JP3212881B2 - 半導体装置の製造装置および製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置および製造方法Info
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- JP3212881B2 JP3212881B2 JP20029296A JP20029296A JP3212881B2 JP 3212881 B2 JP3212881 B2 JP 3212881B2 JP 20029296 A JP20029296 A JP 20029296A JP 20029296 A JP20029296 A JP 20029296A JP 3212881 B2 JP3212881 B2 JP 3212881B2
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- bonding
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- semiconductor chip
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば半導体
装置の製造装置および製造方法に関するもので、特に、
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープにより半導体
チップとリードフレームとを接続した、いわゆる、ＴＡ
Ｂ−ＦＰ（TAB Flat Package）の製造に用いられるもの
である。
装置の製造装置および製造方法に関するもので、特に、
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープにより半導体
チップとリードフレームとを接続した、いわゆる、ＴＡ
Ｂ−ＦＰ（TAB Flat Package）の製造に用いられるもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の製造の分野において
は、小型化や多ピン化にともなって、半導体チップのボ
ンディングパッド間が狭ピッチ化してきており、従来の
ワイヤボンディングでは対応しきれない状況になりつつ
ある。
は、小型化や多ピン化にともなって、半導体チップのボ
ンディングパッド間が狭ピッチ化してきており、従来の
ワイヤボンディングでは対応しきれない状況になりつつ
ある。
【０００３】このような状況の中で、ワイヤボンディン
グによる接続方法に代わるものとして、ＴＡＢテープを
用いて半導体チップをリードフレーム上に搭載するよう
にしたＴＡＢ−ＦＰが開発されている。
グによる接続方法に代わるものとして、ＴＡＢテープを
用いて半導体チップをリードフレーム上に搭載するよう
にしたＴＡＢ−ＦＰが開発されている。
【０００４】ＴＡＢテープの場合、インナリードの間隔
をワイヤボンディングが可能な限界のピッチよりも狭く
形成することができるため、ボンディングパッド間の狭
ピッチ化に対して優位であり、しかも、安価に対応でき
る。
をワイヤボンディングが可能な限界のピッチよりも狭く
形成することができるため、ボンディングパッド間の狭
ピッチ化に対して優位であり、しかも、安価に対応でき
る。
【０００５】図４は、上記したＴＡＢ−ＦＰの製造に用
いられる、従来のボンディング装置の要部を示すもので
ある。従来のボンディング装置では、まず、ボンディン
グステージ１上にリードフレーム１０１を載置した後、
そのダイパッド１０２に、熱硬化性の接着剤からなるダ
イボンディング樹脂２０１を塗布する。
いられる、従来のボンディング装置の要部を示すもので
ある。従来のボンディング装置では、まず、ボンディン
グステージ１上にリードフレーム１０１を載置した後、
そのダイパッド１０２に、熱硬化性の接着剤からなるダ
イボンディング樹脂２０１を塗布する。
【０００６】一方、チップ固定用ノズル２によって、あ
らかじめ形成された、ＴＡＢテープ３０１上に半導体チ
ップ４０１を搭載してなるＴＡＢテープ付きチップを保
持させる。この場合、半導体チップ４０１上のボンディ
ングパッドのそれぞれに、ＴＡＢテープ３０１のフィル
ム３０２上に形成された各配線パターン３０３の一端が
接続されて、ＴＡＢテープ付きチップが形成されてい
る。
らかじめ形成された、ＴＡＢテープ３０１上に半導体チ
ップ４０１を搭載してなるＴＡＢテープ付きチップを保
持させる。この場合、半導体チップ４０１上のボンディ
ングパッドのそれぞれに、ＴＡＢテープ３０１のフィル
ム３０２上に形成された各配線パターン３０３の一端が
接続されて、ＴＡＢテープ付きチップが形成されてい
る。
【０００７】そして、相互の位置合わせを行った後、そ
のノズル２を所定の位置から所定の高さだけ降下させる
ことにより、半導体チップ４０１に所定の荷重を加えつ
つ、半導体チップ４０１をダイボンディング樹脂２０１
を介してダイパッド１０２上に固定する。
のノズル２を所定の位置から所定の高さだけ降下させる
ことにより、半導体チップ４０１に所定の荷重を加えつ
つ、半導体チップ４０１をダイボンディング樹脂２０１
を介してダイパッド１０２上に固定する。
【０００８】このとき、ボンディングステージ１に設け
られた凹部１ａにより、リードフレーム１０１のダイパ
ッド１０２の下に隙間が形成されることによって、チッ
プ固定用ノズル２の高さ方向のばらつきなどによる不要
な荷重が半導体チップ４０１に加わるのを防いで、傷や
クラックなどのダメージから半導体チップ４０１を保護
できるようになっている。
られた凹部１ａにより、リードフレーム１０１のダイパ
ッド１０２の下に隙間が形成されることによって、チッ
プ固定用ノズル２の高さ方向のばらつきなどによる不要
な荷重が半導体チップ４０１に加わるのを防いで、傷や
クラックなどのダメージから半導体チップ４０１を保護
できるようになっている。
【０００９】また、この状態で、ＯＬＢ（Outer Lead B
onding）ツール３によって、約５００℃の温度と所定の
圧力とを加えながら、ＴＡＢテープ３０１の各配線パタ
ーン３０３の他端を、リードフレーム１０１の各リード
１０３のインナリード１０３ａに接合（熱圧着）する。
onding）ツール３によって、約５００℃の温度と所定の
圧力とを加えながら、ＴＡＢテープ３０１の各配線パタ
ーン３０３の他端を、リードフレーム１０１の各リード
１０３のインナリード１０３ａに接合（熱圧着）する。
【００１０】こうして、リードフレーム１０１のダイパ
ッド１０２上への半導体チップ４０１のダイボンディン
グの後、ＴＡＢテープ３０１の各配線パターン３０３
の、リードフレーム１０１の各リード１０３へのアウタ
リードボンディングが連続して実行されて、リードフレ
ーム１０１上へのＴＡＢテープ付きチップの搭載が行わ
れる。
ッド１０２上への半導体チップ４０１のダイボンディン
グの後、ＴＡＢテープ３０１の各配線パターン３０３
の、リードフレーム１０１の各リード１０３へのアウタ
リードボンディングが連続して実行されて、リードフレ
ーム１０１上へのＴＡＢテープ付きチップの搭載が行わ
れる。
【００１１】しかしながら、上記した従来のボンディン
グ装置の場合、ダイパッド１０２を固定しないようにし
ているため、ダイボンディング時の半導体チップ４０１
に対するダメージを回避できる反面、アウタリードボン
ディング時のＯＬＢツール３からの熱によってダイパッ
ド１０２が変形しやすいという問題があった。
グ装置の場合、ダイパッド１０２を固定しないようにし
ているため、ダイボンディング時の半導体チップ４０１
に対するダメージを回避できる反面、アウタリードボン
ディング時のＯＬＢツール３からの熱によってダイパッ
ド１０２が変形しやすいという問題があった。
【００１２】ダイパッド１０２が変形すると、たとえば
図５に示すように、ダイボンディング樹脂２０１に空間
２０１ａなどができ、半導体チップ４０１とダイパッド
１０２との接着性を悪化させる。
図５に示すように、ダイボンディング樹脂２０１に空間
２０１ａなどができ、半導体チップ４０１とダイパッド
１０２との接着性を悪化させる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、半導体チップへのダメージを回避できるも
のの、ダイパッドの変形により、半導体チップをダイパ
ッド上に良好に接着するのが難しく、接着不良を生じや
すいという問題があった。
においては、半導体チップへのダメージを回避できるも
のの、ダイパッドの変形により、半導体チップをダイパ
ッド上に良好に接着するのが難しく、接着不良を生じや
すいという問題があった。
【００１４】そこで、この発明は、半導体チップに対し
てダメージを与えることなく、半導体チップのダイパッ
ド部上への接着を良好に行うことが可能な半導体装置の
製造装置および製造方法を提供することを目的としてい
る。
てダメージを与えることなく、半導体チップのダイパッ
ド部上への接着を良好に行うことが可能な半導体装置の
製造装置および製造方法を提供することを目的としてい
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の半導体装置の製造装置にあっては、リ
ードフレームが載置されるボンディングステージと、こ
のステージ上への前記リードフレームの載置により、該
リードフレームのダイパッド部を、その下方より支持す
る荷重制御可能に設けられたダイパッド受けと、ＴＡＢ
テープ上に搭載された半導体チップを保持し、その高さ
制御により、該半導体チップを前記ダイパッド受けによ
り支持されている前記リードフレームのダイパッド部上
にダイボンディングする固定用ツールと、前記ＴＡＢテ
ープのリード部を、前記リードフレームのリード部に熱
圧着により接合する接合用ツールとから構成されてい
る。
めに、この発明の半導体装置の製造装置にあっては、リ
ードフレームが載置されるボンディングステージと、こ
のステージ上への前記リードフレームの載置により、該
リードフレームのダイパッド部を、その下方より支持す
る荷重制御可能に設けられたダイパッド受けと、ＴＡＢ
テープ上に搭載された半導体チップを保持し、その高さ
制御により、該半導体チップを前記ダイパッド受けによ
り支持されている前記リードフレームのダイパッド部上
にダイボンディングする固定用ツールと、前記ＴＡＢテ
ープのリード部を、前記リードフレームのリード部に熱
圧着により接合する接合用ツールとから構成されてい
る。
【００１６】また、この発明の半導体装置の製造方法に
あっては、ボンディングステージ上へのリードフレーム
の載置により、該リードフレームのダイパッド部を、そ
の下方より荷重制御可能に設けられたダイパッド受けに
より支持させる工程と、ＴＡＢテープ上に搭載された半
導体チップを固定用ツールを用いて保持し、その高さ制
御により、該半導体チップを前記ダイパッド受けにより
支持されている前記ダイパッド部上にダイボンディング
する工程と、この状態で、前記ＴＡＢテープのリード部
を、接合用ツールを用いて前記リードフレームのリード
部に熱圧着する工程とからなっている。
あっては、ボンディングステージ上へのリードフレーム
の載置により、該リードフレームのダイパッド部を、そ
の下方より荷重制御可能に設けられたダイパッド受けに
より支持させる工程と、ＴＡＢテープ上に搭載された半
導体チップを固定用ツールを用いて保持し、その高さ制
御により、該半導体チップを前記ダイパッド受けにより
支持されている前記ダイパッド部上にダイボンディング
する工程と、この状態で、前記ＴＡＢテープのリード部
を、接合用ツールを用いて前記リードフレームのリード
部に熱圧着する工程とからなっている。
【００１７】この発明の半導体装置の製造装置および製
造方法によれば、リードフレームのダイパッド部を、半
導体チップに加えられる荷重を制御しながらも確実に固
定できるようになる。これにより、ダイパッド部の変形
を阻止でき、半導体チップとダイパッド部との接着性を
改善することが可能となるものである。
造方法によれば、リードフレームのダイパッド部を、半
導体チップに加えられる荷重を制御しながらも確実に固
定できるようになる。これにより、ダイパッド部の変形
を阻止でき、半導体チップとダイパッド部との接着性を
改善することが可能となるものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、ボンディング装置の要部を概略的に示
すものである。
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
一形態にかかる、ボンディング装置の要部を概略的に示
すものである。
【００１９】たとえば、このボンディング装置は、リー
ドフレーム１０１をリード１０３により支持するボンデ
ィングステージ１１、このステージ１１とは独立して設
けられ、上記リードフレーム１０１のダイパッド１０２
を支持するダイパッド受け１２、ＴＡＢテープ３０１上
の半導体チップ４０１を保持し、その半導体チップ４０
１を上記ダイパッド１０２上にダイボンディングするチ
ップ固定用ノズル（固定用ツール）１３、および、上記
ＴＡＢテープ３０１のフィルム３０２上に形成された配
線パターン（リード部）３０３を、上記リードフレーム
１０１のリード１０３に熱圧着により接合するＯＬＢツ
ール（接合用ツール）１４などを備えてなる構成とされ
ている。
ドフレーム１０１をリード１０３により支持するボンデ
ィングステージ１１、このステージ１１とは独立して設
けられ、上記リードフレーム１０１のダイパッド１０２
を支持するダイパッド受け１２、ＴＡＢテープ３０１上
の半導体チップ４０１を保持し、その半導体チップ４０
１を上記ダイパッド１０２上にダイボンディングするチ
ップ固定用ノズル（固定用ツール）１３、および、上記
ＴＡＢテープ３０１のフィルム３０２上に形成された配
線パターン（リード部）３０３を、上記リードフレーム
１０１のリード１０３に熱圧着により接合するＯＬＢツ
ール（接合用ツール）１４などを備えてなる構成とされ
ている。
【００２０】ボンディングステージ１１は、その略中心
部に、上記リードフレーム１０１のダイパッド１０２が
挿入される凹部１１ａが形成されている。そして、その
凹部１１ａの底部には、上記ダイパッド受け１２が突出
される開口１１ｂが形成されている。
部に、上記リードフレーム１０１のダイパッド１０２が
挿入される凹部１１ａが形成されている。そして、その
凹部１１ａの底部には、上記ダイパッド受け１２が突出
される開口１１ｂが形成されている。
【００２１】また、ボンディングステージ１１には、上
記凹部１１ａ内に高圧エアーや冷水を供給したり、また
は、凹部１１ａ内を真空にすることにより、上記ダイパ
ッド１０２を急速に冷却するための冷却路１１ｃが設け
られている。
記凹部１１ａ内に高圧エアーや冷水を供給したり、また
は、凹部１１ａ内を真空にすることにより、上記ダイパ
ッド１０２を急速に冷却するための冷却路１１ｃが設け
られている。
【００２２】ダイパッド受け１２は、上記開口１１ｂよ
り上記ボンディングステージ１１の凹部１１ａ内に突出
されて、上記リードフレーム１０１のダイパッド１０２
を下方より支持するように構成されている。
り上記ボンディングステージ１１の凹部１１ａ内に突出
されて、上記リードフレーム１０１のダイパッド１０２
を下方より支持するように構成されている。
【００２３】このダイパッド受け１２は、荷重制御用ス
プリング１２ａを介して取り付けられている。荷重制御
用スプリング１２ａは、たとえば、上記ダイパッド受け
１２を上下動可能に保持し、これにより、上記チップ固
定用ノズル１３の高さ方向のばらつきなどによる荷重の
過不足を調整することが可能となっている。したがっ
て、ダイボンディング時には、半導体チップ４０１に最
適荷重（たとえば、１００ｇ〜３００ｇ）を超える不要
な荷重が加わるのを防いで、傷やクラックなどのダメー
ジから半導体チップ４０１を保護できる。
プリング１２ａを介して取り付けられている。荷重制御
用スプリング１２ａは、たとえば、上記ダイパッド受け
１２を上下動可能に保持し、これにより、上記チップ固
定用ノズル１３の高さ方向のばらつきなどによる荷重の
過不足を調整することが可能となっている。したがっ
て、ダイボンディング時には、半導体チップ４０１に最
適荷重（たとえば、１００ｇ〜３００ｇ）を超える不要
な荷重が加わるのを防いで、傷やクラックなどのダメー
ジから半導体チップ４０１を保護できる。
【００２４】チップ固定用ノズル１３は、ＴＡＢテープ
３０１上にあらかじめ搭載されたＴＡＢテープ付きの半
導体チップ４０１を真空吸着などにより保持するため
の、保持機構（図示していない）を有して構成されてい
る。
３０１上にあらかじめ搭載されたＴＡＢテープ付きの半
導体チップ４０１を真空吸着などにより保持するため
の、保持機構（図示していない）を有して構成されてい
る。
【００２５】また、チップ固定用ノズル１３は、図示し
ていない駆動機構によって昇降動作するように構成され
ており、ダイボンディング時には、所定の位置から所定
の高さだけ降下するように、その高さ位置が制御される
ようになっている。
ていない駆動機構によって昇降動作するように構成され
ており、ダイボンディング時には、所定の位置から所定
の高さだけ降下するように、その高さ位置が制御される
ようになっている。
【００２６】ＯＬＢツール１４は、図示していない駆動
機構によって昇降動作するように構成されている。ま
た、ＯＬＢツール１４は、アウタリードボンディング時
に、上記ＴＡＢテープ３０１の配線パターン３０３を約
５００℃の温度で加熱するための、加熱機構（図示して
いない）を有して構成されている。
機構によって昇降動作するように構成されている。ま
た、ＯＬＢツール１４は、アウタリードボンディング時
に、上記ＴＡＢテープ３０１の配線パターン３０３を約
５００℃の温度で加熱するための、加熱機構（図示して
いない）を有して構成されている。
【００２７】なお、このボンディング装置は、さらに、
上記ボンディングステージ１１上に載置された上記リー
ドフレーム１０１の、上記ダイパッド１０２上に、たと
えば２００℃以下の温度で硬化する、熱硬化性の接着剤
からなるダイボンディング樹脂を塗布するための樹脂塗
布用ノズル（図示していない）などを備えて構成されて
いる。
上記ボンディングステージ１１上に載置された上記リー
ドフレーム１０１の、上記ダイパッド１０２上に、たと
えば２００℃以下の温度で硬化する、熱硬化性の接着剤
からなるダイボンディング樹脂を塗布するための樹脂塗
布用ノズル（図示していない）などを備えて構成されて
いる。
【００２８】次に、上記した構成のボンディング装置に
よる半導体装置の製造方法について説明する。図２は、
ＴＡＢ−ＦＰ（TAB Flat Package）の製造にかかるプロ
セスの要部を概略的に示すものである。
よる半導体装置の製造方法について説明する。図２は、
ＴＡＢ−ＦＰ（TAB Flat Package）の製造にかかるプロ
セスの要部を概略的に示すものである。
【００２９】まず、ボンディングステージ１１上にリー
ドフレーム１０１を載置した後、そのダイパッド１０２
上に、熱硬化性の接着剤からなるダイボンディング樹脂
２０１を塗布する。
ドフレーム１０１を載置した後、そのダイパッド１０２
上に、熱硬化性の接着剤からなるダイボンディング樹脂
２０１を塗布する。
【００３０】一方、チップ固定用ノズル１３によって、
あらかじめ別工程にて形成された、ＴＡＢテープ３０１
上に半導体チップ４０１を搭載してなるＴＡＢテープ付
きチップを保持させる（以上、同図（ａ）参照）。
あらかじめ別工程にて形成された、ＴＡＢテープ３０１
上に半導体チップ４０１を搭載してなるＴＡＢテープ付
きチップを保持させる（以上、同図（ａ）参照）。
【００３１】上記ＴＡＢテープ付きチップは、半導体チ
ップ４０１上のボンディングパッドのそれぞれに、上記
ＴＡＢテープ３０１のフィルム３０２上に形成された各
配線パターン３０３の一端が接続されてなる構成とされ
ている。
ップ４０１上のボンディングパッドのそれぞれに、上記
ＴＡＢテープ３０１のフィルム３０２上に形成された各
配線パターン３０３の一端が接続されてなる構成とされ
ている。
【００３２】そして、相互の位置合わせを行った後、た
とえば、上記ノズル１３を所定の位置から所定の高さだ
け降下させることにより、半導体チップ４０１に所定の
荷重を加えつつ、半導体チップ４０１をダイボンディン
グ樹脂２０１を介してダイパッド１０２上に固定する
（同図（ｂ）参照）。
とえば、上記ノズル１３を所定の位置から所定の高さだ
け降下させることにより、半導体チップ４０１に所定の
荷重を加えつつ、半導体チップ４０１をダイボンディン
グ樹脂２０１を介してダイパッド１０２上に固定する
（同図（ｂ）参照）。
【００３３】このとき、上記リードフレーム１０１のダ
イパッド１０２は、その下方より、ダイパッド受け１２
によって支持されている。このため、ダイボンディング
時に、たとえば、上記ダイパッド１０２が不用意に下方
向に移動したり、振動するのを阻止できる。
イパッド１０２は、その下方より、ダイパッド受け１２
によって支持されている。このため、ダイボンディング
時に、たとえば、上記ダイパッド１０２が不用意に下方
向に移動したり、振動するのを阻止できる。
【００３４】したがって、適当な温度（２００℃以下）
で上記ダイボンディング樹脂２０１を熱硬化させること
により、ダイパッド１０２と半導体チップ４０１とが、
上記ダイボンディング樹脂２０１を介して良好に接着さ
れる。
で上記ダイボンディング樹脂２０１を熱硬化させること
により、ダイパッド１０２と半導体チップ４０１とが、
上記ダイボンディング樹脂２０１を介して良好に接着さ
れる。
【００３５】一方、チップ固定用ノズル１３の高さ方向
のばらつきなどによって不要な荷重が半導体チップ４０
１に加わる場合には、それを、荷重制御用スプリング１
２ａの伸縮によって逃がすことができる。
のばらつきなどによって不要な荷重が半導体チップ４０
１に加わる場合には、それを、荷重制御用スプリング１
２ａの伸縮によって逃がすことができる。
【００３６】すなわち、半導体チップ４０１に不要な荷
重が加えられると、その不要な荷重の分だけ荷重制御用
スプリング１２ａによって半導体チップ４０１の位置が
下げられる。これにより、半導体チップ４０１に加わる
荷重が制御されることによって、半導体チップ４０１の
ダイパッド１０２へのダイボンディングを良好に行うた
めの、最適な接着荷重力（たとえば、１Ｎ〜３Ｎ）を常
に確保することが可能となると同時に、半導体チップ４
０１に不要な荷重が加わるのを防いで、傷やクラックな
どのダメージから半導体チップ４０１を確実に保護でき
る。
重が加えられると、その不要な荷重の分だけ荷重制御用
スプリング１２ａによって半導体チップ４０１の位置が
下げられる。これにより、半導体チップ４０１に加わる
荷重が制御されることによって、半導体チップ４０１の
ダイパッド１０２へのダイボンディングを良好に行うた
めの、最適な接着荷重力（たとえば、１Ｎ〜３Ｎ）を常
に確保することが可能となると同時に、半導体チップ４
０１に不要な荷重が加わるのを防いで、傷やクラックな
どのダメージから半導体チップ４０１を確実に保護でき
る。
【００３７】この後、ＯＬＢツール１４によって、約５
００℃の温度と所定の圧力とを加えながら、ＴＡＢテー
プ３０１の各配線パターン３０３の他端を、リードフレ
ーム１０１の各リード１０３のインナリード１０３ａに
接合（熱圧着）する（同図（ｃ）参照）。
００℃の温度と所定の圧力とを加えながら、ＴＡＢテー
プ３０１の各配線パターン３０３の他端を、リードフレ
ーム１０１の各リード１０３のインナリード１０３ａに
接合（熱圧着）する（同図（ｃ）参照）。
【００３８】このときも、上記リードフレーム１０１の
ダイパッド１０２は、その下方より、上記ダイパッド受
け１２によって支持されている。このため、アウタリー
ドボンディング時の、上記ＯＬＢツール１４からの熱に
よってダイパッド１０２が変形するのを阻止できる。
ダイパッド１０２は、その下方より、上記ダイパッド受
け１２によって支持されている。このため、アウタリー
ドボンディング時の、上記ＯＬＢツール１４からの熱に
よってダイパッド１０２が変形するのを阻止できる。
【００３９】しかも、このアウタリードボンディング時
に、たとえば、上記冷却路１１ｃを介して上記ダイパッ
ド１０２などを急速に冷却することによって、ダイボン
ディング樹脂２０１の温度が高くなるのを防止できる。
したがって、ダイボンディング樹脂２０１の成分が揮発
するのを防ぐことが可能となり、半導体チップ４０１と
ダイパッド１０２とを、より強固に接着できるようにな
る。
に、たとえば、上記冷却路１１ｃを介して上記ダイパッ
ド１０２などを急速に冷却することによって、ダイボン
ディング樹脂２０１の温度が高くなるのを防止できる。
したがって、ダイボンディング樹脂２０１の成分が揮発
するのを防ぐことが可能となり、半導体チップ４０１と
ダイパッド１０２とを、より強固に接着できるようにな
る。
【００４０】このように、リードフレーム１０１のダイ
パッド１０２を荷重制御が可能なダイパッド受け１２に
より支持するようにしているため、ダイボンディング時
に半導体チップ４０１に不要な荷重が加えられるのを防
ぐことができるとともに、アウタリードボンディング時
の熱によってダイパッド１０２が変形するのを阻止でき
るようになる。
パッド１０２を荷重制御が可能なダイパッド受け１２に
より支持するようにしているため、ダイボンディング時
に半導体チップ４０１に不要な荷重が加えられるのを防
ぐことができるとともに、アウタリードボンディング時
の熱によってダイパッド１０２が変形するのを阻止でき
るようになる。
【００４１】したがって、傷やクラックなどのダメージ
から半導体チップ４０１を保護しつつ、たとえば図３に
示すように、ダイボンディング樹脂２０１に空間ができ
るのを防いで、リードフレーム１０１のダイパッド１０
２上への半導体チップ４０１の接着を良好に行うことが
可能となる。
から半導体チップ４０１を保護しつつ、たとえば図３に
示すように、ダイボンディング樹脂２０１に空間ができ
るのを防いで、リードフレーム１０１のダイパッド１０
２上への半導体チップ４０１の接着を良好に行うことが
可能となる。
【００４２】なお、半導体チップ４０１がダイパッド１
０２上にダイボンディングされ、かつ、ＴＡＢテープ３
０１の配線パターン３０３とリード１０３とがアウタリ
ードボンディングされることにより、ＴＡＢテープ付き
チップが搭載されたリードフレーム１０１は、別工程、
たとえばトランスファモールド工程に送られる。
０２上にダイボンディングされ、かつ、ＴＡＢテープ３
０１の配線パターン３０３とリード１０３とがアウタリ
ードボンディングされることにより、ＴＡＢテープ付き
チップが搭載されたリードフレーム１０１は、別工程、
たとえばトランスファモールド工程に送られる。
【００４３】そして、上記配線パターン３０３とリード
１０３とのアウタリードボンディング点を含んで、上記
ダイパッド１０２上にダイボンディングされた半導体チ
ップ４０１の周囲が樹脂封止された後、上記リードフレ
ーム１０１の各リード１０３のアウタリード１０３ｂが
所定の形状にフォーミングされて、最終的に、ＴＡＢ−
ＦＰが形成される。
１０３とのアウタリードボンディング点を含んで、上記
ダイパッド１０２上にダイボンディングされた半導体チ
ップ４０１の周囲が樹脂封止された後、上記リードフレ
ーム１０１の各リード１０３のアウタリード１０３ｂが
所定の形状にフォーミングされて、最終的に、ＴＡＢ−
ＦＰが形成される。
【００４４】上記したように、リードフレームのダイパ
ッドを、半導体チップに加えられる荷重を制御しながら
も確実に固定できるようにしている。すなわち、荷重制
御用スプリングを介して取り付けられたダイパッド受け
により、リードフレームのダイパッドを下方より支持す
るようにしている。これにより、アウタリードボンディ
ング時の熱によってダイパッドが変形したりするのを阻
止できるとともに、半導体チップに不要な荷重が加えら
れるのを防止できるようになる。したがって、半導体チ
ップとダイパッドとの接着性を改善でき、ダメージや接
着不良を防ぐことが可能となるものである。
ッドを、半導体チップに加えられる荷重を制御しながら
も確実に固定できるようにしている。すなわち、荷重制
御用スプリングを介して取り付けられたダイパッド受け
により、リードフレームのダイパッドを下方より支持す
るようにしている。これにより、アウタリードボンディ
ング時の熱によってダイパッドが変形したりするのを阻
止できるとともに、半導体チップに不要な荷重が加えら
れるのを防止できるようになる。したがって、半導体チ
ップとダイパッドとの接着性を改善でき、ダメージや接
着不良を防ぐことが可能となるものである。
【００４５】しかも、ダイパッド受けで荷重制御するも
ののため、複雑なチップ固定用ノズルによる荷重制御の
代替え技術として、特に、有用である。なお、上記した
本発明の実施の一形態においては、ＴＡＢテープの配線
パターンを押さえずに半導体チップをダイボンディング
するようにした場合について説明したが、これに限ら
ず、たとえばＯＬＢツールによって配線パターンをリー
ドに当接させながら、ダイボンディングを行うようにす
ることも可能である。その他、この発明の要旨を変えな
い範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
ののため、複雑なチップ固定用ノズルによる荷重制御の
代替え技術として、特に、有用である。なお、上記した
本発明の実施の一形態においては、ＴＡＢテープの配線
パターンを押さえずに半導体チップをダイボンディング
するようにした場合について説明したが、これに限ら
ず、たとえばＯＬＢツールによって配線パターンをリー
ドに当接させながら、ダイボンディングを行うようにす
ることも可能である。その他、この発明の要旨を変えな
い範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、半導体チップに対してダメージを与えることなく、
半導体チップのダイパッド部上への接着を良好に行うこ
とが可能な半導体装置の製造装置および製造方法を提供
できる。
ば、半導体チップに対してダメージを与えることなく、
半導体チップのダイパッド部上への接着を良好に行うこ
とが可能な半導体装置の製造装置および製造方法を提供
できる。
【図１】この発明の実施の一形態にかかる、ボンディン
グ装置の要部を示す概略図。
グ装置の要部を示す概略図。
【図２】同じく、製造プロセスを説明するために示すボ
ンディング装置の概略図。
ンディング装置の概略図。
【図３】同じく、ＴＡＢテープ付きチップが搭載された
状態を示すリードフレームの概略構成図。
状態を示すリードフレームの概略構成図。
【図４】従来技術とその問題点を説明するために示す、
ボンディング装置の概略図。
ボンディング装置の概略図。
【図５】同じく、かかる問題点を説明するために示すボ
ンディング装置の概略図。
ンディング装置の概略図。
１１…ボンディングステージ １１ａ…凹部 １１ｂ…開口 １１ｃ…冷却路 １２…ダイパッド受け １２ａ…荷重制御用スプリング １３…チップ固定用ノズル １４…ＯＬＢツール １０１…リードフレーム １０２…ダイパッド １０３…リード １０３ａ…インナリード １０３ｂ…アウタリード ２０１…ダイボンディング樹脂 ３０１…ＴＡＢテープ ３０２…フィルム ３０３…配線パターン ４０１…半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/60
Claims (8)
- 【請求項１】 リードフレームが載置されるボンディン
グステージと、 このステージ上への前記リードフレームの載置により、
該リードフレームのダイパッド部を、その下方より支持
する荷重制御可能に設けられたダイパッド受けと、 ＴＡＢテープ上に搭載された半導体チップを保持し、そ
の高さ制御により、該半導体チップを前記ダイパッド受
けにより支持されている前記リードフレームのダイパッ
ド部上にダイボンディングする固定用ツールと、 前記ＴＡＢテープのリード部を、前記リードフレームの
リード部に熱圧着により接合する接合用ツールとを具備
したことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記ダイパッド受けは、荷重制御用のス
プリングを有して構成されていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】 前記固定用ツールは、前記半導体チップ
の表面を真空吸着するための機構を備えてなることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 前記ボンディングステージは、前記リー
ドフレームのダイパッド部を冷却するための冷却機構を
有してなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置の製造装置。 - 【請求項５】 ボンディングステージ上へのリードフレ
ームの載置により、該リードフレームのダイパッド部
を、その下方より荷重制御可能に設けられたダイパッド
受けにより支持させる工程と、 ＴＡＢテープ上に搭載された半導体チップを固定用ツー
ルを用いて保持し、その高さ制御により、該半導体チッ
プを前記ダイパッド受けにより支持されている前記ダイ
パッド部上にダイボンディングする工程と、 この状態で、前記ＴＡＢテープのリード部を、接合用ツ
ールを用いて前記リードフレームのリード部に熱圧着す
る工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記ダイパッド受けは、スプリングによ
りダイボンディング時に前記半導体チップおよび前記ダ
イパッド部にかかる荷重を制御するものであることを特
徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記固定用ツールは、前記半導体チップ
の表面を真空吸着するものであることを特徴とする請求
項５に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記ボンディングステージは、冷却機構
によりダイボンディング時に前記リードフレームのダイ
パッド部を冷却するものであることを特徴とする請求項
５に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20029296A JP3212881B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20029296A JP3212881B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050738A JPH1050738A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3212881B2 true JP3212881B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=16421898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20029296A Expired - Lifetime JP3212881B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3212881B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103624463B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-03-23 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | Fp型陶瓷管壳平行缝焊封装夹具 |
| US20210362281A1 (en) * | 2020-05-20 | 2021-11-25 | Atkinson International, Inc. | Unloader/Pusher Tube Debris Removal System |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20029296A patent/JP3212881B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1050738A (ja) | 1998-02-20 |
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