JP2780523B2 - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装方法Info
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- JP2780523B2 JP2780523B2 JP3175651A JP17565191A JP2780523B2 JP 2780523 B2 JP2780523 B2 JP 2780523B2 JP 3175651 A JP3175651 A JP 3175651A JP 17565191 A JP17565191 A JP 17565191A JP 2780523 B2 JP2780523 B2 JP 2780523B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- conductive resin
- mounting
- connection electrode
- protruding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の実装方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を、突起状接続電極であるバ
ンプ電極を介して半導体装置実装用基板にフェースダウ
ンボンディングする実装構造は、ワイヤボンディングに
よる実装構造に比べて、高密度実装が可能であり、ギャ
ング（一括）ボンディングができるため実装に要する時
間が短い等の優れた特徴がある。
ンプ電極を介して半導体装置実装用基板にフェースダウ
ンボンディングする実装構造は、ワイヤボンディングに
よる実装構造に比べて、高密度実装が可能であり、ギャ
ング（一括）ボンディングができるため実装に要する時
間が短い等の優れた特徴がある。
【０００３】このため従来は、半導体装置実装用基板の
導体上であって半導体装置のAlパッドに対向する位置
に、突起状接続電極であるAuバンプ電極を形成し、この
Auバンプ電極と半導体装置のAlパッドとを当接させて、
略５００℃以上の温度と圧力を印加して金属接合により
接合させて、半導体装置を半導体装置実装用基板に実装
するという方法がとられていた。
導体上であって半導体装置のAlパッドに対向する位置
に、突起状接続電極であるAuバンプ電極を形成し、この
Auバンプ電極と半導体装置のAlパッドとを当接させて、
略５００℃以上の温度と圧力を印加して金属接合により
接合させて、半導体装置を半導体装置実装用基板に実装
するという方法がとられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
構成された従来の半導体装置の実装方法においては、突
起状接続電極であるAuバンプと半導体装置のAlパッドを
金属接合させるために略５００℃以上の温度に加熱する
必要があり、耐熱性のために、半導体装置実装用基板と
して安価な樹脂基板が使用できないという問題点があっ
た。
構成された従来の半導体装置の実装方法においては、突
起状接続電極であるAuバンプと半導体装置のAlパッドを
金属接合させるために略５００℃以上の温度に加熱する
必要があり、耐熱性のために、半導体装置実装用基板と
して安価な樹脂基板が使用できないという問題点があっ
た。
【０００５】本発明は、前記背景に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、バンプ接合温度を下
げて、半導体装置実装用基板として樹脂基板が使用でき
る半導体装置の実装方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、バンプ接合温度を下
げて、半導体装置実装用基板として樹脂基板が使用でき
る半導体装置の実装方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、半導体装置を、半導体装置実装用基板の導体
上に形成された突起状接続電極を介して半導体装置実装
用基板に実装する半導体装置の実装方法において、前記
突起状接続電極の上端を凹状に形成し、該凹状部に導電
性樹脂を塗布すると共に、前記突起状接続電極の上方か
ら半導体装置を、常温、低加圧下でフェースダウンボン
ディングし、その状態で前記半導体装置と半導体装置実
装用基板の間に側方からエアーを吹き付けて前記突起状
接続電極からはみだした余分な導電性樹脂を吹き飛ばし
た後、加熱及び加圧することにより前記導電性樹脂を硬
化させて半導体装置と前記突起状接続電極とを接続した
ことを特徴とするものである。
本発明は、半導体装置を、半導体装置実装用基板の導体
上に形成された突起状接続電極を介して半導体装置実装
用基板に実装する半導体装置の実装方法において、前記
突起状接続電極の上端を凹状に形成し、該凹状部に導電
性樹脂を塗布すると共に、前記突起状接続電極の上方か
ら半導体装置を、常温、低加圧下でフェースダウンボン
ディングし、その状態で前記半導体装置と半導体装置実
装用基板の間に側方からエアーを吹き付けて前記突起状
接続電極からはみだした余分な導電性樹脂を吹き飛ばし
た後、加熱及び加圧することにより前記導電性樹脂を硬
化させて半導体装置と前記突起状接続電極とを接続した
ことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】このように、本発明における半導体装置の実装
方法においては、突起状接続電極の上端に凹状部を形成
し、その凹状部に導電性樹脂を塗布したため、導電性樹
脂が突起状接続電極の凹部内にも塗布されて突起状接続
電極の上端の接続部分に確実に存在し、接続の歩留りが
良く、半導体装置実装用基板に設けた突起状接続電極と
半導体装置の電極とが、前記導電性樹脂を介して接続さ
れるため、半導体装置と突起状接続電極とを比較的低温
度で接続することができ、半導体装置実装用基板として
安価な樹脂基板が使用できる。
方法においては、突起状接続電極の上端に凹状部を形成
し、その凹状部に導電性樹脂を塗布したため、導電性樹
脂が突起状接続電極の凹部内にも塗布されて突起状接続
電極の上端の接続部分に確実に存在し、接続の歩留りが
良く、半導体装置実装用基板に設けた突起状接続電極と
半導体装置の電極とが、前記導電性樹脂を介して接続さ
れるため、半導体装置と突起状接続電極とを比較的低温
度で接続することができ、半導体装置実装用基板として
安価な樹脂基板が使用できる。
【０００８】また、突起状接続電極と半導体装置の電極
の間からはみだした余分の導電性樹脂は、エアーにより
吹き飛ばされて除去されるため、余分の導電性樹脂が半
導体装置や半導体装置実装用基板に付着し短絡不良を招
くことがない。
の間からはみだした余分の導電性樹脂は、エアーにより
吹き飛ばされて除去されるため、余分の導電性樹脂が半
導体装置や半導体装置実装用基板に付着し短絡不良を招
くことがない。
【０００９】
【実施例】図１乃至図４は、本発明の一実施例を示すも
のであり、同図における半導体装置実装用基板１は、た
とえばガラス基材エポキシ板等の基材上にCu等の導体に
より回路パターンが形成されてなる樹脂基板で、その導
体上であって、半導体装置２の電極であるAlパッドに対
向する位置には、突起状接続電極であるバンプ電極３が
設けられている。
のであり、同図における半導体装置実装用基板１は、た
とえばガラス基材エポキシ板等の基材上にCu等の導体に
より回路パターンが形成されてなる樹脂基板で、その導
体上であって、半導体装置２の電極であるAlパッドに対
向する位置には、突起状接続電極であるバンプ電極３が
設けられている。
【００１０】バンプ電極である金属バンプ３は、例えば
Au、Cu、Al、Pd、半田等の電極材料により構成され、そ
の先端には、導電性樹脂４を塗布するために凹状部３ａ
が形成されている。
Au、Cu、Al、Pd、半田等の電極材料により構成され、そ
の先端には、導電性樹脂４を塗布するために凹状部３ａ
が形成されている。
【００１１】このように構成された半導体装置実装用基
板１においては、半導体装置２を実装する際に、まず金
属バンプ３に導電性樹脂４を塗布し、その導電性樹脂４
が塗布された金属バンプ３と半導体装置２の電極である
パッドとを合わせて、半導体装置２を常温、低加圧下で
フェースダウンボンディングし、その状態で半導体装置
２と半導体装置実装用基板１の間に、側方からエアーを
吹き付けて突起状接続電極である金属バンプ３と半導体
装置２の電極の間からはみだした余分な導電性樹脂４ａ
を吹き飛ばして除去した後、２００℃前後に加熱し、半
導体装置２の上方から高加圧することにより、導電性樹
脂４を完全に硬化させ、半導体装置２とバンプ電極であ
る金属バンプ３とを接続するという方法がとられる（図
４参照）。
板１においては、半導体装置２を実装する際に、まず金
属バンプ３に導電性樹脂４を塗布し、その導電性樹脂４
が塗布された金属バンプ３と半導体装置２の電極である
パッドとを合わせて、半導体装置２を常温、低加圧下で
フェースダウンボンディングし、その状態で半導体装置
２と半導体装置実装用基板１の間に、側方からエアーを
吹き付けて突起状接続電極である金属バンプ３と半導体
装置２の電極の間からはみだした余分な導電性樹脂４ａ
を吹き飛ばして除去した後、２００℃前後に加熱し、半
導体装置２の上方から高加圧することにより、導電性樹
脂４を完全に硬化させ、半導体装置２とバンプ電極であ
る金属バンプ３とを接続するという方法がとられる（図
４参照）。
【００１２】このように、本実施例における半導体装置
４の実装方法においては、突起状接続電極であるバンプ
電極３の上端に凹状部３ａを形成し、その凹状部３ａに
導電性樹脂４を塗布したため、導電性樹脂４が突起状接
続電極である金属バンプ３の凹状部３ａ内にも塗布され
て突起状接続電極である金属バンプ３の上端の接続部分
に確実に存在し、接続の歩留りが良く、半導体装置実装
用基板１に設けたバンプ電極３と半導体装置２の電極で
あるパッドとが、バンプ電極３の上端の凹状部３ａ塗布
された導電性樹脂４を介して接続されるため、半導体装
置２とバンプ電極３とを比較的低温度で接続することが
でき、半導体装置実装用基板１として安価な樹脂基板が
使用できる。
４の実装方法においては、突起状接続電極であるバンプ
電極３の上端に凹状部３ａを形成し、その凹状部３ａに
導電性樹脂４を塗布したため、導電性樹脂４が突起状接
続電極である金属バンプ３の凹状部３ａ内にも塗布され
て突起状接続電極である金属バンプ３の上端の接続部分
に確実に存在し、接続の歩留りが良く、半導体装置実装
用基板１に設けたバンプ電極３と半導体装置２の電極で
あるパッドとが、バンプ電極３の上端の凹状部３ａ塗布
された導電性樹脂４を介して接続されるため、半導体装
置２とバンプ電極３とを比較的低温度で接続することが
でき、半導体装置実装用基板１として安価な樹脂基板が
使用できる。
【００１３】また、金属バンプ３と半導体装置２の電極
の間からはみだした余分の導電性樹脂４ａは、エアーに
より吹き飛ばされて除去されるため、余分の導電性樹脂
４ａが半導体装置２や半導体装置実装用基板１に付着し
短絡不良を招くことがない。
の間からはみだした余分の導電性樹脂４ａは、エアーに
より吹き飛ばされて除去されるため、余分の導電性樹脂
４ａが半導体装置２や半導体装置実装用基板１に付着し
短絡不良を招くことがない。
【００１４】なお、前記実施例においては、半導体装置
実装用基板１としてガラス基材エポキシ板を基材とした
ものを例示したが、本発明はこれに限らず、その他の有
機基板や無機基板等どのようなものであっても良い。
実装用基板１としてガラス基材エポキシ板を基材とした
ものを例示したが、本発明はこれに限らず、その他の有
機基板や無機基板等どのようなものであっても良い。
【００１５】
【発明の効果】上述のように本発明における半導体装置
の実装方法においては、突起状接続電極の上端に凹状部
を形成し、その凹状部に導電性樹脂を塗布したため、導
電性樹脂が突起状接続電極の凹部内にも塗布されて突起
状接続電極の上端の接続部分に確実に存在し、接続の歩
留りが良く、半導体装置実装用基板に設けた突起状接続
電極と半導体装置の電極とが、前記導電性樹脂を介して
接続されるため、半導体装置と突起状接続電極とを比較
的低温度で接続することができ、半導体装置実装用基板
として安価な樹脂基板が使用できる。
の実装方法においては、突起状接続電極の上端に凹状部
を形成し、その凹状部に導電性樹脂を塗布したため、導
電性樹脂が突起状接続電極の凹部内にも塗布されて突起
状接続電極の上端の接続部分に確実に存在し、接続の歩
留りが良く、半導体装置実装用基板に設けた突起状接続
電極と半導体装置の電極とが、前記導電性樹脂を介して
接続されるため、半導体装置と突起状接続電極とを比較
的低温度で接続することができ、半導体装置実装用基板
として安価な樹脂基板が使用できる。
【００１６】また、突起状接続電極と半導体装置の電極
の間からはみだした余分の導電性樹脂は、エアーにより
吹き飛ばされて除去されるため、余分の導電性樹脂が半
導体装置や半導体装置実装用基板に付着し短絡不良を招
くことがない。
の間からはみだした余分の導電性樹脂は、エアーにより
吹き飛ばされて除去されるため、余分の導電性樹脂が半
導体装置や半導体装置実装用基板に付着し短絡不良を招
くことがない。
【図１】本発明の一実施例を示す一部断面側面図であ
る。
る。
【図２】同上の半導体装置実装用基板を示す側面図であ
る。
る。
【図３】同上の半導体装置実装用基板に設けられた金属
バンプを示す一部断面側面図である。
バンプを示す一部断面側面図である。
【図４】同上の半導体装置実装途上でエアーを吹き付け
た状態を示す側面図である。
た状態を示す側面図である。
１ 半導体装置実装用基板 ２ 半導体装置 ３ 突起状接続電極 ３ａ 凹状部 ４ 導電性樹脂 ４ａ 余分の導電性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−273139（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−226160（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−103944（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−8647（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置を、半導体装置実装用基板の
導体上に形成された突起状接続電極を介して半導体装置
実装用基板に実装する半導体装置の実装方法において、
前記突起状接続電極の上端を凹状に形成し、該凹状部に
導電性樹脂を塗布すると共に、前記突起状接続電極の上
方から半導体装置を、常温、低加圧下でフェースダウン
ボンディングし、その状態で前記半導体装置と半導体装
置実装用基板の間に側方からエアーを吹き付けて前記突
起状接続電極からはみだした余分な導電性樹脂を吹き飛
ばした後、加熱及び加圧することにより前記導電性樹脂
を硬化させて半導体装置と前記突起状接続電極とを接続
したことを特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175651A JP2780523B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175651A JP2780523B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521524A JPH0521524A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2780523B2 true JP2780523B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=15999827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175651A Expired - Lifetime JP2780523B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2780523B2 (ja) |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3175651A patent/JP2780523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521524A (ja) | 1993-01-29 |
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