JPH0470842A

JPH0470842A - 情報記録媒体

Info

Publication number: JPH0470842A
Application number: JP18602790A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Iijima; 飯嶋　正行; Osamu Shimizu; 治清水; Minoru Uchiumi; 内海　実
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1990-07-12
Filing date: 1990-07-12
Publication date: 1992-03-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、静電情報を表面電位として得ることのできる
情報記録媒体及び静電情報記録再生方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、情報を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。

また、光導電層に導電層を蒸着し、暗所で光導電層上に
コロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光し
て光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位
の電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を
光導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と
逆極件の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを
付着させて現像する電子写真技術があるが、これは主と
して複写用に用いられており、〜般に低感度のだと撮影
用としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために
静電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である
。

また、ＴＶ撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た情報情報を電気信号として取り出し、そのまま
ＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法がある
。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る？！［な光学的、電気的、または化学的処
理が必要である。

電子写真技術は得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真法
よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現像
剤の解離性、画質等は銀塩に劣るＴＶ撮影技術は撮像管
で得られた電気的像信号を取り出し、また記録するた於
には線順次走査が必要となる。線順次走査は撮像管内で
は電子ビムで、ビデオ記録では磁気ヘッドで行うが、解
像性は走査線数に依存するため、銀塩写真のような面状
アナログ記録に比して著しく劣化する。

また、近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＣＤ等）を
利用したＴＶ撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。

これらの技術の内蔵する問題点は情報記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明者は、先に前面に導電層が設けられた光導電層か
らなる感光体と、該感光体に対向し、後面に導電層が設
けられた電荷保持層からなり、該電荷保持層中に光導電
性微粒子又は導電性微粒子を含有する情報記録媒体とを
光軸上に配置し、両溝電層間に電圧を印加しつつ露光す
ることにより入射光学像に応じた静電潜像を情報記録媒
体に形成する静電情報記録方法を出願（特願昭６３−２
３９４９０号）した。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、この静電情報記録方法に使用される情報記録
媒体の改良を目的とするもので、感光体を使用すること
なく、対向電極を使用して簡便に静電情報を言己録する
ことができる情報記録媒体の提供を課題とする。

〔課題を解決するための手段〕　゛本発明の情報記録媒体は、電極層上に光導電層、絶縁性
樹脂からなる電荷保持層が順次積層された情報記録媒体
と、対向電極とを配置し、両電極間に電圧を印加しつつ
露光して電荷保持層に静電情報を記録した後、電荷保持
層に記録された静電情報を再生する静電情報記録再生方
法に使用する情報記録媒体であって、該情報記録媒体に
おける電荷保持層が絶縁性樹脂層に光導電性微粒子又は
導電性微粒子を含有させたものであることを特徴とする
。

以下、本発明の情報記録媒体について説明する。

第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の情報記録媒体の断面
を模式的に説明するだめの図で、図中３は情報記録媒体
、１０は微粒子、１１．１２は絶縁性樹脂層、１３は電
極層、１４は光導電層、１５は支持体、１６は誘電体ミ
ラー層である。

まず、第１図（ａ）は、電極層上に光導電層を介して、
微粒子１０をその表面近傍に単層状若しくは複数層状に
存在させた絶縁性樹脂層を積層したタイプである。

同図（ｂ）は、電極層上に光導電層を介してまず、絶縁
性樹脂層を積層し、次いで絶縁性樹脂中に微粒子１Ｇを
分散した層を積層したタイプである。

同図（ｃ）は、電極層上に光導電層を介して絶縁性樹脂
層中に微粒子１０を分散した層を積層したタイプである
。

同図（ｄ）は、光導電層１４と絶縁性樹脂層１１との開
に誘電体ミラー層１６を設けたものである。

絶縁性樹脂層１１、又は１２は、電荷の移動を抑えるた
め高絶縁性樹脂からなるものであり、比抵抗で１０１４
Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求される。また
電荷保持層を構成する高分子材料としてはそのガラス転
移温度が使用環境温度以上であることが必要である。

このような高分子材料としては熱可塑性樹脂、或いは熱
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等の
エネルギー線硬化樹脂、或いはエンジニアリングプラス
チック等を使用することができ、熱可塑性樹脂としては
例えば弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレン、
弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエチレン−
パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、またそ
れらのディスバージョンタイプ、または変性タイプ（コ
ーティングタイプ）、またポリエーテルエーテルケトン
樹脂、ポリバラキシリレン、ロジンエステル、水添ロジ
ン、二塩基酸変性ロジンエステル、重合ロジンエステル
、ロジンアルコール、ビンソール、ピンソールエステル
ガム、ロジンアミン、重合ロジン等のロジン系誘導体或
いはスチレン、α−メチルスチレン及びビニルトルエン
等の芳香族系樹脂或いは脂肪族系石油樹脂、或いはα、
β−ピネン重合体、リモネン重合体等のテルペン系樹脂
、この他、ビニル系の重合体等、更にこれらを変性した
誘導体、更にこれらを混合した樹脂が利用できる。

電荷を蓄える微粒子としては光導電性材料、導電性材料
から形成される。

光導電性微粒子材料としてはアモルファスシリコン、結
晶シリコン、アモルファスセレン、結晶セレン、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機系光導電材料、またポリビ
ニルカルバゾール、フタロシアニン、アゾ系顔料等の有
機系光導電材料が使用される。

また、導電性材料としては周期律表第１Ａ族（アルカリ
金属）、同ＩＢ族（銅族）、同ｎＡ族（アルカリ土類金
属）、同ＩＩＢ族（亜鉛族）、同ＩＡ族（アルミニウム
族）、同ＩＵＢ族（希土類）、同ｒＶＢ族（チタン族）
、同ＶＢ族（バナジウム族）、同ＶＴＢ族（クロム族）
、同■Ｂ族（マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、
また同■Ａ族（炭素族）としては炭素、珪素、ゲルマニ
ウム、錫、鉛、同ＶＡ族（窒素族）としてはアンチモン
、ビスマス、同ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレ
ン、テルルが微細粉状で使用される。また上記元素単体
のうち金属類は金属イオン、微細粉状の合金、有機金属
、錯体の形態としても使用することができる。更に上記
元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロゲン化物
の形態で使用することができる。特に炭素、金、銅、ア
ルミニウム等が好ましく使用される。

第１図（ａ）に示すような、微粒子が絶縁性樹脂層の表
面近傍に存在している電荷保持層は、上述した微粒子形
成材料を蒸発源とし、低圧蒸着装置における基板ホルダ
ーを抵抗加熱しつつ、絶縁性樹脂層表面に蒸着させて形
成される。この際、粒子層形成材料を、１０Ｔｏｒｒ〜
１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度の低圧下で蒸発させると凝集し、
１０〜０．１μｍ径程度の超微粒子状態となり、微粒子
は加熱された絶縁性樹脂層表面に、単層状、或いは複数
層状に整列した状態で積層され、表面近傍に存在させる
ことができるものである。

第１図（ｂ）示す微粒子を分散した電荷保持層は、まず
絶縁性樹脂層１２を上記同様に０．１μｍ〜１００μｍ
の膜厚でまず積層し、その絶縁性樹脂層１２上に、絶縁
性樹脂材料と粒径が０．１μｍ＝１０μｍの微粒子をバ
インダーと共に溶剤に分散させた分散液を塗布し、膜厚
０．１μｍ〜１０μｍに形成される。

このような微粒子としては、上述したものの中でも、特
に光導電性微粒子としては、結晶−３ｅ、結晶５ｅ−Ｔ
ｅ混合物、結晶Ｓｅに増感のために、例えば＾ｓ、　Ｓ
ｂ、　Ｂｉ等を混合又は合金としたもの、更に結晶性光
導電材料であるＣｄＳ　５ＰｂＯ、またＺｎ−Ｔｅ、Ｃ
ｄ−３ｅ等の混合物、又その合金を使用するもできる。

微粒子を分散させる絶縁性バインダーとしては、シリコ
ーン樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂、エポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、飽和又は不飽和ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂
、フェノール樹脂、ポリメチルメタアクリレート　（Ｐ
ＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂等を微粒
子１部に対し、０．１〜ＩＯ部添加して電極上に付着し
易いようにする。

又、溶剤としてはメチルエチルケトンとトルエンの体積
比１；１混合液（ＫＴ−１１）、トリクロロエチレン、
テトラヒドロフラン、酢酸ブチル、ジクロロメタン、エ
タノール、インプロパツール等を使用でき、光導電層、
又は誘電体ミラー層上にスピンナーコーティング、ブレ
ードコーティング法等を使用して層形成する。

光導電性微粒子とバインダーとの混合割合は、光導電性
微粒子を１０重量％〜７５重量％の範囲で混合するとよ
い。光導電性微粒子が７５重量％以上であると導電性と
なり好ましくなく、１０重量％以下であると絶縁性が高
くなり、光導電性微粒子を混合する効果がなくなる。

第１図（ｃ）に示すものは、絶縁性樹脂層１２を設けな
いで、光導電層上に直接微粒子分散層を積層するもので
ある。この積層方法、微粒子等については上記第１図（
ｂ）に示すものと同一であるが、この場合には膜厚０．
１μｍ〜１０μｍに積層するとよい。

第１図（ｄ）に示すものは、光導電層１４と電荷保持層
との間に誘電体ミラー層１６を設けものである。

誘電体ミラー層は、硫化亜鉛、弗化マグネシウム等の光
屈折率を相違する物質層を交互に積層して形成される絶
縁性光干渉層であり、光導電層を通過してきた情報光を
反射し、光導電層に充分な光吸収性能を付与し、高感度
でキャリアを生成することができるものである。又、読
み取りに際しては反射光量を大きくすることができるの
で、高コントラストの読み取りが可能となるものである
。

電極上に積層される光導電層１４は、光が照射されると
照射部分で光キャリア（電子、正孔）が発生し、それら
のキャリアが層幅を移動することができる導電性層であ
り、特に電界が存在する場合にその効果が顕著である層
である。光導電材料、および光導電層の形成方法につい
て説明する。

（１）シリコン光導電層 ■シリコン単体 ■不純物をドーピングしたもの、・Ｂ、ＡＩ、ＧａＳ　Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングにより
Ｐ型（ホール輸送型）にしたもの、・Ｐ、Ａｇ、Ｓｂ、
Ｂｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にしたも
の、がある。

光導電層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−”〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

（ｎ）セレン光導電層 ■セレン単体 ■セレンテルル ■ひ素セレン化合物（Ａｓ２Ｓ＋、） ■ひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。

この光導電層は蒸着、スパッター法により作製する。ま
た上記■〜■を組み合わせ、積層型光導電層としてもよ
い。膜厚はシリコン光導電層と同様である。

（ＩＩＩ）硫化カドミウム　（ＣｄＳ　）光導電層この
光導電層は、コーティング、蒸着、スパッタリング法に
より作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタングス
テンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ（
エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッタリ
ングの場合は（ＪＳターゲットを用いてアルゴンプラズ
マ中でＭ板上に堆積させる。この場合、通常はアモルフ
ァス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条件
を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配向
）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｔｌ
Ｓ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。

。（ＴＶ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ）光導電層この光導電層は
コーティング法、或いはＣＶＤ法で作製される。コーテ
ィング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜１００μｍ）
をバインダー中に分散させ、溶媒を添加して基板上にコ
ーティングを行って得られる。またＣＶＤ法としては、
ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属と酸素ガスを
低真空中（１０−２〜Ｉ　Ｔｏｒｒ）で混合し、加熱し
た電極基板（１５０〜４００℃）上で化学反応させ、酸
化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜厚方向に配向
した膜が得られる。

（Ｖ）有機光導電層有機光導電層としては、単層系光導電層、機能分離型光
導電層とがある。

（イ）単層系光導電層単層系光導電層は、下記の電荷発生物質と電荷輸送物質
の混合物からなっている。

（電荷発生物質〉光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ビスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム系染料、シ
アニン系染料、メチン系染料が使用される。

〈電荷輸送物質系〉電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、光導電層は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感
光特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混
ぜて錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリ
ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、
トリニトロフルオレノン（Ｔ　Ｎ　Ｆ　’）は４００ｎ
ｍ波長近傍しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５
０ｎｍ波長域まで感じるようになる。

このような単層系光導電層の膜厚は、１０〜５０μｍが
好ましい。

（ロ）機能分離型光導電層電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、一方、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよい
が、光吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、そ
れぞれの特性を十分に発揮させようとするものであり、
電荷発生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

く電荷発生層〉電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ヒ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−３ｅ　、　ａ−Ｓ
ｉ　、アズレニウム塩系、スクアリウム環系等がある。

く電荷輸送層〉電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型光導電層の作製方法としては、まず電荷発生
物質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送
層を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を
０．１〜１０μｍ１電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚
とするとよい。

なお、単層系、機能分離型の何れの場合にも、バインダ
ーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタジェン共重合
体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和又は不飽和
ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニル
アセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメチルメタアク
リレート　（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各１部に対し、
０１〜１０部添加して付着し易いようにする。コティン
グ法としては、ディッピング法、蒸着法、スパッター法
等を使用することができる。

このような光導電層１４は電荷注入防止層を介して電極
１３上に積層されてもよい。

電荷注入防止層は、電圧印加時の暗電流（電極からの電
荷注入）、すなわち露光していないにもかかわらず恰も
露光したように感光層中を電荷が移動する現象を防止す
るために設けるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。

このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶縁性
高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれらを
積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば＾５
２０３、Ｂ−Ｏｓ、Ｂｉ２Ｏ５、ＣｄＳ、Ｃａｎ　、　
Ｃｅ０ｚ、Ｃｒ２Ｏ５、Ｃｏｎ　、Ｇｅ０ｚ、ＨｆＯ２
、Ｆｅｚｅｓ、Ｌａ２ｅｓ　、ＭｇＯ、Ｍｎ０ｚ、Ｎｄ
２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＰｂＯ１Ｓｂｚ０３、Ｓ＋Ｏｚ、
５ｅ０２、Ｔａ２０５、ＴｌＯ２、ＷＯ，、Ｖ２Ｏ３、
Ｙ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３，２ｒＴｏ、ＢａＴｉＯ３、Ａｌ２
Ｏ３、Ｂ＋２ＴｌＯｓ　、ＣａＯ−５ｒＯ、Ｃａ０−Ｖ
２Ｏ３、Ｃｒ−３ｉＯ１ＬｉＴａＯ３、ＰｂＴ＋０３、
ＰｂＸｒＯ３、ＺｒＬ−［１：ｏ　、２ｒＯ２−３＋Ｏ
ｚ　、ＡＩＮ　ＳＢＮ、　〜ｂＮ、Ｓｉ３Ｎ＋　、Ｔａ
Ｎ　、　ＴｉＮ　、　ＶＮ、　２ｒＮ　ＸＳｉＣ、Ｔｉ
Ｃ。

ＷＣＳＡｌ、Ｃ３等をグロー放電、蒸着、スパッタリン
グ等により形成される。尚、この層の膜厚は電荷の注入
を防止する絶縁性と、トンネル効果の点を考慮して使用
される材質ごとに決められる。

次ぎに、整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効
果を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有
する電荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防
止層は無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光
導電層で形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度で
ある。具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、ＡＩ、
Ｇａ、Ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電
層、アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピ
ラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アン
トラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフ
ェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂
中に分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場
合は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ。

５ｂＳＢｉ等をドープしたアモルファスシリコン光導電
層、ＺｎＯ光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタリ
ング、ＣＶＤ、コーティング等の方法により形成される
。これらの光導電層は、電極側の極性を同じ極性のキャ
リアーを発生する光導電性材料により形成する必要があ
る。電極をマイナスとする場合はＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ
等をドープしたシリコン光導電層、電極がプラスの場合
は、Ｐ　、　Ｎ　ＳＡ　ｓ　ＳＳ　ｂ　、Ｂ　１等をド
ープしたシリコン光導電層、セレン光導電層、有機光導
電層等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、
コーティング等の方法により形成される。

また、電極１３は支持体に支持されていてもよく、支持
体として金属板が使用される場合を除いて支持体上に形
成され、比抵抗値が１０６０・Ｃｍ以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜、四級
アンモニウム塩等の有機導電膜等を使用することができ
る。

例えば、酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎ２Ｏ，＋−５ｎ
ｏ２、ＩＴＯ）膜、酸化錫膜等の透明電極や、Ａｕ、Ａ
１、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリング
で作製する電極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
）　、ポリアセチレン等のコーティングによる有機電極
、また表面が熱酸化処理されたシリコン基板を使用する
ことができる。

支持体１５としては、情報記録方法を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、厚み、材質は特に
制限がなく、例えば厚み１ｍｍ程度の可撓性のあるプラ
スチックフィルム、或いは硝子、プラスチックシート等
が使用される。

尚、支持体の他方の面には、必要に応じて反射防止効果
を有する層を積層するか、また反射防止効果を発現しう
る膜厚に支持体等を調整するか、更に両者を組み合わせ
ることにより反射防止性を付与してもよい。

第２図は情報記録方法を説明するための図で、図中１は
対向電極である。

まず、対向電極ｌは、情報記録媒体における電極形成材
料と同じものを使用でき、支持体上に積層するか又は金
属板等も使用できるものであり、１０μｍ程度の空隙を
介して情報記録媒体３と対向配置される。

次いで、電源Ｖにより電極１．１３開に電圧を印加し、
情報記録媒体３側より情報光が入射すると、光が入射し
た部分の光導電層では誘電体ミラー層１２により効率よ
く光キャリアが発生、生じた光キャリアは対向電極１と
の電界により誘電体ミラー層に蓄積され、電極１との間
に形成される電界により、絶縁性樹脂層に対向電極から
の慕蚤電荷が付与され、露光部における表面近傍の微粒
子中に情報電荷として安定して蓄積されるものである。

この情報記録方法は、面状アナログ記録が可能で、情報
電荷を表面電位読み取りすることにより、微粒子の粒径
に応じた高解像の再生情報が得られる。

本発明の情報記録媒体への情報入力方法とじては静電カ
メラによる方法、またレーザーによる記録方法がある。

静電カメラは、通常のカメラに使用されている写真フィ
ルムの代わりに、対向電極１と情報記録媒体３とにより
記録部材を形成するもので、機械的なシャッタも使用し
うるし、また電気的なシャッタも使用しうるものである
。

また、プリズム及びカラーフィルターにより光情報を、
Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出しＲ，
Ｇ、Ｂ分解した情報記録媒体３セツトで１コマを形成す
るか、または１平面上にＲｌＧ、Ｂ像を並べて１セツト
で１コマとすることにより、カラー撮影することもでき
る。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、対向電極と情報記録
媒体を面状で表面同士を密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ電圧印加する。この状態で画像信号、文字
信号、コード信号、線画信号に対応したレーザー露光を
スキャニングにより行うものである。画像のようなアナ
ログ的な記録は、レーザーの光強度を変調して行い、文
字、コード、線画のようなデジタル的な記録は、レーザ
ー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御により行う。また画像において
網点形成されるものには、レーザー光にドツトジェネレ
ーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をかけて形成するものである。

以上、対向電極を使用して静電情報を記録する場合につ
いて記載したが、本発明の情報記録媒体への静電情報記
録方法は、他にも例えば、コロナ帯電、電極針ヘッド、
或いはイオン流ヘッドを用いた静電記録、レーザープリ
ンター等の光プリンター等による記録方式を使用しても
よい。

次ぎに記録された静電情報の再生方法について説明する
。

第２図は本発明の情報記録媒体の静電情報再生方法にお
ける電位読み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番
号は同一内容を示している。なお、図中、３は情報記録
媒体、２１は電位読み取り部、２３は検出電極、２５は
ガード電極、２７はコンデンサ、２９は電圧計である。

電位読み取り邪２１を情報記録媒体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極２３に情報記録媒体３の電荷保持
層１１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し
、検出電極面上に情報記録媒体上の電荷と等量の誘導電
荷が生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコン
デンサ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄
積電荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読
むことによって情報記録媒体の電位を求めることができ
る。そして、電位読み取り部２１で情報記録媒体面上を
走査することにより静電潜像を電気信号として出力する
ことができる。なお、検出電極２３だけでは情報記録媒
体の検出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界
（電気力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極
の周囲に接地したガード電極２５を配置するようにして
もよい。これによって、電気力線は面に対して垂直方向
を向くようになるので、検出電極２３に対向した部位の
みの電気力線が作用するようになり、検出電極面積に略
等しい部位の電位を読み取ることができる。電位読み取
りの精度、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大き
さ、及び情報記録媒体との間隔によって大きく変わるた
め、要求される性能に合わせて最適条件を求めて設計す
る必要がある。

また静電荷の形で情報を蓄積した情報記録媒体に、レー
ザー光等を照射し、電気光学結晶を介して静電電荷によ
る偏光現象を利用して情報を再生してもよい。電気光学
結晶はその光路中に配置するとよく、このような電気光
学結晶としてはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ５）　、
チタン酸バリウム、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０ｓ
）等電気光学効果を有するものを使用することができる
。

第３図は静電情報再生方法の概略構成を示す図で、図中
、３１は電位読み取り装置、３３は増幅器、３５はＣＲ
Ｔ、３７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置３１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器３３で増幅してＣＲＴ３５で表示し
、またプリンタ３７でプリン）７つ卜することができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

〔作用及び発明の効果〕

本発明の情報記録媒体は、絶縁性樹脂層中の微粒子に情
報電荷を蓄積するものであるので、高解像度の情報が蓄
積され、蓄積された情報電荷は表面電位読み取りにより
容易に再生しつるものである。

また、情報記録媒体において、誘電体ミラー層を光導電
層と電荷保持層（微粒子含有絶縁性樹脂層ンとの間に設
けることにより、光導電層に充分な光吸収性能を付与で
き、高感度、高コントラスト、高品質の静電像を形成す
ることができる。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕電荷輸送材料としてＰ−ジエチルアミノベンズアルデヒ
ド−Ｎ−フェニル−ベンジルヒドラゾン１５部とポリカ
ーボネート樹脂（三菱ガス化学ニューピロンＳ−１００
）　１０部とを、ジクロロメタン：１゜１．２−）ＩＪ
クロロエタン＝４二６の混合溶媒にて固形分１７．８％
に調整し、この溶液をＩＴＯ透明電極（膜厚：約５００
Ａ、抵抗値＝８０Ω／口）を有するガラス基板上のＩＴ
Ｏ面側に２ミルのギャップ厚のブレードコーターで塗布
し、８０℃、２時間乾燥して膜厚１０μｍの電荷輸送層
を形成した。

次に、電荷発生材料として上記構造を有するビスアゾ系
顔料３部とポリビニルアセタール樹脂１部を、ジオキサ
ン：シクロヘキサン＝１：１の混合溶媒で固形分２％と
した１００ｇ溶液をポルミルで十分に分散させた溶液を
２ミルギヤツプのプレードコーターで塗布し、１００℃
、１時間乾燥して膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成し
て光導電層を形成した。

一方、ロジンエステル樹脂（理科パーキュレス■製、ス
テベライトエステル１０）　５０ｇをモノクロルベンゼ
ン５０ｇに溶解した５０％溶液を調整し、上記光導電層
上にスピンコーターにより２００Ｏｒｐｍで２０秒回転
して塗布した。その後６０℃のオーブン中で２時間乾燥
し、膜厚約５μｍの電荷保持層を形成した。次いで、こ
の媒体に真空蒸着機（真空機工■、ＶＰＣ−４１０）を
用いて、ａ−Ｓｅ微粒子を以下の条件で設けた。

まず、真空チャンバー内の加熱用基板ホルダーに上記媒
体のガラス面が接触するように固定し、真空度５　Ｔｏ
ｒｒにした状態で基板ホルダーを７０℃に加熱し、抵抗
加熱法によりＳｅを微粒子の形で媒体の表面近傍に設け
た。その微粒子径は光学顕微鏡による観察では平均粒径
で約０．５μｍであった。

以上のようにして、本発明の情報記録媒体を作製した。

次に、この情報記録媒体とＩＴＯ透明電極（膜厚：約５
００＾、抵抗値二８０Ω／口）を有するガラス基板とを
膜厚１０μｍのポリエステルフィルムをスペーサーとし
、情報記録媒体の表面を上記ガラス基板上のＩＴＯに対
向させて設置した。

次いで、両電極間に情報記録媒体側を正、電極側を負と
して直流電圧７５０ｖを印加すると同時に、グレイスケ
ールを情報記録媒体側から０．１秒間投影露光すること
でグレイスケールに対応した正電荷の静電潜像がされた
ことを表面電位計で測定して確認した。更に、この媒体
に全面均一に露光したところ、全体に電荷は減少し、表
面に形成された電荷が媒体内部に蓄積された。均一露光
することにより、表面電位２００ｖにおいては、約２０
Ｖの電位が減少した。

この媒体を常温、常湿で１力月放置した後、表面電位計
により測定したところ、帯電直後と同様のグレイスケー
ルに対応した電位が確認された。

また、加速試験として６０℃、２０％Ｒ）Ｉおよび４５
℃、９５％ＲＨにて１０日間放置した後表面電位計によ
り測定した。結果も同様であった。

〔実施例２〕実施例工における電荷発生層と電荷輸送層の積層順序を
逆にし、実施例１同様に光導電層を積層した以外は実施
例１と同様にして情報記録媒体を作製した。

次に、この情報記録媒体について、実施例１同様に情報
記録を行った。

これらの媒体を常温常湿に１力月放置した後表面電位計
により測定したところ、帯電直後と同様のグレイスケー
ルに対応した電位が確認された。

また、加速試験として６０℃、２０％ＲＨおよび４５℃
、９５％Ｒ）Ｉにて１０日間放置した後表面電位計によ
り測定した結果も同様であった。

〔実施例３〕ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（亜南香料■製）
　、２．４．７−）リニトロフルオレノン１０ｇ１ポリ
エステル樹脂２ｇ（バインター：バイロン２００、東洋
紡■製）、テトラヒドロフラン９０ｇの組成を有する混
合液を暗所で作製し、ＩＴＯ透明電極（膜厚：約５０Ｏ
Ａ、抵抗値：８０Ω／口）を有するガラス基板（１ｍｍ
厚）のＩＴＯ面側に、ドクターブレードを用いて塗布し
、６０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚的１０μｍの光導
電層を有する感光体を得た。又完全に乾燥を行うために
、更に１日自然乾燥を行い、光導電層を積層した以外は
、実施例１同様にして情報記録媒体を作製し、実施例１
同様に情報記録を行ったところ、実施例２同様の結果が
得られた。

〔実施例４〕ロジンエステル樹脂を用いて実施例２により作製された
感光層上に絶縁性樹脂層を５μｍの膜厚で形成した後、
実施例２における微粒子の代わりに導電性材料としてＴ
ｅを用いて真空度３　Ｔｏｒｒにした他は全く同様の条
件でＴｅ微粒子を絶縁性樹脂層上に蒸着し情報記録媒体
を作製した。

この媒体についても光学顕微鏡により観察したところ、
平均粒径的０．５μｍのＴｅ微粒子が確認された。

この情報記録媒体を使用し、実施例２における情報記録
において静電潜像形成後の均一露光はしないで、同様に
情報記録を行ったところ、実施例２同様の結果が得られ
た。

〔実施例５〕実施例１の情報記録媒体における光導電層の代わりに、
粉末状の結晶セレン（フルウチ化学■製、純度９９．９
９９％、粒径３００Ｍｅｓｃｈ）　５　ｇと、バインダ
ーとしてＡＳ樹脂（旭化成工業■製、商品名スタイラッ
ク）８ｇ１溶剤としてにＴ−１１（メチルエチルケトン
とトルエンの体積比１：１混合液）４０ｇとをマヨネー
ズビン中に入れ、その容積が８割程度になるまでガラス
ピーズＮ０１１を加える。これをシェーカー（Ｒｅｄ　
Ｄｅｖｉｌ）により５時間撹拌し、光導電性微粒子分散
液を調製し、これを４ミルのアプリケーター（ギャップ
１００μｍ）により、ＩＴＯ透明電極（膜厚：約５００
＾、抵抗値＝８０Ω／口）を有するガラス基板（１ｍｍ
厚）のＩＴＯ面上に塗布し、６０℃のオーブンに２時間
入れ、乾燥、硬化させて光導電層を積層した以外は、実
施例１と同様にして情報記録媒体を作製した。

この情報記録媒体について寅施例工同様に情報記録を行
ったところ、実施例１同様の結果が得られた。

〔実施例６〕実施例１における情報記録媒体における光導電層上に、
更に、ＺｎＳ　（屈折率２．３７）及びＭｇＦ２（屈折
率１．３８）を交互に積層し、さらに最上層にＺｎＳを
積層した誘電体ミラー層を形成し、次いでこの誘電体ミ
ラー層上に実施例１同様に絶縁性樹脂層を積層した以外
は実施例１同様にして情報記録媒体を作製し、この情報
記録媒体を使用して実施例１同様に情報記録を行い同様
の結果が得られた。

〔比較例〕

実施例１により作製された情報記録媒体において、Ｓｅ
の微粒子を蒸着せずに、実施例１と同様に情報記録をお
こなった。

この情報記録媒体について、常温、常湿に１力月放置し
たところ、全体的に電位が減衰していた。

また、加速試験を行ったところ、ＧＯ℃、２０％ＲＨお
よび４５℃、９５％ＲＨにて１０日間放置後、グレイス
ケールに対応した電位は観測されなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の情報記録媒体の模式断面図、第２図
は、対向電極を使用した情報記録方法を説明するための
図、第３図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を示す
図、第４図は静電情報再生の概略構成を示す図である。図中１は対向電極、３は情報記録媒体、１０は微粒子、
１１．１２は絶縁性樹脂層、１３は電極層、１４は光導
電層、１５は支持体、１６は誘電体ミラー層である。出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外７名）第１図（ａ）（ｃＪ）（Ｃ−）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）電極層上に光導電層、電荷保持層が順次積層され
た情報記録媒体と、対向電極とを配置し、両電極間に電
圧を印加しつつ露光して電荷保持層に静電情報を記録し
た後、電荷保持層に記録された静電情報を再生する静電
情報記録再生方法に使用する情報記録媒体であって、該
情報記録媒体における電荷保持層が絶縁性樹脂層に光導
電性微粒子又は導電性微粒子を含有させたものであるこ
とを特徴とする情報記録媒体。
（２）上記情報記録媒体における電荷保持層が、絶縁性
樹脂層表面近傍に光導電性微粒子又は導電性微粒子を単
層状又は複数層状に存在させたものである請求項１記載
の情報記録媒体。
（３）上記情報記録媒体における電荷保持層が、絶縁性
樹脂中に微粒子を分散した層が絶縁性樹脂層上に設けら
れ、該絶縁性樹脂層から光導電層上に積層されたもので
ある請求項１記載の情報記録媒体。
（４）上記情報記録媒体における電荷保持層が、絶縁性
樹脂中に微粒子を分散した層である請求項１記載の情報
記録媒体。
（５）上記情報記録媒体における電荷保持層が、誘電体
ミラー層を介して光導電層に積層されたものである請求
項１記載の情報記録媒体。