JPH03231754A - a―セレン―テルル感光体及び静電情報記録方法 - Google Patents

a―セレン―テルル感光体及び静電情報記録方法

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JPH03231754A
JPH03231754A JP2028694A JP2869490A JPH03231754A JP H03231754 A JPH03231754 A JP H03231754A JP 2028694 A JP2028694 A JP 2028694A JP 2869490 A JP2869490 A JP 2869490A JP H03231754 A JPH03231754 A JP H03231754A
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JP
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tellurium
selenium
charge
photoreceptor
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Koji Ichimura
公二 市村
Minoru Uchiumi
内海 実
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高感度感光体と、その感光体を使用した静電情
報記録方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、高感度撮影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤(
印画紙等)を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管(以下CRT)に再現させる等により行わ
れている。
また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷(または同極性の電荷)を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。
また、TV撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
CRTに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ言己
録し、任意の時にCRT上に像出力させる等の方法があ
る。
〔発明が解決すべき課題〕
銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー(CRT出
力)等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。
電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。
TV撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。
また、近年発達しつつある固体撮像素子(CCD等)を
利用したTV撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。
これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。
本発明者は、先に前面に電極が設けられた光導電層から
なる感光体と、該感光体に対向し、後面に電極が設けら
れた電荷保持層からなる電荷保持媒体とを光軸上に配置
し、両電極間に電圧を印加しつつ露光することにより入
射光学像に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成する
静電情報記録方法を出願(特願昭63−121592号
)したが、感光体における光導電層としてアモルファス
セレン層(a−3e層)を使用する場合、赤色感度が弱
いという課題を有している。
a−セレンは、一般に光照射下で正電荷発生物質として
、また正電荷(ホール)輸送性を有する物質であること
が知られているが、長波長領域での吸収特性がなく、そ
のためテルルをドーピングして使用に供されている。
しかしながらテルル自体導電性物質であり、直接電極層
上にテルル含有a−セレン層が積層されると電荷発生層
中への正電荷の注入や電荷発生層で発生した光キャリア
ーの拡散が生じ、暗電流の増加−カブリ電位が高くなる
という問題がある。
本発明は上記課題を解決するためのもので、カブリ電位
が低く、高品質、高解像で、処理工程が簡便であり、ま
た長時間の記録が可能で、記憶した文字、線画、画像、
コード、(1,0)情報は目的に応じた画質で任意に反
復再生することができるa−セレン−テルル感光体及び
静電情報記録方法の提供を課題とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、透明電極層上に電荷注入防止層、電荷発生層
、電荷輸送層が順次積層され、該電荷発生層がa−セレ
ンとテルルの混合蒸着層(以下、a−セレン−テルル層
という)により形成された感光体において、該a−セレ
ンーテルル層が、透明電極層側にはテルル成分を実質的
に含有しないa−セレン層、次いで層幅方向にテルル成
分を多く含有させるように濃度勾配を付けて形成された
ことを特徴とする。
また上記テルル成分を実質的に含有しないaセレン層の
膜厚が50Å〜100OAであることを特徴とするもの
である。
更に本発明の静電情報記録方法は、透明電極層上に電荷
注入防止層、実質的にテルル成分を含有しないa−セレ
ン層、層幅方向にテルル成分を濃度勾配を有して含有さ
せたa−セレンとテルルの混合蒸着層、電荷輸送層を順
次積層した感光体と、電極層と電荷保持層からなる電荷
保持媒体とを該電荷保持層面と感光体における電荷輸送
層面とを対向させて光軸上に配置し、両電極間に電圧印
加しつつ露光し、入射光学像に応じた静電潜像を電荷保
持媒体上に形成することを特徴とする。
以下、本発明の感光体及び静電情報記録方法について詳
細に説明する。
第1図(a)は本発明の感光体の断面図、同図(b)は
、同図(a)におけるa−セレン−テルル層の膜厚方向
におけるテルル濃度分布を説明するための図で、図中1
は感光体、5は透明支持体、7は透明電極、8は電荷注
入防止層、9はa−セレン−テルル層、10は電荷輸送
層である。
まず第1図(a)に示すように、本発明の感光体は、透
明支持体5上の透明電極7上に、電荷注入防止層8を介
して電荷発生層として実質的にテルル成分を有しないa
−セレン層及びa−セレンテルル層9が積層され、その
電荷発生層上に発生した電荷を電界の存在下輸送する機
能を有する電荷輸送層が更に積層されたものである。
電荷注入防止層上に設けられる電荷発生層は、光照射下
で光キャリアーとなる電荷を発生するものであり、本発
明におけるa−セレン−テルル層は特に長波長領域での
光吸収性を有し、それによる光キヤリア−(ホール)を
発生し、電界存在下光キャリアーが層幅に移動すること
ができるものであり、特に電界が存在する場合にその効
果が顕著である層であるが、この電荷発生層を電荷注入
防止層上に直ちにa−セレン−テルル層を形成すると、
その理由は明確ではないが暗電流が増大することを見出
し、a−セレン−テルル層を電荷発生層として形成する
際に、その層幅方向にまずテルル成分を含有しないa−
セレン層、次いでテルル成分の含有量を濃度勾配をつけ
て積層すると、暗電流の発生を防止しうろことを見出し
た。
テルル成分に濃度勾配をつけるには、セレン、テルルを
真空蒸着装置におけるそれぞれの2つの独立した坩堝に
入れ、それぞれの蒸着速度を独立してモニターしつるよ
うにする。そして予めセレン、テルルそれぞれの蒸着速
度の比とa−セレン−テルル蒸着膜組成との相関を求め
ておき、それぞれの蒸着速度を制御すれば、容易に蒸着
膜におけるテルル濃度を容易にコントロールすることが
できる。
第1図(b)は、その濃度分布の一例を示すものである
が、まずa−セレンのみを50Å〜1000人、好まし
くは300Å〜500人の膜厚に蒸着させるものである
。このテルル成分を実質的に含有しない層の膜厚は、5
0人より小さいと感光体として使用した場合の暗電流が
大きくなるので好ましくなく、また1000人を越える
と光透過性が小さくなり、電荷発生層に光吸収させるこ
とが困難となる。尚、このテルルを実質的に含有しない
層においては、テルル成分を10重量%以下であれば含
有していてもよく、暗電流値との関係で適宜その含有量
は定められる。
次いで、セレンの蒸着を継続しつつテルルの蒸着量を徐
々に増大させ、テルル含有量を最大50重量%となるよ
うに蒸着させる。a−セレン−テルル層におけるテルル
含有量を最大濃度で含有させた後には、感光体電極側か
らの光透過性との関係で実質的にテルル濃度を濃くして
おく必要はなく、またこの電荷発生層上に更に積層され
る電荷輸送層との接合をはかるために、a−セレン−テ
ルル層におけるテルル濃度を減少させて積層していき、
再度テルル成分が0重量%となるように濃度を減少して
形成するとよい。
電荷発生層におけるa−セレンは波長630nm以下の
光に吸収を示すのに対して、テルル成分は波長600〜
800 nmの光も十分に吸収を示すものである。
またテルルの含有量を最大とする膜厚は光入射量との関
係で適宜室められる。
次に、透明電極上に設けられる電荷注入防止層8は、電
界の存在下電極から電荷が注入され、露光していないに
もかかわらず恰も露光したような帯電を防止するために
設けられるもので、5102、Al 203 、Sac
 SS+8層を蒸着、スパッター、グロー放電法等によ
り膜厚0601μm〜10μmに設けられる。
また電荷注入防止層を、その電極極性とは逆の電荷輸送
性を有する物質で形成し、整流効果により所望の電荷注
入防止効果を奏するようにしてもよい。本発明の電荷発
生層は主にホール発生性を有するものであるので、電界
の存在下電子輸送性を有する、例えばP、N、As、5
bSBi等をドープしたアモルファスシリコン光導電層
をグロー放電、蒸着、スパッタリング、CVD法等によ
り形成してもよいし、またZnO光導電層等をコーティ
ング等の方法により形成してもよく、0゜1μm〜10
μm程度の膜厚に形成してもよい。
また電荷輸送層は、電圧印加状態で電荷輸送性を有する
ものであり、本発明においてはホール輸送性材料により
形成される。このような電荷輸送層としては硼素、アル
ミニウム、インジウム等をドーピングしたa−シリコン
層、またa−セレン層をグロー放電法、蒸着法、スパッ
リング法、CVD法等により積層するか、またオキサジ
アゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、スチ
ルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニルメ
タン、トリフェニルメタン類、アジン類、アミン類、芳
香族アミン類等の有機光導電材料を樹脂中に分散させ、
ブレードコーター等によるコーティング法等により積層
し、膜厚5μm〜50μmに形成される。本発明におい
て特に好ましくは、a−セレン−テルル層の積層に続い
て、a−セレンをそのまま使用することが好ましい。
感光体支持体5としては、感光体を支持することができ
るある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは特
に制限がなく、また感光体側から光を入射するものであ
るので、厚み1mm程度の透明なガラス板、或いはプラ
スチックのフィルム、シートが使用される。
透明電極7は、透明支持体5上に形成され、その材質は
比抵抗値が106Ω・cm以下であれば限定されなく、
膜厚100Å〜3000人で積層される。情報光が可視
光(400〜700nm)であれば、IT○(In20
3−3n02) 、S n 02等をスパッタリング、
蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にインキ
化してコーティングしたような透明電極や、Au、AI
、Ag、NiXCr等を蒸着、またはスパッタリングで
作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(TC
NQ)、ポリアセチレン等のコーティングによる有機透
明電極等が使用される。
また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、支持体材料が紫
外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス等
)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過す
る材料が好ましい。
このようにして本発明の感光体は形成されるが、電荷輸
送層上に放電強化層を積層することにより、−層その放
電能を強化することができる。放電強化層材料としては
、電子放出特性の高いBaO、CaO、SrO、MgO
、CeL、5b−Rb−[:s、 Ag−0−Cs 、
 WTh、 T+C1T+0 、Y2O3、LaJ3、
Dy2O3、Th0a等の金属化合物、もしくは金属酸
化物が使用される。
このような放電強化層は、電荷輸送層上面に蒸着法、ス
パッタ法、プラズマCVD法、またバインダー中に分散
させコーティングする方法等の通常の薄膜形成手段によ
り形成され、その膜厚は50Å〜5000人とするとよ
く、特に100Å〜1000人とすることが望ましい。
次ぎに、本発明の静電情報記録方法について、第2図に
より説明する。図中、1は感光体、3は電荷保持媒体、
5は感光体支持体、7は感光体電極、8は電荷注入防止
層、9はa−セレン−テルル層、10は電荷輸送層、1
1は電荷保持層、13は電荷保持媒体電極、15は電荷
保持層支持体、17は電源である。
本発明の感光体により静電潜像が形成される電荷保持媒
体3は、電極13上に電荷保持層11を積層することに
より形成され、電荷保持層11は電荷の移動を抑えるた
め高絶縁性の高分子材料からなるものであり、比抵抗で
10140・cm以上の絶縁性を有することが要求され
る。また電荷保持層を構成する高分子材料としてはその
ガラス転移温度が使用環境温度以上であることが必要で
ある。
このような高分子材料は、樹脂としては熱可塑性樹脂、
或いは熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性
樹脂等のエネルギー線硬化樹脂、或いはエンジニアリン
グプラスチック等を使用することができ、熱可塑性樹脂
としては例えば弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエ
チレン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエ
チレンパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、
またそれらのディスバージョンタイプ、または変性タイ
プ(コーティングタイプ)、またポリエーテルエーテル
ケトン樹脂、ポリバラキシリレン等を使用し、電荷保持
媒体電極上にコーティング、蒸着することにより層形成
されるものである。
第2図においては、このような電荷保持媒体3に感光体
1側から露光を行い、電荷保持媒体に静電潜像を形成さ
せる態様を示す。
まず、感光体1に対して10μm程度の空隙を介して電
荷保持媒体3が配置される。電荷保持媒体3は1 mm
厚のガラスからなる電荷保持層支持体15上に1000
人厚のA1電極を蒸着し、この電極上に10μm厚の電
荷保持層11を形成したものである。
まず、同図(a)に示すように感光体1に対して、10
μm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセットし、同
図(b)に示すように電源17により電極7.13間に
電圧を印加する。暗所であれば感光体における感光層は
高抵抗体であるため、電極間には何の変化も生じない。
感光体1側より光が入射すると、光が入射した部分の感
光層9.10は導電性を示し、電荷保持層11との間に
放電が生じ、電荷保持層11に電荷が蓄積される。
露光が終了したら、同図(c)に示すように電圧をOF
Fにし、次いで同図(d)に示すように電荷保持媒体3
を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する。
このようにして画像が情報電荷として蓄積された電荷保
持層11の表面電荷は空気環境に曝されるが、本発明は
この電荷保持層上に絶縁性保護膜を積層することにより
情報電荷は明所、暗所に関係なく放電せず長期間保存さ
れる。情報電荷は単に表面に蓄積させる場合もあり、ま
た微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その物質の
構造内に電子またはホールがトラップされる場合もある
ので長期間の保存が行われる。
本発明の感光体を使用した情報人力方法としては、静電
カメラによる方法、またレーザーによる記録方法がある
。まず静電カメラは、通常のカメラに使用されている写
真フィルムの代わりに、感光体と、電荷保持媒体とによ
り記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光量
に応じて電荷保持層上に電荷を蓄積させて静電潜像を電
荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッタも使
用しうるし、また電気的なシャッタも使用しろるもので
ある。
またプリズムにより光情報を、R,G、B光成分に分離
し、平行光として取り出すカラーフィルターを使用し、
RSG、B分解した電荷保持媒体3セツトで1コマを形
成するか、または1平面上にR,G、B像を並べて1セ
ツトで1コマとすることにより、カラー撮影することも
できる。
またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー(514,488nm)、ヘリウム−ネ
オンレーザ−(633nm)、半導体レーザー(780
nm、810nm等)が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を対向させ、電圧印加する。この状態で画像信号、文
字信号、コード信号、線画信号に対応したレーザー露光
をスキャニングにより行うものである。画像のようなア
ナログ的な記録は、レーザーの光強度を変調して行い、
文字、コード、線画のようなデジタル的な記録は、レー
ザー光の0N−OFF制御により行う。
また画像において網点形成されるものには、レーザー光
にドツトジェネレーター0N−OF、F制御をかけて形
成するものである。尚、感光体にあける光導電層の分光
特性は、パンクロマティックである必要はなく、レーザ
ー光源の波長に感度を有していればよい。
次ぎに記録された静電情報の再生方法について説明する
第3図は電荷保持媒体の静電情報再生方法としての電位
読み取り方法の例を示す図で、第1図と同一番号は同一
内容を示している。なお、図中、21は電位読み取り部
、23は検出電極、25はガード電極、27はコンデン
サ、29は電圧計である。
電位読み取り部21を電荷保持媒体3の電荷蓄積面にそ
の保護膜上から対向させると、検出電極23に電荷保持
媒体3の電荷保持層11上に蓄積された電荷によって生
じる電界が作用し、検出電極面上に電荷保持媒体上の電
荷と等量の誘導電荷が生ずる。この誘導電荷と逆極性の
等量の電荷でコンデンサ27が充電されるので、コンデ
ンサの電極間に蓄積電荷に応じた電位差が生じ、この値
を電圧計29で読むことによって電荷保持体の電位を求
めることができる。そして、電位読み取り部21で電荷
保持媒体面上を走査することにより静電潜像を電気信号
として出力することができる。
なお、検出電極23だけでは電荷保持媒体の検出電極対
向部位よりも広い範囲の電荷による電界(電気力線)が
作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲に接地し
たガード電極25を配置するようにしてもよい。これに
よって、電気力線は面に対して垂直方向を向くようにな
るので、検出電極23に対向した部位のみの電気力線が
作用するようになり、検出電極面積に略等しい部位の電
位を読み取ることができる。電位読み取りの精度、分解
能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び電荷保
持媒体との間隔によって大きく変わるため、要求される
性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要がある。
また電荷保持媒体における像電荷を、反射防止膜を設け
た電荷保持媒体電極側からレーザー光等を照射し、電気
光学結晶を介して情報として再生してもよい。この場合
電荷保持媒体における構成材料は透明材料で形成する必
要がある。また電気光学結晶はその光路中に配置すると
よく、このような電気光学結晶としてはチタン酸バリウ
ム、タンタル酸リチウム(LiTa03)等電気光学効
果を有するものを使用するとよい。
第4図は静電画像再生方法の概略構成を示す図で、図中
、61は電位読み取り装置、63は増幅器、65はCR
T、67はプリンタである。
図において、電位読み取り装置61で電荷電位を検出し
、検出出力を増幅器63で増幅してCRT65で表示し
、またプリンタ67でプリントアウトすることができる
。この場合、任意の時に、読み取りたい部位を任意に選
択して出力させることができ、また反復再生することが
可能である。
また静電潜像が電気信号として得られるので、必要に応
じて他の記録媒体への記録等に利用することも可能であ
る。
〔作用及び発明の効果〕
本発明のa−セレン−テルル感光体は、a−セレン−テ
ルル層の形成にあたって、まず実質的にa−セレンのみ
からなる層を電荷注入防止層上に積層し、次いでテルル
濃度を徐々に増大させて膜厚方向でのテルル濃度に勾配
を付けて形成することにより、電荷注入防止層のみでは
暗電流の防止が不充分であり、露光部と非露光部のコン
トラストが不明瞭となる問題を解決しえることを見出し
たものであり、本発明感光体を使用する静電情報記録に
際して暗電流を少なくし、カブリ電位を減少しうろこと
を見出したものである。
これにより本発明の感光体は、a−セレン感光体に比し
て、テルル含有による赤色感度を増大させることができ
ると共に、暗電流を低く抑えることができ、また電荷発
生層中での電荷の拡散を防止することができるので露光
部と非露光部とのコントラストを明瞭なものとすること
ができるものである。
また電荷保持媒体と組み合わせによる静電情報記録方法
における感光体として使用することにより、電荷保持媒
体への情報記録における露光部と非露光部とのコントラ
ストを明瞭なものとすることができるものである。
〔実施例1〕 5e−5N 5)IOT (三菱金属[株]製)とTe
−6N  Powder (フルウチ化学[株]製)と
をそれぞれアルミナ製坩堝、タングステンボートに入れ
た真空蒸着装置(日本電子[株]製)に、IT○電極層
、及び電荷注入防止層として0.1μmの膜厚で810
2膜を一方の表面に設けたコーニング社7059ガラス
(45x50x1.it、光学研磨済)を装着した。
蒸着装置の到達真空度を2 、  OX 10−5To
rr。
基板温度を室温(水冷)下で、予めセレン、テルルの蒸
着速度と蒸着膜におけるa−セレン、テルル組成との相
関を求めておき、まず基板における電荷注入防止層表面
に、セレンのみ(テルル濃度0型景%)を500人の膜
厚に蒸着させた。
その後、徐々に蒸着膜におけるテルル濃度を増加させ、
2000人の膜厚に蒸着させた時点でテルル濃度が50
重量%となるように蒸着させた。
次いで、テルル濃度50重量%で1000人蒸着させた
後、1000人の膜厚に蒸着させる間にテルル濃度が0
重量%となるようにテルル蒸着量を減少させた。
このようにしてa−セレン−テルル層を蒸着させた後、
a−セレンのみを20μmの膜厚に蒸着させて電荷輸送
層を形成し、本発明の感光体を作製した。
(電荷保持媒体の作製) 1mm厚のガラス基板上に、真空蒸着(10−5T。
rr)法により、へl電極を1000人の膜厚で積層す
る。その^l電極上に含弗素樹脂サイトツブ(商品名、
旭硝子@製、吸水率0.01%、比抵抗1x l Q 
18Ω・cm、)を、弗素系溶剤に溶解し、その5%溶
液をブレードコーターにより塗布し、乾煙後膜厚約3μ
mに積層して電荷保持媒体を作製した。
〔静電情報記録・再生方法) 上記感光体と電荷保持媒体とを、第2図に示すように膜
厚12μmのポリエステルフィルムをスペーサーとして
対向させて配置し、両電極間に、感光体側を正、電荷保
持層側を負にして+800■の直流電圧を印加した。
その電圧印加状態で、感光体側より波長650nmの赤
色光により露光を1秒間行って、電荷保持層11に静電
潜像を形成させ、電荷保持媒体3を取り出した。
この電荷保持媒体にふける表面電位を、第3図に示す表
面電位計で測定したところ、暗電位が250Vに対して
明電位が350Vの表面電位が測定された。
〔比較例〕
上記実施例における感光体の作製にあたって、テルル濃
度に濃度分布をつけないで、ITO電極層、及び510
2膜を一方の表面に設けた基板におけるSiL膜面上に
、テルル含有量50重量%のaセレン−テルル層、次い
で20μmの膜厚のaセレン層を蒸着させて感光体を作
製した。
この感光体を使用して、上記実施例同様に電荷保持媒体
への静電情報記録を行い、その表面電位を実施例同様に
測定したところ、暗電位は明電位同様に350vであっ
た。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は、本発明の感光体の断面図、同図(b)
は本発明感光体におけるa−セレン−テルル層における
テルル濃度分布を説明するための図、第2図は、本発明
の静電情報記録方法を説明するための図、第3図は直流
増幅型の電位読み取り方法の例を示す図、第4図は静電
画像再生の概略構成を示す図である。 図中1は感光体、3は電荷保持媒体、5は感光体支持体
、7は感光体電極、8は電荷注入防止層、9はa−セレ
ン−テルル層、10は電荷輸送層、11は電荷保持層、
13は電荷保持媒体電極、15は電荷保持媒体支持体、
17・・・電源を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明電極層上に電荷注入防止層、電荷発生層、電
    荷輸送層が順次積層され、該電荷発生層がa−セレンと
    テルルの混合蒸着層により形成された感光体において、
    該a−セレンとテルルの混合蒸着層が、透明電極層側に
    はテルル成分を実質的に含有しないa−セレン層、次い
    で層幅方向にテルル成分を多く含有させるように濃度勾
    配を付けて形成されたことを特徴とするa−セレン−テ
    ルル感光体。
  2. (2)上記テルル成分を実質的に含有しないa−セレン
    層の膜厚が50Å〜1000Åである請求項1記載のa
    −セレン−テルル感光体。
  3. (3)透明電極層上に電荷注入防止層、実質的にテルル
    成分を含有しないa−セレン層、層幅方向にテルル成分
    を濃度勾配を有して含有させたa−セレンとテルルの混
    合蒸着層、電荷輸送層を順次積層した感光体と、電極層
    と電荷保持層からなる電荷保持媒体とを該電荷保持層面
    と感光体における電荷輸送層面とを対向させて光軸上に
    配置し、両電極間に電圧印加しつつ露光し、入射光学像
    に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成することを特
    徴とする静電情報記録方法。
JP2028694A 1990-02-07 1990-02-07 a―セレン―テルル感光体及び静電情報記録方法 Pending JPH03231754A (ja)

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JP2028694A JPH03231754A (ja) 1990-02-07 1990-02-07 a―セレン―テルル感光体及び静電情報記録方法
US07/652,189 US5192634A (en) 1990-02-07 1991-02-07 A-selenium-tellurium photosensitive member and electrostatic information recording method

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903296A (en) * 1993-04-26 1999-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5903296A (en) * 1993-04-26 1999-05-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method

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