating resin layer in which an insulating organic material having no photoconductivity is dispersed on an electrode; A photoconductive fine particle layer or a conductive fine particle layer is formed by vapor deposition on the insulating resin layer in a state in which the resin does not soften and under a low vacuum, and a 0.1% fluorine resin layer is further formed on the fine particle layer. ! It is characterized in that it is applied and formed with a film thickness of up to 1 jum to manufacture an electrostatic information recording medium.
  • the fourth electrostatic information recording medium of the present invention is characterized in that the insulating resin layer of the third electrostatic information recording medium contains an insulative organic material having no photoconductivity, thereby retaining negative charges.
  • the improvement in performance it is possible to improve the positive charge retention performance in particular, without affecting the type of photoreceptor used for information recording. It is possible to record information.
  • the accumulated information charges are extremely stable, so that they can be used as, for example, a recording drum of an ion flow printer.
  • the printing information is recorded by an ion flow printer, and then a desired number of hard copies can be obtained.
  • a so-called multi-printer can be configured, and the potential difference between the electrode and the surface potential can be determined. By measuring, the potential difference can be easily detected, and furthermore, an electric signal corresponding to the electrostatic latent image is output and can be printed out by a CRT display or a sublimation printer or the like. is there.
  • the information storage means is a unit of electrostatic charge, information stored in the electrostatic information recording medium can be of high quality and high resolution.
  • FIGS. 1 (a) and 1 (b) are cross-sectional views showing each embodiment of the first or second electrostatic information recording medium of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of an open circuit thermal stimulated current measuring device used in the present invention.
  • FIG. 3 is a general thermal stimulation current spectrum diagram of the electrostatic information recording medium of the present invention.
  • FIG. 4 is a heat-stimulated current spectrum diagram in the case where an indispensable organic material having no photoconductivity is not dispersed in the charge retention layer.
  • FIGS. 5 (a) and (b) show the third or fourth electrostatic information of the present invention. It is a figure which shows each aspect of an information recording medium by a cross section.
  • FIG. 6 is a view for explaining the first to fourth electrostatic information recording methods of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a DC amplification type potential reading method of electrostatic information recorded on the first to fourth electrostatic information recording media of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of a method for reproducing electrostatic information recorded on the first to fourth electrostatic information recording media of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing a multi-printer configuration using the electrostatic information recording medium of the present invention.
  • FIG. 10 shows that the electrostatic information recording medium C in which p-phenylenediamine was dispersed in the charge retaining layer was stored at 60 ° C. and 25% RH, and the recorded positive information was recorded.
  • FIG. 6 is a diagram showing a change over time in a charge retention rate.
  • FIG. 11 is a heat stimulation current spectrum diagram of an electrostatic information recording medium in which p-furylenediamine is dispersed in a charge retention layer.
  • FIG. 12 is a heat-stimulated current spectrum diagram of an electrostatic information recording medium in which organic substance fine particles are not dispersed in the charge holding layer.
  • FIG. 13 is a heat-stimulated current spectrum diagram of an electrostatic information recording medium in which 0-phenylenediamine is dispersed in a charge retention layer.
  • FIG. 14 is a heat-stimulated current spectrum diagram of an electrostatic information recording medium in which m-phenylenediamine is dispersed in the charge retention layer.
  • Fig. 15 shows the change over time of the charge retention at 60 and 25 RH% for an electrostatic information recording medium W in which 2,4,7-trinitrofluorenone is dispersed in the charge retention layer.
  • Fig. 16 shows the charge retention in a suspended state where the electrostatic information recording medium with p-furylenediamine added to the charge retention layer was stored at 60 ° C and 25% RH. It is a figure which shows a time-dependent change of a rate.
  • Fig. 17 shows the charge retention when the electrostatic information recording medium with p-furylenediamine added to the charge retention layer was stored at 40 ° C and 95% RH. It is a figure which shows a time-dependent change.
  • FIG. 18 shows that the electrostatic information recording medium with p-furenediamine added to the charge retention layer was stored at 60 ° C, 25% RH, 40%, and 95% RH.
  • FIG. 4 is a diagram showing a relationship between a charge retention rate in a state and a p-phenylenediamine concentration in a charge retention layer.
  • FIG. 19 is a diagram showing the change over time in the charge retention rate when the electrostatic information recording medium in which phenothiazine is added to the charge retention layer is stored at 60 ° C. and 25% RH. .
  • FIG. 20 is a diagram showing the change over time in the charge retention rate when the electrostatic information recording medium in which phenothiazine was added to the charge retention layer was stored at 40 ° C. and 95% RH. is there.
  • Fig. 21 shows the charge retention in the state where the electrostatic information recording medium with trinitrofluorenone added to the charge retention layer was stored at 6 Q ° C and 25% RH. It is a figure which shows a time-dependent change.
  • FIG. 22 shows the change over time of the charge retention rate when the electrostatic information recording medium with the trinen-port fluorenone added to the charge retention layer was stored at 40 ° C and 95% RH.
  • FIG. Fig. 23 shows the state in which the electrostatic information recording medium in which the fluorinated trinitone was added to the charge retention layer was stored under the conditions of 60, 25% RH, 40, and 95% RH.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the charge retention and the concentration of Trinitrate D fluorenone in the charge retention layer.
  • FIG. 24 is a diagram for explaining the relationship between the film thickness of the insulating resin layer, which is the outermost surface layer, and charge retention performance. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First, a first electrostatic information recording medium will be described.
  • FIGS. 1 (a) and 1 (b) are cross-sectional views of each embodiment, in which 3 is an electrostatic information recording medium, 11 is a charge holding layer, 13 is an electrode, and 15 is a support. Body.
  • fluororesin a highly insulative fluororesin having a specific resistance of 10 14 ⁇ ⁇ cm or more is used.
  • a highly insulative fluororesin having a specific resistance of 10 14 ⁇ ⁇ cm or more is used.
  • PTFE poly (tetrafluoroethylene)
  • tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether are used.
  • PFA polymer
  • FEP hexa full O b propylene copolymer to te Torafuruo 1 p ethylenically one
  • fluororesins such as pentafluorostyrene polymer
  • thermoplastic resins, thermosetting resins, energy-curing resins such as ultraviolet-curing resins and electron beam-curing resins NiRyori Ngupurasuchi
  • a resin obtained by substituting a part or all of chromium with a fluorine atom, such as a heat exchanger can be used.
  • n 1 or 2
  • a fluorine-containing thermoplastic resin comprising a repeating unit having a ring structure represented by and having a molecular weight such that the intrinsic viscosity at 50 is at least 0.1.
  • CF 2 -CFX a general formula-(CF 2 -CFX)-(where X is F, C 1, -0-CF 2 CP 2 CP 3 , -mouth-CP 2 CP ( CF 3 ) 0CF 2 CF 2 S0 3 F. -Q-CF 2 CF 2 CF 2 COQCH 3 ) It is composed of the repeating unit (b), and contains at least 80% by weight of the repeating unit (a).
  • a fluorine-containing thermoplastic resin having an intrinsic viscosity of at least 0.1 at 0 is preferably used.
  • the dioxonol component content represented by the number m of repeating units is 20 to 90 mol%), and the melt viscosity at a temperature 9 to 11 ° C higher than the glass transition temperature is be used 1 0 2 ⁇ 1 0 4 Pa ⁇ a sec ⁇ Motonetsu thermoplastic resin Ok,
  • fluorocarbon thermoplastic resin represented by the above general formula (1) examples include, for example, DuPont [trade name “Teflon” AF160, containing about 65 mol% of dioxonol units, and a glass transition temperature of 160 °.
  • melt viscosity 2 657 Pa Pasec (measured by ASTM D 3835 at 250 ° C, 100 sec- 1 ), water absorption 0.01% £ 1 below), the company [Teflon AF 240, containing about 85 mol% of dioxonol units, glass transition temperature 240, melt viscosity 54 0 Pa ⁇ sec (350 The measured value according to ASTM D 38 35 at 0 sec- 1 ), and the ice absorption rate of 0.01% or less] are specifically exemplified.
  • the organic material dispersed in a fluororesin showed no photoconductivity, and has a specific resistance 1 0 6 ⁇ ⁇ Gm more insulating, a solvent or the fluororesin above fluorine Soluble in system solvents Need to be dispersed in a fluororesin. It is also desirable that the recording medium has a boiling point above the heat treatment temperature J3 ⁇ 4 so that it does not evaporate during the drying step when producing the electrostatic information recording medium.
  • Such an organic substance is not particularly limited as long as it satisfies each of the above conditions.
  • benzene or naphthalene having at least one selected from an amino group, a nitro group and a halogen group as a substituent
  • Hexa-hexanes having a halogen group as a substituent
  • polymers such as polymethacrylic acid, 2,4,7-trinitrofluorenone which is a photosensitizer, ⁇ , 7,8 , 8-tetracyanoquinodimethane, phenothiazine, perylene, permanent phthalic acid, permanent maleic acid, fluoranil, triphenylamine, and the like.
  • the organic substance is preferably contained in the fluorine resin in an amount of 10 to 4 % by weight to 1% by weight. Dispersion amount without addition effect is less than 1 0 4% by weight, also well distributed and more than 1 wt% is surface flame and its addition effect is reduced.
  • organic substances are obtained by dissolving glass beads or the like in a solution obtained by dissolving a fluororesin in a fluorine-based solvent, for example, Florinert FC-40, Florinert FC-75, manufactured by 3M Co., Ltd. It is better to use it for distributed processing.
  • a fluororesin for example, Florinert FC-40, Florinert FC-75, manufactured by 3M Co., Ltd. It is better to use it for distributed processing.
  • the dispersion can be applied to the electrode layer by spinner coating, spraying, brushing, dipping, etc.After application, the solvent is heated at a temperature higher than the boiling point of the fluorine-based solvent. Evaporate and remove, and after drying, film thickness 1 « ⁇ 10 0 ⁇ ⁇
  • the charge holding layer may have a thickness of 0.1 im to 10 m. When the film thickness is 0.1 / m or less, charge leakage occurs even if the electric charge is retained, and when the film thickness is 100 im or more, the flexibility is required when the information recording medium requires flexibility. Lose.
  • the dispersion liquid after the dispersion liquid is formed into a film, it may be adhered to an electrode via an adhesive or the like, or an electrode forming material may be laminated on one surface of the fluororesin film by a method such as vapor deposition. From the viewpoint of workability, it is preferable to prepare the coating method.
  • polystyrene resins include, for example, Picolastic D125, A75, D75, D125, D137, D150, and the like manufactured by Rika Hercules Co., Ltd. Is mentioned.
  • solvent for these polystyrene resins examples include xylene, toluene, monobenzene j-lebenzene, methyl ethyl J-lektone, black mouth form, pentane, tetrahydrofuran and the like.
  • the organic substance to be added to the polystyrene resin As the organic substance to be added to the polystyrene resin, the organic substance to be added to the above-mentioned fluororesin can be used in the same manner, and the above-mentioned fluororesin is used for the method of lamination on the electrode and the film thickness. The same is true.
  • Fig. 2 shows a schematic diagram of a (thermally stimulated currents) measuring device (manufactured by Toyo Seiki Seisaku-sho, Ltd.).
  • the open-circuit TSC measuring device the charged sample 1 provided on the electrode 2 and the upper electrode 3 are arranged facing each other at a fixed distance, the two electrodes are connected, and the ammeter 4 is placed in the connection line.
  • the sample is heated at a constant heating rate, and the current is measured during the heating. The measurement is based on the potential change of the upper electrode caused by the surface potential of the charged sample.
  • the heating temperature is changed, and When a thermally stimulated current spectrum indicating the relationship with the generated current is measured, it has a heteropeak other than the normal homopeak. Here, even if the charge holding layer is negatively charged, no heteropeak occurs.
  • FIG. 3 schematically shows a general heat stimulating current spectrum of the electrostatic information recording medium of the present invention
  • FIG. 4 shows an insulating property having no photoconductivity in the charge holding layer.
  • the electrostatic information recording medium of the present invention shows a hetero peak (b) in addition to a normal homo peak (a), but in FIG. 4, only a negative current is present, and the hetero current is Not flowing.
  • the second electrostatic information recording medium of the present invention is different from the above-mentioned general formula (1) in place of the charge holding layer in the first electrostatic information recording medium described above. ) Is used alone, and is laminated on an electrode by a similar lamination method to form a charge retention layer.
  • Photoconductive fine particles and conductive fine particles may be present in the charge holding layer of the electrostatic information recording medium in order to enhance the charge storage function.
  • the photoconductive fine particle material examples include inorganic photoconductive materials such as amorphous silicon, crystalline silicon, amorphous selenium, crystalline selenium, sulfide dome, zinc oxide, and polyvinyl carbazole, phthalocyanine, amorphous silicon.
  • Organic photoconductive materials such as azo pigments are used.
  • conductive materials include Group A of the periodic table (Alkali metal), Group 1B (copper group), Group 2A (alkaline earth metal), Group 2B (zinc group) ), 3A group (aluminum group), 3B group (rare earth), 4B group (titanium group), 5B group (vanadium group), 6B group (chromium group), 7th group Group B (manganese group), group 8 (iron group, platinum group) and group 4A (carbon group) include carbon, silicon, germanium, tin, lead, and group 5A (nitrogen group) Antimony, bismuth, and sulfur, selenium, and tellurium are used as fine powders for Group 6A (oxygen group).
  • Metals among the above elemental elements can also be used in the form of metal ions, particulate alloys, organic metals, and complexes.
  • the element simple substance can be used in the form of an oxide, a phosphate, a sulfate, or a halide. Particularly, carbon, gold, copper, aluminum and the like are preferably used.
  • the resin represented by the general formula (1) is dissolved in the fluorine resin-based solvent described in the section of the first electrostatic information recording medium. After forming the charge retention layer to form a resin layer under the same coating conditions, heating the resin layer to the vicinity of the softening point of that, by using a low pressure deposition apparatus 1 0-1 0 one 3 T orr low pressure.
  • the fine particle forming material is deposited below, the fine particle forming material is aggregated into an ultrafine state having a diameter of about 10 to 0.1 ⁇ m, which can be present in the vicinity of the surface of the resin layer.
  • the fine particle material is dispersed in the resin solution using the fluorine-based solvent described in the item 1 of the electrostatic information recording medium in a range of 10 to 4 % by weight, and the first electrostatic information recording medium is placed on the electrode.
  • the layer may be formed under the conditions described in the above section, such as the application method and the film thickness.
  • FIGS. 5 (a) and (b) are cross-sectional views of each embodiment, where 3 is an electrostatic information recording medium, 1G is an insulating resin layer, and 11 is a photoconductive fine particle layer. Or a conductive fine particle layer, and 12 has a film thickness of 0. 1 ⁇ m to 1 ⁇ m insulating resin layer, 13 is an electrode, and 15 is a support.
  • the Rukoto which have a absolute ⁇ on 1 0 1 4 ⁇ ⁇ GmJil in specific resistance is required.
  • the resin constituting the charge retention layer must have a glass transition temperature equal to or higher than the use environment temperature.
  • a thermoplastic resin, a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin examples thereof include an energy beam curable resin such as an electron beam curable resin, and an engineering plastic.
  • the above-mentioned fluororesin in the first electrostatic information recording medium is preferably used.
  • the non-photoconductive organic substance in the fourth electrostatic information recording medium the above-mentioned non-photoconductive organic substance in the first electrostatic information recording medium is similarly used. be able to.
  • the resin solution is used, and it is preferable to apply and form it in the same manner as the method of forming the charge holding layer in the first electrostatic information recording medium described above.
  • a photoconductive fine particle layer or a conductive fine particle layer 11 is further provided.
  • the photoconductive fine particle material and the conductive fine particle material the photoconductive fine particle material and the conductive fine particle material described in the section of the second electrostatic information recording medium described above are used.
  • the insulating resin layer is formed by evaporating the insulating resin layer at a temperature equal to or lower than the melting temperature of the resin using a low-pressure evaporator.
  • Evaporation material is 10 Aggregate and evaporated under low pressure of T orr ⁇ l 0- 3 T orr, 0. L ⁇ m ⁇ l 0 m becomes ultrafine state of about strange, monolayer on the insulating ⁇ layer or a plurality layers They are stacked in an aligned state.
  • an insulating resin layer 12 is applied and formed on the fine particle layer by the same method as the formation of the insulating resin layer 10 so as to have a thickness of 0.1 to lim.
  • the mechanism of information recording in the third or fourth electrostatic information recording medium is as follows. First, when electric charge is formed on the surface of the electrostatic information recording medium by electrostatic recording, the electric charge is induced on the electrode by the electric charge. It is considered that the surface charge passes through the insulating resin layer 12 and is stably retained in the photoconductive fine particles or the conductive fine particles due to the action of the electric field with the opposite electric charge. If it exceeds m, the surface charge does not pass through, but merely remains in the state of the surface charge, and the charge is not injected into the fine particles, which is not preferable. Due to this insulating resin layer 12, the formation of a protective film after recording is unnecessary, and an electrostatic information recording medium with improved charge retention can be obtained.
  • the temperature of the insulating resin layer 10 is set to a temperature lower than its softening point, and a fine particle layer is deposited on the resin layer.
  • a resin having a high softening point can be used, and the range of resin selection as a material for forming the resin layer can be expanded.
  • the resin has high insulating properties and low water absorption, so that it can have more excellent charge retention performance.
  • the recording medium records information on the charge holding layer or the fine particle layer as a distribution of electrostatic charges. Therefore, the shape of the electrostatic information recording medium can take various forms depending on the information to be recorded or the method of recording. For example, when used in a camera, it can be in the form of a general film (for single frame or continuous frame) or in the form of a disc or card. The shape is a disk or card.
  • the support 15 in FIGS. 1 and 5 strongly supports the electrostatic information recording medium, and has a certain strength capable of supporting the charge holding layer.
  • the material and thickness are not particularly limited.
  • flexible plastic films, metal foils, paper, or rigid bodies such as glass, plastic sheets, and metal plates (which can also serve as electrodes) are used.
  • the layer having an antireflection effect and the film thickness capable of exhibiting the antireflection effect may be adjusted as necessary, or the both may be combined to provide the antireflection effect.
  • the electrostatic information recording medium is in the form of a flexible film, tape, disk, or card
  • a flexible plastic film is used as the support, and if the strength is required, Rigid sheets, inorganic materials such as glass, etc. are used.
  • ITO tin oxide oxide
  • Such an electrode is formed on a support by a method such as vapor deposition, sputtering, CVD, coating, plating, dipping, or electrolytic polymerization.
  • the film thickness needs to be changed depending on the electrical characteristics of the material constituting the electrode and the applied voltage at the time of recording information, for example, about 100 to 300 A.
  • the charge holding layer is formed in accordance with the entire surface or the charge holding layer.
  • the electrostatic information recording medium shown in FIGS. 1 (b) and 5 (b) does not have the support 15, but such an electrostatic information recording medium has a charge holding property.
  • the electrode layer is formed on the surface of the charge holding layer by a vapor deposition method, a sticking method, or the like.
  • the third or fourth electrostatic information recording medium it is provided on the surface opposite to the surface on which the fine particle layer is laminated.
  • the first or second electrostatic information recording medium of the present invention is provided as a protective film on the surface of the electrostatic information recording medium in order to prevent damage to the surface of the electrostatic information recording medium and attenuation of information charges after information recording. It is preferable to coat a plastic film or a plastic solution, or to form a film having a thickness of several hundreds A to several tens ⁇ m by a vapor deposition method or the like.
  • the charge holding layer in the first or second electrostatic information recording medium of the present invention is applied to the surface of the photoconductive layer of the photoreceptor having the photoconductive layer on the electrode, or laminated by adhesion or the like. Also, in the case of the charge holding layer in the third or fourth electrostatic information recording medium, it is preferable to stack the particles from the side where the fine particles are stacked.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the electrostatic information recording method, in which 1 is a photoreceptor, 3 is an electrostatic information recording medium, 5 is a support, ⁇ is an electrode, 9 is a photoconductive layer, and 17 Is a power supply, and 18 is an information light.
  • a transparent electrode 7 made of ITO having a thickness of 1000 A is formed on a support 5 made of glass having a thickness of 1 mm, and a photoconductive layer 9 having a thickness of about 100 ⁇ m is formed thereon. Make up one. As shown in FIG. 1A, an electrostatic information recording medium 3 is arranged with respect to the photoreceptor 1 through a small gap.
  • FIG. 17 a voltage is applied between the electrodes 7 and 13 by the power supply 17 as shown in FIG.
  • the figure shows the case where a positive voltage is applied to the photoconductor side and a negative voltage is applied to the electrostatic information recording medium, it is necessary to make the photoconductor side negative when recording negative charge information on the electrostatic information recording medium. is there.
  • the photoconductive layer 9 is a high-resistance material, no change occurs between the electrodes if the voltage applied to the gap is equal to or lower than the discharge starting voltage according to Paschen's law. Also, when a voltage higher than the discharge starting voltage is applied to the gap by an external power supply, discharge occurs, charges are accumulated on the electrostatic information recording medium, and the discharge starting voltage drops. This state continues until it becomes a Capri charge.
  • the photoconductive layer 9 in the portion where the light is incident exhibits photoconductivity and discharge occurs, and electric charges are accumulated in the electrostatic information recording medium. Even if there is a uniform capri charge in advance, the charge is further accumulated in the portion where light is incident.
  • this electrostatic information recording method is a planar analog recording method, high resolution can be obtained similarly to the silver halide photography method, and it is stored for a long time without charge decay.
  • a method of inputting information to the electrostatic information recording medium of the present invention there are a method using a (1) resolution electrostatic camera and a method using a laser.
  • a high-resolution electrostatic camera uses the electrostatic information recording medium of the present invention in place of a photographic film used in a normal camera, and is closely contacted with a photoconductor or is opposed to the photoconductor at a certain interval. It forms an electrostatic latent image corresponding to the incident optical image while applying a voltage between the two electrodes, and can use an optical shutter or an electric shutter.
  • a color filter that separates optical information into R, G, and B light components using a prism and extracts them as parallel light, and forms one frame with three sets of R, G, and B separated electrostatic information recording media.
  • R, G, and B images on one plane to make one frame in one set, it is also possible to take a full picture.
  • the recording method using a laser is as follows.
  • the light source is an argon laser (514.488 nm), a helium-neon laser (633 nm), a semiconductor laser (780 nm, 81 Onm) can be used.
  • the photoreceptor and the electrostatic information recording medium are planar and the surfaces are in close contact with each other, or they are opposed at a certain interval, and a voltage is applied.
  • the photoconductor electrode should be set to the same polarity as the carrier of the photoconductor. In this state, laser single exposure corresponding to the image signal, character signal, code signal, and line drawing signal is performed by scanning.
  • Analog recording such as images is performed by modulating the laser light intensity
  • digital recording such as characters, codes, and line drawings is performed by ON-FF control of one laser beam.
  • the dot is formed by applying a dot generator N-0FF control to a laser beam.
  • the spectral characteristics of the photoconductive layer in the photoreceptor need not be panchromatic, but only need to be sensitive to the wavelength of one laser light source.
  • the information recording on the electrostatic information recording medium of the present invention is performed by using an electrostatic recording medium using an electrode needle head, an ion current head, or a laser printer instead of using the above-described photoconductor. It can also be performed by a first-class optical printer, or by electron beam or ion implantation.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a potential reading method in the electrostatic information recording / reproducing method, and the same numbers as those in FIG. 1 indicate the same contents.
  • 21 is a potential reading section
  • 23 is a detection electrode
  • 25 is a guard electrode
  • 27 is a capacitor
  • 29 is a voltmeter.
  • an electric field due to electric charges in a wider range than the detection electrode facing portion of the electrostatic information recording medium acts to reduce the resolution, so that the guard electrode grounded around the detection electrodes. 25 may be arranged.
  • the lines of electric force are directed perpendicularly to the surface, so that the lines of electric force only act on the portion facing the detection electrodes 23, and the portion having a size equal to the detection electrode area is applied.
  • Potential can be read.
  • the accuracy and resolution of potential reading vary greatly depending on the shape and size of the detection electrode and guard electrode, and the distance from the electrostatic information recording medium. There is a need to.
  • a method for reading an electric potential can be an organic optical materials such as optical crystal or a liquid crystal such as LiNbO 3 having an electro-optical effect takes optically read by photoelectric effect.
  • FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of a method for reproducing electrostatic information.
  • 31 is a potential reading device
  • 33 is an amplifier
  • 35 7 is a printer.
  • a charge potential is detected by a potential reading device 31, a detection output is amplified by an amplifier 33, displayed by a CRT 35, and printed by a printer 37.
  • a portion to be read can be arbitrarily selected and output, and repetitive reproduction can be performed.
  • optical reading can be performed using a material whose optical properties change depending on an electric field, for example, an electro-optic crystal or the like. Further, since the electrostatic latent image is obtained as an electric signal, it can be used for recording on another recording medium as required.
  • the electrostatic information such as characters and images recorded on the electrostatic information recording medium of the present invention is stored semi-permanently with almost no attenuation. Therefore, when such an electrostatic information recording medium is used for a recording drum of, for example, an ion flow printer, it is possible to record the print information only once by ion flow and then obtain a desired number of hard copies.
  • a so-called multi-printer can be configured. An example of this is shown in FIG. In the figure, 3 is a drum-shaped electrostatic information recording medium, 41 is an electrostatic charge, 42 is a toner, 43 is an ion head, 44 is a transfer means, 45 is a toner developing machine, and 46 is a transfer target. Show paper.
  • the ion head 43 is driven by signal information and the like, and the electrostatic charge 4 corresponding to the information is stored in the electrostatic information recording medium. After the electrostatic charge is developed with toner, the toner is electrostatically transferred or melt-transferred onto the transfer paper 46. With this, a hard copy can be obtained. Since the electrostatic information recording medium of the present invention is excellent in charge retention, the desired number of hard copies can be obtained by driving the ion head 43 only once by signal information or the like.
  • specific examples 1 to 13 are the first electrostatic information recording medium
  • specific examples 14 to 17 are the second electrostatic information recording medium
  • specific examples 18 2 is a specific example of the electrostatic information recording medium of FIG.
  • This dispersion was applied on an ITO transparent electrode (thickness: about 500 A, resistance value: 80 ⁇ / ⁇ ) with a spin coater (600 rpm, 20 sec), air-dried for 1 hour, and dried for 1 hour. It was placed in an oven at 50 for 1 hour and dried to obtain an electrostatic information recording medium A having a film thickness of 2.4 / m.
  • m- instead of 0-fluoroamine was used.
  • electrostatic information recording media B and C were respectively prepared in the same manner as described above.
  • each of the electrostatic information recording media After performing a charging treatment on the charge holding layer of each electrostatic information recording medium to a surface potential of +100 V and 110 V with a corona charger, each of the electrostatic information recording media is placed in the (1) indoor room. After leaving for 30 days under conditions (normal temperature and humidity), (3) 40, after leaving for 30 days at (2) 60, 25% RH as an accelerated test. C, 95% RH, and charge retention performance under each condition after standing for 30 days were measured. The results are shown in the table below.
  • FIG. 10 shows the charge retention ratio of positive charges when the electrostatic information recording medium C in which p-phenylenediamine was dispersed was stored at 60 ° C. and 25% RH. Shows the change over time.
  • the symbol “ ⁇ ” indicates the electrostatic information recording medium C
  • the symbol “ ⁇ ” indicates the electrostatic information recording medium prepared in the same manner without adding P-phenylenediamine in the preparation of the electrostatic information recording medium.
  • the electrostatic information recording medium C in which p-phenylenediamine is dispersed is superior to the electrostatic information recording medium prepared without adding p-phenylenediamine even under low temperature conditions. It can be seen that it has a charge retention property.
  • the electrostatic information recording medium in which the p-furandiamine is dispersed, except that the thickness of the charge holding layer is set to about 2 jum. Prepares an electrostatic information recording medium in the same manner as described above, and +320 V (a). + 160 V (b). + 80 V (c). + By corona charging on the charge retaining layer. 4 charged so that the surface becomes a potential of 0 V (d), then the charge retention layer 2 2 0 e C until in heated from 2 0, was measured during the thermally stimulated current.
  • FIG. 12 shows the results obtained by subjecting the electrostatic information recording medium produced in the same manner as described above to the above-mentioned positive charging treatment except that the organic substance fine particles were not dispersed, and similarly measuring the thermal stimulation current.
  • a is the initial potential +40 V
  • b is +100 V
  • c is +200 V, measured in the same manner as above.
  • the electrostatic information recording medium A is charged so as to have a surface potential of +80 V
  • the electrostatic information recording medium B is charged so that the surface potential is +100 V.
  • Example 1 An electrostatic information recording medium was produced in the same manner as in Example 1, and the charge retention performance was measured as in Example 1.
  • the surface charge was measured after standing at 60 ° C and 25% RH for 30 days. As a result, it was +50 V and -85 V, indicating that both positive and negative charges were well retained.
  • Electrostatic information recording media D, E, and F were produced in the same manner as in Example 1, and the charge retention performance was measured as in Example 1.
  • the surface charge was measured after standing at 60 ° C and 25% RH for 30 days.As a result, the electrostatic information recording medium D was +71 V, 190 V, and the electrostatic information recording medium E was +90. V, -90 V.
  • the electrostatic information recording medium F has +60 V, -90 V, and it can be seen that both the positive charge and the negative charge are well retained.
  • the heat stimulation current spectrum of the electrostatic information recording media D, E, and F was measured in the same manner as in Example 1, and a similar heteropeak was confirmed.
  • Example 4 (Specific example 4) Instead of o-phenylenediamine in Example 1, 1.85 mg of 0-dinitrobenzene and m-dinitrobenzene were used, respectively, and electrostatic information recording media G and H were produced as in Example 1, respectively. And its charge retention performance was measured.
  • the electrostatic information recording medium G was +80 V, 190 V, and the electrostatic information recording medium H was +80 V. It is found that the positive and negative charges are well maintained.
  • Example 1 In place of 0-phenylenediamine in Example 1, 1.6 mg of p-dichlorobenzene, 1,2-, 3-trichlorobenzene, 1,2,4-trichlorobenzene, 1,3 Benzene, 5-tricyclo-mouth benzene, 2.Omg each; 1,2,3,4,5,6,1-hexacyclobenzene benzene, 3.15 mg, electrostatic information recording as in Example 1 Media I, J, K, L, and M were prepared, and their charge retention performance was measured in the same manner as in Example 1.
  • the surface charge was measured after standing at 60 ° C and 25% RH for 30 days.As a result, the electrostatic information recording medium I was +75 V, -90 V, and the electrostatic information recording medium J was +75. V, 190 V, electrostatic information recording medium K is +75 V, 190 V, electrostatic information recording medium L is +75 V, 190 V, electrostatic information recording medium M is +7 0 V and -90 V, which indicates that both positive and negative charges are favorably held.
  • the thermal stimulus current spectrum of the electrostatic information recording media I, J, K, L, and M was measured in the same manner as in Example 1, and a similar heteropeak was confirmed.
  • Example 1 Instead of 0-phenylenediamine in Example 1, 1.5 mg of 1-2-troaline, 2--2-troi-aline, 1.5 mg of 3-nitroaline, respectively, Use 1.7 mg each of 3-nitroaniline, 1-amino-2-nitroaniline, and 1-nitro-2-aminoinoline, as in Example 1. Electrostatic information recording media N, ⁇ , P, Q, R, and S were produced, and the charge retention performance was measured in the same manner.
  • the electrostatic information recording medium N was +30 V, 190 V, and the electrostatic information recording medium 0 was +30.
  • V, 190 V, electrostatic information recording medium P is +30 V, 190 V, electrostatic information recording medium Q is +80 V, 190 V, electrostatic information recording medium R is +8 5 V, 190 V, and the electrostatic information recording medium S were +85 V, -90 V, which indicates that both positive and negative charges were well held.
  • the thermal stimulation current spectrum of the electrostatic information recording media N, 0, P, Q, R, and S was measured in the same manner as in Example 1, and the same heteropeak was confirmed.
  • polymethyl methacrylate having primary particle size distributions of 0.1 to 0.2 m and 0.35 to 0.5 jm ⁇ 0.6 to 0.9 jum, respectively.
  • Leh Each particle uses 1.2 tng of fine particles (manufactured by Soken Kagaku Co., Ltd., MP1451, trade name MP-10000, MP-1600). , U and V were prepared, and their charge retention performance was measured in the same manner as in Example 1.
  • the surface charge was measured after standing for 30 days.As a result, the electrostatic information recording medium T was +46 V, 18 V, and the electrostatic information recording medium U was +45 V. 186 V, the electrostatic information recording medium V was +38 V, 185 V, indicating that both positive and negative charges were well retained. It can be seen that the smaller the value, the better the charge retention.
  • the heat stimulation current spectrum of the electrostatic information recording media T, U, and V was measured in the same manner as in Example 1, and a similar heterotopic peak was confirmed.
  • Example 1 Instead of 0-phenylenediamine in Example 1, 3.5 mg of 2,4,7-trinitrofluorenone, 2.25 mg of 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane and 2.25 mg of phenothiazine were used. 2.2 mg, 2.8 mg of perylene, 1.65 mg of phthalic anhydride, 2. O mg of fluoranil, 2. 2. mg of trifluoromethane. mg and maleic anhydride were used, and electrostatic information recording media W, X, Y, Z, a, b, c, and d were prepared in the same manner as in Example 1. Similarly, its charge retention performance was measured.
  • electrostatic information recording medium W was +75 V, 190 V
  • electrostatic information recording medium X was +73 V. ,-9 IV
  • electrostatic information recording medium Z +70 V, 182 V
  • electrostatic information recording medium a +57 V, 182 V
  • electrostatic information recording Medium b is +73 V
  • -9 IV electrostatic information recording medium c is +50 V, 165 V
  • electrostatic information recording medium d is +43 V, 178 V, positive charge It can be seen that both negative charges are well retained.
  • Figure 15 shows the change over time of the charge retention at 60 ° C and 25 RH% for an electrostatic information recording medium W in which 2,4,7-trinitrofluorenone was dispersed. Is shown. In the figure, ⁇ is the electrostatic information recording medium W, and the country is the electrostatic information recording medium W that does not disperse 2,4,7-trinitrofluorenone.
  • the electrostatic information recording medium W in which 2,4,7-trinitrofluorenone is dispersed has superior charge retention performance even at high temperatures, compared to the non-dispersed electrostatic information recording medium W.
  • Poly-N-vinyl carbazole 10 g (manufactured by Anan Perfumery Co., Ltd.), 2,4,71-trinitrofluorenone 10 g, polyester resin 2 g (binder: Byron 200 Toyobo ( Ltd.)), was prepared in the dark Tetorahai de port franc (THF) 9 0 g mixture having a composition of, ln 2 0 3 - Sn0 2 to about 1 0 0 GA film thickness It was applied to a sputtered glass substrate (1 mm thick) using a doctor blade and dried by ventilation at 60 for about 1 hour to obtain a photoreceptor having a photoconductive layer with a film thickness of about 10 im. In addition, in order to dry completely, it was used after further natural drying for one day.
  • THF Tetorahai de port franc
  • the photosensitive member and the electrostatic information recording medium in which P-phenylenediamine prepared in Example 1 was dispersed were used as a spacer with a polyester film having a film thickness of 10 ⁇ m.
  • the surface was grounded with the photoconductor layer facing the photoconductor layer.
  • a DC voltage of 600 V was applied between the two electrodes.
  • This solution was applied to an ITO transparent electrode (film thickness: about 500 A, resistance value It was coated on a sample (800 ⁇ / ⁇ ) with a spin coater (100 rpm, 20 sec). It was placed in a 100 ° C. oven for one hour and dried to obtain a 5 / m-thick electrostatic information recording medium.
  • an electrostatic information recording medium was prepared in the same manner as above, except that a solution having an organic substance concentration of 3.3% by weight and 0.1% by weight was used.
  • the charge retention performance at one day was measured by the same method. The results are shown in FIG.
  • the electrostatic information recording medium of the present invention has particularly excellent positive charge retention performance, and that the retention performance improves as the concentration of the organic substance increases.
  • the corona charger charges the surface of the charge holding layer of the electrostatic information recording medium to a surface potential of +170 V and 170 V. After that, the charge retention performance under high temperature conditions of 60 ° C and 25% RH was measured as an acceleration test. The results are shown in FIG. In addition, the charge retention performance under humid conditions of 40 and 95% RH was measured. The results are shown in FIG.
  • the electrostatic information recording medium of the present invention is particularly excellent in the retention performance of positive charges, and that the retention performance is particularly improved as the density is increased. (Specific examples 13)
  • the photoreceptor prepared in Example 9 and the electrostatic information recording medium prepared in Example 10 in which 0.3% by weight of p-phenylenediamine was added to the charge-retaining layer were used.
  • um polyester film was used as a spacer, and the surface of the electrostatic information recording medium was directed to the photoconductive layer surface of the photoreceptor and grounded.
  • a DC voltage of ⁇ 600 V was applied between both electrodes.
  • Fluorine-containing resin (trade name, manufactured by DuPont, Teflon ⁇ emissions AF 1 6 0 0, ⁇ rate 0.0 1% or less, resistivity 1 X 1 0 18 Q / C m) of Pafuruoro (2 Puchirute Jewishi Dorofuran )
  • a transparent electrode film thickness: 500 A, resistance: 80 ⁇ / ⁇
  • ITO indium tin oxide
  • the surface of the charge retention layer was charged by a corona charger to a surface potential of 120 V, and the charge retention performance was measured.
  • the surface of the charge holding layer of the electrostatic information recording medium prepared in Specific Example 14 was charged by a corona charger so as to have a surface potential of +120 V, and the charge holding performance was measured.
  • the surface potential of the charge retention layer was measured.As a result, the residual potential of 85 V was maintained, and the acceleration test was performed at 60% and 20% RH for 30 days. , A residual potential of 170 V was maintained, and after 30 days storage at 40 ° C. and 95% RH, a residual potential of 180 V was maintained.
  • the photoreceptor prepared in Specific Example 9 and the electrostatic information recording medium prepared in Specific Example 14 were combined with a polyester film having a thickness of 10 / m as a spacer.
  • the body was grounded facing the photoconductive layer surface.
  • a DC voltage of 170 V was applied between the two electrodes, with the photoconductor side negative and the electrostatic information recording medium side positive.
  • an exposure is performed for 1 second from a photoreceptor using a Hagen lamp with an illuminance of 1000 lux as a light source to form an electrostatic latent image ⁇
  • ITO Indium tin oxide
  • film thickness about 500 ⁇
  • resistance value 80 ⁇ / ⁇
  • fluorine resin trade name: Cytop, Asahi Glass Co., Ltd.
  • fluorine-based solvent perfluoro (2-butylethyltrahydrofuran)
  • selenium was deposited at a substrate heating temperature of 45 under low vacuum (6 t0 rr) over a period of 10 minutes so that the average particle size was 0.5 m or less.
  • the above-mentioned fluororesin solution was applied on this vapor deposited layer by a spinner coat method so as to have a film thickness after drying of 0.6 m, thereby producing various electrostatic information recording media.
  • tellurium was used as a vapor deposition material instead of selenium, and the average particle diameter G.
  • An electrostatic information recording medium was manufactured in the same manner except that a fine particle layer under imJ3 ⁇ 4 was formed.
  • Example 18 zinc was used as a vapor deposition material instead of selenium, and the average particle diameter was obtained by vapor deposition at a substrate heating temperature of 50 t to 60, a degree of vacuum of 0.1 t 0 rr and a vapor deposition time of 5 minutes.
  • An electrostatic information recording medium was prepared in the same manner except that a fine particle layer of 0.5 ⁇ m or less was formed.
  • the medium After charging the medium to a surface potential of 120 V by corona charging, the medium is kept at +90 V and 110 V even after being left for 30 days at a high temperature of 60 or 20% RH. 0 V potential was maintained, and further left for 30 days under the humid condition of 40 ° C and 95% RH, the surface potential of +85 V and 110 V was maintained.
  • Example 18 1.2 mg of 0-furylenediamine as a fluororesin solution, 2.6 g of fluororesin (trade name: Cytop, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), and perfluoro (2 50 g of 1-butyltetrahydrofuran) was placed in a mayonnaise bottle, and glass bead No. 1 was added until the volume became about 80%.
  • An electrostatic information recording medium A was prepared in the same manner except for using a dispersion obtained by stirring for 12 hours.
  • each electrostatic information recording medium was subjected to an acceleration test of 60% and 5% RH. As a result of measuring the charge retention performance after standing for 30 days, the surface charge of +50 V and 110 V was measured for the electrostatic information recording media A, B, and C, and the positive charge retention performance was measured. It turns out that it is also excellent.
  • the surface charge was measured after standing at 60% and 25% RH for 30 days. As a result, it was +50 V and ⁇ 100 V, indicating that both the positive charge and the negative charge were well retained.
  • Example 18 an electrostatic information recording medium was prepared in the same manner except that an aluminum-deposited polyethylene terephthalate film (thickness: 20 urn) was used in place of the glass with an IT electrode coated with a fluorine resin. Produced.
  • the medium is charged to a surface potential of ⁇ 800 V by corona charging, and then left at 60 :, 25% RH for 90 days Later, when the surface potential was measured, it was found that the potential of +580 V and the potential of 175 V were maintained.
  • the photoreceptor prepared in Specific Example 9 and the electrostatic information recording medium prepared in Specific Example 18 were combined with a polyester film having a thickness of 10 jum as a spacer.
  • the photoconductor was grounded so as to face the photoconductive layer surface.
  • a DC voltage of 600 V was applied between both electrodes.
  • the surface charge was measured after standing at 60 ° C and 25% RH for 30 days. As a result, it was +35 V and -70 V, and both positive and negative charges were well maintained.
  • ITO is laminated on a 1-mm-thick glass substrate, and a 7% fluorine-based solution of fluorine resin (trade name, Cytop, manufactured by Asahi Glass) is coated on the electrode by spinner coating (100 rpm). , 20 s) after drying at 2.9 / in.
  • fluorine resin trade name, Cytop, manufactured by Asahi Glass
  • the medium was charged to a surface potential of ⁇ 100 V by corona charging. Then, this medium was converted to 6 O: When left for 30 days under high temperature conditions of 20% RH, the potential becomes +10 V and 110 V, and when left for 30 days under humid conditions of 40 and 95% RH, The potential was +200 V and 110 V.
  • thermoplastic resin trade name: Sterile Pastel 10, manufactured by Rika Hakiurares Co., Ltd., softening point 71-78
  • the solution was applied to a thickness of 5 jum after drying by a spin coating method (200 rpm mx 20 S).
  • the glass substrate is heated to 70 with a single heater, and selenium is vapor-deposited under a low vacuum (6 t0 rr) for about 15 minutes in this state, thereby forming a thermoplastic resin layer.
  • An a-selenium particle layer having an average particle diameter of 0.15 / m was provided on the surface near the surface to obtain an electrostatic information recording medium.
  • the electrostatic information recording medium is charged to a surface potential of 200 V by corona charging in a dark place, and then irradiated with light. And the charge retention performance was measured.
  • thermoplastic polystyrene resin (trade name: Picolast D125, manufactured by Rika Haki Yures, with a softening point of 125) on IT ⁇ laminated on a 1 mm thick glass plate Spin It was applied to a thickness of 5 m after drying by a coating method (100 rpm mx 20 S).
  • the glass substrate is heated to 110 with a heater plate, and selenium is vapor-deposited in this state under a low vacuum (600 rr) for about 15 minutes to obtain a thermoplastic resin.
  • An a-selenium particle layer having an average particle size of 0.5 im was provided on the layer near the surface to obtain an electrostatic information recording medium.
  • the electrostatic information recording medium is charged to a surface potential of 200 V by corona charging in a dark place in a dark place, and then irradiated with light, and the surface potential is changed to an internal charge of 180 V each.
  • the charge retention performance was measured.
  • Example 18 an electrostatic information recording medium was prepared without providing a fluororesin layer on the vapor deposition layer, and the charge retention performance was measured in the same manner. This medium was subjected to high temperature conditions of 60%, 20% RH for 30 days. When left below, the surface potentials were +40 V and -175 V, and at 40, 95% RH under the humid condition left for 30 days, +30 V and -0.10 V V surface potential. Industrial applicability
  • the electrostatic information recording medium of the present invention has an improved charge retention performance for negative charges. In addition to the above, it has particularly good positive charge retention performance, enabling information recording without affecting the type of photoreceptor, and the stored information charge is extremely stable. Therefore, since the information stored on the electrostatic information recording medium is of high quality and high resolution, an electric signal corresponding to the stored information charges can be output and displayed on a CRT. Furthermore, printing can be performed using a sublimation printer or the like. Further, for example, a so-called multi-printer that can be used as a recording drum of an ion flow printer and can obtain a desired number of hard copies can be configured.

Description

明 細 書
静電情報記録媒体
技 術 分 野
本発明は、 電圧印加時露光方法等により情報を静電的に記 録し、 任意時点で情報再生を行うことができる静電情報記録 媒体に関し、 負電荷の電荷保持特性に優れると共に特に正電 荷の電荷保持特性において優れ、 また耐熱性、 耐湿性に優れ 、 加工性に優れた静電情報記録媒体に関する。
背 景 技 術
従来、 電子写真技術等において電極層上に光導電層を蒸着 させ、 その光導電層上を全面帯電させた後像露光して露光部 の電荷をリークさせることにより光導電層上に静電潜像を光 学的に形成させ、 その残留電荷と逆極性の電荷を有するトナ 一を付着させ、 紙等に静電転写して現像するものが知られて いる。 これは主として複写用に使用されているが、 記録媒体 としての光導電層における静電荷の保持期間を短く し静電潜 像形成後は直ちにトナー現像されるものであり、 これを例え ば撮影用とすると低感度のためとても使用できない。
これに对して、 電極上に光導電層を設けた感光体と対向さ せて配置される静電情報記録媒体であって、 両電極間に電圧 印加した状態で像露光することにより、 静電情報記録媒体上 に極めて高解像の静電荷像を記録する電圧印加時露光による 静電情報記録方法が開発されている。 この静電情報記録方法 に使用される静電情報記録媒体においては、 その電荷保持性 が極めて重要である。 電荷保持層を形成する樹脂として、 弗素樹脂は電荷保持特 性に優れるが、 電極上に層設するに際してその加工性に問題 があり、 また、 絶縁材料としてみると弗素樹脂は電子に対し ては高絶縁性を示すものの、 例えばテト ラフルォロエチレン 一へキサフルォロプロ ピレン共重合体 (F E P ) では電子は 1 0 - 1 7cm 2/V · s以下の移動度であるのに対して、 正孔は 2 X 1 0 - 9 cmVV - s と移動度が大きく、 正孔に対しては絶縁 性が十分であるとはいえない。
また、 ポ リスチレン樹脂は、 ガラス転移温度が高く、 吸湿 性も低い点で優れているが、 その電荷保持特性は低く く、 電 荷保持層として使用できないという間題がある。
本発明は、 電荷保持性、 特に正電荷の電荷保持性能に優れ ると共に、 耐熱性、 耐湿性に優れ、 加工性に優れた電荷保持 層を有する静電情報記録媒体の提供を目的とする。 発 明 の 開 示
本発明の第 1の静電情報記録媒体は、 少なくとも電極層上 に電荷保持層を積層してなり、 該電荷保持層が弗素樹脂また はポリスチレン樹脂とから選択される樹脂と光導電性を有し ない絶縁性有機物質とからなることを特徴とする。
また、 その電荷保持層が正帯電処理された後、 該電荷保持 層についてオープンサ一キッ ト熱刺激電流装置により測定し て得られる熱刺激電流スぺク トルがホモピーク以外にヘテロ ピークを有するものであることを特徴とする。
弗素樹脂は、 一般に、 比抵抗が高く、 且つ吸水率が 0 . 0 1 %以下と低く、 保持電荷の正負に関係なく耐湿性に優れ、 水分の吸着、 湿度の影響等、 比抵抗の低下を原因とする膜厚 方向或いは表面での橫方向への保持電荷のリークが少ない。 またガラス転移温度が 1 0 0 £1上であるために耐熱性に優 れ、 髙温度においても電荷保持性能が良好であり、 蓄積電荷 の蛏時変化が少、ない。 また、 弗素樹脂は弗素系溶媒に可溶で あることから、 加工性に優れ、 特にコーティ ングが可能であ ることから一定面積における膜厚を均一にする、 或いは数 u mの薄膜化するうえで優れるものである。 また、 ポリスチレ ン樹脂は、 ガラス転移温度が高く、 吸湿性も低い点で優れて いる
しかしながら、 弗素樹脂は、 一般に負電荷 (電子) の保持 性は優れているが、 正電荷の保持性は低いし、 またポリスチ レン榭脂単独では電荷保持性が低いことが判明した。 本発明 者等は弗素樹脂、 またはポリスチレン樹脂中に絶縁性有機物 質微粒子を分散させると、 電荷保持特性、 特に正電荷の保持 性能が向上することを見出した。 その詳細な理由は不明であ るが、 絶縁性有機物質微粒子とマト リ ックスである弗素樹脂 またはポリスチレン樹脂との界面に正電荷のトラップサイ ト が生じ、 正電荷の保持性能が向上すると思われる。 これによ り本発明の静電情報記録媒体は、 負電荷のみでな.く、 正電荷 の静電情報の保持性能が向上するので、 情報記録に際して使 用される感光体の種類に影響なく情報記録を可能としうるも のである。
また、 本発明の第 2の静電情報記録媒体は、 少なくとも電 極層上に電荷保持層が積層されてなり、 該電荷保持層が下記 一般式 ( 1 ) で C F2 - C F2丁 F
てヌ
0、
C F a C F
(但し、 繰り返し単位数 mで示されるジォキソノ ール成分舍 量が 2 0〜9 0モル である繰り返し単位からなり、 ガラ ス転移温度より 9 0〜 1 1 0 高い温度での溶融粘度が 1 0 2 〜 1 04 Pa · secである含弗素熱可塑性樹脂からなること を特徴とする。
上記一般式 ( 1 ) で示される舍弗素熱可塑性榭脂は、 比抵 杭が 1 X 1 0 14Ω · c.m£l上で、 例えば 1 0 18Ω · cmと高 く、 電荷保持性能に優れ、 且つ吸水率が ϋ. 0 1 %以下と低 いために永分の吸着による比抵抗の低下を原因とする膜厚方 向での保持電荷のリーク或いは表面での横方向への保持電荷 のリ一クが少なく、 またガラス転移温度が 1 G 0で以上であ るために耐熱性に優れ、 高温度においても電荷保持性能が良 好であり、 蓄積電荷の経時変化が少ないことを見出したもの であり、 これにより長期に渡つて情報電荷を記憶することが できるものである。 また、 上記一般式 ( 1 ) で示される樹脂 は弗素系溶媒に可溶であることから、 加工性に優れ、 特にコ 一ティ ングが可能であることから一定面積における膜厚を均 一にする、 或いは数/ imの膜厚を得る上で優れているもので ある。 本発明の第 3の静電情報記録媒体は、 少なくとも電極層上 に電荷保持層が積層されてなり、 該電荷保持層が電極層上に 絶緣性樹脂層、 次いで光導電性または導電性微粒子層、 更に 膜厚 0 . 1 « m〜 1 « mの絶緑性樹脂層が積層されたもので あることを特徴とし、 又その絶縁性樹脂が弗素樹脂であるこ とを特徴とする。
また、 本発明の第 3の静電情報記録媒体の製造方法は、 電 極上に絶縁性樹脂層を塗布形成した後、 該絶縁性樹脂層が軟 化しない状態で、 かつ低真空下で光導電性微粒子層または導 電性微粒子層を絶縁性榭脂層上に蒸着形成し、 該微粒子層上 に更に絶縁性榭脂層を 0 . 1 // m〜 1 mの膜厚で塗布形成 し、 静電情報記録媒体を製造することを特徴とし、 またその 絶縁性樹脂が弗素樹脂であることを特徴とする。
本発明の第 3の静電情報記録媒体は、 光導電性微粒子層ま たは導電性微粒子層上に、 予め 0 . 1 ; u m〜l i mの膜厚の 絶縁性樹脂層を積層しておく ことにより、 その静電記録に際 に絶縁性樹脂層表面に形成される静電電荷は、 その静電荷に よりより形成される電界の作用により絶縁性榭脂層を通過し 、 光導電性微粒子または導電性微粒子中に保持されるに至る と推察され、 これにより安定に保持され、 また保護膜の形成 を必要としないものである。
また、 その絶縁性樹脂層を弗素樹脂により構成する場合に は、 比抵抗が高く、 且つ吸水率が 0 . 0 1 %以下と低く、 水 分の吸着等、 比抵抗の低下を原因とする膜厚方向での保持電 荷のリ一ク或いは表面での横方向への保持電荷のリ一クが少 なく、 またガラス転移温度が 1 0 0 °C以上であるために耐熱 性に優れ、 髙温度においても電荷保持性能が良好であり、 蓄 積電荷の経時変化が少ないという効果がある。 また、 弗素樹 脂層を、 弗素系溶媒に溶解して塗布形成することにより、 一 定面積における膜厚を均一にする、 或いは数 u mの薄膜化す る等、 加工性に優れるものである。
本発明の第 4の静電情報記録媒体は、 少なくとも電極層上 に電荷保持層が積層されてなり、 該電荷保持層が電極層上に 、 光導電性を有しない絶縁性有機物質と絶緑性樹脂とからな る層、 次いで光導電性または導電性微粒子層、 更に膜厚 0 . 1 « π!〜 1 ju mの絶縁性樹脂層が積層されたものであること を特徴とし、 またその絶縁性樹脂が弗素榭脂であることを特 徴とする。
また、 本発明の第 4の静電情報記録媒体の製造方法は、 電 極上に、 光導電性を有しない絶緣性有機物質を分散させた絶 緣性樹脂層を塗布形成した後、 該絶縁性榭脂が軟化しない妆 態でかつ低真空下で光導電性微粒子層または導電性微粒子層 を絶縁性樹脂層上に蒸着形成し、 該微粒子層上に更に弗素樹 脂層を 0 . 1 Χ Π!〜 1 ju mの膜厚で塗布形成し、 静電情報記 録媒体を製造することを特徴とする。
本発明の第 4の静電情報記録媒体は、 上記第 3の静電情報 記録媒体における絶縁性樹脂層中に光導電性を有しない絶縁 性有機物質を含有させることにより、 負電荷の電荷保持性能 の向上と共に、 特に正電荷の保持性能を向上させることがで き、 情報記録に際して使用される感光体の種類に影響なく情 報記録を可能としうるものである。
この他に、 本発明の第 1〜第 4の静電情報記録媒体におい ては、 その蓄積された情報電荷は極めて安定であるので、 例 えばイオンフロープリ ンタの記録ドラムとして使用でき、 こ の場合にはプリ ント情報の記録をイオンフロープリ ンタで行 い、 その後希望の枚数だけハードコピ一を得ることのできる 、 所謂マルチプリ ンタを構成することができ、 また、 電極と 表面電位との電位差を計測することにより容易にその電位差 を検出することができ、 更にその静電潜像に対応した電気信 号を出力させ、 C R T表示、 或いは昇華プリ ンタ等によりプ リ ントァゥ 卜することができるものである。 また、 情報蓄積 手段が静電荷単位であるために、 静電情報記録媒体に蓄積さ れる情報は高品質、 高解像のものとすることができる。 図面の簡単な説明
第 1図 (a ) ( b ) は、 本発明の第 1または第 2の静電情 報記録媒体の各態様を断面で示す図である。
第 2図は、 本発明で使用したオープンサ一キッ ト熱刺激電 流 ( Thermal l y St imulated Currents )測定装置の概略図で あ o
第 3図は、 本発明の静電情報記録媒体が示す一般的な熱刺 激電流スぺク トル図である。
第 4図は、 電荷保持層に光導電性を有しない絶緣性有機物 質を分散しない場合の熱刺激電流スぺク トル図である。 第 5図 (a ) ( b ) は、 本発明の第 3または第 4の静電情 報記録媒体の各態様を断面で示す図である。
第 6図は、 本発明の第 1〜第 4の静電情報記録媒体への静 電情報記録方法を説明するための図である。
第 7図は、 本発明の第 1〜第 4の静電情報記録媒体に記録 された静電情報の直流増幅型電位読み取り方法の例を示す図 ある。
第 8図は、 本発明の第 1〜第 4の静電情報記録媒体に記録 された静電情報の再生方法の概赂構成を示す図である。 第 9図は、 本発明の静電情報記録媒体を使用したマルチプ リ ンタ構成を示す図である。
第 1 0図は、 電荷保持層中に p—フエ二レンジアミ ンを分 散させた静電情報記録媒体 Cを、 6 0 °C、 2 5 % RHの条件下 で保存し、 記録された正電荷保持率の経時変化を示す図であ る o
第 1 1図は、 電荷保持層中に p—フ 二レンジアミンを分 散させた静電情報記録媒体の熱刺激電流スぺク トル図である ο
第 1 2図は、 電荷保持層中に有機物質微粒子を分散させな ぃ静電情報記録媒体の、 熱刺激電流スぺク トル図である。 第 1 3図は、 電荷保持層中に 0—フエ二レンジアミンを分 散させた静電情報記録媒体の熱刺激電流スぺク トル図である ο
第 1 4図は、 電荷保持層中に m—フエ二レンジアミンを分 散させた静電情報記録媒体の熱刺激電流スぺク トル図である 第 1 5図は、 電荷保持層中に 2, 4, 7—ト リニトロフル ォレノ ンを分散させた静電情報記録媒体 Wを、 6 0 、 2 5 RH%での電荷保持率の経時変化を示す図である。
第 1 6図は、 電荷保持層中に p—フ 二レンジアミンを添 加した静電情報記録媒体を、 6 0 °C、 2 5%RHの条件下で保 存した犹態での電荷保持率の経時変化を示す図である。
第 1 7図は、 電荷保持層中に p—フ 二レンジアミンを添 加した静電情報記録媒体を、 4 0 °C、 9 5%RHの条件下で保 存した状態での電荷保持率の経時変化を示す図である。
第 1 8図は、 電荷保持層中に p—フ 二レンジアミンを添 加した静電情報記録媒体を 6 0 °C、 2 5%RH、 4 0 、 9 5 %RHの条件下で保存した状態での電荷保持率と電荷保持層中 の p—フヱニレンジアミン濃度との関係を示す図である。 第 1 9図は、 電荷保持層中にフエノチアジンを添加した静 電情報記録媒体を 6 0 °C. 2 5 %RHの条件下で保存した状態 での電荷保持率の経時変化を示す図である。
第 2 0図は、 電荷保持層中にフ ノチアジンを添加した静 電情報記録媒体を 40 °C、 9 5 %RHの条件下で保存した妆態 での電荷保持率の経時変化を示す図である。
第 2 1図は、 電荷保持層中に ト リニトロフルォレノ ンを添 加した静電情報記録媒体を 6 Q °C、 2 5 %RHの条件下で保存 した妆態での電荷保持率の経時変化を示す図である。
第 2 2図は、 電荷保持層中にト リニト口フルォレノンを添 加した静電情報記録媒体を 40 °C、 9 5 %RHの条件下で保存 した状態での電荷保持率の経時変化を示す図である。 第 2 3図は、 電荷保持層中にト リニト口フルォレノ ンを添 加した静電情報記録媒体を 6 0 、 2 5 %RH、 4 0 、 9 5 % RHの条件下で保存した状態での電荷保持率と電荷保持層中 のト リニト Dフルォレノ ン濃度との関係を示す図である。 第 2 4図は、 最表面層である絶緣性樹脂層の膜厚と電荷保 持性能との闋係を説明するための図である。 発明を実施するための最良の形態 まず、 第 1の静電情報記録媒体について説明する。
第 1図 (a) 、 (b) は、 その各態様を断面で示す図であ り、 図中 3は静電情報記録媒体、 1 1は電荷保持層、 1 3は 電極、 1 5は支持体である。
弗素樹脂としては、 比抵抗 1 0 14Ω ♦ cm以上の高絶縁性の 弗素樹脂が使用され、 例えばポリ (テトラフルォロエチレン ) (P T F E) 、 テ トラフルォロエチレンーパ一フルォロア ルキルビニルエーテル共重合体 (P F A) 、 テ トラフルォ1 p エチレン一へキサフルォロプロピレン共重合体 (F E P) 、 テ トラフ Jレオ口エチレン一へキサフ Jレオ口プロピレン一 — フルォロアルキルビニルエーテル共重合体 (E P E) 、 テ ト ラフルォロエチレン一エチレン共重合体 (ETF E) 、 ポリ (クロ口 ト リフルォロエチレン) (P CTF E) 、 クロロ ト リ フルォ pエチレン一エチレン共重合体 (ECTF E) 、 ぺ ンタフルォロスチレン重合体等の弗素樹脂の他、 熱可塑性樹 脂、 熱硬化性樹脂、 また紫外線硬化性榭脂、 電子線硬化性樹 脂等のエネルギー線硬化性樹脂、 ェンジニ了リ ングプラスチ ック等の氷素の一部或いは全部を弗素原子により置換した榭 脂を使用することができる。
また、 一般式
C F 2
/ \
-^C F2 - C F C F^-
\ I
0 — c F 2 . 及び 又は、 一般式
"^C F 2 - C F - C F - C F2>- 0 ~ 6C F2) n
(但し、 nは 1又は 2 )
で示される環構造の繰り返し単位からなり、 5 0ででの固 有粘度が少なくても 0. 1であるような分子量を有する含弗 素熱可塑性樹脂、
又、 一般式
C F 2
/ 、
C F 2 - C F C F
\ .1
0 — c F 2) , 及び Z又は、 一般式
4C F2 - C F - C F - C F2)~
0 ~ C F 2) n
(但し、 T1は 1又は 2 )
で示される環構造の繰り返し単位 (a) と、 一般式 -(CF2 -CFX)- (但し、 Xは F、 C 1、 - 0 - CF2CP2CP3、 -口 - CP2CP(C F3)0CF2CF2S03F. -Q-CF2CF2CF2COQCH3) で示される繰り返し 単位 (b) からなり、 少なくても 80重量%の繰り返し単位 (a) を含み、 5 0ででの固有粘度が少なくとも 0. 1であ るような含弗素熱可塑性樹脂を好適に使用することができる 繰り返し単位 (a) は、 一般式 CP2=CF - 0- (CP2)n CF=CF2 (但し、 nは 1又 2) で示されるパーフルォロア リルビニ ルエーテル、 又はパーフルォ口ブテニルビニルエーテルをラ ジカル的に環化重合することにより得られるものである。 また繰り返し単位 (a) と上記繰り返し単位 (b) を含有 するものは、 一般式、 CF2=CF-0 -(CF2)n CF=CF2 (但し、 n は 1又 2 ) で示されるパーフルォ口ビニルエーテルと一般式 、 CF2=CFX (但し、 Xは F、 C 1、 - 0 - CF2CP2CF3、 -0-CF2CF (CF3)OCF2CF2S03F, - 0-CF2CF2CF2COOCH3) で示されるモノマ 一とラジカル重合させることにより得られるものである。 こ れらの樹脂は例えば、 特開平 1— 1 3 1 2 1 5号公報に開示 されている。 一般式 ( 1 )
■ "C Fa- C FaJT T C F - UT
0. 0
C F3 C F
(但し、 繰り返し単位数 mで示されるジォキソノール成分舍 量が 2 0〜9 0モル%) である繰り返し単位からなり、 ガラ ス転移温度より 9 ϋ〜 1 1 ϋ °C高い温度での溶融粘度が 1 0 2 〜 1 04 Pa♦ secである舍弗素熱可塑性樹脂を使用しても よし,
上記一般式 ( 1 ) で示される舍弗素熱可塑性樹脂としては 、 例えばデュポン社製 〔商品名 「テフロン」 AF 1 6 0 0、 ジォキソノール単位を約 6 5モル%含有、 ガラス転移温度 1 6 0 °C、 溶融粘度 2 6 5 7 Pa♦ sec ( 2 5 0 °C、 1 0 0 sec 一1で A S TM D 3 8 3 5による測定値) 、 吸水率 0. 0 1 %£1下〕 、 同社製 〔商品名 「テフロン」 AF 2 4 0 0、 ジォ キソノ一ル単位を約 8 5モル%含有、 ガラス転移温度 2 4 0 、 溶融粘度 5 4 0 Pa♦ sec ( 3 5 0で、 1 0 0 sec - 1で A S TM D 3 8 3 5による測定値) 、 吸氷率 0. 0 1 %以下 〕 が具体的に例示される。
次に、 弗素樹脂に分散される有機物質としては、 光導電性 を示さず、 かつ比抵抗 1 06 Ω · Gm以上の絶縁性を有し、 ま た上述の各弗素樹脂の溶剤である弗素系溶剤に溶解性を有さ ず、 弗素樹脂中に分散するものであることが必要である。 ま た、 静電情報記録媒体を作製する際の乾燥工程により蒸散し ないように、 その熱処理温度 J¾上の沸点を有するものが望ま しい。
このような有機物質としては、 上記の各条件に合致するも のであれば特に制限はないが、 例えばアミノ基、 ニト 基、 ハロゲン基から選ばれる少なくとも 1種を置換基として有す るベンゼン、 ナフタレン類、 またハロゲン基を置換基として 有するシク口へキサン類、 更にポリメタク リル酸等の重合体 、 光増感剤である 2, 4, 7—ト リニトロフルォレノ ン、 Ί , 7 , 8 , 8—テトラシァノキノ ジメタン、 フヱノチアジン 、 ペリ レン、 無永フタル酸、 無永マレイ ン酸、 フルォラニル 、 ト リフ ニルアミ ン等が挙げられる。 有機物質は、 弗素樹 脂中に 1 0— 4重量%~ 1重量%舍有させるとよい。 分散量が 1 0— 4重量%未満であると添加効果がなく、 また 1重量%を 越えると分散が面難となるばかりでなく、 またその添加効果 が小さくなる。
これらの有機物質は、 弗素系溶剤、 例えば 3 Μ社製、 商品 名フロ リナー ト F C— 4 0、 フロ リナ一 ト F C— 7 5等に弗 素樹脂を溶解した溶液中に、 ガラスビーズ等を使用して分散 処理するとよい。
分散液を電極層上に塗布する方法としては、 スピンナーコ 一ティ ング、 スプレー法、 刷毛塗り法、 浸漬法等により塗布 することができ、 塗布後、 弗素系溶剤の沸点以上の温度で溶 剤を蒸発させて除去し、 乾燥後膜厚 1 « ιη〜1 0 0 ^ πι 、 好ましくは 0. 1 im〜 l 0 mの電荷保持層とすること ができる。 膜厚が 0. 1 /m以下であると電荷を保持しても 電荷のリークが生じ、 1 0 0 im以上とすると、 情報記録媒 体として可とう性を必要とする場合には可とう性を失う。 尚、 分散液をフィルム化した後、 接着剤等を介して電極に 貼着しても、 また弗素樹脂フィルムの一方の面に電極形成材 料を蒸着等の方法で積層してもよいが、 加工性の観点から塗 布法により作製するとよい。
次に、 ポリスチレン榭脂としては、 通常比抵抗 1 016Ω · cm程度の絶縁性を有し、 分子量 1 03 〜 1 06 のものが使用 される。 分子量が 1 03 未満、 或いは 1 06 を越えるとコー ティ ング適性及び膜安定性の問題が生じる。 このようなポリ スチレン樹脂としては、 例えば理化ハーキュレス (株) 製の 商品名ピコラスティ ック D 1 2 5、 A 7 5、 D 7 5、 D 1 2 5、 D 1 3 7、 D 1 5 0等が挙げられる。 これらポ リスチレ ン樹脂の溶剤としては、 例えばキシレン、 トルエン、 モノク 口 jレベンゼン、 メチルェチ Jレケ ト ン、 クロ口ホルム、 ペンゼ ン、 テ ト ラ ヒ ドロフラン等が挙げられる。
このポリスチレン榭脂に添加される有機物質としては、 上 記弗素樹脂に添加される有機物質を同様に使用することがで き、 また、 電極上への積層方法、 膜厚は上記弗素樹脂を使用 する場合と同様である。
次に、 本発明の第 1の静電情報記録媒体においては、 その 詳細な理由は不明であるが、 電荷保持層の熱刺激電流を測定 すると、 昇温温度と熱刺激電流との蘭係を示すスぺク トルと して、 通常のホモピーク以外に、 弗素樹脂単独で電荷保持層 を形成する場合には発生しないへテロピークを有する。 熱刺激電流測定に使用するオープンサーキッ ト熱刺激電流
( Thermal l y St imul ated Currents )測定装置 〔 (株) 東洋 精機製作所製〕 の概略図を第 2図に示す。 オープンサーキッ ト T S C測定装置は、 電極 2上に設けた帯電試料 1と上部電 極 3とを一定距離をおいて対向配置し、 両電極間を接続し、 電流計 4をその接続線中に配置して構成され、 試料を一定の 昇温速度で加熱し、 その昇温途中で電流測定を行うものであ 測定は、 帯電試料の表面電位により誘起されて生じる上部 電極の電位変化を外部回路の電流変化の形で取り出すもので あり、 通常、 試料に帯電した表面電位の正または負の符号に 射して、 取り出される電流の符号はその逆、 即ち、 表面電位 が正の場合には熱刺激電流の負、 表面電位が負の場合には熱 刺激電流は正となる。 この通常符号の電流をホモ電流といい 、 通常と逆符号の電流が生じた時その電流をへテロ電流とい うが、 本発明の静電情報記録媒体においては、 加熱温度を変 化させ、 その発生電流との関係を示す熱刺激電流スぺク トル を測定すると、 通常のホモピーク以外にヘテロピークを有す るものである。 尚、 電荷保持層上に負帯電をしてもヘテロピ ークは生じない。
第 3図に、 本発明の静電情報記録媒体が示す一般的な熱刺 激電流スぺク トルを模式的に示し、 第 4図に、 その電荷保持 層に光導電性を有しない絶縁性有機物質を分散しない場合の 熱刺激電流スぺク トルを模式的に示す。 第 3図に示すように 、 本発明の静電情報記録媒体においては、 通常のホモピーク ( a ) 以外にヘテロピーク (b ) を示すが、 第 4図において は負電流のみであり、 ヘテロ電流は流れない。
次に、 本発明の第 2の静電情報記録媒体について説明する 第 2の静電情報記録媒体は、 上述した第 1の静電情報記録 媒体における電荷保持層に代えて、 上記一般式 ( 1 ) で示さ れる舍弗素熱可塑性榭脂を単独で使用し、 同様の積層方法に より電極上に積層して電荷保持層とするものである。
この静電情報記録媒体における電荷保持層には、 電荷蓄積 機能を強化するために光導電性微粒子、 導電性微粒子を存在 させてもよい。
光導電性微粒子材料としてはァモルファスシ リ コ ン、 結晶 シ リ コ ン、 ァモルファスセレン、 結晶セレン、 硫化力 ドミ ゥ ム、 酸化亜鉛等の無機系光導電材料、 またポ リ ビニルカルバ ゾール、 フタロシアニン、 ァゾ系顔料等の有機系光導電材料 が使用される。
また、 導電性材料としては周期律表第 1 A族 (アルカ リ金 属) 、 同 1 B族 (銅族) 、 同 2 A族 (アル力 リ土類金属) 、 同 2 B族 (亜鉛族) 、 同 3 A族 (アルミニウム族) 、 同 3 B 族 (希土類) 、 同 4 B族 (チタ ン族) 、 同 5 B族 (バナジゥ ム族) 、 同 6 B族 (クロム族) 、 同 7 B族 (マンガン族) 、 同 8族 (鉄族、 白金族) 、 また同 4 A族 (炭素族) としては 炭素、 珪素、 ゲルマニウム、 錫、 鉛、 同 5 A族 (窒素族) と してはアンチモン、 ビスマス、 同 6 A族 (酸素族) としては 硫黄、 セレン、 テルルが微細粉状で使用される。 また上記元 素単体のうち金属類は金属イオン、 微粒子状の合金、 有機金 属、 錯体の形態としても使用することができる。 更に上記元 素単体は酸化物、 燐酸化物、 硫酸化物、 ハロゲン化物の形態 で使用することができる。 特に炭素、 金、 銅、 アルミニウム 等が好ましく使用される。
これらの微粒子を電荷保持層中に存在させるには、 まず、 一般式 ( 1 ) で示される上記榭脂を第 1の静電情報記録媒体 の項で説明した弗素榭脂系溶剤に溶解し、 同様の塗布条件で 樹脂層を形成して電荷保持層を形成した後、 この樹脂層をそ の軟化点付近まで加熱し、 低圧蒸着装置を使用し、 1 0〜1 0一3 T o r rの低圧下で、 上記微粒子形成材料を蒸着させる と、 微粒子形成材料は凝集し、 1 0〜0 . l ^ m径程度の超 微粒子状態となり、 樹脂層表面近傍中に存在させることがで また、 上記第 1の静電情報記録媒体の項で記載した弗素系 溶剤を使用した樹脂溶液中に微粒子材料を 1 0 _ 4〜 1重量% の範囲で分散させ、 電極上に第 1の静電情報記録媒体の項で 説明した塗布方法、 膜厚等の積層条件で形成してもよい。 次に、 本発明の第 3、 第 4の静電情報記録媒体について説 明する。
第 5図 (a ) 、 (b ) は、 その各態様を断面で示す図であ り、 図中 3は静電情報記録媒体、 1 Gは絶縁性樹脂層、 1 1 は光導電性微粒子層または導電性微粒子層、 1 2は膜厚 0 . 1 u m〜 1 ;u mの絶縁性樹脂層、 1 3は電極、 1 5は支持体 でめる。
絶緣性榭脂層 1 0、 1 2を形成する樹脂は、 情報電荷の移 動を抑えるため、 比抵抗で 1 0 1 4 Ω · GmJil上の絶緣性を有す ることが要求される。 電荷保持層を構成する樹脂は、 電荷保 持性の観点からそのガラス転移温度が使用環境温度以上であ ることが必要であり、 例えば熱可塑性樹脂、 或いは熱硬化性 樹脂、 紫外線硬化性樹脂、 電子線硬化性樹脂等のヱネルギー 線硬化樹脂、 或いはエンジニアリ ングプラスチック等が挙げ られるが、 特に上述した第 1の静電情報記録媒体における弗 素樹脂が好ましく使用される。
また、 第 4の静電情報記録媒体における光導電性を有しな い有機物質としても、 上述した第 1の静電情報記録媒体にお ける光導電性を有しない有機物質を同様に使用することがで きる。
まず、 絶縁性樹脂層 1 Qの形成には、 その樹脂溶液を使用 し、 上述した第 1の静電情報記録媒体における電荷保持層の 形成方法と同様にして塗布形成するとよいが、 この絶縁性榭 脂層 1 0上に、 更に、 光導電性微粒子層、 または導電性微粒 子層 1 1が設けられる。 光導電性微粒子材料、 導電性微粒子 材料としては、 上述した第 2の静電情報記録媒体の項で記載 した光導電性微粒子材料、 導電性微粒子材料が使用される。 微粒子層 1 1を絶縁性樹脂層上に積層させるには、 絶縁性 榭脂層をその樹脂の溶融温度以下の温度で、 低圧蒸着装置を 使用して蒸着させることにより形成される。 蒸着材料は 1 0 T o r r〜 l 0— 3 T o r rの低圧下で蒸発させると凝集し、 0 . l ^ m〜 l 0 m怪程度の超微粒子状態となり、 絶縁性 榭脂層上に単層状、 或いは複数層状に整列した状態で積層さ れる。 次いで、 この微粒子層上に、 絶縁性樹脂層 1 2を 0 . l〜 l i mの膜厚となるように、 上記絶縁性榭脂層 1 0の形 成と同様の方法で塗布形成する。
第 3または第 4の静電情報記録媒体における情報記録の機 構としては、 まず、 静電記録により電荷が静電情報記録媒体- 表面に形成されると、 その電荷とその電荷により電極に誘起 される反対電荷との電界の作用により、 表面電荷が絶縁性樹 脂層 1 2を通過し、 光導電性微粒子または導電性微粒子中に 安定して保持されるものと考えられ、 膜厚が 1 mを越える と表面電荷が通過せず、 単に表面電荷の状態に留まり、 微粒 子中に電荷が注入されないので好ましくない。 この絶縁性樹 脂層 1 2により、 記録後の保護膜形成は不要であり、 電荷保 持性の向上した静電情報記録媒体とできる。
また、 静電情報記録媒体の製造に際しては、 絶縁性樹脂層 1 0をその軟化点以下の温度とし、 その樹脂層上に微粒子層 を蒸着させるので、 上記第 2の静電情報記録媒体において記 載した樹脂のみでなく、 軟化点の高い樹脂を使用することが でき、 樹脂層を形成する材料としての樹脂選択の範囲を広げ ることができる。 なお、 絶緑性樹脂として弗素樹脂を使用す ると、 高い絶縁性、 低吸水性を有するので、 より優れた電荷 保持性能を有するものとできる。
上述したように、 本発明における第 1〜第 4の静電情報記 録媒体は、 電荷保持層或いは微粒子層に情報を静電荷の分布 として記録するものである。 従って、 記録される情報、 ある いは記録の方法によりこの静電情報記録媒体の形状は種々の 形妆をとることができる。 例えばカメラに用いられる場合に は、 一般のフィルム (単コマ、 連続コマ用) 形状、 あるいは ディスク状、 カード状となり、 レーザー等によりデジタル情 報、 またはアナログ情報を記録する場合にもテープ形欤、 デ イスク形状、 あるいはカード形犹となる。
第 1図及び第 5図における支持体 1 5は、 静電情報記録媒 体を強度的に支持するものであり、 電荷保持層を支持するこ とができるある程度の強度を有していれば、 その材質、 厚み は特に制跟がない。 例えば可撓性のあるプラスチックフィル ム、 金属箔、 紙、 或いは硝子、 プラスチッ ク シー ト、 金属板 (電極を兼ねることもできる) 等の剛体が使用される。 光透 過性が同様に要求される場合、 必要に応じて反射防止効果を 有する層、 また反射防止効果を発現しうる膜厚に調整するか 、 両者を組み合わせ反射防止性を付与するとよい。 また、 静 電情報記録媒体がフレキシブルなフィルム、 テープ、 デイス ク、 カード形状をとる場合には、 支持体としてはフレキシブ ル性のあるプラスチッ クフィルムが使用され、 また、 強度が 要求される場合には剛性のあるシー ト、 ガラス等の無機材料 等が使用される。
第 1図及び第 5図における電極 1 3は、 支持体 1 5上に形 成され、 その材質は比抵抗値が 1 0 6 Ω · cm£l下であれば限 定されなく、 亜鉛、 チタ ン、 銅、 鉄、 錫等の無機金属導電膜 、 酸化錫、 酸化ィ ンジゥム、 酸化亜鉛、 酸化チタン、 酸化タ ングステン、 酸化バナジウム等の無機金属酸化物導電膜、 四 級アンモニゥム塩等の有機導電膜等であり、 単独か或いは二 種 £1上の複合材料として用いられる。 中でも酸化物半導体が 好ましく、 特に酸化ィ ンジゥムー錫 ( I T O ) が好ましい。 このような電極は支持体上に蒸着、 スパッタ リ ング、 C V D 、 コーティ ング、 メ ツキ、 デイ ツ ビング、 電解重合等の方法 により形成される。 またその膜厚は電極を構成する材料の電 気特性、 および情報記録の際の印加電圧により変化させる必 要があるが、 例えば 1 0 0〜3 0 0 0 A程度であり、 支持体 と電荷保持層との間の全面、 或いは電荷保持層の形成パタ一 ンに合わせて形成される。
また、 第 1図 (b ) 、 第 5図 (b ) で示される静電情報記 録媒体は、 支持体 1 5を有しないものであるが、 このような 静電情報記録媒体は、 電荷保持層をフィルム状に成形した後 、 電極層を電荷保持層面に蒸着法、 貼着法等により形成する ことにより作製される。 第 3または第 4の静電情報記録媒体 の場合には、 微粒子層を積層した面の反対面に設けられる。 本発明の第 1または第 2の静電情報記録媒体は、 情報記録 後、 静電情報記録媒体表面の破損、 また情報電荷の減衰を防 止するために静電情報記録媒体表面に保護膜としてプラスチ ックフィルム、 またはプラスチックの溶液をコ一ティ ングす るか、 又は蒸着法等により膜厚数百 A〜数十; u mに形成する とよく、 この程度であれば情報再生は可能である。
また、 静電情報記録媒体に感光性を同時に付与する必要が ある場合は、 電極上に光導電層を有する感光体の光導電層表 面に本発明における第 1または第 2の静電情報記録媒体にお ける電荷保持層を塗布、 或いは接着等により積層するとよく 、 また第 3または第 4の静電情報記録媒体における電荷保持 層の場合には、 その微粒子積層側から積層するとよい。
次ぎに、 第 1〜第 4の静電情報記録媒体への静電情報記録 再生方法について説明する。 第 6図は静電情報記録方法を説 明するための図で、 図中 1は感光体、 3は静電情報記録媒体 、 5は支持体、 Ίは電極、 9は光導電層、 1 7は電源、 1 8 は情報光である。
まず、 1 mm厚のガラスからなる支持体 5上に 1 0 0 0 A厚 の I T Oからなる透明電極 7を形成し、 この上に 1 0 u m程 度の光導電層 9を形成して感光体 1を構成している。 同図 ( a ) に示すようにこの感光体 1に対して、 程度の空 隙を介して静電情報記録媒体 3が配置される。
次いで、 同図 (b ) に示すように電源 1 7により電極 7、 1 3間に電圧を印加する。 図では感光体側を正、 静電情報記 録媒体を負に電圧印加する場合について図示したが、 静電情 報記録媒体に負電荷情報を記録する場合には、 感光体側を負 とする必要がある。
暗所であれば光導電層 9は高抵抗体であるため、 空隙に加 わる電圧がパッシェンの法則に従う放電開始電圧以下であれ ば、 電極間には何の変化も生じない。 また放電開始電圧以上 の電圧が外部電源により空隙に印加されると放電が起こり、 静電情報記録媒体に電荷が蓄積され、 放電開始電圧に下がる までその妆態が続き、 カプリ電荷となる。 感光体 1側より光 1 8が入射すると、 光が入射した部分の光導電層 9は光導電 性を示し放電が生じ、 静電情報記録媒体に電荷が蓄積される 。 また予め均一なカプリ電荷がある場合でも、 光が入射した 部分では更に電荷が蓄積される。 次いで電源 1 7を O F Fと し、 静電情報記録媒体 3を感光体 1と分離することにより静 電潜像の形成が終了する。 この静電情報記録方法は面状アナ ログ記録とした場合、 銀塩写真法と同様に高解像度が得られ 、 電荷減衰せず長期間保存される。
また、 本発明の静電情報記録媒体への情報入力方法として は髙解像度静電カメラによる方法、 またレーザーによる記録 方法がある。 まず高解像度静電カメラは通常のカメラに使用 されている写真フィルムの代わりに本発明の静電情報記録媒 体を使用するもので、 感光体と密着させるか、 一定の間隔を おいて対向させ、 両電極間に電圧印加しつつ、 入射光学像に 応じた静電潜像を形成するもので、 光学的なシャ ツタも使用 しうるし、 また電気的なシャ ツタも使用しうるものである。 またプリズムにより光情報を、 R、 G、 B光成分に分離し、 平行光として取り出すカラーフィルターを使用し、 R、 G、 B分解した静電情報記録媒体 3セッ トで 1コマを形成するか 、 または 1平面上に R、 G、 B像を並べて 1 セッ 卜で 1コマ とすることにより、 カラ一撮影することもできる。
またレーザーによる記録方法としては、 光源としてはアル ゴンレーザー ( 5 1 4 . 4 8 8 n m) 、 ヘリ ウム一ネオンレ —ザ— ( 6 3 3 n m) 、 半導体レーザ— ( 7 8 0 n m、 8 1 O n m等) が使用でき、 感光体と静電情報記録媒体を面状で 表面同志を密着させるか、 一定の間隔をおいて対向させ、 電 圧印加する。 この場合感光体のキヤ リアの極性と同じ極性に 感光体電極をセッ トするとよい。 この状態で画像信号、 文字 信号、 コード信号、 線画信号に対応したレーザ一露光をスキ ャニングにより行うものである。 画像のようなアナログ的な 記録は、 レーザーの光強度を変調して行い、 文字、 コード、 線画のようなデジタル的な記録は、 レーザ一光の O N— 0 F F制御により行う。 また画像において網点形成されるものに は、 レーザー光にドッ トジヱネレーター〇 N— 0 F F制御を かけて形成するものである。 尚、 感光体における光導電層の 分光特性は、 パンクロマティ ックである必要はなく、 レーザ 一光源の波長に感度を有していればよい。
本発明の静電情報記録媒体への情報記録は、 上述のような 感光体を使用する代わりに、 電極針ヘッ ド、 或いはイオン流 へッ ドを用いた静電記録体、 或いはレーザ一プリ ンタ一等の 光プリンター、 或いは電子ビーム、 ィォン打ち込み等により 、 行うこともできる。
次ぎに、 静鼋情報記録媒体に記録された静電情報の再生方 法について説明する。 第 7図は静電情報記録再生方法におけ る電位読み取り方法の例を示す図で、 図 1と同一番号は同一 内容を示している。 尚、 図中 2 1は電位読み取り部、 2 3は 検出電極、 2 5はガード電極、 2 7はコンデンサ、 2 9は電 圧計である。
情報電荷を蓄積した静電情報記録媒体から情報を再生する には、 まず電位読み取り部 2 1を静電情報記録媒体表面に対 向させると、 検出電極 2 3に微粒子層に蓄積された電荷によ つて生じる電界が作用し、 検出電極面上に静電情報記録媒体 上の電荷と等量の誘導電荷が生ずる。 この誘導電荷と逆極性 の等量の電荷でコンデンサ 2 7が充電されるので、 コンデン サの電極間に蓄積電荷に応じた電位差が生じ、 この値を電圧 計 2 9で読むことによつて情報電荷の電位を求めることがで きる。 そして、 電位読み取り部 2 1で静電情報記録媒体面上 を走査することにより静電潜像を電気信号として出力するこ とができる。 なお、 検出電極 2 3だけでは静電情報記録媒体 の検出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界 (電気 力線) が作用して分解能が落ちるので、 検出電極の周囲に接 地したガード電極 2 5を配置するようにしてもよい。 これに よって、 電気力線は面に对して垂直方向を向くようになるの で、 検出電極 2 3に対向した部位のみの電気力線が作用する ようになり、 検出電極面積に赂等しい部位の電位を読み取る ことができる。 電位読み取りの精度、 分解能は検出電極、 ガ ード電極の形状、 大きさ、 及ぴ静電情報記録媒体との間隔に よって大きく変わるため、 要求される性能に合わせて最適条 件を求めて設計する必要がある。 また、 電位を読み取る方法 としては、 電気光学効果を有する LiNb03等の光学結晶或いは 液晶等の有機光学材料等により光電効果により光学的に読み 取ることも可能である。
第 8図は静電情報再生方法の概略構成を示す図で、 図中、 3 1は電位読み取り装置、 3 3は増幅器、 3 5はじ1¾丁、 3 7はプリ ンタである。
図において、 電位読み取り装置 3 1で電荷電位を検出し、 検出出力を増幅器 3 3で増幅して C R T 3 5で表示し、 また プリ ンタ 3 7でプリ ントァゥ トすることができる。 この場合 、 任意の時に、 読み取りたい部位を任意に選択して出力させ ることができ、 また反復再生することが可能である。 また電 界により光学的性質が変化する材料、 例えば電気光学結晶等 を用いて光学的に読み取ることもできる。 更に静電潜像が電 気信号として得られるので、 必要に応じて他の記録媒体への 記録等に利用することも可能である。
また、 本発明の静電情報記録媒体に記録された文字、 画像 等の静電情報は、 殆ど減衰することなく半永久的に保存され る。 従って、 このような静電情報記録媒体を、 例えばイオン フロープリ ンタの記録ドラムに使用すると、 プリ ント情報の 記録をイオンフロ ^ッ ドで一度だけ行い、 その後希望の枚 数だけハードコピーを得ることのできる、 所謂マルチプリ ン タを構成することができる。 この一例を第 9図に示す。 図中 3はドラム状の静電情報記録媒体、 4 1は静電電荷、 4 2は トナー、 4 3はイオンヘッ ド、 4 4は転写手段、 4 5はトナ 一現像機、 4 6は被転写紙を示す。
図に示すように、 本発明の静電情報記録媒体 3をドラム状 として回転させつつ、 信号情報等によりィオンヘッ ド 4 3を 駆動させて、 静電情報記録媒体に情報に対応した静電電荷 4 1を付与し、 次いでこの静電電荷をトナー現像した後、 その トナーを被転写紙 4 6に静電転写または溶融転写させること により、 ハードコピーを得ることができるものである。 本発 明の静電情報記録媒体はその電荷保持性に優れるので、 信号 情報等によるイオンへッ ド 4 3の駆動を一度だけ行えば、 希 望の枚数だけのハードコピ一を得ることができる。
以下、 具体例により本発明を説明する。 尚、 下記において 具体例 1〜 1 3は第 1の静電情報記録媒体、 具体例 1 4〜 1 7は第 2の静電情報記録媒体、 具体例 1 8 £1降は第 3または 第 4の静電情報記録媒体についての具体例である。
(具体例 1 )
0—フヱニレンジァミ ン 1 . 2 mg 、 弗素樹脂 (旭ガラス (秣) 製、 商品名サイ トップ) 2 . 6 g、 溶剤としてパ一フ ルォロ ( 2—ブチルテ トラヒ ド1 pフラン) 5 O gをマヨネ一 ズ壜に入れ、 更にその容積が 8割程度になるまでガラスビー ズ No. 1を加えた。 ついで、 このマヨネーズ壜をシヱ一カー ( Red dev i l )により 1 2時間攪拌し、 有機物質微粒子分散液 を調製した。
この分散液を、 I T O透明電極 (膜厚:約 5 0 0 A、 抵抗 値 8 0 Ω /Π) 上にスピンコーター ( 6 0 0 rpm 、 2 0 sec ) で塗布し、 1時間風乾後、 1 5 0でのオーブンに 1時間入 れ、 乾燥させ、 膜厚 2 . 4 / mの静電情報記録媒体 Aを得た この静電情報記録媒体において 0—フ 二レンジァミ ンに 代えて、 m—フエ二レンジァミ ン、 p —フエ二レンジ了ミ ン を使用し、 上記同様にして静電情報記録媒体 B、 Cをそれぞ れ調製した。 各静電情報記録媒体における電荷保持層上にコロナ帯電器 により + 1 0 0 V、 一 1 0 0 Vの表面電位となるように帯電 処理した後、 各静電情報記録媒体を ( 1 ) 室内条件 (常温常 湿) で 3 0日間放置後、 加速試験として ( 2 ) 6 0 、 2 5 %RH、 3 0日間放置後、 ( 3 ) 4 0。C、 9 5 %RH、 3 0日 間放置後のそれぞれの条件下での電荷保持性能を測定した。 その結果を下表に示す。
Figure imgf000032_0001
次に、 第 1 0図に、 上記 p—フヱニレンジアミ ンを分散さ せた静電情報記録媒体 Cを 6 0 °C、 2 5 %RHの条件下で保存 した状態での正電荷の電荷保持率の経時変化を示す。 尚、 図 中、 ©は静電情報記録媒体 C、 〇は上記静電情報記録媒体の 調製において P—フヱニレンジァミ ンを添加しないで同様に 調製した静電情報記録媒体を示す。
この図から、 p—フヱニレンジアミ ンを分散させた静電情 報記録媒体 Cは、 p—フ 二レンジアミンを添加しないで調 製した静電情報記録媒体に比して、 髙温条件下でも優れた電 荷保持性を有することがわかる。
また、 上記 p—フ 二レンジァミ ンを分散させた静電情報 記録媒体であって、 電荷保持層の膜厚を約 2 jumにした以外 は上記同様にして静電情報記録媒体を調製し、 その電荷保持 層上にコロナ帯電により + 3 2 0 V ( a) . + 1 6 0 V (b ) . + 8 0 V ( c ) . + 4 0 V (d) の表面電位となるよう に帯電処理し、 次いで、 電荷保持層を 2 0でから 2 2 0 eCま で昇温し、 その間の熱刺激電流を測定した。
その結果を第 1 1図に示す。 一方、 一 1 0 0 Vに負帯電し 、 上記同様に熱刺激電流を測定したが、 ヘテロ電流は生じな かった。
また、 有機物質微粒子を分散させない以外は上記同様に作 製した静電情報記録媒体に、 上記同様に +帯電処理し、 同様 に熱刺激電流を測定した結果を第 1 2図に示す。 図中、 aは 初期電位 + 4 0 V、 bは + 1 0 0 V、 cは + 2 0 0 Vで上記 同様に測定したものである。
図からわかるように、 有機物質微粒子を分散した静電情報 記録媒体においては、 正帯電した場合、 その熱刺激電流スぺ ク トルにおいてへテロピークを生じることがわかる。
また、 第 1 3図に、 静電情報記録媒体 Aにおいて + 8 0 V 、 第 1 4図に、 静電情報記録媒体 Bにおいて + 1 0 0 Vの表 面電位となるように帯電処理し、 上記同様に熱刺激電流を測 定した結果を示しておく。
(具体例 2 )
p—フヱニレンジ了ミ ン 1. 2 mgと弗素樹脂 (デュポン社 製、 商品名テフロ ン AF 1 6 0 0 ) 2. 6 g、 溶剤としてフ 口 リナート F C— 4 0 (商品名、 3 M社製) 5 0 gとをマョ ネ一ズ瓶に入れ、 その容積が 8割になるまでガラスビーズ No . 1を加え、 シヱ一力一 (Red Dev i l)により 1 2時間攪拌し、 有機物質微粒子分散液を得た。
この分散液を使用して具体例 1同様にして静電情報記録媒 体を作製し、 具体例 1同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0 °C、 2 5 % RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 + 5 0 V、 - 8 5 Vであり、 正電荷、 負電荷共に 良好に保持されることがわかる。
この静電情報記録媒体について、 その熱刺激電流スぺク ト ルを具体例 1同様に測定したところ、 同様のへテロピークを 確認した。
(具体例 3 )
具体例 1における 0—フエ二レンジァミ ンに代えて、 1, 5—ジァミノナフタレン、 1 , 8 —ジァミノナフタレン、 2 , 3—ジァミノナフタレンをそれぞれ 1 . 7 5 mg使用し、 具 体例 1同様にそれぞれ静電情報記録媒体 D、 E、 Fを作製し 、 具体例 1同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0 °C、 2 5 % RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 静電情報記録媒体 Dは + 7 1 V、 一 9 0 V、 静電 情報記録媒体 Eは + 9 0 V、 - 9 0 V . 静電情報記録媒体 F は + 6 0 V、 - 9 0 Vであり、 正電荷、 負電荷共に良好に保 持されることがわかる。
静電情報記録媒体 D、 E、 Fについて、 その熱刺激電流ス ぺク トルを具体例 1同様に測定したところ、 同様のへテロピ ークを確認した。
(具体例 4 ) 具体例 1における o—フヱニレンジアミ ンに代えて、 0 — ジニトロベンゼン、 m—ジニトロベンゼンをそれぞれ 1. 8 5 mg使用し、 具体例 1同様にそれぞれ静電情報記録媒体 G、 Hを作製し、 同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0で、 2 5 %RH. 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 静電情報記録媒体 Gは + 8 0 V、 一 9 0 V、 静電 情報記録媒体 Hは + 8 0 V、 一 9 0 Vであり、 正電荷、 負電 荷共に良好に保持されることがわかる。
静電情報記録媒体 G、 Hについて、 その熱刺激電流スぺク トルを具体例 1同様に測定したところ、 同様のへテロピーク を確認した。
(具体例 5 )
具体例 1における 0—フヱニレンジ了 ミ ンに代えて、 p— ジクロロベンゼンを 1. 6 mg、 1 , 2 , 3—ト リクロ口ペン ゼン、 1 , 2 , 4—ト リクロ口ベンゼン、 1, 3, 5—ト リ クロ口ベンゼンをそれぞれ 2. Omg、 1 , 2 , 3 , 4, 5, 6一へキサクロ口ベンゼンを 3. 1 5 mg使用し、 具体例 1同 様にそれぞれ静電情報記録媒体 I、 J、 K、 L、 Mを作製し 、 具体例 1同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0 °C、 2 5 %RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 静電情報記録媒体 Iは + 7 5 V、 - 9 0 V、 静電 情報記録媒体 Jは + 7 5 V、 一 9 0 V、 静電情報記録媒体 K は + 7 5 V、 一 9 0 V、 静電情報記録媒体 Lは + 7 5 V、 一 9 0 V、 静電情報記録媒体 Mは + 7 0 V、 - 9 0 Vであり、 正電荷、 負電荷共に良好に保持されることがわかる。 静電情報記録媒体 I、 J、 K、 L、 Mについて、 その熱刺 激電流スぺク トルを具体例 1同様に測定したところ、 同様の ヘテロピークを確認した。
(具体例 6 )
具体例 1における 0—フエ二レンジァミ ンに代えて、 1― 二 トロア二リ ン、 2—二 ト ロア二リ ン、 3—二 ト ロア二リ ン をそれぞれ 1. 5 mg、 1一アミノ ー 3—二トロア二リ ン、 1 —アミ ノ ー 2—二 ト ロア二リ ン、 1—ニ ト ロ一 2—アミ ノ ア 二リ ンをそれぞれ 1. 7 mg使用し、 具体例 1同様にそれぞれ 静電情報記録媒体 N、 ◦、 P、 Q、 R、 Sを作製し、 同様に その電荷保持性能を測定した。
6 0 °C、 2 5 %RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 静電情報記録媒体 Nは + 3 0 V、 一 9 0 V、 静電 情報記録媒体 0は + 3 0 V、 一 9 0 V、 静電情報記録媒体 P は + 3 0 V、 一 9 0 V、 静電情報記録媒体 Qは + 8 0 V、 一 9 0 V、 静電情報記録媒体 Rは + 8 5 V、 一 9 0 V、 静電情 報記録媒体 Sは + 8 5 V、 - 9 0 Vであり、 正電荷、 負電荷 共に良好に保持されることがわかる。
静電情報記録媒体 N、 0、 P、 Q、 R、 Sについて、 その 熱刺激電流スぺク トルを具体例 1同様に測定したところ、 同 様のへテロピークを確認した。
(具体例 7 )
具体例 1における 0—フヱニレンジアミ ンに代えて、 1次 粒子径分布がそれぞれ 0. 1〜0. 2 m、 0. 3 5〜0. 5 j m^ 0. 6〜0. 9 jumであるポリメチルメタク リ レー ト微粒子 (総研科学社製、 MP 1 4 5 1、 商品名 MP— 1 0 0 0、 MP— 1 6 0 0 ) をそれぞれ 1. 2tng使用し、 具体例 1同様にそれぞれ静電情報記録媒体 T、 U、 Vを作製し、 具 体例 1同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0で、 2 5 %RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 静電情報記録媒体 Tは + 4 6 V、 一 8 5 V、 静電 情報記録媒体 Uは + 4 5 V、 一 8 6 V、 静電情報記録媒体 V は + 3 8 V、 一 8 5 Vであり、 正電荷、 負電荷共に良好に保 持されることがわかり、 正電荷に闋しては粒子径の小さい方 が電荷保持性に優れることがわかる。
静電情報記録媒体 T、 U、 Vについて、 その熱刺激電流ス ぺク トルを具体例 1同様に測定したところ、 同様のへテロピ —クを確認した。
(具体例 8 )
具体例 1における 0—フヱニレンジァミ ンに代えて、 2 , 4, 7—ト リニトロフルォレノ ンを 3. 5mg、 7 , 7 , 8, 8—テトラシァノキノ ジメタンを 2. 2 5 mg、 フエノチアジ ンを 2. 2 mg、 ペリ レンを 2. 8mg、 無水フタル酸を 1. 6 5 mg、 フルオラニルを 2. O mg、 ト リフヱニルメタンを 2. ? mg、 無水マレイ ン酸を 1. l mg使用し、 具体例 1同様にそ れぞれ静電情報記録媒体 W、 X、 Y、 Z、 a、 b、 c、 dを 作製し、 具体例 1同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0で、 2 5 %RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 静電情報記録媒体 Wは + 7 5 V、 一 9 0 V、 静電 情報記録媒体 Xは + 7 3 V、 - 9 I V、 静電情報記録媒体 Y は + 7 2 V、 一 8 2 V、 静電情報記録媒体 Zは + 7 0 V、 一 8 2 V、 静電情報記録媒体 aは + 5 7 V、 一 8 2 V、 静電情 報記録媒体 bは + 7 3 V、 - 9 I V、 静電情報記録媒体 cは + 5 0 V、 一 6 5 V、 静電情報記録媒体 dは + 4 3 V、 一 7 8 Vであり、 正電荷、 負電荷共に良好に保持されることがわ かる。
また、 第 1 5図に、 2, 4, 7—ト リニトロフルォレノ ン を分散させた静電情報記録媒体 Wを、 6 0 °C、 2 5 RH%での 電荷保持率の経時変化を示す。 図中□は静電情報記録媒体 W 、 國は 2, 4 , 7— ト リニ ト ロフルォレノ ンを分散させない 静電情報記録媒体 Wである。
この図からわかるように、 2, 4, 7—ト リニトロフルォ レノ ンを分散させた静電情報記録媒体 Wは、 分散させないも のに比して、 高温条件下でも優れた電荷保持性能を有してい ることがわかる。
静電情報記録媒体 W、 X、 Y、 Z、 a、 b、 c、 dについ て、 その熱刺激電流スぺク トルを具体例 1同様に測定したと ころ、 同様のへテロピークが生じた。
(具体例 9 )
(単層系有機感光体作製方法)
ポリ一 N—ビニルカルバゾール 1 0 g (亜南香料 (株) 製 ) 、 2 , 4, 7 一ト リニ トロフルォレノ ン 1 0 g、 ポリエス テル樹脂 2 g (バイ ンダー : バイ ロ ン 2 0 0東洋紡 (株) 製 ) 、 テトラハイ ド口フラ ン (THF) 9 0 gの組成を有する 混合液を暗所で作製し、 ln203- Sn02を約 1 0 0 G Aの膜厚で スパッターしたガラス基板 ( 1 mm厚) に、 ドクターブレード を用いて塗布し、 6 0 で約 1時間通風乾燥し、 膜厚約 1 0 i mの光導電層を有する感光体を得た。 また完全に乾燥を行 うために、 更に 1日自然乾燥を行って用いた。
(静電情報記録再生方法)
この感光体と、 具体例 1で作製した P—フ 二レンジアミ ンを分散した静電情報記録媒体とを、 膜厚 1 0 u mのポリエ ステルフィルムをスぺ一サ一とし、 静電情報記録媒体表面を 上記感光体の光導電層面に对向させて接地した。 次いで両電 極間に土 6 0 0 Vの直流電圧を印加した。
電圧の印加状態で、 感光体側より照度 1000ルツタスのハロ ゲンランプを光源とする露光を 1秒間行い、 静電潜像の形成 が終了する。
次いで、 電極と媒体表面との電位差を測定した結果、 媒体 表面には + 8 0 V、 - 8 0 Vの表面電位が表面電位計により 測定されたが、 未露光部での表面電位は ± 1 0 Vであった。
6 0で、 2 5 % RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 + 7 5 V、 一 7 5 Vであり、 正電荷、 負電荷共に 良好に保持されていた。
(具体例 1 0 )
P—フヱニレンジァミ ン 0 . 0 1 9 5 gをピコラスティ ッ ク D 1 2 5 (理化ハ一キュレス (秣) 製、 商品名) :キシレ ン = 3 : 7の混合溶媒 2 0 gに溶解し、 0 . 3 3重量%溶液 を調製した。
この溶液を、 I T O透明電極 (膜厚:約 5 0 0 A、 抵抗値 8 0 Ω/Π) 上にスピンコーター ( 1 0 0 0 rpm、 2 0 sec ) で塗布した。 1 0 0 ¾のオーブンに 1時間入れ、 乾燥させ 、 膜厚 5 /mの静電情報記録媒体を得た。
静電情報記録媒体における電荷保持層上にコロナ帯電器に より + 1 8 0 V、 一 1 8 0 Vの表面電位となるように帯電処 理した後、 加速試験として 6 O 、 2 5 %RHの高温条件下で の電荷保持性能を測定した。 その結果を第 1 6図に示す。 また、 4 0 、 9 5 %RHの多湿条件下での電荷保持性能を 測定した。 その結果を第 1 7図に示す。
上記、 静電情報記録媒体の作製において、 有機物質濃度が 3. 3重量%、 0. 1重量%の溶液を使用した以外は、 上記 同様にして静電情報記録媒体を作製し、 帯電処理後 1 日經過 時点での電荷保持性能を同様の方法で測定した。 結果を第 1 8図に示す。
図からわかるように、 本発明の静電情報記録媒体は特に正 電荷の保持性能に優れることがわかり、 また、 有機物質の濃 度が高くなるにつれ保持性能が向上することがわかる。
(具体例 1 1 )
フヱノチアジン 0. 0 1 7 9 mg をピコ ラスティ ッ ク D 1 2 5 (理化ハ一キュレス (株) 製、 商品名) :キシレン = 3 : ?の混合溶媒 2 0 gに溶解し、 0. 3重量%溶液を調製し た。 この溶液を使用し、 具体例 1 0同様の条件で静電情報記 録媒体を得た。
静電情報記録媒体における電荷保持層上にコロナ帯電器に より + 1 7 0 V、 一 1 7 0 Vの表面電位となるように帯電処 理した後、 加速試験として 6 0 °C、 2 5%RHの高温条件下で の電荷保持性能を測定した。 その結果を第 1 9図に示す。 また、 4 0 、 9 5 %RHの多湿条件下での電荷保持性能を 測定した。 その結果を第 2 0図に示す。
(具体例 1 2 )
2 , 4 , 7—ト リニトロ一 9一フルォレノ ン 0. 0 2 84 mg をピコラスティ ック D 1 2 5 (理化ハ一キュレス (株) 製、 商品名) : キシレン = 3 : 7の混合溶媒 2 0 gに溶解し 、 0. 47重量%溶液を調製した。 この溶液を使用し、 具体 例 1 Q同様の条件で静電情報記録媒体を得た。
静電情報記録媒体における電荷保持層上にコ πナ帯電器に より + 1 7 0 V、 一 1 7 0 Vの表面電位となるように帯電処 理した後、 加速試験として 6 0 °C、 2 5%RHの高温条件下で の電荷保持性能を測定した。 その結果を第 2 1図に示す。 また、 40 、 9 5 %RHの多湿条件下での電荷保持性能を 測定した。 その結果を第 2 2図に示す。
上記、 静電情報記録媒体の作製において、 有機物質濃度が 0 % (無添加) 、 0. 0 0 4 7重量%、 0. 0 0 9 4重量% 、 0. 0 4 7重量%の溶液を使用した以外は、 上記同様にし て静電情報記録媒体を作製し、 帯電処理後 1日経過時点での 電荷保持性能を同様の方法で測定した。 結果を第 2 3図に示 す。
図からわかるように、 本発明の静電情報記録媒体は特に正 電荷の保持性能に優れることがわかり、 特に濃度が高くなる につれ、 保持性能が向上することがわかる。 (具体例 1 3)
(静電情報記録再生方法)
具体例 9で作製した感光体と、 具体例 1 0で作製した、 p 一フ 二レンジアミンを電荷保持層中に 0. 3 3重量%添加 した静電情報記録媒体とを、 膜厚 1 0 umのポリエステルフ ィルムをスぺーサ一とし、 静電情報記録媒体表面を上記感光 体の光導電層面に射向させて接地した。 次いで両電極間に、 ± 6 0 0 Vの直流電圧を印加した。
電圧の印加状態で、 感光体側より照度 1000ルックスのハ1 p ゲンランプを光源とする露光を 1秒間行い、 静電潜像の形成 が終了する。
次いで、 電極と媒体表面との電位差を測定した結果、 媒体 表面には + 1 0 0 V. - 1 0 0 Vの表面電位が表面電位計に より測定されたが、 未露光部での表面電位は ± 1 0 Vであつ 常温、 常湿下で、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定し た結果、 + 9 0 V、 一 8 0 Vであり、 特に正電荷が良好に保 持されていた。
第 2の静電情報記録媒体についての具体例を下記に示す。 (具体例 1 4 )
含弗素樹脂 (デュポン社製、 商品名、 テフ σン AF 1 6 0 0、 吸氷率 0. 0 1 %以下、 比抵抗 1 X 1 018Q/C m) を パーフルォロ ( 2—プチルテ トラヒ ドロフラン) に溶解して 5 %溶液とし、 これを I TO (酸化イ ンジウム錫) 透明電極 (膜厚 5 0 0 A、 抵抗値 8 0 Ω/Π) 上に、 スピンコーティ ング ( 1 0 0 0 r pm、 2 0 s e c ) により塗布し、 1時間 風乾後、 2 0 0 tのオーブン中で 1時間乾燥させ、 乾燥後膜 厚 3 imの電荷保持層を形成した。
この電荷保持層表面を、 コロナ帯電器により一 1 2 0 V表 面電位となるように帯電処理し、 その電荷保持性能を測定し
7 o
加速試験として 6 0 、 2 5 %RH. 3 0日間放置した後 、 電荷保持層の表面電位を測定した結果、 一 9 I Vの残留電 位を維持していた。
又、 4 0 °C、 9 5 %RHで 3 0日間放置後の電荷保持層の 表面電位を測定した結果、 一 1 0 4 Vの残留電位を維持して
1、 /こ
(具体例 1 5 )
具体例 1 4で作製した静電情報記録媒体における電荷保持 層表面に、 コロナ帯電器により + 1 2 0 Vの表面電位となる ように帯電処理し、 その電荷保持性能を測定した。
加速試験として 6 0 、 2 5 %RH、 1 日間放置した後、 電荷保持層の表面電位を測定した結果、 + 1 6 Vの残留電位 を維持しており、 3 0日間放置した後では + 5 Vの残留電位 を維持していた。
又、 4 0で、 9 5 %RH、 1 日間放置した後、 電荷保持層 の表面電位を測定した結果、 + 2 9 Vの残留電位を維持して おり、 3 0日間放置後では + 1 1 Vの残留電位を維持してい o
(具体例 1 6 ) 1 mm厚のガラス基板上に、 真空蒸着 ( 1 0— 5Torr) 法で A 1 電極を 1000Aの膜厚で積層する。 その A1 電極上に、 含弗 素樹脂 (デュポン社製、 商品名、 テフロン AF 1 6 0 0、 吸 氷率 0. 0 1 %以下、 比抵抗 1 X 1 0 18Q/c m) をパ一フ ルォ口 ( 2—プチルテ トラヒ ドロフラン) に溶解し、 その 5 %溶液をブレードコ一ターにより塗布し、 乾燥後膜厚 3 m の電荷保持層を作製した。
この電荷保持層表面を、 コ 1 αナ帯電器により一 1 Q 0 Vの 表面電位となるように帯電処理し、 その電荷保持性能を測定 し o
常温常湿で 3 0日間放置した後、 電荷保持層の表面電位を 測定した結果、 一 8 5 Vの残留電位を維持しており、 加速試 験として 6 0 、 2 0 %RH、 3 0日間では、 一 7 0 Vの残 留電位を維持し、 又、 4 0 °C、 9 5 %RHで 3 0日簡放置後 では一 8 0 Vの残留電位を維持していた。
(具体例 1 7 )
(静電情報記録再生方法)
具体例 9で作製した感光体と、 具体例 1 4で作製した静電 情報記録媒体とを、 膜厚 1 0 / mのポリエステルフィルムを スぺーサ一とし、 静電情報記録媒体表面を上記感光体の光導 電層面に対向させて接地した。 次いで両電極間に、 感光体側 を負、 静電情報記録媒体側を正にして、 一 7 0 0 Vの直流電 圧を印加した。
電圧の印加状態で、 感光体側より照度 1000ルックスのハ口 ゲンランプを光源とする露光を 1秒間行い、 静電潜像の形成 Λ
/088430
4 2 が終了する。
次いで、 電極と媒体表面との電位差を測定した結果、 媒俅 表面には一 1 0 0 Vの表面電位が表面電位計により測定され たが、 未露光部での表面電位は一 3 0 Vであった。 また、 上 記と同様にグレースケールを用いて露光及び電圧印加を行つ た媒体は一 3 ϋ Vから一 1 Q 0 Vの間でアナログ状に表面電 位が記録されていた。
この媒体を室温で 1年間放置したものも、 ほぼ同様の表面 電位が維持されていた。
次に、 第 3または第 4の静電情報記録媒体についての具体 例を以下に示す。
(具体例 1 8)
1 mm厚のガラス基板上に酸化ィンジゥム錫 ( I TO、 膜 厚:約 5 0 0 Α、 抵抗値 8 0 Ω/Π) を積層し、 その電極上 に弗素榭脂 (商品名 :サイ トップ、 旭硝子 (株) 製) の 7 % の弗素系溶剤 〔パーフルォロ ( 2—プチルテ トラヒ ドロフラ ン) 〕 溶液をスピンナーコー ト法 (l O O O r pm : 2 0 s ) により、 2. 9 imの乾燥後膜厚に塗布形成した。
これを基板とし、 基板加熱温度 4 5でで、 低真空 (6 t 0 r r) にてセレンを 1 0分間かけて平均粒径 0. 5 m以下 となるように蒸着した。
さらに、 この蒸着層上に、 前述の弗素樹脂溶液を 0. 6 « mの乾燥後膜厚となるよう、 スピンナーコー ト法により塗布 し、 各種の静電情報記録媒体を作製した。
次に、 この媒体上に、 暗所でコロナ帯電により ± 1 2 0 V の表面電位になるように帯電し、 光を照射したところ、 電位 は ± 1 1 5 Vとなり、 内部電荷となった。
加速試験としてこの媒体を 6 0。C、 2 0 %RH, 3 0日間 の高温条件下に放置しても + 5 0 V及び一 1 0 0 Vの電位を 保持しており、 更に 4 0 °C、 9 5 %RH 3 0日間放置の多湿 条件下でも + 5 0 Vおよび、 一 1 0 0 Vを維持していた。 次に、 最表面の弗素榭脂層の膜厚が異なる静電情報記録媒 体を、 上記同様に作製し、 その表面電位が一 1 2 0 Vとなる ように帯電した後、 光を照射し、 内部電荷とした。 この媒体 を、 6 0 °C、 2 0 %RH. 1 日間の高温条件下に放置した後 の電荷保持率を測定した。
その結果を第 2 4図に示す。 最表面の弗素榭脂層の膜厚が 0. 6 inの時に極大値を示すことがわかる。
(具体例 1 9 )
. 上記具体例 1 8において、 セレンに代えて蒸着材料として テルルを、 基板加熱温度 5 0 °C、 真空度 3 t 0 r r、 蒸着時 間 7分で蒸着させることにより、 平均粒径 G . 5 imJ¾下の 微粒子層を形成した以外は、 同様にして静電情報記録媒体を 作製した。
この媒体上にコロナ帯電により、 ± 1 2 0 Vの表面電位に なるように帯電した後、 6 Q 、 2 0 %RH高温条件下で 3 0日間放置したところ + 5 0 V及び一 1 0 0 Vの電位を保持 しており、 更に 4 G °C、 9 5 %RHの多湿条件下で 3 0日間 放置したところ、 + 5 0 V及び一 1 0 0 Vの表面電位を維持 していた。 (具体例 2 0 )
上記具钵例 1 8において、 セレンに代えて蒸着材料として 亜鉛を、 基板加熱温度 5 0 t〜 6 0 、 真空度 0 . 1 t 0 r r、 蒸着時間 5分で蒸着させることにより、 平均粒径 0 . 5 ; u m以下の微粒子層を形成した以外は、 同様にして静電情報 記録媒体を作製した。
この媒体上にコロナ帯電により、 士 1 2 0 Vの表面電位に なるように帯電した後、 6 0 、 2 0 % R H高温条件下で 3 0日間放置しても + 9 0 V及び一 1 0 0 Vの電位を保持して おり、 更に 4 0 °c、 9 5 % R Hの多湿条件下で 3 0日間放置 したところ、 + 8 5 V及び一 1 0 0 Vの表面電位を維持して
(具体例 2 1 )
上記具体例 1 8において、 弗素樹脂溶液として、 0—フ 二レンジァミ ン 1 . 2 mg 、 弗素樹脂 (旭ガラス (株) 製、 商品名サイ ト ップ) 2 . 6 g、 溶剤としてパーフルォロ ( 2 一プチルテ ト ラ ヒ ドロフラ ン) 5 0 gをマヨネ一ズ壜に入れ 、 更にその容積が 8割程度になるまでガラスビ一ズ No. 1を加 え、 シヱ一力一 ( Red devi l )により 1 2時間攪拌して得ら れる分散液を使用した £1外は、 同様にして静電情報記録媒体 Aを作製した。
この静電情報記録媒体において 0—フ 二レンジアミンに 代えて、 m—フエ二レンジァミ ン、 p—フエ二レンジァミ ン を使用し、 上記同様にして静電情報記録媒体 B、 Cをそれぞ れ調製した。 各静電情報記録媒体における電荷保持層上にコロナ帯電器 により ± 1 2 0 Vの表面電位となるように帯電処理した後、 各静電情報記録媒体を加速試験として 6 0 、 5 %RH. 3 0日間放置後での電荷保持性能を測定した結果、 静電情報記 録媒体 A、 B、 C共に + 5 0 V、 一 1 0 0 Vの表面電荷が測 定され、 正電荷の保持性能にも優れることがわかる。
(具体例 2 2 )
p—フエ二レンジァミ ン 1 , 2 mgと弗素樹脂 (デュポン社 製、 商品名テフロン AF 1 6 0 0 ) 2. 6 g、 溶剤としてフ π リナ一ト F C— 4 0 (商品名、 3M社製) 5 0 gとをマョ ネ一ズ瓶に入れ、 その容積が 8割になるまでガラスビーズ No .1を加え、 シヱ一力一 (Red Devil)により 1 2時間攪拌し、 有機物質微粒子分散液を得た。
この分散液を使用して具体例 1 8同様にして静電情報記録 媒体を作製し、 同様にその電荷保持性能を測定した。
6 0 、 2 5 %RH、 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 + 5 0 V、 - 1 0 0 Vであり、 正電荷、 鱼電荷共 に良好に保持されることがわかる。
(具体例 2 3 )
上記具体例 1 8において、 弗素樹脂を塗布した I T〇電極 付ガラスに代えて、 アルミニゥ厶蒸着ポリエチレンテレフタ レートフィルム (膜厚 2 0 urn) を使用する以外は同様にし て静電情報記録媒体を作製した。
この媒体上にコロナ帯電により、 ± 8 0 0 Vの表面電位と なるように帯電させた後、 6 0 :、 2 5 %RH、 9 0日間放置 後に表面電位を測定したところ、 + 5 8 0 V、 一 7 5 0 Vの 電位を維持していた。
(具体例 2 4 )
(静電情報記録再生方法)
具体例 9で作製した感光体と、 具体例 1 8で作製した静電 情報記録媒体とを、 膜厚 1 0 jumのポ リ エステルフィルムを スぺーサ一とし、 静電情報記録媒体表面を上記感光体の光導 電層面に対向させて接地した。 次いで両電極間に士 6 0 0 V の直流電圧を印加した。
電圧の印加状態で、 感光体側より照度 1000ルックスのハ口 ゲンランプを光源とする露光を 1秒間行い、 静電潜像の形成 が終了する。
次いで、 電極と媒体表面との電位差を測定した結果、 媒体 表面には + 8 0 V、 一 8 0 Vの表面電位が表面電位計により 測定されたが、 未露光部での表面電位は ± 1 0 Vであった。
6 0 °C、 2 5 %RH. 3 0日間放置後にその表面電荷を測定 した結果、 + 3 5 V、 - 7 0 Vであり、 正電荷、 負電荷共に 良好に保持されていた。
(比較例 1 )
1 mm厚のガラス基板上に I TOを積層し、 その電極上に 弗素榭脂 (商品名、 サイ トップ、 旭硝子製) の 7 %弗素系溶 剤溶液をスピンナーコート法 ( 1 0 0 0 r pm, 2 0 s) で 2. 9 /inの乾燥後膜厚に塗布した。
次に、 この媒体上に、 コロナ帯電により、 ± 1 0 0 Vの表 面電位になるように帯電した。 その後、 この媒体を 6 O :、 2 0 %RHの高温条件下で 3 0日間放置したところ + 1 0 V 及び一 1 0 0 Vの電位となり、 更に 4 0 、 9 5 %RHの多 湿条件下で 3 0日間放置したところ、 + 2 0 Vおよび一 1 0 0 Vの電位となった。
(比較例 2 )
1 mm厚硝子板上に積層した I TO上に、 熱可塑性レジン 樹脂 (商品名 :ステぺライ トヱステル 1 0、 理化ハーキユレ ス製、 軟化点 7 1〜 7 8 ) の 5 0 %モノ クロ口ベンゼン溶 液をスピンコート法 (2 0 0 0 r pmx 2 0 S) で、 5 jum の乾燥後膜厚に塗布した。
次に、 その基板を使用してガラス基板をヒータ一板で 7 0 でに加熱し、 その状態でセレンを低真空 ( 6 t 0 r r) で約 1 5分蒸着することにより、 熱可塑性樹脂層上に平均粒径 0 . ' 5 /mの a—セレン粒子層を表面近傍に設け、 静電情報記 録媒体を得た。
この静電情報記録媒体上に暗所でコロナ帯電により、 士 2 0 0 Vの表面電位になるように帯電させた後、 光を照射して 、 表面電位がそれぞれ土 1 8 0 Vの内部電荷とし、 その電荷 保持性能を測定した。
その結果、 常温常湿で 1 0日間放置したところ、 各表面電 位は + 3 0 V、 一 5 0 Vとなった。
(比較例 3 )
1 mm厚硝子板上に積層した I T〇上に、 熱可塑性ポリス チレン樹脂 (商品名 : ピコ ラスチック D 1 2 5、 理化ハ一キ ユレス製、 軟化点 1 2 5で) の 3 0 %キシレン溶液をスピン コート法 ( 1 0 0 0 r pmx 2 0 S) で、 5 mの乾燥後膜 厚に塗布した。 次に、 その基板を使用してガラス基板をヒ一 ター板で 1 1 0 に加熱し、 その状態でセレンを低真空 ( 6 ΐ 0 r r) で約 1 5分蒸着することにより、 熱可塑性樹脂層 上に平均粒径 0. 5 imの a—セレン粒子層を表面近傍に設 け、 静電情報記録媒体を得た。
この静電情報記録媒体上に暗所でコロナ帯電により、 土 2 0 0 Vの表面電位になるように帯電させた後、 光照射し、 表 面電位がそれぞれ士 1 8 0 Vの内部電荷とし、 その電荷保持 性能を測定した。
その結果、 常温常湿で 1 0日間放置したところ、 各表面電 位は + 3 0 V、 一 6 5 Vとなった。 また、 加速試験として、 6 0 、 2 5 %RHの高温条件下、 1 0日間放置したところ 、 各表面電位は + 1 0 V、 一 1 5 Vとなった。
(比較例 4 )
具体例 1 8において、 蒸着層上に弗素樹脂層を設けないで 静電情報記録媒体とし、 同様にその電荷保持性能を測定した この媒体を 6 0で、 2 0 %RH 3 0日間の高温条件下に放 置したところ、 + 4 0 V及び一 7 5 Vの表面電位であり、 更 に 4 0で、 9 5 %RH 3 0 日間放置の多湿条件下では + 3 0 Vおよび、 一 Ί 0 Vの表面電位となった。 産業上の利用可能性
本発明の静電情報記録媒体は、 負電荷の電荷保持性能の向 上と共に、 特に正電荷の保持性能に優れるので、 感光体の種 類に影響なく情報記録を可能とでき、 また蓄積された情報電 荷は極めて安定であり、 更に、 情報蓄積手段が静電荷単位で あるために、 静電情報記録媒体に蓄積される情報は高品質、 高解像のものであるので、 蓄積された情報電荷に対応した電 気信号を出力させ、 C R T表示させることができ、 更に昇華 プリ ンタ等によりプリ ントアウ トすることができる。 また、 例えばィオンフロープリ ンタの記録ドラムとして使用でき、 希望の枚数だけハードコピーを得ることのできる、 所謂マル チプリ ンタを構成することができる。

Claims

請求の範囲
( 1 ) 少なくとも電極層上に電荷保持層を積層した静電情報 記録媒体において、 電荷保持層が弗素樹脂またはポリスチレ ン榭脂とから選択される絶縁性榭脂と光導電性を有しない絶 縁性有機物質とからなることを特徴とする静電情報記録媒体
( 2 ) 電荷保持層が正帯電処理された後、 該電荷保持層につ いてオープンサーキッ ト熱刺激電流装置により測定して得ら れる熱刺激電流スぺク トルがホモピーク以外にヘテロピーク を有するものである請求項 1記載の静電情報記録媒体。
( 3 ) 少なくとも電極層上に電荷保持層が積層された静電情 報記録媒体において、 該電荷保持層が下記一般式 ( 1 )
"fC F2- C Fa^ T C F - C F T T
O
C F C F
(但し、 繰り返し単位数 mで示されるジォキソノ ール成分含 量が 2 0〜 9 0モル%) である繰り返し単位からなり、 ガラ ス転移温度より 9 0〜 1 1 (3 °C高い温度での溶融粘度が 1 0 2 〜 1 04 Pa · secである含弗素熱可塑性樹脂からなること を特徴とする静電情報記録媒体。
( 4 ) 少なくとも電極層上に電荷保持層が積層された静電情 報記録媒体において、 該電荷保持層が電極層上に絶縁性樹脂 層、 次いで光導電性または導電性微粒子層、 更に膜厚 0. 1 «ιη〜 1 ίΐηの絶縁性榭脂層が積層されたものであることを 特徴とする静電情報記録媒体。
( 5 ) 少なくとも電極層上に電荷保持層が積層された静電情 報記録媒体において、 電荷保持層が電極層上に、 光導電性を 有しない絶縁性有機物質と絶緑性樹脂とからなる層、 次いで 光導電性または導電性微粒子層、 更に膜厚 0. 1 111〜 1 mの絶縁性樹脂層が積層されたものであることを特徴とする 静電情報記録媒体。
( 6 ) 絶縁性樹脂が弗素樹脂である請求項 4または 5記載の 静電情報記録媒体。
(7 ) 電極上に絶縁性樹脂層を塗布形成した後、 該絶縁性樹 脂層が軟化しない状態で、 かつ低真空下で光導電性微粒子層 または導電性微粒子層を絶縁性樹脂層上に蒸着形成し、 該微 粒子層上に更に絶縁性樹脂層を 0. 1 ΐιη〜 1 umの膜厚で 塗布形成することを特徴とする静電情報記録媒体の製造方法
Q
(8 ) 電極上に、 光導電性を有しない絶縁性有機物質を分散 させた絶縁性樹脂層を塗布形成した後、 該絶縁性樹脂が軟化 しない状態でかつ低真空下で光導電性微粒子層または導電性 微粒子層を絶縁性樹脂層上に蒸着形成し、 該微粒子層上に更 に弗素榭脂層を(3. 1 im〜 l z/mの膜厚で塗布形成するこ とを特徴とする静電情報記録媒体の製造方法。
( 9 ) 絶縁性榭脂が弗素樹脂である請求項 7または 8記載の 静電情報記録媒体の製造方法。
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