JPH01252526A - 銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法 - Google Patents
銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法Info
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- JPH01252526A JPH01252526A JP63080738A JP8073888A JPH01252526A JP H01252526 A JPH01252526 A JP H01252526A JP 63080738 A JP63080738 A JP 63080738A JP 8073888 A JP8073888 A JP 8073888A JP H01252526 A JPH01252526 A JP H01252526A
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔従来の技術とその課題〕
近年Ｌａ−３ｒ−Ｃｕ−０系、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系、
Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、ＴＩ！、−３ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０系等の層状ペロブスカイト型構造を有する酸
化物超電導体が見出されている。
Ｂ１−３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０系、ＴＩ！、−３ｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−０系等の層状ペロブスカイト型構造を有する酸
化物超電導体が見出されている。
これらの酸化物超電導体は高い臨界温度（以下Ｔ。
と略記）を有し、液体Ｎｔ温度で超電導となるため、従
来の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超電導体に較べて
格段に経済的であり電力ゲープルやマグネット導体の線
材として、又はトランジスタ、ジョセフソン素子、５Ｑ
ＵＩＤ、赤外センサ等の電子デバイスとして各分野での
応用が検討されている。
来の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超電導体に較べて
格段に経済的であり電力ゲープルやマグネット導体の線
材として、又はトランジスタ、ジョセフソン素子、５Ｑ
ＵＩＤ、赤外センサ等の電子デバイスとして各分野での
応用が検討されている。
ところで上記のような酸化物超電導体の結晶構造は、Ｙ
−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導体について説明すると、立方
体の中心にＣｕイオンが３個、角隅にＹイオンが８個、
角部にＢａイオンが８個、そして酸素イオンが立方体内
に２個、面心に１０個配置されたもので、結晶構造的に
はＹ、Ｂａ、Ｃｕ、０．が安定組成となるものである。
−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導体について説明すると、立方
体の中心にＣｕイオンが３個、角隅にＹイオンが８個、
角部にＢａイオンが８個、そして酸素イオンが立方体内
に２個、面心に１０個配置されたもので、結晶構造的に
はＹ、Ｂａ、Ｃｕ、０．が安定組成となるものである。
しかしながら上記酸化物が電気的に中性であるためには
、Ｙ。
、Ｙ。
ＢａｚＣｕｚＯ６，Ｓの組成でなければならず、実際に
はＹ、Ｂ ａ 、Ｃｕ、ｏ、−δ（δ−０，２〜０．３
）の中間的組成からなり、過剰酸素に対しては本来２
価のＣｕイオンが３価に荷電することにより電気的中性
が保たれるとともに、このＣｕ”が超電導を流の］導体
となるのである。
はＹ、Ｂ ａ 、Ｃｕ、ｏ、−δ（δ−０，２〜０．３
）の中間的組成からなり、過剰酸素に対しては本来２
価のＣｕイオンが３価に荷電することにより電気的中性
が保たれるとともに、このＣｕ”が超電導を流の］導体
となるのである。
つまりＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系のようなＣｕを含有する酸
化物超電導体においては、電気的中性値を超えて０□を
過剰に供給するとＣｕ”が増加して超電導特性が向上す
るものである。
化物超電導体においては、電気的中性値を超えて０□を
過剰に供給するとＣｕ”が増加して超電導特性が向上す
るものである。
而して、Ｃｕを含有する酸化物超電導体膜の製造にあた
っては、０！を電気的中性値より過剰に供給することが
必須であり、このＯｆ供給方法については種々検討がな
されており、例えば成膜と同時に供給するというような
特殊な工夫が試みられているが、一般的には成膜後この
膜体をＯ！含有雰囲気中で加熱して供給する方法がとら
れている。
っては、０！を電気的中性値より過剰に供給することが
必須であり、このＯｆ供給方法については種々検討がな
されており、例えば成膜と同時に供給するというような
特殊な工夫が試みられているが、一般的には成膜後この
膜体をＯ！含有雰囲気中で加熱して供給する方法がとら
れている。
しかしながら酸化物超電導体膜に０□を供給するには、
上記膜体を０．含有雰囲気中で高温で長時間加熱する必
要があり、このため膜体が形成された基体が酸化劣化し
たり、又膜体が基体と反応して超電導特性が低下したり
、更には加熱を高温で長時間行うので生産性に劣る等の
種々の問題があった。
上記膜体を０．含有雰囲気中で高温で長時間加熱する必
要があり、このため膜体が形成された基体が酸化劣化し
たり、又膜体が基体と反応して超電導特性が低下したり
、更には加熱を高温で長時間行うので生産性に劣る等の
種々の問題があった。
〔課題を解決するための手段及び作用〕□本発明はかか
る状況に鑑み鋭意研究を行った結果酸化物超電導体膜に
予め低０２分圧下で予備加熱を施してから、０．供給の
ための加熱処理を施すと上記加熱処理においてＯ！の供
給が迅速になされることを突きとめ、この点について更
に研究を行った結果本発明を達成し得たものである。
る状況に鑑み鋭意研究を行った結果酸化物超電導体膜に
予め低０２分圧下で予備加熱を施してから、０．供給の
ための加熱処理を施すと上記加熱処理においてＯ！の供
給が迅速になされることを突きとめ、この点について更
に研究を行った結果本発明を達成し得たものである。
即ち本発明は、基体上に銅を含有する酸化物超電導体物
質を膜状に形成したのち、この膜体を酸素分圧Ｉ Ｔｏ
ｒｒ以下の雰囲気中で４００℃以上で予備加熱を施し、
次いで酸素分圧５ＱＴｏｒｒ以上の雰囲気中で加熱処理
を施すことを特徴とする銅を含有する酸化物超電導体膜
の製造方法である。
質を膜状に形成したのち、この膜体を酸素分圧Ｉ Ｔｏ
ｒｒ以下の雰囲気中で４００℃以上で予備加熱を施し、
次いで酸素分圧５ＱＴｏｒｒ以上の雰囲気中で加熱処理
を施すことを特徴とする銅を含有する酸化物超電導体膜
の製造方法である。
本発明は、酸化物超電導体膜を低ＯＲ分圧下で予備加熱
することにより超電導体結晶中の０２量を一旦低減せし
め、この０！量低減に伴う電気的非平衡はＣｕイオンが
２価から１価に還元することにより中性化されるもので
、このようにして生成された１価のＣｕイオンは極めて
活性なもので、後の加熱処理工程においてＯ１吸収に有
効に作用し、超電導体膜へのＯ８供給が迅速になされる
ものである。
することにより超電導体結晶中の０２量を一旦低減せし
め、この０！量低減に伴う電気的非平衡はＣｕイオンが
２価から１価に還元することにより中性化されるもので
、このようにして生成された１価のＣｕイオンは極めて
活性なもので、後の加熱処理工程においてＯ１吸収に有
効に作用し、超電導体膜へのＯ８供給が迅速になされる
ものである。
本発明において、予備加熱の雰囲気を００分圧１↑ｏｒ
ｒ以下、加熱温度を４００ ”Ｃ以上に限定した理由は
、０８分圧がＩ Ｔｏｒｒを超えても又加熱温度が４０
０″Ｃ未満でも、予備加熱において超電導体膜の０□量
の低減が十分になされない為であり、特に上記雰囲気の
０！分圧は０． Ｉ Ｔｏｒｒ以下が好ましい。
ｒ以下、加熱温度を４００ ”Ｃ以上に限定した理由は
、０８分圧がＩ Ｔｏｒｒを超えても又加熱温度が４０
０″Ｃ未満でも、予備加熱において超電導体膜の０□量
の低減が十分になされない為であり、特に上記雰囲気の
０！分圧は０． Ｉ Ｔｏｒｒ以下が好ましい。
上記の予備加熱の雰囲気には、Ａ「やＮ８等の不活性ガ
スにＯｔが混在した１気圧以上の雰囲気又は減圧雰囲気
が用いられるが、特に減圧雰囲気において予備加熱する
と、膜体中の不純物が気化して排除され易くなるのでよ
り好ましいものである。
スにＯｔが混在した１気圧以上の雰囲気又は減圧雰囲気
が用いられるが、特に減圧雰囲気において予備加熱する
と、膜体中の不純物が気化して排除され易くなるのでよ
り好ましいものである。
本発明において加熱処理の雰囲気を０３分圧５０ Ｔｏ
ｒｒ以上に限定した理由は、５０Ｔｏｒｒ未満では超電
導体膜への０８の供給が十分になされないためで、特に
１００ Ｔｏｒｒ以上にするのが好ましく、又加熱温度
は５００℃以上にするのが好適である。
ｒｒ以上に限定した理由は、５０Ｔｏｒｒ未満では超電
導体膜への０８の供給が十分になされないためで、特に
１００ Ｔｏｒｒ以上にするのが好ましく、又加熱温度
は５００℃以上にするのが好適である。
上記加熱処理条件は成膜方法、膜組成、膜厚さ、基体の
材質等を考慮して決められるものである。
材質等を考慮して決められるものである。
本発明において酸化物超電導体物質とは、酸素含有雰囲
気中で所定の加熱処理を施すことにより超電導体となし
得る物質であり、上記加熱処理により超電導体に反応す
るか又は気化し散逸する超電導体構成元素以外の元素や
化合物を含有する酸化物超電導体前駆物質も含まれる。
気中で所定の加熱処理を施すことにより超電導体となし
得る物質であり、上記加熱処理により超電導体に反応す
るか又は気化し散逸する超電導体構成元素以外の元素や
化合物を含有する酸化物超電導体前駆物質も含まれる。
本発明において酸化物超電導体を膜状に形成する方法と
しては、マグネトロンスパッタリング法、蒸着法、ＭＢ
Ｅ法等のＰＶＤ法やスプレーコート法、スピンコード法
、更にはスクリーン印刷法等の厚膜法も適用することが
できる。
しては、マグネトロンスパッタリング法、蒸着法、ＭＢ
Ｅ法等のＰＶＤ法やスプレーコート法、スピンコード法
、更にはスクリーン印刷法等の厚膜法も適用することが
できる。
上記において、スプレーコート法は酸化物超電導体を構
成する成分の硝酸塩等を溶解した無機塩溶液、又は酢酸
塩、乳酸塩等を溶解した有機塩溶液を加熱した基体上に
噴霧して超電導体に反応せしめる方法であり、又スピン
コード法はゾルゲル溶液、有機塩溶液等を基体上に塗布
し、これを高速回転して薄膜化したのち、加熱して超電
導体に反応せしめる方法である。更にスクリーン印刷法
は合成された酸化物超電導体物質又はその前駆体物質を
ペースト状物となしこれを所望形状にスクリーン印刷し
たのち、焼結して超電導体に反応せしめるものである。
成する成分の硝酸塩等を溶解した無機塩溶液、又は酢酸
塩、乳酸塩等を溶解した有機塩溶液を加熱した基体上に
噴霧して超電導体に反応せしめる方法であり、又スピン
コード法はゾルゲル溶液、有機塩溶液等を基体上に塗布
し、これを高速回転して薄膜化したのち、加熱して超電
導体に反応せしめる方法である。更にスクリーン印刷法
は合成された酸化物超電導体物質又はその前駆体物質を
ペースト状物となしこれを所望形状にスクリーン印刷し
たのち、焼結して超電導体に反応せしめるものである。
本発明において基体には目的、用途に応じて任 、意の
材質のものが用いられるが、超電導体物質との反応性や
熱膨張のマツチング性を考慮して選定する必要がある。
材質のものが用いられるが、超電導体物質との反応性や
熱膨張のマツチング性を考慮して選定する必要がある。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
（１００）配向のＭｇＯを基板上にＲＦマグネトロンス
パッタ装置を用いて、９０ ｍＴｏｒｒ （Ａ ｒ→−
０□）の減圧下でＥ ｒ Ｂ ａ ｚｃ ｕｓ、ｚｏｙ
酸化物をターゲットとして３０分間スパッタリングを行
いＥｒＢａ、Ｃｕ５Ｏｔの無定形状膜を１μ厚さに形成
した。
パッタ装置を用いて、９０ ｍＴｏｒｒ （Ａ ｒ→−
０□）の減圧下でＥ ｒ Ｂ ａ ｚｃ ｕｓ、ｚｏｙ
酸化物をターゲットとして３０分間スパッタリングを行
いＥｒＢａ、Ｃｕ５Ｏｔの無定形状膜を１μ厚さに形成
した。
しかるのち上記無定形状膜に０□分圧Ｉ Ｔｏｒｒ以下
のＡｒ雰囲気中で９００℃２０分間予備加熱を施し、次
いでＣＯｌを除去した大気中で８５０ ’Ｃ３０分間加
熱処理を施して超電導体膜を製造した。
のＡｒ雰囲気中で９００℃２０分間予備加熱を施し、次
いでＣＯｌを除去した大気中で８５０ ’Ｃ３０分間加
熱処理を施して超電導体膜を製造した。
比較例１
予備加熱の雰囲気中の０！分圧を１０又は７６Ｑ Ｔｏ
ｒｒとした他は実施例１と同じ方法により超電導体膜を
製造した。
ｒｒとした他は実施例１と同じ方法により超電導体膜を
製造した。
比較例２
実施例１において予備加熱及び加熱処理を省略した。
比較例３
予備加熱を行わず加熱処理を７６０７ｏｒ、ｒのＯｘ気
流中で９２０℃２Ｈ施した他は実施例１と同じ方法によ
り超電導体膜□を製造した。
流中で９２０℃２Ｈ施した他は実施例１と同じ方法によ
り超電導体膜□を製造した。
斯くの如くして得た各々の超電導体膜についてＴｃ及び
臨界電流密度（以下Ｊ、と略記）を測定した。結果は第
１表に示した。
臨界電流密度（以下Ｊ、と略記）を測定した。結果は第
１表に示した。
第１表より明らかなように本発明方法品（１゜２）は、
Ｔｃ、Ｊｃとも高い値のものが得られている。これに対
し予備加熱雰囲気のＯｔ分圧が１Ｔｏｒｒを超えたもの
（３，４）は後工程の加熱処理において０８の供給が十
分になされずＴｃ、Ｊｃとも低い値のものとなった。又
予備加熱及び加熱処理を省略したもの（５）はＴｃが７
７に以下であり、又予備加熱を行わないもの（６）は、
加熱処理を高温長時間行ったにも関わらすＪ、が低い値
のものとなった。これは加熱処理が高温長時間なされた
為超電導体膜が基板と反応し劣化したためである。
Ｔｃ、Ｊｃとも高い値のものが得られている。これに対
し予備加熱雰囲気のＯｔ分圧が１Ｔｏｒｒを超えたもの
（３，４）は後工程の加熱処理において０８の供給が十
分になされずＴｃ、Ｊｃとも低い値のものとなった。又
予備加熱及び加熱処理を省略したもの（５）はＴｃが７
７に以下であり、又予備加熱を行わないもの（６）は、
加熱処理を高温長時間行ったにも関わらすＪ、が低い値
のものとなった。これは加熱処理が高温長時間なされた
為超電導体膜が基板と反応し劣化したためである。
実施例２
Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの各々の硝酸塩をＹ：Ｂａ：ＣＵが原子
比で１：２＝３になるように配合し、これを水に溶解し
て５％濃度の硝酸塩水溶液となし、更にこの液にグリセ
リンを５％添加した混合液を、スピンコーター上で高速
回転するＹＳＺ基板（Ｙ！０．配合のＺｒ０ｚ）上に５
分間滴下して上記基板上に混合液を付着させたのち、こ
の混合液が付着したＹＳＺ基板をスピンコーターから取
りはずし、これを大気中で２９０ ’Ｃに加熱し乾燥し
て厚さ０．１ｎの硝酸塩膜を得た。
比で１：２＝３になるように配合し、これを水に溶解し
て５％濃度の硝酸塩水溶液となし、更にこの液にグリセ
リンを５％添加した混合液を、スピンコーター上で高速
回転するＹＳＺ基板（Ｙ！０．配合のＺｒ０ｚ）上に５
分間滴下して上記基板上に混合液を付着させたのち、こ
の混合液が付着したＹＳＺ基板をスピンコーターから取
りはずし、これを大気中で２９０ ’Ｃに加熱し乾燥し
て厚さ０．１ｎの硝酸塩膜を得た。
しかるのち上記硝酸塩膜に０．１ Ｔｏｒｒの真空中で
７５０℃ＩＨ予備加熱を施し、次いでＯ＊７６０Ｔｏｒ
ｒの気流中で８７０℃３０分間加熱処理を施して超電導
体膜を製造した。
７５０℃ＩＨ予備加熱を施し、次いでＯ＊７６０Ｔｏｒ
ｒの気流中で８７０℃３０分間加熱処理を施して超電導
体膜を製造した。
実施例３
実施例２において予備加熱の雰囲気をＯ！分圧０、５
ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気中とした他は実施例２と同じ方法
により超電導体膜を製造した。
ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気中とした他は実施例２と同じ方法
により超電導体膜を製造した。
実施例４
予備加熱を８５０ ’ＣＩ Ｈとした他は実施例３と同
じ方法により超電導体膜を製造した。
じ方法により超電導体膜を製造した。
比較例４
実施例２において予備加熱を行わず、加熱処理を８７０
“Ｃ３０分間又は７２０″Ｃ３０分間行った他は実施例
２と同じ方法により超電導体膜を製造した。
“Ｃ３０分間又は７２０″Ｃ３０分間行った他は実施例
２と同じ方法により超電導体膜を製造した。
斯くの如くして得た各々の超電導体膜についてＴｃ及び
ＪＣを測定した。結果は第２表に示した。
ＪＣを測定した。結果は第２表に示した。
第２表より明らかなように本発明方法品（７〜９）はＴ
ｃ、Ｊｃとも高い値のものが得られ、中でも予備加熱を
真空中で施したもの（７）は、不純物が気化散逸したた
め特に高い値となった。これに対し予備加熱を施さない
もの（１０，１１）はＴ６、Ｊ、とも低い値のものとな
った。
ｃ、Ｊｃとも高い値のものが得られ、中でも予備加熱を
真空中で施したもの（７）は、不純物が気化散逸したた
め特に高い値となった。これに対し予備加熱を施さない
もの（１０，１１）はＴ６、Ｊ、とも低い値のものとな
った。
実施例５
直径ｌ−以下のＢ１５ｒＣａＣｕｚＯｙの微粉末をブチ
ルカルビノール２メチルセルロースに混合してペースト
状物となし、このペースト状物を５ｒＴｉｏ、基板上に
巾０．７５ａｍ、厚さ２０−１長さ１２ｍ１のライン状
にスクリーン印刷したのち、これを３００℃に加熱した
オーブン中で乾燥し、しかるのちこのＢ１５ｒＣａＣｕ
、Ｏ，の乾燥体をＯｔ分圧Ｉ Ｔｏｒｒ以下のＡｒ雰囲
気中又は減圧雰囲気中で７９０℃ＩＨ’Ｆａ加熱し、次
いで大気中（ＰＯｚｌ ５２Ｔｏｒｒ）で８８０℃１２
）（加熱処理した。
ルカルビノール２メチルセルロースに混合してペースト
状物となし、このペースト状物を５ｒＴｉｏ、基板上に
巾０．７５ａｍ、厚さ２０−１長さ１２ｍ１のライン状
にスクリーン印刷したのち、これを３００℃に加熱した
オーブン中で乾燥し、しかるのちこのＢ１５ｒＣａＣｕ
、Ｏ，の乾燥体をＯｔ分圧Ｉ Ｔｏｒｒ以下のＡｒ雰囲
気中又は減圧雰囲気中で７９０℃ＩＨ’Ｆａ加熱し、次
いで大気中（ＰＯｚｌ ５２Ｔｏｒｒ）で８８０℃１２
）（加熱処理した。
斯くの如くして得た各々の超電導体膜についてＴｃ及び
Ｊｅを測定した。結果は第３表に示した。
Ｊｅを測定した。結果は第３表に示した。
比較例５
実施例５において予備加熱の雰囲気を０１分圧５ Ｔｏ
ｒｒのＡｒ雰囲気又は７６０Ｔｏｒｒの０２気流中とし
た他は実施例５と同じ方法により超電導体膜を製造した
。
ｒｒのＡｒ雰囲気又は７６０Ｔｏｒｒの０２気流中とし
た他は実施例５と同じ方法により超電導体膜を製造した
。
斯くの如くして得た各々の超電導体膜についてＴｃを測
定した。結果は第３表に示した。
定した。結果は第３表に示した。
第３表より明らかなように本発明方法品（１２〜１４）
は減圧下で予備加熱を行ったもの（１４）をはじめとし
ていずれもＴｃが１００Ｋを超える高い値のものが得ら
れている。これに対し予備加熱雰囲気の０！分圧がｌ
Ｔｏｒｒを超えたもの（１５，１６）は、Ｔ、が低い値
ものものとなった。
は減圧下で予備加熱を行ったもの（１４）をはじめとし
ていずれもＴｃが１００Ｋを超える高い値のものが得ら
れている。これに対し予備加熱雰囲気の０！分圧がｌ
Ｔｏｒｒを超えたもの（１５，１６）は、Ｔ、が低い値
ものものとなった。
以上述べたように本発明方法によれば、超電導体膜への
０．供給が低温短時間の加熱処理によりなし得るので、
加熱処理中に超電導体膜が基体と反応して劣化するよう
なことがなく、ＴｃやＪｃ等の特性に優れた酸化物超電
導体膜を迅速に製造することができ、工業上顕著な効果
を奏する。
０．供給が低温短時間の加熱処理によりなし得るので、
加熱処理中に超電導体膜が基体と反応して劣化するよう
なことがなく、ＴｃやＪｃ等の特性に優れた酸化物超電
導体膜を迅速に製造することができ、工業上顕著な効果
を奏する。
特許出願人 代理人 弁理士 鉛末 雄−手続補正書（
自発）
自発）
Claims (1)
- 基体上に銅を含有する酸化物超電導体物質を膜状に形
成したのち、この膜体を酸素分圧１Ｔｏｒｒ以下の雰囲
気中で４００℃以上で予備加熱を施し、次いで酸素分圧
５０Ｔｏｒｒ以上の雰囲気中で加熱処理を施すことを特
徴とする銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080738A JPH01252526A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080738A JPH01252526A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01252526A true JPH01252526A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13726737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63080738A Pending JPH01252526A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 銅を含有する酸化物超電導体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01252526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120225A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Mitsubishi Metal Corp | 超電動セラミックス被膜または薄板の製造方法 |
| JPH05213619A (ja) * | 1991-10-10 | 1993-08-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導体およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63080738A patent/JPH01252526A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02120225A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-08 | Mitsubishi Metal Corp | 超電動セラミックス被膜または薄板の製造方法 |
| JPH05213619A (ja) * | 1991-10-10 | 1993-08-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導体およびその製造方法 |
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