JP3184987B2 - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
- Publication number
- JP3184987B2 JP3184987B2 JP31119891A JP31119891A JP3184987B2 JP 3184987 B2 JP3184987 B2 JP 3184987B2 JP 31119891 A JP31119891 A JP 31119891A JP 31119891 A JP31119891 A JP 31119891A JP 3184987 B2 JP3184987 B2 JP 3184987B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency semiconductor
- semiconductor device
- pkg
- substrate
- twill
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波半導体装置に関
し、特に高周波半導体素子裏面の接地を改良した高周波
半導体装置に関する。
し、特に高周波半導体素子裏面の接地を改良した高周波
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高周波半導体素子（以下
ＰＫＧという）の基板実装には、図３（ａ）の平面図と
図３（ｂ）のＤ−Ｄ断面図に示すように、基板７上のＰ
ＫＧ裏面に接触する接地用金属４とストリップライン５
とを有しており、その接地用金属４は他の接触部に比べ
てまったく同じ高さか、多少もり上がってないと接触し
なかったり接触が弱かったりする。この接地用金属４の
上に図４（ａ），（ｂ）（図４（ｂ）は図４（ａ）のＥ
−Ｅ断面図）に示すように、ＰＫＧ２とリード６を取り
付けて接地用金属４とＰＫＧ２裏面との接触をはかって
いた。なお、接地自体はスルーホール３を通して基板７
の裏面の接地基板に接地される。
ＰＫＧという）の基板実装には、図３（ａ）の平面図と
図３（ｂ）のＤ−Ｄ断面図に示すように、基板７上のＰ
ＫＧ裏面に接触する接地用金属４とストリップライン５
とを有しており、その接地用金属４は他の接触部に比べ
てまったく同じ高さか、多少もり上がってないと接触し
なかったり接触が弱かったりする。この接地用金属４の
上に図４（ａ），（ｂ）（図４（ｂ）は図４（ａ）のＥ
−Ｅ断面図）に示すように、ＰＫＧ２とリード６を取り
付けて接地用金属４とＰＫＧ２裏面との接触をはかって
いた。なお、接地自体はスルーホール３を通して基板７
の裏面の接地基板に接地される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高周波
半導体装置は、基板実装におけるＰＫＧ裏面接地を接地
用金属にて取る場合に、ＰＫＧと金属の接触によるばら
つきが大きく、また、もり上がっているので、ＰＫＧに
クラックが起こるような欠点もある。したがって、高周
波特性に大きく影響して、不良品発生の原因となり歩留
りを下げる大きな欠点を有していた。
半導体装置は、基板実装におけるＰＫＧ裏面接地を接地
用金属にて取る場合に、ＰＫＧと金属の接触によるばら
つきが大きく、また、もり上がっているので、ＰＫＧに
クラックが起こるような欠点もある。したがって、高周
波特性に大きく影響して、不良品発生の原因となり歩留
りを下げる大きな欠点を有していた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】基板上に所定の厚みをも
ったストリップライン形成し、当該ストリップラインに
リード端子を取り付けることで高周波半導体素子を実装
した高周波半導体装置において、前記高周波半導体素子
の裏面である基盤面を接地するために金属を格子状に編
んだ綾織金属クッションを前記基板面に接着することを
特徴とする高周波半導体装置。
ったストリップライン形成し、当該ストリップラインに
リード端子を取り付けることで高周波半導体素子を実装
した高周波半導体装置において、前記高周波半導体素子
の裏面である基盤面を接地するために金属を格子状に編
んだ綾織金属クッションを前記基板面に接着することを
特徴とする高周波半導体装置。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），図２（ａ）はそれぞれ本発明の一実施
例の平面図、図１（ｂ），図２（ｂ）はそれぞれ図１
（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。また、図１（ａ），（ｂ）は接地用金属として綾織
クッション１を接着した状態を示し、図２（ａ），
（ｂ）はこの綾織クッション１上にＰＫＧ２を搭載した
状態を示している。すなわち、裏面接地用金属が綾織金
属クッションタイプとなっている。この様にすると、Ｐ
ＫＧの代りに使用される評価用治具などのようにＰＫＧ
評価用治具を何度も取りはずしする場合でも、綾織金属
クッション１が均一に格子状になり、常にＰＫＧの裏面
と接地部分の接触を密にすることが出来る。したがって
接地によるばらつきが少なくなり、再現性にも優れる。
さらにＰＫＧを実装して温度試験を行なう場合でも、綾
織金属クッションでは金属クッションの膨張による応力
を横方向に分けることが出来、接地用金属とＰＫＧ金属
の膨張係数のちがいによる不良品発生はなくなり高周波
特性を著しく改善することが出来る。
る。図１（ａ），図２（ａ）はそれぞれ本発明の一実施
例の平面図、図１（ｂ），図２（ｂ）はそれぞれ図１
（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図であ
る。また、図１（ａ），（ｂ）は接地用金属として綾織
クッション１を接着した状態を示し、図２（ａ），
（ｂ）はこの綾織クッション１上にＰＫＧ２を搭載した
状態を示している。すなわち、裏面接地用金属が綾織金
属クッションタイプとなっている。この様にすると、Ｐ
ＫＧの代りに使用される評価用治具などのようにＰＫＧ
評価用治具を何度も取りはずしする場合でも、綾織金属
クッション１が均一に格子状になり、常にＰＫＧの裏面
と接地部分の接触を密にすることが出来る。したがって
接地によるばらつきが少なくなり、再現性にも優れる。
さらにＰＫＧを実装して温度試験を行なう場合でも、綾
織金属クッションでは金属クッションの膨張による応力
を横方向に分けることが出来、接地用金属とＰＫＧ金属
の膨張係数のちがいによる不良品発生はなくなり高周波
特性を著しく改善することが出来る。
【０００６】次にこの綾織金属クッション１を基板７上
に周辺部を接着する方法としては、３種類の製造方法が
あり、第１の方法としては口一材で付ける方法、第２の
方法としては圧着して付ける方法、第３の方法としては
導電性の接着剤により接着する方法がある。
に周辺部を接着する方法としては、３種類の製造方法が
あり、第１の方法としては口一材で付ける方法、第２の
方法としては圧着して付ける方法、第３の方法としては
導電性の接着剤により接着する方法がある。
【０００７】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、ＰＫＧの基
板実装に綾織金属クッションを使用する事により、実装
時の中央の盛り上がりもなくＰＫＧクラックの発生等の
障害を低減出来る。またＰＫＧの試験用治具の数度のテ
スト後でも、ＰＫＧのぶれや接地によるバラツキを低減
し、再現性もよくＰＫＧ品の評価用治具には特に優れて
いる。また温度試験時、接地用金属とＰＫＧの膨張係数
のちがいによる不良を低減することも出来る。したがっ
て、高周波における周波数特性を著しく改善できるとい
う効果がある。
板実装に綾織金属クッションを使用する事により、実装
時の中央の盛り上がりもなくＰＫＧクラックの発生等の
障害を低減出来る。またＰＫＧの試験用治具の数度のテ
スト後でも、ＰＫＧのぶれや接地によるバラツキを低減
し、再現性もよくＰＫＧ品の評価用治具には特に優れて
いる。また温度試験時、接地用金属とＰＫＧの膨張係数
のちがいによる不良を低減することも出来る。したがっ
て、高周波における周波数特性を著しく改善できるとい
う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の平面図（ａ），図１（ａ）
のＡ−Ａ断面図（ｂ）である。
のＡ−Ａ断面図（ｂ）である。
【図２】本実施例のＰＫＧを取り付けた平面図（ａ），
図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】従来例の平面図（ａ），図３（ａ）のＤ−Ｄ断
面図（ｂ）である。
面図（ｂ）である。
【図４】従来例のＰＫＧを取り付けた平面図（ａ），図
４（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
４（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
１ 綾織金属クッション ２ 高周波半導体素子（ＰＫＧ） ３ スルーホール ４ 接地用金属 ５ ストリップライン ６ リード ７ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/08 H01L 23/12 H01L 23/12 301
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に所定の厚みをもったストリップラ
イン形成し、当該ストリップラインにリード端子を取り
付けることで高周波半導体素子を実装した高周波半導体
装置において、前記高周波半導体素子の裏面である基盤
面を接地するために金属を格子状に編んだ綾織金属クッ
ションを前記基板面に接着することを特徴とする高周波
半導体装置。 - 【請求項２】前記綾織金属クッションを基板上に固定す
る方法として口一材で接着する方法、前記綾織金属クッ
ションを導電性の接着剤で接着する方法のうちいずれか
一つの方法で固定する事を特徴とする請求項１記載の高
周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31119891A JP3184987B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31119891A JP3184987B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 高周波半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152808A JPH05152808A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3184987B2 true JP3184987B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=18014284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31119891A Expired - Fee Related JP3184987B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184987B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6343931A (ja) * | 1986-08-12 | 1988-02-25 | Diafoil Co Ltd | 磁気記録媒体用ポリエステルフイルム |
| WO2015073651A1 (en) | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Brooks Automation, Inc. | Method and apparatus for brushless electrical machine control |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP31119891A patent/JP3184987B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152808A (ja) | 1993-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4797726A (en) | Lead frame including deformable plates | |
| JP3184987B2 (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPS58172008A (ja) | 圧電振動子の構造及びその製造方法 | |
| US4362902A (en) | Ceramic chip carrier | |
| JPH03278554A (ja) | チップトレーの構造 | |
| JP2536431B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63308362A (ja) | 高密度オプテイカル・デイテクタ・モザイク・アレイ・アセンブリおよびその製造方法 | |
| JP2782870B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH04367111A (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
| JPS5954311A (ja) | 弾性表面波装置の保持方法 | |
| JPH0611620Y2 (ja) | 水晶発振器 | |
| JPH0213936B2 (ja) | ||
| JPH01253260A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0319261A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
| JPH03230556A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0411440Y2 (ja) | ||
| JP2568450Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPH05243469A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH1027810A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3259603B2 (ja) | 圧電共振部品 | |
| JPH05315404A (ja) | Ｔａｂ用半導体基板 | |
| JPH0878571A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05251675A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH04280439A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH04199801A (ja) | 正特性サーミスタ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010321 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080511 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090511 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |