JPH02245766A - アモルファスシリコン感光体及び静電画像記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧印加時露光により電荷保持媒体に露光量
に応じた静電荷パターンを形成する静電画像記録方法に
おいて使用するアモルファスシリコン感光体（以下、ａ
−３ｔ悪感光ともいう）に関し、その露光部と未露光部
におけるコントラスト比の改良された感光体に関する。

〔従来の技術〕

従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、邊影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。

また、ＴＶ撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
ＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法がある
。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。

ＴＶｉｌ影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り
出し、また記録するためには線順次走査が必要となる。

線順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録で
は磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するた
め、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく
劣化する。

また、近年発達しつつある固体撮像素子＜ＣＣＤ等）を
利用したＴ　Ｖ　Ｉｌｌ像系も解像性に関しては本質的
に同様である。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品賞、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明者は、先に前面に電極が設けられた光導電層とし
てアモルファスシリコンを使用した感光体と、該感光体
に対向し、後面に電極が設けられた電荷保持層からなる
電荷保持媒体とを光軸上に配置し、両電極間に電圧を印
加しつつ露光することにより入射光学像に応じた静電潜
像を電荷保持媒体上に形成する静電画像記録方法を出願
（特願昭６３−１２７５５２号）した。

アモルファスシリコンは、 ■、光キャリアーの生成効率がよい。

■、一般に光キャリアーの生成効率は、電界強度に依存
するが、アモルファスシリコンは広い電界強度範囲での
光吸収性能が高く、かつ光キャリアーの生成効率が一定
している。

■、広い光波長領域での光吸収性能を有している。

等の優れた光導電層形成材料である。

しかしながら、アモルファスシリコンの誘電率ハ、有機
光導電層材料の３、アモルファスセレンの７に比して１
２〜１３と高く、静電画像記録方法において電荷保持媒
体と組み合わせて使用される場合、感光体への電圧配分
が少な（なり、空気ギアフプに高い電圧がかかるという
問題を有している。そのため像電荷が放電また空気層の
イオン化により電荷保持媒体に蓄積される際に、未露光
部におけるカブリ現象が大きく、露光部と未露光部での
コントラスト比が低くなるという問題がある。

本発明は上記課題を解決するためのもので、カブリ現象
をなくし、電荷保持媒体における露光部と未露光部での
コントラスト比の改良された感光体の提供をｉＩ！題と
する。

（課題を解決するための手段） 本発明のａ−３ｔ悪感光は、電極上にアモルファスシリ
コンからなる電荷発生層を単層又は複数層状に設け、更
に該電荷発生層上面にアモルファスシリコンより誘電率
が小さい電荷輸送層を積層したことを特徴とする。

また本発明の静電画像記録方法は、前面に電極が設けら
れ、該電極上にアモルファスシリコンからなる電荷発生
層を単層又は複数層状に設け、更に該電荷発生層上面に
アモルファスシリコンより誘電率が小さい電荷輸送層を
積層した感光体と、後面に電極が設けられた電荷保持層
からなる電荷保持媒体とを対向させ、接触又は非接触で
配置し、両電極間に電圧印加時露光し、電荷保持媒体に
露光パターンに対応する静電荷パターンを形成すること
を特徴とする。

まず、本発明のａ−３１感光体について説明する。

第１図は本発明の感光体の概略を示す断面図で、図中１
は感光体、５は感光体支持体、７は感光体電極、９はａ
−３ｔ光導電層、１０は電荷輸送層である。

本発明の感光体は、まず支持体上に積層された電極層上
に、ａ−Ｓｉ層をＣＶＤ法、スパッター法等により積層
し、次いで電荷輸送層としてアモルファスシリコンより
誘電率の小さい電荷輸送特性を有する光導電材料を積層
することにより形成される。

又、必要に応じて電極層とａ−５ｔ層の間に電極からａ
−５１層への電荷注入を阻止あるいは低減させるために
、ＳｔＣヨ、ＳｉＮ、ＳｔＣ，Ａｌ、０１等のブロッキ
ング層を１００〜３０００人程度設けてもよい、− 又同様の効果を整流効果を利用して行ってもよく、その
場合、ａ−３ｔ層がＮ型であればＰ型のａ−Ｓｔ整流層
、ａ−３１層がＰ型であればＮ型のａ−Ｓｉｌｌ流層を
設ける。この場合整流層の膜厚はブロンキング厚程厳密
でな（でも良く０．１μｍ〜５μｍ程度の範囲で使用す
ることができる。

ａ−３１層は電荷発生層として機能する層であり、シラ
ンガス、水素ガス、また必要に応じて後述する不純物等
を共に低真空中（１０−”〜Ｉ　Ｔｏｒｒ）に導入し、
グロー放電により基板加熱を行いながら基板電極上に堆
積して成膜するか、加熱した基板電極上に熱化学的に反
応形成するか、或いは固体原料を水素ガス雰囲気中での
スパッタ法により成膜し、単層、或いは複数層に積層さ
れる。

感光体電極の極性がプラスの場合にはＰ型としホール輸
送型とするとよく、上記不純物としてＢ２Ａ１、Ｇａ、
Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングする。また、マイナスの場合
にはＮ型とし、電子輸送型とするとよ＜、燐、銀、アン
チモン、ビスマス等をドーピングするとよい。

しかし、アモルファスシリコンの場合、ドーピングガス
を導入しなくても、本来電子、ホール共輸送機能が優れ
ているため、ノンドープで使用可能である。

電荷輸送層は電荷発生層で生成された光キャリアーの輸
送性を有するもので、本発明では感光体電極の極性に応
じてホール輸送性、又は電子輸送性とする必要がある。

感光体電極がプラスの時には、ホール輸送性のよいアモ
ルファスセレン、また有機感光材料例えばヒドラゾン系
、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサゾ
ール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系、
トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等を使用す
るとよい。

形成方法としては、ａ−３ｓの場合には、電荷発生層上
に、蒸着、スパッタ法等により形成することができ、ア
モルファスセレン、アモルファスセレンテルル、アモル
ファス砒素セレン化合物（ａ−ＡｓｇＳｅｓ）　、アモ
ルファス砒素セレン化合物（ａ−ＡａｓＳ＠ｓ）　　＋
テルル等を、単層、または複層、または各種アモルファ
スセレンを組み合わせ積層するとよい、また有機感光材
料の場合には溶剤に溶かし電荷発生層上にスピンナーコ
ーティング法等により塗布するとよい。

感光体電極がマイナスの場合には、電子輸送性のよい酸
化亜鉛、硫化カドミウム、有機電荷輸送材料としてポリ
ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）−２−４−７）リニトロ
フルオレノン（ＴＮＦ）の電荷移動錯体等を使用すると
よく、その形成方法としてはコーティング法、或いはＣ
ＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｌｏｎ　）で作製される。コーティング法としては、
硫化亜鉛粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に
分散させ、溶媒を添加して電荷発生層上にコーティング
するか、またはジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金
属を酸素ガスと共に低真空中（１０−”〜ｌ　Ｔｏｒｒ
）で混合し、加熱（１５０℃〜４００℃）した電荷発生
層上で化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させるとよ
い。

なお塗布法を使用する場合にはバインダーとしてシリコ
ーン樹脂、スチレン−ブタジェン共重合体樹脂、エポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、飽和又は不飽和ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂
、フェノール樹脂、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭ
ＭＡ）樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂等を電荷輸
送材料１部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易い
ようにする。

膜厚としてはａ−３部層を０．１〜１０μｍ、電荷輸送
層を１０〜５０μｍの膜厚とするとよい。

このようにして形成された光導電層９上には放電強化層
が形成されてもよい、放電強化材料としてはＢａＯｓ　
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ５ＣｅＢ、、　ＣｓＳｂ％５ｂ
−Ｒｂ　−Ｃｓ　ｓ＾ｇ−０−Ｃｓ　、　Ｗ−Ｔｈ−Ｔ
ｉＣ、ＴＩＯ、Ｙ＊Ｏｓ、ＬａｔＯｓ　、ＤＶｘＯｓ　
、Ｔｈ０１等を使用する。

この放電強化層は、光導電層９面上に蒸着法、スパッタ
法、プラズマＣＶＤ法、またバインダー中に分散させコ
ーティングする方法等の通常の薄膜形成手段により形成
され、その膜厚は５０人〜５０００人とするとよく、特
に１００人〜１０００人とすることが望ましい。

感光体支持体５としては、感光体を支持することができ
るある程度の強度を有していれば、厚み、材質は特に制
限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィルム、
金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、金属板
（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用される。

但し、感光体側から光を入射して情報を記録する装置に
用いられる場合には、当然その光を透過させる特性が必
要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側から入
射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ程度の
透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム、シー
トが使用される。

感光体電極７は、感光体支持体５に金属のものが使用さ
れる場合を除いて感光体支持体５上に形成され、その材
質は比抵抗値が１０６Ω・Ｃ−以下であれば限定されな
く、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である。

このような感光体電極７は、感光体支持体５上に、蒸着
、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツキ、デ
ィッピング、電解重合等により形成される。またその厚
みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、および
情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば、１００〜３０００人
程度である。この感光体電極７も感光体支持体５と同様
に、情報光を入射させる必要がある場合には、上述した
光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（４００〜
７００ｎｍ）であれば、Ｉ　Ｔｏ　（ｒｎ＊０ｓ−５ｎ
Ｏ１）　、Ｓ　ｎ　Ｏｘ等をスパッタリング、蒸着、ま
たはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ化してコ
ーティングしたような透明電極や、Ａｕ、ＡＩ、Ａｇ、
Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリングで作製する
半透明電極、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ〉、
ポリアセチレン等のコーティングによる有機透明電橋等
が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

また光の入射面には反射防止膜を形成するとよい、この
反射防止膜はフン化マグネシウム、酸化チタン等の無機
材料を蒸着、スパッター法で単層あるいは積層して形成
することができる。

次ぎに本発明の静電画像記録方法について、第２図によ
り説明する０図中、１は感光体、３は電荷保持媒体、１
１は電荷保持層、１３は電荷保持媒体電極、１５は電荷
保持媒体支持体、１７は電源である。

本発明の感光体により静電潜像が形成される電荷保持媒
体３は、電極１３上に電荷保持層１１を積層することに
より形成され、電荷保持層１１は電荷の移動を抑えるた
め高絶縁性の高分子材料からなるものであり、比抵抗で
１０′４Ω・Ｃ１１以上の絶縁性を有することが要求さ
れる。また電荷保持層を構成する高分子材料としてはそ
のガラス転移温度が使用環境温度以上であることが必要
である。

このような高分子材料は、樹脂としては熱可塑性樹脂、
或いは熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性
樹脂等のエネルギー線硬化樹脂、或いはエンジニアリン
グプラスチック等を使用することができ、熱可塑性樹脂
としては例えば弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエ
チレン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエ
チレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体
、またそれらのディスバージランタイプ、または変性タ
イプ（コーティングタイプ）、またポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリバラキシリレン等を使用し、電荷保
持媒体ｔｗｉＡ上にコーティング、蒸着することにより
層形成されるものである。

第２図においては、このような電荷保持媒体３に本発明
の感光体１側から露光を行い電荷保持媒体上に静電潜像
を形成させる態様を示す。

感光体１に対して、１０ＩＪｍ程度の空隙を介して電荷
保持媒体３が配置される。電荷保持媒体３は、１ｍ厚の
ガラスからなる電荷保持層支持体１５上に１０００人厚
のＡ１電極を蒸着し、この電極上に１０μｍ厚の電荷保
持層１１を形成したものである。

まず、同ｖ！Ｊ（イ）に示すように感光体ｌに対して、
１０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし
、同図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、ｔｉ間には何の変化も生じない、感光体
１側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、電荷保持層１１との間に放電が生じ
、電荷保持層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、同図（ハ）に示すように電圧をＯＦ
Ｆにし、次いで同図（ニ）に示すように電荷保持媒体３
を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する。

このようにして画像が情報電荷として蓄積されるがこの
電荷保持層上に絶縁性保護膜を積層するとよく、これに
より情報電荷は明所、暗所に関係なく放電せず長期間保
存される。情報電荷は単に表面に蓄積させる場合もあり
、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その物
質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合も
あるので長期間の保存が行われる。

本発明の電荷保持媒体への情報入力方法としては、高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず高解像度静電カメラは、通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに、感光体と電荷
保持媒体とにより記録部材を構成し、画電極へ電圧を印
加し、入射光に応じて光導電層を導電性として入射光量
に応じて電荷保持層上に電荷を蓄積させることにより入
射光学像の静電潜像を電荷蓄積媒体上に形成するもので
、機械的なシャッタも使用しうるし、また電気的なシャ
フタも使用しうるものである。また静電潜像は明所、暗
所に関係なく長期間保持することが可能である。またプ
リズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成分に分離し、平
行光として取り出すカラーフィルターを使用し、Ｒ，Ｇ
、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツトで１コマを形成する
か、またはｌ平面上にＲ，Ｇ、Ｂ像を並べて１セフ）で
１コマとすることにより、カラー撮影することもできる
。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセントするとよい、
この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である１画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光（７）ＯＮ−ＯＦＦ１１
１１ニヨＪｌ）行う、また画像において網点形成される
ものには、レーザー光にドントジェネレータ−ＯＮ−Ｏ
ＦＦＭ′４′ｎをかけて形成するものである。

次ぎに記録された静電画像の再生方法について説明する
。

第３図は本発明の電荷保持媒体の静電画像再生方法にお
ける電位読み取り方法の例を示す図で、第１図と同一番
号は同一内容を示している。なお、図中２１は電位読み
取り部、２３は検出電極、２５はガード電極、２７はコ
ンデンサ、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１を電荷保持媒体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極２３に電荷保持媒体３の電荷保持
層１１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し
、検出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電
荷が生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコン
デンサ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄
積電荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読
むことによって電荷保持体の電位を求めることができる
。そして、電位読み取り部２１で電荷保持媒体面上を走
査することにより静電潜像を電気信号として出力するこ
とができる。なお、検出電極２３だけでは電荷保持媒体
の検出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界（
電気力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極の
周囲に接地したガード電極２５を配置するようにしても
よい、これによって、電気力線は面に対して垂直方向を
向くようになるので、検出電極２３に対向した部位のみ
の電気力線が作用するようになり、検出電極面積に略等
しい部位の電位を読み取ることができる。電位読み取り
の精度、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ
、及び電荷保持媒体との間隔によって大きく変わるため
、要求される性能に合わせて最適条件を求めて設計する
必要がある。

また電荷保持媒体における像電荷を、反射防止膜を設け
た電荷保持媒体電橋側からレーザー光等を照射し、電気
光学結晶を介して情報として再生してもよい、この場合
電荷保持媒体はその構成材料は透明材料で形成する必要
がある。また電気光学結晶はその光路中に配置するとよ
く、このような電気光学結晶としてはチタン酸バリウム
、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａ０ｓ）等電気光学効果
を有するものを使用するとよい。

第４図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、６１は電位読み取り装置、６３は増幅器、６５はＣＲ
Ｔ、６７はプリンタである。

図において、電位読み取り装置６１で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器６３で増幅してＣＲＴＳ５で表示し
、またプリンタ６７でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。

また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。

〔作用〕

本発明の感光体は電荷保持媒体と共に使用され、電圧印
加時露光し、電荷保持媒体に露光パターンを静電荷とし
て記録させるものであるが、感光することにより感光体
における光導電層で生成される光キヤリア−（例えばホ
ール）が電荷保持媒体との電界に引かれて移動し、光導
電層表面に達し、感光体と電荷保持媒体の空気ギャップ
で放電現象、または空気層をイオン化する現象を生じ、
ｍＡ保持媒体に露光量に応じた像情報を静電荷の形とし
て記録することができるものである。

本発明のａ−３ｔ悪感光は光導電層として電荷発生性能
の優れたａ−３ｔを使用すると共に、電荷輸送層として
低誘電率の感光材料を使用することにより、電荷保持媒
体と対向させ電圧印加時露光する際に、感光体への電圧
配分が低誘電率の電荷輸送層により高（取れ、これによ
り空気ギャップに高電圧を印加することを避けることが
できるものである。そのため電荷保持媒体における未露
光部でのカプリ現象を低減することができ、未露光部と
のコントラスト比の高い露光部での静電画像を得ること
ができるものである。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕 ガラス基板（１ｍｓ厚）上に、ＩＴＯ透明電極を１００
０人、更にＳ　ｉ　Ｎｍ縁膜を１０００人、スパッタ法
で設け、その電極上にアモルファスシリコン層をプラズ
マＣＶＤ法により以下の条件で１．５μｍの膜厚に積層
して電荷発生層を形成した。

条件：ガス　ＳｉＨ４１０％Ｈ１希釈ガス、流量　８０
ｃｃ／ｗｉｎ　。

基板温度　２５０℃、 高周波電圧１００Ｗ　（１３，５６ＭＨｚ＞真空度　０
　、　　Ｉ　Ｔｏｒｒｓ 電極間距離　５ｃｍ 堆積時間　２ｈｒ 次いで、このアモルファスシリコン層上にａ−３ｅ層を
２０μｍ、真空蒸着法（１０−’Ｔｏｒｒ、砥抗加熱）
により積層して電荷輸送層とし、本発明の感光体１を作
製した。

一方ＡＮを１０００人蒸着レムガラス基板（１−厚）に
、シリコン樹脂溶液（ＴＳＲ−１４４、ＣＲ−１５，１
％；東芝シリコン社製）をスピンナーコーティング法（
１０００ｒｐｍ　Ｘ３０ｓ）で塗布し、１５０℃、１時
間乾燥させ、７μｍの膜厚の電荷保持層を有する電荷保
持媒体３を作製した。

この感光体と１！荷保持媒体とを第２図に示すように対
向させ、１０μｍの空気ギャップをＰＥＴフィルム１０
μｍのスペーサにより形成し、両電極間にＩＴＯ側を正
極とじ７５０■の電圧印加を行い、その状態でｌＯルッ
クスのハロゲンランプ光を１秒間パターン露光し、露光
終了と同時に電圧もＯＦＦとした。

露光終了後、電荷保持媒体を取り出し、その表面電位を
測定したところ、露光部では＋３５０ｖの電位が測定さ
れ、又未露光部では電位は＋１３０ｖであった。

〔実施例２〕 実施例１におけるアモルファスシリコン層上に、ポリビ
ニルカルバゾール（亜南香料■製）と２．４．７−トリ
ニトロフルオレン（純生化学工業■製）をモル比で１：
１としたものを５重量％（固形分）クロロホルム溶液を
使用しドクターブレード（ギヤツブ巾２００μｍ）によ
り塗布し、６０℃、１時間乾燥し、１５μｍ膜厚の電荷
輸送層を形成し、感光体を作製した。

実施例１と同様の電荷保持媒体を使用して実施例１と印
加電圧の極性を逆にして他は同様に静電画像記録を行い
その表面電位を測定したところ、露光部では一４００ｖ
の電位が測定され、又未露光部では電位は一１１０Ｖで
あった。

〔比較例〕

実施例１における光導電層としてアモルファスシリコン
層のみの１０μｍ感光体を使用し、実施例同様に静電画
像記録を行ったところ、電荷保持媒体における露光部で
は一４５０■、未露光部では一４４０ｖであり、露光部
と未露光部でのコントラスト比が鮮明ではないものが得
られた。

〔発明の効果〕

本発明のａ−３Ｌ悪感光は、低誘電率の電荷輸送層をａ
−３ｔ電荷発生層上に積層することにより形成されるの
で、電荷保持媒体と組み合わせた静電画像記録方法に使
用される場合、未露光部でのカブリ現象を低減すること
ができ、露光部と未露光部でのコントラスト比の高い静
電画像を電荷保持媒体に得ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光体の断面図、第２図は本発明の感
光体を使用した静電画像記録方法を説明するための図、
第３図は直流増幅型の電位読み取り方法の例を示す図、
第４図は静電画像再生の概略構成を示す図である。 図中１は感光体、３は電荷保持媒体、５は感光体支持体
、７は感光体電極、９は光導電層、ＩＯは電荷輸送層、
１１は電荷保持層、１３は電荷保持媒体電極、１５は電
荷保持媒体支持体、１７・・・電源を示す。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　内１）亘彦（外５名）第２図 （ハ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極上にアモルファスシリコンからなる電荷発生
   層を単層又は複数層状に設け、更に該電荷発生層上面に
   アモルファスシリコンより誘電率の小さい電荷輸送層を
   積層したことを特徴とするアモルファスシリコン感光体
   。
2. （２）前面に電極が設けられ、該電極上にアモルファス
   シリコンからなる電荷発生層を単層又は複数層状に設け
   、更に該電荷発生層上面にアモルファスシリコンより誘
   電率の小さい電荷輸送層を積層した感光体と、後面に電
   極が設けられた電荷保持層からなる電荷保持媒体とを対
   向させ、接触又は非接触で配置し、両電極間に電圧印加
   時露光し、電荷保持媒体に露光パターンに対応する静電
   荷パターンを形成することを特徴とする静電画像記録方
   法。