JP3190690B2 - プラズマ処理用の大規模な誘導プラズマを発生させる方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理用の大規模な誘導プラズマを発生させる方法及び装置Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明はプラズマ補助処理を用いた表面処理用の装置
及びその使用に関し、特に、独占的にではなく、大規模
なフラット基板の処理に関する。
及びその使用に関し、特に、独占的にではなく、大規模
なフラット基板の処理に関する。
かかる処理はエッチング、堆積、洗浄、パッシベーシ
ョン及びイオン注入を含む。
ョン及びイオン注入を含む。
大規模な基板のプラズマ処理用の新しい条件は、市販
で入手可能なプラズマ源では、ますます重要になってき
ている。プラズマ補助処理の成否は上記プラズマ源のス
ケーラビィティ（scalability）に依る。
で入手可能なプラズマ源では、ますます重要になってき
ている。プラズマ補助処理の成否は上記プラズマ源のス
ケーラビィティ（scalability）に依る。
上記条件を満たすために、幅広い圧力範囲にわたって
低エネルギーで制御可能なエネルギーを有する高濃度の
反応性種を発生させるようなプラズマ特有の特徴を有
し、全基板にわたって優れた均質性のある大規模な基板
を処理するために、新しいプラズマ源を考えなければな
らない。
低エネルギーで制御可能なエネルギーを有する高濃度の
反応性種を発生させるようなプラズマ特有の特徴を有
し、全基板にわたって優れた均質性のある大規模な基板
を処理するために、新しいプラズマ源を考えなければな
らない。
一般には、プラズマ処理は、ガスフローと圧を制御す
るためのガス入口とポンピング装置に接続した空気チャ
ンバーを利用する。電気エネルギーが空気チャンバーに
加えられ、ガス中に自由電子を加速されてガス分子のイ
オン化エネルギーを与え、よってプラズマを発生させ
る。イオン化現象は、さらに加速される幾つかの電子を
イオン化エネルギーを与える。
るためのガス入口とポンピング装置に接続した空気チャ
ンバーを利用する。電気エネルギーが空気チャンバーに
加えられ、ガス中に自由電子を加速されてガス分子のイ
オン化エネルギーを与え、よってプラズマを発生させ
る。イオン化現象は、さらに加速される幾つかの電子を
イオン化エネルギーを与える。
ガス中の自由電子の追加エネルギーは、概して電界、
変化する磁界又はその双方により与えられる。
変化する磁界又はその双方により与えられる。
プラズマを発生させてプラズマ処理に利用される一つ
の従来の方法は、容量性のある結合プラズマ（Capaciti
vely Coupled Plasma）と呼ばれて知られている技術に
よるものである。プラズマは、自由電子を加速させる電
場を発生させる二つの電極間のAC電圧の印加から生じ
る。一般的には、二つの電極の１つは基板ホルダーであ
る。二つの電極間に印加されたAC電圧により発生した印
加エネルギーは、同時にイオンの流れと運動エネルギー
を制御する。二つのパラメータは結合しているので、上
記方法は最適化することが難しい。
の従来の方法は、容量性のある結合プラズマ（Capaciti
vely Coupled Plasma）と呼ばれて知られている技術に
よるものである。プラズマは、自由電子を加速させる電
場を発生させる二つの電極間のAC電圧の印加から生じ
る。一般的には、二つの電極の１つは基板ホルダーであ
る。二つの電極間に印加されたAC電圧により発生した印
加エネルギーは、同時にイオンの流れと運動エネルギー
を制御する。二つのパラメータは結合しているので、上
記方法は最適化することが難しい。
プラズマ処理に利用される別のプラズマ源は、電子サ
イクロトロン共鳴（ECR）に基づいている。この方法で
は、マイクロ波電力が、電子経路を円形経路へ変換させ
る一定の磁界とともにガスに印加される。磁界の強度は
電子の回転周波数が電界の周波数と同じになるように
し、電子加速の効率を増加させる共鳴効果をもたらす。
このタイプの励起モードは、高イオンの流れと低イオン
エネルギーを有するプラズマを生じさせる。イオンエネ
ルギーは、基板への無関係なバイアスを加えることによ
り制御される。しかしながら、かかる装置は複雑であり
高価である。さらに、プラズマの期待した処理の特徴に
関しては、特にプラズマ源のスケールアップと均質性い
まだ限られている。
イクロトロン共鳴（ECR）に基づいている。この方法で
は、マイクロ波電力が、電子経路を円形経路へ変換させ
る一定の磁界とともにガスに印加される。磁界の強度は
電子の回転周波数が電界の周波数と同じになるように
し、電子加速の効率を増加させる共鳴効果をもたらす。
このタイプの励起モードは、高イオンの流れと低イオン
エネルギーを有するプラズマを生じさせる。イオンエネ
ルギーは、基板への無関係なバイアスを加えることによ
り制御される。しかしながら、かかる装置は複雑であり
高価である。さらに、プラズマの期待した処理の特徴に
関しては、特にプラズマ源のスケールアップと均質性い
まだ限られている。
プラズマ源の新しい世代が以前から開発され、有望性
がある。これらは誘導結合プラズマ（Inductively Coup
led Plasmas,ICPs）として知られており、例えば米国特
許第4,948,458合と米国特許第5,277,751号に開示されて
いる。プラズマは、スパイラルプレーナコイルにより発
生した磁界を変化させることにより生じる。電子は、コ
イル平面及びプラズマチャンバーの絶縁窓に平行な円形
経路で加速される。この配置は低運動エネルギーを有す
る高濃度プラズマを生じさせるが、装置のサイズが大き
くなると、コイルの中央と境界での均質性という固有の
問題を有する。この問題は処理のスカビリティ（scabil
ity）を制限する。
がある。これらは誘導結合プラズマ（Inductively Coup
led Plasmas,ICPs）として知られており、例えば米国特
許第4,948,458合と米国特許第5,277,751号に開示されて
いる。プラズマは、スパイラルプレーナコイルにより発
生した磁界を変化させることにより生じる。電子は、コ
イル平面及びプラズマチャンバーの絶縁窓に平行な円形
経路で加速される。この配置は低運動エネルギーを有す
る高濃度プラズマを生じさせるが、装置のサイズが大き
くなると、コイルの中央と境界での均質性という固有の
問題を有する。この問題は処理のスカビリティ（scabil
ity）を制限する。
米国特許第5,435,881号には、低圧プレーナプラズマ
を巧く発生させる装置が開示されている。本装置は２つ
ずつ、つまり交互の磁極（多重極）の大きなアレイから
成る。上記特許で引用された利点は、磁極をより変化さ
せること、よって非均一なプラズマに非常に小さい領域
を有することにより、大規模なプラズマを発生させる可
能性がある。
を巧く発生させる装置が開示されている。本装置は２つ
ずつ、つまり交互の磁極（多重極）の大きなアレイから
成る。上記特許で引用された利点は、磁極をより変化さ
せること、よって非均一なプラズマに非常に小さい領域
を有することにより、大規模なプラズマを発生させる可
能性がある。
しかしながら、かかる設計は、二つずつの磁極の間隔
と使用する操作圧と同様に励起周波数に間での依存性を
生じさせる。圧を増加させたときに、この間隔は減少す
る電子の平均自由経路に依存する。したがって、処理条
件に高い操作圧が必要な際は、二つずつの磁極間の間隔
は劇的に減少させなければならない。このことは技術的
観点から重大となる。さらに上記方法は、さまざまな処
理圧に対して種々の多重極分布が必要であり、産業上へ
の応用には柔軟性と適用性が減少する。
と使用する操作圧と同様に励起周波数に間での依存性を
生じさせる。圧を増加させたときに、この間隔は減少す
る電子の平均自由経路に依存する。したがって、処理条
件に高い操作圧が必要な際は、二つずつの磁極間の間隔
は劇的に減少させなければならない。このことは技術的
観点から重大となる。さらに上記方法は、さまざまな処
理圧に対して種々の多重極分布が必要であり、産業上へ
の応用には柔軟性と適用性が減少する。
したがって、本発明の目的は、大きな寸法の被加工物
を処理する必要があるときでさえ、信頼できる方法で最
適なプラズマ条件が得られる手段を提供することであ
る。
を処理する必要があるときでさえ、信頼できる方法で最
適なプラズマ条件が得られる手段を提供することであ
る。
本発明の第一の態様によれば、誘導結合によりチャン
バー内でプラズマを発生させ若しくは持続させるプラズ
マ処理チャンバーのフィールドアドミッション窓を通し
て時間変化磁界を発生させるようにさせた装置を提供
し、前記装置は、 − 窓に対して又は近接して適用されるようにされた
単磁極面構造を有し、大きさ及び形が実質的にフィール
ド放出窓に適合する活性フィールド放出領域を有する磁
気コアと、 − 全単磁極面構造にわたって実質的に均一に分布し
た時間変化磁界を発生させる磁気コアと関連するインダ
クタ手段とから成ることを特徴とする。
バー内でプラズマを発生させ若しくは持続させるプラズ
マ処理チャンバーのフィールドアドミッション窓を通し
て時間変化磁界を発生させるようにさせた装置を提供
し、前記装置は、 − 窓に対して又は近接して適用されるようにされた
単磁極面構造を有し、大きさ及び形が実質的にフィール
ド放出窓に適合する活性フィールド放出領域を有する磁
気コアと、 − 全単磁極面構造にわたって実質的に均一に分布し
た時間変化磁界を発生させる磁気コアと関連するインダ
クタ手段とから成ることを特徴とする。
インダクタと磁気コアとの組合せは、インダクタによ
り発生した磁界を増加させ均質化させる働きがあり、磁
束ラインは磁極面構造上に均一に分布する。例えば1000
又はそれ以上の領域において、非常に高い透磁率（μ）
に有する本発明において利用される典型的なコア材料の
ときに、特に効果がある。かかる材料は軟鉄、鉄合金又
は強磁性材料である。後者はフェライトのようなセラミ
ック、又は他の材料の形である。選択した材料に関係な
く、コアは適当な焼結方法により製造される。
り発生した磁界を増加させ均質化させる働きがあり、磁
束ラインは磁極面構造上に均一に分布する。例えば1000
又はそれ以上の領域において、非常に高い透磁率（μ）
に有する本発明において利用される典型的なコア材料の
ときに、特に効果がある。かかる材料は軟鉄、鉄合金又
は強磁性材料である。後者はフェライトのようなセラミ
ック、又は他の材料の形である。選択した材料に関係な
く、コアは適当な焼結方法により製造される。
磁気コアと単磁極面構造の組合せは、磁界が、チャン
バー窓の平面に平行に形成されたスパイラル経路を有す
るインダクタにちょうど基づく磁界エネルギー源ではよ
くあるように、インダクタの中央での“デッドエリア”
を、有しないことを確実にする。
バー窓の平面に平行に形成されたスパイラル経路を有す
るインダクタにちょうど基づく磁界エネルギー源ではよ
くあるように、インダクタの中央での“デッドエリア”
を、有しないことを確実にする。
結果として、本発明の第一の態様による装置は、大規
模な窓領域を有するプラズマ処理チャンバーに利用する
ことを可能にし、よって全活性領域にわたって均質プラ
ズマ条件下で、大規模な被加工物を処理することができ
る。例えば、本発明は、約0.5平方メータはそれ以上の
大きさを有するLCDのようなフラットパネルディスプレ
イの基板処理に利用可能である。
模な窓領域を有するプラズマ処理チャンバーに利用する
ことを可能にし、よって全活性領域にわたって均質プラ
ズマ条件下で、大規模な被加工物を処理することができ
る。例えば、本発明は、約0.5平方メータはそれ以上の
大きさを有するLCDのようなフラットパネルディスプレ
イの基板処理に利用可能である。
磁気コアは窓の形と大きさに容易に適合させることが
できる。必要ならば、例えば円形、矩形又は多角形単磁
極面を有することが可能である。
できる。必要ならば、例えば円形、矩形又は多角形単磁
極面を有することが可能である。
加工チャンバーの窓は必ずしも平面である必要はな
く、曲がっていてもよい。例えば窓に関係する壁部分の
輪郭に沿う形でもよい。同様に、磁気材料はチャンバー
内に均一な条件を生じさせるように、窓の曲率に合わせ
た単磁極面構造を有する。
く、曲がっていてもよい。例えば窓に関係する壁部分の
輪郭に沿う形でもよい。同様に、磁気材料はチャンバー
内に均一な条件を生じさせるように、窓の曲率に合わせ
た単磁極面構造を有する。
単磁極面構造は一体構造の単一の磁極面により構成さ
れることが好ましい。このようにして、プラズマ処理チ
ャンバーの窓は、均一性を向上させるのにさらに貢献す
る、実質的に連続な平面に向かい合う。
れることが好ましい。このようにして、プラズマ処理チ
ャンバーの窓は、均一性を向上させるのにさらに貢献す
る、実質的に連続な平面に向かい合う。
にもかかわらず、単磁極面構造を二つ又はそれ以上の
プラズマ処理チャンバー窓の各部分に対面する単磁極面
に分割することを考える。覆われるべき窓領域が特に大
きい場合には、代替解決策が検討される。全ての磁極面
はいつでも同じ極性を有することを保証にするように同
相のままである間、磁極面は各インダクタと電源供給に
関連している。あるいは、単磁極面は共通の磁気コア及
びインダクタに物理的に依存している。
プラズマ処理チャンバー窓の各部分に対面する単磁極面
に分割することを考える。覆われるべき窓領域が特に大
きい場合には、代替解決策が検討される。全ての磁極面
はいつでも同じ極性を有することを保証にするように同
相のままである間、磁極面は各インダクタと電源供給に
関連している。あるいは、単磁極面は共通の磁気コア及
びインダクタに物理的に依存している。
好ましい構造においては、磁極面構造は磁気コアの端
面を構成する。
面を構成する。
好ましくは、磁気コアの周りの渦電流の循環を防止す
るために、磁気コアは磁極面に平行な平面に沿った経路
において少なくとも一つの電気的不連続を有する。実際
に、磁気コアを通過する磁束ラインは、レンツの法則に
より、磁極面の平面において循環する渦電流を発生させ
る傾向がある。上記渦電流が磁気コアの周りを自由に循
環できるのなら、渦電流はコイルによる発生した磁束ラ
インに対向する磁束ラインが生じ、磁極面から放出され
た正味の磁界エネルギーが減少し、磁気コアの不必要な
加熱を生じさせるという効果をもたらす。
るために、磁気コアは磁極面に平行な平面に沿った経路
において少なくとも一つの電気的不連続を有する。実際
に、磁気コアを通過する磁束ラインは、レンツの法則に
より、磁極面の平面において循環する渦電流を発生させ
る傾向がある。上記渦電流が磁気コアの周りを自由に循
環できるのなら、渦電流はコイルによる発生した磁束ラ
インに対向する磁束ラインが生じ、磁極面から放出され
た正味の磁界エネルギーが減少し、磁気コアの不必要な
加熱を生じさせるという効果をもたらす。
不連続は一つ又はそれ以上のラミネーションの形であ
る。ラミネーションは、コア中心の近接点若しくはコア
中心点からコア周辺へ放射状に延在することが好まし
い。磁極面構造に垂直な方向に測定されたように、ラミ
ネーションは磁気コアの全奥行きを占める。
る。ラミネーションは、コア中心の近接点若しくはコア
中心点からコア周辺へ放射状に延在することが好まし
い。磁極面構造に垂直な方向に測定されたように、ラミ
ネーションは磁気コアの全奥行きを占める。
渦電流による上記問題は、例えば利用した磁気コア材
料に依存している他の設計よりは、ある磁気コア設計に
おいてより深刻となり、かかる不連続性を有することが
いつも必要であるとが限らない。一般には、インダクタ
は少なくとも磁気コアのある部分の周りに一回又はそれ
以上の巻きを形成するように配置された導線から成る。
導線は磁気コアの周辺に巻き付けられる。さらにインダ
クタ手段は、磁気コアに、例えば磁極面の表面に形成さ
れた溝パターン内の引っ込んだプレーナ巻線から成る。
料に依存している他の設計よりは、ある磁気コア設計に
おいてより深刻となり、かかる不連続性を有することが
いつも必要であるとが限らない。一般には、インダクタ
は少なくとも磁気コアのある部分の周りに一回又はそれ
以上の巻きを形成するように配置された導線から成る。
導線は磁気コアの周辺に巻き付けられる。さらにインダ
クタ手段は、磁気コアに、例えば磁極面の表面に形成さ
れた溝パターン内の引っ込んだプレーナ巻線から成る。
加工チャンバーの窓が曲がった壁に形成されたら、磁
極面構造は関連するフィールドアドミッション窓の曲率
に合わせた非平面に製造される。
極面構造は関連するフィールドアドミッション窓の曲率
に合わせた非平面に製造される。
インダクタ手段は約10kHzから100MHzの、代表的な周
波数は13.56MHzである周波数で電流を送る電源により、
好ましく駆動される。インピーダンス整合及び位相要因
補正用の回路は、必要ならば電源とインダクタの間に設
けられる。
波数は13.56MHzである周波数で電流を送る電源により、
好ましく駆動される。インピーダンス整合及び位相要因
補正用の回路は、必要ならば電源とインダクタの間に設
けられる。
本発明の第一の態様は、少なくとも一つの窓を有する
プラズマ処理チャンバーと、対応する窓を通して誘導結
合によりチャンバー内の時間変化磁界を発生させるよう
に配置された少なくとも一つの前述の磁界発生装置と、
磁界発生装置を駆動させるための電源手段から成るプラ
ズマ処理装置を提供することである。
プラズマ処理チャンバーと、対応する窓を通して誘導結
合によりチャンバー内の時間変化磁界を発生させるよう
に配置された少なくとも一つの前述の磁界発生装置と、
磁界発生装置を駆動させるための電源手段から成るプラ
ズマ処理装置を提供することである。
さらに本発明の第一の態様は、被加工物を処理するた
めの上記プラズマ処理装置の利用に関する。
めの上記プラズマ処理装置の利用に関する。
本発明の第二の態様によれば、誘導フィールドエネル
ギーを受ける二つ又はそれ以上の窓を有する誘導型プラ
ズマ処理チャンバーを提供し、各窓は誘導フィールドエ
ネルギーを各方向からチャンバーに入れることを可能と
する。
ギーを受ける二つ又はそれ以上の窓を有する誘導型プラ
ズマ処理チャンバーを提供し、各窓は誘導フィールドエ
ネルギーを各方向からチャンバーに入れることを可能と
する。
本発明の第二の態様によるプラズマ処理チャンバーに
より、被加工物又は被加工物群の二つ又はそれ以上の異
なる面で、最適プラズマ条件を設定することが可能とな
る。よって、優れた均一性の条件下で、チャンバーは複
数小面を有する大きな被加工物を処理するのに利用可能
である。さらに、二つ又はそれ以上の被加工物、例えば
二つ又はそれ以上の基板の各面に対して、同時に処理す
ることが可能である。
より、被加工物又は被加工物群の二つ又はそれ以上の異
なる面で、最適プラズマ条件を設定することが可能とな
る。よって、優れた均一性の条件下で、チャンバーは複
数小面を有する大きな被加工物を処理するのに利用可能
である。さらに、二つ又はそれ以上の被加工物、例えば
二つ又はそれ以上の基板の各面に対して、同時に処理す
ることが可能である。
例えば、プラズマ処理チャンバーには二つの対面する
窓が設けられる。チャンバーが奥行きのない配置（円形
又は正方形断面）ならば、窓は、例えば奥行きのない壁
の各端に設置される。
窓が設けられる。チャンバーが奥行きのない配置（円形
又は正方形断面）ならば、窓は、例えば奥行きのない壁
の各端に設置される。
チャンバーが細長い配置（円形又は正方形断面）なら
ば、窓は、例えば対面する窓の１つ又は幾つかの組に配
置された細長い壁に形成される。
ば、窓は、例えば対面する窓の１つ又は幾つかの組に配
置された細長い壁に形成される。
本発明の第一の態様のように、チャンバーの窓は平面
である必要はない。同様に、窓に関連したフィールドエ
ネルギー発生器は、チャンバー内に均一条件を与えるよ
うに、窓の曲率に合わせて配置される。
である必要はない。同様に、窓に関連したフィールドエ
ネルギー発生器は、チャンバー内に均一条件を与えるよ
うに、窓の曲率に合わせて配置される。
本発明の第二の態様による処理チャンバーは、さまざ
まな窓からフィールドエネルギーがさえぎられることを
避けるように適合された被加工物支持手段を有する。
まな窓からフィールドエネルギーがさえぎられることを
避けるように適合された被加工物支持手段を有する。
周辺支持手段は、例えば窓間の中間に設けられ、端で
被加工物を保持するように改造され、よって対向面を晒
すことを可能にする。
被加工物を保持するように改造され、よって対向面を晒
すことを可能にする。
一つ又はそれ以上の隔壁がチャンバー内に設けられ、
一つの窓又は窓群に関連した窓間を分離する。空間はガ
ス又はガス混合物、フィールド条件（例えば隣接エネル
ギーフィールド間のクロストークを防止するため）、バ
イアス条件、又は他の処理パラメータに関して分離され
る。よって、チャンバーは、個別の耐圧容器を設ける必
要なしに、幾つかの独立したチャンバーと等価な機能性
を有するように製造される。実際に、各ガス入口及び出
口手段が協力した方法で作動するなら、高い圧力差に抵
抗するように隔壁を設計する必要はない。
一つの窓又は窓群に関連した窓間を分離する。空間はガ
ス又はガス混合物、フィールド条件（例えば隣接エネル
ギーフィールド間のクロストークを防止するため）、バ
イアス条件、又は他の処理パラメータに関して分離され
る。よって、チャンバーは、個別の耐圧容器を設ける必
要なしに、幾つかの独立したチャンバーと等価な機能性
を有するように製造される。実際に、各ガス入口及び出
口手段が協力した方法で作動するなら、高い圧力差に抵
抗するように隔壁を設計する必要はない。
被加工物支持手段は、支持手段と被加工物との間の接
触点における耐ガス密閉性を設けることにより、被加工
物と共にチャンバーの仕切りに寄与ように改造され得
る。例えば、前述の周辺支持手段は、それ自身被加工物
とチャンバー壁の間の空間用の一部の隔壁を構成し、被
加工物それ自体（例えば平面基板）は周辺支持手段内の
隔壁を形成する。被加工物は支持手段上に設けられた密
閉ガスケットを装備した端グリップにより保持される。
触点における耐ガス密閉性を設けることにより、被加工
物と共にチャンバーの仕切りに寄与ように改造され得
る。例えば、前述の周辺支持手段は、それ自身被加工物
とチャンバー壁の間の空間用の一部の隔壁を構成し、被
加工物それ自体（例えば平面基板）は周辺支持手段内の
隔壁を形成する。被加工物は支持手段上に設けられた密
閉ガスケットを装備した端グリップにより保持される。
本配置により、さまざまな条件下で同じ被加工物の二
つの面（例えば基板の対向面）を、全ては単一真空外囲
容器内で同時に処理することも可能となる。このように
分割された全ての空間がプラズマ処理用の環境を作り出
す必要はなく、一つ又は幾つかの空間は、他の技術を利
用した被加工物の対応する表面を処理するのに利用でき
ることを指摘しておく。
つの面（例えば基板の対向面）を、全ては単一真空外囲
容器内で同時に処理することも可能となる。このように
分割された全ての空間がプラズマ処理用の環境を作り出
す必要はなく、一つ又は幾つかの空間は、他の技術を利
用した被加工物の対応する表面を処理するのに利用でき
ることを指摘しておく。
本発明の第二の態様は、被加工物処理用の上記プラズ
マ処理チャンバーの使用に関する。
マ処理チャンバーの使用に関する。
本発明の第三の態様によれば、チャンバー内でプラズ
マを発生させ若しくは持続させるための誘導結合型プラ
ズマ処理チャンバーのフィールドアドミッション面でエ
ネルギーフィールドを発生させる装置を提供し、前記装
置はフィールドアドミッション面用の閉塞及びガス密閉
を構成することから特徴付けられる。
マを発生させ若しくは持続させるための誘導結合型プラ
ズマ処理チャンバーのフィールドアドミッション面でエ
ネルギーフィールドを発生させる装置を提供し、前記装
置はフィールドアドミッション面用の閉塞及びガス密閉
を構成することから特徴付けられる。
誘導結合プラズマ処理チャンバーにおけるエネルギー
フィールドを発生させる手段は、それ自身比較的剛体で
ある構造部品から通常成る。簡単な改造により、上記手
段は関連するフィールドアドミッション面を孤立させ密
閉させるように製造され、よって真空外囲容器の構造部
品を形成する。
フィールドを発生させる手段は、それ自身比較的剛体で
ある構造部品から通常成る。簡単な改造により、上記手
段は関連するフィールドアドミッション面を孤立させ密
閉させるように製造され、よって真空外囲容器の構造部
品を形成する。
よって、本発明の第三の態様により、チャンバーのフ
ィールドアドミッション面用の耐圧絶縁窓を設ける必要
性を取り除くことが可能になる。典型的誘導プラズマ処
理チャンバーにおけるかかる窓の提供は、窓材料の厚さ
は、大気圧に晒される表面積とともに著しく増加しなけ
ればならないので、フィールドアドミッション面用の増
大する大きさへの傾向が問題となってきている。大規模
なフィールドアドミッション面により、要求される絶縁
材料の厚さは更なる開発のための実用的限界を課す。さ
らに、絶縁材料がかなりの厚さを有する際には、フィー
ルドエネルギー源は、最適フィールド強度及び均一性を
保証するためのプラズマ環境に十分近づくように製造さ
れ得ない。
ィールドアドミッション面用の耐圧絶縁窓を設ける必要
性を取り除くことが可能になる。典型的誘導プラズマ処
理チャンバーにおけるかかる窓の提供は、窓材料の厚さ
は、大気圧に晒される表面積とともに著しく増加しなけ
ればならないので、フィールドアドミッション面用の増
大する大きさへの傾向が問題となってきている。大規模
なフィールドアドミッション面により、要求される絶縁
材料の厚さは更なる開発のための実用的限界を課す。さ
らに、絶縁材料がかなりの厚さを有する際には、フィー
ルドエネルギー源は、最適フィールド強度及び均一性を
保証するためのプラズマ環境に十分近づくように製造さ
れ得ない。
対照的には、本発明の第三の態様により、フィールド
アドミッション開口部のサイズに関係なく、最小損失で
かなり接近して誘導フィールドエネルギー源をプラズマ
環境に持って行くことが可能となる。
アドミッション開口部のサイズに関係なく、最小損失で
かなり接近して誘導フィールドエネルギー源をプラズマ
環境に持って行くことが可能となる。
当然、本発明の第三の態様による処理チャンバーは、
本発明の第二の態様に関係して設けられたフィールドア
ドミッション窓に類似して、二つ以上のフィールドアド
ミッション面を有する。
本発明の第二の態様に関係して設けられたフィールドア
ドミッション窓に類似して、二つ以上のフィールドアド
ミッション面を有する。
好ましくは、バリアがエネルギーフィールド源のフィ
ールド放出表面とプラズマ環境の間に形成され、前記表
面がチャンバーの汚染を防止する。
ールド放出表面とプラズマ環境の間に形成され、前記表
面がチャンバーの汚染を防止する。
バリアはクオーツ、ガラス、例えばパイレックス（RT
M）又はポリマーのような絶縁材料から作られる窓又は
プレートの形を有する。
M）又はポリマーのような絶縁材料から作られる窓又は
プレートの形を有する。
エネルギーフィールド発生器のフィールド放出面によ
り、少なくとも表面部分では古典的窓ほど剛体である必
要はないと考えられる。バリアは接着剤、ねじ、リベッ
ト又は取付ブラケットによりエネルギーフィールド発生
器へ支えられる。
り、少なくとも表面部分では古典的窓ほど剛体である必
要はないと考えられる。バリアは接着剤、ねじ、リベッ
ト又は取付ブラケットによりエネルギーフィールド発生
器へ支えられる。
さらにバリアは、エネルギーフィールド発生器のフィ
ールド放出面の表面に堆積されたフィルムの形でもあ
る。
ールド放出面の表面に堆積されたフィルムの形でもあ
る。
上述の配置は、バリアはフィールドエネルギー発生器
の放出面と接触した表面にあることを確実にする。
の放出面と接触した表面にあることを確実にする。
別の実施例において、バリアはエネルギーフィールド
発生器のフィールド放出面に接触せずに、保持されて、
例えばフィールド放出面の周辺で又は可能ならば処理チ
ャンバーにより取付けられる。
発生器のフィールド放出面に接触せずに、保持されて、
例えばフィールド放出面の周辺で又は可能ならば処理チ
ャンバーにより取付けられる。
この場合、手段はバリア内部面と外部面（夫々チャン
バー環境に向かう面とエネルギーフィールド発生器に向
かう面）の間の圧条件のバランスをとるために設けられ
る。反応チャンバーが圧条件の変化（例えば、被加工物
の装填及び取出しでの真空ポンピング若しくはガスアド
ミッション、又は大気圧への設定中）をうける際に、上
記手段は、バリアの外面での圧が処理チャンバーの圧に
合わせられるように作動するバルブ配置の形である。一
旦チャンバー内の圧条件が安定すれば、バルブ手段は、
エネルギーフィールド発生器からの汚染物は全く処理チ
ャンバーのプラズマ環境に達しないことを保証するため
に、反応チャンバーからのバリア外表面上の空間を密閉
するように設定される。
バー環境に向かう面とエネルギーフィールド発生器に向
かう面）の間の圧条件のバランスをとるために設けられ
る。反応チャンバーが圧条件の変化（例えば、被加工物
の装填及び取出しでの真空ポンピング若しくはガスアド
ミッション、又は大気圧への設定中）をうける際に、上
記手段は、バリアの外面での圧が処理チャンバーの圧に
合わせられるように作動するバルブ配置の形である。一
旦チャンバー内の圧条件が安定すれば、バルブ手段は、
エネルギーフィールド発生器からの汚染物は全く処理チ
ャンバーのプラズマ環境に達しないことを保証するため
に、反応チャンバーからのバリア外表面上の空間を密閉
するように設定される。
フィールドエネルギー源は、チャンバーとの界面に設
けられる適当な密閉手段を有して、チャンバー上に固定
可能であるように組立てられる。かかる構造において、
チャンバー及びフィールドエネルギー源は、開閉手段を
介して別々に若しくは相対的に離れて配置され、フィー
ルドアドミッション開口部を経由して、例えば被加工物
の装填及び取出しに対して、処理チャンバーへのアクセ
スが可能となる。
けられる適当な密閉手段を有して、チャンバー上に固定
可能であるように組立てられる。かかる構造において、
チャンバー及びフィールドエネルギー源は、開閉手段を
介して別々に若しくは相対的に離れて配置され、フィー
ルドアドミッション開口部を経由して、例えば被加工物
の装填及び取出しに対して、処理チャンバーへのアクセ
スが可能となる。
あるいは、処理チャンバー及びフィールドエネルギー
源は、一体構造である。この場合も、絶縁バリアはエネ
ルギーフィールド源とチャンバー内部の処理空間の間に
設けられる。絶縁バリアは、前に説明した方法で、均圧
バルブ配置の選択的設置を有して、処理チャンバー若し
くはエネルギーフィールド源のいずれかのレベルに物理
的に取付けられる。
源は、一体構造である。この場合も、絶縁バリアはエネ
ルギーフィールド源とチャンバー内部の処理空間の間に
設けられる。絶縁バリアは、前に説明した方法で、均圧
バルブ配置の選択的設置を有して、処理チャンバー若し
くはエネルギーフィールド源のいずれかのレベルに物理
的に取付けられる。
本発明の第三の態様によれば、誘導結合によりフィー
ルドエネルギーを受ける少なくとも一つのフィールドア
ドミッション面を有する処理チャンバーと、対応するフ
ィールドアドミッション面を経由してチャンバーへフィ
ールドエネルギーを誘導するように配置された少なくと
も一つのエネルギー源とから成るプラズマ処理装置を提
供し、前記装置は各エネルギー源が対応するフィールド
アドミッション面に関して密閉カバーを形成することを
特徴とする。
ルドエネルギーを受ける少なくとも一つのフィールドア
ドミッション面を有する処理チャンバーと、対応するフ
ィールドアドミッション面を経由してチャンバーへフィ
ールドエネルギーを誘導するように配置された少なくと
も一つのエネルギー源とから成るプラズマ処理装置を提
供し、前記装置は各エネルギー源が対応するフィールド
アドミッション面に関して密閉カバーを形成することを
特徴とする。
さらに本発明の第三の態様は、被加工物処理用の上記
プラズマ処理装置の使用に関する。
プラズマ処理装置の使用に関する。
さらに本発明の第一、第二及び第三の態様は、 被加工物及び／又はフィールドエネルギー源を交流バ
イアス（無線周波数を含む）、直流バイアス又は接地バ
イアスでバイアスをかける手段と、 処理チャンバー内に含まれる被加工物を加熱する手段
と、 フィールドエネルギー源、例えば磁気コアを冷却する
手段 の１つ又はそれ以上の手段で実施可能である。手段がフ
ィールドエネルギー源（例えば磁極面構造）にバイアス
をかけるために設けられたなら、後者はチャンバーの構
造から電気的に分離されることが好ましい。
イアス（無線周波数を含む）、直流バイアス又は接地バ
イアスでバイアスをかける手段と、 処理チャンバー内に含まれる被加工物を加熱する手段
と、 フィールドエネルギー源、例えば磁気コアを冷却する
手段 の１つ又はそれ以上の手段で実施可能である。手段がフ
ィールドエネルギー源（例えば磁極面構造）にバイアス
をかけるために設けられたなら、後者はチャンバーの構
造から電気的に分離されることが好ましい。
第一、第二又は第三の態様のいずれか一つにおける本
発明は、 エッチング； プラズマ強化又は補助化学蒸着（夫々PECVD又はPACV
D）； 被加工物の洗浄及び表面調製； パッシベーション及び プラズマイオン注入 のような広範囲の応用に実施可能である。さらに、第
一、第二又は第三の態様のいずれか一つにおける本発明
を実施する際に、処理操作用の原子源はガス若しくはガ
ス混合物だけでなく、 スパッタリング源、例えばマグネトロンスパッタリン
グ源又は 蒸気源、例えば電子ビームエバポレータ のような他の周知のソース（源）技術から成る。
発明は、 エッチング； プラズマ強化又は補助化学蒸着（夫々PECVD又はPACV
D）； 被加工物の洗浄及び表面調製； パッシベーション及び プラズマイオン注入 のような広範囲の応用に実施可能である。さらに、第
一、第二又は第三の態様のいずれか一つにおける本発明
を実施する際に、処理操作用の原子源はガス若しくはガ
ス混合物だけでなく、 スパッタリング源、例えばマグネトロンスパッタリン
グ源又は 蒸気源、例えば電子ビームエバポレータ のような他の周知のソース（源）技術から成る。
コンパートメントがチャンバー内で画成されるよう
に、二つ又はそれ以上のフィールドアドミッション開口
部（本発明の第二の態様）を有する処理チャンバーで本
発明が実施されると、さまざまな原子源技術技術がさま
ざまなコンパートメントに利用可能である。同様に、さ
まざまなコンパートメントは、以上に列記したさまざま
な応用に利用可能である。
に、二つ又はそれ以上のフィールドアドミッション開口
部（本発明の第二の態様）を有する処理チャンバーで本
発明が実施されると、さまざまな原子源技術技術がさま
ざまなコンパートメントに利用可能である。同様に、さ
まざまなコンパートメントは、以上に列記したさまざま
な応用に利用可能である。
図面の簡単な説明 添付図面を参照する好ましい実施例の非制限例として
示され、本発明及びその利点は以下の説明からより理解
される。
示され、本発明及びその利点は以下の説明からより理解
される。
− 図１は本発明の第一の実施例による、第一の態様
に従ったプラズマ処理装置の概略断面図である。
に従ったプラズマ処理装置の概略断面図である。
− 図２は図１の実施例において利用された時間変化
磁界発生器の一般的な図である。
磁界発生器の一般的な図である。
− 図３は第一の変形例による、図１の実施例に利用
された時間変化磁界発生器の概略断面図である。
された時間変化磁界発生器の概略断面図である。
− 図４は第二の変形例による、図１の実施例に利用
された時間変化磁界発生器の概略断面図である。
された時間変化磁界発生器の概略断面図である。
− 図５は第一及び第二の態様に従う、本発明の第二
の実施例の概略断面図である。
の実施例の概略断面図である。
− 図６は本発明の第三の実施例による、第一及び第
二の態様に従うプラズマ処理装置の概略一般図である。
二の態様に従うプラズマ処理装置の概略一般図である。
− 図７は図６の装置の部分平面図である。
− 図８は本発明の第四の実施例による、第一及び第
三の態様に従うプラズマ処理装置の概略断面図である。
三の態様に従うプラズマ処理装置の概略断面図である。
− 図９は第一変形例に従う、図８に示したプラズマ
処理装置の詳細図である。
処理装置の詳細図である。
− 図10は本発明の第五の実施例による、第一、第
二、及び第三の態様に従うプラズマ処理装置の概略断面
図である。
二、及び第三の態様に従うプラズマ処理装置の概略断面
図である。
− 図11は本発明の第六の実施例による、第一、第
二、第三の態様に従う変形した図６に示す装置の部分断
面図である。
二、第三の態様に従う変形した図６に示す装置の部分断
面図である。
− 図12は第二の変形例により変形させた図８又は図
10に示すプラズマ処理装置の詳細図である。
10に示すプラズマ処理装置の詳細図である。
図１は、プラズマ処理チャンバー10及び個別のエネル
ギーフィールド発生器12から形成されたプラズマ処理装
置を示す。処理チャンバー10は、プラズマが発生し持続
される奥行きのない円筒容器の形である。古典的処理チ
ャンバーに共通して、チャンバーは被加工物16用の支持
体14、処理ガス若しくはガス混合物を導入させる少なく
とも一つのガス入口ポート18と、チャンバー内のガス圧
を調節するためのポンピングデバイス（図示せず）に接
続された少なくとも一つのガス出口ポート20から成る。
これらの態様はそれ自身よく知られており、よって簡潔
にするため詳細は省く。
ギーフィールド発生器12から形成されたプラズマ処理装
置を示す。処理チャンバー10は、プラズマが発生し持続
される奥行きのない円筒容器の形である。古典的処理チ
ャンバーに共通して、チャンバーは被加工物16用の支持
体14、処理ガス若しくはガス混合物を導入させる少なく
とも一つのガス入口ポート18と、チャンバー内のガス圧
を調節するためのポンピングデバイス（図示せず）に接
続された少なくとも一つのガス出口ポート20から成る。
これらの態様はそれ自身よく知られており、よって簡潔
にするため詳細は省く。
チャンバーの上面は、石英又は他の絶縁材料から作ら
れた窓22が設けてあり、誘導結合によりエネルギーフィ
ールドがチャンバー内に入ることを可能にし、よって必
要なプラズマ処理条件を発生させ持続させる。窓22は耐
ガス密閉を介してチャンバー10のリム部分24上に維持さ
れる。窓22の剛性及び密閉の品質は、低圧ガス若しくは
部分真空条件がチャンバー内に存在すれば、大気圧の崩
壊力に耐えなければならない。
れた窓22が設けてあり、誘導結合によりエネルギーフィ
ールドがチャンバー内に入ることを可能にし、よって必
要なプラズマ処理条件を発生させ持続させる。窓22は耐
ガス密閉を介してチャンバー10のリム部分24上に維持さ
れる。窓22の剛性及び密閉の品質は、低圧ガス若しくは
部分真空条件がチャンバー内に存在すれば、大気圧の崩
壊力に耐えなければならない。
窓22のサイズは、チャンバー10内で発生し持続される
プラズマ状態の領域を決定し、結果として最適条件下で
処理される被加工物の処理領域を決定する。この例にお
いて、窓22はチャンバーの全断面積の殆どを占め、被加
工物16が対応する大きな領域を占めることを可能にす
る。
プラズマ状態の領域を決定し、結果として最適条件下で
処理される被加工物の処理領域を決定する。この例にお
いて、窓22はチャンバーの全断面積の殆どを占め、被加
工物16が対応する大きな領域を占めることを可能にす
る。
フィールドエネルギー発生器12は、窓22を介してチャ
ンバー10内部に時間変化磁界を誘導する。発生器は窓に
対してチャンバー10の外に設けられ、僅かに後者から離
れている。磁界は、高周波電力源30からの電流を循環さ
せるインダクタ巻線28（図２から図４）と関連して、磁
気コア26により発生する。
ンバー10内部に時間変化磁界を誘導する。発生器は窓に
対してチャンバー10の外に設けられ、僅かに後者から離
れている。磁界は、高周波電力源30からの電流を循環さ
せるインダクタ巻線28（図２から図４）と関連して、磁
気コア26により発生する。
磁気コア26は窓22と実質的に同じサイズと形を有する
単磁極面26aを有し、後者と整列して配置される。最小
のエネルギー損失を保証するために、単磁極面26aと窓2
2の間の距離は短いまま（数mm）又は殆どゼロのままで
ある。
単磁極面26aを有し、後者と整列して配置される。最小
のエネルギー損失を保証するために、単磁極面26aと窓2
2の間の距離は短いまま（数mm）又は殆どゼロのままで
ある。
磁気コア26は、必要な構造仕様に製作される。若しく
はフェライトのような磁気セラミックの強磁性材料から
作られる。
はフェライトのような磁気セラミックの強磁性材料から
作られる。
相対的に高フィールド周波数（例えば30kHzから5MHz
及びそれ以上）が考えられると、磁気コアは、磁気パウ
ダー及びTroy,Michigan,UASのFluxtrol Manufacturing,
Incからの“フルキシトロール Ｆ（Fluxtrol F）（RT
M）”の商品名の固体、又は同様な他の材料のような絶
縁性バインダーから成る材料から作られる。かかる材料
は、ラミネート構造を利用するという頼りなしに、最小
渦電流損失と組合せて、優れたフィールド均一性を与え
るとうい利点を有する。
及びそれ以上）が考えられると、磁気コアは、磁気パウ
ダー及びTroy,Michigan,UASのFluxtrol Manufacturing,
Incからの“フルキシトロール Ｆ（Fluxtrol F）（RT
M）”の商品名の固体、又は同様な他の材料のような絶
縁性バインダーから成る材料から作られる。かかる材料
は、ラミネート構造を利用するという頼りなしに、最小
渦電流損失と組合せて、優れたフィールド均一性を与え
るとうい利点を有する。
磁気コアが渦電流損失の受けやすい材料から作られた
なら、相対的に低周波数が図２に示す例のラミネートコ
ア構造を利用することにより利用された際に、後者は排
除される。ラミネーション32は、渦電流の循環を防止す
るように、コア26を中央部分から放射する電気的分離セ
グメントへ分割された絶縁材料から作られる。あるい
は、セグメントは空隙により分離される。
なら、相対的に低周波数が図２に示す例のラミネートコ
ア構造を利用することにより利用された際に、後者は排
除される。ラミネーション32は、渦電流の循環を防止す
るように、コア26を中央部分から放射する電気的分離セ
グメントへ分割された絶縁材料から作られる。あるい
は、セグメントは空隙により分離される。
図２に示す構造において、インダクタ28は、同等な半
径、コア26と同心で周辺の近くにある一つ又は数多くの
らせん（典型的には三つから十）を有するコイルとして
巻き付けられた金属チューブから成る。チューブは、例
えば銅又は銀めっき銅から作られ、典型的には約５から
25mm、可能ならばそれ以上の断面を有する。例におい
て、巻き付かれたインダクタは磁気コア26の材料の溝29
内に引っ込んでいる。インダクタを形成するらせんの数
は、とりわけ電源30と整合させたインピーダンスにより
決まる。
径、コア26と同心で周辺の近くにある一つ又は数多くの
らせん（典型的には三つから十）を有するコイルとして
巻き付けられた金属チューブから成る。チューブは、例
えば銅又は銀めっき銅から作られ、典型的には約５から
25mm、可能ならばそれ以上の断面を有する。例におい
て、巻き付かれたインダクタは磁気コア26の材料の溝29
内に引っ込んでいる。インダクタを形成するらせんの数
は、とりわけ電源30と整合させたインピーダンスにより
決まる。
電源30は古典的な設計であり、インピーダンス用の容
量素子及び負荷に合わせた位相要因を有する同調回路
（図示せず）を経由して、コイル28に電力出力がつなが
っている無線周波（RF）発生器から成る。典型的には発
生器30は、13.56MHzの周波数で作用するが、この値は設
計スペックに依存して、例えば数十kNzから数十MHzであ
る。
量素子及び負荷に合わせた位相要因を有する同調回路
（図示せず）を経由して、コイル28に電力出力がつなが
っている無線周波（RF）発生器から成る。典型的には発
生器30は、13.56MHzの周波数で作用するが、この値は設
計スペックに依存して、例えば数十kNzから数十MHzであ
る。
高周波電源30からの電流は、コイル28の周りを循環
し、コイル内での領域でコイルの平面に実質的に垂直で
ある、よって窓22に垂直である磁束ラインの磁界を発生
させる。磁束ラインはコイルに流れる高周波電流の各サ
イクルで交互になり、同様に各サイクルで交互になる極
性を有するコア26の磁化を発生させる。よって、窓22に
対面する磁気コアの単磁極面26aは、ＮとＳ極の間で交
互に磁化されるが、いずれの瞬間でも全領域にわたって
同じ極性を有し、この点に関しては、単磁極面としてみ
なされる。コア材料の高い透磁率により、単磁極面26a
からの磁界ラインは均一濃度を有することを保証する。
プラズマ処理チャンバー10内部の空間34、よって被加工
物16は、均一プラズマ環境を相応じてうける。
し、コイル内での領域でコイルの平面に実質的に垂直で
ある、よって窓22に垂直である磁束ラインの磁界を発生
させる。磁束ラインはコイルに流れる高周波電流の各サ
イクルで交互になり、同様に各サイクルで交互になる極
性を有するコア26の磁化を発生させる。よって、窓22に
対面する磁気コアの単磁極面26aは、ＮとＳ極の間で交
互に磁化されるが、いずれの瞬間でも全領域にわたって
同じ極性を有し、この点に関しては、単磁極面としてみ
なされる。コア材料の高い透磁率により、単磁極面26a
からの磁界ラインは均一濃度を有することを保証する。
プラズマ処理チャンバー10内部の空間34、よって被加工
物16は、均一プラズマ環境を相応じてうける。
処理チャンバー10は被加工物支持体14を経由して被加
工物16を加熱する手段から成る。この目的のために、被
加工物支持体は、被加工物16と熱的に接触するように改
造された加熱抵抗を装備し、制御可能な加熱電流源70に
よりエネルギーが供給される。加熱電流源70は、一定の
設定温度、若しくは条件により所定の時間依存性温度変
化が生じるように、被加工物の温度に応答する温度セン
サー（図示せず）と共に作動する。
工物16を加熱する手段から成る。この目的のために、被
加工物支持体は、被加工物16と熱的に接触するように改
造された加熱抵抗を装備し、制御可能な加熱電流源70に
よりエネルギーが供給される。加熱電流源70は、一定の
設定温度、若しくは条件により所定の時間依存性温度変
化が生じるように、被加工物の温度に応答する温度セン
サー（図示せず）と共に作動する。
さらに処理チャンバー10は、被加工物16にバイアスを
かける手段から成る。上記例において、このことはケー
ブル接続を通して、若しくは直接の物理的接触のいずれ
かにより、被加工物と接続している被加工物支持体16の
レベルでの一つ又は多くの電気接点（図示せず）により
達成される。接点は、交流バイアス（無線周波数を含
む）、直流バイアスあるいは接地バイアスを設けるよう
にセットされているチャンバー10の外にあるバイアス源
72により供給される。
かける手段から成る。上記例において、このことはケー
ブル接続を通して、若しくは直接の物理的接触のいずれ
かにより、被加工物と接続している被加工物支持体16の
レベルでの一つ又は多くの電気接点（図示せず）により
達成される。接点は、交流バイアス（無線周波数を含
む）、直流バイアスあるいは接地バイアスを設けるよう
にセットされているチャンバー10の外にあるバイアス源
72により供給される。
同様に、コア26はバイアスをかけられて、接続してい
る個別のバイアス源74により単磁極面26aのレベルで所
定の電位を発生させる。バイアス源は交流バイアス（無
線周波数を含む）、直流バイアスを提供するように、若
しくはコア26を接地させるように設定される。
る個別のバイアス源74により単磁極面26aのレベルで所
定の電位を発生させる。バイアス源は交流バイアス（無
線周波数を含む）、直流バイアスを提供するように、若
しくはコア26を接地させるように設定される。
実施例において、磁気コア26及びよって単磁極面26a
は、閉鎖回路冷却システムにより積極的に冷却される。
閉鎖回路冷却システムはコア26に埋め込められ、出口80
a及び入口80bを経由してポンプ82及びクーラ84に接続さ
れた液体循環導管80から成る。図２に示すように、導管
80はコア28の周りの配管の数巻から成る。熱拡散を改善
させるために、配管はコアに埋め込まれたフィン若しく
は同等な構造と関連している。
は、閉鎖回路冷却システムにより積極的に冷却される。
閉鎖回路冷却システムはコア26に埋め込められ、出口80
a及び入口80bを経由してポンプ82及びクーラ84に接続さ
れた液体循環導管80から成る。図２に示すように、導管
80はコア28の周りの配管の数巻から成る。熱拡散を改善
させるために、配管はコアに埋め込まれたフィン若しく
は同等な構造と関連している。
図３は図１の実施例の第一の変形例による磁気コア26
を示し、インダクタ巻線28は磁気コア26の周辺の周りに
形成される。本例において、導線は正方形断面を有し、
二つの巻き付け層を形成する。図４は第一の実施例の第
二の変形例による磁気コア26を示し、溝パターン36は、
インダクタ巻線28を受けるように磁気コア28に形成され
る。本例において、溝36は加工チャンバー10の窓22に対
面し、面全体にわたって実質的に存在する磁極面26aに
晒される。代替として、溝36は磁気コアの対向面上に形
成される。パターンはらせん、若しくは磁気コアの輪郭
に従う同心閉鎖経路を形成する。インダクタ巻線28は溝
36に完全に引っ込むように配置され、溝は一つ又はそれ
以上の積層巻線（説明した例では二層である）を収容す
るのに十分な深さを有している。第一の変形例として、
インダクタ28は正方形断面を有している。
を示し、インダクタ巻線28は磁気コア26の周辺の周りに
形成される。本例において、導線は正方形断面を有し、
二つの巻き付け層を形成する。図４は第一の実施例の第
二の変形例による磁気コア26を示し、溝パターン36は、
インダクタ巻線28を受けるように磁気コア28に形成され
る。本例において、溝36は加工チャンバー10の窓22に対
面し、面全体にわたって実質的に存在する磁極面26aに
晒される。代替として、溝36は磁気コアの対向面上に形
成される。パターンはらせん、若しくは磁気コアの輪郭
に従う同心閉鎖経路を形成する。インダクタ巻線28は溝
36に完全に引っ込むように配置され、溝は一つ又はそれ
以上の積層巻線（説明した例では二層である）を収容す
るのに十分な深さを有している。第一の変形例として、
インダクタ28は正方形断面を有している。
第一の及び第二の変形例ともに、磁気コア26は渦電流
を排除するための、つまりかかる遮断用の電気経路に開
路を有する。さらにインダクタ28は正方形とは異なる、
例えば円形の断面を有する。
を排除するための、つまりかかる遮断用の電気経路に開
路を有する。さらにインダクタ28は正方形とは異なる、
例えば円形の断面を有する。
上記第一の及び第二の変形例におけるコア冷却システ
ムは、コア26及びインダクタ巻線28の上部表面（つまり
単磁極面26aの反対面）と熱的に接触して配置された冷
却板92から成る。冷却板92は、図１で説明したような冷
却システムに接続した導管から成る。
ムは、コア26及びインダクタ巻線28の上部表面（つまり
単磁極面26aの反対面）と熱的に接触して配置された冷
却板92から成る。冷却板92は、図１で説明したような冷
却システムに接続した導管から成る。
冷却板はあるいは、若しくはさらに熱を放射させるよ
うに改造された熱吸収構造から成る。この場合、熱吸収
構造は強制空気フローと関連している。
うに改造された熱吸収構造から成る。この場合、熱吸収
構造は強制空気フローと関連している。
第一の実施例及びその変形例において、プラズマ処理
チャンバー10及びよって磁気コアの形態は円筒である。
しかしながら、同じコンセプトは、簡単な改造により他
の形態（正方形、長方形、楕円形若しくは多角形）に容
易に置き換えられる。
チャンバー10及びよって磁気コアの形態は円筒である。
しかしながら、同じコンセプトは、簡単な改造により他
の形態（正方形、長方形、楕円形若しくは多角形）に容
易に置き換えられる。
図５を参照して、本発明によるプラズマ処理装置の第
二の実施例を説明する。
二の実施例を説明する。
第二の実施例は、本発明の第二の態様に従い、処理チ
ャンバーがフィールドエネルギーを導くための二つ以上
の窓から成るという事実により、第一の実施とは本質的
に異なる。被加工物のさまざまな部分が発生する若しく
はエネルギーフィールドの効果を向上させるプラズマに
晒すことを可能にするように、各窓は配置される。
ャンバーがフィールドエネルギーを導くための二つ以上
の窓から成るという事実により、第一の実施とは本質的
に異なる。被加工物のさまざまな部分が発生する若しく
はエネルギーフィールドの効果を向上させるプラズマに
晒すことを可能にするように、各窓は配置される。
図５の例において、プラズマ処理チャンバー10は図１
に示す基本的配置を有する。しかしながら、この場合に
は、二つの窓22a及び22bがチャンバー10の各末端面に一
つずつ設けられる。
に示す基本的配置を有する。しかしながら、この場合に
は、二つの窓22a及び22bがチャンバー10の各末端面に一
つずつ設けられる。
各窓22a及び22bはチャンバー内部でのプラズマ状態を
発生させるように、誘導エネルギー源と関連している。
本例において、誘導エネルギー源は前述の実施例同様
に、時間変化磁界発生器12である。しかしながら、チャ
ンバー内部でのプラズマ状態を誘導し若しくは持続させ
ることが可能な他の源も考えられる。
発生させるように、誘導エネルギー源と関連している。
本例において、誘導エネルギー源は前述の実施例同様
に、時間変化磁界発生器12である。しかしながら、チャ
ンバー内部でのプラズマ状態を誘導し若しくは持続させ
ることが可能な他の源も考えられる。
窓22a、22b、時間変化磁界発生器12並びに窓と発生器
の間の相互配置、コアバイアス及びコア冷却手段は、い
ずれの点でも第一の実施例及びその変形例で説明したも
のと同じであり、したがって簡潔にするために、説明の
繰り返しは省く。説明した例では、各時間変化磁界発生
器12に対する個別のコアバイアス手段74a、74bと、時間
変化磁界発生器用の共通冷却システム82,84があり、他
の配置も考えられることを指摘しておく。
の間の相互配置、コアバイアス及びコア冷却手段は、い
ずれの点でも第一の実施例及びその変形例で説明したも
のと同じであり、したがって簡潔にするために、説明の
繰り返しは省く。説明した例では、各時間変化磁界発生
器12に対する個別のコアバイアス手段74a、74bと、時間
変化磁界発生器用の共通冷却システム82,84があり、他
の配置も考えられることを指摘しておく。
さらに、磁気コア26の構造の第一の及び第二の変形例
は第二の実施例にも応用可能である。
は第二の実施例にも応用可能である。
被加工物16は各窓22a、22bの全投射面積を事実上占め
る上部及び下部面を有する。夫々の上部及び下部表面が
各窓に直接晒されるように、支持構造38により二つの窓
の中間に吊るされる。このようにして、窓から誘導され
たフィールドを発生させるプラズマエネルギーに関し
て、最適条件下で被加工物16の両面を同時に処理するこ
とが可能である。背中合わせに配置された二つの被加工
物の一面を処理することも可能である。
る上部及び下部面を有する。夫々の上部及び下部表面が
各窓に直接晒されるように、支持構造38により二つの窓
の中間に吊るされる。このようにして、窓から誘導され
たフィールドを発生させるプラズマエネルギーに関し
て、最適条件下で被加工物16の両面を同時に処理するこ
とが可能である。背中合わせに配置された二つの被加工
物の一面を処理することも可能である。
支持構造38は二つの窓22のいずれからもフィールドエ
ネルギーをさえぎることがないように設計される。本例
において、支持構造38はチャンバー10の内部壁部分に依
存し、二つの末端面の中間にある。支持構造38の最も内
側部分は、被加工物16用の端グリップ若しくは端レスト
が装備されている。
ネルギーをさえぎることがないように設計される。本例
において、支持構造38はチャンバー10の内部壁部分に依
存し、二つの末端面の中間にある。支持構造38の最も内
側部分は、被加工物16用の端グリップ若しくは端レスト
が装備されている。
被加工物の各晒される面における均一なガスフロー条
件を確実にするために、個別のガス入口18a、18b及び出
口20a、20bが、処理チャンバー10の上部及び下部部分に
夫々取付けられる。上部及び下部部分は開放され相互に
通じて、ガスの均一混合を可能にする。
件を確実にするために、個別のガス入口18a、18b及び出
口20a、20bが、処理チャンバー10の上部及び下部部分に
夫々取付けられる。上部及び下部部分は開放され相互に
通じて、ガスの均一混合を可能にする。
あるいは、上部及び下部部分は、個別のガス条件が被
加工物16の各面で確立されるように、耐ガス方法で被加
工物16の周りを囲むように改造された密閉隔壁により、
分離されることも可能である。この目的のためには、被
加工物支持構造38は被加工物16と共に隔壁の一部を形成
する。この場合、端グリップ若しくは端レスト40は、被
加工物16の全周辺を囲むように作られ、被加工物の端の
界面で耐ガス密閉を形成する。同様に、支持構造38はチ
ャンバー10の内部壁の全周辺の周りで密閉される。
加工物16の各面で確立されるように、耐ガス方法で被加
工物16の周りを囲むように改造された密閉隔壁により、
分離されることも可能である。この目的のためには、被
加工物支持構造38は被加工物16と共に隔壁の一部を形成
する。この場合、端グリップ若しくは端レスト40は、被
加工物16の全周辺を囲むように作られ、被加工物の端の
界面で耐ガス密閉を形成する。同様に、支持構造38はチ
ャンバー10の内部壁の全周辺の周りで密閉される。
第一の実施例のように、支持構造38のレベルで被加工
物を加熱する及びバイアスをかける手段が設けられる。
しかしながら、この場合、窓22a、22bからフィールドの
検査を邪魔することがないように、若しくは別の方法で
エネルギーフィールドのさえぎりを引き起こさないよう
に、被加工物16の加熱はチャンバー10のコーナーに配置
された加熱ランプ71により行われる。ランプ71は、被加
工物16上に均一な熱分布が生じるように伝送光学70a若
しくは反射板を有する。被加工物16の両面は同時に加熱
される。ランプへの電気的接続は図には示していない。
物を加熱する及びバイアスをかける手段が設けられる。
しかしながら、この場合、窓22a、22bからフィールドの
検査を邪魔することがないように、若しくは別の方法で
エネルギーフィールドのさえぎりを引き起こさないよう
に、被加工物16の加熱はチャンバー10のコーナーに配置
された加熱ランプ71により行われる。ランプ71は、被加
工物16上に均一な熱分布が生じるように伝送光学70a若
しくは反射板を有する。被加工物16の両面は同時に加熱
される。ランプへの電気的接続は図には示していない。
被加工物バイアス手段は、例えば端グリップ40のレベ
ルで被加工物と連動するように支持構造38に設けられた
一つ又は１組の電気的接点から成る。接点は交流バイア
ス（無線周波数を含む）、直流バイアス若しくは接地バ
イアスのいずれかを生じさせるバイアス源72に接続され
ている。
ルで被加工物と連動するように支持構造38に設けられた
一つ又は１組の電気的接点から成る。接点は交流バイア
ス（無線周波数を含む）、直流バイアス若しくは接地バ
イアスのいずれかを生じさせるバイアス源72に接続され
ている。
被加工物加熱及びバイアス手段の上述の配置は、各対
向窓22a、22bから被加工物の面へのエネルギーフィール
ドの通行を邪魔しない。
向窓22a、22bから被加工物の面へのエネルギーフィール
ドの通行を邪魔しない。
時間変化磁界発生器26の各インダクタは、インピーダ
ンスと必要に応じて改造された位相要因整合回路で、共
通電源30に直列に（図に示したように）若しくは並列に
接続されている。あるいは、インダクタは個別の電源に
夫々接続されている。
ンスと必要に応じて改造された位相要因整合回路で、共
通電源30に直列に（図に示したように）若しくは並列に
接続されている。あるいは、インダクタは個別の電源に
夫々接続されている。
図６は、フィールドエネルギーがチャンバーの側壁10
aを通して送られる円筒形を有するプラズマ処理チャン
バー10に改造された本発明の第三の実施例を示す。本例
において、二つのフィールドアドミッション窓22a、22b
が、全く正反対の位置の対応する側壁10aの開口部に形
成される。窓22a、22bは石英のような絶縁材料から作ら
れ、開口部に耐圧密閉を形成する。各窓は、本例のよう
に夫々二つの窓からのフィールドエネルギー用のさえぎ
る効果が全く生じないように配置されたステージ42によ
り、チャンバー内部に保持された被加工物の異なる表面
部分に直接アクセスできる。
aを通して送られる円筒形を有するプラズマ処理チャン
バー10に改造された本発明の第三の実施例を示す。本例
において、二つのフィールドアドミッション窓22a、22b
が、全く正反対の位置の対応する側壁10aの開口部に形
成される。窓22a、22bは石英のような絶縁材料から作ら
れ、開口部に耐圧密閉を形成する。各窓は、本例のよう
に夫々二つの窓からのフィールドエネルギー用のさえぎ
る効果が全く生じないように配置されたステージ42によ
り、チャンバー内部に保持された被加工物の異なる表面
部分に直接アクセスできる。
図５の実施例のように、フィールドエネルギーは、第
一の実施例若しくはその第一の又は第二の変形例による
時間変化磁界発生装置12a、12bにより生じ、各装置は対
応する窓22a、22bに関連する。しかしながら、この場
合、磁極片はプラズマチャンバー（図７）の円筒壁の主
軸と同心的に曲がっている窓に対面する単磁極面26aの
ある矩形円筒セグメントである。磁極片は夫々の窓に対
して若しくは窓から少し距離のある所で（図９）埋め込
まれている。磁極片26の重量は、プラズマ処理チャンバ
ー10から分離している取付構造44により支えられる。
一の実施例若しくはその第一の又は第二の変形例による
時間変化磁界発生装置12a、12bにより生じ、各装置は対
応する窓22a、22bに関連する。しかしながら、この場
合、磁極片はプラズマチャンバー（図７）の円筒壁の主
軸と同心的に曲がっている窓に対面する単磁極面26aの
ある矩形円筒セグメントである。磁極片は夫々の窓に対
して若しくは窓から少し距離のある所で（図９）埋め込
まれている。磁極片26の重量は、プラズマ処理チャンバ
ー10から分離している取付構造44により支えられる。
図６に示すように、各コア26は図１の実施例に基づい
て、独立した冷却手段82,84により冷却される。同様
に、各コア26は独立にバイアスがかけられる。
て、独立した冷却手段82,84により冷却される。同様
に、各コア26は独立にバイアスがかけられる。
被加工物16は、上述した実施例と同じ機能を与える被
加工物バイアス源72に接続されたステージ42上の一つ又
は１組の接点（図示せず）によりバイアスがかけられ
る。
加工物バイアス源72に接続されたステージ42上の一つ又
は１組の接点（図示せず）によりバイアスがかけられ
る。
被加工物16の加熱は、ステージ上に取付けられ古典的
赤外線ヒータを形成するように加熱電源98に接続された
一列の赤外線ランプ71により行われる。追加的な赤外線
ランプは、ランプが異なる窓22、22bから被加工物16に
達するエネルギーフィールドに妨害しない位置に、チャ
ンバー10内部に設けられる。
赤外線ヒータを形成するように加熱電源98に接続された
一列の赤外線ランプ71により行われる。追加的な赤外線
ランプは、ランプが異なる窓22、22bから被加工物16に
達するエネルギーフィールドに妨害しない位置に、チャ
ンバー10内部に設けられる。
図はチャンバーが二つのエネルギーフィールドアドミ
ッション窓22a、22bを有するように示しているが、必要
ならば本発明の第二の態様に一致して、多くの窓が同じ
方法で設置されることも明らかである。例えば、チャン
バー10は、例えば被加工物の直角な四つの面若しくは四
つの被加工物の一面の処理用に、四つの等間隔に配置さ
れた窓を有する。
ッション窓22a、22bを有するように示しているが、必要
ならば本発明の第二の態様に一致して、多くの窓が同じ
方法で設置されることも明らかである。例えば、チャン
バー10は、例えば被加工物の直角な四つの面若しくは四
つの被加工物の一面の処理用に、四つの等間隔に配置さ
れた窓を有する。
図８は本発明の第三の態様に相当する第四の実施例を
示し、誘導フィールドエネルギー260源は、処理チャン
バー100のフィールドアドミッション開口部を孤立させ
密閉させるために利用される。例において、誘導フィー
ルドエネルギー260源は処理チャンバーの一般構造から
電気的に分離されている。
示し、誘導フィールドエネルギー260源は、処理チャン
バー100のフィールドアドミッション開口部を孤立させ
密閉させるために利用される。例において、誘導フィー
ルドエネルギー260源は処理チャンバーの一般構造から
電気的に分離されている。
プラズマ処理チャンバー100は相対的大きさ、及びガ
ス入口18及び出口20並びにコアバイアス手段に関して、
図１に示すチャンバーと同様である。被加工物16は図５
を参照して説明された方法で、バイアスがかけられる。
したがって、上記態様は簡潔にするために、再度の説明
は省略する。
ス入口18及び出口20並びにコアバイアス手段に関して、
図１に示すチャンバーと同様である。被加工物16は図５
を参照して説明された方法で、バイアスがかけられる。
したがって、上記態様は簡潔にするために、再度の説明
は省略する。
本例において、被加工物16は被加工物の下にあり、赤
外線加熱電源78に接続された赤外線加熱装置76により加
熱される。あるいは、被加工物16はステージ上に置か
れ、その場合には、図１の実施例のようにステージとの
熱接触により加熱される。
外線加熱電源78に接続された赤外線加熱装置76により加
熱される。あるいは、被加工物16はステージ上に置か
れ、その場合には、図１の実施例のようにステージとの
熱接触により加熱される。
図において、誘導フィールドエネルギー源260は時間
変化磁界発生器である。発生器のコア260は磁極面260a
と第一の実施例の第二の変形例に相当するインダクタ巻
線を有する。磁気コア260の周辺は、密閉ガスケット54
を経由して、加工チャンバーの開口部の周りの対応する
リム部分52上にある肩部分50を画成する。夫々のフラン
ジ56a、56bは、ガスケット54により適切な密閉を確実に
するために、ナットボルト締結装置58により処理チャン
バー100に対して磁気コア260を保持し固定させるよう
に、肩50及びリム部分52から外側に突き出ている。磁気
コア260がチャンバーのバイアス源74により独立にバイ
アスされるように、磁気コア260はチャンバー10を形成
する機械的構造から電気的に分離されている。本例で
は、電気的分離は密閉ガスケット54により行われる。
変化磁界発生器である。発生器のコア260は磁極面260a
と第一の実施例の第二の変形例に相当するインダクタ巻
線を有する。磁気コア260の周辺は、密閉ガスケット54
を経由して、加工チャンバーの開口部の周りの対応する
リム部分52上にある肩部分50を画成する。夫々のフラン
ジ56a、56bは、ガスケット54により適切な密閉を確実に
するために、ナットボルト締結装置58により処理チャン
バー100に対して磁気コア260を保持し固定させるよう
に、肩50及びリム部分52から外側に突き出ている。磁気
コア260がチャンバーのバイアス源74により独立にバイ
アスされるように、磁気コア260はチャンバー10を形成
する機械的構造から電気的に分離されている。本例で
は、電気的分離は密閉ガスケット54により行われる。
絶縁材料シート、例えば石英、パイレックス（RTM）
のようなガラス、セラミック若しくはポリマーは、磁極
面260aとチャンバー100内部の空間の間に設けられ、磁
極面材料によるプラズマガスの可能な汚染を防止する。
本例において、シート60は磁極面160aに対して貼られ、
磁極面、例えば改造された取付ブラケットにより保持さ
れる。あるいは、絶縁材料60のシートは磁極面160aに接
することなしに、例えば図９に示すように、磁気コア26
0の肩部分50に形成された周辺取付凹部62により、維持
される。
のようなガラス、セラミック若しくはポリマーは、磁極
面260aとチャンバー100内部の空間の間に設けられ、磁
極面材料によるプラズマガスの可能な汚染を防止する。
本例において、シート60は磁極面160aに対して貼られ、
磁極面、例えば改造された取付ブラケットにより保持さ
れる。あるいは、絶縁材料60のシートは磁極面160aに接
することなしに、例えば図９に示すように、磁気コア26
0の肩部分50に形成された周辺取付凹部62により、維持
される。
この場合、手段は、シート60の外面と磁極面260aとの
間の空間、及びシートの内部表面とチャンバー10の内壁
の間の空間における圧を夫々均等にするために設けられ
る。かかる手段は単一の開口部若しくは開口部の群、又
は例えばシートの端でのバルブ配置の形である。
間の空間、及びシートの内部表面とチャンバー10の内壁
の間の空間における圧を夫々均等にするために設けられ
る。かかる手段は単一の開口部若しくは開口部の群、又
は例えばシートの端でのバルブ配置の形である。
バルブが利用されると、手段は後者を利用するために
設けられ、チャンバーが調製されている間、例えばガス
が排出され処理ガス条件を確立している間は圧を均等に
し、プラズマ処理が行われている際は開口部が閉鎖さ
れ、処理ガスに達するエネルギーフィールド源からの汚
染を防止する。
設けられ、チャンバーが調製されている間、例えばガス
が排出され処理ガス条件を確立している間は圧を均等に
し、プラズマ処理が行われている際は開口部が閉鎖さ
れ、処理ガスに達するエネルギーフィールド源からの汚
染を防止する。
絶縁シート60は両サイドに同じ圧を受け、したがって
大気圧に耐えなければならない窓に必要とされる程度
に、強固である必要はない。この場合、大気圧の力は磁
気コア260により支えられ、通常には、その目的のため
に十分強固である。必要ならば、コアは１気圧の圧力差
をうける時に、著しく変形しないことを保証するように
強化される。
大気圧に耐えなければならない窓に必要とされる程度
に、強固である必要はない。この場合、大気圧の力は磁
気コア260により支えられ、通常には、その目的のため
に十分強固である。必要ならば、コアは１気圧の圧力差
をうける時に、著しく変形しないことを保証するように
強化される。
操作条件に依存して、絶縁シート60と磁極面260aとの
間の空間に形成されるプラズマを避けるために、適切な
対策をとる必要がある。一つの解決策は、絶縁シートと
磁極面の間のギャップをできるだけ小さく、例えば1mm
以下、可能ならば0.5mm以下に保つことを確実にするこ
とである。
間の空間に形成されるプラズマを避けるために、適切な
対策をとる必要がある。一つの解決策は、絶縁シートと
磁極面の間のギャップをできるだけ小さく、例えば1mm
以下、可能ならば0.5mm以下に保つことを確実にするこ
とである。
図10は、第四実施例に類似しているが、図６の場合の
ように、処理チャンバーが二つのフィールドアドミッシ
ョン開口部を有する場合に適用される第五の実施例の部
分平面図である。
ように、処理チャンバーが二つのフィールドアドミッシ
ョン開口部を有する場合に適用される第五の実施例の部
分平面図である。
本例において、被加工物16は、図５を参照して説明さ
れた類似の形及び配置の赤外線ランプ71により加熱され
る。
れた類似の形及び配置の赤外線ランプ71により加熱され
る。
図11は図６のプラズマ処理装置が、第四及び第五の実
施例にように、フィールドエネルギー源により開口部が
孤立され密閉されることにより変形された第六の実施例
の部分平面図である。
施例にように、フィールドエネルギー源により開口部が
孤立され密閉されることにより変形された第六の実施例
の部分平面図である。
本図において、磁気コア260は、耐圧密閉を与えるガ
スケット54を経由して開口部の周りのチャンバー壁10a
の部分に対して、適合するように改造された接触面のあ
る周辺肩部分50を有する。磁気コア260及びガスケット5
4は、周辺マウント64によりチャンバー壁上に固定され
る。磁気コア260の重量は、図６に示す独立した支持構
造44により更に支えられる。
スケット54を経由して開口部の周りのチャンバー壁10a
の部分に対して、適合するように改造された接触面のあ
る周辺肩部分50を有する。磁気コア260及びガスケット5
4は、周辺マウント64によりチャンバー壁上に固定され
る。磁気コア260の重量は、図６に示す独立した支持構
造44により更に支えられる。
本例において、絶縁材料シート60は磁極面260の曲率
に合致し、磁極面により支えられる。あるいは、絶縁シ
ートは磁極面から離れて、例えば図９に示す同様な周辺
凹部により維持される。
に合致し、磁極面により支えられる。あるいは、絶縁シ
ートは磁極面から離れて、例えば図９に示す同様な周辺
凹部により維持される。
もちろん、本実施例は他の形態及びちょうど一つ、二
つ、又はそれ以上のフィールドエネルギーアドミッショ
ン開口部を有するチャンバーに応用できる。
つ、又はそれ以上のフィールドエネルギーアドミッショ
ン開口部を有するチャンバーに応用できる。
図11は、第四若しくは第五の実施例に関連して説明さ
れた変形例の詳細図であり、同等に第六の実施例に応用
可能である。本願では、絶縁フィルム66は絶縁シートに
置き換える。本例において、インダクタは磁気コア260
における溝構造内の引っ込んでおり、よって磁極面260a
は連続表面を有する。フィルム66は上述した絶縁シート
と同じ材料で、磁極面260a上に、必要ならば肩部分50上
にも従来の技法により堆積された材料から作られる。さ
らに上記変形例は、図４に示す若しくは他の不連続のよ
うな溝パターンを有する磁極面260aの場合にも行われ
る。この場合、溝若しくは不連続における特徴がチャン
バー内部の環境に、晒されないことが好ましいのなら、
晒されないことを保証するために適当な対策が取れら
る。例えば、フィルム66は、上記特徴の表面に合致する
ように作られる。
れた変形例の詳細図であり、同等に第六の実施例に応用
可能である。本願では、絶縁フィルム66は絶縁シートに
置き換える。本例において、インダクタは磁気コア260
における溝構造内の引っ込んでおり、よって磁極面260a
は連続表面を有する。フィルム66は上述した絶縁シート
と同じ材料で、磁極面260a上に、必要ならば肩部分50上
にも従来の技法により堆積された材料から作られる。さ
らに上記変形例は、図４に示す若しくは他の不連続のよ
うな溝パターンを有する磁極面260aの場合にも行われ
る。この場合、溝若しくは不連続における特徴がチャン
バー内部の環境に、晒されないことが好ましいのなら、
晒されないことを保証するために適当な対策が取れら
る。例えば、フィルム66は、上記特徴の表面に合致する
ように作られる。
さまざまな実施例及びその変形例の特徴は、請求の範
囲を超えないところで交換され組合されことが可能であ
ることは、当業者には明らかである。
囲を超えないところで交換され組合されことが可能であ
ることは、当業者には明らかである。
処理チャンバーにおける複数の開口部の提供に基づく
本発明の夫々の第二の及び第三の態様と、フィールドア
ドミッション開口部を孤立させ密閉させるためのエネル
ギー源の使用は、圧力差を支えるのに十分な構造強度を
有する全ての適当な周知フィールドエネルギー源で実行
可能である。上記のことは、とりわけ、磁気コア構造の
ないチャンバー内におけるRFフィールドを発生させる剛
体巻付け導線に基づく発生器を含む。この場合、密閉表
面及び絶縁窓マウントは導線と一体に形成される。
本発明の夫々の第二の及び第三の態様と、フィールドア
ドミッション開口部を孤立させ密閉させるためのエネル
ギー源の使用は、圧力差を支えるのに十分な構造強度を
有する全ての適当な周知フィールドエネルギー源で実行
可能である。上記のことは、とりわけ、磁気コア構造の
ないチャンバー内におけるRFフィールドを発生させる剛
体巻付け導線に基づく発生器を含む。この場合、密閉表
面及び絶縁窓マウントは導線と一体に形成される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ９８４０１１９９．９ (32)優先日 平成10年５月19日(1998．5．19) (33)優先権主張国 ヨーロッパ特許庁（ＥＰ） (72)発明者 エルンスト，ローラン フランス国，38610 ジェレ，リュ・パ ステュール ８ (56)参考文献 特開 昭63−244619（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−362091（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−306500（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−195296（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−180897（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−211699（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−69399（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−139298（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−246240（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−326494（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−125496（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 1/46 H01L 21/3065 C23C 16/50 C23F 4/00
Claims (48)
- 【請求項１】誘導結合によりチャンバー内でプラズマを
発生させ若しくは持続させるプラズマ処理チャンバー
（10）のフィールドアドミッション窓（22）を通して時
間変化磁界を発生させる装置（12）であって、 窓に対して若しくは窓に近接して適用されるようにされ
た磁極面構造（26a;260a）を有し、大きさ及び形が実質
的にフィールドアドミッション窓に適合する活性フィー
ルド放出領域を有する磁気コア（26;260）と、 全磁極面構造にわたって実質的に均一に分布した時間変
化磁界を発生される磁気コアと関連するインダクタ手段
（28）と、 から成ることを特徴とする装置。 - 【請求項２】磁極面構造（26;260）は一体構造の単一の
磁極面（26a;260a）により構成されることを特徴とする
請求項１記載の装置。 - 【請求項３】磁極面構造（26;260）はプラズマ処理チャ
ンバーのフィールドアドミッション窓の各部分に対面す
る二つ又はそれ以上の磁極面に分割されることを特徴と
する請求項１記載の装置。 - 【請求項４】分割された磁極面は、全ての磁極面がいつ
も同じ極性を有することを保証するように同相のままで
ある間、夫々のインダクタ及び電源に関連していること
を特徴とする請求項３記載の装置。 - 【請求項５】分割された磁極面は共通の磁気コア及びイ
ンダクタに物理的に依存することを特徴とする請求項３
記載の装置。 - 【請求項６】磁極面構造（26a;260a）は磁気コア（26;2
60）の端面を構成することを特徴とする請求項１乃至５
のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項７】磁気コア（26;260）はコアの周りの渦電流
の循環を防止するように磁極面（26a;260a）に平行な平
面に沿った経路において少なくとも一つの不連続（34）
から成ることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれ
か１項記載の装置。 - 【請求項８】不連続は一つ又はそれ以上のラミネーショ
ン（34）の形であることを特徴とする請求項７記載の装
置。 - 【請求項９】ラミネーション（34）はコア中心への近接
点若しくはコア中心点からコア周辺へ放射状に延在する
ことを特徴とする請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】前記コア（26;260）は一体構造であるこ
とを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項記載
の装置。 - 【請求項１１】インダクタ手段（28）は磁気コア（26;2
60）の少なくとも一部分の周りに一回又はそれ以上の巻
きを形成するように配置された導線から成ることを特徴
とする請求項１乃至10のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１２】インダクタ手段（28）は磁気コア（26;2
60）の周辺の周りに巻回されることを特徴とする請求項
１乃至11のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１３】インダクタ手段（28）は溝（29）若しく
は、磁極面表面（26a;260a）上の磁気コアに形成された
溝パターン（36）内に引っ込んだプレーナ巻線から成る
ことを特徴とする請求項１乃至11のうちいずれか１項記
載の装置。 - 【請求項１４】磁極面構造（26a;260a）は、関連してい
るフィールドアドミッション窓の曲率に合うように、非
平面であることを特徴とする請求項１乃至13のうちいず
れか１項記載の装置。 - 【請求項１５】インダクタ手段（28）は約10kHzから100
MHzの周波数で、好ましくは13.56MHzの周波数で電力を
送る電源（30）により駆動されることを特徴とする請求
項１乃至14のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１６】無線周波数を含む交流バイアス、直流バ
イアス、及び接地バイアスのうち少なくとも一つのバイ
アスでコアにバイアスをかけるための手段（74）を更に
有することを特徴とする請求項１乃至15のうちいずれか
１項記載の装置。 - 【請求項１７】コア（26）を冷却する手段（80−84;9
2）を更に有することを特徴とする請求項１乃至16のう
ちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１８】装置内で処理される被加工物（16）を加
熱する手段（70;71;76;78）を更に有することを特徴と
する請求項１乃至17のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１９】少なくとも一つのフィールドアドミッシ
ョン窓（22）を有するプラズマ処理チャンバー（10）
と、 対応するフィールドアドミッション窓（22）を通して誘
導結合によりチャンバー中に時間変化磁界を発生させる
ように配置された、請求項１乃至18のうちいずれか１項
による少なくとも一つの磁界発生装置（12）と、 磁界発生装置を駆動する電源手段（30）と、 から成ることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２０】無線周波数を含む交流バイアス、直流バ
イアス及び接地バイアスのうち少なくとも一つのバイア
スでチャンバー（10）内で処理される被加工物（16）に
バイアスをかけるための手段（72）を更に有することを
特徴とする請求項19記載のプラズマ加工装置。 - 【請求項２１】チャンバー（10）中で処理される被加工
物（16）を加熱する手段（70;71;76;78）を更に有する
ことを特徴とする請求項19若しくは20記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項２２】被加工物（16）を処理するための請求項
19乃至21のうちいずれか１項記載のプラズマ処理装置の
使用。 - 【請求項２３】誘導フィールドエネルギーを受ける二つ
又はそれ以上の窓（22a、22b）を有し、各窓は誘導フィ
ールドエネルギーが夫々の方向からチャンバーに入るこ
とを可能にする誘導型プラズマ処理チャンバー（10）で
あって、一つの窓若しくは窓群（22a、22b）に関連した
空間を分離するための一つ又はそれ以上の隔壁を更に有
することを特徴とする誘導型プラズマ処理チャンバー。 - 【請求項２４】少なくとも１組の対面する窓（22a、22
b）を設けたことを特徴とする請求項23記載のプラズマ
処理チャンバー。 - 【請求項２５】二つ又はそれ以上のフィールドアドミッ
ション窓（22a、22b）からエネルギーフィールドに晒さ
れる被加工物の外表面部で少なくとも一つの被加工物
（16）を保持するように適合された被加工物支持手段
（38、40;42）を更に有することを特徴とする請求項23
若しくは24記載のプラズマ処理チャンバー。 - 【請求項２６】被加工物支持手段（38、40;42）は端部
で少なくとも一つの被加工物（16）を保持するように適
合されたことを特徴とする請求項25記載のプラズマ処理
チャンバー。 - 【請求項２７】支持手段と被加工物の間の接触点での耐
ガス密閉の提供により被加工物（16）とともに仕切るこ
とを確実にするように適合された被加工物支持手段（3
8,40）を更に有することを特徴とする請求項23記載のプ
ラズマ処理チャンバー。 - 【請求項２８】窓（22a、22b）は関係する壁部分の輪郭
に合わせた非平面であることを特徴とする請求項23乃至
27のうちいずれか１項記載のプラズマ処理チャンバー。 - 【請求項２９】チャンバー内に含まれる被加工物（16）
に、無線周波数を含む交流バイアス、直流バイアス及び
接地バイアスのうち少なくとも一つのバイアスでバイア
スをかけるための手段（72）を更に有することを特徴と
する請求項23乃至28のうちいずれか１項記載のプラズマ
処理チャンバー。 - 【請求項３０】チャンバー内に含まれる被加工物（16）
を加熱する手段（70;71;76;78）を更に有することを特
徴とする請求項23乃至29のうちいずれか１項記載のプラ
ズマ処理チャンバー。 - 【請求項３１】被加工物（16）を処理するための請求項
23乃至30のうちいずれか１項記載のプラズマ処理チャン
バーの使用。 - 【請求項３２】チャンバー（10）内でプラズマを発生さ
せ若しくは持続させるように、チャンバーの開口部を介
して、誘導結合型プラズマ処理チャンバーへエネルギー
フィールドを誘導させる装置（260）であって、 前記開口部の閉塞及びガス密閉を構成する磁気コアと関
連するインダクタ手段を有することを特徴とする装置。 - 【請求項３３】フィールド放出表面がチャンバー（10）
を汚染することを防止するために、フィールド放出表面
（260a）とプラズマ環境の間に形成されたバリア（60;6
6）を更に有することを特徴とする請求項32記載の装
置。 - 【請求項３４】バリア（60）は石英、ガラス若しくはポ
リマーのような絶縁材料から作られた窓であることを特
徴とする請求項32記載の装置。 - 【請求項３５】バリア（60）はフィールド放出面により
少なくとも表面部分で支えられることを特徴とする請求
項33若しくは34記載の装置。 - 【請求項３６】バリアはフィールド放出面の表面上に堆
積されたフィルム（66）から成ることを特徴とする請求
項32乃至35のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項３７】バリア（60）はフィールド放出面に接触
することなく取付けられ、フィールド放出面の周辺で、
又は処理チャンバー（10）により保持されることを特徴
とする請求項32若しくは33記載の装置。 - 【請求項３８】圧調整手段はバリア（60）の内面と外面
の間の圧条件をつりあわせるために設けられることを特
徴とする請求項33乃至37のうちいずれか１項記載の装
置。 - 【請求項３９】圧調整手段は、処理チャンバーが、真空
ポンピング若しくはガスアドミッション、又は被加工物
の装填及び取出し用の大気圧への設定を含む圧条件の変
化を受けているときに、バリア（60）の外面での圧を処
理チャンバー（10）の圧に従うようにさせ、エネルギー
フィールド発生器からの汚染は処理チャンバーのプラズ
マ環境に全く達しないことを確実にするようにプラズマ
処理に対してチャンバーが作動するときに、バリア表面
の外表面上の空間をさえぎるように作動するバルブ配置
から成ることを特徴とする請求項38記載の装置。 - 【請求項４０】チャンバー（10）上に固定する開放可能
な締結手段、及びチャンバー（10）との界面に設けられ
る密閉手段を更に有することを特徴とする請求項32乃至
39のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項４１】フィールドアドミッション開口部（22）
を経由して処理チャンバー（10）へのアクセスを与える
開閉手段を更に有する請求項32乃至40のうちいずれか１
項記載の装置。 - 【請求項４２】処理チャンバーと一体構造を形成するこ
とを特徴とする請求項32乃至41のうちいずれか１項記載
の装置。 - 【請求項４３】チャンバー（10）内部の被加工物（16）
に、無線周波数を含む交流バイアス、直流バイアス及び
接地バイアスのうち少なくとも一つのバイアスでバイア
スをかける手段（72）を更に有することを特徴とする請
求項32乃至42のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項４４】チャンバー（10）内の被加工物（16）を
加熱させる手段（70;76,78）を更に有することを特徴と
する請求項32乃至43のうちいずれか１項記載の装置。 - 【請求項４５】冷却手段（80−84;92）を更に有するこ
とを特徴とする請求項32乃至４のうちいずれか１項記載
の装置。 - 【請求項４６】被加工物（16）を処理するための請求項
32乃至45のうちいずれか１項記載の装置の使用。 - 【請求項４７】誘導結合によりフィールドエネルギーを
受けるための少なくとも一つの開口部を有する処理チャ
ンバー（10）と、 対応する開口部を介してチャンバーへフィールドエネル
ギーを誘導するように配置された少なくとも一つのフィ
ールドエネルギー源（12）とから成るプラズマ処理装置
であって、 前記フィールドエネルギー源（12）は対応する開口部に
対して閉鎖及びガス密閉を構成する磁気コアと関連する
インダクタ手段を有することを特徴とする装置。 - 【請求項４８】被加工物を処理するための請求項47記載
のプラズマ処理装置の使用。
Applications Claiming Priority (7)
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|---|---|---|---|
| EP97402395A EP0908921A1 (en) | 1997-10-10 | 1997-10-10 | Process chamber for plasma enhanced chemical vapour deposition and apparatus employing said process chamber |
| EP98400888A EP0908922B1 (en) | 1997-10-10 | 1998-04-10 | Process chamber for plasma processing and apparatus employing said process chamber |
| EP98400888.8 | 1998-05-19 | ||
| EP98401199.9 | 1998-05-19 | ||
| EP98401199A EP0908923B1 (en) | 1997-10-10 | 1998-05-19 | Apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing |
| EP97402395.4 | 1998-05-19 | ||
| PCT/EP1998/006492 WO1999019898A2 (en) | 1997-10-10 | 1998-10-07 | Method and apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing |
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|---|---|
| JP2000510643A JP2000510643A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3190690B2 true JP3190690B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=51137922
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP52103299A Expired - Fee Related JP3190690B2 (ja) | 1997-10-10 | 1998-10-07 | プラズマ処理用の大規模な誘導プラズマを発生させる方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
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| US (1) | US6321681B1 (ja) |
| EP (2) | EP1209721B1 (ja) |
| JP (1) | JP3190690B2 (ja) |
| CA (2) | CA2376059A1 (ja) |
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