JPH02262664A - 内部蓄積型静電画像記録媒体、及び静電画像記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧印加時露光により画像を静電的に記録し、
任意時点で画像再生を行うことができる内部蓄積型静電
画像記録媒体、及び静電画像記録方法に関するものであ
る。

（従来の技術〕 従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現させる場合には銀塩乳剤
（印画紙°）を使用するか、または現像フィルムを光学
走査して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により
行われている。

また光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコロ
ナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して光
の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の電
荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光導
電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆極
性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付着
させて、紙等に静電転写して現像する電子写真技術があ
り、これは主として複写用に用いられているが、一般に
低感度のため撮影用としては使用できず、記録媒体とし
ての光電導層における静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。

更に第１３図（ａ）に示すように、絶縁層支持体１５上
に透明電極１３、熱可塑性物質と電荷輸送材料との樹脂
層１１を順次積層し、その樹脂層表面に蒸養法によりセ
レン微粒子１２を着膜、樹脂層表面内部近傍に浸透させ
て記録媒体３を作製し、同図（ｂ）に示すように樹脂層
表面をコロナ帯電１９により全面帯電させた後、パター
ン露光１８し、露光部における光導電性微粒子に光キャ
リアーを発生させ、同図（Ｃ）に示すように加熱により
上記樹脂層を軟化させ、光キャリアーが発生した光導電
性微粒子のみを混合層中を移動させて現像するもので、
その現像された情報を透過光量の大小による可視情報と
して再生させるものが知られている（米国特許第３，５
２０．６８１号明細書、同第４．１０１，３２１号明細
書、同第４．４９６．６４２号明細書）。

〔発明が解決すべき課題〕

しかしながら電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像
化は銀塩写真法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極
めて短く、現像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。また
ＴＶｊｌｌ影技術は影像術で得られた電気的像信号を取
り出し、また記録するためには線順次走査が必要となる
。線順次走査は揚傷管内では電子ビームで、ビデオ記録
では磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存する
ため、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著し
く劣化する。

近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＯＤ等）を利用し
たＴＶｌｉ像系も解像性に関しては本質的に同様であり
、これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、
高解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であ
れば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があ
った。

また透明電橿上にセレン粒子層を有する熱可塑性物質層
を設け、全面コロナ帯電させ、像露光し、熱現像するこ
とにより情報を可視情報として再生させるものは、その
蓄積された電荷情報は極めて永続性（１０年以上）のあ
るものであるが、その情報記録にあたってはコロナ帯電
を必要とし、また情報を可視化させて再生するものであ
る。

本発明者等は、先に前面に電極が設けられた光導電層か
らなる感光体と、感光体に対向し、後面に電極が設けら
れた絶縁層からなる電荷保持媒体とを配置し、両電橿間
への電圧印加した状態で感光体側、あるいは電荷保持媒
体側から像露光した後、電荷保持媒体を分離し、電荷保
持媒体に像情報として蓄積されている表面電位を増幅し
像再生出力する静電画像記録媒体において、該電荷保持
媒体における絶縁層が、光導電性、または導電性微粒子
層を含存し、該微粒子中に電荷を蓄積するｌ！能を有す
るものである静電画像記録媒体について出願（特願昭６
３−２３９４９０号）した。

本発明はその静電画像記録媒体の改良、特に蓄積された
情報電荷の保持特性の改良を目的とするもので、静電画
像記録媒体の表面に反対電荷を近づく等の障害があって
も容易に蓄積された情報電荷が消去されない静電画像記
録媒体の提供を課題とし、高品質、高解像であると共に
情報記録方法が簡単で、長時間の記憶が可能で、記憶し
た文字、線画、画像、コード、（１，０）情報を目的に
応じた画質で任意に反復再生することができる静電画像
記録媒体、およびその静電画像記録方法の提供を課題と
する。

〔課題を解決するための手段〕

そのために本発明の内部蓄積型静電画像記録媒体は、電
極上に絶縁層を積層し、該絶縁層上に光導電性微粒子、
または導電性微粒子が単層状、もしくは複数層状に積層
され、更に＃ｉ微粒子層上に一方の電荷を主体的に輸送
する機能を有する電荷輸送層が順次積層されたことを特
徴とするものである。

またこの静電画像記録媒体への記録方法としては前面に
電極が設けられた光導電層からなる感光体と、後面に電
極が設けられ、該電極上に電極上に絶縁層を積層し、該
絶縁層上に光導電性微粒子が単層状、もしくは複数層状
に積層され、更に該微粒子層上に一方の電荷を主体的に
輸送する機能を有する電荷輸送層が順次積層された内部
蓄積型静電画像記録媒体とを接触、または非接触に対向
させて配置し、上記電荷輸送材料の輸送電荷と同極性の
電荷パターンを静電画像記録媒体表面に形成するように
電圧を印加しつつパターン露光し、次いで静電画像記録
媒体を全面露光することを特徴とするルのであり、また
前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体と、後
面に電極が設けられ、該電極上に電極上に絶縁層を積層
し、該絶縁層上に導電性微粒子が単層状、もしくは複数
層状に積層され、更に該微粒子層上に一方の電荷を主体
的に輸送する機能を有する電荷輸送層が順次積層された
内部蓄積型静電画像記録媒体とを接触、または非接触に
対向させて配置し、上記電荷輸送材料の輸送電荷と同極
性の電荷パターンを静電画像記録媒体表面に形成するよ
うに電圧を印加しつつパターン露光することを特徴とす
るものである。

以下本発明の静電画像記録方法に用いられる感光体、お
よび本発明の静電画像記録媒体の構成材料について説明
する。

第１図は本発明の静電画像記録媒体３の断面図である０
図中、３は静電画像記録媒体、ｌＯは電荷輸送層、１１
は絶縁層、１２は微粒子、１３は静電画像記録媒体電極
、１５は静電画像記録媒体支持体である。以下、単に樹
脂層という時は、絶縁層上に粒子層、電荷輸送層を順次
積層した層をいう。

まず、静電画像記録媒体の構゛成について説明する。

第１図に示すように、静電画像記録媒体３はその絶縁層
１１における微粒子１２毎に情報を静電荷の分布として
記録するものである。従って記録される情報、あるいは
記録の方法によりこの静電画像記録媒体の形状は種々の
形状をとることができる０例えば静電カメラ（同一出願
人による特願昭６３−１２１５９１号）に用いられる場
合には、一般のフィルム（Ｓコマ、連続コマ用）形状、
あるいはディスク状となり、レーザー等によりデジタル
情報、またはアナログ情報を記録する場合には、テープ
形状、ディスク形状、あるいはカード形状となる。

静電画像記録媒体支持体１５は、静電画像記録媒体３を
強度的に支持するものであり、樹脂層を支持することが
できるある程度の強度を有していれば、その材質、厚み
は特に制限がな（、例えば可撓性のあるプラスチックフ
ィルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート
、金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用
され光透過性も同様に要求される場合がある。具体的に
は、静電画像記録媒体３がフレキシブルなフィルム、テ
ープ、ディスク形状をとる場合には、フレキシブル性の
あるプラスチックフィルムが使用され、強度が要求され
る場合には剛性のあるシート、ガラス等の無機材料等が
使用される。

静電画像記録媒体３がフレキシブルなフィルム、テープ
、ディスク形状をとる場合について説明する。まず第２
図（ａ）に示すように、樹脂ＦＪＩＩが連続しているタ
イプがある。

これは電極層を設けたプラスチックフィルム等の支持体
上に樹脂層を支持体の両辺を残して、または全面に形成
してなるものである。この静電画像記録媒体は、少なく
とも記録される一画面（例えばカメラ取りによる場合の
一コマ、デジタル悄報記録のトラック巾）の２倍以上の
長さを有するものである。また当然この静電画像記録媒
体を長手方向に複数接合してなるものも含まれ、この際
には隣接する樹脂層の間に樹脂層欠落のスリット帯があ
ってもよい。

また第２図（ｂ）に示すように、樹脂層１１が長手方向
に不連続のタイプがある。

これはプラスチックフィルム等の支持体上に、樹脂層を
支持体の両辺を残して、または残さずして、長手方向に
不連続に形成してなるものであり、支持体上には複数の
樹脂層が成る大きさで形成される。この樹脂層の大きさ
は、画像、および情報の入力装置の露光方法にもよるが
、例えばカメラ取りによる場合は、３５ｍｍｘ３５ｍｍ
であり、レーザービーム等のスポット入力の場合は、デ
ジタル情報記録のトランク巾である。尚、デジタル情報
記録の場合には、隣接する樹脂層間に形成されている樹
脂層欠落部は、情報の入出力の際のトラッキング帯とし
て利用されうる。また当然この静電画像記録媒体を長手
方向に複数接合してなるものも含まれ、この際には隣接
する樹脂層の間に樹脂層欠落のスリット帯があってもよ
い。

また第２図（Ｃ）に示すように樹脂層が巾方向に不連続
のタイプがある。

このタイプは電極層を設けたプラスチックフィルム等の
支持体上に、樹脂層を支持体の両辺を残して、または残
さずして、巾方向に不連続に形成してなるものであり、
支持体上には複数の帯状の樹脂層が形成される。この樹
脂層の巾は記録されるデジタル情報のトラック巾に等し
いか、或いは整数倍のものであり、隣接する樹脂層間に
形成されている樹脂層欠落部は、情報の入出力の際のト
ラッキング帯として利用される。

また第２図（ｄ）に示すように、円板状のタイプがある
。

このタイプは、電極層を設けた円形のプラスチックフィ
ルム等の支持体上に樹脂層を全面に、或いは連続した渦
巻状の樹脂層欠落部を有して形成されるものである。こ
の静電画像記録媒体では、入出力装置の駆動のための円
形欠落が形成されていてもよい、またデジタル情報記録
部の場合には、連続した渦巻状の樹脂層欠落部は、情報
の入出力の際のトラッキング帯として利用されうる。

静電画像記録媒体電極１３は、静電画像記録媒体支持体
１５に金属板が使用される場合を除いて静電画像記録媒
体支持体上に形成され、その材質は比抵抗値が１０”Ω
・Ｃ−以下であれば限定されなく、無機金属導電膜、無
機金属酸化物導電膜等である。このような静電画像記録
媒体電極はその支持体上に蒸着、スパッタリング、ＣＶ
Ｄ、コーティング、メツキ、ディッピング、電解重合等
の方法により形成される。またその膜厚は電極を構成す
る材料の電気特性、および情報記録の際の印加電圧によ
り変化させる必要があるが、例えばアルミニウムであれ
ば１００〜３０００人程度であり、支持体と絶縁層との
間の全面、或いは絶縁層の形成パターンに合わせて形成
される。

微粒子１２が積層される樹脂層１１は、微粒子１２に情
報を静電荷の分布として記録するものであるからｉｉｔ
荷の移動を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で
ＩＱ＋４Ω・Ｃ−以上の絶縁性を存することが要求され
る。このような樹脂層１１は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶
解させ、コーティング、ディッピングするか、または蒸
着、スパッタリング法により層形成させることができる
。

ここで絶縁層としては、熱可塑性樹脂、或いは熱硬化性
樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネル
ギー線硬化樹脂、或いはエンジニアリングプラスチック
、或いはゴム等を使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン、塩化ビニ
ル樹脂、ポリプロピレン、スチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン系樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ＡＡＳ　（
ＡＳＡ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、繊維素誘導体樹脂、熱可塑
性ポリウレタン、ポリビニルブチラール、ポリ−４−メ
チルペンテン−１、ポリブテン−１、ロジンエステル樹
脂等、更に弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエチレ
ン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエチレ
ン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ま
たそれらのディスパージ四ンタイプ、または変性タイプ
（コーティングタイプ）、またポリパラキシリレンの下
記構造式で示されるもの、（尚、上記Ｃタイプは上記構
造のもののみでなく、ベンゼン環における主鎖結合部位
以外の部位の内１つが塩素で置換されているもの、また
Ｄタイプはその２つが塩素で置換されているものであれ
ばよい、） 等は耐熱性、耐湿性の観点から特に好ましい。

また熱硬化性樹脂としては、例えば不飽和ポリエステル
樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メ
ラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂
等、 更に紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネルギ
ー線硬化樹脂としては、ラジカル重合性アクリレート系
化合物があり、例えばアクリル酸又はメタアクリル酸若
しくはこれらの誘導体のエステル化合物であって、両末
端に水酸基を有するものであり、具体的にはヒドロキシ
エチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート
、ヒドロキシブチルアクリレート、ヒドロキシエチルメ
タアクリレート、ヒドロキシプロピルメタアクリレート
、ヒドロキシブチルメタアクリレート、４ヒドロキシシ
クロへキシルアクリレート、５−ヒドロキシシクロオク
チルアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェニルオキ
シプロピルアクリレート等の重合性不飽和基１個存する
（メタ）アクリル酸エステル化合物を始め、式 ％式％） で示される重合性不飽和基２個を存する化合物等を使用
することができる。

２個の水酸基と１個又は２個以上のラジカル重合性不飽
和基を有する硬化性化合物としては、例えばグリセロー
ルメタアクリレートや下記一般式（但しＲ，Ｒ’　はメ
チル基、または水素であり、Ｒ１はエチレングリコール
、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ブタ
ンジオール、１゜６−ヘキサンジオール等の短鎖ジオー
ル残基である。）により示されるアクリレート類を使用
することができる。

またエンジニアリングプラスチックとしてはポリカーボ
ネート、ポリアミド、アセタール樹脂、ポリフェニレン
オキシド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン
テレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリイ
ミド樹脂、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、
芳香族ポリエステル、ポリアクリレート等が使用できる
。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を静
電画像記録媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着する
ことにより層形成させ、上記熱可塑性樹脂と同様に使用
してもよい。

なお樹脂Ｆｉｌｌは、絶縁性の点からは少なくても１０
００人（０，１μｍ）以上の厚みに形成され、フレキシ
ビル性の点からは１００μｍ以下が好ましい。

電荷を蓄える微粒子としては光導電性材料、導電性材料
から形成される。

光導電性微粒子材料としてはアモルファスシリコン、結
晶シリコン、アモルファスセレン、結晶セレン、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛等の無機系光導電材料、またポリビ
ニルカルバゾール、フタロシアニン、アゾ系顔料等の有
機系光導電材料が使用される。

また導電性材料としては、周期律表第１Ａ族（アルカリ
金属）、同ＩＢ族（銅族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類
金属）、同ＩＩＢ族（亜鉛族）、同Ｉ［ＩＡ族（アルミ
ニウム族）、同Ｉ［［Ｂ族（希土類）、同ＩＶＢ族（チ
タン族）、同ＶＢ族（バナジウム族）、同ＶＩＢ族（ク
ロム族）、同■Ｂ族（マンガン族）、同■族（鉄族、白
金族）、また同ＩＶＡ族（炭素族）としては炭素、珪素
、ゲルマニウム、錫、鉛、同ＶＡ族（窒素族）としては
アンチモン、ビスマス、同ＶＩＡ族（酸素族）としては
硫黄、セレン、テルルが微細粉状で使用される。また上
記元素単体のうち金属類は金属イオン、微細粉状の合金
、有機金属、錯体の形態としても使用することができる
。更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハ
ロゲン化物の形態で使用することができる。特に炭素、
金、銅、アルミニウム等が好ましく使用される。

次に微粒子１２の形成方法を説明する。

まず第１図（ａ）に示すようなアモルファスシリコン、
アモルファスセレン、結晶セレン等の微粒子層を樹脂層
上に単層状、或いは複数層状に積層したものは、低圧蒸
着装置を使用し、粒子層形成材料を、支持体上に積層し
た樹脂層１１上に蒸着させることにより形成される０粒
子層形成材料は、１０Ｔｏｒｒ〜１０−’Ｔｏｒｒ程度
の低圧下で蒸発させると凝集し、ｌθ〜０．１μｍ径程
度の超微粒子状態となり、微粒子は樹脂層１１表面に、
単層状、或いは複数層状に整列した状態で積層されるも
のである。

また第１図（ｂ）に示すような支持体上に樹脂層、粒子
層を順次積層したものは、微粒子状の粒子層形成材料を
樹脂層形成材料に適当な硬化剤、溶剤等を添加して分散
させ、予め支持体上に形成された樹脂層上にコーティン
グ、デインピングすることにより、塗布して形成される
。

更に第１図（Ｃ）に示すような微粒子状の粒子層形成材
料を樹脂層中に分散させたものは、樹脂層形成材料に粒
子層形成材料を、適当な硬化剤、溶剤等を添加して分散
させ、支持体上にコーティング、ディッピングすること
により塗布して形成される。

電荷輸送層１０は一方の電荷を主体的に輸送する機能を
有するもので、ホール輸送層を形成する物質としては、
Ｂ、ＡＩ、Ｇａ５１ｎ等をドープしたアモルファスシリ
コン、アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、
ピラゾリン、ヒドラゾン、ポリビニルカルバゾール、ス
チルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニル
メタン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香族
アミン等を樹脂中に分散して形成した電荷輸送材料を使
用することができる。

また電子輸送層を形成する物質としては、Ｐ。

Ｎ　−、Ａ’　ｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等をドープしたアモルフ
ァスシリコン、またＺｎＯ、ポリビニルカルバゾール−
トリニトロフルオレン電荷移動錯体等を使用しうる。

この電荷輸送材料の積層方法としては、ドライ方式とし
て真空蒸着、スパッタリング法等で電荷輸送層を直接微
粒子層上に形成させるか、ウェット方式としては溶剤に
より光導電材料を溶解、または懸濁させスピンナーコー
ティング法等により膜形成した後、溶剤を乾燥させれば
よい、膜厚としては０．５μｍ〜５０μｍの範囲で積層
させるとよく、膜厚が０．５μｍ以下であると静電画像
記録媒体表面に反対電荷が近づ（等の障害により蓄積さ
れた情報電荷が影響を受け、５０μｍ以上であると情報
を再生する際に障害となる。

次に、本発明で使用される感光体の構成について、第３
図（ａ）に図示した感光体１に基づき説明する。

光導電層支持体５としては、上記の樹脂層支持体１５と
同様な材質で構成されるが、感光体側から光を入射して
情報を記録する装置に用いられる場合には、当然その光
を透過さセる特性が必要となり、例えば自然光を入射光
とし、感光体側から入射するカメラに用いられる場合に
は、厚み１ｍｍ程度の透明なガラス板、或いはプラスチ
ックのフィルム、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５上に形成され、そ
の材質は比抵抗値が１０’Ω・ｃｍ以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に
、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツ
キ、ディッピング、電解重合等により形成される。また
その厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、
および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要
があるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３０
００人程度である。この感光体電極７も光導電層支持体
５と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（
４００〜７００ｎｍ）であれば、ＩＴ○（ＩｎｇＯｓ−
３ｎｏｗ）　、５ｎｏｔ等をスパッタリング、蒸着、ま
たはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化してコ
ーティングしたような透明電極や、Ａｕ、ＡＩ、Ａｇ、
Ｎ１１Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリングで作製する
半透明電極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）　
、ポリアセチレン等のコーティングによる有ｉ透明電極
等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカフ）
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる光導電性層であり、特に電界が存在
する場合にその効果が顕著である層である。材料は無機
光導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材
料等で構成される。

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体） 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン（ａ　−３ｔ　：　Ｈ）
■フッ素化アモルファスシリコン（ａ　−３ｉ　：　Ｆ
）・これらに対して不純物をドーピングしないもの、 ・Ｂ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングによりＰ
型（ホール輸送型）にしたもの、・Ｐ％Ａｇ％５ｂＳＢ
ｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にしたもの
、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０−ｔ〜
Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱
しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した
電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体原
料を蒸着、スパンター法により成膜し、単層、或いは積
層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

また、感光体電極７から電荷が注入され、露光してない
のにもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するた
めに、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けるこ
とができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と
感光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放
電、蒸着、スパンター法等によりａ−３ｉＮ層、ａ−３
ｉＣ層、５ｉＯ１層、Ａ　１ｔＯｓ層等の樹脂層を設け
るとよい、この樹脂層を余り厚くしすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５０
０人程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの場
合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層を
設ける０例えば、Ｓｔにボロンをドープしたａ−３ｔ：
Ｈ（ｎ”）は、ホールの輸送特性が上がって整流効果が
得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−５ｅ−Ｔｅ）■ア
モルファスひ素セレン化合物（ａ　−ＡｓｚＳｅｉ）■
アモルファスひ素セレン化合物＋Ｔｅがある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳｉｎｇ、Ａ　’ｔ’ｓ　、５ｉＣ
１ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により
電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ
、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚はアモル
ファスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　） この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う、またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配
向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｄ
Ｓ粒子（粒径ｌ〜１００．ｕｎ）をバインダー中に分散
させ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい
。

（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ）で混合
し、加熱した電極基板（１５０〜４００℃）上で化学反
応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も膜厚
方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

く電荷発生物質系） 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。

（電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００　ｎｍ波長近
傍しか感じないが、Ｐ　Ｖ　Ｋ　−Ｔ　Ｎ　Ｆ　３９体
は６５０ｎｍ波長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）８ｇ能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない、そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

〈電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアソ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−３ｅ　、　ａ−３
ｉ　ｓアズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。

（電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばオキサジア
ゾール系、ヒドラゾン系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カ
ルバゾール系、オキサゾール系、トリアゾール系、芳香
族アミン系、アミン系、トリフェニルメタン系、多環芳
香族化合物系等がある。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚と
するとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合法樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレ−）　（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹
脂、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料名
１部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いように
する。コーティング法としては、ディラビング法、蒸着
法、スパンター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは樹脂層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（１子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有ｉ絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
Ａｓｚ０３　、Ｂ！Ｏ，、Ｂｉｎ’ｓ　、ＣｄＳ　、　
ＣａＯ、Ｃｅ０ｚ、ＣｒｚＯｘ　、Ｃｏｏ　ｓ　Ｇｅ０
ｚ。

ＨｆＯｘ、ｐｅ＝０３　、Ｌａｇ’ｓ　、ＭｇＯ、ＦＩ
ｎＯｚ、ＮｄｚＯｓ　、ＮｂｚＯｓ　、　ＰｂＯ，５ｂ
ｚＯｚ　、Ｓｉｎｇ、ＳｅＯｚ、ＴａｇＯＢ　、、　Ｔ
ｔＯｘ、ＷＯｓ　、ＶｘＯｓ、Ｙ２Ｏ１、Ｙ、０１、Ｚ
ｒ０ｇ、ＢａＴｉＯ３、Ａ１１ａｓ、ＢｉｔＴｉＯｓ　
、ＣａＯ−５ｒＯ、、Ｃａ０−ＹｚＯｉ、Ｃｒ−３ｉＯ
１ＬｉＴａＯ１、ＰｂＴｉ０．、ＰｂＺｒＯｓ、Ｚｒ０
ｚ−Ｃｏ　％　Ｚｒ０ｔ−５ｉＯ１％　ＡＩＮ　％　Ｂ
Ｎ％　ＮｂＮ　ｓ　５ＩＪａ　％　ＴａＮ　５ＴＩＮ　
、、ＶＮ％　ＺｒＮ　％ＳｉＣ、Ｔｉｃ　、　ＩｔｊＣ
，＾ＩｔＣｚ等をグロー放電、蒸着、スパッタリング等
により形成される。尚、この層の膜厚は電荷の注入を防
止する絶縁性と、トンネル効果の点を考慮して使用され
る材質ごとに決められる。次ぎに整流効果を利用した電
荷注入防止層は、整流効果を利用して電極基板の極性と
逆極性の電荷輸送能を有する電荷輸送層を設ける。即ち
、このような電荷注入防止層は無機光導電層、有機光導
電層、有機無機複合型光導電層で形成され、その膜厚は
０．１〜１０μｍ程度である。具体的には、電極がマイ
ナスの場合はＢ、Ａｌ、Ｇａ、ｉｎ等をドープしたアモ
ルファスシリコン光導電層、アモルファスセレン、また
はオキサジアゾール、ビラプリン、ポリビニルカルバゾ
ール、スチルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジ
フェニルメタン、トリフェニルメタン、アジン、アミン
、芳香族アミン等を樹脂中に分散して形成した有機光導
電層、電極がプラスの場合は、Ｐ、Ｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂ
ｉ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、Ｚｎ
Ｏ光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ、コーティング等の方法により形成される。

このようにして形成される感光体と静電画像記録媒体に
より静電画像記録装置を作製するには、感光体における
光導電層面と、静電画像記録媒体における樹脂層面とを
接触させるか、あるいは非接触の状態で対向させて積層
させるものであり、非接触の場合には機械的に非接触を
保つか、感光体と静電画像記録媒体の端部にスペーサー
を介して対向させるとよい、またどのような情報入力手
段を使用するかにもよるが、感光体面と静電画像記録媒
体面の適宜箇所にスペーサーを配置してもよいことは勿
論である。非接触の場合、感光体と静電画像記録媒体と
の間隔は１〜５０μｍが適当であり、またスペーサーは
プラスチック等の有機材、ま九はガラス等の無機材を使
用することができる。

次ぎに静電画像記録方法について説明する。

第３図、第４図は本発明における静電画像記録方法を説
明するための図である。１７は電源である。

まず第３図に示す静電画像記録方法は、粒子層形成材料
として光導電性材料を有する静電画像記録媒体を使用す
る場合である。

まず１ｆｌ厚のガラスからなる光導電層支持体５上に１
０００人厚のＡｌＯからなる透明な感光体電極７を形成
し、この上に１０μｍ程度の光導電層９を形成して感光
体１を構成している。この感光体１に対して、１０μｍ
程度の空隙を介して静電画像記録媒体３が配置される。

静電画像記録媒体３は１ｆｉ厚のガラスからなる樹脂層
支持体１５上に１０００人厚のＡｌ電極を蒸着し、この
電極上に１０μｍの膜厚の電荷輸送層、及び１ｆｌ厚の
光導電粒子層１２を積層した１０μｍ厚の樹脂層１１を
形成させ、更に光導電性微粒子で形成される光キャリア
ーの一方のキャリアーを主体的に輸送できる電荷輸送７
１１０をｉｏμｍ形成させたものである。

まず第３図（ａ）に示すように感光体１に対して、１０
μｍ程度の空隙を介して静電画像記録媒体３をセフ）し
、同図（ｂ）に示すように電源」７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、空隙に加わる電圧がパッシェンの法則に
従う放電開始電圧以下であれば、電極間には何の変化も
生じない、また放電開始電圧以上の電圧が外部電源によ
り空隙に印加されると放電が起こり、電荷輸送層の表面
に電荷が蓄積され、放電開始電圧に下がるまでその状態
が続き、カブリ電荷となる。感光体１側より光が入射す
ると、光が入射した部分の光導電層９は導電性を示し、
電荷輸送層との間に放電が生じ、電荷輸送層の表面に電
荷が蓄積される。

また予め均一なカブリ電荷がある場合でも、光が入射し
た部分では更に電荷が蓄積される。

次いで電源１７をＯＦＦとし、静電画像記録媒体３を感
米体１から剥離し、同図（Ｃ）のように全面露光させる
と、カブリ電荷がない場合を例に取ると露光部の粒子層
に電子、正孔キャリアーが発生し、正孔キャリアーは電
荷輸送層を移動し、電荷輸送層上の表面電荷によりその
反対電荷が中和され、電荷輸送層上の情報電荷は絶縁層
中の粒子に蓄積されるものである。

次に第４図において、粒子層形成材料として導電性材料
を使用する場合について説明する。

同図（ｂ）に示すように感光体ｌ側より光が入射すると
、電荷輸送層との間に放電が生じ、電荷輸送層表面に電
荷が蓄積される。この電荷は電荷輸送材料により移動し
、導電性粒子中には十分な電子、正孔が存在するために
、絶縁層上の粒子層に表面電荷は情報電荷として永続的
に蓄積されるものである。露光が終了したら電圧をＯＦ
Ｆにし、次いで静電画像記録媒体３を取り出すことによ
り静電潜像の形成が終了する。

以上、粒子層を樹脂層表面に蒸着させた静電画像記録媒
体の場合について述べたが、粒子層を樹脂層に積層、ま
たは分散させた第１図（ｂ）、同図（Ｃ）に示すような
静電画像記録媒体の場合についても、上記同様の静電画
像記録方法により情報電荷が内部蓄積される。

なお、感光体１と静電画像記録媒体３とは上記のように
非接触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、露光
された段階で電荷は静電画像記録媒体電極１３に引かれ
て光導電層９を通過し、電荷輸送層に達し微粒子に蓄積
されて移動を停止し、情報電荷は粒子中に蓄積される。

この静電画像記録方法は面状アナログ記録とした場合、
銀塩写真法と同様に高解像度が得られ、また形成される
粒子層１２の電荷は絶縁性の樹脂層中に保護され、放電
せず長期間保存される。

本発明の静電画像記録媒体への情報入力方法としては高
解像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録
方法がある。まず高解像度静電カメラは通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに、前面に感光体
電極７を設けた光導電層９からなる感光体１と、感光体
１に対向し後面に静電画像記録媒体電極１３を設けた樹
脂層１１からなる静電画像記録媒体とにより記録部材を
構成し、両電掻へ電圧を印加し、入射光に応じて光導電
層を導電性として入射光量に応じて樹脂層上に電荷を蓄
積させることにより入射光学像の静電潜像を電荷蓄積媒
体上に形成するもので、機械的なシャッタも使用しうる
し、また電気的なシャッタも使用しうるちのであり、ま
た静電潜像は明所、暗所に関係なく長期間保持すること
が可能である。またプリズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、
Ｂ光成分に分離し、平行光として取り出すカラーフィル
ターを使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した静電画像記録媒体３
セントで１コマを形成するか、または１平面上にＲ：　
Ｇ、Ｂ像を並べて１セントで１コマとすることにより、
カラー撮影することもてきる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ；　８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と静電画像
記録媒体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間
隔をおいて対向させ、電圧印加する。この場合感光体の
キャリアの極性と同じ極性に感光体電極をセントすると
よい。

この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である。画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制御によ
り行う、また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドントジェネレーターｏＮ−ｏｐＦｆｉ１］
１１１をかけて形成するものである。尚、感光体におけ
る光導電層の分光特性は、パンクロマティックである必
要はなく、レーザー光源の波長に感度を有していればよ
い。

次ぎに静電画像記録媒体に記録された静電画像の再生方
法について説明する。

第５図は静電画像記録再生方法における電位読み取り方
法の例を示す図で、第１図と同一番号は同一内容を示し
ている。なお、図中、２１は電位読み取り部、２３は検
出電極、２５はガード電極、２７はコンデンサ、２９は
電圧計である。

電位読み取り部２１を静電画像記録媒体３の電荷蓄積面
に対向させると、検出電極２３に静電画像記録媒体３の
粒子に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に静電画像記録媒体上の電荷と等量の誘導電
荷が生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコン
デンサ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄
積電荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読
むことによって電荷保持体の電位を求めることができる
。そして、電位読み取り部２１で静電画像記録媒体面上
を走査することにより静電潜像を電気信号として出力す
ることができる。なお、検出電極２３だけでは静電画像
記録媒体の検出電極対向部位よりも広い範囲の電荷によ
る電界（電気力線）が作用して分解能が落ちるので、検
出電極の周囲に接地したガード電極２５を配置するよう
にしてもよい、これによって、電気力線は面に対して垂
直方向を向くようになるので、検出電極２３に対向した
部位のみの電気力ｖＡ−ｔ＜作用するようになり、検出
電極面積に略等しい部位の電位を読み取ることができる
。電位読み取りの精度、分解能は検出電極、ガード電極
の形状、大きさ、及び静電画像記録媒体との間隔によっ
て大きく変わるため、要求される性能に合わせて最適条
件を求めて設計する必要がある。

第６図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、６１は電位読み取り装置、６３は増幅器、６５はＣＲ
Ｔ、６７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置６１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器６３で増幅してＣＲＴ６５で表示し
、またプリンタ６７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。

第７図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、７１．７３．７５はプリズムブロック、７７．７９．
８１はフィルタ、８３．８５は反射鏡である。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１のａ面から入射した光情報は、ｂ面に
おいて一部が分離反射され、さらにａ面で反射されてフ
ィルタ７７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック７３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ７９
．８１からＧ色光成分、Ｒ色光成分が取り出される。そ
して、Ｇ、Ｂ色光成分を、反射鏡８３．８５で反射させ
ることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すこ
とができる。

このようなフィルタ９１を、第８図に示すように感光体
１の前面に配置して撮影することにより、第８図（ロ）
のようにＲ，Ｇ、Ｂ分解した静電画像記録媒体３セント
で１コマを形成するか、また第８図（ハ）に示すように
１羊面上にＲ，Ｇ、Ｂ像として並べて１セツトで１コマ
とすることもできる。

第９図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば、
レジストをコーティングしたフィルムをマスクパターン
で露光してＲ，Ｇ、Ｂストライブパターンを形成し、そ
れぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、ま
たは第７図のような方法で色分解した光を、それぞれ細
いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干渉縞
をホログラム記録媒体に記録させることにより形成する
方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、静
電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライブパターンを形成し、
これをトナー現像して３回転写することによりカラー合
成してトナーのストライプを形成する方法等により形成
する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，Ｃ；
、　Ｂ１１ｆｆ１で１画素を形成し、１画素を１０μｍ
程度の微細なものにする。このフィルタを第８図のフィ
ルタ９１として使用する。ことによりカラー静電潜像を
形成することができる。この場合、フィルタは感光体と
離して配置しても、あるいは感光体と一体に形成するよ
うにしてもよい。

第１０図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄（コンパクトなレンズ設計が可能と
なる。

第１１図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３及
び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。

〔作用〕

本発明の静電画像記録媒体は、１０１４〜１０１８Ω・
ｃｍの比抵抗値を有する絶縁層と光導電性微粒子、また
は導電性微粒子層、更に電荷輸送層とを順次電極基板上
に積層することにより形成され、感光体における光導電
層面に羊の電荷輸送層面を一定間隔をおいて対向させ、
両電極間に電圧を印加した状態で像露光させると、情報
光の照射された感光体における先導を層部位においては
電荷の移動が生じ、電荷輸送層表面に情報電荷が蓄積さ
れる。

粒子層が光導電性微粒子よりなる時には、静電画像記録
媒体を感光体から剥離し全面露光させると、露光部の粒
子層にキャリアーが発生し、電荷輸送層表面に蓄積され
た情報電荷が電荷輸送層を移動し、一方のキャリアーを
中和し、表面電荷と同一の！荷が光導電性微粒子に情報
電荷として蓄積されるものである。また粒子層上に積層
されている電荷輸送層は粒子層に蓄積された電荷を輸送
しないので、−旦蓄積された電荷は永続的に蓄積される
ものである。

また粒子層が導電性微粒子の時には、上記同様にして蓄
積された電荷輸送層表面の電荷は、電荷輸送層を移動し
て導電性粒子層に蓄積され、情報電荷として絶縁石中に
おける導電性微粒子層に永続的に蓄積されるものである
。

蓄積された情報電荷は、絶縁層内部に蓄積されるために
極めて安定であり、しかもアナログ情報、またはデジタ
ル情報の形で静電潜像とすることでき、また粒子層を電
荷輸送層表面より０．５μｍ〜５０μｍ程度の深さに積
層させることにより、電荷輸送層表面を非接触、または
接触で、後述する電位読み取り方法により容易に検出す
ることができ、更にその静電潜像に対応した電気信号を
出力させ、ＣＲ７表示、或いはプリンタによりプリント
アウトすることができるものである。また情報蓄積手段
が静電荷単位であるために、静電画像記録媒体に蓄積さ
れる情報は高品質、高解像であり、更に処理工程が簡便
で、長時間の記憶が可能であり、またその記憶した情報
を目的に応じた画質で、任意に反復再生することができ
るものであ以下、実施例を説明する。

静電画像記録媒体の作製方法 〔実施例１〕 ｌｌｌｌ１１厚のガラス基板上に、真空蒸着（１０−’
Ｔ。

ｒｒ法でＡ／電極を１０００人の膜厚で積層する。その
上にシリコン樹脂（ＴＳＲ−１４４、ＣＲ−１５，１％
、東芝シリコン社製）のキシレン５０％溶液をスピンナ
ーコート（１０００ｒｐｍ　Ｘ　３０ｓ）で塗布し、１
５０℃、１ｈ「乾燥後、膜厚７μｍの化８Ｍ層を設けた
０次にその基板を使用してガラス基板をヒーター板で１
００℃に加熱し、その状態でセレンを低真空下（３Ｔｏ
ｒｒ）で約６０秒、蒸着することにより、シリコン層上
に直径平均０．５μｍの結晶セレン粒子層を単層で設け
た。

次に蒸着装置より取り出し、そのアモルファスセレン粒
子層上に、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ　・ツビコ
ール２１０、亜南香料社製）の５％クロロホルム溶液を
使用してスピンナーコー）　（１０００ｒｐｍ　ｘ３０
ｓ）’！布し、６０℃、ｌｈｒ乾燥後、１０μｍの膜厚
の電荷輸送層を得て、本発明における静電画像記録媒体
を形成した。

〔実施例２〕 樹脂ＦＪ、！：して熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（
アダルダイト＝チバガイギー社製）を実施例１と同様の
基板上にスピンナーコーティングした。

エポキシ樹脂を硬化させるために１２０℃、ｌｈｒ、の
条件で硬化させ、膜厚１５μｍの樹脂層を形成し、その
樹脂層表面上に実施例１と同様の低真空状態で基板を室
温状態で蒸着した結果、アモルファスセレンが絶縁層上
に形成された。

次に蒸＠装置より取り出し、そのアモルファスセレン粒
子層上に、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ・ツビコー
ル２１０、亜南香料社製）の５％クロロホルム溶液を使
用してスピンナーコート（１０００ｒｐｍ　Ｘ　３０ｓ
）塗布し、６０℃、ｌｈｒ乾燥後、１０μｍの膜厚の電
荷輸送層を得て、本発明における静電画像記録媒体を形
成した。

〔実施例３〕 樹脂層としてＵＶ硬化性樹脂である変性アクリレート樹
脂（シＤＡＬ−３Ｂ３：大日精化）を実施例１と同様の
基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐ■×２
０ｓ）シて、紫外線ランプ（３６５ｎｍピークランプ）
を５０＋＊Ｊ／ｃｍ”の露光量で照射し、樹脂層を硬化
させた０次いで実施例２と同様の低真空条件下でセレン
蒸着を行った。その結果樹脂層は８μｍ、セレン層はア
クリレート樹脂層表面に単層で、粒子径平均０．３　μ
ｍ積層された。

次に蒸着装置より取り出し、そのアモルファスセレン粒
子層上に、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ　・ノビコ
ール２１Ｏ１亜南香料社製）の５％クロロホルム溶液を
使用してスピンナーコート（１０００ｒｐｍ　ｘ　３０
ｓ）　塗布し、６０℃、ｌｈｒ乾燥後、１０μｍの膜厚
のｉｌ！荷輸送層を得て、本発明における静電画像記録
媒体を形成した。

〔実施例４〕 実施例１のポリビニルカルバゾールに代え、結晶セレン
粒子層上に、ヒドラゾン１！荷輸送剤（ＣＴ　Ｃ４９１
，１南香料社製）５ｇ、ポリカーボネート（ニーピロン
、日本ガス化学社製）５ｇを１．２−ジクロルエタン９
０ｇに溶解した溶液を使用してスピンナーコート（１０
００ｒｐｓＸｌｏｓ　）　塗布し、６０℃、ｌｈｒ乾燥
後、１０μｍの電荷輸送層を得た。

〔実施例５〕 実施例１と同様の条件で薄着用材料をセレンに代えて金
を使用して、坩堝による抵抗加熱により低真空蒸着を行
った。その結果平均粒子径０．２μｍの黒色の金微粒子
がシリコン樹脂表面上に単層状態で形成され、ついで実
施例１同様１０μｍの膜厚のポリビニルカルバゾールか
らなる電荷輸送層を積層し、導電性粒子タイプ°の内部
蓄積型静電画像記録媒体を得た。

〔実施例６〕 弗素フィルム（ＦＥＰフィルム：ダイキン工業）１２．
５μｍの片側に、Ａ１を１０００人蒸着レムものを基材
として、実施例２と同様の薄着条件でセレン粒子をフィ
ルム表面上に蒸着した結果、粒径約０゜４μｍの均一な
セレン粒子層が単層状で形成された。ついで実施例１同
様１０ＩＩｍの膜厚のポリビニルカルバゾールからなる
電荷輸送層を２００μｍのギャップ幅のブレードコータ
ーにてコーティングして形成した。

〔実施例７〕 実施例１のセレン蒸着において、蒸着時間を６０秒から
３００秒に増加した結果、シリコン樹脂層上に複数層状
に結晶セレンが形成された。これは光学顕微鏡により確
められた。後は同様の方法でポリビニルカルバゾールを
積層した。

〔実施例８〕 シリコン樹脂（ＴＳＲ−１４４：東芝シリコン社製、硬
化剤ＣＲ−１５，１％）を、キシレンで５０％に希釈し
た溶液を使用して、Ａ１を１０００人蒸着レムガラス基
１（１ｍ＋＊厚）上にスピンナーコーティング（１００
０ｒｐｍ　Ｘ　２０ｓ）　シた。その後１５０℃、ｌｈ
ｒ、の条件で溶媒乾燥、硬化させた結果、膜厚７μｍを
有するシリコン樹脂層を形成した。

次にロジンエステル樹脂（ステベライトエステル１０）
　１０ｇ、酸化亜鉛Ｌｏｇ（平均粒径１０．ｃａｍ）を
、ｉ−ブチルアルコール８０ｇに混合し、３００ｍ！ス
テンレス円筒状容器にガラスピーズ（３ｍｓφ）１００
ｇと共に入れた後、外蓋をし、振動型分散器（レッドデ
ビル）にて２ｈｒ、分散させた。その溶液を取り出し、
スピンナーコート（５００ｒｐｍ　、６０ｇ）でシリコ
ン樹脂上場酸化亜鉛分散層をコーティングし、６０℃、
３ｈｒ、乾燥した結果、分散層の膜厚は３μｍであった
。ついで実施例１同様１０μｍの膜厚の電荷輸送層を積
層した。

〔実施例９〕 実施例８で作製した酸化亜鉛樹脂分散溶液を直接、Ａｌ
蒸着基板上にホエラー（２００ｒｐｍ、　３０ｓ）でコ
ーティングし、その後６０℃、３ｈｒ、乾燥し、膜厚１
５μｍの酸化亜鉛分散樹脂層を積層した。ついでこの酸
化亜鉛分散樹脂層上に、実施例１同様１０μｍの膜厚の
電荷輸送層を積層し、分散型静電画像記録媒体が形成さ
れた。

〔実施例１０〕・・・単層系有機感光体（ＰＶに−ＴＮ
Ｆ）作製方法 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（１南香料（株）
製）、２，４．７−トリニトロフルオレノン１０ｇ、ポ
リエステル樹脂２ｇ（パインダ−：バイロン２００東洋
紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇ
の組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉｎｓｅｔ−Ｓ
ｎＯｇを約１０００人の膜厚でスパンターしたガラス基
板（ｌｎ厚）に、ドクターブレードを用いて塗布し、６
０℃で約１時間通風乾燥し、膜厚約１０μｍの光導電層
を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行うために、更
に１日自然乾燥を行って用いた。

〔実施例１１〕・・・アモルファスシリコンａＳｉ：Ｈ
無機感光体の作製方法 ■基板洗浄 ＳｎＯ，の薄膜感光体電極層を一方の表面に設けたコー
ニング社７０５９ガラス（２３Ｘ１６ＸＯ，９ｔ、光学
研磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各
液中、この順番に各々１０分ずつ超音波洗浄する。

■装置の準備 洗浄の済んだ基板を第１２図の反応室１０４内のアノー
ド１０６上に熱伝導が十分であるようにセントした後、
反応室内を１０−５Ｔｏｒｒ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１．５０　’　Ｃ〜３５０°Ｃで約１時間行い、焼出し
後装置を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）の堆積 ガラス基板が３５０’Ｃになるようにヒーターを１０８
１１整、加熱し、予めタンク１０１内で混合しておいた
Ｐ）（ｔ　／５ｉＨ４−１０００ｐｐ纏のガスをニード
ルバルブとＰＭＢの回転数を制御することによって反応
室１０４の内圧が２００ＩＩＴＯｒｒになるように流し
内圧が一定になった後、Ｍａ　ｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ　
１０３を通じて、４０ＷのＲｒ　Ｐｏｗｅｒ　１０２　
Ｎ３．５６ＫＨ２）を投入し、カソード・アノード間に
プラズマを形成する。堆積は４分間行い、ＲＣの投入を
止め、ニードルバルブを閉じる。

その結果、ブロッキング層を構成する約０．　２μｍの
ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎ’　）膜が基板上に堆積された。

■ａ−３ｉ　：）ｉの堆積 ５ｉＨａｌＯＯ％ガスを■と同じ方法で内圧が２００ｍ
Ｔｏｒｒになるように流し、内圧が一定になったところ
で、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘｌ　０３を通じて、４Ｏ
ＷのＲｆＰｏｗｅｒ　１０２　（１３，５６ＫＨｚ）を
投入し、プラズマを形成して７０分間維持する。

堆積終了はＲｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる
。Ｉ　Ｈｅａｔｅｒｌ　０８０ｆｆ後、基板が冷えてい
るから取り出す。

この結果、約１８．８．ｃｒｍの膜がａ−３ｉ　：Ｈ（
ｎ゛）膜上に堆積された。

こうして５ｎＯｚ　／ａ−５ｉ：Ｈ（ｎ’）ブロッキン
グ層／ａ−５ｉ　：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２０μｍの
感光体を作製することができた。

〔実施例１２〕・・・アモルファスセレン−テルル無機
感光体の作製方法 セレ、ン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が１３重盪％の
割合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−３ｅ
−Ｔｅ　Ｔｉｔ膜を真空度１０−’Ｔｏｒｒ、抵抗加熱
法でＩＴＯガラス基板上に１着した。膜厚は１μｍとし
た。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法
でＳｅのみの蒸着を行いａ　−３ｅ−Ｔｅ層上に１０μ
ｍ５−５ｅ層を積層した。

〔実施例１３〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電
荷発生層の形成方法） クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍｌ容積のステンレス容器
に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍｌを加え、
振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ　９−４）により、約
４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加え
約４時間撹拌する。この溶液をｌｎ、ｏ、−３ｎＯ□を
約１０００人スパッターしたガラス基板（１鶴厚）にド
クターブレードを用いて塗布し、膜厚約１μｍの電荷発
生層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１′−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ、ポリカーボ
ネート（ニーピロンＥ−２０００）０．　１　ｇ。

ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０μ
ｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０℃で２時間行った。

〔実施例１４〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチルＬｏｇにブチラール樹脂（接水化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
ＸＯ，塩、 １μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣｌ
　９１） ０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間攪拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は０．５ｇとを混合し、ドクターブレ
ードで上記電荷発生層上に塗布し、６０℃、２時間以上
乾燥させた。膜厚１０μｍ以下であった。

〔実施例１５〕 （電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（接水化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮ００１を３３ｇ５タフチミキサーで１
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ上に
塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜
は、膜Ｅ１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇをン容
解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、
６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μｍ以上で
あった。

Ｃ実施例１６〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離
型感光体の作製方法 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に、可溶性ポリアミド（
東亜合成化学、ＦＳ−１７５３Ｖ１０）をスピンコータ
ーにより０．５〜１μｍ塗布、６０℃、２時間以上乾燥
させた。

〔電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（接水化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣ１０ａ塩０．
５ｇ、ガラスピーズＮ０１１３３ｇとを混合し、タッチ
ミキサーで１日間攪拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の
被膜は、膜ｙｔ１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚１０μｍ
以下であった。

〔実施例１７） （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に、可溶性ポリ７ミ）’
（３に亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコ
ーターにより０．５〜１μｍ塗布、６０℃、２時間以上
乾燥させた。

（電荷発生ｙΦの形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チクニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮ０９１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間攪拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記１１尚注入防止層上に塗布し
、６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜
厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） ？８媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネ
ート（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ
、前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＬ９Ｌ）０
．５ｇをｉ８解し、ドクターブレードで、上記電荷発生
層上に塗布、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１
０μｍ以上であった。

〔実施例１Ｂ） （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ１比砥抗１
００Ω・ａｍ”）をスパッタリング法により蒸着させた
。

また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。

（を荷注入防止層の形成方法） 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。

膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。

（電荷発生層の形成方法） 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
量１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。

＜’ｔｉ荷輸送層の形成方法） 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。

〔実施例１９〕・・・静電画像記録、再生方法実施例１
０で作製した単層系有機窓光体（ＰＶに−ＴＮＦ）　１
と、実施例１で作製した静電画像記録媒体を、膜厚１０
μｍのポリエステルフィルムをスペーサーとし、静電画
像記録媒体における電荷輸送層面を上記感光体の光導電
層面に対向させて接地した０次いで両電極間に、感光体
側を負、樹脂層側を正にして、−７００Ｖの直流電圧を
印加する。

尚、アモルファスシリコン感光体の場合は、感光体側を
負、アモルファスセレン感光体の場合には正にして電圧
を印加するとよい。

電圧の印加状態で、感光体側より照度１０００ルツクス
のハロゲンランプを光源とする露光を１秒間行い、露光
終了後、静電画像記録媒体を取り出し、全面露光するこ
とにより静電潜像の形成が終了する。

この結果静電画像記録媒体上に一１００■の表面電位が
表面電位計により測定され、一方未露光部では表面電位
はＯ■であった。

また全面露光する前に暗所で静電画像記録媒体の表面電
位を測定した時には露光部で一１１Ｏ■の表面電位が測
定され、全面露光により電荷がセレン粒子中に蓄積され
ていることがわかった。

次に露光時に解像度パターンフィルムを感光体ガラス基
板側に密着させて同種の露光を行った後、第６図に示す
ように静電画像記録媒体を５０×５０μｍの微小面積表
面電位測定プローブ面でｘｙ軸ススキャニング行い、５
０μｍ単位の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝
度変換により拡大表示した結果、１００μｍまでの解像
度パターンをＣＲＴ上に確認できた。露光後、静電画像
記録媒体を室温２５℃、３５％の状態で３ケ月放置後、
同様の電位スキャニング読み取りを行った結果、露光直
後と全く変化のない解像度パターン表示が得られた。

また露光方法として、通常のカメラを使用し、−７００
Ｖの電圧印加状態で、露出ｆ−１，４、シャッタ−スピ
ード１／６０秒で、屋外昼間の複写体逼影を行った。露
光後、静電画像記録媒体を５０Ｘ５０μｍの微小面積表
面電位測定プロープ面でＸＹ軸ススキャニング行い、５
０μｍ単位の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝
度変換により拡大表示した結果、諧調性を有する画像形
成が行われた。

〔実施例２０〕 カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第１θ図に示すようにプリズムの３面上にＲｌＧ、　Ｂ
フィルターを配置し、それぞれの面に上記実施例１９で
使用したと同じ媒体をセントし、ｆ−１，４、シャンク
−スピード１７３０秒で被写体撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像各々を実施例１９と同様の方法でスキャ
ニングして読み取り、Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像に対応した螢光発
色をＣＲＴ上で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成
することによりカラー画像を得た。

〔比較例１〕 ロジンエステル樹脂（ステベライトエステル１０）Ｌｏ
ｇを、ｎ−ブチルアルコール９０ｇに溶解した溶液を用
いて八〇を１０００人蒸着レムガラス基板（Ｉ　Ｉｌｌ
＋ＪＥ）上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐ鍍
Ｘ９０ｓ）シた。そのｉ６０℃、ｌｈｒ、の条件で溶媒
を乾燥させ、膜厚２μｍを有する樹脂層を形成した。

【比較例２〕 シリコン樹脂（ＴＳＲ−１４４：東芝シリコン社製、硬
化剤ＣＲ−１５，１％）を、キシレンで５０％に希釈し
た溶液を使用して、ＡＺを１０００人蒸着レムガラスＴ
ｘＦＮ　（１ａｍ厚）上にスピンナーコーティング（１
０００ｒｐｓ　Ｘ　２０５）　した、その後１５０℃、
ｌｈｒ、の条件で溶媒乾燥、硬化させた結果、膜厚７μ
ｍを有するシリコン樹脂層を形成した。

〔実施例２１〕 実施例１〜９の静電画像記録媒体の電荷保持特性につい
て、その表面電位を時間経過で測定した結果は次の通り
である。尚比較例１、また比較例２のそれぞれの表面電
位の時間経過も同時に示した。

（以下余白） 〔発明の効果〕 本発明の静電画像記録媒体に蓄積された情報電荷は、そ
の樹脂層内部に電荷輸送層を介して埋めこまれた微粒子
に蓄積されるために、静電画像記録媒体表面に情報電荷
とは反対の電荷が近づく等の障害があっても安定であり
、しかも情報を文字、線画、画像、（０，１）情報等の
アナログ情報、またはデジタル情報の形で静電潜像とす
ることでき、高品質、高解像度の情報を蓄積できるもの
である。また粒子層を電荷輸送層の表面下０．５〜５０
ｐｍに蓄積することにより容易にその電荷電位を読み取
ることができ、また任意の時点で静電潜像の局部電位を
任意の走査密度で読み出し出力することができ、恰も銀
塩写真を撮影し、適当なときにその写真を光学走査して
再出力する如く、高画質の原画と任意時点での出力を行
うことができる静電画像記録媒体が得られる。

また本発明の静電画像記録媒体の記録再生方法は直接電
位検出するものであるので、現像手段のような物理的、
または化学的手段を必要としないので、安価で簡便な記
録再生システムとすることができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の静電画像記録媒体断面図、第２図は各
種のフレキシブル静電画像記録媒体を示す斜視図、第３
図は本発明における静電画像記録媒体への静電画像記録
方法を説明するための図、第４図は本発明における静電
画像記録媒体への静電画像記録方法の他の実施例を説明
するための図、第５図は直流増幅型の電位読み取り方法
の例を示す図、第６図は本発明の静電画像記録媒体を使
用した静電画像記録再生方法の概略構成を示す図、第７
図は色分解光学系の構成を示す図、第８図はカラー静電
潜像を形成する場合の説明図、第９図は微細カラーフィ
ルタの例を示す図、第１Ｏ図は微細カラーフィルタとフ
レネルレンズを組み合わせた例を示す図、第１１図はＮ
ＤフィルタとＲｌＧ、Ｂフィルタの併用による３面分割
を示す図、第１２図はａ−３ｉ：Ｈ感光体の作製方法を
説明するための図、第１３図は従来の静電画像記録媒体
における静電画像記録方法を説明するための図である。 １は感光体、３は静電画像記録媒体、５は光導電層支持
体、７は感光体電極、９は光導電層、１０は電位輸送層
、１１は樹脂層、１２は微粒子、１３は静電画像記録媒
体電極、１４は樹脂層欠落部、１５は樹脂層支持体、１
７は電源、１８はパターン露光、１９はコロナ帯電、２
ｏは全面露光、２１は電位読み取り部、２３は検出電極
、２５はガード電極、２７はコンデンサ。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外５名）箆２図 （ａ） （ｂ） （ｂ） 第２図 （Ｃ） （ｄ） （ａ） 第 図 （Ｃ） ！ＬＬ　ＬＬｉ＋　＋！　４４↓↓（（〜に＜ａ＞ 第７図 第８図 第１１図 第９図 第１０ 図 区姐は非五並旦司 第１３図 （Ｃ） ドクターブレードにて、上記電荷発生層上に塗、。 し、約１０μｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０℃で２
時間行った。 〔実施例１４〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化５ＬＥＣ）
０．２５ｇ、下記の構造式を有するズレニウムＣＺＯ，
塩、 ０．５ｇ、ガラスピーズＮ０１１３３ｇとを合し、タッ
チミキサーで１日間撹拌し、よく分させものをドクター
ブレード、またはアプリケターでガラス板上に積層した
ＩＴＯ上に塗布し６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾
燥後の膜厚１゜ ２゜ ３゜ ４゜ 手　続　争甫　正　書（方式） ％式％ 事件の表示　昭和６３年特許願第３１０４８４号発明の
名称　内部蓄積型静電記録媒体、及び静電画像記録方法 補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　　所　東京都新宿区市谷加賀町−丁目１番１号名　
　称　（２８９）大日本印刷株式会社代表者北島義俊

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極上に絶縁層を積層し、該絶縁層上に光導電性
   微粒子、または導電性微粒子が単層状、もしくは複数層
   状に積層され、更に該微粒子層上に一方の電荷を主体的
   に輸送する機能を有する電荷輸送層が順次積層されたこ
   とを特徴とする内部蓄積型静電画像記録媒体。
2. （２）前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
   と、後面に電極が設けられ、該電極上に電極上に絶縁層
   を積層し、該絶縁層上に光導電性微粒子が単層状、もし
   くは複数層状に積層され、更に該微粒子層上に一方の電
   荷を主体的に輸送する機能を有する電荷輸送層が順次積
   層された内部蓄積型静電画像記録媒体とを接触、または
   非接触に対向させて配置し、上記電荷輸送材料の輸送電
   荷と同極性の電荷パターンを静電画像記録媒体表面に形
   成するように電圧を印加しつつパターン露光し、次いで
   静電画像記録媒体を全面露光することを特徴とする静電
   画像記録方法。
3. （３）前面に電極が設けられた光導電層からなる感光体
   と、後面に電極が設けられ、該電極上に電極上に絶縁層
   を積層し、該絶縁層上に導電性微粒子が単層状、もしく
   は複数層状に積層され、更に該微粒子層上に一方の電荷
   を主体的に輸送する機能を有する電荷輸送層が順次積層
   された内部蓄積型静電画像記録媒体とを接触、または非
   接触に対向させて配置し、上記電荷輸送材料の輸送電荷
   と同極性の電荷パターンを静電画像記録媒体表面に形成
   するように電圧を印加しつつパターン露光することを特
   徴とする静電画像記録方法。