JP3221089B2 - ｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
ｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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Description
【０００１】
【従来の技術】本発明は多結晶ｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄
膜太陽電池の製造方法に係り、特に安価な大量生産を可
能ならしめる方法に関する。その好都合な１．４５ｅＶ
のエネルギギャップの故に、ＣｄＴｅは太陽電池に対す
るフォトアクティブ材として理想的に適する。更に数μ
ｍ厚の多結晶層が様々な方法（物理的または化学的な真
空中の蒸発または昇華、電解析出、スクリーン印刷、ス
プレー法）で製造され得、一般に電子特性の向上のため
に化学的熱的後処理を受ける（Ｒ．Ｗ．バークマイア
他、Ｐｒｏｃ．多結晶薄膜プログラムミーティング、米
国、コロラド、レイクウッド、（１９８９年）７７−８
４）。これらの二つの特徴によりＣｄＴｅは安価な薄膜
太陽電池のための最も興味深い候補の一つである。
膜太陽電池の製造方法に係り、特に安価な大量生産を可
能ならしめる方法に関する。その好都合な１．４５ｅＶ
のエネルギギャップの故に、ＣｄＴｅは太陽電池に対す
るフォトアクティブ材として理想的に適する。更に数μ
ｍ厚の多結晶層が様々な方法（物理的または化学的な真
空中の蒸発または昇華、電解析出、スクリーン印刷、ス
プレー法）で製造され得、一般に電子特性の向上のため
に化学的熱的後処理を受ける（Ｒ．Ｗ．バークマイア
他、Ｐｒｏｃ．多結晶薄膜プログラムミーティング、米
国、コロラド、レイクウッド、（１９８９年）７７−８
４）。これらの二つの特徴によりＣｄＴｅは安価な薄膜
太陽電池のための最も興味深い候補の一つである。
【０００２】ＣｄＴｅは最初は１９６０年頃に薄膜太陽
電池で使用された。７０年代の最後にはこのような太陽
電池の略９％の効率が報告された。例えば米国特許第４
２０７ １１９号（ユアン シェン ティアン、１９
８０年）は酸素をドープ剤として電池のＣｄＳおよびＣ
ｄＴｅ双方の半導体層に用いたＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池を開示している。ＣｄＴｅ源の酸素が容易に蒸着室で
非常に高い酸素の集中を引き起こし、それによって蒸着
処理が悪影響を受け中断されることさえあるために、層
の製造中に酸素を使用することには欠点がある。更に多
結晶ＣｄＴｅ層が蒸着された基板の温度が少なくとも５
７５°Ｃであり高価な耐温度ガラス基板が使用される
（６５０乃至７００°Ｃの軟化温度を用いる）。５７５
°Ｃの基板温度以下で達成可能な効率のかなりの低下が
観測される。したがってＣｄＴｅ層は、実験的に、その
時の得られる効率は４％以下となるが、酸素を含む雰囲
気で５００°Ｃ迄の低温で蒸着される。追加的に引き続
く酸素の後処理による１乃至２％だけ効率が増加する可
能性も提案された。これによれば５００°Ｃで最大６％
の値しか得られなかった。またＣｄＴｅ層と対照的に酸
素無しのＣｄＳ層の蒸着も試みられた。しかしこの試み
ではＣｄＳ層はまた、８．９％までの効率を５７５°Ｃ
以上の基板温度で達成しうるために、酸素を含む雰囲気
で蒸着されなければならなかった。行われた実験におい
て、０．５μｍ厚のＣｄＴｅ層は２分で蒸着された。物
理的理由から必要とされる約２乃至３μｍの最小厚に対
しては、略１０分が既に蒸着のために必要とされる。
電池で使用された。７０年代の最後にはこのような太陽
電池の略９％の効率が報告された。例えば米国特許第４
２０７ １１９号（ユアン シェン ティアン、１９
８０年）は酸素をドープ剤として電池のＣｄＳおよびＣ
ｄＴｅ双方の半導体層に用いたＣｄＳ／ＣｄＴｅ太陽電
池を開示している。ＣｄＴｅ源の酸素が容易に蒸着室で
非常に高い酸素の集中を引き起こし、それによって蒸着
処理が悪影響を受け中断されることさえあるために、層
の製造中に酸素を使用することには欠点がある。更に多
結晶ＣｄＴｅ層が蒸着された基板の温度が少なくとも５
７５°Ｃであり高価な耐温度ガラス基板が使用される
（６５０乃至７００°Ｃの軟化温度を用いる）。５７５
°Ｃの基板温度以下で達成可能な効率のかなりの低下が
観測される。したがってＣｄＴｅ層は、実験的に、その
時の得られる効率は４％以下となるが、酸素を含む雰囲
気で５００°Ｃ迄の低温で蒸着される。追加的に引き続
く酸素の後処理による１乃至２％だけ効率が増加する可
能性も提案された。これによれば５００°Ｃで最大６％
の値しか得られなかった。またＣｄＴｅ層と対照的に酸
素無しのＣｄＳ層の蒸着も試みられた。しかしこの試み
ではＣｄＳ層はまた、８．９％までの効率を５７５°Ｃ
以上の基板温度で達成しうるために、酸素を含む雰囲気
で蒸着されなければならなかった。行われた実験におい
て、０．５μｍ厚のＣｄＴｅ層は２分で蒸着された。物
理的理由から必要とされる約２乃至３μｍの最小厚に対
しては、略１０分が既に蒸着のために必要とされる。
【０００３】米国特許第４ ６５０ ９２１号（キム
Ｗ．ミッチェル、１９８７年）では、ｐｎＣｄＴｅ／Ｓ
ｎＯ2 薄膜太陽電池が記述されており、そこでは多結晶
ＣｄＴｅ層がまた高基板温度（６００−６５０°Ｃ）で
蒸着され、これによって通常の高価な耐温度ガラス基板
も使用される。ＣｄＴｄ源は最初６００°Ｃまで加熱さ
れ、この温度が達成されると予め４５０°Ｃに加熱され
た基板は急速に６５０°Ｃまでに加熱される。ＣＳＶＴ
（閉空間蒸気移送）法で略１０μｍ厚のＣｄＴｅ層を得
るためのＣｄＴｅ蒸着速度は非常に小さく蒸着は略２０
分間なされなければならない。
Ｗ．ミッチェル、１９８７年）では、ｐｎＣｄＴｅ／Ｓ
ｎＯ2 薄膜太陽電池が記述されており、そこでは多結晶
ＣｄＴｅ層がまた高基板温度（６００−６５０°Ｃ）で
蒸着され、これによって通常の高価な耐温度ガラス基板
も使用される。ＣｄＴｄ源は最初６００°Ｃまで加熱さ
れ、この温度が達成されると予め４５０°Ｃに加熱され
た基板は急速に６５０°Ｃまでに加熱される。ＣＳＶＴ
（閉空間蒸気移送）法で略１０μｍ厚のＣｄＴｅ層を得
るためのＣｄＴｅ蒸着速度は非常に小さく蒸着は略２０
分間なされなければならない。
【０００４】これらの真空補助蒸着法と同様に、多結晶
ＣｄＴｅ層の製造に関し、スクリーン印刷（例えば、
Ｓ．イケガミ、太陽電池、２３、（１９８８年）１０
５）またはスプレー法（例えば、Ｊ．Ｆ．ジョーダン、
太陽電池、２３、（１９８８年）１０７−１１３）と同
様に、電解法は８０年代に記述された（例えば、Ｂ．
Ｍ．バソル、太陽電池、２３（１９８８年）６９−８
８；Ｖ．ラマナサン他、Ｐｒｏｃ．第８回光起電力太陽
エネルギー会議、ラスベガス、（１９８８年）１４１７
−１４２１）。
ＣｄＴｅ層の製造に関し、スクリーン印刷（例えば、
Ｓ．イケガミ、太陽電池、２３、（１９８８年）１０
５）またはスプレー法（例えば、Ｊ．Ｆ．ジョーダン、
太陽電池、２３、（１９８８年）１０７−１１３）と同
様に、電解法は８０年代に記述された（例えば、Ｂ．
Ｍ．バソル、太陽電池、２３（１９８８年）６９−８
８；Ｖ．ラマナサン他、Ｐｒｏｃ．第８回光起電力太陽
エネルギー会議、ラスベガス、（１９８８年）１４１７
−１４２１）。
【０００５】電解析出はＣｄＳＯ4 およびＴｅ2 Ｏ3 の
水溶液で略９０°Ｃの温度で行なわれる。成長するＣｄ
Ｔｅ層の化学量論的組成における変動を防ぐためには略
１μｍ／時のみの非常に小さい、従って非経済的な析出
速度に執着する必要がある。スクリーン印刷法において
は、ＣｄおよびＴｅ粉末の懸濁液が基板に印加され材料
を非常に使用して略３０μｍの比較的厚い層に焼結さ
れ、それによってＣｄおよびＴｅが反応してＣｄＴｅに
なる。７００°Ｃ以上の高温がここでも要求され、これ
は高価な基板の使用を必要とする。
水溶液で略９０°Ｃの温度で行なわれる。成長するＣｄ
Ｔｅ層の化学量論的組成における変動を防ぐためには略
１μｍ／時のみの非常に小さい、従って非経済的な析出
速度に執着する必要がある。スクリーン印刷法において
は、ＣｄおよびＴｅ粉末の懸濁液が基板に印加され材料
を非常に使用して略３０μｍの比較的厚い層に焼結さ
れ、それによってＣｄおよびＴｅが反応してＣｄＴｅに
なる。７００°Ｃ以上の高温がここでも要求され、これ
は高価な基板の使用を必要とする。
【０００６】スプレー法においては、微細な小滴の煙霧
質の形態でのＣｄおよびＴｅを含む混合物の水溶液が略
４００°Ｃに加熱された基板にスプレーされる。成長す
るＣｄＴｅ層は著しく多孔性になる傾向があり、それに
よって層の必要な不浸透性を確保するために比較的厚い
層が作られなければならない。非経済的な材料の非常な
使用が再び必要となる。更にスプレーされた溶液のかな
りの損失がこの方法では本質的であり、これは微細な煙
霧質として全反応室を充たし、壁および排気を介して失
われ、これによってＣｄおよびＴｅの混合物の適当な材
料の歩どまりが達成され得る。化学的熱的後処理がスプ
レー法では特に重要であることがわかる。
質の形態でのＣｄおよびＴｅを含む混合物の水溶液が略
４００°Ｃに加熱された基板にスプレーされる。成長す
るＣｄＴｅ層は著しく多孔性になる傾向があり、それに
よって層の必要な不浸透性を確保するために比較的厚い
層が作られなければならない。非経済的な材料の非常な
使用が再び必要となる。更にスプレーされた溶液のかな
りの損失がこの方法では本質的であり、これは微細な煙
霧質として全反応室を充たし、壁および排気を介して失
われ、これによってＣｄおよびＴｅの混合物の適当な材
料の歩どまりが達成され得る。化学的熱的後処理がスプ
レー法では特に重要であることがわかる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従ってｐｎＣ
ｄＴｅ薄膜太陽電池の製造の改良された方法の提供の問
題点に基づいていおり、これは特に安価な大量生産に特
に適しており良好な太陽電池の製造を可能ならしめる。
ｄＴｅ薄膜太陽電池の製造の改良された方法の提供の問
題点に基づいていおり、これは特に安価な大量生産に特
に適しており良好な太陽電池の製造を可能ならしめる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】特許請求の範囲第１項に
記載の本発明によるこの問題の解決は、約１０％の特に
それ以上の効率を有する太陽電池を製造し得るために必
要と考えられてきたこれまでの高基板温度から完全に離
脱することを含む。かくて、発明者は、驚くべきこと
に、ＴＣＯ層およびＣｄＳ層が設けられた透明基板の温
度をＣｄＴｅコーティングの前に略５２０°Ｃ以下及び
略４８０°Ｃ以上の温度に至らしめこの温度がまた引き
続くコーティング中維持されることに注意すれば、特許
請求の範囲第１項の前特徴部分によって高効率を有する
満足すべき太陽電池の製造が可能であることを確かめ
た。これにおいてＣｄＴｅ層は安定して不活性気体雰囲
気中で蒸着される。この技術の状態における無酸素処理
において、６００°Ｃおよびそれ以上の基板温度が普遍
的に使用された。
記載の本発明によるこの問題の解決は、約１０％の特に
それ以上の効率を有する太陽電池を製造し得るために必
要と考えられてきたこれまでの高基板温度から完全に離
脱することを含む。かくて、発明者は、驚くべきこと
に、ＴＣＯ層およびＣｄＳ層が設けられた透明基板の温
度をＣｄＴｅコーティングの前に略５２０°Ｃ以下及び
略４８０°Ｃ以上の温度に至らしめこの温度がまた引き
続くコーティング中維持されることに注意すれば、特許
請求の範囲第１項の前特徴部分によって高効率を有する
満足すべき太陽電池の製造が可能であることを確かめ
た。これにおいてＣｄＴｅ層は安定して不活性気体雰囲
気中で蒸着される。この技術の状態における無酸素処理
において、６００°Ｃおよびそれ以上の基板温度が普遍
的に使用された。
【０００９】安価なソーダ石灰ガラス（窓ガラス）が基
板材料として使用可能であり、全ての試した実施例にお
いて１０％以上の高い効率を有する太陽電池が得られる
ことが更に判った。これは、コストの実質的低下が大量
生産の製品の使用の範囲を拡げる故、かなりの技術的進
歩を示す。この種の太陽電池が窓ガラスを用いて製造で
き、機能的であるばかりでなく厳格に使用することがで
きることはこれ迄考えられなかった。
板材料として使用可能であり、全ての試した実施例にお
いて１０％以上の高い効率を有する太陽電池が得られる
ことが更に判った。これは、コストの実質的低下が大量
生産の製品の使用の範囲を拡げる故、かなりの技術的進
歩を示す。この種の太陽電池が窓ガラスを用いて製造で
き、機能的であるばかりでなく厳格に使用することがで
きることはこれ迄考えられなかった。
【００１０】更に、基板のこのような温度制御を用いて
５乃至１５μｍ／分の高ＣｄＴｅ蒸着速度での作業が可
能であり、それによってＣｄＴｅ層の成長が所望の（フ
ォト）電子特性の達成に好都合な温度での開始からすぐ
行なわれ、それによって電池の良好な効率が同様に得ら
れ得ることが更に判った。このような高蒸着速度はこれ
まで、酸素中でも不活性気体中でも不可能であった。
５乃至１５μｍ／分の高ＣｄＴｅ蒸着速度での作業が可
能であり、それによってＣｄＴｅ層の成長が所望の（フ
ォト）電子特性の達成に好都合な温度での開始からすぐ
行なわれ、それによって電池の良好な効率が同様に得ら
れ得ることが更に判った。このような高蒸着速度はこれ
まで、酸素中でも不活性気体中でも不可能であった。
【００１１】次のごとくに本発明に従って進めることが
好ましい。安価な普通のソーダ石灰ガラス（「窓ガラ
ス」）が透明基板で使用され、透明な導電性のＴＣＯ
（透明導電酸化物）層でコーティングされる。（これは
例えば適当なドープされたすず酸化物層、例えばＩＴＯ
または変更されたＩＴＯ層よりなる）。ＴＣＯ層はまた
太陽電池の電気的前部接点を形成する。薄いＣｄＳ層
（厚さ８０乃至１２０ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ）が
そこで高真空で蒸発され、下記に示すごとき方法でドー
ピングが達成される。
好ましい。安価な普通のソーダ石灰ガラス（「窓ガラ
ス」）が透明基板で使用され、透明な導電性のＴＣＯ
（透明導電酸化物）層でコーティングされる。（これは
例えば適当なドープされたすず酸化物層、例えばＩＴＯ
または変更されたＩＴＯ層よりなる）。ＴＣＯ層はまた
太陽電池の電気的前部接点を形成する。薄いＣｄＳ層
（厚さ８０乃至１２０ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ）が
そこで高真空で蒸発され、下記に示すごとき方法でドー
ピングが達成される。
【００１２】小距離（ＣＳＳ）法（閉空間昇華）によ
り、フォトアクティブＣｄＴｅ層の蒸着が直接ＣｄＳ層
になされる。ＣｄＳ層を担持する基板はこのために安定
した加熱処理で、好ましくは３分で４８０乃至５００°
Ｃ、好ましくは５００°Ｃの温度に至らしめられる。Ｔ
ＣＯ層はＣｄＳ層に保護されるため、この短い加熱段階
の過程で悪影響を受けない。この時間中ＣｄＴｅ源は未
だ感知できる程のＣｄＴｅの昇華が起こらない温度に達
する。基板温度が（例えば３分後）４８０乃至５２０°
Ｃ、好ましくは５００°Ｃに至った時にのみ、ＣｄＴｅ
源が略１分で５乃至１５μｍ／分、好ましくは１０μｍ
／分のＣｄＴｅ蒸着速度が達成されるような温度（例え
ば７００乃至略７７０°Ｃ、好ましくは７４０°Ｃ）に
され、それによって５乃至１０μｍ厚の必要なＣｄＴｅ
層が略１分の短時間で形成され得る。
り、フォトアクティブＣｄＴｅ層の蒸着が直接ＣｄＳ層
になされる。ＣｄＳ層を担持する基板はこのために安定
した加熱処理で、好ましくは３分で４８０乃至５００°
Ｃ、好ましくは５００°Ｃの温度に至らしめられる。Ｔ
ＣＯ層はＣｄＳ層に保護されるため、この短い加熱段階
の過程で悪影響を受けない。この時間中ＣｄＴｅ源は未
だ感知できる程のＣｄＴｅの昇華が起こらない温度に達
する。基板温度が（例えば３分後）４８０乃至５２０°
Ｃ、好ましくは５００°Ｃに至った時にのみ、ＣｄＴｅ
源が略１分で５乃至１５μｍ／分、好ましくは１０μｍ
／分のＣｄＴｅ蒸着速度が達成されるような温度（例え
ば７００乃至略７７０°Ｃ、好ましくは７４０°Ｃ）に
され、それによって５乃至１０μｍ厚の必要なＣｄＴｅ
層が略１分の短時間で形成され得る。
【００１３】ＣｄＴｅ蒸着中、略０．１ｍｂａｒの窒素
（または同様なヘリウム、アルゴン、または水素等の不
活性気体）が、反応室の様々な接続を介したダイナミッ
クバランスをもって、ポンプによって排出されるにつれ
同量の気体が供給されるよう反応室（石英管）で維持さ
れる。そこからＣｄＳ層に蒸着されるべき材料が昇華す
るＣｄＴｅ源は基板表面からほんの略２乃至３ｍｍの小
さい距離に置かれることが好ましい。この基板とＣｄＴ
ｅ源との間の小さい距離の故に、それらが直接対向する
のと同様に、ＣｄＴｅ開始材料が略１００％使用され
る。更に本発明により可能なＣｄＴｅ層の小さい厚さは
高価な半導体材料を安価に取扱うことに貢献する。この
方法の過程において短い蒸着時間も安価にするのに作用
する。
（または同様なヘリウム、アルゴン、または水素等の不
活性気体）が、反応室の様々な接続を介したダイナミッ
クバランスをもって、ポンプによって排出されるにつれ
同量の気体が供給されるよう反応室（石英管）で維持さ
れる。そこからＣｄＳ層に蒸着されるべき材料が昇華す
るＣｄＴｅ源は基板表面からほんの略２乃至３ｍｍの小
さい距離に置かれることが好ましい。この基板とＣｄＴ
ｅ源との間の小さい距離の故に、それらが直接対向する
のと同様に、ＣｄＴｅ開始材料が略１００％使用され
る。更に本発明により可能なＣｄＴｅ層の小さい厚さは
高価な半導体材料を安価に取扱うことに貢献する。この
方法の過程において短い蒸着時間も安価にするのに作用
する。
【００１４】上記ＣｄＴｅ蒸着中、基板とＣｄＴｅ源は
対向する黒鉛ブロックに保持されることが好ましく、そ
れは加熱要素（例えばハロゲンランプ）によって、所望
の温度を生成するために加熱される。後者は適当な手動
またはコンピュータ制御による加熱要素の加熱負荷の調
整によって調節される。ＣｄＴｅ蒸着の最後に実行され
るＣｄＣｌ2 焼き戻しはそれ自体は知られている。
対向する黒鉛ブロックに保持されることが好ましく、そ
れは加熱要素（例えばハロゲンランプ）によって、所望
の温度を生成するために加熱される。後者は適当な手動
またはコンピュータ制御による加熱要素の加熱負荷の調
整によって調節される。ＣｄＴｅ蒸着の最後に実行され
るＣｄＣｌ2 焼き戻しはそれ自体は知られている。
【００１５】特許請求の範囲第１０項記載の発明による
方法の更なる展開を以下説明する。これはまた大量生産
の方法にかなり貢献し、ＣｄＳ層のドーピングの方法が
実質的に容易となる。またこの方法により完成した太陽
電池の効率の増加が可能である。最後に、公知の臨界酸
素ドーピングとの対照においてＣｄＴｅ源が酸素によっ
て高圧でのＣｄＴｅコーティング中に危うくされること
無く作業することが可能である。
方法の更なる展開を以下説明する。これはまた大量生産
の方法にかなり貢献し、ＣｄＳ層のドーピングの方法が
実質的に容易となる。またこの方法により完成した太陽
電池の効率の増加が可能である。最後に、公知の臨界酸
素ドーピングとの対照においてＣｄＴｅ源が酸素によっ
て高圧でのＣｄＴｅコーティング中に危うくされること
無く作業することが可能である。
【００１６】０．１Ｓ／ｃｍの大きさのオーダーの高い
導電性を有するｎ型ＣｄＳを使用することは、ｐｎＣｄ
Ｔｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の良好な効率を得るために有
益である。略１５０°Ｃで製造されたＣｄＳ層はこの条
件を良く満足する一方、ＣｄＴｅ蒸着でのごとくの熱的
処理を受けたＣｄＳ層は、１０-5Ｓ／ｃｍ以下の非常に
小さい導電性を示す。ＣｄＳの導電性に対し０．１Ｓ／
ｃｍの大きさの所望のオーダーを得るために、ＣｄＴｅ
蒸着の熱的応力の後であっても、ＣｄＳ層が上記の方法
で形成される前に略０．１乃至０．５ｎｍ、好ましくは
０．２ｎｍの厚の極く薄いインジウム層が、高真空で略
２５°ＣでＴＣＯ層に形成される。このインジウム層の
厚さは、好ましくは４８０乃至５２０°Ｃ間にある所定
の基板温度でのＣｄＴｅ蒸着中の、インジウムのＣｄＳ
層への拡散が、導電値が０．１Ｓ／ｃｍの大きさの所望
のオーダーにあるようなＣｄＳのｎ型ドーピングを形成
するように選択される。ＣｄＳ層の必要な所望のｎ型ド
ーピングはかくてＣｄＴｅの蒸着中追加的費用を要する
ことなく安価になされる。たとえＣｄＳ層のインジウム
ドーピングが無くとも、特許請求の範囲第１項記載の方
法に従えば、略１０％及びそれ以上の効率が得られる。
導電性を有するｎ型ＣｄＳを使用することは、ｐｎＣｄ
Ｔｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の良好な効率を得るために有
益である。略１５０°Ｃで製造されたＣｄＳ層はこの条
件を良く満足する一方、ＣｄＴｅ蒸着でのごとくの熱的
処理を受けたＣｄＳ層は、１０-5Ｓ／ｃｍ以下の非常に
小さい導電性を示す。ＣｄＳの導電性に対し０．１Ｓ／
ｃｍの大きさの所望のオーダーを得るために、ＣｄＴｅ
蒸着の熱的応力の後であっても、ＣｄＳ層が上記の方法
で形成される前に略０．１乃至０．５ｎｍ、好ましくは
０．２ｎｍの厚の極く薄いインジウム層が、高真空で略
２５°ＣでＴＣＯ層に形成される。このインジウム層の
厚さは、好ましくは４８０乃至５２０°Ｃ間にある所定
の基板温度でのＣｄＴｅ蒸着中の、インジウムのＣｄＳ
層への拡散が、導電値が０．１Ｓ／ｃｍの大きさの所望
のオーダーにあるようなＣｄＳのｎ型ドーピングを形成
するように選択される。ＣｄＳ層の必要な所望のｎ型ド
ーピングはかくてＣｄＴｅの蒸着中追加的費用を要する
ことなく安価になされる。たとえＣｄＳ層のインジウム
ドーピングが無くとも、特許請求の範囲第１項記載の方
法に従えば、略１０％及びそれ以上の効率が得られる。
【００１７】通例のＣｄＣｌ2 焼き戻し（Ｒ．Ｗ．バー
マイア他、Ｐｒｏｃ．多結晶薄膜プログラムミーティ
グ、米国、コロラド、レイクウッド、（１９８９年）７
７−８４）の後、略５乃至１０ｎｍの厚さの金層が後部
接点としてＣｄＴｅ層に蒸着される。直列抵抗を防ぐた
めに、金層は安価な金属（例えばアルミニウム）（略１
００乃至２００ｎｍ）に蒸着されるかまたは導電性のペ
ーストで塗布され、光電流の流れに必要な導電性にまで
引き上げられることが好ましい。
マイア他、Ｐｒｏｃ．多結晶薄膜プログラムミーティ
グ、米国、コロラド、レイクウッド、（１９８９年）７
７−８４）の後、略５乃至１０ｎｍの厚さの金層が後部
接点としてＣｄＴｅ層に蒸着される。直列抵抗を防ぐた
めに、金層は安価な金属（例えばアルミニウム）（略１
００乃至２００ｎｍ）に蒸着されるかまたは導電性のペ
ーストで塗布され、光電流の流れに必要な導電性にまで
引き上げられることが好ましい。
【００１８】太陽電池の照射は透明ガラス基板を介して
なされる。本発明によるＣｄＳ層の特別なドーピングの
特徴は本発明による他の特徴と組み合わされることが好
ましい。従って、本発明によって制御される基板温度を
用いて、ＣｄＳ層とインジウム層との混合が良好に達成
される。同様な可能な高蒸着速度との組み合せにおい
て、この方法の効率とその大量生産に対する適性は更に
改良される。
なされる。本発明によるＣｄＳ層の特別なドーピングの
特徴は本発明による他の特徴と組み合わされることが好
ましい。従って、本発明によって制御される基板温度を
用いて、ＣｄＳ層とインジウム層との混合が良好に達成
される。同様な可能な高蒸着速度との組み合せにおい
て、この方法の効率とその大量生産に対する適性は更に
改良される。
【００１９】
【実施例】以下図面と共に本発明を説明する。図１は本
発明による方法の好ましい実施例によって製造されたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池１の概略断面を示す。
透明基板２０はソーダ石灰ガラス（「窓ガラス」）より
なり透明な導電性のＴＣＯ層１８でコーティングされて
いる。極く薄いインジウム層１６およびＣｄ／Ｓ層１４
（例えば０．１０μｍ厚）が続く。続くフォトアクティ
ブＣｄＴｅ層１２（略５μｍ厚、しかし全体として厚さ
は電池に対して厳密ではなく２乃至３μｍ以上であるこ
とが好ましい）が前記説明に従ってＣｄＳ層上に蒸着さ
れる。更に説明したごとく、層１６および１４が混合し
てインジウム層１６がインジウム原子の拡散によって層
１４に溶解しもはや完成された太陽電池１におけるよう
に同一視することが出来ない。ＣｄＳ層は従って製造後
に拡散された形態でインジウム層１６のインジウム原子
を所望の必要なｎ型ドーピングとして含む。
発明による方法の好ましい実施例によって製造されたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池１の概略断面を示す。
透明基板２０はソーダ石灰ガラス（「窓ガラス」）より
なり透明な導電性のＴＣＯ層１８でコーティングされて
いる。極く薄いインジウム層１６およびＣｄ／Ｓ層１４
（例えば０．１０μｍ厚）が続く。続くフォトアクティ
ブＣｄＴｅ層１２（略５μｍ厚、しかし全体として厚さ
は電池に対して厳密ではなく２乃至３μｍ以上であるこ
とが好ましい）が前記説明に従ってＣｄＳ層上に蒸着さ
れる。更に説明したごとく、層１６および１４が混合し
てインジウム層１６がインジウム原子の拡散によって層
１４に溶解しもはや完成された太陽電池１におけるよう
に同一視することが出来ない。ＣｄＳ層は従って製造後
に拡散された形態でインジウム層１６のインジウム原子
を所望の必要なｎ型ドーピングとして含む。
【００２０】ＣｄＴｅ層１２の蒸着と同時になされるこ
のＣｄＳ層のｎ型ドーピングはこの方法の安価な大量生
産への適性の改良と、同様に高効率を有する太陽電池の
形成とに関する更なる進歩を示す。好ましくは０．１乃
至０．５ｎｍ厚で好ましくは略２５゜Ｃで高真空で蒸発
されたインジウム層１６は、それ故ＣｄＴｅ蒸着の前の
段階までは同一視しうるものである。
のＣｄＳ層のｎ型ドーピングはこの方法の安価な大量生
産への適性の改良と、同様に高効率を有する太陽電池の
形成とに関する更なる進歩を示す。好ましくは０．１乃
至０．５ｎｍ厚で好ましくは略２５゜Ｃで高真空で蒸発
されたインジウム層１６は、それ故ＣｄＴｅ蒸着の前の
段階までは同一視しうるものである。
【００２１】ＣｄＴｅ蒸着完了後、ＣｄＣｌ2 焼き戻し
後に太陽電池１の後部接点として機能する導電性金属接
点１０のＣｄＴｅ層１２上への形成が続く。ＴＣＯ層１
８は太陽電池１の前部接点として機能する。太陽電池１
の照射はガラス基板２０およびＴＣＯ層１８を介してな
される。ＣｄＴｅ蒸着方法はまた特に重要である。図２
では使用されることが好ましい反応室が、同様に略断面
で示されている。これは石英リアクタ３４および黒鉛ブ
ロック２６および２８、更に黒鉛ブロック２６および２
８が加熱される加熱要素２２および２４（例えばハロゲ
ンランプ）とよりなる。図２において要素３０として示
されているインジウム層１６およびＣｄＳ層１５と同様
ＴＣＯ層１８を有するガラス基板２０は上部黒鉛ブロッ
ク２６に付着され、ガラス基板は黒鉛ブロックに対して
存在しＣｄＳ層１４はＣｄＴｅ源に対して向けられる。
ＣｄＴｅ源３２は、例えば多結晶ディスクの形で、下部
黒鉛ブロック２８上に位置される。多結晶ディスクの代
わりに圧縮されたＣｄＴｅ粉末のブランクまたはＣｄＴ
ｅ粉末を有するデバイスが明らかにＣｄＴｅ源３２とし
て使用され得る。
後に太陽電池１の後部接点として機能する導電性金属接
点１０のＣｄＴｅ層１２上への形成が続く。ＴＣＯ層１
８は太陽電池１の前部接点として機能する。太陽電池１
の照射はガラス基板２０およびＴＣＯ層１８を介してな
される。ＣｄＴｅ蒸着方法はまた特に重要である。図２
では使用されることが好ましい反応室が、同様に略断面
で示されている。これは石英リアクタ３４および黒鉛ブ
ロック２６および２８、更に黒鉛ブロック２６および２
８が加熱される加熱要素２２および２４（例えばハロゲ
ンランプ）とよりなる。図２において要素３０として示
されているインジウム層１６およびＣｄＳ層１５と同様
ＴＣＯ層１８を有するガラス基板２０は上部黒鉛ブロッ
ク２６に付着され、ガラス基板は黒鉛ブロックに対して
存在しＣｄＳ層１４はＣｄＴｅ源に対して向けられる。
ＣｄＴｅ源３２は、例えば多結晶ディスクの形で、下部
黒鉛ブロック２８上に位置される。多結晶ディスクの代
わりに圧縮されたＣｄＴｅ粉末のブランクまたはＣｄＴ
ｅ粉末を有するデバイスが明らかにＣｄＴｅ源３２とし
て使用され得る。
【００２２】ＣｄＴｅ蒸着は反応室３４内で、既に特に
上記で説明した手順によって行なわれ、要素３０および
ＣｄＴｅ源３２の温度の時間に関する変化がＣｄＳ層を
含む要素３０が４８０−５２０゜Ｃ、好ましくは５００
゜Ｃの温度迄、安定した加熱処理（中断が無い）で、例
えば３分で引き上げられることは重要であり、これによ
ってＣｄＳ層１４によって保護されているので、ＴＣＯ
層１８がいかなる悪影響もこの短い加熱段階の過程で受
けない。この時間中、ＣｄＴｅ源３２は未だ感知出来る
程のＣｄＴｅの昇華が起こらない温度に達する。要素３
０の温度が４８０−５２０゜Ｃ、好ましくは５００゜Ｃ
に達した時のみ、ＣｄＴｅ源３２は、略１分で、ＣｄＳ
層１４への５乃至１５μｍ／分、好ましくは１０μｍ／
分のＣｄＴｅ蒸着速度が得られるような温度に引き上げ
られ、所望の５乃至１０μｍ厚のＣｄＴｅ層１２が略１
分の短時間で形成され得る。この工程は所望の（フォ
ト）電子特性に有利な温度での開始から起こるＣｄＴｅ
層１２の成長を生ずる。要素３０の温度は安価なソーダ
石灰ガラスが基板２０の材料として使用され得るように
選択される。反応室３４の圧力はＣｄＴｅ蒸着中略０．
１ｍｂａｒとなり窒素（またはヘリウム、アルゴンまた
は水素）の流入またはポンプによる排出によって維持さ
れる。
上記で説明した手順によって行なわれ、要素３０および
ＣｄＴｅ源３２の温度の時間に関する変化がＣｄＳ層を
含む要素３０が４８０−５２０゜Ｃ、好ましくは５００
゜Ｃの温度迄、安定した加熱処理（中断が無い）で、例
えば３分で引き上げられることは重要であり、これによ
ってＣｄＳ層１４によって保護されているので、ＴＣＯ
層１８がいかなる悪影響もこの短い加熱段階の過程で受
けない。この時間中、ＣｄＴｅ源３２は未だ感知出来る
程のＣｄＴｅの昇華が起こらない温度に達する。要素３
０の温度が４８０−５２０゜Ｃ、好ましくは５００゜Ｃ
に達した時のみ、ＣｄＴｅ源３２は、略１分で、ＣｄＳ
層１４への５乃至１５μｍ／分、好ましくは１０μｍ／
分のＣｄＴｅ蒸着速度が得られるような温度に引き上げ
られ、所望の５乃至１０μｍ厚のＣｄＴｅ層１２が略１
分の短時間で形成され得る。この工程は所望の（フォ
ト）電子特性に有利な温度での開始から起こるＣｄＴｅ
層１２の成長を生ずる。要素３０の温度は安価なソーダ
石灰ガラスが基板２０の材料として使用され得るように
選択される。反応室３４の圧力はＣｄＴｅ蒸着中略０．
１ｍｂａｒとなり窒素（またはヘリウム、アルゴンまた
は水素）の流入またはポンプによる排出によって維持さ
れる。
【００２３】加熱要素２２および２４の加熱負荷は随意
に手動またはコンピュータ制御によって変化され得る。
図３および図４では各々上記方法によって製造されたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の電流／電圧特性およ
び波長の関数としての（外部）絶対量子歩どまりが示さ
れている。図３から分かるごとく、製造された太陽電池
の短絡電流密度は２２．８ｍＡ／ｃｍ2 になり、無負荷
電圧は０．７５０Ｖおよび占有率は６５％となる。上記
本実施例の太陽電池の活性表面は０．３８８ｃｍ2 とな
る。これは（全体で１００ｍＷ／ｃｍ2 、１，５ＡＭを
有する照射に対して）１１．０％の効率を与える。
に手動またはコンピュータ制御によって変化され得る。
図３および図４では各々上記方法によって製造されたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の電流／電圧特性およ
び波長の関数としての（外部）絶対量子歩どまりが示さ
れている。図３から分かるごとく、製造された太陽電池
の短絡電流密度は２２．８ｍＡ／ｃｍ2 になり、無負荷
電圧は０．７５０Ｖおよび占有率は６５％となる。上記
本実施例の太陽電池の活性表面は０．３８８ｃｍ2 とな
る。これは（全体で１００ｍＷ／ｃｍ2 、１，５ＡＭを
有する照射に対して）１１．０％の効率を与える。
【００２４】図４による（外部）絶対量子歩どまりはス
ぺクトラム（略８２０−５２０ｎｍ）の実質的部分に関
して略８５％を有する一定値を示す。５２０ｎｍでの落
下はＣｄＳ層１４の吸収作用によって引き起こされる。
ぺクトラム（略８２０−５２０ｎｍ）の実質的部分に関
して略８５％を有する一定値を示す。５２０ｎｍでの落
下はＣｄＳ層１４の吸収作用によって引き起こされる。
【００２５】
【発明の効果】本発明による、それ自体およびそれらの
組み合せによって呈せられる特徴は従って以前から知ら
れた構造の原理を有するｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽
電池の安価な大量生産を促進する。安価な基板材料を使
用し得、半導体に関し高蒸着速度の故に高価な基板材料
の高い歩どまりが可能である。以前にしばしば不安定で
あったドーピング過程は著しく改良され合理化される。
加えて、この特徴は高効率に貢献する。大量生産からお
よび高効率から生ずる本発明の特徴は従って太陽電池を
介した代替エネルギ源への重要な過程に貢献する。
組み合せによって呈せられる特徴は従って以前から知ら
れた構造の原理を有するｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽
電池の安価な大量生産を促進する。安価な基板材料を使
用し得、半導体に関し高蒸着速度の故に高価な基板材料
の高い歩どまりが可能である。以前にしばしば不安定で
あったドーピング過程は著しく改良され合理化される。
加えて、この特徴は高効率に貢献する。大量生産からお
よび高効率から生ずる本発明の特徴は従って太陽電池を
介した代替エネルギ源への重要な過程に貢献する。
【図１】本発明による方法の好ましい実施例によって製
造されたｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の概略図の
断面図である。
造されたｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の概略図の
断面図である。
【図２】本発明による方法を実施するに適した装置の概
略図の断面図である。
略図の断面図である。
【図３】図１と共に説明した方法によって製造されたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の電流／電圧特性を示
す図である。
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の電流／電圧特性を示
す図である。
【図４】図１と共に説明した方法によって製造されたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の波長の関数としての
（外部）絶対量子歩どまりのグラフである。
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の波長の関数としての
（外部）絶対量子歩どまりのグラフである。
１ ｐｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池 １０ 導電性金属接点 １２ ＣｄＴｅ層 １４ ＣｄＳ層 １６ インジウム層 １８ ＴＣＯ層 ２０ 透明基板 ２２，２４ 加熱要素 ２６，２８ 黒鉛ブロック ３０ 要素 ３２ ＣｄＴｅ源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カルルハインツ イェーガー ドイツ連邦共和国 6242 クロンベルク アム オーバーベルク 17番地 (72)発明者 ヒルマル リヒター ドイツ連邦共和国 6000 フランクフル ト アム マイン 60 ハインツ−ヘル ベルト−カリ−シュトラーセ ４ベー (56)参考文献 特開 昭54−159193（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−3992（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−90571（ＪＰ，Ａ) 米国特許4650921（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (10)
- 【請求項１】透明で導電性のＴＣＯ層（前部接点）とｎ
ドープされたＣｄＳ層が透明な基板に設けられ、その上
にＣｄＴｅ層が最小距離法に従って不活性無酸素雰囲気
中でデポジションされ導電性の後部接点が設けられたｐ
ｎＣｄＴｅ／ＣｄＳ薄膜太陽電池の製造方法であって、 窓ガラスの形態の安価な普通のソーダ石灰ガラスよりな
る基板が基板として使用され、該ＴＣＯ層（１８）及び
該ＣｄＳ層（１４）が設けられた該基板（２０）がＣｄ
Ｔｅ層によるコーティング前に略４８０゜Ｃ乃至５２０
゜Ｃの間の温度にされ次のＣｄＴｅコーティング中維持
され、該ＣｄＴｅコーティングの後にそれ自体は知られ
ているＣｄＣｌ ２ 焼き戻しが行なわれることを特徴とす
るｐｎＣｄＴｅＣｄＳ薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 該ＴＣＯ層（１８）及び該ＣｄＳ層（１
４）が設けられた該基板（２０）がＣｄＴｅコーティン
グ前に略５００゜Ｃの温度にされ、該温度は次のＣｄＴ
ｅコーティング中維持されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】該ＴＣＯ層（１８）及び該ＣｄＳ層（１
４）が設けらた該基板（２０）の該加熱は略１乃至５分
間以上、好ましくは略３分間以上安定加熱処理でなされ
ることを特徴とする上記の特許請求の範囲第１又は第２
項に記載の方法。 - 【請求項４】該加熱は略３分間なされることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項記載の方法。 - 【請求項５】該ＣｄＴｅの該ＣｄＳ層（１４）上の該デ
ポジション率は略５乃至１５μｍ／分に調節されること
を特徴とする上記特許請求の範囲第１乃至第４項のうち
いずれか一項に記載された方法。 - 【請求項６】該ＣｄＴｅ層（１２）は略１ｍｍにデポジ
ションされることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の方法。 - 【請求項７】該ＣｄＴｅデポジション率は１０μｍ／分
に調節されることを特徴とする特許請求の範囲第５項ま
たは第６項記載の方法。 - 【請求項８】該ＴＣＯ層（１８）および該ＣｄＳ層（１
４）が設けられた基板（２０）および該ＣｄＴｅ源（３
２）の温度の時間的変化は該層（１４），（１６）およ
び（１８）を有する該基板（２０）が安定な加熱処理で
４８０乃至５２０゜Ｃの温度に略１乃至５分で至らしめ
られるように制御され、該時間中に、用いられた該Ｃｄ
Ｔｅ源（３２）が依然として該ＣｄＴｅの感知できる程
度の昇華が無い温度に至らしめられ、該二つの層を有す
る該基板の温度が４８０乃至５２０゜Ｃ間の所望の温度
に達した時のみ、該ＣｄＴｅ源（３２）は略１分で該所
望のＣｄＴｅ層（１２）が略１分間で形成されうるよう
に該ＣｄＳ層（１４）に対するデポジション率が得られ
る温度にされることを特徴とする上記の特許請求の範囲
第１項乃至第７項のうちいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項９】 インジウムが該ＣｄＳ層（１４）のｎド
ーピングに使用され該ＣｄＳ層（１４）のデポジション
の前に０．５ｎｍ以下の厚さの極く薄いインジウム層
（１６）が該ＴＣＯ層（１８）に印加され、該層（１
６）および（１４）は該インジウム層（１６）が該イン
ジウム原子の該ＣｄＳ層（１４）への拡散によって溶解
され該完成した太陽電池（１）におけるようにもはや同
一視することができなくなるように該ＣｄＴｅ層（１
２）の該デポジションで混合され、該ＣｄＳ層（１４）
は該太陽電池（１）を完成した後に該インジウム層（１
６）の該インジウム原子をｎドーピングとして拡散され
た形態で含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれ
か一項に記載の方法。 - 【請求項１０】 窓ガラスの形態の安価な普通のソーダ
石灰ガラスよりなる基板が基板として使用され、該ＴＣ
Ｏ層（１８）及び該ＣｄＳ層（１４）が設けられた該基
板（２０）がＣｄＴｅ層によるコーティング前に略４８
０゜Ｃ乃至５２０゜Ｃの間の温度にされ次のＣｄＴｅコ
ーティング中維持され、ＣｄＴｅのＣｄＳ層（１４）へ
のデポジション速度は略５乃至１５μｍ／分に調節され
ることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記
載の方法。
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|---|---|---|---|---|
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| US5484736A (en) * | 1994-09-19 | 1996-01-16 | Midwest Research Institute | Process for producing large grain cadmium telluride |
| US5714391A (en) * | 1995-05-17 | 1998-02-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device |
| US5712187A (en) * | 1995-11-09 | 1998-01-27 | Midwest Research Institute | Variable temperature semiconductor film deposition |
| US5994642A (en) * | 1996-05-28 | 1999-11-30 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Method for preparing CdTe film and solar cell using the same |
| US6169246B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-01-02 | Midwest Research Institute | Photovoltaic devices comprising zinc stannate buffer layer and method for making |
| US6137048A (en) * | 1996-11-07 | 2000-10-24 | Midwest Research Institute | Process for fabricating polycrystalline semiconductor thin-film solar cells, and cells produced thereby |
| US5922142A (en) * | 1996-11-07 | 1999-07-13 | Midwest Research Institute | Photovoltaic devices comprising cadmium stannate transparent conducting films and method for making |
| US5811156A (en) * | 1997-01-24 | 1998-09-22 | Eastman Kodak Company | Method of making a color filter array by colorant transfer and etch |
| US5747199A (en) * | 1997-01-24 | 1998-05-05 | Eastman Kodak Company | Method of making color filter arrays by transferring two or more colorants simultaneously |
| US5776641A (en) * | 1997-01-24 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Method of making color filter arrays by colorant transfer using chemical mechanical polishing |
| JPH11354818A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Matsushita Battery Industrial Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| JP2002521848A (ja) * | 1998-07-30 | 2002-07-16 | アグフア−ゲヴエルト，ナームローゼ・フエンノートシヤツプ | 太陽電池の製法 |
| DE19904082A1 (de) * | 1999-02-02 | 2000-08-03 | Agfa Gevaert Ag | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen |
| EP1041649A1 (de) | 1999-03-29 | 2000-10-04 | ANTEC Solar GmbH | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsolarmoduls und eine Durchtrennungsvorrichtung |
| DE59914510D1 (de) | 1999-03-29 | 2007-11-08 | Antec Solar Energy Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens |
| US6852614B1 (en) * | 2000-03-24 | 2005-02-08 | University Of Maine | Method of manufacturing semiconductor having group II-group VI compounds doped with nitrogen |
| US6423565B1 (en) | 2000-05-30 | 2002-07-23 | Kurt L. Barth | Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules |
| US6548751B2 (en) | 2000-12-12 | 2003-04-15 | Solarflex Technologies, Inc. | Thin film flexible solar cell |
| FR2828214B1 (fr) * | 2001-08-06 | 2003-12-12 | Centre Nat Rech Scient | PROCEDE D'OBTENTION D'UN MONOCRISTAL DE CdTd OU DE CdZnTe, ET MONOCRISTAL OBTENU PAR CE PROCEDE |
| EP1433207B8 (en) * | 2001-10-05 | 2009-10-07 | SOLAR SYSTEMS & EQUIOMENTS S.R.L. | A process for large-scale production of cdte/cds thin film solar cells |
| US20050009228A1 (en) * | 2001-12-13 | 2005-01-13 | Xuanzhi Wu | Semiconductor device with higher oxygen (02) concentration within window layers and method for making |
| US20050257824A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Maltby Michael G | Photovoltaic cell including capping layer |
| US7195848B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-03-27 | Eastman Kodak Company | Method of making inlaid color filter arrays |
| ITLU20050002A1 (it) * | 2005-02-08 | 2006-08-09 | Solar Systems & Equipments Srl | UN NUOVO PROCESSO PER IL TRATTAMENTO IN AMBIENTE DI CLORO DELLE CELLE SOLARI A FILM SOTTILI DI CdTe/CdS senza l'uso di CdC12. |
| US20100186810A1 (en) * | 2005-02-08 | 2010-07-29 | Nicola Romeo | Method for the formation of a non-rectifying back-contact a cdte/cds thin film solar cell |
| US7743630B2 (en) * | 2005-05-05 | 2010-06-29 | Guardian Industries Corp. | Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product |
| US7628896B2 (en) * | 2005-07-05 | 2009-12-08 | Guardian Industries Corp. | Coated article with transparent conductive oxide film doped to adjust Fermi level, and method of making same |
| US20070029186A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Alexey Krasnov | Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using inorganic protective layer during tempering and product made using same |
| US7744955B2 (en) * | 2005-08-02 | 2010-06-29 | Guardian Industries Corp. | Method of thermally tempering coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating using flame(s) in tempering furnace adjacent TCO to burn off oxygen and product made using same |
| US7597964B2 (en) * | 2005-08-02 | 2009-10-06 | Guardian Industries Corp. | Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating |
| US20070184573A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Guardian Industries Corp., | Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device |
| US20070240758A1 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | Thomas Spartz | Double-sided solar module |
| US8298380B2 (en) * | 2006-05-23 | 2012-10-30 | Guardian Industries Corp. | Method of making thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating in color compression configuration, and product made using same |
| US20080115821A1 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-22 | Li Xu | Multilayer transparent conductive oxide for improved chemical processing |
| KR101614554B1 (ko) | 2007-11-02 | 2016-04-21 | 퍼스트 솔라, 인코포레이티드 | 도핑된 반도체 막을 포함하는 광기전 장치 |
| AU2009255657A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | Solexant Corp. | Thin film solar cells with monolithic integration and backside contact |
| US20100024876A1 (en) * | 2008-08-04 | 2010-02-04 | Mcclary Richard L | Photon trapping solar cell |
| DE102008058530B4 (de) | 2008-11-21 | 2012-10-31 | Ulrich Loser | Technisches Verfahren zum Recycling von Dünnschichtsolarmodulen |
| US8618411B2 (en) * | 2009-04-08 | 2013-12-31 | David M. Schwartz | Method of making photovoltaic cell |
| KR20120052310A (ko) | 2009-07-13 | 2012-05-23 | 퍼스트 솔라, 인코포레이티드 | 태양 전지 전면 컨택트 도핑 |
| US20110067998A1 (en) * | 2009-09-20 | 2011-03-24 | Miasole | Method of making an electrically conductive cadmium sulfide sputtering target for photovoltaic manufacturing |
| KR101081294B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2011-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
| US20110104398A1 (en) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | General Electric Company | Method and system for depositing multiple materials on a substrate |
| US20110143489A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | General Electric Company | Process for making thin film solar cell |
| US20110139073A1 (en) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Primestar Solar, Inc. | Conveyor assembly for a vapor deposition apparatus |
| US8189198B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-05-29 | Primestar Solar, Inc. | Active viewport detection assembly for substrate detection in a vapor detection system |
| US8481355B2 (en) * | 2009-12-15 | 2013-07-09 | Primestar Solar, Inc. | Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8187555B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-05-29 | Primestar Solar, Inc. | System for cadmium telluride (CdTe) reclamation in a vapor deposition conveyor assembly |
| US8247255B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-08-21 | PrimeStar, Inc. | Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8430966B2 (en) * | 2009-12-16 | 2013-04-30 | Primestar Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8163089B2 (en) * | 2009-12-16 | 2012-04-24 | Primestar Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8048194B2 (en) | 2009-12-16 | 2011-11-01 | Primestar Solar, Inc. | System and process for recovery of cadmium telluride (CdTe) from system components used in the manufacture of photovoltaic (PV) modules |
| US8252117B2 (en) * | 2010-01-07 | 2012-08-28 | Primestar Solar, Inc. | Automatic feed system and related process for introducing source material to a thin film vapor deposition system |
| US8043955B1 (en) | 2010-03-30 | 2011-10-25 | Primestar Solar, Inc. | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US8043954B1 (en) | 2010-03-30 | 2011-10-25 | Primestar Solar, Inc. | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US8257561B2 (en) | 2010-03-30 | 2012-09-04 | Primestar Solar, Inc. | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US8053350B2 (en) | 2010-03-30 | 2011-11-08 | Primestar Solar, Inc | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US8361229B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-01-29 | Primestar Solar, Inc. | Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8361232B2 (en) | 2010-04-29 | 2013-01-29 | Primestar Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate |
| US8241938B2 (en) | 2010-07-02 | 2012-08-14 | Primestar Solar, Inc. | Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US8236601B2 (en) | 2010-07-02 | 2012-08-07 | Primestar Solar, Inc. | Apparatus and methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US8187386B2 (en) | 2010-12-22 | 2012-05-29 | Primestar Solar, Inc. | Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition |
| US8801858B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-08-12 | First Solar, Inc. | Non-wear shutter apparatus for a vapor deposition apparatus |
| US8771421B2 (en) | 2010-12-23 | 2014-07-08 | First Solar, Inc. | Entrance and exit roll seal configuration for a vapor deposition system |
| WO2014028014A1 (en) * | 2012-08-16 | 2014-02-20 | Empire Technology Development Llc | Devices for thermal management of photovoltaic devices and methods of their manufacture |
| DE102011004441B4 (de) * | 2011-02-21 | 2016-09-01 | Ctf Solar Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von auf Transformationstemperatur temperierten Glassubstraten |
| US8247741B2 (en) | 2011-03-24 | 2012-08-21 | Primestar Solar, Inc. | Dynamic system for variable heating or cooling of linearly conveyed substrates |
| US9608144B2 (en) | 2011-06-01 | 2017-03-28 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
| US8677932B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-03-25 | First Solar, Inc. | Apparatus for metering granular source material in a thin film vapor deposition apparatus |
| US8673777B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-03-18 | First Solar, Inc. | In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer |
| US8722136B2 (en) | 2011-10-21 | 2014-05-13 | First Solar, Inc. | Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices |
| CN103165695B (zh) * | 2011-12-09 | 2016-03-16 | 龙焱能源科技（杭州）有限公司 | 一种CdTe薄膜太阳能电池 |
| CN103357633A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-10-23 | 北京四方继保自动化股份有限公司 | 一种薄膜太阳能电池玻璃基底的清洗方法 |
| US9093599B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-28 | First Solar, Inc. | Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate |
| US20160359070A1 (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | International Business Machines Corporation | Controllable indium doping for high efficiency czts thin-film solar cells |
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Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4207119A (en) * | 1978-06-02 | 1980-06-10 | Eastman Kodak Company | Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell |
| US4375644A (en) * | 1979-11-30 | 1983-03-01 | Ricoh Co., Ltd. | Photoelectric element, picture-reading device including the same, and process for production thereof |
| US4650921A (en) * | 1985-10-24 | 1987-03-17 | Atlantic Richfield Company | Thin film cadmium telluride solar cell |
-
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- 1991-10-03 DE DE4132882A patent/DE4132882C2/de not_active Expired - Lifetime
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