JPH05347331A - 半導体装置の製法およびその製造装置 - Google Patents
半導体装置の製法およびその製造装置Info
- Publication number
- JPH05347331A JPH05347331A JP15499792A JP15499792A JPH05347331A JP H05347331 A JPH05347331 A JP H05347331A JP 15499792 A JP15499792 A JP 15499792A JP 15499792 A JP15499792 A JP 15499792A JP H05347331 A JPH05347331 A JP H05347331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- mounting table
- recess
- bonding
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 可撓性樹脂フィルムに貼り付けられた金属細
線と半導体チップの側縁部との接触を防止する半導体製
造装置の製法およびその製造装置を提供する。 【構成】 半導体チップ４を収容しうる開口面積および
該半導体チップの厚さより僅かに深い凹部２ａが形成さ
れた載置台２の凹部に、一方の面に複数個の電極である
バンプ４ａが形成された半導体チップ４を設置し、その
上部に配置された可撓性樹脂フィルム５に設けられた金
属細線５ａとの位置合せをしたのち、加熱、加圧手段と
を有するボンディングツール３を金属細線部に圧接して
ボンディングする。
線と半導体チップの側縁部との接触を防止する半導体製
造装置の製法およびその製造装置を提供する。 【構成】 半導体チップ４を収容しうる開口面積および
該半導体チップの厚さより僅かに深い凹部２ａが形成さ
れた載置台２の凹部に、一方の面に複数個の電極である
バンプ４ａが形成された半導体チップ４を設置し、その
上部に配置された可撓性樹脂フィルム５に設けられた金
属細線５ａとの位置合せをしたのち、加熱、加圧手段と
を有するボンディングツール３を金属細線部に圧接して
ボンディングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製法およ
びその製造装置に関する。さらに詳しくは、半導体チッ
プを可撓性樹脂フィルムに設けられた金属細線にボンデ
ィングする方法を改善した半導体装置の製法およびその
製造装置に関する。
びその製造装置に関する。さらに詳しくは、半導体チッ
プを可撓性樹脂フィルムに設けられた金属細線にボンデ
ィングする方法を改善した半導体装置の製法およびその
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程のいわゆる
後工程である半導体チップをリード線とボンディング
し、樹脂でモールドして個々の半導体装置を形成する方
法に、リードフレームに半導体チップをダイボンディン
グして金線などをワイヤボンディングする方法と、ポリ
イミドなどの可撓性樹脂フィルムに形成された金属細線
に半導体チップの電極であるバンプを直接ボンディング
する方法とがある。この可撓性樹脂フィルムに形成され
た金属細線に半導体チップのバンプを直接ボンディング
する従来の方法は、図３に示すとおりブロック状に形成
された載置台（ステージ）21ａ上に半導体チップ22を載
せ、半導体チップ22の一方の面上に突設されたＡｕバン
プ22ａとポリイミドフィルム23に貼り付けられ、エッチ
ングにより形成されたＣｕパターン23ａの自由端（フィ
ンガ部）とを位置合わせし、しかるのちＣｕパターン23
ａの自由端と半導体チップ22の電極であるバンプ22ａと
を接触させ、ボンディングツール21ｂにより温度450 〜
500 ℃、荷重60〜80ｇ／リード、時間0.5 〜1.0 秒の条
件で加熱、加圧することによりボンディング（接合）し
ている。
後工程である半導体チップをリード線とボンディング
し、樹脂でモールドして個々の半導体装置を形成する方
法に、リードフレームに半導体チップをダイボンディン
グして金線などをワイヤボンディングする方法と、ポリ
イミドなどの可撓性樹脂フィルムに形成された金属細線
に半導体チップの電極であるバンプを直接ボンディング
する方法とがある。この可撓性樹脂フィルムに形成され
た金属細線に半導体チップのバンプを直接ボンディング
する従来の方法は、図３に示すとおりブロック状に形成
された載置台（ステージ）21ａ上に半導体チップ22を載
せ、半導体チップ22の一方の面上に突設されたＡｕバン
プ22ａとポリイミドフィルム23に貼り付けられ、エッチ
ングにより形成されたＣｕパターン23ａの自由端（フィ
ンガ部）とを位置合わせし、しかるのちＣｕパターン23
ａの自由端と半導体チップ22の電極であるバンプ22ａと
を接触させ、ボンディングツール21ｂにより温度450 〜
500 ℃、荷重60〜80ｇ／リード、時間0.5 〜1.0 秒の条
件で加熱、加圧することによりボンディング（接合）し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術によるＣ
ｕパターン23ａの自由端（フィンガ部）と半導体チップ
22の電極とのボンディング方法では、ボンディングツー
ル21ｂから発生する熱によりポリイミドフィルムが150
℃くらいに昇温して収縮し、重力の影響をうけて下垂す
るような変形が生じる。このため図３に示すように、半
導体チップ22の側縁部のシリコンと金属細線であるＣｕ
パターン23ａとが接触し、短絡事故が発生することがあ
る。
ｕパターン23ａの自由端（フィンガ部）と半導体チップ
22の電極とのボンディング方法では、ボンディングツー
ル21ｂから発生する熱によりポリイミドフィルムが150
℃くらいに昇温して収縮し、重力の影響をうけて下垂す
るような変形が生じる。このため図３に示すように、半
導体チップ22の側縁部のシリコンと金属細線であるＣｕ
パターン23ａとが接触し、短絡事故が発生することがあ
る。
【０００４】本発明の目的は、ポリイミドフィルムなど
可撓性樹脂フィルムに貼り付けられたＣｕパターンと半
導体チップの側縁部との接触を防止する半導体装置の製
法およびその製造装置を提供することである。
可撓性樹脂フィルムに貼り付けられたＣｕパターンと半
導体チップの側縁部との接触を防止する半導体装置の製
法およびその製造装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製法は、（ａ）半導体チップの大きさより僅かに大き
い凹部が形成された載置台の該凹部に半導体チップが設
置され、（ｂ）該載置台の上部に配置された金属細線を
有する可撓性樹脂フィルムの該金属細線と前記半導体チ
ップのバンプとが位置合わせされるように、前記載置台
の位置が微調整され、（ｃ）ボンディングツールにより
前記半導体チップのバンプと前記金属細線とが圧接され
ると共に加熱され、可撓性フィルムに固着された金属細
線と前記半導体チップとがボンディングされることを特
徴とするものである。
の製法は、（ａ）半導体チップの大きさより僅かに大き
い凹部が形成された載置台の該凹部に半導体チップが設
置され、（ｂ）該載置台の上部に配置された金属細線を
有する可撓性樹脂フィルムの該金属細線と前記半導体チ
ップのバンプとが位置合わせされるように、前記載置台
の位置が微調整され、（ｃ）ボンディングツールにより
前記半導体チップのバンプと前記金属細線とが圧接され
ると共に加熱され、可撓性フィルムに固着された金属細
線と前記半導体チップとがボンディングされることを特
徴とするものである。
【０００６】また、本発明による半導体装置の製造装置
は、半導体チップの大きさより僅かに大きい凹部が形成
された載置台と、該載置台をｘ軸方向、ｙ軸方向および
回転方向に微調整する駆動装置と、加熱、加圧手段を有
するボンディングツールとからなることを特徴とするも
のである。
は、半導体チップの大きさより僅かに大きい凹部が形成
された載置台と、該載置台をｘ軸方向、ｙ軸方向および
回転方向に微調整する駆動装置と、加熱、加圧手段を有
するボンディングツールとからなることを特徴とするも
のである。
【０００７】
【作用】本発明によればボンディング時の半導体チップ
を載置する載置台に半導体チップより僅かに大きい凹部
を形成し、その凹部に半導体チップを挿入して上側から
金属細線が固着された可撓性樹脂フィルムが配置され、
載置台が位置合わせされてボンディングツールにより加
圧、加熱されるため、可撓性樹脂フィルムは凹部周囲の
載置台で保持され、昇温により可撓性樹脂フィルムが収
縮しても垂れ下がることがなく、半導体チップと金属細
線とが接触することがなく、ボンディング後温度が下が
ればまた固化し、金属細線は平らな状態で半導体チップ
をボンディングできる。
を載置する載置台に半導体チップより僅かに大きい凹部
を形成し、その凹部に半導体チップを挿入して上側から
金属細線が固着された可撓性樹脂フィルムが配置され、
載置台が位置合わせされてボンディングツールにより加
圧、加熱されるため、可撓性樹脂フィルムは凹部周囲の
載置台で保持され、昇温により可撓性樹脂フィルムが収
縮しても垂れ下がることがなく、半導体チップと金属細
線とが接触することがなく、ボンディング後温度が下が
ればまた固化し、金属細線は平らな状態で半導体チップ
をボンディングできる。
【０００８】
【実施例】つぎに、添付図面に基づき本発明の半導体装
置の製法およびその製造装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例である半導体装置の製造装置を
用いたボンディングの状態を示す側面図、図２は図１の
半導体装置の製造装置の載置台を示す斜視図である。
置の製法およびその製造装置について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例である半導体装置の製造装置を
用いたボンディングの状態を示す側面図、図２は図１の
半導体装置の製造装置の載置台を示す斜視図である。
【０００９】図１において、２は半導体装置の製造装置
１の載置台を示しており、本発明ではこの載置台２に半
導体チップを挿入設置できる凹部２ａが形成されている
ところに特徴がある。凹部２ａはボンディングしようと
する半導体チップ４の大きさより、幅、深さ共に僅かに
大きくなるように形成する。具体例としては、凹部２ａ
の深さｄは、半導体チップ４の厚さをｔとするとｔ〜ｔ
＋200 μｍ、さらに好ましくはｔ＋50μｍ〜ｔ＋150 μ
ｍの範囲が好ましい。これは凹部２ａがこれより浅いと
ボンディング時の垂れ下りにより、Ｃｕパターンと半導
体チップ４の肩部とが接触し、接触防止という効果がえ
られない。また、凹部２ａの深さｄが深すぎるとＣｕパ
ターン５ａの長さを長くする必要が生じると共に、Ｃｕ
パターンが長いとたわみが生じ易くなるからである。こ
のため、凹部２ａの深さｄと半導体チップ４の厚さｔと
の関係は前述の如くｔ≦ｄ≦ｔ＋200 μｍにするのが良
く、さらに好ましくはｔ＋50μｍ≦ｄ≦ｔ＋150 μｍに
するのが好ましい。したがって、たとえば半導体チップ
の厚さが300 μｍのとき、好ましい凹部２ａの深さは30
0 〜500 μｍ、さらに好ましくは350 〜450 μｍであ
る。一方、凹部の幅Ｗr は半導体チップ４の幅Ｗc より
1.0mm 位大きくするのが好ましい。これは、半導体チッ
プ４の幅Ｗc と凹部２ａの幅Ｗr の差が余りないと、凹
部２ａに半導体チップ４を設置する際にスムースに挿入
されなかったり、作業効率が低下し、逆に余り余裕があ
り過ぎると金属細線であるＣｕパターン５ａの長さを長
くする必要があり、たるみなども生じ易くなるからであ
る。一方、１mm位の余裕であれば、片側約0.5mm の余裕
になり、載置台の調整範囲で、可撓性樹脂フィルム５の
Ｃｕパターン５ａの位置と半導体チップ４のバンプ４ａ
の位置を正確に調整しうる範囲であるからである。しか
し、この横幅は高さ程厳しい範囲ではなく、片側で0.3
〜0.8mm 位の余裕を有するように形成されるのが好まし
い。その結果品種の異なる半導体チップ４をボンディン
グするばあいでも、同じ載置台で、同じボンディングツ
ールを使用することができる。３は半導体チップ４のバ
ンプ４ａとＣｕパターン５ａにより形成された金属細線
とをボンディングするボンディングツールを示してお
り、450 〜500 ℃位に加熱されると共に、60〜80ｇ重位
の圧縮力を印加できる。また、この半導体装置の製造装
置１にはさらに、位置合せ機構（図示されていない）が
設けられており、図２に示すようにｘ軸方向、ｙ軸方向
および回転方向の微調整ができ、Ｃｕパターン５ａと半
導体チップ４のバンプ４ａとがしっかりと位置決めでき
るようにされている。
１の載置台を示しており、本発明ではこの載置台２に半
導体チップを挿入設置できる凹部２ａが形成されている
ところに特徴がある。凹部２ａはボンディングしようと
する半導体チップ４の大きさより、幅、深さ共に僅かに
大きくなるように形成する。具体例としては、凹部２ａ
の深さｄは、半導体チップ４の厚さをｔとするとｔ〜ｔ
＋200 μｍ、さらに好ましくはｔ＋50μｍ〜ｔ＋150 μ
ｍの範囲が好ましい。これは凹部２ａがこれより浅いと
ボンディング時の垂れ下りにより、Ｃｕパターンと半導
体チップ４の肩部とが接触し、接触防止という効果がえ
られない。また、凹部２ａの深さｄが深すぎるとＣｕパ
ターン５ａの長さを長くする必要が生じると共に、Ｃｕ
パターンが長いとたわみが生じ易くなるからである。こ
のため、凹部２ａの深さｄと半導体チップ４の厚さｔと
の関係は前述の如くｔ≦ｄ≦ｔ＋200 μｍにするのが良
く、さらに好ましくはｔ＋50μｍ≦ｄ≦ｔ＋150 μｍに
するのが好ましい。したがって、たとえば半導体チップ
の厚さが300 μｍのとき、好ましい凹部２ａの深さは30
0 〜500 μｍ、さらに好ましくは350 〜450 μｍであ
る。一方、凹部の幅Ｗr は半導体チップ４の幅Ｗc より
1.0mm 位大きくするのが好ましい。これは、半導体チッ
プ４の幅Ｗc と凹部２ａの幅Ｗr の差が余りないと、凹
部２ａに半導体チップ４を設置する際にスムースに挿入
されなかったり、作業効率が低下し、逆に余り余裕があ
り過ぎると金属細線であるＣｕパターン５ａの長さを長
くする必要があり、たるみなども生じ易くなるからであ
る。一方、１mm位の余裕であれば、片側約0.5mm の余裕
になり、載置台の調整範囲で、可撓性樹脂フィルム５の
Ｃｕパターン５ａの位置と半導体チップ４のバンプ４ａ
の位置を正確に調整しうる範囲であるからである。しか
し、この横幅は高さ程厳しい範囲ではなく、片側で0.3
〜0.8mm 位の余裕を有するように形成されるのが好まし
い。その結果品種の異なる半導体チップ４をボンディン
グするばあいでも、同じ載置台で、同じボンディングツ
ールを使用することができる。３は半導体チップ４のバ
ンプ４ａとＣｕパターン５ａにより形成された金属細線
とをボンディングするボンディングツールを示してお
り、450 〜500 ℃位に加熱されると共に、60〜80ｇ重位
の圧縮力を印加できる。また、この半導体装置の製造装
置１にはさらに、位置合せ機構（図示されていない）が
設けられており、図２に示すようにｘ軸方向、ｙ軸方向
および回転方向の微調整ができ、Ｃｕパターン５ａと半
導体チップ４のバンプ４ａとがしっかりと位置決めでき
るようにされている。
【００１０】つぎに本発明の半導体装置の製造装置１を
用いて半導体チップ４のバンプ４ａとＣｕパターン５ａ
とをボンディングする方法について説明する。
用いて半導体チップ４のバンプ４ａとＣｕパターン５ａ
とをボンディングする方法について説明する。
【００１１】まず半導体チップ４を載置台２の凹部２ａ
に収容する。このとき半導体チップ４と左右両側壁部２
ｂとの隙間が共に約0.5mm 位となるようにする。なお、
半導体チップ４の一方の面には電極であるバンプ４ａが
突設されている。つぎに可撓性樹脂フィルム５にエポキ
シ系などの接着剤で貼り付けられたＣｕパターン５ａの
先端とボンディングすべきバンプ４ａとを、図２に示す
とおり位置合せ機構により載置台２をその中心軸回りに
回転させ、ｘ軸方向、ｙ軸方向に移動させることにより
所望の位置に位置合せする。なお、可撓性樹脂フィルム
としてはポリイミドフィルムのほかポリエステルフィル
ム、ガラエポフィルムなどが用いられる。Ｃｕパターン
は金属細線の一例として使用したもので、その他にＡｌ
などでもよい。また、ＣｕパターンにはＳｎメッキを施
してもよい。
に収容する。このとき半導体チップ４と左右両側壁部２
ｂとの隙間が共に約0.5mm 位となるようにする。なお、
半導体チップ４の一方の面には電極であるバンプ４ａが
突設されている。つぎに可撓性樹脂フィルム５にエポキ
シ系などの接着剤で貼り付けられたＣｕパターン５ａの
先端とボンディングすべきバンプ４ａとを、図２に示す
とおり位置合せ機構により載置台２をその中心軸回りに
回転させ、ｘ軸方向、ｙ軸方向に移動させることにより
所望の位置に位置合せする。なお、可撓性樹脂フィルム
としてはポリイミドフィルムのほかポリエステルフィル
ム、ガラエポフィルムなどが用いられる。Ｃｕパターン
は金属細線の一例として使用したもので、その他にＡｌ
などでもよい。また、ＣｕパターンにはＳｎメッキを施
してもよい。
【００１２】つぎに、Ｃｕパターン５ａの先端とバンプ
４ａとをボンディングツール３により圧接して温度を45
0 〜500 ℃、荷重を60〜80ｇ／リード加えて、0.5 〜1.
0 秒間加熱、加圧することによりボンディングする。
４ａとをボンディングツール３により圧接して温度を45
0 〜500 ℃、荷重を60〜80ｇ／リード加えて、0.5 〜1.
0 秒間加熱、加圧することによりボンディングする。
【００１３】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製法によれば、半
導体チップの電極であるバンプと可撓性樹脂フィルムの
金属細線とをボンディングするのに、載置台に形成され
た凹部の中に半導体チップを設置して行うため、ボンデ
ィングツールの熱により、可撓性樹脂フィルムが軟らか
くなっても金属細線が載置台の側壁部に支持され、金属
細線と半導体チップの側縁部との接触は防止され、短絡
を起こすことはない。
導体チップの電極であるバンプと可撓性樹脂フィルムの
金属細線とをボンディングするのに、載置台に形成され
た凹部の中に半導体チップを設置して行うため、ボンデ
ィングツールの熱により、可撓性樹脂フィルムが軟らか
くなっても金属細線が載置台の側壁部に支持され、金属
細線と半導体チップの側縁部との接触は防止され、短絡
を起こすことはない。
【図１】本発明の一実施例である製法のボンディング工
程を説明する図である。
程を説明する図である。
【図２】図１の製造装置の載置台を示す斜視図である。
【図３】従来の半導体装置の製造装置を用いたボンディ
ングの状態を示す側面図である。
ングの状態を示す側面図である。
２ 載置台 ２ａ 凹部 ３ ボンディングツール ４ 半導体チップ ４ａ バンプ ５ 可撓性樹脂フィルム ５ａ Ｃｕパターン
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）半導体チップの大きさより僅かに
大きい凹部が形成された載置台の該凹部に半導体チップ
が設置され、 （ｂ）該載置台の上部に配置された金属細線を有する可
撓性樹脂フィルムの該金属細線と前記半導体チップのバ
ンプとが位置合わせされるように、前記載置台の位置が
微調整され、 （ｃ）ボンディングツールにより前記半導体チップのバ
ンプと前記金属細線とが圧接されると共に加熱され、 可撓性フィルムに固着された金属細線と前記半導体チッ
プとがボンディングされることを特徴とする半導体装置
の製法。 - 【請求項２】 半導体チップの大きさより僅かに大きい
凹部が形成された載置台と、該載置台をｘ軸方向、ｙ軸
方向および回転方向に微調整する駆動装置と、加熱、加
圧手段を有するボンディングツールとからなる半導体装
置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15499792A JPH05347331A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体装置の製法およびその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15499792A JPH05347331A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体装置の製法およびその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347331A true JPH05347331A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15596449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15499792A Pending JPH05347331A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 半導体装置の製法およびその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347331A (ja) |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15499792A patent/JPH05347331A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5014111A (en) | Electrical contact bump and a package provided with the same | |
| KR100903472B1 (ko) | 웨이퍼로부터 반도체 다이를 분리하는 방법 | |
| JPH1167809A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2581748B2 (ja) | リードワイヤボンディング装置及び方法 | |
| JP2889399B2 (ja) | テープ自動化ボンディング法 | |
| JPH05347331A (ja) | 半導体装置の製法およびその製造装置 | |
| JP2000349099A (ja) | はんだ接合方法および、半導体装置の製造方法 | |
| US7152308B2 (en) | Wirebonder to bond an IC chip to a substrate | |
| JP3212881B2 (ja) | 半導体装置の製造装置および製造方法 | |
| EP0293970A2 (en) | Pad for supporting a chip of an integrated-circuit electronic component | |
| JP2000323522A (ja) | 上下動装置 | |
| JP3001483B2 (ja) | リードフレーム、半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03228339A (ja) | ボンディングツール | |
| JP2949872B2 (ja) | 電子部品接合装置 | |
| JPH05291260A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP3472342B2 (ja) | 半導体装置の実装体の製造方法 | |
| JPH03284857A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3119582B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2797732B2 (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JP3069622B2 (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2000216299A (ja) | 半導体パッケ―ジ、半導体装置、及び半導体パッケ―ジの製造方法 | |
| JPH06104305A (ja) | 半導体実装装置または実装ライン | |
| JPH10154723A (ja) | 樹脂封止型半導体装置のワイヤボンド構造 | |
| JPH05299569A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH04241432A (ja) | 半導体チップと、これが搭載される基板との間のワイヤボンディング構造 |