JPH02176765A - 静電画像記録再生方法 - Google Patents

静電画像記録再生方法

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Publication number
JPH02176765A
JPH02176765A JP63331589A JP33158988A JPH02176765A JP H02176765 A JPH02176765 A JP H02176765A JP 63331589 A JP63331589 A JP 63331589A JP 33158988 A JP33158988 A JP 33158988A JP H02176765 A JPH02176765 A JP H02176765A
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JP
Japan
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charge
layer
electrostatic image
pattern
holding medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP63331589A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Obata
小幡 博之
Minoru Uchiumi
内海 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Priority to KR1019890006573A priority patent/KR100223698B1/ko
Priority to ES89305009T priority patent/ES2081838T3/es
Priority to EP89305009A priority patent/EP0342967B1/en
Priority to EP95201292A priority patent/EP0676752B1/en
Priority to DE68925436T priority patent/DE68925436T2/de
Priority to CA000600758A priority patent/CA1339152C/en
Priority to EP00111166A priority patent/EP1033706B1/en
Publication of JPH02176765A publication Critical patent/JPH02176765A/ja
Priority to KR1019990004617A priority patent/KR100239961B1/ko
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  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧印加時露光により画像情報を静電的に記
録すると共に熱現像により位置情報とし、任意時点で画
像再生を行うことができる静電画像記録再生方法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては撮影像は現像工程を経てフィル
ム等に記録され、画像を再現させる場合には銀塩乳剤(
印画紙)を使用するかまたは現像フィルムを光学走査し
て陰極線管(以下CRT)に再現させる等により行われ
ている。
また光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコロ
ナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して光
の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の電
荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光導
電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆極
性の電荷(または同極性の電荷)を有するI・ナーを付
着させて、紙等に静電転写して現像する電子写真技術が
あり、これは主として複写用に用いられているが、一般
に低感度のため撮影用とし°ζは使用できず、記録媒体
としての光ti層における静電荷の保持時間が短いため
に静電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通であ
る。
更に第9図(a)に示すように複写機等により利用され
るものとして、絶縁層支持体15上に透明電極13、熱
可塑性樹脂11を順次積層し、その熱可塑性物質11表
面に蒸着法によりセレン微粒子12を着膜、浸透させて
記録媒体3を作製し、同図(a)(b)に示すように熱
可塑性物質層11表面をコロナ帯電19により全面帯電
した後、像露光21し、露光部における光導電性微粒子
に光キャリアーを発生させて潜像を形成させるものが知
られており、現像にあたっては同図(C)に示すように
抵抗加熱20により熱可塑性物質を軟化させ、光キャリ
アーが発生した光導電性微粒子のみを軟化した熱可塑性
物質層中に移動させるもので、その現像された情報を再
生させるものが知られている(米国特許第3,520,
681号明細書、同第4,101,321号明細凹、同
第4496.64.2号明細書)。
〔発明が解決すべき課題〕
しかしながら上記電子写真技術は、得られた静電潜像の
顕像化は銀塩写真法よりも簡単、迅速であるが潜像保存
は極めて短く、現像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。
またTV撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取
り出し、また記録するためには線順次走査が必要となる
。線順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録
では磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存する
ため、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著し
く劣化する。
近年発達しつつある固体撮像素子(COD等)を利用し
たTV撮像系も解像性に関しては本質的に同様であり、
これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。
更に透明電極上にセレン粒子層を有する熱可塑性物質層
を設け、全面コロナ帯電さセ、像露光し、熱可塑性物質
を軟化させて熱現像し、情報を可視情報として再生させ
るものは、その蓄積された電荷情報を極めて永続性(1
0年以上)のあるものにすることができるが、その情報
記録にあたってコロナ帯電を必要とするために、カメラ
等による情報記録手段としては制限があり、また高電位
に帯電させると熱現像する際に軟化した状態の熱可塑性
樹脂表面において、表面電荷同士の反撥により微細な凹
凸形状となる、所謂フロスト現象が発生ずる。そのため
蓄積した情報を表面電位として接触、または非接触で検
出しようとすると、ノイズが発生しその解像性に影響を
与える等の問題が生じる。
本発明者等は、先に前面に電極が設けられた光導電層か
らなる感光体と、感光体に対向し、後面に電極が設けら
れた絶縁層からなる電荷保持媒体とを配置し、両電極間
への電圧印加した状態で感光体側、あるいは電荷保持媒
体側から像露光した後、電荷保持媒体を分離し、電荷保
持媒体に像情報として蓄積されている電荷電位を増幅し
像再生出力する静電画像記録再生に使用する電荷保持媒
体において、該電荷保持媒体における絶縁性樹脂層が、
光導電性、または導電性微粒子を含有し、該微粒子中に
電荷を蓄積する機能を有する機能を有するものを使用す
ることを特徴とする静電画像記録媒体について出願(特
願昭63−239490号)したが、本発明はその改良
を目的とするもので解像性の優れた静電画像記録再生方
法の提供を課題とし、また情報記録方法が簡単で、長時
間の記憶が可能であり、記憶した文字、線画、画像、コ
ード、(1,0)情報を目的に応じた画質で任意に反復
再生することができる静電画像記録再生方法を提供する
ことを課題とする。
C課題を解決するための手段〕 そのために本発明の静電画像記録再生方法は、前面に電
極が設けられた光導電層からなる感光体と、後面に電極
が設けられ、該電極上に熱可塑性絶縁性樹脂材料と一方
の電荷を輸送する機能を有する電荷輸送材料との混合層
(以下、単に樹脂層ともいう)が積層され、その混合層
表面内部近傍に光導電性微粒子層を単層、または複数層
状に有する電荷保持媒体とを接触、または非接触で対向
させて配置し、上記電荷輸送材料の輸送電荷と逆極性の
電荷パターンを電荷保持媒体表面に形成するように電圧
印加時パターン露光し、次いで電荷保持媒体に光導電性
微粒子が感光する波長の光で全面露光し、更に熱現像し
て露光パターンに応じた粒子の位置パターンを形成する
静電画像記録工程と、該電荷保持媒体表面全面に上記電
荷輸送材料の輸送電荷と同極性の静電荷を付与し、同時
に、または続いて光導電性微粒子が感光する波長の光で
全面露光し、上記露光バクーン部に形成される表面電位
を接触、又は非接触で検出する静電画像再生工程とから
なることを特徴とするものである。
また上記静電画像再生工程における熱現像時において全
面露光しつつ熱現像することもできる。
更に本発明の静電画像記録再生方法は、前面に電極が設
けられた光導電層からなる感光体と、後面に電極が設け
られ、該電極上に熱可塑性絶縁性樹脂材料と一方の電荷
を輸送する機能を有する電荷輸送材料との混合層が積層
され、その混合層表面内部近傍に導電性微粒子層を単層
、または複数層状に有する電荷保持媒体とを接触、また
は非接触で対向させて配置し、上記電荷輸送材料の輸送
電荷と逆極性の電荷パターンを電荷保持媒体表面に形成
するように電圧印加時パターン露光し、次いで熱現像し
て露光バクーンに応じた粒子の位置パターンを形成する
静電画像記録工程と、該電荷保持媒体表面全面に上記電
荷輸送材料の輸送電荷と同極性の静電荷を付与し、上記
露光パターン部に形成される表面電位を接触、又は非接
触?検出する静電画像再生工程とからなることを特徴と
するものである。
また上記静電画像記録工程における電荷保持媒体表面全
面に静電荷を付与する方法がコロナ帯電による方法、ま
たは対向電極を用いて電圧印加による方法とすることも
できる。
以下本発明に用いられる感光体、および電荷保持媒体の
構成材料について説明する。
第1図は本発明における静電画像記録方法を説明するだ
めの図である。図中、■は感光体、3は電荷保持媒体、
11は熱可塑性絶縁性樹脂材料と電荷輸送材料とからな
る樹脂層、12は樹脂層表面内部近傍に積層された微粒
子、13は電荷保持媒体電極、15は電荷保持媒体支持
体である。
まず、本発明で使用する電荷保持媒体の構成について説
明する。
第1図に示す電荷保持媒体3ば微粒子12中に情報を静
電荷の分布として記録するものである。
従って記録される情報、あるいは記録の方法によりこの
電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができる。
例えば静電カメラ(同一出願人による特願昭63−12
1591号)に用いられる場合には、一般のフィルム(
単コマ、連続コマ用)形状、あるいはディスク状となり
、レーザー等によりデジタル情報、またはアナログ情報
を記録する場合には、テープ形状、ディスク形状、ある
いはカード形状となる。
電荷保持媒体支持体15は、電荷保持媒体3を強度的に
支持するものであり、樹脂層を支持することができるあ
る程度の強度を有していれば、その材質、厚みは特に制
限がなく、例えば可撓性のあるプラスデックフィルム、
金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシーl、金属板
(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使用され光透
過性も同様に要求される場合がある。具体的には、電荷
保持媒体3がフレキシブルなフィルム、テープ、ディス
ク形状をとる場合には、フレキシブル性のあるプラスチ
ックフィルムが使用され、強度が要求される場合には剛
性のあるシート、ガラス等の無機材料等が使用される。
尚、電荷保持媒体3がフレキシブルなフィルム、テープ
、ディスク形状をとる場合には、先の本出願人による特
願昭63−239490号において第2図として開示し
たタイプとすることができる。
電荷保持媒体電極13は、電荷保持媒体支14体15に
金属板が使用される場合を除いて電荷保持媒体支持体上
に形成され、その+A質は比抵抗値が106Ω・0m以
下であれば限定されなく、無機金属導電膜、無機金属酸
化物導電膜等である。このような電荷保持媒体電極はそ
の支持体」二に蒸着、スパッタリング、CVD、コーテ
ィング、メツキ、ディッピング、電解重合等の方法によ
り形成される。またその膜厚は電極を構成する材料の電
気特性、および情報記録の際の印加電圧により変化さセ
る必要があるが、例えばアルミニウムであれば100〜
3000人程度であり、支持体と絶縁性樹脂層との間の
全面、或いは絶縁性樹脂層の形成パターンに合わせて形
成される。
樹脂層11は、微粒子12に情報を静電荷の分布としで
記録するものである。そのため熱可塑性絶縁性樹脂材料
としては電荷の移動を抑えるため高絶縁性が必要であり
、比抵抗で10’“Ω・C111以上の絶縁性を有する
ことが要求される。このような絶縁性樹脂層を溶剤に溶
解させ、コーティング、ディッピングするか、または蒸
着、スパッタリング法により層形成させることができる
熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、塩化ビニ
ル樹脂、ポリプロピレン、スチレン樹脂、ABS樹脂、
ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン系樹脂、塩化ビニリデン樹脂、AAS (
ASA)樹脂、ABS樹脂、繊維素誘導体樹脂、熱可塑
性ポリウレタン、ポリビニルブチラール、ポリ−4−メ
チルペンテン−1、ポリブテン−1、ロジンエステル樹
脂等、また弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレ
ン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、又
はそれらのディスバージョンタイプ、又は変性タイプ(
コーティングタイプ〉、またポリパラキシレンの下記構
造式で示されるもの、(尚、上記Cタイプは上記構造の
もののみでなく、ヘンゼン環における主鎖結合部位以外
の部位の内1つが塩素で置換されζいるもの、またDタ
イプはその2つが塩素で置換されているものであればよ
い。) 等は耐熱性、耐湿性から特に望ましい。
電荷輸送材料としては一方の電荷を主体的に輸送する機
能を有するもので、ホール輸送材料としてはオキサジア
ゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチル
ヘン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメタ
ン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族アミ
ン等の有機光導電材料を使用することができる。
また電子輸送材料としてはZnO光導電材料を使用する
ことができる。
電荷輸送材料は絶縁性樹脂材料に対して0.1重量%〜
100重量%混合するとよく、100重量%以上混合さ
せると成膜性が低下し、また0゜1重量%以下であると
電荷輸送性能が悪くなる。
微粒子層を形成する微粒子としては光導電性材料、導電
性材料から形成される。
光導電性微粒子材料としてはアモルファスシリコン、結
晶シリコン、アモルファスセレン、結晶セレン、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機系光導電材料、またポリビ
ニルカルバゾール、フタロシアニン、アブ系顔料等の有
機系光導電材料が使用される。
また導電性材料としては、周期律表第1A族(アルカリ
金属)、同IB族(銅族)、同IIA族(アルカリ土類
金属)、同IIB族(亜鉛族)、同1[IA族(アルミ
ニウム族)、同111B族(希土類)、同IVB族(チ
タン族)、同VB族(バナジウム族)、同VIB族(ク
ロム族)、同■B族(マンガン族)、同■族(鉄族、白
金族)、また同IVA族(炭素族)としては炭素、珪素
、ゲルマニウム、錫、鉛、同VA族(窒素族)としては
アンチモン、ビスマス、同VIA族(酸素族)としては
硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使用される。また上
記元素単体のうち金属類は金属イオン、微細粉状の合金
、有機金属、錯体の形態としても使用するごとができる
。更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハ
ロゲン化物の形態で使用することができる。特に炭素、
金、銅、アルミニウム等が好ましく使用される。
次に微粒子層の形成方法を説明する。
まず第1図における電荷保持媒体3に示すように、微粒
子12を樹脂層表面内近傍に単層状、或いは複数層状に
積層するものは、低圧蒸着装置を使用し、粒子層形成材
料を、支持体上に積層した軟化した状態の樹脂層上に蒸
着させることにより形成される。粒子層形成材料は、1
0Torr〜10−3T。
rr程度の低圧下で蒸発させると凝集し、10〜0.1
μm径程度の超微粒子状態となり、蒸着の際に樹脂層を
加熱により軟化した状態としておくと、微粒子は樹脂層
表面の内部近傍に、単層状、或いは複数層状に整列した
状態で積層されるものである。
熱可塑性樹脂からなる樹脂層は電極層を抵抗加熱するこ
とにより軟化させるか、又はヒーター等で基板を直接加
熱し、樹脂層を軟化させることができる。
なお樹脂層11は絶縁性の点からは少なくても1000
人(0,1μm)以上の厚みに形成され、フレキシビル
性の点からは100μm以下が好ましい。
次に、本発明で使用される感光体の構成について、第1
図に図示した感光体1に基づき説明する。
光導電層支持体5としては、上記の樹脂層支持体15と
同様な材質で構成されるが、感光体側から光を入射して
情報を記録する装置に用いられる場合には、当然その光
を透過させる特性が必要となり、例えば自然光を入射光
とし、感光体側から入射するカメラに用いられる場合に
は、厚み1mm程度の透明なガラス板、或いはプラスチ
ックのフィルム、シートが使用される。
感光体電極7は、光導電層支持体5に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体5上に形成され、そ
の材質は比抵抗値が106Ω・cm以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極7は、光導電層支持体5上に
、蒸着、スパノタリング、CVD、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、100〜30
00人程度である。この感光体電極7も光導電層支持体
5と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光(
400〜700nm)であれば、IT○(Inz03−
3nOz) 、5n02等をスパッタリング、蒸着、ま
たはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化してコ
ーティングしたような透明電極や、Au、AI、Ag、
N l % Cr等を蒸着、またはスパッタリングで作
製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(TCN
Q)、ポリアセチレン等のコーティングによる有機透明
電極等が使用される。
また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカント
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も上記
電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が紫
外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス等
)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過す
る材料が好ましい。
光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリア
(電子、正札)が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
m型材料、有機光導電材料、有機無m複合型光導電材料
等で構成される。
以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。
(A)無機感光体(光導電体) 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
(イ)アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン(a −5i : H)
■フン素化アモルファスシリコン(a −54: F)
・これらに対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、Al5Ga、In、、TI等をドーピングにより
P型(ホール輸送型)にしたもの、・P、Ag、Sb、
B i等をドーピングによりN型(電子輸送型)にした
もの、 がある。
感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10−”〜
I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に唯積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
また、感光体電極7から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極7の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパッター法等によりa−5iN層、a−3
iC[5i02層、へ1203層等の樹脂層を設けると
よい。この樹脂層を余り厚くしすぎると露光したとき電
流が流れないので、少なくとも1000Å以下とする必
要があり、作製し易さ等を考慮すると400〜500人
程度が望ましい。
また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける。例えば、Sjにボロンをドープしたa−5t 
:H(n” )は、ホールの輸送特性が上がって整流効
果が得られ、電荷注入防止層として機能する。
(ロ)アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン(a−3e) ■アモルファスセレンテルル(a −5e−Te)■ア
モルファスひ素セレン化合物(a −AszSe3)■
ナモルファスひ素セレン化合物+Teがある。
この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてSiO□、A A203.5iC1
SiN層を蒸着、スパック−、グロー放電法等により電
極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ、
積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚はアモルフ
ァスシリコン感光体と同様である。
(ハ)硫化カドミウム(CdS) この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配
向)を得ることもできる。コーティングの場合は、Cd
S粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい。
。 (ニ)酸化亜鉛(Zn O) この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またCVD
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中(10−2〜L Torr)で混
合し、加熱した電極基板(150〜400℃)上で化学
反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜
厚方向に配向した膜が得られる。
(B)有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。
(イ)単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。
く電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
〈電荷輸送物質系) 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニI・ロフルオレノン(T N F ’)は400n
m波長近傍しか感しないが、P V K −’[’ N
 F錯体は650nm波長域まで惑しるようになる。
このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μmが好
ましい。
(ロ)m能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮さ・已ようとするものであり、電荷
発生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
〈電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ビリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−3e 、 a−3
i 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
〈電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ヅール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚と
するとよい。
なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂
、ポリ2フ イミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料名1部に対
し、0.1〜10部添加して付着し易いようにする。コ
ーティング法としては、デインピング法、蒸着法、スパ
ック−法等を使用することができる。
次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。
電荷注入防止層は、光導電層9の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流(
電極からの電荷注入)、ずなわら露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。
この電荷注入防止Jgは、いわゆるトンネリング効果を
利用した層と整流効果を利用した層との二種類のものが
ある。まず、いわゆるj〜ンネリング効果を利用したも
のは、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光
導電層、あるいは樹脂層表面まで電流が流れないが、光
を入射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止
層には光導電層で発止した電荷の一方(電子、またはホ
ール)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を
起こして、電荷注入防止層を通過して電流が流れるもの
である。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有
機絶縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいは
これらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例
えばj(sz03、Bz(h、Bi2O3、CdS 、
 CaO、CsO□、CrzOz 、Coo 、Gem
□、HfO2、Fe2O,、LazOs 、MgO% 
MnO2、Ndz’:h 、Nb2O5、PbO、5b
zOz 、5iOz、Sea、、Ta205 、TiO
2、ho3、V、05、y2o5、Y、03、ZrO2
、BaTiO3、AI、03.8i2Ti05、CaO
−5rO、、CaO−YgOz、Cr−330′XLi
TaO3、PbTl0i、PbZrOs、Zr02−C
o % ZrCh−330,、AIN 、、BN、 N
bN 、、SiJ、 、TaN 、、TjN 、 VN
、 ZrN 。
S4C,、TiC、WCSAIaCs等をグロー放電、
蒸着、スパッタリング等により形成される。尚、この層
の膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果
の点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎ
に整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利
用して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電
荷輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は
無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層
で形成され、その膜厚ば0.1〜10μm程度である。
具体的には、電極がマイナスの場合はB、AI、Ga、
In’Jをドープしたアモルファスシリコン光導電層、
アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾ
リン、ポリビニルカルバゾール、スチルヘン、アントラ
セン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に
分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は
、P、N、As、Sb、B i等をドープしたアモルフ
ァスシリコン光導電層、ZnO光導電層等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の方
法により形成される。
このようにして形成される感光体と電荷保持媒体により
静電画像記録装置を作製するには、第1図に示すように
感光体における光導電層面と、電荷保持媒体における樹
脂層面とを接触させるか、あるいは非接触の状態で対向
させて積層させるものであり、非接触の場合には機械的
に非接触を保つか、感光体と電荷保持媒体の端部にスペ
ーサーを介して対向させるとよい。またどのような情報
入力手段を使用するかにもよるが、感光体面と電荷保持
媒体面の適宜箇所にスペーサーを配置してもよいことは
勿論である。非接触の場合、感光体と電荷保持媒体との
間隔は1〜50μmが適当であり、またスペーサーはプ
ラスチック等の有機材、またはガラス等の無機材を使用
することができる。
次ぎに本発明における静電画像記録工程についいて説明
する。
第1図は本発明において光導電性微粒子を使用する場合
の静電画像記録工程を説明するための図、第2図は本発
明において導電性微粒子を使用する場合の静電画像記録
工程を説明するための図である。17は電源である。
まず第1図に示すように感光体1は、1mtJtのガラ
スからなる光導電層支持体5上に1000人厚のAlO
からなる透明な感光体電極7を形成し、この上に10μ
m程度の光導電層9を形成することから構成されている
。この感光体lに対して、10μm程度の空隙を介して
電荷保持媒体3が配置される。電荷保持媒体3は1鰭厚
のガラスからなる樹脂層支持体15上に1000人厚の
へl電極を蒸着し、この電極上に粒径約1μmの光導電
粒子層12を樹脂層表面下約1μmの距離に有する10
μm厚の電荷輸送材料を含有する樹脂層11を形成させ
たものである。
まず第1図(a)に示すように感光体1に対して、10
μm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセントし、電
源17により電極7.13間に樹脂層11に含有されて
いる電荷輸送材料の輸送極性と逆極性になるように感光
体電極7を接地して電圧を印加する。暗所であれば光導
電層9は高抵抗体であるため、空隙に加わる電圧がパッ
シェンの法則に従う放電開始電圧以下であれば、電極間
には何の変化も生じない。また放電開始電圧以上の電圧
が外部電源により空隙に印加されると放電が起こり、樹
脂層11の表面に電荷が蓄積され、放電開始電圧に下が
るまでその状態が続き、カブす電荷となる。感光体1側
より光21が入射すると、光が入射した部分の光導電層
9は導電性を示し、樹脂層11との間に放電が生じ、樹
脂N11の表面に電荷が蓄積される。また予め均一なカ
ブリ電荷がある場合でも、光が入射した部分では更に電
荷が蓄積される。
次いで電源17をOFFとし、電荷保持媒体3を感光体
Iから剥離し、同図(b)のように全面露光23させる
と、カブリ電荷がない場合を例に取ると露光部の粒子1
2に電子、正孔キャリアーが発生し、表面電荷により形
成される高電界により、電荷輸送材料により移動されて
その反対電荷が中和されると共に、粒子における残りの
電荷は電荷輸送材料の輸送極性と逆極性の電荷であるた
めに粒子12に情報電荷として安定して蓄積されるもの
である。
次に同図(C)に示すように電荷保持媒体電極を抵抗加
熱するか、或いは別の手段により樹脂層11を加熱し樹
脂を熱軟化させると、情報電荷が存在する粒子は電極基
板とのクーロン力により電極基板方向に移動する。加熱
停止により再び樹脂は硬化し、移動した粒子はその位置
に留まり、粒子における情報電荷は位置情報に変換され
る。
次に第2図において、粒子層形成材料として導電性材料
を使用する場合について説明する。
感光体1は上記と同様のものを使用し、上記同様に電圧
印加極性を合わせて同図(a)、(b)に示すように感
光体l側より光を入射させると、光が入射した部分の光
導電層9は感電性を示し、樹脂層11との間に放電が生
じ、樹脂層11の表面に電荷が蓄積される。導電性粒子
中には十分な電子、正孔が存在するために、この蓄積さ
れた樹脂層表面の電荷により形成される高電界により、
表面電荷は導電性粒子層の逆電荷が電荷輸送材料を移動
して中和され、導電性微粒子には表面電荷に相当する電
荷が蓄積される。次に同図(C)に示すように露光が終
了したら電圧をOFFにし、第1図と同様の方法で加熱
して粒子を移動させ、記録が終了する。
尚、感光体1と電荷保持媒体3とは上記のように非接触
でなく接触式でもよく、接触式の場合には、露光された
段階で電荷は電荷保持媒体電極13に引かれて光導電層
9を通過し、樹脂層11面に達した所で移動を停止する
。以下上記同様の作用により情報電荷が粒子層に蓄積さ
れる。
本発明の静電画像記録方法は面状アナログ記録とした場
合、銀塩写真法と同様に高解像度が得られ、また形成さ
れる粒子層I2の電荷は位置情報として樹脂層中に固定
され、長期間保存される。
本発明の静電画像記録媒体体への情報入力方法としては
高解像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記
録方法がある。まず高解像度静電カメラは通常のカメラ
に使用されている写真フィルムの代わりに、前面に感光
体電極7を設けた光導電層9からなる感光体1と、感光
体lに対向し後面に電荷保持媒体電極13を設けた樹脂
N11からなる電荷保持媒体とにより記録部材を構成す
る。そして記録にあたっては画電極へ電圧を印加し、入
射光に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて
樹脂層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静
電潜像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシ
ャッタも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用し
うるちのであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく
長期間保持することが可能である。またプリズムにより
光情報を、R,G、B光成分に分離し、平行光として取
り出すカラーフィルターを使用し、R,G、[3分解し
た電荷保持媒体3セントで1コマを形成するか、または
1平面上にR,G、B像を並べて1セントで1コマとす
ることにより、カラー撮影することもできる。
またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー(514,488nm)、ヘリウム−ネ
オンレーザ−(633nm)、半導体レーザー(780
nm、810nm等)が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を密着させるか、一定の間隔をおい
て対向さセて電圧印加する。この場合感光体のキャリア
の極性と同じ極性に感光体電極をセントするとよい。こ
の状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画体号に
対応じたレーザー露光をスキャニングにより行うもので
ある。画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光
強度を変調して行い、文字、コド、線画のようなデジタ
ル的な記録は、レーザー光の0N−OFF制御により行
う。また画像において網点形成されるものには、レーザ
ー光にドツトジェネレーター0N−OFF制御をかけて
形成するものである。尚、感光体における光導電層の分
光特性は、パンクロマチインクである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
次に第3図により本発明の静電画像再生方法を説明する
樹脂層における微粒子の位置として蓄積した情報を再生
するには、微粒子が光導電性微粒子の場合第3図(+)
示すようにまずコロナ帯電19により電荷保持媒体中の
電荷輸送材料と同極性の電荷が形成されるように電圧極
性を決めて電荷保持媒体における樹脂層表面を全面帯電
させる。次いで第3図(b)に示すように全面露光24
させると情報の蓄積された部位である絶縁性パターン部
αでは表面電荷を蓄積し、一方情報の蓄積されていない
部位におけるパターン部βでは全面露光により光導電性
微粒子中に正札、電子のキャリア対が生成し、一方は表
面電荷を打ち消し、他方の電荷は樹脂中を移動して電極
基板側の逆電荷と再結合しその表面電荷は直ちに消去さ
れる。そして第3図<c>に示すように絶縁性パターン
部αにおける表面電荷が絶縁層中の電荷輸送材料により
消去されない段階で後述する電位読み取り部21により
その表面電位の検出を行なう。又電荷保持媒体に表面電
荷を形成する他の手段として電極基板を電荷保持媒体に
非接触、又は接触で対向させ、両電極間に電圧印加を行
うことでも行われる。
また微粒子が導電性微粒子の場合には上記光導電性微粒
子の場合の静電画像再生方法における全面露光は不要で
あり、この場合には情報の蓄積されていないパターン部
における表面電荷は表面内部近傍の導電性微粒子と電荷
輸送材料により示される導電性により消去されるが、情
報を位置情報の形で蓄積したパターン部における表面電
荷は、電荷輸送材料による減衰作用しかないので、情報
の蓄積されていないパターン部における表面電荷に比較
して暫く残留するので、直ちに読み取り手段にかけるこ
とにより情報電荷として容易に再生させることかできる
ものである。
第5図は本発明の静電画像再生方法における電位読み取
り方法の例を示す図で、第1図と同一番号は同一内容を
示している。なお、図中、21は電位読み取り部、23
は検出電極、25はガード電極、27はコンデンサ、2
9は電圧計である。
電位読み取り部21を電荷保持媒体3の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極23に電荷保持媒体3の樹脂層1
1上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電荷が
生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデン
サ27が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電
荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計29で読むこ
とによって電荷保持体の電位を求めることができる。そ
して、電位読め取り部21で電荷保持媒体面上を走査す
ることにより静電潜像を電気信号として出力することが
できる。なお、検出電極23だけでは電荷保持媒体の検
出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界(電気
力線)が作用して分解能が落らるので、検出電極の周囲
に接地したガード電極25を配置するようにしてもよい
これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極23に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び
電荷保持媒体との間隔によって大きく変わるため、要求
される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要が
ある。
第6図は本発明の静電画像再生方法の概略構成を示す図
で、図中、61は電位読み取り装置、63は増幅器、6
5はCRT、67ばプリンタである。
図において、電位読み取り装置61で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器63で増幅してCRT65で表示し
、またプリンタ67でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。
また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
して他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。
次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。
第7図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、71.73.75はプリズムブロック、77.79.
81はフィルタ、83.85は反射鏡である。
色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック71のa面から入射した光情報は、b面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ77からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック73に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ79
.81からG色光成分、R色光成分が取り出される。そ
して、G、B色光成分を、反射鏡83.85で反射させ
ることにより、R,G、B光を平行光として取り出すこ
とができる。
このようなフィルタ91を、第8図に示すように感光体
1の前面に配置して撮影することにより、第8図(ロ)
のようにR,G、B分解した電荷保持媒体3セントで1
:Jマを形成するか、また第7図(ハ)に示すように1
平面」二にR,G、B像として並べて1セントで1コマ
とすることもできる。
〔作用〕
本発明の静電画像記録媒体は、1014〜IQIBΩ・
cmの比抵抗値を有する熱可塑性樹脂材料と一方の電荷
を輸送する機能を有する電荷輸送材料との混合層、およ
びその混合層表面内部近傍に微粒子層を単層、または複
数層状に有することにより形成される。この微粒子層は
粒子層形成材料を低真空条件下で、加熱上上記混合層で
ある樹脂層」二に蒸着させることにより形成され、この
電荷保持媒体を感光体における光導電層面に第1図、ま
たは第2図に示すようにその樹脂層面から一定間隔をお
いて対向させ、両電極間に電圧を印加した状態で像露光
させると、情報光の照射された感光体における光導電層
部位においては電荷の移動が生じ対応する樹脂層表面に
情報電荷が蓄積される。
なお両電極間に電圧を印加するにあたっては、電荷保持
媒体における電荷輸送材料の輸送電荷と逆極性の電荷パ
ターンを電荷保持媒体表面に形成するように電圧を印加
することが必要である。
微粒子層が光導電性微粒子よりなる時には、全面露光に
よりキャリアーが発生し樹脂層表面に蓄積された情報電
荷は電荷輸送材料により微粒子中の反対電荷を中和し、
帯電した粒子はその電位により形成される高電界により
抵抗加熱等の熱現像手段により軟化した樹脂層内部に潜
り込み、情報電荷は粒子の位置情報の形に変換されて蓄
積されるものである。
また粒子層が導電性微粒子の時には、上記光導電性微粒
子の場合とは相違し、全面露光しなくても樹脂層表面の
電荷は電荷輸送材料により導電性微粒子内の反対電荷の
移動により中和され、帯電した粒子はその高電界により
、抵抗加熱等の熱現像手段により軟化した樹脂層内部に
移動し、情報電荷は粒子の位置情報の形に変換されて蓄
積されるものである。記録された情報電荷は樹脂層内に
微粒子の位置情報の形で蓄積されるために記録手段とし
ては極めて安定である。
この位置情報を再度、表面電荷として再生するには、ま
ずコロナ帯電器こより樹脂層表面を全面帯電させる。次
いで微粒子が光導電性微粒子よりなる時には全面露光さ
せると、第3図に示すように情報の蓄積されたパターン
部αにおいては、微粒子は絶縁層内部に移動しているた
めに電荷輸送材料を含有させた絶縁層であっても一定の
絶縁性を有し、表面電荷は蓄積されたままであるが、情
報の蓄積されていないパターン部βにおいては全面露光
によりその表面内部近傍の光導電性微粒子層で光キャリ
アが発生し、絶縁層中を移動してその表面電荷は直ちに
消去されてしまう。
そのためパターン部αにおける表面電荷が絶縁層におけ
る電荷輸送材料により消去されない段階で、電位読み取
り方法によりその表面電位の検出を行なうことにより情
報電荷として再生することかできるものである。即ち絶
縁性パターンにおける表面電荷の存続時間は永続的であ
る必要はなく、電位読み取り手段により再生する間保持
されていればよい。
また微粒子が導電性微粒子の場合には情報再生にあたっ
ては全面露光手段は不用であり、情報を蓄積していない
部位における表面電荷は導電性微粒子と電荷輸送材料に
より示される導電性により消去される。
情報を蓄積した部位における表面電位は電位読み取り手
段により非接触、または接触で走査することにより容易
に読み取ることができ、更にその静電潜像に対応じた電
気信号を出力させ、CRT表示、或いはプリンタにより
プリントアウトすることができるものである。また情報
蓄積が静電荷単位であり、しかも電荷保持媒体におりる
微粒子の位置情報に変換されているために、記録媒体に
蓄積される情報は極めて安定であり、更に絶縁層表面に
形成される電位は200■程度であるので、熱現像時に
おいて軟化さ・口た絶縁層表面におりるフロスト現象の
発生も僅かであり、電位読み取りにあたっても表面の凹
凸による解像度への影響を避けることができ、高解像度
の再生を可能となしえるものである。
以下、実施例を説明する。
電荷保持媒体の作製方法 〔実施例1〕 熱可塑性樹脂としてロジンエステル樹脂(ステへライト
エステル10)を10gと電荷輸送材料としてヒドラゾ
ン誘導体(面画香料、CTC−191>1gとをテトラ
ハイドロフラン50gに溶解した溶液を用いて、AAを
1000人蒸着したガラス基板上にスピンナーコーティ
ング(1000rpm、90秒)した。溶媒を乾燥させ
るため、60℃でIhr放置した結果、Ili厚2μm
を有する均−な被膜が形成された。
この媒体に薄着法でアモルファスセレンを以下の条件で
積層した。
まず、真空チャンバー内の基板ホルダーにガラス面をホ
ルダーに接触する形で媒体を固定する。
この基板ホルダーは加熱(ヒーター)ができ、蒸着時に
基板媒体を100°Cに加熱する。蒸着は通常の抵抗加
熱法であるが、真空度を0 、 1 Torrの低真空
状態でセレンを蒸着した。この結果、セレンが微粒子の
形で、ロジンエステル樹脂層中に0゜1μmの深さに形
成され、その粒子径は平均で0゜5μm程度のものであ
る電荷保持媒体が得られた。
〔実施例2〕 実施例1における熱可塑性樹脂であるロジンエステル樹
脂に代えて、AS樹脂(スタイラック、ASL−767
旭化成■製)10gを使用し、他は実施例1と同様にし
て電荷保持媒体を得た。
〔実施例3〕 実施例1における熱可塑性樹脂であるロジンエステル樹
脂に代えて、テルペン系樹脂(ピコラスチック、A−7
5理化パーキュレス製)10gを使用し、他は実施例1
と同様にして電荷保持媒体を得た。
〔実施例4〕 実施例1における熱可塑性樹脂であるロジンエステル樹
脂に代えて、テルペン系樹脂(ピコライト、A−115
理化バーキユレス製)7gを使用し、他は実施例1と同
様にして電荷保持媒体を得た。
〔実施例5〕 実施例1における熱可塑性樹脂であるロジンエステル樹
脂に代えて、テルペン系樹脂(ピコライト、5−70 
 理化パーキュレス製)5gを使用し、他は実施例1と
同様にして電荷保持媒体を得た。
〔実施例6〕 実施例1において、蒸着用材料をセレンに代えて金を使
用して低真空蒸着を行った。その結果平均粒子径0.2
μmの金微粒子がステへライト樹脂表面から0.1 μ
mの深さで単層状態で形成され、導電性粒子タイプの電
荷保持媒体が得られた。
〔実施例7〕・・・単層系有機感光体(PVK −TN
F )作製方法 ポリ−N−上ニルカルバゾール10g(面歯香料(株)
製)、2 、4 、7−)リニトロフルオレノン10g
、ポリエステル樹脂2g(バインダー:バイロン200
東洋紡(株)製)、テトラハイドロフラン(THF)9
0gの組成を有する混合液を暗所で作製し、In2O2
−Snowを約1000人の膜厚でスパッターしたガラ
ス基板(1龍厚)に、ドクターブレードを用いて塗布し
、60℃で約1時間通風乾燥し、膜厚約10μmの光導
電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために
、更に1日自然乾燥を行って用いた。
(実施例8)・・・アモルファスシリコンasi:H無
機感光体の作製方法 ■基板洗浄 Sn○2の薄膜感光体電極層を一方の表面に設けたコー
ニング社7059ガラス(23X16XO19t、光学
研磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各
液中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
■装置の準備 洗浄の済んだ基板を第8図の反応室104内のアノード
106上に熱伝導が十分であるようにセントした後、反
応室内を10−5Torr台までり、  Pにより真空
引きし、反応容器およびガス管の焼出しを150°C〜
350’Cで約1時間行い、焼出し後装置を冷却する。
■a−3i:H(n“)の堆積 ガラス基板が350°Cになるようにヒーターを108
調整、加熱し、予めタンク101内で混合しておいたP
H3/S 1l−14=1000ppmのガスをニード
ルバルブとPMBの回転数を制御することによって反応
室104の内圧が200mT。
rrになるように流し内圧が一定になった後、Ma t
ching Box 103を通じて、40WのRf 
Power  102 (13,56KHz)を投入し
、カソードアノード間にプラズマを形成する。堆積は4
分間行い、Rfの投入を止め、ニードルバルブを閉しる
その結果、ブロッキング層を構成する約0.2μmのa
−3i+H(n’)膜が基板上に堆積された。
■a−3i:)(の堆積 SiH4100%ガスを■と同じ方法で内圧が200 
mTorrになるように流し、内圧が一定になったとこ
ろで、Matching BOX 103を通じて、4
0WのRfPower 102 (13,56KHz)
を投入し、プラズマを形成して70分間維持する。
堆積終了はRfの投入を止め、ニードルバルブを閉じる
。Heater 1080ff後、基板が冷えているか
ら取り出す。
この結果、約18.8μmの膜がa−3t :H(n゛
)膜上に堆積された。
こうしてSn○z /a−3+ :H(n”)ブロッキ
ング層/a−3i :H(non−dope)20μm
の感光体を作製することができた。
〔実施例9〕・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(Te)が13重量%の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりa−Se−
Te ′fij膜を真空度10−’To r r、抵抗
加熱法でITOガラス基板上に蒸着した。膜厚は1μm
とした。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加
熱法でSeのみの蒸着を行いa −3e−Te層上に1
0μm a−Se層を積層した。
〔実施例10〕・・・機能分離型感光体の作製方法(電
荷発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250rr+42容積のステンレ
ス容器に入れ、更にガラスピーズNo3.180m1を
加え、振動ミル(安用電機製作所KED 9−4)によ
り、約4時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアン
ブルーを得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネー
ト、ニーピロンE2000 (三菱ガス化学)を0.4
g加え約4時間撹拌する。この溶液をInzOz−3n
O□を約1000人スパック−したガラス基板(l 璽
m厚)にドクターブレードを用いて塗布し、膜厚約1μ
mの電荷発生層を得た。乾燥は室温で1日行った。
〔電荷輸送層の形成方法〕
4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデヒド−
1,1′−ジフェニルヒドラゾン0、Ig。
ポリカーボネート (ユーピo 7 E −2000)
 0、Ig。
ジクロルエタン2.0gの組成を有する混合液をドクタ
ーフレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約10μ
mの電荷輸送層を得た。乾燥は60℃で2時間行った。
〔実施例11) (it電荷発生層形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(接水化学、5LE
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
β04塩、 ターでガラス板上に積層したITO上に塗布し、60℃
、2時間以上乾燥させた。乾燥後の膜厚は1μm以下。
(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC1
91) 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、ク
ノチミキサーで1日間攪拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケ−0,5gとを混合し、
ドクターブレードで上記電荷発生層上に塗布し、60℃
、2時間以上乾燥させた。膜厚10μm以下であった。
〔実施例12〕 (電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(接水化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズN001を33g、タッチミキサーで1
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリな−ターでガラス板上に積層したITO上に
塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜
は、膜厚1μm以下であった。
(電荷輸送層の作製方法) ジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTCI91)0.5gを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、6
0℃、2時間以上乾燥させた。膜厚は10μm以上であ
った。
〔実施例13〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離
型感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に、可溶性ポリアミド(
東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥
させた。
(電荷発生層の形成方法) 酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(接水化学、5LE
C)0.25g、前記したアズレニウムCl204塩0
.5G、ガラスピーズN01133gとを混合し、タッ
チミキサーで1日間攪拌し、よく分散させものをドクタ
ーブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止
層上に塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
(電荷輸送層の形成方法) テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚10μm
以下であった。
〔実施例14〕 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に、可溶性ポリアミド(
東亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコータ
ーにより0.5〜1μm塗布、60℃、2時間以上乾燥
させた。
(電荷発生層の形成方法) テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(接水化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズN001を33g、タッチミキサーで1
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
60℃、2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜厚
1μm以下であった。
(電荷輸送層の形成方法) 溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネー
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.
5gを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60℃、2時間以上乾燥させた。膜厚は10μ
m以上であった。
〔実施例15〕 (感光体電極層の形成方法) 青板ガラス上に、酸化インジウム錫(ITO1比抵抗1
00Ω・cm2)をスパッタリング法により蒸着させた
また、EB法により同様に蒸着させることができる。
(電荷注入防止層の形成方法) 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。
膜厚は100〜3000人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
(電荷発生層の形成方法) 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含有
量13重■%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。
(電荷輸送層の形成方法) 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着さ・ヒた。、膜厚は10μm以下である。
〔実施例16〕・・・静電画像記録方法第1図(a)に
示すように、実施例7で作製した単層系有機感光体(P
VK −TNF) 1と、実施例1で作製した電荷保持
媒体3とを、膜厚10μrnのポリエステルフィルムを
スペーサーとし、樹脂層11面を上記感光体1の光導電
N9に対向させて接地した。次いで両電極間7.13に
、署光体側を負、樹脂層側を正にして、−700Vの直
流電圧を印加する。
尚、アモルファスシリコン感光体の場合は、感光体側を
負、アモルファスセレンの場合には正にして電圧を印加
するとよい。
電圧の印加状態で、感光体側より照度1oooルツクス
のハロゲンランプを光源とする露光を1秒間行なった結
果、露光部には一150vの表面電位が形成された。露
光終了後、同図(b)に示すように電荷保持媒体3を取
り出し、全面露光24を行い、負の表面電荷を粒子中に
移動させた後抵抗加熱20により電荷保持媒体を80℃
に加熱した結果、電荷を蓄積した粒子は樹脂層内部に移
動した。
この電荷保持媒体を7日間放置した後、このTL荷保持
媒体上にコロナ帯電により4450Vの正荷電を全面に
付与し、その後全面露光24し、直らにその表面電位を
読み取ったところ露光パターンをCRT上に再現するこ
とができた。
次に露光時に解像度パターンフィルムを感光体ガラス基
板側に密着させて同様の露光を行った後、第4図に示す
ように電荷保持媒体を50X50μmの微小面積表面電
位測定プローブ面でxy軸ススキャニング行い、50μ
m車位の電位データを処理し、CRT上に電位−輝度変
換により拡大表示した結果、100μmまでの解像度パ
ターンをCRT上に確認できた。
なお静電画像記録に際して一600■で解像度パターン
フィルムを使用してパターン露光し上記同様に再生した
ところ、フロスト現象により200μmしか解像度パタ
ーンをCRT上に確認することができなかった。
また露光方法として、通常のカメラを使用し、700V
の電圧印加状態で、露出f=1.4、シャッタ−スピー
ド1/60秒で、屋外昼間の複写体撮影を行った。露光
後、全面にコロナ帯電をし、全面露光した電荷保持媒体
を50X50,17mの微小面積表面電位測定プローブ
面でXY軸ススキャニング行い、50μm単位の電位デ
ータを処理し、CRT上に電位−輝度変換により拡大表
示した結果、諧調性を有する画像形成が行われた。
〔実施例17〕 カラー画像の撮影は以下の方法で行った。
■プリズム型3面分割法 第6図に示すようにプリズムの3面上にR,G。
Bフィルターを配置し、それぞれの面に上記実施例13
で使用したと同じ媒体をセントし、f=1゜4、シャッ
タ−スピード1/30秒で被写体撮影を行った。
■カラーCRT表示法 R,G、  B潜像各々を実施例16と同様の方法でス
キャニングして読み取り、R,G、B潜像に対応じた螢
光発色をCRT上で形成し、3色分解画像をCRT上で
合成することによりカラー画像を得た。
〔発明の効果〕
本発明の静電画像記録媒体に蓄積される情報は、その樹
脂層内部の微粒子の位置情報の形で蓄積されるので、電
荷を蓄積するものと比較して極めて安定であり、しかも
情報を文字、線画、画像、(0,1)情報等のアナログ
情報、またはデジタル情報の形で蓄積することでき、高
品質、高解像度の情報を蓄積できるものである。
また情報再生にあたっては、コロナ帯電、または対向電
極を用いて電圧印加時全面露光により電荷保持媒体表面
全面に静電かを付与することにより容易に表面電位とし
て再現し、電位読み取り方法により容易に読み取ること
ができるものであり、また任意の時点で静電潜像の局部
電位を任意の走査密度で読み出し出力することができる
ものである。ま記録にあたってフロスト現象の発生を回
避することができるので、情報を再生するにあたって解
像度への影響を避けることができ、高解像度の再生を可
能となしえるものである。
また本発明の静電画像記録媒体の記録再生方法は直接電
位検出するものであるので、現像手段のような物理的、
または化学的手段を必要としないので、安価で簡便な記
録再生システムとすることができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明における静電画像記録工程を説明するた
めの図、第2図は本発明における静電画像記録工程の他
の実施例を説明するための図、第3図は本発明における
静電画像再生工程を説明するための図、第4図は直流増
幅型の電位読み取り方法の一例を示す図、第5図は本発
明の静電画像記録媒体を使用した静電画像記録再生方法
の概略構成を示す図、第6図は色分解光学系の構成を示
す図、第7図はカラー静電潜像を形成する場合の説明図
、第8図はa−3i:H感光体の作製方法を説明するた
めの図、第9図は従来の電荷保持媒体における静電画像
記録方法を説明するための図である。 1は感光体、3は電荷保持媒体、5は光導電層支持体、
7は感光体電極、9は光導電層、11は樹脂層、12は
微粒子、13は電荷保持媒体電極、14は樹脂層欠落部
、15は樹脂層支持体、17は電源、21は電位読み取
り部、23は検出電極、25はガード電極、27はコン
デンサ。 出  願  人  大日本印刷株式会社代理人 弁理士
  内1)亘彦(外5名)U U 第4図 手 続 補 正 書 (方式) 事件の表示 昭和63年特許願第331589号 発明の名称 静電画像記録再生方法 3゜ 補正をする者 事件との関係 住   所 名   称

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
    と、後面に電極が設けられ、該電極上に熱可塑性絶縁性
    樹脂材料と一方の電荷を輸送する機能を有する電荷輸送
    材料との混合層が積層され、その混合層表面内部近傍に
    光導電性微粒子層を単層、または複数層状に有する電荷
    保持媒体とを接触、または非接触で対向させて配置し、
    上記電荷輸送材料の輸送電荷と逆極性の電荷パターンを
    電荷保持媒体表面に形成するように電圧印加時パターン
    露光し、次いで電荷保持媒体に光導電性微粒子が感光す
    る波長の光で全面露光し、更に熱現像して露光パターン
    に応じた粒子の位置パターンを形成する静電画像記録工
    程と、該電荷保持媒体表面全面に上記電荷輸送材料の輸
    送電荷と同極性の静電荷を付与し、同時に、または続い
    て光導電性微粒子が感光する波長の光で全面露光し、上
    記露光パターン部に形成される表面電位を接触、又は非
    接触で検出する静電画像再生工程とからなる静電画像記
    録再生方法。
  2. (2)上記静電画像再生工程における熱現像時において
    、全面露光しつつ熱現像することを特徴とする請求項1
    記載の静電画像記録再生方法。
  3. (3)前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
    と、後面に電極が設けられ、該電極上に熱可塑性絶縁性
    樹脂材料と一方の電荷を輸送する機能を有する電荷輸送
    材料との混合層が積層され、その混合層表面内部近傍に
    導電性微粒子層を単層、または複数層状に有する電荷保
    持媒体とを接触、または非接触で対向させて配置し、上
    記電荷輸送材料の輸送電荷と逆極性の電荷パターンを電
    荷保持媒体表面に形成するように電圧印加時パターン露
    光し、次いで熱現像して露光パターンに応じた粒子の位
    置パターンを形成する静電画像記録工程と、該電荷保持
    媒体表面全面に上記電荷輸送材料の輸送電荷と同極性の
    静電荷を付与し、上記露光パターン部に形成される表面
    電位を接触、又は非接触で検出する静電画像再生工程と
    からなる静電画像記録再生方法。
  4. (4)上記静電画像再生工程における静電荷を付与する
    方法がコロナ帯電である請求項1、2、または3記載の
    静電画像記録再生方法。
  5. (5)上記静電画像再生工程における電荷保持媒体表面
    全面に静電荷を付与する方法が、対向電極を用いて電圧
    印加である請求項1、2、または3記載の静電画像記録
    再生方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5903296A (en) * 1993-04-26 1999-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method
CN104400891A (zh) * 2014-10-16 2015-03-11 佛山市博晖机电有限公司 陶瓷激光布料中的粉料取料和布料方法及粉料布料装置

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