JP3202045B2 - Ｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法Info
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- dpm
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ法）によって酸化物超電導体を基体上に成膜する製造
方法に係わり、Ｂａ化合物等の気化させ難い化合物の気
化を促進させて原料化合物のロスを低減させるための方
法に関する。
Ｄ法）によって酸化物超電導体を基体上に成膜する製造
方法に係わり、Ｂａ化合物等の気化させ難い化合物の気
化を促進させて原料化合物のロスを低減させるための方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、臨界温度（Ｔｃ）が液体窒素温度
（約７７Ｋ）よりも高い酸化物超電導体として、例えば
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などの酸化物超電導
体が発見されている。そしてこれらの酸化物超電導体
を、電力輸送、超電導マグネット、超電導デバイスなど
の種々の超電導利用機器に応用させるべく、その実用化
に向けて種々研究がなされてきている。
（約７７Ｋ）よりも高い酸化物超電導体として、例えば
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ
系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などの酸化物超電導
体が発見されている。そしてこれらの酸化物超電導体
を、電力輸送、超電導マグネット、超電導デバイスなど
の種々の超電導利用機器に応用させるべく、その実用化
に向けて種々研究がなされてきている。
【０００３】このような酸化物超電導体の製造方法の１
つとして、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の薄膜形成手
段によって、基材表面に酸化物超電導薄膜を成膜する方
法が知られている。この薄膜形成手段により形成した酸
化物超電導薄膜は、臨界電流密度（Ｊｃ）が大きく、優
れた超電導特性を有する材料を得られることが知られて
いる。さらにＣＶＤ法は成膜速度が速く、短時間でより
厚い膜を形成できる手段として注目されている。
つとして、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の薄膜形成手
段によって、基材表面に酸化物超電導薄膜を成膜する方
法が知られている。この薄膜形成手段により形成した酸
化物超電導薄膜は、臨界電流密度（Ｊｃ）が大きく、優
れた超電導特性を有する材料を得られることが知られて
いる。さらにＣＶＤ法は成膜速度が速く、短時間でより
厚い膜を形成できる手段として注目されている。
【０００４】このようなＣＶＤ法による酸化物超電導体
の製造方法において使用される原料化合物としては、酸
化物超電導体を構成する各元素のアセチルアセトン化合
物、ヘキサフルオロアセチルアセトン化合物などのジケ
トン化合物、シクロペンタジエニル化合物などの有機金
属錯体が用いられ、例えば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電
導体製造用には、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの各元素の2,2,6,6テ
トラメチル−3,5-ヘプタンジオン（以下、ＤＰＭとい
う）化合物、すなわちＹ（ＤＰＭ）3、ＢＡ（ＤＰ
Ｍ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2が挙げられる。
の製造方法において使用される原料化合物としては、酸
化物超電導体を構成する各元素のアセチルアセトン化合
物、ヘキサフルオロアセチルアセトン化合物などのジケ
トン化合物、シクロペンタジエニル化合物などの有機金
属錯体が用いられ、例えば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電
導体製造用には、Ｙ，Ｂａ，Ｃｕの各元素の2,2,6,6テ
トラメチル−3,5-ヘプタンジオン（以下、ＤＰＭとい
う）化合物、すなわちＹ（ＤＰＭ）3、ＢＡ（ＤＰ
Ｍ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2が挙げられる。
【０００５】図２は、酸化物超電導体製造に用いられて
いる従来のＣＶＤ装置の一例としてＣＶＤ装置のガス供
給部を示すものである。このガス供給部は、Ｙ（ＤＰ
Ｍ）3、Ｂａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2の各化合物
粉末を混合した混合粉末１をアルゴンガス等のキャリア
ガス２で一定量づつ搬送するための粉体フィーダ３と、
粉体フィーダ３から搬送された混合粉末２をそれらの気
化温度以上に加熱するヒータ４を備えた気化器５を備え
て構成されている。
いる従来のＣＶＤ装置の一例としてＣＶＤ装置のガス供
給部を示すものである。このガス供給部は、Ｙ（ＤＰ
Ｍ）3、Ｂａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2の各化合物
粉末を混合した混合粉末１をアルゴンガス等のキャリア
ガス２で一定量づつ搬送するための粉体フィーダ３と、
粉体フィーダ３から搬送された混合粉末２をそれらの気
化温度以上に加熱するヒータ４を備えた気化器５を備え
て構成されている。
【０００６】粉体フィーダ３にセットされた混合粉末１
は、キャリアガス２により吸い出され気化器５に搬送さ
れる。気化器５に搬送された混合粉末１はヒータ４で加
熱されて気化し、気化したガス６はキャリアガスととも
に反応チャンバ（図示略）内に供給される。
は、キャリアガス２により吸い出され気化器５に搬送さ
れる。気化器５に搬送された混合粉末１はヒータ４で加
熱されて気化し、気化したガス６はキャリアガスととも
に反応チャンバ（図示略）内に供給される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸化物
超電導体を製造する際に使用される原料化合物の内で
も、特にＢａ（ＤＰＭ）2は、気化してから分解するま
での温度域（気化温度領域）が狭く、さらには気化させ
ながら熱分解を生じ易く、ＣＶＤ法によって特定の組成
の酸化物超電導体、例えばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（Ｙ：Ｂ
ａ：Ｃｕのモル比が１：２：３）の組成を得るために
は、Ｂａ化合物の仕込み比を、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：１
０以上：３に設定しなければならない。このためＢａ化
合物のロスが多い問題があった。
超電導体を製造する際に使用される原料化合物の内で
も、特にＢａ（ＤＰＭ）2は、気化してから分解するま
での温度域（気化温度領域）が狭く、さらには気化させ
ながら熱分解を生じ易く、ＣＶＤ法によって特定の組成
の酸化物超電導体、例えばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（Ｙ：Ｂ
ａ：Ｃｕのモル比が１：２：３）の組成を得るために
は、Ｂａ化合物の仕込み比を、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：１
０以上：３に設定しなければならない。このためＢａ化
合物のロスが多い問題があった。
【０００８】このようなＢａ化合物のロスを少しでも低
減させるための方法として、図３に示すように混合粉末
とともにテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという）ガ
スを気化器５に導入させる方法が提案されている。即
ち、ＴＨＦ７（液体）を入れたバブラー８にＡｒ等のキ
ャリアガス９を供給し、ＴＨＦガスを含むガス１０を、
混合粉末１とともに気化器５内に導入し、ＴＨＦの存在
下で混合粉末を気化させる。気化ガス１１は、ＣＶＤ装
置の反応チャンバに供給される。
減させるための方法として、図３に示すように混合粉末
とともにテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという）ガ
スを気化器５に導入させる方法が提案されている。即
ち、ＴＨＦ７（液体）を入れたバブラー８にＡｒ等のキ
ャリアガス９を供給し、ＴＨＦガスを含むガス１０を、
混合粉末１とともに気化器５内に導入し、ＴＨＦの存在
下で混合粉末を気化させる。気化ガス１１は、ＣＶＤ装
置の反応チャンバに供給される。
【０００９】この方法では、ＴＨＦが混合粉末中のＢａ
（ＤＰＭ）2と結合して気化が促進され、また分解が抑
えられる。この結果、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３の組
成を得るための原料仕込み比は、１：２.１〜２.５：３
程度に改善される。しかし、この方法では、ＴＨＦガス
を別系統で流量のコントロールをしながら供給しなけれ
ばならず、一定条件で成膜するのが困難であった。本発
明は上記事情に鑑みてなされたもので、Ｂａ化合物等の
気化し難い化合物のロスを低減させるとともに、容易に
成膜が可能なＣＶＤ法による酸化物超電導体の製造方法
の提供を目的としている。
（ＤＰＭ）2と結合して気化が促進され、また分解が抑
えられる。この結果、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３の組
成を得るための原料仕込み比は、１：２.１〜２.５：３
程度に改善される。しかし、この方法では、ＴＨＦガス
を別系統で流量のコントロールをしながら供給しなけれ
ばならず、一定条件で成膜するのが困難であった。本発
明は上記事情に鑑みてなされたもので、Ｂａ化合物等の
気化し難い化合物のロスを低減させるとともに、容易に
成膜が可能なＣＶＤ法による酸化物超電導体の製造方法
の提供を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸化物超電導
体の構成元素を含む化合物を気化させてチャンバ内に導
入し、該チャンバ内での化学反応によって酸化物超電導
体微粒子を生成し、該チャンバ内に設けられた基体の表
面に酸化物超電導薄膜を成膜するＣＶＤ法による酸化物
超電導体の製造方法において、原料化合物中に、ｏ−フ
ェナントロリンからなる二座配位子を添加し、該原料化
合物を気化させる際に、気化し難い化合物と該二座配位
子を結合させてその気化を促進させることによって上記
課題を解消した。
体の構成元素を含む化合物を気化させてチャンバ内に導
入し、該チャンバ内での化学反応によって酸化物超電導
体微粒子を生成し、該チャンバ内に設けられた基体の表
面に酸化物超電導薄膜を成膜するＣＶＤ法による酸化物
超電導体の製造方法において、原料化合物中に、ｏ−フ
ェナントロリンからなる二座配位子を添加し、該原料化
合物を気化させる際に、気化し難い化合物と該二座配位
子を結合させてその気化を促進させることによって上記
課題を解消した。
【００１１】
【作用】酸化物超電導体の構成元素を含む化合物中に、
ｏ−フェナントロリンからなる二座配位子を添加するこ
とによって、ＣＶＤ法による酸化物超電導体製造用の原
料化合物のうちでも、気化し難く分解し易いＢａ化合物
等に添加した二座配位子が結合し、容易に気化し或いは
気化時に分解し難いような配位化合物が形成され、その
化合物の気化が促進される。
ｏ−フェナントロリンからなる二座配位子を添加するこ
とによって、ＣＶＤ法による酸化物超電導体製造用の原
料化合物のうちでも、気化し難く分解し易いＢａ化合物
等に添加した二座配位子が結合し、容易に気化し或いは
気化時に分解し難いような配位化合物が形成され、その
化合物の気化が促進される。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明による酸化物超電導体の製造
方法の一実施例を説明するための図である。この例で
は、図２に示したＣＶＤ装置のガス供給部とほぼ同じ構
成要素を備えて構成されたガス供給部を用いて酸化物超
電導体の成膜を行なう場合を例示している。
方法の一実施例を説明するための図である。この例で
は、図２に示したＣＶＤ装置のガス供給部とほぼ同じ構
成要素を備えて構成されたガス供給部を用いて酸化物超
電導体の成膜を行なう場合を例示している。
【００１３】この製造方法では、例えばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3
Ｏ7-x（Ｙ：Ｂａ：Ｃｕのモル比が１：２：３）の組成
の酸化物超電導体を製造する場合、Ｙ（ＤＰＭ）3、Ｂ
ａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2の各化合物粉末に、二
座配位子を添加して混合した混合粉末１２を用いる。
Ｏ7-x（Ｙ：Ｂａ：Ｃｕのモル比が１：２：３）の組成
の酸化物超電導体を製造する場合、Ｙ（ＤＰＭ）3、Ｂ
ａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2の各化合物粉末に、二
座配位子を添加して混合した混合粉末１２を用いる。
【００１４】上記二座配位子としては、常温で固体であ
り、原料化合物と同程度の気化温度であるｏ−フェナン
トロリンが用いられる。
り、原料化合物と同程度の気化温度であるｏ−フェナン
トロリンが用いられる。
【００１５】この二座配位子をＣＶＤ法による酸化物超
電導体製造用の原料化合物中に添加することによって、
それらの化合物のうちでも、Ｂａ化合物等の気化し難く
分解し易い材料に二座配位子が結合し、容易に気化し或
いは気化時に分解し難いような配位化合物が形成され、
その化合物の気化が促進される。
電導体製造用の原料化合物中に添加することによって、
それらの化合物のうちでも、Ｂａ化合物等の気化し難く
分解し易い材料に二座配位子が結合し、容易に気化し或
いは気化時に分解し難いような配位化合物が形成され、
その化合物の気化が促進される。
【００１６】この二座配位子の添加量は、Ｂａ化合物な
どの難気化化合物の配合量によって適宜設定されるが、
例えばＹ（ＤＰＭ）3：Ｂａ（ＤＰＭ）2：Ｃｕ（ＤＰ
Ｍ）2＝１：２：３の割合で各原料化合物を混合する場
合には、この混合物１に対し、０．３〜１．５（重量
比）程度添加するのが望ましい。二座配位子の添加量が
少ないと、各原料化合物中のＢａ化合物等の気化し難い
材料と結合する二座配位子が不足して、Ｂａ化合物など
の気化を促進させる効果が充分に得られなくなる。一
方、二座配位子を過剰に添加しても、気化促進の効果が
頭打ちになり、ＣＶＤ成膜時に添加した二座配位子を分
解するための酸素や熱等の必要量が多くなる分、成膜効
率が悪化する。
どの難気化化合物の配合量によって適宜設定されるが、
例えばＹ（ＤＰＭ）3：Ｂａ（ＤＰＭ）2：Ｃｕ（ＤＰ
Ｍ）2＝１：２：３の割合で各原料化合物を混合する場
合には、この混合物１に対し、０．３〜１．５（重量
比）程度添加するのが望ましい。二座配位子の添加量が
少ないと、各原料化合物中のＢａ化合物等の気化し難い
材料と結合する二座配位子が不足して、Ｂａ化合物など
の気化を促進させる効果が充分に得られなくなる。一
方、二座配位子を過剰に添加しても、気化促進の効果が
頭打ちになり、ＣＶＤ成膜時に添加した二座配位子を分
解するための酸素や熱等の必要量が多くなる分、成膜効
率が悪化する。
【００１７】Ｙ（ＤＰＭ）3、Ｂａ（ＤＰＭ）2、Ｃｕ
（ＤＰＭ）2の各化合物粉末と、二座配位子との混合粉
末１２は、図１に示すように粉体フィーダ３にセットす
る。そして粉体フィーダ３にアルゴンガス等のキャリア
ガス２を吹き込んで混合粉末を一定量づつ吸い出して気
化器５に搬送する。気化器５に搬送された混合粉末１は
ヒータ４で加熱されて気化する。この気化ガス１３はＣ
ＶＤ装置の反応チャンバ（図示略）に送られ、このチャ
ンバ内で化学反応を生じさせ酸化物超電導体の微粒子を
生成し、チャンバ内に設置した基材表面に堆積させて超
電導薄膜を成膜する。
（ＤＰＭ）2の各化合物粉末と、二座配位子との混合粉
末１２は、図１に示すように粉体フィーダ３にセットす
る。そして粉体フィーダ３にアルゴンガス等のキャリア
ガス２を吹き込んで混合粉末を一定量づつ吸い出して気
化器５に搬送する。気化器５に搬送された混合粉末１は
ヒータ４で加熱されて気化する。この気化ガス１３はＣ
ＶＤ装置の反応チャンバ（図示略）に送られ、このチャ
ンバ内で化学反応を生じさせ酸化物超電導体の微粒子を
生成し、チャンバ内に設置した基材表面に堆積させて超
電導薄膜を成膜する。
【００１８】このように、酸化物超電導体を構成する元
素を含む化合物の混合粉末中に、常温で固体であり、原
料化合物と同程度の気化温度である二座配位子を添加す
ることによって、ＣＶＤ法による酸化物超電導体製造用
の原料化合物のうちでも、気化し難く分解し易いＢａ化
合物等に添加した二座配位子が結合し、容易に気化し或
いは気化時に分解し難いような配位化合物が形成され、
その化合物の気化を促進させることができる。したがっ
て、気化し難い化合物の製造ロスを減少させることがで
きる。また、ＴＨＦガスを導入する方法に比べ、ガス供
給部の構造を簡略化でき、成膜操作が容易となる。
素を含む化合物の混合粉末中に、常温で固体であり、原
料化合物と同程度の気化温度である二座配位子を添加す
ることによって、ＣＶＤ法による酸化物超電導体製造用
の原料化合物のうちでも、気化し難く分解し易いＢａ化
合物等に添加した二座配位子が結合し、容易に気化し或
いは気化時に分解し難いような配位化合物が形成され、
その化合物の気化を促進させることができる。したがっ
て、気化し難い化合物の製造ロスを減少させることがで
きる。また、ＴＨＦガスを導入する方法に比べ、ガス供
給部の構造を簡略化でき、成膜操作が容易となる。
【００１９】なお、前述した製造例では、酸化物超電導
体としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体を用いた場合を
例としたが、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔｌ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などの、別の酸化物超電導体の製
造にも適用させることができる。
体としてＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導体を用いた場合を
例としたが、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔｌ−Ｂ
ａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系などの、別の酸化物超電導体の製
造にも適用させることができる。
【００２０】（実験例）Ｙ（ＤＰＭ）3、Ｂａ（ＤＰ
Ｍ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2の各原料を、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝
１：２：３（モル比）となるように均一に混合し、この
各化合物の混合粉末１に対してｏ−フェナントロリン
（二座配位子）を１の割合（重量比）で添加した。この
粉体を図１に示した装置のフィーダにセットし、０．１
ｇ／分の割合で気化器に供給し、気化器内で２６０℃ま
で加熱し、気化ガスを発生させた。
Ｍ）2、Ｃｕ（ＤＰＭ）2の各原料を、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕ＝
１：２：３（モル比）となるように均一に混合し、この
各化合物の混合粉末１に対してｏ−フェナントロリン
（二座配位子）を１の割合（重量比）で添加した。この
粉体を図１に示した装置のフィーダにセットし、０．１
ｇ／分の割合で気化器に供給し、気化器内で２６０℃ま
で加熱し、気化ガスを発生させた。
【００２１】気化ガスをＣＶＤチャンバに導入し、その
中に設置したハステロイ製テープ基材の表面にＹ系超電
導薄膜を成膜した。１時間の成膜で１ｍ長の超電導テー
プを製造した。得られた超電導テープの超電導薄膜は、
均一な組成になっており、各構成元素の組成比は、Ｙ：
Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３（モル比）であった。この超電
導テープは、７７Ｋ以上の臨界温度（Ｔｃ）を有してい
た。
中に設置したハステロイ製テープ基材の表面にＹ系超電
導薄膜を成膜した。１時間の成膜で１ｍ長の超電導テー
プを製造した。得られた超電導テープの超電導薄膜は、
均一な組成になっており、各構成元素の組成比は、Ｙ：
Ｂａ：Ｃｕ＝１：２：３（モル比）であった。この超電
導テープは、７７Ｋ以上の臨界温度（Ｔｃ）を有してい
た。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による酸化
物超電導体の製造方法は、ＣＶＤ法の酸化物超電導体の
構成元素を含む化合物中に、ｏ−フェナントロリンから
なる二座配位子を添加することによって、ＣＶＤ法によ
る酸化物超電導体製造用の原料化合物のうちでも、気化
し難く分解し易いＢａ化合物等に添加した二座配位子が
結合し、容易に気化し或いは気化時に分解し難いような
配位化合物が形成され、その化合物の気化が促進され
る。したがって、Ｂａ化合物等の気化し難い化合物の製
造ロスを減少させることができる。また、ＴＨＦガスを
導入する方法に比べ、ガス供給部の構造を簡略化でき、
成膜操作が容易となるなどの効果を奏する。
物超電導体の製造方法は、ＣＶＤ法の酸化物超電導体の
構成元素を含む化合物中に、ｏ−フェナントロリンから
なる二座配位子を添加することによって、ＣＶＤ法によ
る酸化物超電導体製造用の原料化合物のうちでも、気化
し難く分解し易いＢａ化合物等に添加した二座配位子が
結合し、容易に気化し或いは気化時に分解し難いような
配位化合物が形成され、その化合物の気化が促進され
る。したがって、Ｂａ化合物等の気化し難い化合物の製
造ロスを減少させることができる。また、ＴＨＦガスを
導入する方法に比べ、ガス供給部の構造を簡略化でき、
成膜操作が容易となるなどの効果を奏する。
【図１】 本発明方法に係わるＣＶＤ装置のガス供給部
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
【図２】 従来のガス供給法を説明するためのＣＶＤ装
置のガス供給部を示す概略構成図である。
置のガス供給部を示す概略構成図である。
【図３】 従来のガス供給法の他の例を説明するための
ＣＶＤ装置のガス供給部を示す概略構成図である。
ＣＶＤ装置のガス供給部を示す概略構成図である。
２…キャリアガス、３…粉体フィーダ、４…ヒータ、５
…気化器、１２…混合粉末、１３…気化ガス
…気化器、１２…混合粉末、１３…気化ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 香川 昭 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉 電線株式会社内 (72)発明者 河野 宰 東京都江東区木場一丁目５番１号 藤倉 電線株式会社内 (72)発明者 井上 俊夫 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番 地の１ 中部電力株式会社 電力技術研 究所内 (72)発明者 佐治 明 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番 地の１ 中部電力株式会社 電力技術研 究所内 (56)参考文献 特開 平２−283603（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−308802（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 1/00 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物超電導体の構成元素を含む化合物
を気化させてチャンバ内に導入し、該チャンバ内での化
学反応によって酸化物超電導体微粒子を生成し、該チャ
ンバ内に設けられた基体の表面に酸化物超電導薄膜を成
膜するＣＶＤ法による酸化物超電導体の製造方法におい
て、 前記原料化合物中に、ｏ−フェナントロリンからなる二
座配位子を添加し、該原料化合物を気化させる際に、気
化し難い化合物と該二座配位子を結合させてその気化を
促進させることを特徴とするＣＶＤ法による酸化物超電
導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28702991A JP3202045B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Ｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28702991A JP3202045B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Ｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597409A JPH0597409A (ja) | 1993-04-20 |
| JP3202045B2 true JP3202045B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
ID=17712126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28702991A Expired - Lifetime JP3202045B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | Ｃｖｄ法による酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3202045B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP28702991A patent/JP3202045B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0597409A (ja) | 1993-04-20 |
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