JP3184359B2 - 半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置 - Google Patents
半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置Info
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Description
（目次） 産業上の利用分野 従来の技術（図２３〜図２８） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１〜図８） 作用（図１〜図８） ・第１実施例の説明（図９〜図１０） ・第２実施例の説明（図１０〜図１１） ・第４実施例の説明（図１２〜図１３） ・第５実施例の説明（図１４〜図１５） ・第６実施例の説明（図１６） ・第７実施例の説明（図１７） ・第８実施例の説明（図１９〜図２０）・その他（ 図２１〜図２２） 発明の効果
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、バーコード読
み取り装置等の読み取り制御方式に用いて好適な、半導
体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置に関す
る。近年、流通産業等のＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｓ
ａｌｅｓ）システムに代表されるように、バーコードの
利用が盛んになって来ている。これに伴い、より小型で
低価格・低消費電力のバーコード読み取り装置の要求が
高まって来ており、そのニーズに応えるため、ガスレー
ザーに代わり半導体レーザの採用が増して来ている。
み取り装置等の読み取り制御方式に用いて好適な、半導
体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置に関す
る。近年、流通産業等のＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｓ
ａｌｅｓ）システムに代表されるように、バーコードの
利用が盛んになって来ている。これに伴い、より小型で
低価格・低消費電力のバーコード読み取り装置の要求が
高まって来ており、そのニーズに応えるため、ガスレー
ザーに代わり半導体レーザの採用が増して来ている。
【０００２】
【従来の技術】図２３は光学系に従来の半導体レーザ制
御装置を用いた、一般的なバーコード読取装置（バーコ
ードリーダー）の構成を示すブロック図であり、この図
２３において、１は物品等の表面に印刷されたバーコー
ドで、このバーコード１は、通常、複数の黒色のバー
（以下、黒バーという）および白色のバー（以下、白バ
ーという）を交互に配置してなるもので、各黒バーおよ
び各白バーの幅に基づいて所定のデータを表すものであ
る。
御装置を用いた、一般的なバーコード読取装置（バーコ
ードリーダー）の構成を示すブロック図であり、この図
２３において、１は物品等の表面に印刷されたバーコー
ドで、このバーコード１は、通常、複数の黒色のバー
（以下、黒バーという）および白色のバー（以下、白バ
ーという）を交互に配置してなるもので、各黒バーおよ
び各白バーの幅に基づいて所定のデータを表すものであ
る。
【０００３】２はバーコード１に対してレーザビームＬ
２を照射するとともに、バーコード１から反射されてき
たレーザビームＬ２の反射光Ｒ１を受光する光学系であ
り、この光学系２は、半導体レーザ制御装置（レーザ発
光部）３，走査機構４および光電変換部５から構成され
ている。ここで、半導体レーザ制御装置３は、ＣＰＵの
制御によりオン状態となると、そのレーザー出力を所定
の時定数で増幅していき、所定値に達するとその光量を
自動的に保持するものである。
２を照射するとともに、バーコード１から反射されてき
たレーザビームＬ２の反射光Ｒ１を受光する光学系であ
り、この光学系２は、半導体レーザ制御装置（レーザ発
光部）３，走査機構４および光電変換部５から構成され
ている。ここで、半導体レーザ制御装置３は、ＣＰＵの
制御によりオン状態となると、そのレーザー出力を所定
の時定数で増幅していき、所定値に達するとその光量を
自動的に保持するものである。
【０００４】このため、図２４に示すように、半導体レ
ーザ制御装置３は、レーザダイオードチップ（ＬＤチッ
プ）３０内に並列して設置された、半導体レーザを構成
するレーザダイオード（ＬＤ）１１とフォトダイオード
１２の他、トランジスタ３１，アナログスイッチ（Ｓ
Ｗ）３４，オペアンプ（演算増幅器）３６，３８，基準
電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３
２，３３，４６をそなえて構成されている。
ーザ制御装置３は、レーザダイオードチップ（ＬＤチッ
プ）３０内に並列して設置された、半導体レーザを構成
するレーザダイオード（ＬＤ）１１とフォトダイオード
１２の他、トランジスタ３１，アナログスイッチ（Ｓ
Ｗ）３４，オペアンプ（演算増幅器）３６，３８，基準
電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３
２，３３，４６をそなえて構成されている。
【０００５】このような回路構成により、外部フォトダ
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉmが
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
mから得られた電圧ＶAと基準電圧Ｖrefとを、オペアン
プ３６によって等しくなるように、半導体レーザのＬＤ
駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が一定に
保たれる。
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉmが
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
mから得られた電圧ＶAと基準電圧Ｖrefとを、オペアン
プ３６によって等しくなるように、半導体レーザのＬＤ
駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が一定に
保たれる。
【０００６】上記の動作を詳述すると、即ち、図２５の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフ（時間ａを参照）になると、
検出されたレーザーの光量を示すモニタ電流Ｉmは、可
変抵抗３７によって所定光量に対応した電圧ＶAに分圧
される。そして、この電圧ＶA（正確には電圧ＶA1は、
オペアンプ３６で基準電圧Ｖrefと比較，積分されて、
その結果、オペアンプ３６の出力側の電圧ＶBは、図２
５に示すように、基準電圧Ｖrefから例えば時定数ＴCｍ
Ｖ／ｓｅｃで上昇していく。そののち、このオペアンプ
３６の出力電圧ＶBは、トランジスタ３１によってＬＤ
駆動電流ＩOPに変換される。
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフ（時間ａを参照）になると、
検出されたレーザーの光量を示すモニタ電流Ｉmは、可
変抵抗３７によって所定光量に対応した電圧ＶAに分圧
される。そして、この電圧ＶA（正確には電圧ＶA1は、
オペアンプ３６で基準電圧Ｖrefと比較，積分されて、
その結果、オペアンプ３６の出力側の電圧ＶBは、図２
５に示すように、基準電圧Ｖrefから例えば時定数ＴCｍ
Ｖ／ｓｅｃで上昇していく。そののち、このオペアンプ
３６の出力電圧ＶBは、トランジスタ３１によってＬＤ
駆動電流ＩOPに変換される。
【０００７】そして、時間ｂが経過して、電圧ＶBがし
きい値を越えると、即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPがレーザダ
イオード１１に対するしきい値電流を越えると、レーザ
ダイオード１１はレーザー発振を起こす。すると、外部
フォトダイオード１２からの電流Ｉmが光量に比例して
増加し、図２５の時間ｂ〜時間ｃの間に示すように、オ
ペアンプ３８の負の入力側へ掛かる電圧ＶAも、これに
応じて増加する。
きい値を越えると、即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPがレーザダ
イオード１１に対するしきい値電流を越えると、レーザ
ダイオード１１はレーザー発振を起こす。すると、外部
フォトダイオード１２からの電流Ｉmが光量に比例して
増加し、図２５の時間ｂ〜時間ｃの間に示すように、オ
ペアンプ３８の負の入力側へ掛かる電圧ＶAも、これに
応じて増加する。
【０００８】そして、電圧ＶAが、基準電圧Ｖrefと等し
くなるまで、オペアンプ３６の出力は増加していく。即
ち、オペアンプ３６は、電圧ＶBと基準電圧Ｖrefとが同
電位となるように動作し、そして、これらが同電位とな
ると、その時の出力電圧ＶBを一定の値に保持しようと
する。その結果、トランジスタ３１のベースへ送られる
信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流ＩOPが一
定に保たれて、レーザダイオード１１の所定のレーザー
出力が所定値に保持される。尚、電圧変化速度は、基準
電圧Ｖrefコンデンサ３５，抵抗４６等によって決ま
る。
くなるまで、オペアンプ３６の出力は増加していく。即
ち、オペアンプ３６は、電圧ＶBと基準電圧Ｖrefとが同
電位となるように動作し、そして、これらが同電位とな
ると、その時の出力電圧ＶBを一定の値に保持しようと
する。その結果、トランジスタ３１のベースへ送られる
信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流ＩOPが一
定に保たれて、レーザダイオード１１の所定のレーザー
出力が所定値に保持される。尚、電圧変化速度は、基準
電圧Ｖrefコンデンサ３５，抵抗４６等によって決ま
る。
【０００９】そして、所定値に達すると、オペアンプ３
６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対して、
この所定値を保持するように上記の時定数で補正を行な
う。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力は基準電
圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフになるためレ
ーザーは消灯する。
６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対して、
この所定値を保持するように上記の時定数で補正を行な
う。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力は基準電
圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフになるためレ
ーザーは消灯する。
【００１０】尚、上記のような時定数で、レーザダイオ
ード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが上昇していくように構成
されているのは、レーザダイオード１１は、所定光量
（図２５の時間ｃ以降）を発生させるようなＬＤ駆動電
流ＩOPを急激に受けると、破壊してしまうことがあるた
めである。以上が、半導体レーザ制御装置の説明であ
る。
ード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが上昇していくように構成
されているのは、レーザダイオード１１は、所定光量
（図２５の時間ｃ以降）を発生させるようなＬＤ駆動電
流ＩOPを急激に受けると、破壊してしまうことがあるた
めである。以上が、半導体レーザ制御装置の説明であ
る。
【００１１】又、上述の半導体レーザ制御装置の変形例
として、図２６に示すような半導体レーザ制御装置３Ａ
がある。この半導体レーザ制御装置３Ａは、先の説明の
半導体レーザ制御装置３におけるオペアンプ３８の負の
入力側に、抵抗６２，６３を加えるとともに、可変抵抗
３７の代わりに抵抗６１をそなえ、更に、抵抗４６とオ
ペアンプ３８との間に可変抵抗２５をそなえるように構
成したものである。
として、図２６に示すような半導体レーザ制御装置３Ａ
がある。この半導体レーザ制御装置３Ａは、先の説明の
半導体レーザ制御装置３におけるオペアンプ３８の負の
入力側に、抵抗６２，６３を加えるとともに、可変抵抗
３７の代わりに抵抗６１をそなえ、更に、抵抗４６とオ
ペアンプ３８との間に可変抵抗２５をそなえるように構
成したものである。
【００１２】このような位置に抵抗６１，６２，６３が
設置されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に
掛かる電流Ｉmが、所定の比率で電圧に変換されるよう
になっている。これにより、可変抵抗２５をオペアンプ
３８の出力側に設置することが可能となり、オペアンプ
３８の出力が、その出力先で分圧されるのである。その
他に関しては、先述の半導体レーザ制御装置３と同様で
ある。
設置されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に
掛かる電流Ｉmが、所定の比率で電圧に変換されるよう
になっている。これにより、可変抵抗２５をオペアンプ
３８の出力側に設置することが可能となり、オペアンプ
３８の出力が、その出力先で分圧されるのである。その
他に関しては、先述の半導体レーザ制御装置３と同様で
ある。
【００１３】尚、半導体レーザ制御装置３，３Ａにおい
て、オペアンプ３８の正の入力側および抵抗４６の入力
側に可変抵抗３７，２５がそなえられているのは、以下
のためである。即ち、図２７に示すように、ＬＤチップ
３０のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１
２とは、同一品種であっても、それらの取付け具合い等
により、同光量時でも、レーザダイオード１１のモニタ
電流Ｉmの値に数倍のばらつきが発生することがある。
このため、光量に対する適正なオペアンプ３６の負の入
力を得れなくなってしまうことがある。しかし、可変抵
抗を上述のように配置することにより電圧を分圧できる
ので、オペアンプ３６側へ送られる電圧を適正な値に調
整することが可能となるのである。
て、オペアンプ３８の正の入力側および抵抗４６の入力
側に可変抵抗３７，２５がそなえられているのは、以下
のためである。即ち、図２７に示すように、ＬＤチップ
３０のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１
２とは、同一品種であっても、それらの取付け具合い等
により、同光量時でも、レーザダイオード１１のモニタ
電流Ｉmの値に数倍のばらつきが発生することがある。
このため、光量に対する適正なオペアンプ３６の負の入
力を得れなくなってしまうことがある。しかし、可変抵
抗を上述のように配置することにより電圧を分圧できる
ので、オペアンプ３６側へ送られる電圧を適正な値に調
整することが可能となるのである。
【００１４】尚、図２７は、５ｍＷの光量Ｐ5における
分圧比Ｋと電流Ｉmとの関係を示したものであり、又、
分圧比Ｋの目盛りは、可変抵抗の抵抗変換用のつまみの
角度に比例している。そして、図２７の２ｍＷ〜４ｍＷ
の区間の光量に示すように、電流Ｉmが大きくなる程、
２ｍＷ〜４ｍＷの区間は小さくなっている。尚、電流Ｉ
m＝光量Ｐ0×光量Ｐ5÷５ｍＷ、電圧Ｖm＝電流Ｉm×抵
抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref÷電圧Ｖmの関係が
ある。ここで、光量Ｐ0は、特定の電流Ｉmの値に対し
て、分圧比Ｋで変更される光量の値を示したものであ
る。
分圧比Ｋと電流Ｉmとの関係を示したものであり、又、
分圧比Ｋの目盛りは、可変抵抗の抵抗変換用のつまみの
角度に比例している。そして、図２７の２ｍＷ〜４ｍＷ
の区間の光量に示すように、電流Ｉmが大きくなる程、
２ｍＷ〜４ｍＷの区間は小さくなっている。尚、電流Ｉ
m＝光量Ｐ0×光量Ｐ5÷５ｍＷ、電圧Ｖm＝電流Ｉm×抵
抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref÷電圧Ｖmの関係が
ある。ここで、光量Ｐ0は、特定の電流Ｉmの値に対し
て、分圧比Ｋで変更される光量の値を示したものであ
る。
【００１５】又、上記のＬＤチップ３０は放熱対策のた
めに、図２８に示すように、金属性のヒートシンク２８
が直接、ＬＤチップ３０に電気的に接触してそなえられ
ることがある。ところで、図２３の走査機構４は、例え
ばモータにより回転駆動されるポリゴンミラーから構成
されるもので、レーザ発光部３からのレーザビームＬ１
を反射することにより、このレーザビームＬ１を、レー
ザビームＬ２としてバーコード１をなす複数の黒バーお
よび白バーへ向けて照射し、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査させる機
能を有している。
めに、図２８に示すように、金属性のヒートシンク２８
が直接、ＬＤチップ３０に電気的に接触してそなえられ
ることがある。ところで、図２３の走査機構４は、例え
ばモータにより回転駆動されるポリゴンミラーから構成
されるもので、レーザ発光部３からのレーザビームＬ１
を反射することにより、このレーザビームＬ１を、レー
ザビームＬ２としてバーコード１をなす複数の黒バーお
よび白バーへ向けて照射し、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査させる機
能を有している。
【００１６】この走査機構４は、バーコード１からのレ
ーザビームＬ２の反射光Ｒ１を反射することにより、レ
ーザビームＬ２の走査に伴って移動する反射光Ｒ１を反
射光Ｒ２として光電変換部５へ入射させる機能も有して
いる。さらに、光電変換部５は、例えばフォトダイオー
ド等の光電変換素子を有して構成されるもので、走査機
構４を介して受光した反射光Ｒ２（光入力信号）をその
光量に応じた電気信号（アナログ値）に変換して出力す
るものである。
ーザビームＬ２の反射光Ｒ１を反射することにより、レ
ーザビームＬ２の走査に伴って移動する反射光Ｒ１を反
射光Ｒ２として光電変換部５へ入射させる機能も有して
いる。さらに、光電変換部５は、例えばフォトダイオー
ド等の光電変換素子を有して構成されるもので、走査機
構４を介して受光した反射光Ｒ２（光入力信号）をその
光量に応じた電気信号（アナログ値）に変換して出力す
るものである。
【００１７】一方、６は光電変換部５からの電気信号を
ディジタル化するＡ／Ｄ変換部で、このＡ／Ｄ変換部６
は、光電変換部５からの電気信号をディジタル化するこ
とにより、バーコード１をなす各黒バーの部分に対応す
る黒レベル信号と、バーコード１をなす各白バーの部分
に対応する白レベル信号との二値化信号に変換するもの
である。この二値化信号としては、通常、各白バーの部
分からの反射光Ｒ２の光量の方が各黒バー部分からの反
射光Ｒ２の光量よりも大きくなるため、白レベル信号を
Ｈｉｇｈレベルとし黒レベル信号をＬｏｗレベルとした
信号が得られる。
ディジタル化するＡ／Ｄ変換部で、このＡ／Ｄ変換部６
は、光電変換部５からの電気信号をディジタル化するこ
とにより、バーコード１をなす各黒バーの部分に対応す
る黒レベル信号と、バーコード１をなす各白バーの部分
に対応する白レベル信号との二値化信号に変換するもの
である。この二値化信号としては、通常、各白バーの部
分からの反射光Ｒ２の光量の方が各黒バー部分からの反
射光Ｒ２の光量よりも大きくなるため、白レベル信号を
Ｈｉｇｈレベルとし黒レベル信号をＬｏｗレベルとした
信号が得られる。
【００１８】また、７はクロックジュネレータ８からの
クロック信号をカウントするバー幅カウンタで、このバ
ー幅カウンタ７は、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅、即
ち実際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に
対応する値をクロック信号のカウント値として出力する
ものである。
クロック信号をカウントするバー幅カウンタで、このバ
ー幅カウンタ７は、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅、即
ち実際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に
対応する値をクロック信号のカウント値として出力する
ものである。
【００１９】さらに、９はバー幅カウンタ７からのバー
幅カウント値を格納するメモリ、１０はＣＰＵで、この
ＣＰＵ１０は、メモリ９に格納されたバー幅カウント値
（各黒バーおよび各白バーの幅に対応する値）に基づい
て、バーコード１のもつ所定データを抽出・復調するた
めのものである。上述の構成により、レーザ発光部３か
ら発光されたレーザビームＬ１は、走査機構４によっ
て、レーザビームＬ２としてバーコード１の黒バーおよ
び白バーへ向けて照射され、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査される。
幅カウント値を格納するメモリ、１０はＣＰＵで、この
ＣＰＵ１０は、メモリ９に格納されたバー幅カウント値
（各黒バーおよび各白バーの幅に対応する値）に基づい
て、バーコード１のもつ所定データを抽出・復調するた
めのものである。上述の構成により、レーザ発光部３か
ら発光されたレーザビームＬ１は、走査機構４によっ
て、レーザビームＬ２としてバーコード１の黒バーおよ
び白バーへ向けて照射され、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査される。
【００２０】走査機構４から射出されたレーザビームＬ
２は、バーコード１の部分で散乱・反射され反射光Ｒ１
として走査機構４に再入射する。反射光Ｒ１は、レーザ
ビームＬ２の走査移動に伴って反射角が変化して移動す
るが、走査機構４を構成するポリゴンミラーにて反射さ
れることにより、反射光Ｒ２として所定位置に配置され
た光電変換部５の光電変換素子へ入射する。
２は、バーコード１の部分で散乱・反射され反射光Ｒ１
として走査機構４に再入射する。反射光Ｒ１は、レーザ
ビームＬ２の走査移動に伴って反射角が変化して移動す
るが、走査機構４を構成するポリゴンミラーにて反射さ
れることにより、反射光Ｒ２として所定位置に配置され
た光電変換部５の光電変換素子へ入射する。
【００２１】この光電変換部５により反射光Ｒ２はその
光量に応じた電気信号に変換され、その電気信号は、Ａ
／Ｄ変換部６によりディジタル化され、バーコード１の
各黒バーの部分に対応する黒レベル信号と、バーコード
１の各白バーの部分に対応する白レベル信号とを有する
二値化信号に変換される。この後、バー幅カウンタ７に
てクロックジュネレータ８からのクロック信号をカウン
トすることにより、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅（実
際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に対応
する値）がクロック信号のカウント値として計測され、
そのカウント値を、メモリ９に一旦格納する。そして、
ＣＰＵ１０において、メモリ９に格納されたバー幅カウ
ント値に対して所定の復調処理を施すことにより、バー
コード１のもつ所定データが抽出・復調される。
光量に応じた電気信号に変換され、その電気信号は、Ａ
／Ｄ変換部６によりディジタル化され、バーコード１の
各黒バーの部分に対応する黒レベル信号と、バーコード
１の各白バーの部分に対応する白レベル信号とを有する
二値化信号に変換される。この後、バー幅カウンタ７に
てクロックジュネレータ８からのクロック信号をカウン
トすることにより、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅（実
際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に対応
する値）がクロック信号のカウント値として計測され、
そのカウント値を、メモリ９に一旦格納する。そして、
ＣＰＵ１０において、メモリ９に格納されたバー幅カウ
ント値に対して所定の復調処理を施すことにより、バー
コード１のもつ所定データが抽出・復調される。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなバーコード読取装置に使用される従来の半導体レ
ーザ制御手段では、適切な所定光量をレーザダイオード
が出力していても、何らかの事情で帰還系にノイズが乗
ってしまうと、帰還制御における帰還電流や電圧の正常
な値を得ることができなくなってしまう。
ようなバーコード読取装置に使用される従来の半導体レ
ーザ制御手段では、適切な所定光量をレーザダイオード
が出力していても、何らかの事情で帰還系にノイズが乗
ってしまうと、帰還制御における帰還電流や電圧の正常
な値を得ることができなくなってしまう。
【００２３】すると、オペアンプは、所定光量を得るた
めの電圧を出力しているにも関わらず、与えられた時定
数、つまり、点灯時から所定光量に達するまでの時定数
で出力を変化させる。しかし、この時定数では、変化速
度が大きすぎるため、帰還制御系の異常を検出するより
先に、レーザダイオードが異常発光してしまうという課
題がある。
めの電圧を出力しているにも関わらず、与えられた時定
数、つまり、点灯時から所定光量に達するまでの時定数
で出力を変化させる。しかし、この時定数では、変化速
度が大きすぎるため、帰還制御系の異常を検出するより
先に、レーザダイオードが異常発光してしまうという課
題がある。
【００２４】更に、所定光量時における処々の理由によ
るレーザー出力の変動に対して、この所定光量を保持す
るように補正を行なうにしても、上記の時定数では補正
による変動が大きすぎて、レーザー出力が安定しないと
いう課題がある。又、図２７に示すように、光量に対す
る電流が大きくなると、光量の目盛り間隔が狭くなるた
め、分圧比Ｋが０．８２〜０．４２ぐらいまでは、可変
抵抗の調整が容易であるが、０．４２よりも小さいと、
可変抵抗の抵抗変更用つまみが僅かな角度変化で光量が
大きく変化するため、その調整が困難になるという課題
がある。
るレーザー出力の変動に対して、この所定光量を保持す
るように補正を行なうにしても、上記の時定数では補正
による変動が大きすぎて、レーザー出力が安定しないと
いう課題がある。又、図２７に示すように、光量に対す
る電流が大きくなると、光量の目盛り間隔が狭くなるた
め、分圧比Ｋが０．８２〜０．４２ぐらいまでは、可変
抵抗の調整が容易であるが、０．４２よりも小さいと、
可変抵抗の抵抗変更用つまみが僅かな角度変化で光量が
大きく変化するため、その調整が困難になるという課題
がある。
【００２５】そして又、ＬＤチップに設けられたヒート
シンクは、その形状により、電波および静電気の影響を
受けてアンテナ効果によって、余計な電流をＬＤチップ
３０に伝達してしまう。この結果、ＬＤチップ内のレー
ザダイオードおよび外部フォトダイオードの寿命が短く
なってしまうという課題がある。本発明は、このような
課題に鑑み創案されたもので、点灯時から所定光量に達
するまでの時間に影響を与えることなく、帰還系にノイ
ズが乗った場合でも、その影響を受けずに正常に作動
し、又、所定光量時における処々の理由によるレーザー
出力の変動に対しても適切な補正を行ない、レーザー出
力を常時安定させることができる他、可変抵抗の抵抗変
更用つまみのレンジをより的確な値に調整できるように
するとともに、更に、熱や電気等の外部ノイズから、Ｌ
Ｄチップ内のレーザダイオードおよび外部フォトダイオ
ードを保護できるようにした、半導体レーザ制御方法お
よび半導体レーザ制御装置を提供することを目的とす
る。
シンクは、その形状により、電波および静電気の影響を
受けてアンテナ効果によって、余計な電流をＬＤチップ
３０に伝達してしまう。この結果、ＬＤチップ内のレー
ザダイオードおよび外部フォトダイオードの寿命が短く
なってしまうという課題がある。本発明は、このような
課題に鑑み創案されたもので、点灯時から所定光量に達
するまでの時間に影響を与えることなく、帰還系にノイ
ズが乗った場合でも、その影響を受けずに正常に作動
し、又、所定光量時における処々の理由によるレーザー
出力の変動に対しても適切な補正を行ない、レーザー出
力を常時安定させることができる他、可変抵抗の抵抗変
更用つまみのレンジをより的確な値に調整できるように
するとともに、更に、熱や電気等の外部ノイズから、Ｌ
Ｄチップ内のレーザダイオードおよび外部フォトダイオ
ードを保護できるようにした、半導体レーザ制御方法お
よび半導体レーザ制御装置を提供することを目的とす
る。
【００２６】
【課題を解決するための手段】図１は第１の発明の原理
ブロック図で、この図１において、２０Ａは電流によっ
て光量制御が可能な半導体レーザ１１の光量をモニタし
て、このモニタ結果と所要の基準値とを比較しながら、
この基準値に対応する光量となるように所要の時定数で
半導体レーザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制
御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０
Ａは、上記半導体レーザ１１に加えて、光量モニタ手段
１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，
制御モード選択手段１５Ａ，電源２９によって構成され
ている。
ブロック図で、この図１において、２０Ａは電流によっ
て光量制御が可能な半導体レーザ１１の光量をモニタし
て、このモニタ結果と所要の基準値とを比較しながら、
この基準値に対応する光量となるように所要の時定数で
半導体レーザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制
御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０
Ａは、上記半導体レーザ１１に加えて、光量モニタ手段
１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，
制御モード選択手段１５Ａ，電源２９によって構成され
ている。
【００２７】ここで、半導体レーザ１１は、電流によっ
て光量制御が可能なレーザであり、光量モニタ手段１２
は、半導体レーザ１１の光量をモニタするものである。
第１帰還制御手段１３は、光量モニタ手段１２からのモ
ニタ結果に基づき、第１の時定数で半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものであり、第２帰還制御手段１４
は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基づき、第
２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御するも
のである。
て光量制御が可能なレーザであり、光量モニタ手段１２
は、半導体レーザ１１の光量をモニタするものである。
第１帰還制御手段１３は、光量モニタ手段１２からのモ
ニタ結果に基づき、第１の時定数で半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものであり、第２帰還制御手段１４
は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基づき、第
２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御するも
のである。
【００２８】制御モード選択手段１５Ａは、光量モニタ
手段１２からのモニタ結果が基準値に対応する光量より
も少ない所定光量以下のときは第１帰還制御手段１３に
よる制御モードを選択する一方、所定光量よりも大きい
ときは第２帰還制御手段１４による制御モードを選択す
るものである。尚、第２の時定数は、第１の時定数より
も長くなるように設定されている（請求項２，１０）。
手段１２からのモニタ結果が基準値に対応する光量より
も少ない所定光量以下のときは第１帰還制御手段１３に
よる制御モードを選択する一方、所定光量よりも大きい
ときは第２帰還制御手段１４による制御モードを選択す
るものである。尚、第２の時定数は、第１の時定数より
も長くなるように設定されている（請求項２，１０）。
【００２９】又、図２は第２の発明の原理ブロック図
で、この図２において、２０Ｂは電流によって光量制御
が可能な半導体レーザ１１の光量をモニタして、このモ
ニタ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値
に対応する光量となるように所要の時定数で半導体レー
ザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制御装置を示
したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、上記
半導体レーザ１１に加え て、光量モニタ手段１２，第１
帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，制御モード
選択手段１５Ｂ，オン／オフ制御手段１６，電源２９に
より構成されている。
で、この図２において、２０Ｂは電流によって光量制御
が可能な半導体レーザ１１の光量をモニタして、このモ
ニタ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値
に対応する光量となるように所要の時定数で半導体レー
ザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制御装置を示
したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、上記
半導体レーザ１１に加え て、光量モニタ手段１２，第１
帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，制御モード
選択手段１５Ｂ，オン／オフ制御手段１６，電源２９に
より構成されている。
【００３０】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。制御
モード選択手段１５Ｂは、オン／オフ制御手段１６によ
って半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への移行
後に基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達すべ
き所定時間が経過するまでは第１帰還制御手段１３によ
る制御モードを選択する一方、半導体レーザ１１がオフ
状態からオン状態への移行後、上記所定時間が経過する
と第２帰還制御手段１４による制御モードを選択するも
のである。オン／オフ制御手段１６は、半導体レーザ１
１のオン／オフを制御するものである。
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。制御
モード選択手段１５Ｂは、オン／オフ制御手段１６によ
って半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への移行
後に基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達すべ
き所定時間が経過するまでは第１帰還制御手段１３によ
る制御モードを選択する一方、半導体レーザ１１がオフ
状態からオン状態への移行後、上記所定時間が経過する
と第２帰還制御手段１４による制御モードを選択するも
のである。オン／オフ制御手段１６は、半導体レーザ１
１のオン／オフを制御するものである。
【００３１】尚、上記の所定時間は、第１帰還制御手段
１３の第１の時定数で半導体レーザ１１が所定光量に到
達する時間よりも、長い時間として設定されており、第
１の時定数は、第２の時定数よりも長くなるように設定
されている（請求項５，６）。又、図３は第３の発明の
原理ブロック図で、この図３において、２０Ｃは電流に
よって光量制御が可能な半導体レーザ１１の光量をモニ
タして、このモニタ結果と所要の基準値とを比較しなが
ら、この基準値に対応する光量となるように所要の時定
数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する半導体レー
ザ制御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置
２０Ｃは、上記半導体レーザに加えて、光量モニタ手段
１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，
制御モード選択手段１５Ｃ，駆動電流測定手段１７，電
源２９をそなえて構成されている。
１３の第１の時定数で半導体レーザ１１が所定光量に到
達する時間よりも、長い時間として設定されており、第
１の時定数は、第２の時定数よりも長くなるように設定
されている（請求項５，６）。又、図３は第３の発明の
原理ブロック図で、この図３において、２０Ｃは電流に
よって光量制御が可能な半導体レーザ１１の光量をモニ
タして、このモニタ結果と所要の基準値とを比較しなが
ら、この基準値に対応する光量となるように所要の時定
数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する半導体レー
ザ制御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置
２０Ｃは、上記半導体レーザに加えて、光量モニタ手段
１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，
制御モード選択手段１５Ｃ，駆動電流測定手段１７，電
源２９をそなえて構成されている。
【００３２】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。駆動
電流測定手段１７は、半導体レーザ１１の駆動電流を測
定するものであり、制御モード選択手段１５Ｃは、駆動
電流測定手段１７の測定結果が基準値に対応する光量よ
りも少ない光量を生じさせる所定駆動電流以下のときは
第１帰還制御手段１３による制御モードを選択する一
方、上記所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還制御
手段１４による制御モードを選択するものである（請求
項８，１０）。
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。駆動
電流測定手段１７は、半導体レーザ１１の駆動電流を測
定するものであり、制御モード選択手段１５Ｃは、駆動
電流測定手段１７の測定結果が基準値に対応する光量よ
りも少ない光量を生じさせる所定駆動電流以下のときは
第１帰還制御手段１３による制御モードを選択する一
方、上記所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還制御
手段１４による制御モードを選択するものである（請求
項８，１０）。
【００３３】又、図４は第４の発明の原理ブロック図
で、この図４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第１帰還制御
手段１３，第２帰還制御手段１４，第３帰還制御手段１
８，制御モード選択手段１５Ｄ，駆動電流測定手段１
７，電源２９をそなえて構成されている。
で、この図４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第１帰還制御
手段１３，第２帰還制御手段１４，第３帰還制御手段１
８，制御モード選択手段１５Ｄ，駆動電流測定手段１
７，電源２９をそなえて構成されている。
【００３４】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１
４，駆動電流測定手段１７は、第３の発明で説明した通
りである。第３帰還制御手段１８は、光量モニタ手段１
２からのモニタ結果に基づき、第３の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御するものである。制御モード
選択手段１５Ｄは、駆動電流測定手段１７および光量モ
ニタ手段１２の測定結果に基づき、所定駆動電流以下の
ときは第１帰還制御手段１３による制御モードを選択
し、所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還制御手段
１４による制御モードを選択し、所定光量よりも大きい
ときは上記駆動電流に基づいて設定される時定数での光
量帰還制御に優先して第３帰還制御手段１８による制御
モードを選択するものである。
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１
４，駆動電流測定手段１７は、第３の発明で説明した通
りである。第３帰還制御手段１８は、光量モニタ手段１
２からのモニタ結果に基づき、第３の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御するものである。制御モード
選択手段１５Ｄは、駆動電流測定手段１７および光量モ
ニタ手段１２の測定結果に基づき、所定駆動電流以下の
ときは第１帰還制御手段１３による制御モードを選択
し、所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還制御手段
１４による制御モードを選択し、所定光量よりも大きい
ときは上記駆動電流に基づいて設定される時定数での光
量帰還制御に優先して第３帰還制御手段１８による制御
モードを選択するものである。
【００３５】尚、第３の時定数は、第２の時定数よりも
長く、且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長く
なるように設定されている（請求項１３，１４）。又、
図５は第５の発明の原理ブロック図で、この図５におい
て、２０Ｅは電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザ１１の光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基
準値とを比較しながら、この基準値に対応する光量とな
るように所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還
制御する半導体レーザ制御装置を示したもので、この半
導体レーザ制御装置２０Ｅは、上記半導体レーザ１１に
加えて、光量モニタ手段１２，選択手段１５Ｅ，ローパ
スフィルタ１９，帰還制御手段２１をそなえて構成され
ている。
長く、且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長く
なるように設定されている（請求項１３，１４）。又、
図５は第５の発明の原理ブロック図で、この図５におい
て、２０Ｅは電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザ１１の光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基
準値とを比較しながら、この基準値に対応する光量とな
るように所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還
制御する半導体レーザ制御装置を示したもので、この半
導体レーザ制御装置２０Ｅは、上記半導体レーザ１１に
加えて、光量モニタ手段１２，選択手段１５Ｅ，ローパ
スフィルタ１９，帰還制御手段２１をそなえて構成され
ている。
【００３６】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２は、第１の発明で説明した通りである。帰還制御
手段２１は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基
づき、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制
御するものであり、ローパスフィルタ１９は、光量モニ
タ手段１２からのモニタ信号の低周波数成分を通過させ
るものである。
段１２は、第１の発明で説明した通りである。帰還制御
手段２１は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基
づき、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制
御するものであり、ローパスフィルタ１９は、光量モニ
タ手段１２からのモニタ信号の低周波数成分を通過させ
るものである。
【００３７】選択手段１５Ｅは、光量モニタ手段１２か
らのモニタ結果が基準値に対応する光量よりも少ない所
定光量よりも大きい場合に、光量モニタ手段１２からの
モニタ信号をローパスフィルタ１９を介して帰還制御手
段２１へ入力するとともに、光量モニタ手段１２からの
モニタ結果が上記所定光量以下の場合に、光量モニタ手
段１２からのモニタ信号をローパスフィルタ１９を介さ
ずに帰還制御手段２１へ入力するものである（請求項１
６）。
らのモニタ結果が基準値に対応する光量よりも少ない所
定光量よりも大きい場合に、光量モニタ手段１２からの
モニタ信号をローパスフィルタ１９を介して帰還制御手
段２１へ入力するとともに、光量モニタ手段１２からの
モニタ結果が上記所定光量以下の場合に、光量モニタ手
段１２からのモニタ信号をローパスフィルタ１９を介さ
ずに帰還制御手段２１へ入力するものである（請求項１
６）。
【００３８】又、図５は第６の発明の原理ブロック図
で、この図５において、２０Ｆは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｆは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，選択手段１５
Ｆ，ローパスフィルタ１９，電源２９，帰還制御手段２
１をそなえて構成されている。ここで、半導体レーザ１
１，光量モニタ手段１２，ローパスフィルタ１９，帰還
制御手段２１は、第１，５の発明で説明した通りであ
る。選択手段１５Ｆは、光量モニタ手段１２からのモニ
タ結果に基づき、所定光量よりも大きくなってから所定
時間経過後は、光量モニタ手段１２からのモニタ信号を
ローパスフィルタ１９を介して帰還制御手段２１へ入力
する一方、上記所定時間経過前は、光量モニタ手段１２
からのモニタ信号をローパスフィルタ１９を介さずに帰
還制御手段２１へ入力するものである（請求項１８）。
で、この図５において、２０Ｆは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｆは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，選択手段１５
Ｆ，ローパスフィルタ１９，電源２９，帰還制御手段２
１をそなえて構成されている。ここで、半導体レーザ１
１，光量モニタ手段１２，ローパスフィルタ１９，帰還
制御手段２１は、第１，５の発明で説明した通りであ
る。選択手段１５Ｆは、光量モニタ手段１２からのモニ
タ結果に基づき、所定光量よりも大きくなってから所定
時間経過後は、光量モニタ手段１２からのモニタ信号を
ローパスフィルタ１９を介して帰還制御手段２１へ入力
する一方、上記所定時間経過前は、光量モニタ手段１２
からのモニタ信号をローパスフィルタ１９を介さずに帰
還制御手段２１へ入力するものである（請求項１８）。
【００３９】又、図６は第７の発明の原理ブロック図
で、この図６において、２０Ｇは電流によって光量制御
が可能な半導体レーザ１１の光量をモニタして、このモ
ニタ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値
に対応する光量となるように所要の時定数で半導体レー
ザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制御装置を示
したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、上記
半導体レーザ１１に加えて、光量モニタ手段１２，選択
手段１５Ｇ，オン／オフ制御手段１６，ローパスフィル
タ１９，電源２９，帰還制御手段２１により構成されて
いる。
で、この図６において、２０Ｇは電流によって光量制御
が可能な半導体レーザ１１の光量をモニタして、このモ
ニタ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値
に対応する光量となるように所要の時定数で半導体レー
ザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制御装置を示
したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、上記
半導体レーザ１１に加えて、光量モニタ手段１２，選択
手段１５Ｇ，オン／オフ制御手段１６，ローパスフィル
タ１９，電源２９，帰還制御手段２１により構成されて
いる。
【００４０】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，オン／オフ制御手段１６，ローパスフィルタ１
９，帰還制御手段２１は、第１，５の発明で説明した通
りである。選択手段１５Ｇは、オン／オフ制御手段１６
によって半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への
移行後に基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達
すべき所定時間が経過すると、光量モニタ手段１２から
のモニタ信号をローパスフィルタ１９を介して帰還制御
手段２１Ｇへ入力する一方、上記所定時間が経過する前
には、光量モニタ手段１２からのモニタ信号をローパス
フィルタ１９を介さずに帰還制御手段２１へ入力するも
のである（請求項２０）。
段１２，オン／オフ制御手段１６，ローパスフィルタ１
９，帰還制御手段２１は、第１，５の発明で説明した通
りである。選択手段１５Ｇは、オン／オフ制御手段１６
によって半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への
移行後に基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達
すべき所定時間が経過すると、光量モニタ手段１２から
のモニタ信号をローパスフィルタ１９を介して帰還制御
手段２１Ｇへ入力する一方、上記所定時間が経過する前
には、光量モニタ手段１２からのモニタ信号をローパス
フィルタ１９を介さずに帰還制御手段２１へ入力するも
のである（請求項２０）。
【００４１】又、図７は第８の発明の原理ブロック図
で、この図８において、２０は半導体レーザ制御装置を
示したもので、この半導体レーザ制御装置２０は、半導
体レーザ１１，光量モニタ手段１２，電流／電圧変換手
段２２，モニタ電圧分圧手段２３，電源２９をそなえて
構成されている。ここで、半導体レーザ１１，光量モニ
タ手段１２は、先の発明で説明した通りである。電流／
電圧変換手段２２は、光量モニタ手段１２からのモニタ
電流を電圧値に変換するものであり、モニタ電圧分圧手
段２３は、電流／電圧変換手段２２で変換されたモニタ
電圧を分圧すべく、直列接続された２つの抵抗２５，２
６を有するものである。
で、この図８において、２０は半導体レーザ制御装置を
示したもので、この半導体レーザ制御装置２０は、半導
体レーザ１１，光量モニタ手段１２，電流／電圧変換手
段２２，モニタ電圧分圧手段２３，電源２９をそなえて
構成されている。ここで、半導体レーザ１１，光量モニ
タ手段１２は、先の発明で説明した通りである。電流／
電圧変換手段２２は、光量モニタ手段１２からのモニタ
電流を電圧値に変換するものであり、モニタ電圧分圧手
段２３は、電流／電圧変換手段２２で変換されたモニタ
電圧を分圧すべく、直列接続された２つの抵抗２５，２
６を有するものである。
【００４２】スイッチ２４は、モニタ電圧分圧手段２３
における一方の抵抗２６に設けられ、この抵抗２６をシ
ョートし分圧比を変更しうるものであり、帰還制御手段
１５Ｈは、モニタ電圧分圧手段２３からのモニタ分圧信
号と基準電圧とが等しくなるように半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものである（請求項２１）。尚、一
方の抵抗２６が、分圧比を連続的に変更するための可変
抵抗としてもよい（請求項２３）。
における一方の抵抗２６に設けられ、この抵抗２６をシ
ョートし分圧比を変更しうるものであり、帰還制御手段
１５Ｈは、モニタ電圧分圧手段２３からのモニタ分圧信
号と基準電圧とが等しくなるように半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものである（請求項２１）。尚、一
方の抵抗２６が、分圧比を連続的に変更するための可変
抵抗としてもよい（請求項２３）。
【００４３】又、このモニタ電圧分圧手段２３は、直列
接続された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成すると
ともに、この固定抵抗２６に並列にスイッチ２４を設け
てもよい。この場合、可変抵抗２５が所定位置にセット
されている時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をシ
ョートしても、半導体レーザ１１が過発光しないような
値に、固定抵抗２６の抵抗値が設定されている（請求項
２２）。
接続された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成すると
ともに、この固定抵抗２６に並列にスイッチ２４を設け
てもよい。この場合、可変抵抗２５が所定位置にセット
されている時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をシ
ョートしても、半導体レーザ１１が過発光しないような
値に、固定抵抗２６の抵抗値が設定されている（請求項
２２）。
【００４４】又、図８は本発明の付属品を説明する図
で、この図８において、１１は発光ダイオードを示した
もので、この発光ダイオード１１には、非導電材製の中
間部材２７を介して、導電材製の放熱部材２８が取り付
けられている。ここで、中間部材２７は、熱的には接触
したものと等価な厚みを持つ非導電材製であり、放熱部
材２８は、半導体レーザ１１の放熱を行なう導電材製の
ものである。
で、この図８において、１１は発光ダイオードを示した
もので、この発光ダイオード１１には、非導電材製の中
間部材２７を介して、導電材製の放熱部材２８が取り付
けられている。ここで、中間部材２７は、熱的には接触
したものと等価な厚みを持つ非導電材製であり、放熱部
材２８は、半導体レーザ１１の放熱を行なう導電材製の
ものである。
【００４５】そして、この放熱部材２８は接地されてい
る。
る。
【００４６】
【作用】上述の第１の発明では、図１に示すように、半
導体レーザ制御装置２０Ａは、半導体レーザ１１の光量
モニタ手段１２によって光量をモニタして、このモニタ
結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値に対
応する光量となるように所要の時定数で半導体レーザ１
１の光量を帰還制御する。その結果、半導体レーザ１１
への電流が調整されて、その光量制御が行なわれる。
導体レーザ制御装置２０Ａは、半導体レーザ１１の光量
モニタ手段１２によって光量をモニタして、このモニタ
結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値に対
応する光量となるように所要の時定数で半導体レーザ１
１の光量を帰還制御する。その結果、半導体レーザ１１
への電流が調整されて、その光量制御が行なわれる。
【００４７】尚、このような光量制御における時定数の
選択は、制御モード選択手段１５Ａによって行なわれ
る。即ち、半導体レーザ１１の光量が基準値に対応する
光量よりも少ない所定光量以下のときは、第１帰還制御
手段１３による制御モードを選択して、第１の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御する。又、上記所定光量
よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４による制御
モードを選択して、第１の時定数よりも長い第２の時定
数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する（請求項
１，２，９）。
選択は、制御モード選択手段１５Ａによって行なわれ
る。即ち、半導体レーザ１１の光量が基準値に対応する
光量よりも少ない所定光量以下のときは、第１帰還制御
手段１３による制御モードを選択して、第１の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御する。又、上記所定光量
よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４による制御
モードを選択して、第１の時定数よりも長い第２の時定
数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する（請求項
１，２，９）。
【００４８】又、第２の発明では、図２に示すように、
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタして、このモニ
タ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値に
対応する光量となるように所要の時定数で半導体レーザ
１１の光量を帰還制御する。尚、このような帰還制御に
おける時定数の選択は、制御モード選択手段１５Ｂによ
って行なわれる。即ち、オン／オフ制御手段１６の制御
により、半導体レーザ１１がオン状態からオフ状態への
移行後に基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達
すべき所定時間が経過するまでは、第１帰還制御手段１
３による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御する。これにより、所定時
間内においては、半導体レーザ１１は、第１の時定数に
よって所定光量に到達する。
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタして、このモニ
タ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値に
対応する光量となるように所要の時定数で半導体レーザ
１１の光量を帰還制御する。尚、このような帰還制御に
おける時定数の選択は、制御モード選択手段１５Ｂによ
って行なわれる。即ち、オン／オフ制御手段１６の制御
により、半導体レーザ１１がオン状態からオフ状態への
移行後に基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達
すべき所定時間が経過するまでは、第１帰還制御手段１
３による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御する。これにより、所定時
間内においては、半導体レーザ１１は、第１の時定数に
よって所定光量に到達する。
【００４９】一方、半導体レーザ１１がオフ状態からオ
ン状態への移行後、上記所定時間が経過すると、第２帰
還制御手段１４による制御モードを選択して、第１の時
定数よりも大きい第２の時定数で半導体レーザ１１の光
量を帰還制御する（請求項３，４，５，９）。又、第３
の発明では、図３に示すように、半導体レーザ制御装置
２０Ｃは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２によ
って光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御
する。
ン状態への移行後、上記所定時間が経過すると、第２帰
還制御手段１４による制御モードを選択して、第１の時
定数よりも大きい第２の時定数で半導体レーザ１１の光
量を帰還制御する（請求項３，４，５，９）。又、第３
の発明では、図３に示すように、半導体レーザ制御装置
２０Ｃは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２によ
って光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御
する。
【００５０】尚、このような帰還制御における時定数の
選択は、制御モード選択手段１５Ｃによって行なわれ
る。即ち、駆動電流測定手段１７によって、半導体レー
ザ１１の駆動電流を測定して、半導体レーザ１１の駆動
電流が基準値に対応する光量よりも少ない光量を生じさ
せる所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１３
による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
選択は、制御モード選択手段１５Ｃによって行なわれ
る。即ち、駆動電流測定手段１７によって、半導体レー
ザ１１の駆動電流を測定して、半導体レーザ１１の駆動
電流が基準値に対応する光量よりも少ない光量を生じさ
せる所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１３
による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５１】一方、半導体レーザ１１の駆動電流が上記
所定駆動電流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１
４による制御モードを選択して、第１の時定数よりも大
きい第２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御
する（請求項７，８，９）。又、第４の発明では、図４
に示すように、半導体レーザ制御装置２０Ｄは、半導体
レーザ１１の光量モニタ手段１２によって光量をモニタ
しながら、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰
還制御する。
所定駆動電流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１
４による制御モードを選択して、第１の時定数よりも大
きい第２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御
する（請求項７，８，９）。又、第４の発明では、図４
に示すように、半導体レーザ制御装置２０Ｄは、半導体
レーザ１１の光量モニタ手段１２によって光量をモニタ
しながら、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰
還制御する。
【００５２】尚、このような帰還制御における時定数の
選択は、制御モード選択手段１５Ｄによって、駆動電流
測定手段１７および光量モニタ手段１２の測定結果に基
づいて行なわれる。即ち、半導体レーザ１１の駆動電流
が所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１３Ｄ
による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
選択は、制御モード選択手段１５Ｄによって、駆動電流
測定手段１７および光量モニタ手段１２の測定結果に基
づいて行なわれる。即ち、半導体レーザ１１の駆動電流
が所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１３Ｄ
による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５３】半導体レーザ１１の駆動電流が所定駆動電
流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４Ｄによる
制御モードを選択して、第１の時定数よりも長い第２の
時定数で、半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。半
導体レーザ１１の光量が所定光量よりも大きいときは上
記駆動電流に基づい て設定される時定数での光量帰還制
御に優先して第３帰還制御手段１８による制御モードを
選択して、第２の時定数よりも長い第３の時定数で、半
導体レーザ１１の光量を帰還制御する（請求項１１，１
２）。
流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４Ｄによる
制御モードを選択して、第１の時定数よりも長い第２の
時定数で、半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。半
導体レーザ１１の光量が所定光量よりも大きいときは上
記駆動電流に基づい て設定される時定数での光量帰還制
御に優先して第３帰還制御手段１８による制御モードを
選択して、第２の時定数よりも長い第３の時定数で、半
導体レーザ１１の光量を帰還制御する（請求項１１，１
２）。
【００５４】このとき、半導体レーザの駆動電流が所定
駆動電流以下のときは第１の時定数で該半導体レーザの
光量を帰還制御し、半導体レーザの駆動電流が所定駆動
電流よりも大きく且つ半導体レーザの光量が所定光量よ
りも小さいときは第２の時定数で半導体レーザの光量を
帰還制御し、半導体レーザの駆動電流が所定駆動電流よ
りも大きく且つ半導体レーザの光量が所定光量よりも大
きいときは第３の時定数で該半導体レーザの光量を帰還
制御してもよい（請求項２４）。
駆動電流以下のときは第１の時定数で該半導体レーザの
光量を帰還制御し、半導体レーザの駆動電流が所定駆動
電流よりも大きく且つ半導体レーザの光量が所定光量よ
りも小さいときは第２の時定数で半導体レーザの光量を
帰還制御し、半導体レーザの駆動電流が所定駆動電流よ
りも大きく且つ半導体レーザの光量が所定光量よりも大
きいときは第３の時定数で該半導体レーザの光量を帰還
制御してもよい（請求項２４）。
【００５５】又、第５の発明では、図５に示すように、
半導体レーザ制御装置２０Ｅは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタして、このモニ
タ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値に
対応する光量となるように所要の時定数で半導体レーザ
１１の光量を帰還制御する。即ち、半導体レーザ１１の
光量が基準値に対応する光量よりも少ない所定光量以下
の場合、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９を介さ
ずに帰還制御手段２１Ｅへ入力し、この帰還制御手段２
１Ｅによって、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に
基づいた、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量が帰
還制御される。
半導体レーザ制御装置２０Ｅは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタして、このモニ
タ結果と所要の基準値とを比較しながら、この基準値に
対応する光量となるように所要の時定数で半導体レーザ
１１の光量を帰還制御する。即ち、半導体レーザ１１の
光量が基準値に対応する光量よりも少ない所定光量以下
の場合、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９を介さ
ずに帰還制御手段２１Ｅへ入力し、この帰還制御手段２
１Ｅによって、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に
基づいた、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量が帰
還制御される。
【００５６】又、選択手段１５Ｅは、光量モニタ手段１
２からのモニタ結果に基づき、半導体レーザ１１の光量
が所定光量よりも大きい場合、光量モニタ信号をローパ
スフィルタ１９を通して帰還制御手段２１Ｅへ入力す
る。この際、ローパスフィルタ１９では、モニタ信号の
低周波数成分が通過する（請求項１５，１６）。又、第
６の発明では、図５に示すように、半導体レーザ制御装
置２０Ｆは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２に
よって光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
２からのモニタ結果に基づき、半導体レーザ１１の光量
が所定光量よりも大きい場合、光量モニタ信号をローパ
スフィルタ１９を通して帰還制御手段２１Ｅへ入力す
る。この際、ローパスフィルタ１９では、モニタ信号の
低周波数成分が通過する（請求項１５，１６）。又、第
６の発明では、図５に示すように、半導体レーザ制御装
置２０Ｆは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２に
よって光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５７】即ち、半導体レーザ１１の光量が基準値に
対応する光量よりも少ない所定光量よりも大きくなって
から所定時間以内は、光量モニタ信号をローパスフィル
タ１９を介さずに帰還制御手段２１Ｆへ入力し、この帰
還制御手段２１Ｆによって、光量モニタ手段１２からの
モニタ結果に基いた、所要の時定数で半導体レーザ１１
の光量が帰還制御される。
対応する光量よりも少ない所定光量よりも大きくなって
から所定時間以内は、光量モニタ信号をローパスフィル
タ１９を介さずに帰還制御手段２１Ｆへ入力し、この帰
還制御手段２１Ｆによって、光量モニタ手段１２からの
モニタ結果に基いた、所要の時定数で半導体レーザ１１
の光量が帰還制御される。
【００５８】又、半導体レーザ１１の光量が所定光量よ
りも大きくなってから所定時間経過後に、選択手段１５
Ｆによって、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９を
通して帰還制御手段２１Ｆへ入力する。この際、ローパ
スフィルタ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通過
する（請求項１７，１８）。又、第７の発明では、図６
に示すように、半導体レーザ制御装置２０Ｆは、半導体
レーザ１１の光量モニタ手段１２によって光量をモニタ
して、このモニタ結果と所要の基準値とを比較しなが
ら、この基準値に対応する光量となるように所要の時定
数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。
りも大きくなってから所定時間経過後に、選択手段１５
Ｆによって、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９を
通して帰還制御手段２１Ｆへ入力する。この際、ローパ
スフィルタ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通過
する（請求項１７，１８）。又、第７の発明では、図６
に示すように、半導体レーザ制御装置２０Ｆは、半導体
レーザ１１の光量モニタ手段１２によって光量をモニタ
して、このモニタ結果と所要の基準値とを比較しなが
ら、この基準値に対応する光量となるように所要の時定
数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５９】そして、半導体レーザ１１がオフ状態から
オン状態への移行後に基準値に対応する光量よりも少な
い光量に到達すべき所定時間が経過すると、選択手段１
５Ｇによって、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９
を通して帰還制御手段２１Ｇへ入力する。この際、ロー
パスフィルタ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通
過する。一方、上記所定時間が経過する前には、光量モ
ニタ信号をローパスフィルタ１９を介さずに帰還制御手
段２１へ入力する（請求項１９，２０）。
オン状態への移行後に基準値に対応する光量よりも少な
い光量に到達すべき所定時間が経過すると、選択手段１
５Ｇによって、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９
を通して帰還制御手段２１Ｇへ入力する。この際、ロー
パスフィルタ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通
過する。一方、上記所定時間が経過する前には、光量モ
ニタ信号をローパスフィルタ１９を介さずに帰還制御手
段２１へ入力する（請求項１９，２０）。
【００６０】又、第８の発明では、図７に示すように、
半導体レーザ制御装置２０の光量モニタ手段１２で検出
された半導体レーザ１１の光量を示す電流値が、電流／
電圧変換手段２２によって電圧値に変換されのち、更
に、モニタ電圧分圧手段２３によって分圧される。そし
て、帰還制御手段１５Ｈによって、モニタ電圧分圧手段
２３からのモニタ分圧信号と基準電圧とが、等しくなる
ように半導体レーザ１１の光量が帰還制御される。又、
分圧比を変更する場合は、モニタ電圧分圧手段２３にお
ける一方の抵抗２６に設けられたスイッチ２４によっ
て、その抵抗２６がショートさせられる（請求項２
１）。
半導体レーザ制御装置２０の光量モニタ手段１２で検出
された半導体レーザ１１の光量を示す電流値が、電流／
電圧変換手段２２によって電圧値に変換されのち、更
に、モニタ電圧分圧手段２３によって分圧される。そし
て、帰還制御手段１５Ｈによって、モニタ電圧分圧手段
２３からのモニタ分圧信号と基準電圧とが、等しくなる
ように半導体レーザ１１の光量が帰還制御される。又、
分圧比を変更する場合は、モニタ電圧分圧手段２３にお
ける一方の抵抗２６に設けられたスイッチ２４によっ
て、その抵抗２６がショートさせられる（請求項２
１）。
【００６１】又、モニタ電圧分圧手段２３が、直列接続
された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成されるとと
もに、固定抵抗２６に並列にスイッチ２４が設けられて
いる場合では、可変抵抗２５が所定位置にセットされて
いる時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をショート
しても、半導体レーザ１１は過発光しない（請求項２
２）。
された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成されるとと
もに、固定抵抗２６に並列にスイッチ２４が設けられて
いる場合では、可変抵抗２５が所定位置にセットされて
いる時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をショート
しても、半導体レーザ１１は過発光しない（請求項２
２）。
【００６２】更に、一方の抵抗２６が可変抵抗であるな
らば、目的に応じて分圧比が連続的に変更される（請求
項２３）。なお、図８のような付属品を付加した場合
は、半導体レーザ１１に発生した熱が、中間部材２７を
介して放熱部材２８へ伝達され、外部へ放熱される。
又、放熱部材２８を介して、外部からの電波および静電
気等のノイズが、半導体レーザ１１側へ送られて来て
も、中間部材２７によって遮断されるとともに、放熱部
材２８か接地されていることにより、放熱部材２８に溜
まった電気が逃がされる。
らば、目的に応じて分圧比が連続的に変更される（請求
項２３）。なお、図８のような付属品を付加した場合
は、半導体レーザ１１に発生した熱が、中間部材２７を
介して放熱部材２８へ伝達され、外部へ放熱される。
又、放熱部材２８を介して、外部からの電波および静電
気等のノイズが、半導体レーザ１１側へ送られて来て
も、中間部材２７によって遮断されるとともに、放熱部
材２８か接地されていることにより、放熱部材２８に溜
まった電気が逃がされる。
【００６３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。 （ａ）第１実施例の説明 図９は本発明の第１実施例を示すブロック図で、この図
９において、２０Ａは半導体レーザ制御装置を示したも
ので、この半導体レーザ制御装置２０Ａは、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。すなわち、この半導体レーザ制御装置２
０Ａは、電流によって光量制御が可能な半導体レーザの
光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値とを
比較しながら、この基準値に対応する光量となるように
所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御するもの
であって、ＬＤチップ（レーザダイオードチップ）３０
内に並列して設置された、半導体レーザを構成するレー
ザダイオード１１とフォトダイオード（光量モニタ手
段）１２，トランジスタ３１，アナログスイッチ（Ｓ
Ｗ）３４，３９，アンプ（演算増幅器）３６，３８，コ
ンパレータ（制御モード選択手段）４５，基準電圧源４
２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，
４０，４１，４３，４４をそなえて構成されている。
尚、先述の従来例におけるものと同じ符号のものは、同
様のものを示している。
する。 （ａ）第１実施例の説明 図９は本発明の第１実施例を示すブロック図で、この図
９において、２０Ａは半導体レーザ制御装置を示したも
ので、この半導体レーザ制御装置２０Ａは、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。すなわち、この半導体レーザ制御装置２
０Ａは、電流によって光量制御が可能な半導体レーザの
光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値とを
比較しながら、この基準値に対応する光量となるように
所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御するもの
であって、ＬＤチップ（レーザダイオードチップ）３０
内に並列して設置された、半導体レーザを構成するレー
ザダイオード１１とフォトダイオード（光量モニタ手
段）１２，トランジスタ３１，アナログスイッチ（Ｓ
Ｗ）３４，３９，アンプ（演算増幅器）３６，３８，コ
ンパレータ（制御モード選択手段）４５，基準電圧源４
２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，
４０，４１，４３，４４をそなえて構成されている。
尚、先述の従来例におけるものと同じ符号のものは、同
様のものを示している。
【００６４】ここで、レーザダイオード１１は、所定値
以上のＬＤ駆動電流ＩOPが流れると、レーザー光を２方
向に発生するものである。外部フォトダイオード１２
は、レーザダイオード１１のレーザー光の内の一方を受
光部で受光し、その受光量に応じたモニタ電流Ｉmを出
力するものである。尚、外部フォトダイオード１２の出
力する電流Ｉmの値と、可変抵抗３７およびアンプ３８
から得られる、図１０の時間ｂ以降の電圧ＶAとは、比
例定数ｋによる比例関係にある（ＶA＝ｋＩm；但し、Ｖ
Aは時間ｂ以降）。
以上のＬＤ駆動電流ＩOPが流れると、レーザー光を２方
向に発生するものである。外部フォトダイオード１２
は、レーザダイオード１１のレーザー光の内の一方を受
光部で受光し、その受光量に応じたモニタ電流Ｉmを出
力するものである。尚、外部フォトダイオード１２の出
力する電流Ｉmの値と、可変抵抗３７およびアンプ３８
から得られる、図１０の時間ｂ以降の電圧ＶAとは、比
例定数ｋによる比例関係にある（ＶA＝ｋＩm；但し、Ｖ
Aは時間ｂ以降）。
【００６５】又、外部フォトダイオード１２は、その受
光部に光を受けないで順方向から電圧ＶCCのみを受けた
場合は、電圧ＶCCに比例した電流値で電流Ｉmを出力す
るものである。尚、外部フォトダイオード１２の出力す
る電流Ｉmの値と、可変抵抗３７およびアンプ３８から
得られる、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の電圧ＶAと
は、比例定数ｍによる比例関係にある（ＶA＝ｍＩm；但
し、ＶAは時間ａ〜時間ｂの間、ｋ＞ｍ）。
光部に光を受けないで順方向から電圧ＶCCのみを受けた
場合は、電圧ＶCCに比例した電流値で電流Ｉmを出力す
るものである。尚、外部フォトダイオード１２の出力す
る電流Ｉmの値と、可変抵抗３７およびアンプ３８から
得られる、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の電圧ＶAと
は、比例定数ｍによる比例関係にある（ＶA＝ｍＩm；但
し、ＶAは時間ａ〜時間ｂの間、ｋ＞ｍ）。
【００６６】可変抵抗３７は、先の従来例で説明した通
りのもので、電流Ｉmを電圧に変換して、それを分圧す
ることにより、電流Ｉmと光量の関係を調節するもので
ある。オペアンプ３８は、可変抵抗３７から掛かる電圧
と先の自出力とを比較して、フィードバックした電圧の
方が低ければ、可変抵抗３７の電圧を出力側に掛けるも
のである。
りのもので、電流Ｉmを電圧に変換して、それを分圧す
ることにより、電流Ｉmと光量の関係を調節するもので
ある。オペアンプ３８は、可変抵抗３７から掛かる電圧
と先の自出力とを比較して、フィードバックした電圧の
方が低ければ、可変抵抗３７の電圧を出力側に掛けるも
のである。
【００６７】オペアンプ３６は、アンプ３８からの抵抗
を介して掛かる電圧ＶAを、基準電圧源４２からの基準
電圧（基準値）Ｖrefと比較して、両者の値が等しけれ
ば、その時の出力電圧ＶBを保持するものである。そし
て、オペアンプ３６には、その負の入力側に掛かる電圧
ＶAと、出力側の電圧とが掛かるように、コンデンサ３
５が接続されているとともに、抵抗４０，４１が、アン
プ３８とアンプ３６との間にて並列に接続されている。
このために、電圧ＶAと基準電圧Ｖrefとの比較結果が異
なれば、以下の処理を行なうようになっている。即ち、
電圧ＶA＜基準電圧Ｖrefであれば、その時の出力電圧Ｖ
Bを所定の時定数で上昇させていき、又、電圧ＶA＞基準
電圧Ｖrefであれば、その時の出力電圧ＶBを基準電圧Ｖ
refから所定の時定数で下げていくようになっている。
このように、オペアンプ３６は、帰還系の中において一
定の出力を維持しようとするため、電圧ＶAと基準電圧
Ｖrefとを同電位にするようになっている。尚、所定の
時定数で積分されていく値は、オペアンプ３６の正の入
力側へ掛かる基準電圧Ｖrefである。
を介して掛かる電圧ＶAを、基準電圧源４２からの基準
電圧（基準値）Ｖrefと比較して、両者の値が等しけれ
ば、その時の出力電圧ＶBを保持するものである。そし
て、オペアンプ３６には、その負の入力側に掛かる電圧
ＶAと、出力側の電圧とが掛かるように、コンデンサ３
５が接続されているとともに、抵抗４０，４１が、アン
プ３８とアンプ３６との間にて並列に接続されている。
このために、電圧ＶAと基準電圧Ｖrefとの比較結果が異
なれば、以下の処理を行なうようになっている。即ち、
電圧ＶA＜基準電圧Ｖrefであれば、その時の出力電圧Ｖ
Bを所定の時定数で上昇させていき、又、電圧ＶA＞基準
電圧Ｖrefであれば、その時の出力電圧ＶBを基準電圧Ｖ
refから所定の時定数で下げていくようになっている。
このように、オペアンプ３６は、帰還系の中において一
定の出力を維持しようとするため、電圧ＶAと基準電圧
Ｖrefとを同電位にするようになっている。尚、所定の
時定数で積分されていく値は、オペアンプ３６の正の入
力側へ掛かる基準電圧Ｖrefである。
【００６８】又、この出力電圧ＶBの変化度合いを決定
する時定数は、コンデンサ３５，抵抗４０，４１，基準
電圧Ｖref等の持つ各値によって影響を受けるようにな
っている。そして、この時定数は、抵抗４０に直列して
アナログスイッチ３９が接続されているため、このスイ
ッチのオン／オフで時定数が変化するようになってい
る。即ち、アナログスイッチ３９のオフ時には、第１の
時定数、例えば、ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ（μＡ／μ
ｓｅｃ）で、オペアンプ３６の出力電圧ＶBが積分され
ていき、オン時には第２の時定数、例えば、ＴＣ ｍＶ
／ｓｅｃ（１００μＡ／μｓｅｃ）で積分が行なわれる
ようになっている。つまり、第２の時定数は、第１の時
定数よりも長くなるように設定されている。尚、時定数
が長い短いとは、この時定数により所定値に到達する時
間に着目した表現であり、つまり、この定数値が小さい
値で在るほど、時定数は長くなる。又、このような時定
数からも理解できるように、抵抗４０と抵抗４１の抵抗
値の比は、次のようになっている。
する時定数は、コンデンサ３５，抵抗４０，４１，基準
電圧Ｖref等の持つ各値によって影響を受けるようにな
っている。そして、この時定数は、抵抗４０に直列して
アナログスイッチ３９が接続されているため、このスイ
ッチのオン／オフで時定数が変化するようになってい
る。即ち、アナログスイッチ３９のオフ時には、第１の
時定数、例えば、ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ（μＡ／μ
ｓｅｃ）で、オペアンプ３６の出力電圧ＶBが積分され
ていき、オン時には第２の時定数、例えば、ＴＣ ｍＶ
／ｓｅｃ（１００μＡ／μｓｅｃ）で積分が行なわれる
ようになっている。つまり、第２の時定数は、第１の時
定数よりも長くなるように設定されている。尚、時定数
が長い短いとは、この時定数により所定値に到達する時
間に着目した表現であり、つまり、この定数値が小さい
値で在るほど、時定数は長くなる。又、このような時定
数からも理解できるように、抵抗４０と抵抗４１の抵抗
値の比は、次のようになっている。
【００６９】抵抗４０：抵抗４１＝１００：１ つまり、本回路では、抵抗４０を時定数の決定要素に加
えることをアナログスイッチ３９の制御によって選択で
きるため、時定数の異なる２つの帰還制御装置が設けら
れたようになっており、これらの一方が選択されて、そ
の時定数でレーザダイオード１１の光量が帰還制御され
るようになっている。
えることをアナログスイッチ３９の制御によって選択で
きるため、時定数の異なる２つの帰還制御装置が設けら
れたようになっており、これらの一方が選択されて、そ
の時定数でレーザダイオード１１の光量が帰還制御され
るようになっている。
【００７０】アナログスイッチ３４は、ＣＰＵの制御に
よってオン状態となると、アンプ３６をショートさせる
ように接続されている。アナログスイッチ３９は、上記
に述べたように、抵抗４０の接続をオン／オフとするよ
うに接続されており、その制御は、コンパレータ４５か
らの出力（図１０の参照）によって行なわれるように
なっている。
よってオン状態となると、アンプ３６をショートさせる
ように接続されている。アナログスイッチ３９は、上記
に述べたように、抵抗４０の接続をオン／オフとするよ
うに接続されており、その制御は、コンパレータ４５か
らの出力（図１０の参照）によって行なわれるように
なっている。
【００７１】トランジスタ３１は、コレクタをレーザダ
イオード１１の順方向の出力側に接続され、ベースがレ
ーザダイオード１１の発光量を制御するための信号電圧
ＶBを、抵抗３２を介して信号電流ＩBとして受けるよう
に接続されており、更に、エミッタ電流がアースされる
ようになっている。又、トランジスタ３１のベースに
は、抵抗３２の他に分岐して抵抗３３が接続されてお
り、この抵抗３３はエミッタと同様にアースされてい
る。即ち、トランジスタ３１は、レーザダイオード１１
からのコレクタ信号電流ＩOPの値を、ベース信号電流Ｉ
Bの値にほぼ比例した量に制御して受けるようになって
いる。
イオード１１の順方向の出力側に接続され、ベースがレ
ーザダイオード１１の発光量を制御するための信号電圧
ＶBを、抵抗３２を介して信号電流ＩBとして受けるよう
に接続されており、更に、エミッタ電流がアースされる
ようになっている。又、トランジスタ３１のベースに
は、抵抗３２の他に分岐して抵抗３３が接続されてお
り、この抵抗３３はエミッタと同様にアースされてい
る。即ち、トランジスタ３１は、レーザダイオード１１
からのコレクタ信号電流ＩOPの値を、ベース信号電流Ｉ
Bの値にほぼ比例した量に制御して受けるようになって
いる。
【００７２】コンパレータ４５は、アンプ３８からレー
ザダイオード１１の光量に対応した電圧ＶAと、基準電
圧源４２からの基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電圧
とを比較して、電圧ＶA＜基準電圧Ｖrefの９０パーセン
トならば出力がＨレベルとなり、電圧ＶA＞基準電圧Ｖ
refの９０パーセントならば出力がＬレベルとなるもの
である。
ザダイオード１１の光量に対応した電圧ＶAと、基準電
圧源４２からの基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電圧
とを比較して、電圧ＶA＜基準電圧Ｖrefの９０パーセン
トならば出力がＨレベルとなり、電圧ＶA＞基準電圧Ｖ
refの９０パーセントならば出力がＬレベルとなるもの
である。
【００７３】つまり、このコンパレータ４５は、外部フ
ォトダイオード１２からのモニタ結果に基づき、上述の
オペアンプ３６の出力電圧ＶBの増減速度を決める時定
数を自動的に選択するものである。すなわち、外部フォ
トダイオード１２からのモニタ結果が、所定光量ｑ（基
準電圧Ｖref×０．９によって示される：ｑは基準電 圧
Ｖ ref に対応する光量よりも少ない光量、即ち、Ｖ ref ×
０．９に対応する光量となる）以下のときは、抵抗４０
を加えた場合の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃの制御モードを
選択する一方、所定光量ｑよりも大きいときは、抵抗４
０を省いた場合の時定数ＴＣ ／１００ｍＶ／ｓｅｃの
制御モードを選択するようになっている。
ォトダイオード１２からのモニタ結果に基づき、上述の
オペアンプ３６の出力電圧ＶBの増減速度を決める時定
数を自動的に選択するものである。すなわち、外部フォ
トダイオード１２からのモニタ結果が、所定光量ｑ（基
準電圧Ｖref×０．９によって示される：ｑは基準電 圧
Ｖ ref に対応する光量よりも少ない光量、即ち、Ｖ ref ×
０．９に対応する光量となる）以下のときは、抵抗４０
を加えた場合の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃの制御モードを
選択する一方、所定光量ｑよりも大きいときは、抵抗４
０を省いた場合の時定数ＴＣ ／１００ｍＶ／ｓｅｃの
制御モードを選択するようになっている。
【００７４】尚、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電
圧を入力するコンパレータ４５の受信部は、抵抗４３と
抵抗４４の間に選択されており、又、この抵抗４３は、
基準電圧源４２の出力側に接続されている。更に、抵抗
４４は、先の抵抗３３と同様にアースされている。即
ち、これらの抵抗４３，４４は、基準電圧源４２からの
基準電圧Ｖrefを９０パーセントのものにするために設
けられたものである。
圧を入力するコンパレータ４５の受信部は、抵抗４３と
抵抗４４の間に選択されており、又、この抵抗４３は、
基準電圧源４２の出力側に接続されている。更に、抵抗
４４は、先の抵抗３３と同様にアースされている。即
ち、これらの抵抗４３，４４は、基準電圧源４２からの
基準電圧Ｖrefを９０パーセントのものにするために設
けられたものである。
【００７５】上述の構成により、外部フォトダイオード
１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉmが検出され
て、この電流Ｉmの値を元にＬＤ駆動電流ＩOPが制御さ
れて、レーザーの光量が一定に保たれる。以下、上記の
動作の詳細な説明を、図１０に示すように時間ａ〜時間
ｂ，時間ｂ〜時間ｃ，時間ｃ以降に分けて行なう。
１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉmが検出され
て、この電流Ｉmの値を元にＬＤ駆動電流ＩOPが制御さ
れて、レーザーの光量が一定に保たれる。以下、上記の
動作の詳細な説明を、図１０に示すように時間ａ〜時間
ｂ，時間ｂ〜時間ｃ，時間ｃ以降に分けて行なう。
【００７６】まず、時間ａ〜時間ｂの間の半導体レーザ
制御装置２０Ａの動作から説明する。即ち、図１０の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフになると、検出されたレーザ
ーの光量を示す電流Ｉmは、可変抵抗３７によって、そ
の時の光量に対応した電圧ＶAに分圧される。尚、この
場合においては、まだ、レーザー発振が行なわれていな
いため、電流Ｉmは電圧ＶCCのみに比例した値となって
いる。
制御装置２０Ａの動作から説明する。即ち、図１０の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフになると、検出されたレーザ
ーの光量を示す電流Ｉmは、可変抵抗３７によって、そ
の時の光量に対応した電圧ＶAに分圧される。尚、この
場合においては、まだ、レーザー発振が行なわれていな
いため、電流Ｉmは電圧ＶCCのみに比例した値となって
いる。
【００７７】すると、この電圧ＶAは、コンパレータ４
５によって、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電圧と
比較される。その結果、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の
電圧ＶA，コンパレータ４５出力（）に示されるよう
に、電圧ＶAは基準電圧Ｖrefよりも低いために、コンパ
レータ４５はＨレベルの信号を出力する。Ｈレベル出力
を受信したアナログスイッチ３９がオンとなることによ
り、抵抗４０が抵抗４１とともに並列に接続されて、電
圧ＶAが、これらの抵抗を介してオペアンプ３６とコン
デンサ３５へ掛かることになる。
５によって、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電圧と
比較される。その結果、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の
電圧ＶA，コンパレータ４５出力（）に示されるよう
に、電圧ＶAは基準電圧Ｖrefよりも低いために、コンパ
レータ４５はＨレベルの信号を出力する。Ｈレベル出力
を受信したアナログスイッチ３９がオンとなることによ
り、抵抗４０が抵抗４１とともに並列に接続されて、電
圧ＶAが、これらの抵抗を介してオペアンプ３６とコン
デンサ３５へ掛かることになる。
【００７８】この結果、オペアンプ３６の出力電圧ＶB
の増減における時定数は、ＴCｍＶ／ｓｅｃとなり、オ
ペアンプ３６は、その出力電圧ＶBを基準電圧Ｖrefから
所定の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。これに
より、トランジスタ３１のベースに掛かる電流ＩBも、
時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していき、これに従っ
て、トランジスタ３１のコレクタに掛かるＬＤ駆動電流
ＩOPも上昇していく。
の増減における時定数は、ＴCｍＶ／ｓｅｃとなり、オ
ペアンプ３６は、その出力電圧ＶBを基準電圧Ｖrefから
所定の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。これに
より、トランジスタ３１のベースに掛かる電流ＩBも、
時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していき、これに従っ
て、トランジスタ３１のコレクタに掛かるＬＤ駆動電流
ＩOPも上昇していく。
【００７９】このようにして、レーザダイオード１１に
対して、所定の電流変化速度で増加していく電流を送る
ことができるのである。但し、時間ｂ以前では、電圧Ｖ
Bは、しきい値α（図１０のα参照）を越えないため、
レーザダイオード１１はレーザー発振を行なわない。そ
して、図１０の時間ｂに示すように、オペアンプ３６の
出力電圧ＶBの増加により、電圧ＶBが、レーザダイオー
ド１１に対するしきい値αを越えると、即ち、モニタ電
圧ＶAが時間ｂでの電圧を越えると、レーザダイオード
１１はレーザー発振を起こすのである。そののちも、電
圧ＶAが基準電圧Ｖrefと等しくなるまで、オペアンプ３
６の出力電圧ＶBは、時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで増加して
いく。
対して、所定の電流変化速度で増加していく電流を送る
ことができるのである。但し、時間ｂ以前では、電圧Ｖ
Bは、しきい値α（図１０のα参照）を越えないため、
レーザダイオード１１はレーザー発振を行なわない。そ
して、図１０の時間ｂに示すように、オペアンプ３６の
出力電圧ＶBの増加により、電圧ＶBが、レーザダイオー
ド１１に対するしきい値αを越えると、即ち、モニタ電
圧ＶAが時間ｂでの電圧を越えると、レーザダイオード
１１はレーザー発振を起こすのである。そののちも、電
圧ＶAが基準電圧Ｖrefと等しくなるまで、オペアンプ３
６の出力電圧ＶBは、時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで増加して
いく。
【００８０】続いて、時間ｂ〜時間ｃの間においては、
以下の処理が行なわれる。即ち、レーザダイオード１１
のレーザー発振により、外部フォトダイオード１２から
の電流Ｉmが、電圧ＶCCと光量とに比例して増加する。
そして、可変抵抗３７とオペアンプ３８によって、この
電流Ｉmは、その時の光量に対応した電圧ＶAに分圧され
て、オペアンプ３６とコンパレータ４５の負の入力側へ
掛かる。当然のことながら、この電圧ＶAも電流Ｉmに比
例して増加していく。
以下の処理が行なわれる。即ち、レーザダイオード１１
のレーザー発振により、外部フォトダイオード１２から
の電流Ｉmが、電圧ＶCCと光量とに比例して増加する。
そして、可変抵抗３７とオペアンプ３８によって、この
電流Ｉmは、その時の光量に対応した電圧ＶAに分圧され
て、オペアンプ３６とコンパレータ４５の負の入力側へ
掛かる。当然のことながら、この電圧ＶAも電流Ｉmに比
例して増加していく。
【００８１】しかし、時間ｂ〜時間ｃの間において、電
圧ＶAは、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電圧よりも
低いため、先に続いて抵抗４０は接続されたままであ
る。この結果、この区間では、オペアンプ３６の出力電
圧ＶBも、引き続いて時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇して
いく。この結果、ＬＤ駆動電流ＩOPとともにレーザダイ
オード１１のレーザー出力も、時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃ
で上昇していく。
圧ＶAは、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの電圧よりも
低いため、先に続いて抵抗４０は接続されたままであ
る。この結果、この区間では、オペアンプ３６の出力電
圧ＶBも、引き続いて時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇して
いく。この結果、ＬＤ駆動電流ＩOPとともにレーザダイ
オード１１のレーザー出力も、時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃ
で上昇していく。
【００８２】そして、時間ｃに示すように、電圧ＶAが
基準電圧Ｖrefの９０パーセントと等しくなると、コン
パレータ４５はＬレベルを出力して、アナログスイッチ
３９をオフにする。これにより、時間ｃ以降において
は、抵抗４０は切断されて、時定数がＴCｍＶ／ｓｅｃ
からＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃへ切り替わり、オペアン
プ３６の出力電圧ＶBは、この時定数で変化していくこ
とになる。尚、この時点での電圧ＶBは、レーザダイオ
ード１１に所定光量ｐを発光させるだけの値よりも、僅
かに低い値となっている。
基準電圧Ｖrefの９０パーセントと等しくなると、コン
パレータ４５はＬレベルを出力して、アナログスイッチ
３９をオフにする。これにより、時間ｃ以降において
は、抵抗４０は切断されて、時定数がＴCｍＶ／ｓｅｃ
からＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃへ切り替わり、オペアン
プ３６の出力電圧ＶBは、この時定数で変化していくこ
とになる。尚、この時点での電圧ＶBは、レーザダイオ
ード１１に所定光量ｐを発光させるだけの値よりも、僅
かに低い値となっている。
【００８３】そして、時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ
でオペアンプ３６の出力電圧ＶBが上昇していき、オペ
アンプ３６の正負の入力側に掛かる各電圧ＶA，Ｖrefが
同電位になると（図１０の時間ｄを参照）、オペアンプ
３６の出力電圧ＶBは、所定光量ｐを発するための一定
値となる。このような所定値に達すると、オペアンプ３
６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対して、
この所定値を保持するように上記の時定数ＴC／１００
ｍＶ／ｓｅｃで補正を行なう。これにより、時定数ＴC
ｍＶ／ｓｅｃで行なわれるような、急な速度による補正
ではなく、適度な変化速度でレーザー出力が補正され
る。
でオペアンプ３６の出力電圧ＶBが上昇していき、オペ
アンプ３６の正負の入力側に掛かる各電圧ＶA，Ｖrefが
同電位になると（図１０の時間ｄを参照）、オペアンプ
３６の出力電圧ＶBは、所定光量ｐを発するための一定
値となる。このような所定値に達すると、オペアンプ３
６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対して、
この所定値を保持するように上記の時定数ＴC／１００
ｍＶ／ｓｅｃで補正を行なう。これにより、時定数ＴC
ｍＶ／ｓｅｃで行なわれるような、急な速度による補正
ではなく、適度な変化速度でレーザー出力が補正され
る。
【００８４】その結果、トランジスタ３１のベースへ送
られる信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流Ｉ
OPが所定光量ｐを発光させるための値に保持される。
又、レーザダイオード１１が、基準電圧Ｖrefによる所
定光量ｐで発光している時に、何らかの事情で帰還系に
ノイズが乗ってしまっても、時定数が上記所定光量ｐ発
生する所定値付近では、ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃとい
った小さな値に切り換えられているため、オペアンプ３
６出力は急激に変化することがなく、レーザダイオード
１１の異常発光が防がれる。
られる信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流Ｉ
OPが所定光量ｐを発光させるための値に保持される。
又、レーザダイオード１１が、基準電圧Ｖrefによる所
定光量ｐで発光している時に、何らかの事情で帰還系に
ノイズが乗ってしまっても、時定数が上記所定光量ｐ発
生する所定値付近では、ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃとい
った小さな値に切り換えられているため、オペアンプ３
６出力は急激に変化することがなく、レーザダイオード
１１の異常発光が防がれる。
【００８５】然も、上記の所定光量ｐ付近に達するまで
の間においては、時定数は、ＴCｍＶ／ｓｅｃであるた
め、オペアンプ３６出力は、遅くも無く早くも無く適度
な速度で、所定光量を発する値付近へ到達することがで
きるのである。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナ
ログスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出
力は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフに
なるためレーザーは消灯する。
の間においては、時定数は、ＴCｍＶ／ｓｅｃであるた
め、オペアンプ３６出力は、遅くも無く早くも無く適度
な速度で、所定光量を発する値付近へ到達することがで
きるのである。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナ
ログスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出
力は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフに
なるためレーザーは消灯する。
【００８６】このように、第１実施例によれば、レーザ
ダイオード１１の光量が基準値に対応する光量よりも少
ない所定光量以下のときは、抵抗４０を加えた第１帰還
制御手段による制御モードを選択して、第１の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御し、又、上記所定光量よ
りも大きいときは、抵抗４０を省いた第２帰還制御手段
による制御モードを選択して、第１の時定数よりも長い
第２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する
ことにより、レーザダイオード１１の発光量に応じた帰
還制御が可能となる。然も、このような効果を、従来の
半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで得
ることができ、コスト的にも優れた効果が得られる。
ダイオード１１の光量が基準値に対応する光量よりも少
ない所定光量以下のときは、抵抗４０を加えた第１帰還
制御手段による制御モードを選択して、第１の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御し、又、上記所定光量よ
りも大きいときは、抵抗４０を省いた第２帰還制御手段
による制御モードを選択して、第１の時定数よりも長い
第２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する
ことにより、レーザダイオード１１の発光量に応じた帰
還制御が可能となる。然も、このような効果を、従来の
半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで得
ることができ、コスト的にも優れた効果が得られる。
【００８７】（ｂ）第２実施例の説明 図１１は本発明の第２実施例を示すブロック図で、この
図１１において、２０Ｂは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｂは、電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザ の光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗
３７，抵抗３２，３３，４０，４１，タイマ５０をそな
えて構成されている。
図１１において、２０Ｂは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｂは、電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザ の光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗
３７，抵抗３２，３３，４０，４１，タイマ５０をそな
えて構成されている。
【００８８】これらの各装置において、第１実施例の半
導体レーザ制御装置２０Ａを構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。つまり、この
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、第１実施例の半導体レ
ーザ制御装置２０Ａから、制御モード選択手段としての
コンパレータ４５、および抵抗４３，４４を省き、その
代わりに、ＣＰＵのアナログスイッチ３４への制御信号
を受信するようにタイマ５０を設け、これをアナログス
イッチ３９に接続したものである。
導体レーザ制御装置２０Ａを構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。つまり、この
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、第１実施例の半導体レ
ーザ制御装置２０Ａから、制御モード選択手段としての
コンパレータ４５、および抵抗４３，４４を省き、その
代わりに、ＣＰＵのアナログスイッチ３４への制御信号
を受信するようにタイマ５０を設け、これをアナログス
イッチ３９に接続したものである。
【００８９】そして、このタイマ５０は、ＣＰＵのアナ
ログスイッチ３４に対するオン／オフ制御信号がＬレベ
ルになると起動して、予め設定されている所定時間ｃ
（この所定時間ｃは、図１０に示すように、基準電圧Ｖ
ref に対応する光量よりも少ない光量、即ちＶ ref ×０．
９に対応する光量に到達すべき時間）が経過すると、Ｌ
レベル信号を出力するものである。つまり、タイマ５０
は、ＣＰＵからＬレベル信号を受信して所定時間ｃが経
過すると、Ｌレベル信号を出力するようになっている。
ログスイッチ３４に対するオン／オフ制御信号がＬレベ
ルになると起動して、予め設定されている所定時間ｃ
（この所定時間ｃは、図１０に示すように、基準電圧Ｖ
ref に対応する光量よりも少ない光量、即ちＶ ref ×０．
９に対応する光量に到達すべき時間）が経過すると、Ｌ
レベル信号を出力するものである。つまり、タイマ５０
は、ＣＰＵからＬレベル信号を受信して所定時間ｃが経
過すると、Ｌレベル信号を出力するようになっている。
【００９０】尚、上記の所定時間ｃは、図１０に示すよ
うに、抵抗４０を加えた場合の時定数１ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１が所定光量ｑに到達する時間
よりも、長い時間として設定されている。このような構
成により、ＣＰＵからのＬレベル信号が、アナログスイ
ッチ３４とタイマ５０へ送られて来ると、半導体レーザ
制御装置２０Ｂが起動して、これと同時にタイマ５０も
所定時間ｃのカウントを開始する。
うに、抵抗４０を加えた場合の時定数１ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１が所定光量ｑに到達する時間
よりも、長い時間として設定されている。このような構
成により、ＣＰＵからのＬレベル信号が、アナログスイ
ッチ３４とタイマ５０へ送られて来ると、半導体レーザ
制御装置２０Ｂが起動して、これと同時にタイマ５０も
所定時間ｃのカウントを開始する。
【００９１】そして、時間ｂになると、図１０に示すよ
うに、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶBは、
しきい値αを越えるので、半導体レーザ１１へ送られる
ＬＤ駆動電流ＩOPにより、半導体レーザ１１が発光す
る。所定時間ｃが経過するまでは、タイマ５０によっ
て、アナログスイッチ３９がオンとなっているので、抵
抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態となってい
る。
うに、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶBは、
しきい値αを越えるので、半導体レーザ１１へ送られる
ＬＤ駆動電流ＩOPにより、半導体レーザ１１が発光す
る。所定時間ｃが経過するまでは、タイマ５０によっ
て、アナログスイッチ３９がオンとなっているので、抵
抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態となってい
る。
【００９２】これにより、この間においては、時定数Ｔ
CｍＶ／ｓｅｃによる制御モードが選択されることにな
り、この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶBが上
昇していく（図１０の開始時間ａ〜時間ｃ）。つまり、
この時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで、レーザダイオード１１
の光量の帰還制御が行なわれる。そして、所定光量ｑを
越えて所定時間ｃに達すると、タイマ５０はＬレベル信
号を出力して、アナログスイッチ３９をオフとするた
め、抵抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態から
切断された状態となる。
CｍＶ／ｓｅｃによる制御モードが選択されることにな
り、この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶBが上
昇していく（図１０の開始時間ａ〜時間ｃ）。つまり、
この時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで、レーザダイオード１１
の光量の帰還制御が行なわれる。そして、所定光量ｑを
越えて所定時間ｃに達すると、タイマ５０はＬレベル信
号を出力して、アナログスイッチ３９をオフとするた
め、抵抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態から
切断された状態となる。
【００９３】この結果、時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅ
ｃによる制御モードが選択されることになり、今度は、
この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶBが上昇し
ていく。つまり、この時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１の光量の帰還制御が行なわれ
る（図１０の所定時間ｃ以降を参照）。そののち、オペ
アンプ３６は、電圧ＶBを時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅ
ｃでゆっくりと上昇させていき、レーザダイオード１１
が所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。以
下においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領
で、各処理が行なわれて行く。
ｃによる制御モードが選択されることになり、今度は、
この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶBが上昇し
ていく。つまり、この時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１の光量の帰還制御が行なわれ
る（図１０の所定時間ｃ以降を参照）。そののち、オペ
アンプ３６は、電圧ＶBを時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅ
ｃでゆっくりと上昇させていき、レーザダイオード１１
が所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。以
下においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領
で、各処理が行なわれて行く。
【００９４】又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。このように、この第２実施
例によれば、第１の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃによって、
半導体レーザ１１が所定光量に到達する時間よりも、長
い時間の所定時間ｃで第１と第２の時定数を切り換える
ことにより、より単純な構成で、又、従来例の半導体レ
ーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得ら
れ、又、コスト性においても優れている。
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。このように、この第２実施
例によれば、第１の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃによって、
半導体レーザ１１が所定光量に到達する時間よりも、長
い時間の所定時間ｃで第１と第２の時定数を切り換える
ことにより、より単純な構成で、又、従来例の半導体レ
ーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得ら
れ、又、コスト性においても優れている。
【００９５】（ｃ）第３実施例の説明 図１２は本発明の第３実施例を示すブロック図で、この
図１２において、２０Ｃは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｃは、電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可
変抵抗３７，５３，抵抗３２，３３，５１，５４，５
５，コンパレータ４５によって構成されている。
図１２において、２０Ｃは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｃは、電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可
変抵抗３７，５３，抵抗３２，３３，５１，５４，５
５，コンパレータ４５によって構成されている。
【００９６】これらの各装置において、第１，２実施例
の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂを構成する各装
置と同じ符号を持つものは、それらと同じものである。
つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、第２実施
例の半導体レーザ制御装置２０Ｂからタイマ５０を省
き、その代わりに、制御モード選択手段としての、基準
電圧源５２，可変抵抗５３，コンパレータ４５，抵抗５
１をそなえている。又、抵抗４０，４１の代わりに、抵
抗５４，５５をそなえている。
の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂを構成する各装
置と同じ符号を持つものは、それらと同じものである。
つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、第２実施
例の半導体レーザ制御装置２０Ｂからタイマ５０を省
き、その代わりに、制御モード選択手段としての、基準
電圧源５２，可変抵抗５３，コンパレータ４５，抵抗５
１をそなえている。又、抵抗４０，４１の代わりに、抵
抗５４，５５をそなえている。
【００９７】そして、上記のコンパレータ４５の正の入
力側は、基準電圧源５２から基準電圧Ｖｒｅｆ を、可
変抵抗５３で分圧されてから受けるように接続されてお
り、また、負の入力側は、トランジスタ３１のエミッタ
出力を受けるように接続されている。さらに、コンパレ
ータ４５の出力側は、アナログスイッチ３９に接続され
ている。即ち、このコンパレータ４５は、基準電圧源５
２，可変抵抗５３、そして抵抗５１により、正負の入力
に掛かる電圧を比較した結果、エミッタ出力が、コレク
タ出力に所定光量ｒを発生させるレベルに達すると、Ｌ
レベル信号を出力するようになっている。
力側は、基準電圧源５２から基準電圧Ｖｒｅｆ を、可
変抵抗５３で分圧されてから受けるように接続されてお
り、また、負の入力側は、トランジスタ３１のエミッタ
出力を受けるように接続されている。さらに、コンパレ
ータ４５の出力側は、アナログスイッチ３９に接続され
ている。即ち、このコンパレータ４５は、基準電圧源５
２，可変抵抗５３、そして抵抗５１により、正負の入力
に掛かる電圧を比較した結果、エミッタ出力が、コレク
タ出力に所定光量ｒを発生させるレベルに達すると、Ｌ
レベル信号を出力するようになっている。
【００９８】尚、所定光量ｒは、所定光量ｐより少し低
い値に設定されており、言い換えると、コレクタ電流
（ＬＤ駆動電流ＩOP）が、レーザダイオード１１に所定
光量ｒを発生させるときの値（所定ＬＤ駆動電流値Ｉ
OPR）は、所定光量ｐを発生させる電流値（所定ＬＤ駆
動電流値ＩOPp）よりも、少し低い値に設定されている
のである。即ち、上記の所定ＬＤ駆動電流値Ｉ OPR は、
基準電圧Ｖ ref に対応する光量よりも少ない光量を生じ
させる電流値として設定されている。
い値に設定されており、言い換えると、コレクタ電流
（ＬＤ駆動電流ＩOP）が、レーザダイオード１１に所定
光量ｒを発生させるときの値（所定ＬＤ駆動電流値Ｉ
OPR）は、所定光量ｐを発生させる電流値（所定ＬＤ駆
動電流値ＩOPp）よりも、少し低い値に設定されている
のである。即ち、上記の所定ＬＤ駆動電流値Ｉ OPR は、
基準電圧Ｖ ref に対応する光量よりも少ない光量を生じ
させる電流値として設定されている。
【００９９】又、抵抗４０，４１の代わりにそなえられ
た抵抗５４，５５は、この装置２０Ｃのオペアンプ３６
の出力の時定数を、例えば、１０ＴCｍＶ／ｓｅｃある
いはＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃとするためのものであ
る。つまり、抵抗５４が抵抗５５に並列に接続されてい
るときは、時定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃとなり、抵抗５
４が抵抗５５から切断されているときは、時定数ＴC／
１００ｍＶ／ｓｅｃとなるようになっている。
た抵抗５４，５５は、この装置２０Ｃのオペアンプ３６
の出力の時定数を、例えば、１０ＴCｍＶ／ｓｅｃある
いはＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃとするためのものであ
る。つまり、抵抗５４が抵抗５５に並列に接続されてい
るときは、時定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃとなり、抵抗５
４が抵抗５５から切断されているときは、時定数ＴC／
１００ｍＶ／ｓｅｃとなるようになっている。
【０１００】これにより、半導体レーザ制御装置２０Ｃ
は、レーザダイオード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが基準値
に対応する光量よりも少ない光量を生じさせる所定駆動
電流以下のときは、第１の時定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃ
でレーザダイオード１１の光量を帰還制御し、又、ＬＤ
駆動電流ＩOPが上記所定駆動電流よりも大きいときは、
第２の時定数ＴC１００ｍＶ／ｓｅｃでレーザダイオー
ド１１の光量を帰還制御するようになっているのであ
る。
は、レーザダイオード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが基準値
に対応する光量よりも少ない光量を生じさせる所定駆動
電流以下のときは、第１の時定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃ
でレーザダイオード１１の光量を帰還制御し、又、ＬＤ
駆動電流ＩOPが上記所定駆動電流よりも大きいときは、
第２の時定数ＴC１００ｍＶ／ｓｅｃでレーザダイオー
ド１１の光量を帰還制御するようになっているのであ
る。
【０１０１】上述の構成により、図１３の，に示す
ように、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオフになると、検出されたレーザーの光量を示
す電流Ｉmは、可変抵抗３７によって、その時の光量に
対応した電圧ＶAに分圧される。そして、時間ｆになる
までは、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧Ｖ
Bは、エミッタ電流が所定光量ｒを発生させる値に達し
ないために、コンパレータ４５は、Ｈレベル信号を出力
する。これにより、抵抗４０が抵抗４１に並列に接続さ
れた状態となり、時間ｆまでのオペアンプ３６の出力電
圧ＶBは、時定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。
ように、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオフになると、検出されたレーザーの光量を示
す電流Ｉmは、可変抵抗３７によって、その時の光量に
対応した電圧ＶAに分圧される。そして、時間ｆになる
までは、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧Ｖ
Bは、エミッタ電流が所定光量ｒを発生させる値に達し
ないために、コンパレータ４５は、Ｈレベル信号を出力
する。これにより、抵抗４０が抵抗４１に並列に接続さ
れた状態となり、時間ｆまでのオペアンプ３６の出力電
圧ＶBは、時定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。
【０１０２】このため、時間ｆになると、トランジスタ
３１のベースに掛かる電圧ＶBの上昇により、エミッタ
電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量ｒを発生
する値に到達する。その結果、コンパレータ４５からＬ
レベル信号が、アナログスイッチ３９へ出力されて、抵
抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断される。
これにより、時間ｆ以降のオペアンプ３６の出力電圧Ｖ
Bは、時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していくこ
とになる。
３１のベースに掛かる電圧ＶBの上昇により、エミッタ
電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量ｒを発生
する値に到達する。その結果、コンパレータ４５からＬ
レベル信号が、アナログスイッチ３９へ出力されて、抵
抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断される。
これにより、時間ｆ以降のオペアンプ３６の出力電圧Ｖ
Bは、時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していくこ
とになる。
【０１０３】そして、時間ｂに達すると、オペアンプ３
６の出力電圧ＶBの電圧ＶBが、レーザダイオード１１に
対するしきい値αを越え、レーザダイオード１１はレー
ザー発振を起こすのである。そののち、オペアンプ３６
は、電圧ＶBを時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆっく
りと上昇させていき、時間ｅでレーザダイオード１１が
所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。以下
においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、
各処理が行なわれて行く。
６の出力電圧ＶBの電圧ＶBが、レーザダイオード１１に
対するしきい値αを越え、レーザダイオード１１はレー
ザー発振を起こすのである。そののち、オペアンプ３６
は、電圧ＶBを時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆっく
りと上昇させていき、時間ｅでレーザダイオード１１が
所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。以下
においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、
各処理が行なわれて行く。
【０１０４】又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯するこのように、レーザダイオー
ド１１の駆動電流が基準値に対応する光量よりも少ない
光量を生じさせる所定値に達すると、第１の時定数１０
ＴCｍＶ／ｓｅｃから第２の時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓ
ｅｃへ切り換えることにより、従来例の半導体レーザ制
御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実施例の
半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得られるの
である。
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯するこのように、レーザダイオー
ド１１の駆動電流が基準値に対応する光量よりも少ない
光量を生じさせる所定値に達すると、第１の時定数１０
ＴCｍＶ／ｓｅｃから第２の時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓ
ｅｃへ切り換えることにより、従来例の半導体レーザ制
御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実施例の
半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得られるの
である。
【０１０５】然も、半導体レーザ１１のＬＤ駆動電流Ｉ
OPを直接的に測定しているので、仮にメインの帰還系に
異常が生じたとしても、的確なタイミングで時定数を切
り換えることができる。更に、電源オン状態後は、二次
曲線特性で素早くＬＤ駆動電流ＩOPを、所定光量ｐを発
生させる値付近に持っていくことができる。
OPを直接的に測定しているので、仮にメインの帰還系に
異常が生じたとしても、的確なタイミングで時定数を切
り換えることができる。更に、電源オン状態後は、二次
曲線特性で素早くＬＤ駆動電流ＩOPを、所定光量ｐを発
生させる値付近に持っていくことができる。
【０１０６】（ｄ）第４実施例の説明 図１４は本発明の第４実施例を示すブロック図で、この
図１４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｄは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，４８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可
変抵抗３７，５３，抵抗３２，３３，４１，４３，４
４，４７，５１，５４，５５，コンパレータ４５，４６
Ｄをそなえて構成されている。
図１４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｄは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，４８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可
変抵抗３７，５３，抵抗３２，３３，４１，４３，４
４，４７，５１，５４，５５，コンパレータ４５，４６
Ｄをそなえて構成されている。
【０１０７】これらの各装置において、第１，２，３実
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを
構成する各装置と同じ符号を持つものは、それらと同じ
ものである。つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｄ
は、第３実施例の半導体レーザ制御装置２０Ｃの制御モ
ード選択手段として機能する、基準電圧源５２，可変抵
抗５３，コンパレータ４５，抵抗５１を、第１実施例の
半導体レーザ制御装置２０Ａに加えた構成になってい
る。
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを
構成する各装置と同じ符号を持つものは、それらと同じ
ものである。つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｄ
は、第３実施例の半導体レーザ制御装置２０Ｃの制御モ
ード選択手段として機能する、基準電圧源５２，可変抵
抗５３，コンパレータ４５，抵抗５１を、第１実施例の
半導体レーザ制御装置２０Ａに加えた構成になってい
る。
【０１０８】又、先の実施例では、第１，第２帰還制御
手段として機能する、抵抗４０，４１およびアナログス
イッチ３４に、抵抗４０と同様の要領で抵抗４７が並列
に接続されている。更に、この抵抗４７は、スイッチ４
８を直列に接続されており、このスイッチ４８は、コン
パレータ４６Ｄの出力でオン／オフ制御されるように接
続されている。
手段として機能する、抵抗４０，４１およびアナログス
イッチ３４に、抵抗４０と同様の要領で抵抗４７が並列
に接続されている。更に、この抵抗４７は、スイッチ４
８を直列に接続されており、このスイッチ４８は、コン
パレータ４６Ｄの出力でオン／オフ制御されるように接
続されている。
【０１０９】尚、この抵抗４７の抵抗値は、抵抗４１と
同じ値となっており、又、アナログスイッチ４８は、ア
ナログスイッチ３４，３９と同じものであり、コンパレ
ータ４６Ｄは、コンパレータ４５と同じものである。
又、抵抗４０，４１，４７は、この装置２０Ｄのオペア
ンプ３６の出力の時定数を、１０ＴCｍＶ／ｓｅｃ（第
１の時定数）あるいはＴCｍＶ／ｓｅｃ（第２の時定
数）、またはＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ（第３の時定
数）とするためのものである。つまり、抵抗４０と抵抗
４７とが、抵抗４１に並列に接続されているときは、時
定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃとなり、第１帰還制御手段と
して機能するようになっている。又、抵抗４７がアナロ
グスイッチ４８により切断されていて、抵抗４１が抵抗
４０に並列に接続されているときは、時定数ＴCｍＶ／
ｓｅｃとなり、第２帰還制御手段として機能するように
なっている。更に、抵抗４０，４７がアナログスイッチ
３９，４８により、抵抗４１から切断されているとき
は、時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃとなり、第３帰還
制御手段として機能するようになっている。尚、上記に
示すように、第３の時定数は第２の時定数よりも長く、
且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長くなるよ
うに設定されている。
同じ値となっており、又、アナログスイッチ４８は、ア
ナログスイッチ３４，３９と同じものであり、コンパレ
ータ４６Ｄは、コンパレータ４５と同じものである。
又、抵抗４０，４１，４７は、この装置２０Ｄのオペア
ンプ３６の出力の時定数を、１０ＴCｍＶ／ｓｅｃ（第
１の時定数）あるいはＴCｍＶ／ｓｅｃ（第２の時定
数）、またはＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃ（第３の時定
数）とするためのものである。つまり、抵抗４０と抵抗
４７とが、抵抗４１に並列に接続されているときは、時
定数１０ＴCｍＶ／ｓｅｃとなり、第１帰還制御手段と
して機能するようになっている。又、抵抗４７がアナロ
グスイッチ４８により切断されていて、抵抗４１が抵抗
４０に並列に接続されているときは、時定数ＴCｍＶ／
ｓｅｃとなり、第２帰還制御手段として機能するように
なっている。更に、抵抗４０，４７がアナログスイッチ
３９，４８により、抵抗４１から切断されているとき
は、時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃとなり、第３帰還
制御手段として機能するようになっている。尚、上記に
示すように、第３の時定数は第２の時定数よりも長く、
且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長くなるよ
うに設定されている。
【０１１０】又、これらの抵抗４０，４１，４７を選択
するためのコンパレータ４５，４６Ｄを始めとする各装
置が駆動電流測定手段，制御モード選択手段となってい
る。即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPと所定光量の測定結果に基
づき、所定ＬＤ駆動電流値ＩOPR以下のときは、第１帰
還制御手段による制御モードを選択し、所定ＬＤ駆動電
流値ＩOPRよりも大きいときは、第２帰還制御手段によ
る制御モードを選択するようになっている。又、レーザ
ダイオード１１の光量が所定光量ｑよりも大きいとき
は、上記駆動電流Ｉ OPR に基づいて設定される時定数で
の光量帰還制御に優先して、第３帰還制御手段による制
御モードを選択するようになっている。
するためのコンパレータ４５，４６Ｄを始めとする各装
置が駆動電流測定手段，制御モード選択手段となってい
る。即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPと所定光量の測定結果に基
づき、所定ＬＤ駆動電流値ＩOPR以下のときは、第１帰
還制御手段による制御モードを選択し、所定ＬＤ駆動電
流値ＩOPRよりも大きいときは、第２帰還制御手段によ
る制御モードを選択するようになっている。又、レーザ
ダイオード１１の光量が所定光量ｑよりも大きいとき
は、上記駆動電流Ｉ OPR に基づいて設定される時定数で
の光量帰還制御に優先して、第３帰還制御手段による制
御モードを選択するようになっている。
【０１１１】尚、第３の実施例で述べたように、所定光
量ｒを発生させるトランジスタ３１のコレクタ電流（所
定ＬＤ駆動電流値ＩOPR）は、所定光量ｐを発生させる
コレクタ電流（所定ＬＤ駆動電流値ＩOPp）より少し低
い値に設定されている。上述の構成により、図１５の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフになると、検出されたレーザ
ーの光量を示す電流Ｉmは、可変抵抗３７によって、そ
の時の光量に対応した電圧ＶAに分圧される。
量ｒを発生させるトランジスタ３１のコレクタ電流（所
定ＬＤ駆動電流値ＩOPR）は、所定光量ｐを発生させる
コレクタ電流（所定ＬＤ駆動電流値ＩOPp）より少し低
い値に設定されている。上述の構成により、図１５の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフになると、検出されたレーザ
ーの光量を示す電流Ｉmは、可変抵抗３７によって、そ
の時の光量に対応した電圧ＶAに分圧される。
【０１１２】そして、時間ｆになるまでは、トランジス
タ３１のベースに掛かる電圧ＶBにより発生する半導体
レーザ１１のＬＤ駆動電流ＩOPが、所定ＬＤ駆動電流値
ＩOPR以下であるため、第１帰還制御手段による制御モ
ードが選択される。すなわち、第１の時定数１０ＴCｍ
Ｖ／ｓｅｃで、レーザダイオード１１の光量が帰還制御
行なわれて、オペアンプ３６の出力電圧ＶBがこの第１
の時定数で上昇していく。
タ３１のベースに掛かる電圧ＶBにより発生する半導体
レーザ１１のＬＤ駆動電流ＩOPが、所定ＬＤ駆動電流値
ＩOPR以下であるため、第１帰還制御手段による制御モ
ードが選択される。すなわち、第１の時定数１０ＴCｍ
Ｖ／ｓｅｃで、レーザダイオード１１の光量が帰還制御
行なわれて、オペアンプ３６の出力電圧ＶBがこの第１
の時定数で上昇していく。
【０１１３】そして、時間ｆになると、電圧ＶBの上昇
により、エミッタに流れるＬＤ駆動電流ＩOPが所定ＬＤ
駆動電流値ＩOPRに到達する。すると、コンパレータ４
６ＤからＬレベル信号が、アナログスイッチ４８へ出力
されて、抵抗４０，４１と並列に接続されていた抵抗４
７が切断される。これにより、第２帰還制御手段による
制御モードが選択されることになり、電圧ＶBは、第２
の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していくことになる。
により、エミッタに流れるＬＤ駆動電流ＩOPが所定ＬＤ
駆動電流値ＩOPRに到達する。すると、コンパレータ４
６ＤからＬレベル信号が、アナログスイッチ４８へ出力
されて、抵抗４０，４１と並列に接続されていた抵抗４
７が切断される。これにより、第２帰還制御手段による
制御モードが選択されることになり、電圧ＶBは、第２
の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃで上昇していくことになる。
【０１１４】そののち、時間ｂに達すると、オペアンプ
３６の出力電圧ＶB電圧ＶBが、レーザダイオード１１に
対するしきい値αを越えて、レーザダイオード１１はレ
ーザー発振を起こす。そして、時間ｃになると、トラン
ジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶBの上昇により、エ
ミッタ電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量ｑ
を発生する値に到達する。
３６の出力電圧ＶB電圧ＶBが、レーザダイオード１１に
対するしきい値αを越えて、レーザダイオード１１はレ
ーザー発振を起こす。そして、時間ｃになると、トラン
ジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶBの上昇により、エ
ミッタ電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量ｑ
を発生する値に到達する。
【０１１５】その結果、コンパレータ４５の負の入力に
掛かる電圧ＶAは、基準電圧Ｖrefの９０パーセントのも
のと等しくなり、コンパレータ４５からＬレベル信号
が、アナログスイッチ３９へ出力される。これにより、
抵抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断され
て、時間ｃ以降のオペアンプ３６の出力電圧は、第３の
時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。つま
り、この場合は、駆動電流Ｉ OP が所定駆動電流Ｉ OPR よ
りも大きく且つレーザダイオードの光量が所定光量ｑを
越えると、上記駆動電流Ｉ OPR に基づいて設定される時
定数での光量帰還制御に優先して、第３帰還制御手段に
よる制御モードが選択されるのである。
掛かる電圧ＶAは、基準電圧Ｖrefの９０パーセントのも
のと等しくなり、コンパレータ４５からＬレベル信号
が、アナログスイッチ３９へ出力される。これにより、
抵抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断され
て、時間ｃ以降のオペアンプ３６の出力電圧は、第３の
時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。つま
り、この場合は、駆動電流Ｉ OP が所定駆動電流Ｉ OPR よ
りも大きく且つレーザダイオードの光量が所定光量ｑを
越えると、上記駆動電流Ｉ OPR に基づいて設定される時
定数での光量帰還制御に優先して、第３帰還制御手段に
よる制御モードが選択されるのである。
【０１１６】そののち、オペアンプ３６は、電圧ＶBを
時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆっくりと上昇させ
ていき、時間ｇでレーザダイオード１１が所定光量ｐに
達すると、その時の電圧を保持する。以下においては、
先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が行な
われて行く。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。尚、電圧ＶBは、電圧ＶAと
近似しているので、図１５では省略してある。
時定数ＴC／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆっくりと上昇させ
ていき、時間ｇでレーザダイオード１１が所定光量ｐに
達すると、その時の電圧を保持する。以下においては、
先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が行な
われて行く。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖrefとなり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。尚、電圧ＶBは、電圧ＶAと
近似しているので、図１５では省略してある。
【０１１７】このように、レーザダイオード１１の駆動
電流が所定値ＩOPRに達すると、第１の時定数１０ＴCｍ
Ｖ／ｓｅｃから第２の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃへ切り換
え、更に、所定光量ｑに達すると、上記駆動電流Ｉ OPR
に基づいて設定される時定数での光量帰還制御に優先し
て、第２の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃから第３の時定数ＴC
／１００ｍＶ／ｓｅｃへ切り換えることにより、従来例
の半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけ
で、第１，３の実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと
同様の効果が得られるのである。更に、第３の実施例の
場合よりも、電源をオン状態としてから、より早くＬＤ
駆動電流ＩOPを、所定光量ｐを発生させる値付近に持っ
ていくことができる。
電流が所定値ＩOPRに達すると、第１の時定数１０ＴCｍ
Ｖ／ｓｅｃから第２の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃへ切り換
え、更に、所定光量ｑに達すると、上記駆動電流Ｉ OPR
に基づいて設定される時定数での光量帰還制御に優先し
て、第２の時定数ＴCｍＶ／ｓｅｃから第３の時定数ＴC
／１００ｍＶ／ｓｅｃへ切り換えることにより、従来例
の半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけ
で、第１，３の実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと
同様の効果が得られるのである。更に、第３の実施例の
場合よりも、電源をオン状態としてから、より早くＬＤ
駆動電流ＩOPを、所定光量ｐを発生させる値付近に持っ
ていくことができる。
【０１１８】（ｅ）第５実施例の説明 図１６は本発明の第５実施例を示すブロック図で、この
図１６において、２０Ｅは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｅが、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｅは、電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，コ
ンパレータ４５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，４
１，５４，５５，５６，５７をそなえて構成されてい
る。
図１６において、２０Ｅは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｅが、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｅは、電流によって光量制御が可能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，コ
ンパレータ４５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，４
１，５４，５５，５６，５７をそなえて構成されてい
る。
【０１１９】これらの各装置において、第１，２，３，
４実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０
Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つものは、
それらと同じものである。つまり、この半導体レーザ制
御装置２０Ｅは、第１実施例の半導体レーザ制御装置２
０Ａの抵抗４０，アナログスイッチ３９の代わりに、ア
ナログスイッチ５８，抵抗５４，５５，コンデンサ４９
をそなえている。
４実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０
Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つものは、
それらと同じものである。つまり、この半導体レーザ制
御装置２０Ｅは、第１実施例の半導体レーザ制御装置２
０Ａの抵抗４０，アナログスイッチ３９の代わりに、ア
ナログスイッチ５８，抵抗５４，５５，コンデンサ４９
をそなえている。
【０１２０】この抵抗５４は、その電流の入力側が、ア
ナログスイッチ５８を介して外部フォトダイオード１２
に接続されており、出力側は、可変抵抗３７とコンデン
サ４９とに接続されている。又、これらのアナログスイ
ッチ５８と抵抗５４とに並列して、抵抗５５が接続され
ており、この抵抗５５もコンデンサ４９に接続されてい
る。
ナログスイッチ５８を介して外部フォトダイオード１２
に接続されており、出力側は、可変抵抗３７とコンデン
サ４９とに接続されている。又、これらのアナログスイ
ッチ５８と抵抗５４とに並列して、抵抗５５が接続され
ており、この抵抗５５もコンデンサ４９に接続されてい
る。
【０１２１】つまり、これらの装置は、このように配設
されることにより、外部フォトダイオード１２からのモ
ニタ信号（電流Ｉm）の低周波数成分を通過させる、ロ
ーパスフィルタとして機能するようになっている。そし
て、アナログスイッチ５８がＬレベル信号を受信してオ
ンとなると、これらの装置は、ローパスフィルタとし
て、帰還系（帰還制御手段）に接続されて、外部フォト
ダイオード１２からのモニタ信号（電圧ＶA）を入力す
るようになっている。これにより、オペアンプ３６の出
力電圧変化が緩和となるように、切り替わるようになっ
ている。
されることにより、外部フォトダイオード１２からのモ
ニタ信号（電流Ｉm）の低周波数成分を通過させる、ロ
ーパスフィルタとして機能するようになっている。そし
て、アナログスイッチ５８がＬレベル信号を受信してオ
ンとなると、これらの装置は、ローパスフィルタとし
て、帰還系（帰還制御手段）に接続されて、外部フォト
ダイオード１２からのモニタ信号（電圧ＶA）を入力す
るようになっている。これにより、オペアンプ３６の出
力電圧変化が緩和となるように、切り替わるようになっ
ている。
【０１２２】コンパレータ４５は、選択手段として機能
するもので、つまり、外部フォトダイオード１２からの
モニタ結果に基づき、この値から得られるレーザダイオ
ード１１の光量が、所定光量ｓよりも大きくなると、Ｌ
レベル信号を出力するものである。尚、所定光量ｓは、
所定光量ｐよりも少し低い値となっている。このような
構成により、図１６のに示すように、ＣＰＵからの制
御信号によってアナログスイッチ３４がオフになると、
検出されたレーザーの光量を示す電流Ｉmは、可変抵抗
３７によって、その時の光量に対応した電圧ＶAに分圧
される。この際は、アナログスイッチ５８は、オフにな
っており、電流Ｉmは、抵抗５４を通らない。
するもので、つまり、外部フォトダイオード１２からの
モニタ結果に基づき、この値から得られるレーザダイオ
ード１１の光量が、所定光量ｓよりも大きくなると、Ｌ
レベル信号を出力するものである。尚、所定光量ｓは、
所定光量ｐよりも少し低い値となっている。このような
構成により、図１６のに示すように、ＣＰＵからの制
御信号によってアナログスイッチ３４がオフになると、
検出されたレーザーの光量を示す電流Ｉmは、可変抵抗
３７によって、その時の光量に対応した電圧ＶAに分圧
される。この際は、アナログスイッチ５８は、オフにな
っており、電流Ｉmは、抵抗５４を通らない。
【０１２３】何故ならば電源が入ったばかりで、まだレ
ーザダイオード１１の光量が所定光量ｓに達しておら
ず、電流Ｉmが所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖrefの９
５パーセントの電圧値以下であるため、コンパレータ４
５がＨレベル信号を出力しているからである。即ち、光
量が所定光量ｓに達するまでは、短い時定数で、レーザ
ダイオード１１の光量が帰還制御行なわれて、オペアン
プ３６の出力電圧ＶBが、この時定数で上昇していく。
ーザダイオード１１の光量が所定光量ｓに達しておら
ず、電流Ｉmが所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖrefの９
５パーセントの電圧値以下であるため、コンパレータ４
５がＨレベル信号を出力しているからである。即ち、光
量が所定光量ｓに達するまでは、短い時定数で、レーザ
ダイオード１１の光量が帰還制御行なわれて、オペアン
プ３６の出力電圧ＶBが、この時定数で上昇していく。
【０１２４】そして、光量が所定光量ｓに達すると、電
流Ｉmが所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖrefの９５パー
セントの電圧値を越えるため、コンパレータ４５は、Ｌ
レベル信号を出力する。すると、アナログスイッチ５８
はオンになり、電流Ｉmは、抵抗５５に並列に接続され
た抵抗５４をも通過する。この結果、これらにコンデン
サ４９を加えたローパスフィルタが形成されて、電流Ｉ
mの低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、こ
の帰還系が遅延させられる。
流Ｉmが所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖrefの９５パー
セントの電圧値を越えるため、コンパレータ４５は、Ｌ
レベル信号を出力する。すると、アナログスイッチ５８
はオンになり、電流Ｉmは、抵抗５５に並列に接続され
た抵抗５４をも通過する。この結果、これらにコンデン
サ４９を加えたローパスフィルタが形成されて、電流Ｉ
mの低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、こ
の帰還系が遅延させられる。
【０１２５】これにより、所定光量ｐの少し手前辺りか
ら、オペアンプ３６の出力電圧ＶBは、先の時定数より
も長い時定数で、レーザダイオード１１の光量が帰還制
御される。以下においては、先の第１の実施例の場合と
同様の要領で、各処理が行なわれて行く。又、ＣＰＵか
らの制御信号によってアナログスイッチ３４がオンにな
ると、オペアンプ３６の出力は基準電圧Ｖrefとなり、
トランジスタ３１がオフになるためレーザーは消灯す
る。
ら、オペアンプ３６の出力電圧ＶBは、先の時定数より
も長い時定数で、レーザダイオード１１の光量が帰還制
御される。以下においては、先の第１の実施例の場合と
同様の要領で、各処理が行なわれて行く。又、ＣＰＵか
らの制御信号によってアナログスイッチ３４がオンにな
ると、オペアンプ３６の出力は基準電圧Ｖrefとなり、
トランジスタ３１がオフになるためレーザーは消灯す
る。
【０１２６】このように、所定光量ｓを分岐点として、
ローパスフィルタを接続／切断することにより、第１の
実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得
られる。又、帰還系において、第１の実施例と異なり、
オペアンプ３８以前の入力側に、時定数を変更させるた
めの構成部をそなえられるので、第１の実施例のものと
ともに、半導体レーザ制御装置の設計の自由度を拡げる
られる。
ローパスフィルタを接続／切断することにより、第１の
実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得
られる。又、帰還系において、第１の実施例と異なり、
オペアンプ３８以前の入力側に、時定数を変更させるた
めの構成部をそなえられるので、第１の実施例のものと
ともに、半導体レーザ制御装置の設計の自由度を拡げる
られる。
【０１２７】（ｆ）第６実施例の説明 図１７は本発明の第６実施例を示すブロック図で、この
図１７において、２０Ｆは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｆは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｆは、先の第５実施例の半導体レーザ制御装置２０
Ｅのコンパレータ４５の出力側とアナログスイッチ５８
との間に、タイマ５０をそなえられたものである。
図１７において、２０Ｆは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｆは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｆは、先の第５実施例の半導体レーザ制御装置２０
Ｅのコンパレータ４５の出力側とアナログスイッチ５８
との間に、タイマ５０をそなえられたものである。
【０１２８】このタイマ５０は、先述の第２実施例で説
明した通りのものであるが、特に、この場合において
は、受信信号がＬレベルになると起動して、予め登録さ
れている所定時間ｕが経過すると、自身もＬレベル信号
を出力するように設定されている。尚、アナログスイッ
チ３４がオフにされてから所定光量ｓに達するまでの時
間に、所定時間ｕを足したものは、アナログスイッチ３
４がオフにされた時点から、レーザダイオード１１が所
定光量ｐに到達するまでに掛かる時間よりも、僅かに短
くなるように設定されている。
明した通りのものであるが、特に、この場合において
は、受信信号がＬレベルになると起動して、予め登録さ
れている所定時間ｕが経過すると、自身もＬレベル信号
を出力するように設定されている。尚、アナログスイッ
チ３４がオフにされてから所定光量ｓに達するまでの時
間に、所定時間ｕを足したものは、アナログスイッチ３
４がオフにされた時点から、レーザダイオード１１が所
定光量ｐに到達するまでに掛かる時間よりも、僅かに短
くなるように設定されている。
【０１２９】つまり、コンパレータ４５は、外部フォト
ダイオード１２からのモニタ結果（電流Ｉm）に基づ
き、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕ経過
後に、外部フォトダイオード１２からのモニタ信号を、
ローパスフィルタを介して帰還系へ入力するようになっ
ている。このような構成により、レーザダイオード１１
の光量が、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間
ｕ以内は、コンパレータ４５によって、外部フォトダイ
オード１２からのモニタ結果に基づき、短い時定数でレ
ーザダイオード１１の光量が帰還制御される。
ダイオード１２からのモニタ結果（電流Ｉm）に基づ
き、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕ経過
後に、外部フォトダイオード１２からのモニタ信号を、
ローパスフィルタを介して帰還系へ入力するようになっ
ている。このような構成により、レーザダイオード１１
の光量が、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間
ｕ以内は、コンパレータ４５によって、外部フォトダイ
オード１２からのモニタ結果に基づき、短い時定数でレ
ーザダイオード１１の光量が帰還制御される。
【０１３０】又、レーザダイオード１１の光量が所定光
量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕが経過すると、
コンパレータ４５によって、電流Ｉmがローパスフィル
タを構成する各装置にも接続される。これにより、電流
Ｉmの低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、
この帰還系が遅延させられる。この結果、上記所要時間
ｕを分岐点としてローパスフィルタを接続／切断するこ
とにより、所定光量ｐの手前辺りから、オペアンプ３６
の出力電圧ＶBは、先の時定数よりも長い時定数で、レ
ーザダイオード１１の光量が帰還制御される。又、タイ
マ５０に登録されている所定時間ｕを変更することによ
り、時定数の切り換えタイミングを自由に変えることが
できる。尚、切り換えタイミングは、所定光量ｓに達す
る時間が考慮されているため、タイマ５０で制御して
も、予定との時間のずれがなく信頼性が高いものが得ら
れる。以下、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、
各処理が行なわれて行く。
量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕが経過すると、
コンパレータ４５によって、電流Ｉmがローパスフィル
タを構成する各装置にも接続される。これにより、電流
Ｉmの低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、
この帰還系が遅延させられる。この結果、上記所要時間
ｕを分岐点としてローパスフィルタを接続／切断するこ
とにより、所定光量ｐの手前辺りから、オペアンプ３６
の出力電圧ＶBは、先の時定数よりも長い時定数で、レ
ーザダイオード１１の光量が帰還制御される。又、タイ
マ５０に登録されている所定時間ｕを変更することによ
り、時定数の切り換えタイミングを自由に変えることが
できる。尚、切り換えタイミングは、所定光量ｓに達す
る時間が考慮されているため、タイマ５０で制御して
も、予定との時間のずれがなく信頼性が高いものが得ら
れる。以下、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、
各処理が行なわれて行く。
【０１３１】（ｇ）第７実施例の説明 図１８は本発明の第７実施例を示すブロック図で、この
図１８において、２０Ｇは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｇは、電流によって光量制御が可 能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，可
変抵抗３７，タイマ５０，抵抗３２，３３，４１，５
４，５５によって構成されている。
図１８において、２０Ｇは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。すなわち、この半導体レーザ制御装
置２０Ｇは、電流によって光量制御が可 能な半導体レー
ザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準値
とを比較しながら、この基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する
ものであって、ＬＤチップ３０内に並列して設置された
レーザダイオード１１とフォトダイオード１２，トラン
ジスタ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，可
変抵抗３７，タイマ５０，抵抗３２，３３，４１，５
４，５５によって構成されている。
【０１３２】これらの各装置において、第１，２，３，
４，５，６実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０
Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つ
ものは、それらと同じものである。即ち、この半導体レ
ーザ制御装置２０Ｇは、第５実施例の半導体レーザ制御
装置２０Ｅの抵抗５６，５７，コンパレータ４５の代わ
りに、タイマ５０がＣＰＵの出力を受信するように接続
されており、さらに、このタイマ５０の出力は、アナロ
グスイッチ５８を制御するように接続されている。
４，５，６実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０
Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つ
ものは、それらと同じものである。即ち、この半導体レ
ーザ制御装置２０Ｇは、第５実施例の半導体レーザ制御
装置２０Ｅの抵抗５６，５７，コンパレータ４５の代わ
りに、タイマ５０がＣＰＵの出力を受信するように接続
されており、さらに、このタイマ５０の出力は、アナロ
グスイッチ５８を制御するように接続されている。
【０１３３】このタイマ５０は、先述のものと同様のも
のであるが、特に、この場合においては、予め登録され
ている所定時間ｖが経過すると、Ｌレベル信号を出力す
るように設定されている。尚、所定時間ｖは、アナログ
スイッチ３４がオフにされた時点から、レーザダイオー
ド１１が、所定光量ｐに到達するまでに掛かる時間より
も、僅かに短くなるように設定されている。
のであるが、特に、この場合においては、予め登録され
ている所定時間ｖが経過すると、Ｌレベル信号を出力す
るように設定されている。尚、所定時間ｖは、アナログ
スイッチ３４がオフにされた時点から、レーザダイオー
ド１１が、所定光量ｐに到達するまでに掛かる時間より
も、僅かに短くなるように設定されている。
【０１３４】又、アナログスイッチ５８は、第５実施例
の半導体レーザ制御装置２０Ｅの場合と同様に、タイマ
５０からのＬレベル出力によってオンになると（基準値
に対応する光量よりも少ない光量に到達すべき所定時間
が経過すると）、外部フォトダイオード１２からのモニ
タ信号（電流Ｉm）を、ローパスフィルタを介して帰還
系へ入力するようになっている。
の半導体レーザ制御装置２０Ｅの場合と同様に、タイマ
５０からのＬレベル出力によってオンになると（基準値
に対応する光量よりも少ない光量に到達すべき所定時間
が経過すると）、外部フォトダイオード１２からのモニ
タ信号（電流Ｉm）を、ローパスフィルタを介して帰還
系へ入力するようになっている。
【０１３５】このような構成により、レーザダイオード
１１がオフ状態からオン状態への移行後、所定時間ｖが
経過すると、タイマ５０およびアナログスイッチ５８に
よって、電流Ｉmをローパスフィルタを構成する各装置
を通して、それ以降の帰還系へ入力する。このように、
上記の所定時間ｖを分岐点として、ローパスフィルタを
接続／切断することにより、所定光量ｐの手前辺りか
ら、時定数が、例えば、ＴCｍＶ／ｓｅｃからＴC／１０
０ｍＶ／ｓｅｃへ切り換わり、オペアンプ３６の出力電
圧は、所定光量ｐおよびその付近で適切な帰還制御が行
なわれる。
１１がオフ状態からオン状態への移行後、所定時間ｖが
経過すると、タイマ５０およびアナログスイッチ５８に
よって、電流Ｉmをローパスフィルタを構成する各装置
を通して、それ以降の帰還系へ入力する。このように、
上記の所定時間ｖを分岐点として、ローパスフィルタを
接続／切断することにより、所定光量ｐの手前辺りか
ら、時定数が、例えば、ＴCｍＶ／ｓｅｃからＴC／１０
０ｍＶ／ｓｅｃへ切り換わり、オペアンプ３６の出力電
圧は、所定光量ｐおよびその付近で適切な帰還制御が行
なわれる。
【０１３６】又、タイマ５０に登録されている所定時間
ｖを変更することにより、簡単な装置でありながら、時
定数の切り換えタイミングを自由に変えることができ
る。以下、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各
処理が行なわれて行く。 （ｈ）第８実施例の説明 図１９は本発明の第８実施例を示すブロック図で、この
図１９において、２０は半導体レーザ制御装置を示した
もので、この半導体レーザ制御装置２０は、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。そして、この半導体レーザ制御装置２０
は、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレーザダイ
オード１１とフォトダイオード１２，トランジスタ３
１，アナログスイッチ３４，コンデンサ３５，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，抵抗３２，３３，４６，電
流／電圧変換手段としての、抵抗６１，６２，６３，モ
ニタ電圧分圧手段としての、アナログスイッチ２４，抵
抗５９，可変抵抗２５をそなえて構成されている。尚、
オペアンプ３６は、帰還制御手段として機能するもので
ある。
ｖを変更することにより、簡単な装置でありながら、時
定数の切り換えタイミングを自由に変えることができ
る。以下、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各
処理が行なわれて行く。 （ｈ）第８実施例の説明 図１９は本発明の第８実施例を示すブロック図で、この
図１９において、２０は半導体レーザ制御装置を示した
もので、この半導体レーザ制御装置２０は、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。そして、この半導体レーザ制御装置２０
は、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレーザダイ
オード１１とフォトダイオード１２，トランジスタ３
１，アナログスイッチ３４，コンデンサ３５，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，抵抗３２，３３，４６，電
流／電圧変換手段としての、抵抗６１，６２，６３，モ
ニタ電圧分圧手段としての、アナログスイッチ２４，抵
抗５９，可変抵抗２５をそなえて構成されている。尚、
オペアンプ３６は、帰還制御手段として機能するもので
ある。
【０１３７】これらの各装置において、上述の各実施例
の各半導体レーザ制御装置を構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。即ち、この半
導体レーザ制御装置２０は、先に述べた所の半導体レー
ザ制御装置３Ａのオペアンプ３８と可変抵抗２５との間
に抵抗５９をそなえ、更に、この抵抗５９に並列してア
ナログスイッチ２４をそなえたものである。
の各半導体レーザ制御装置を構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。即ち、この半
導体レーザ制御装置２０は、先に述べた所の半導体レー
ザ制御装置３Ａのオペアンプ３８と可変抵抗２５との間
に抵抗５９をそなえ、更に、この抵抗５９に並列してア
ナログスイッチ２４をそなえたものである。
【０１３８】そして、図２６の従来例において説明した
ように、このような位置に抵抗６１，６２，６３が設置
されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に掛か
る電流Ｉmが、所定の比率で電圧に変換されるようにな
っている。又、上記のオペアンプ３６の負の入力側に
は、時定数を変更するための抵抗等が設けられていない
ため、抵抗４６による時定数で出力電圧が積分されると
ともに、所定の出力を維持するようになっている。
ように、このような位置に抵抗６１，６２，６３が設置
されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に掛か
る電流Ｉmが、所定の比率で電圧に変換されるようにな
っている。又、上記のオペアンプ３６の負の入力側に
は、時定数を変更するための抵抗等が設けられていない
ため、抵抗４６による時定数で出力電圧が積分されると
ともに、所定の出力を維持するようになっている。
【０１３９】又、アナログスイッチ２４は、外部制御に
よってオン／オフされるものであり、抵抗５９に並列し
て設けられることにより、この抵抗５９をショートする
ものである。抵抗５９は、アナログスイッチ２４のオフ
時にオペアンプ３８からの電圧Ｖmを所定の比率で下げ
るものである。尚、この抵抗５９の抵抗値は、可変抵抗
２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉmの最小値が送ら
れて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／オフの何
方の状態であったとしても、レーザダイオード１１が過
発光しないような値に設定されている。可変抵抗２５
は、先に図２６の従来例で述べたように、分圧比を連続
的に変更するためのものである。
よってオン／オフされるものであり、抵抗５９に並列し
て設けられることにより、この抵抗５９をショートする
ものである。抵抗５９は、アナログスイッチ２４のオフ
時にオペアンプ３８からの電圧Ｖmを所定の比率で下げ
るものである。尚、この抵抗５９の抵抗値は、可変抵抗
２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉmの最小値が送ら
れて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／オフの何
方の状態であったとしても、レーザダイオード１１が過
発光しないような値に設定されている。可変抵抗２５
は、先に図２６の従来例で述べたように、分圧比を連続
的に変更するためのものである。
【０１４０】上述の構成により、図１９に示すように、
従来例と同様の処理が行なわれる。即ち、外部フォトダ
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉmが
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
mから得られた電圧ＶAと基準電圧Ｖrefとを、オペアン
プ３６によって等しくなるように、半導体レーザ１１の
ＬＤ駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が一
定に保たれる。
従来例と同様の処理が行なわれる。即ち、外部フォトダ
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉmが
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
mから得られた電圧ＶAと基準電圧Ｖrefとを、オペアン
プ３６によって等しくなるように、半導体レーザ１１の
ＬＤ駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が一
定に保たれる。
【０１４１】尚、ＬＤチップ３０のレーザダイオード１
１と外部フォトダイオード１２とは、それらの取付け具
合い等により、同じものを用いても、レーザダイオード
１１の発光量に対する電流Ｉmの値が変動するが、可変
抵抗２５により電圧を分圧できるので、オペアンプ３６
の負の入力側へ送られる電圧が適正な値に補正される。
１と外部フォトダイオード１２とは、それらの取付け具
合い等により、同じものを用いても、レーザダイオード
１１の発光量に対する電流Ｉmの値が変動するが、可変
抵抗２５により電圧を分圧できるので、オペアンプ３６
の負の入力側へ送られる電圧が適正な値に補正される。
【０１４２】この際、アナログスイッチ２４がオンであ
ると、図２０の左側の分圧比Ｋに示すように、オペアン
プ３８からの電圧Ｖmが直接に可変抵抗２５へ掛かるた
め、電流Ｉmに対する分圧比Ｋのレンジは、図２７に示
す従来例のものと同じになっている。又、アナログスイ
ッチ２４のオープン時には、図２０の右側の分圧比Ｋに
示すように、オペアンプ３８からの電圧Ｖmが抵抗５４
を介して可変抵抗２５へ掛かるため、電流Ｉmに対する
分圧比Ｋのレンジは、抵抗５９の抵抗値に応じて拡大さ
れる。言い換えると、抵抗５９によって、可変抵抗２５
で分圧される電圧を予め下げることで、抵抗調整用つま
みの回転角度量に対する分圧比Ｋのレンジが拡大される
のである。
ると、図２０の左側の分圧比Ｋに示すように、オペアン
プ３８からの電圧Ｖmが直接に可変抵抗２５へ掛かるた
め、電流Ｉmに対する分圧比Ｋのレンジは、図２７に示
す従来例のものと同じになっている。又、アナログスイ
ッチ２４のオープン時には、図２０の右側の分圧比Ｋに
示すように、オペアンプ３８からの電圧Ｖmが抵抗５４
を介して可変抵抗２５へ掛かるため、電流Ｉmに対する
分圧比Ｋのレンジは、抵抗５９の抵抗値に応じて拡大さ
れる。言い換えると、抵抗５９によって、可変抵抗２５
で分圧される電圧を予め下げることで、抵抗調整用つま
みの回転角度量に対する分圧比Ｋのレンジが拡大される
のである。
【０１４３】尚、従来例と同様に、図中の各値は、電流
Ｉm＝光量Ｐ0×光量Ｐ5÷５ｍＷ、電圧Ｖm＝電流Ｉm×
抵抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref÷電圧Ｖmの関係
がある。この結果、図中の２ｍＷ〜４ｍＷの区間の光量
に示すように、電流Ｉmに対する分圧比Ｋのレンジを拡
大することができるので、電流Ｉmの値が大きくなって
も、その調整を特殊な機器等を用いなくとも実現でき
る。然も、このような効果が、簡単な装置を従来の半導
体レーザ制御装置に付加するだけで可能となり、コスト
面においても優れたものとなる。
Ｉm＝光量Ｐ0×光量Ｐ5÷５ｍＷ、電圧Ｖm＝電流Ｉm×
抵抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref÷電圧Ｖmの関係
がある。この結果、図中の２ｍＷ〜４ｍＷの区間の光量
に示すように、電流Ｉmに対する分圧比Ｋのレンジを拡
大することができるので、電流Ｉmの値が大きくなって
も、その調整を特殊な機器等を用いなくとも実現でき
る。然も、このような効果が、簡単な装置を従来の半導
体レーザ制御装置に付加するだけで可能となり、コスト
面においても優れたものとなる。
【０１４４】尚、抵抗５９の代わりに可変抵抗を用いて
もよく、この場合、目的に応じて分圧比Ｋを連続的に変
更することができる。勿論、この抵抗の最大抵抗値は、
可変抵抗２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉmの最小
値が送られて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／
オフの何方の状態であったとしても、レーザダイオード
１１が過発光しないような値に設定されている。
もよく、この場合、目的に応じて分圧比Ｋを連続的に変
更することができる。勿論、この抵抗の最大抵抗値は、
可変抵抗２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉmの最小
値が送られて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／
オフの何方の状態であったとしても、レーザダイオード
１１が過発光しないような値に設定されている。
【０１４５】（ｉ）その他 図２１はヒートシンクをそえたＬＤチップを示す断面図
であり、図２２はこれからプリント基板７４を取り省い
てＬＤチップの端子側から見た図である。この図２１，
２２において、３０はＬＤチップで、このＬＤチップ３
０は、既に述べた各実施例で説明したように、半導体レ
ーザ制御装置において用いられるものである。
であり、図２２はこれからプリント基板７４を取り省い
てＬＤチップの端子側から見た図である。この図２１，
２２において、３０はＬＤチップで、このＬＤチップ３
０は、既に述べた各実施例で説明したように、半導体レ
ーザ制御装置において用いられるものである。
【０１４６】このＬＤチップ３０は、ケース７１とヒー
トシンク（放熱部材）２８とからなる収容部７０に収容
されており、プラスチック製の中間部材２７を介してヒ
ートシンク２８に接触している。このヒートシンク２８
は、ＬＤチップ３０に発生した熱を伝達される伝達部７
８と、伝達部７８に伝わった熱を放熱するための放熱面
７９によって構成されている。尚、伝達部７８と放熱面
７９は、アルミ等の熱伝達率の高い導電材製であり、プ
ラスチック２７は、熱的には接触したものと等価な厚み
をもつ非導電材製である。
トシンク（放熱部材）２８とからなる収容部７０に収容
されており、プラスチック製の中間部材２７を介してヒ
ートシンク２８に接触している。このヒートシンク２８
は、ＬＤチップ３０に発生した熱を伝達される伝達部７
８と、伝達部７８に伝わった熱を放熱するための放熱面
７９によって構成されている。尚、伝達部７８と放熱面
７９は、アルミ等の熱伝達率の高い導電材製であり、プ
ラスチック２７は、熱的には接触したものと等価な厚み
をもつ非導電材製である。
【０１４７】又、ＬＤチップ３０は、上述の図９に示し
たように、レーザダイオード１１と外部フォトダイオー
ド１２とをそなえており、これらの装置への入出力のた
めに、３つの端子が設けられている。そして、これらの
端子を、それぞれに対応する３つの穴部７２に通して、
蓋部７３がＬＤチップ３０に被さっており、プリント基
板７４によって固定保持されている。又、このプリント
基板７４は、ヒートシンク２８とともに４つのビス７５
が４つの凹部７７に収まることによって、ケース７１に
固定されているのであるが、この際、ＬＤチップ３０の
各端子に対応する３つの穴部７６に、蓋部７３から出て
いる各端子を通している。尚、これらのビス７５は、金
属等の電気を伝える物質で構成されており、ヒートシン
ク２８の伝達部７８を貫通してケース７１に到っている
ため、伝達部７８と接触しており、電気的にも接続され
ていることになる。そして、ビス７５の内の１つには、
グランドへ接続された接地線８０がそなえられている。
尚、凹部７７は、プリント基板７４，ヒートシンク２８
の伝達部７８，ケース７１に、設けられた穴によって構
成されている。又、図２２の鎖線は、プリント基板７４
とこの基板上のプリントパターンの一例を示したもので
ある。
たように、レーザダイオード１１と外部フォトダイオー
ド１２とをそなえており、これらの装置への入出力のた
めに、３つの端子が設けられている。そして、これらの
端子を、それぞれに対応する３つの穴部７２に通して、
蓋部７３がＬＤチップ３０に被さっており、プリント基
板７４によって固定保持されている。又、このプリント
基板７４は、ヒートシンク２８とともに４つのビス７５
が４つの凹部７７に収まることによって、ケース７１に
固定されているのであるが、この際、ＬＤチップ３０の
各端子に対応する３つの穴部７６に、蓋部７３から出て
いる各端子を通している。尚、これらのビス７５は、金
属等の電気を伝える物質で構成されており、ヒートシン
ク２８の伝達部７８を貫通してケース７１に到っている
ため、伝達部７８と接触しており、電気的にも接続され
ていることになる。そして、ビス７５の内の１つには、
グランドへ接続された接地線８０がそなえられている。
尚、凹部７７は、プリント基板７４，ヒートシンク２８
の伝達部７８，ケース７１に、設けられた穴によって構
成されている。又、図２２の鎖線は、プリント基板７４
とこの基板上のプリントパターンの一例を示したもので
ある。
【０１４８】このような構成により、ＬＤチップ３０に
発生した熱が、プラスチック２７を介してヒートシンク
２８の伝達部７８へ伝達されて、放熱面７９から外部へ
放熱される。この結果、ＬＤチップ３０のレーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２との長寿命化が図
れる。又、ヒートシンク２８の放熱面７９がアンテナ効
果を発揮して、外部からの電波および静電気等のノイズ
を受信してしまっても、プラスチック製の中間部材２７
によって遮断されるので、ＬＤチップ３０へ伝達されな
い。この結果、ヒートシンク２８は、ＬＤチップ３０と
異なる一定電位を持つ。
発生した熱が、プラスチック２７を介してヒートシンク
２８の伝達部７８へ伝達されて、放熱面７９から外部へ
放熱される。この結果、ＬＤチップ３０のレーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２との長寿命化が図
れる。又、ヒートシンク２８の放熱面７９がアンテナ効
果を発揮して、外部からの電波および静電気等のノイズ
を受信してしまっても、プラスチック製の中間部材２７
によって遮断されるので、ＬＤチップ３０へ伝達されな
い。この結果、ヒートシンク２８は、ＬＤチップ３０と
異なる一定電位を持つ。
【０１４９】そして、ノイズに起因してヒートシンク２
８に発生した電流は、ヒートシンク２８の伝達部７８に
接触しているビス７５から、接地線８０へ伝わることに
より、グランドへ落とされる。よって、ＬＤチップ３０
内のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１２
とに、余計な電流が流れることを防ぐことができ、各ダ
イオードの長寿命化が図れる。この結果、レーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２とが、ノイズに強
くなり、半導体レーザ制御装置自体の安定性と精度とが
高まる。更に、ダイオードの交換をする必要が殆ど無く
なり、経済性でも優れている。
８に発生した電流は、ヒートシンク２８の伝達部７８に
接触しているビス７５から、接地線８０へ伝わることに
より、グランドへ落とされる。よって、ＬＤチップ３０
内のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１２
とに、余計な電流が流れることを防ぐことができ、各ダ
イオードの長寿命化が図れる。この結果、レーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２とが、ノイズに強
くなり、半導体レーザ制御装置自体の安定性と精度とが
高まる。更に、ダイオードの交換をする必要が殆ど無く
なり、経済性でも優れている。
【０１５０】尚、プラスチック製の中間部材２７の代わ
りとして、ガラスまたはシリコン等からなる中間部材を
用いても同等の効果が得られる。
りとして、ガラスまたはシリコン等からなる中間部材を
用いても同等の効果が得られる。
【０１５１】
【発明の効果】以上詳述したように、第１の発明によれ
ば、半導体レーザ１１，光量モニタ手段，第１帰還制御
手段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段とをそな
えて構成するとともに、第２の時定数が第１の時定数よ
りも長くなるように設定されて、半導体レーザの光量が
基準値に対応する光量よりも少ない所定光量以下のとき
は第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、この所定光量よりも大きいときは第２の時定数で半
導体レーザの光量を帰還制御することにより、適度な点
灯時間で所定光量に到達することができて、然も、所定
光量到達後は、帰還系等のノイズによる誤差等の補正
を、適切に行なえる利点がある（請求項１，２，９，１
０）。
ば、半導体レーザ１１，光量モニタ手段，第１帰還制御
手段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段とをそな
えて構成するとともに、第２の時定数が第１の時定数よ
りも長くなるように設定されて、半導体レーザの光量が
基準値に対応する光量よりも少ない所定光量以下のとき
は第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、この所定光量よりも大きいときは第２の時定数で半
導体レーザの光量を帰還制御することにより、適度な点
灯時間で所定光量に到達することができて、然も、所定
光量到達後は、帰還系等のノイズによる誤差等の補正
を、適切に行なえる利点がある（請求項１，２，９，１
０）。
【０１５２】又、第２の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，第１帰還制御手段，第２帰還制御手
段，制御モード選択手段をそなえるとともに、所定時間
が第１の時定数によって半導体レーザが基準値に対応す
る光量よりも少ない所定光量に到達する時間よりも長い
時間として設定され、且つ、第２の時定数が第１の時定
数よりも長くなるように設定されて、半導体レーザが消
灯状態から点灯状態への移行後に基準値に対応する光量
よりも少ない光量に到達すべき所定時間が経過するまで
は第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、半導体レーザが消灯状態から点灯状態への移行後に
上記所定時間が経過すると第２の時定数で半導体レーザ
の光量を帰還制御することにより、より単純な構成で、
第１の発明と同様の利点が得られる（請求項３，４，
５，６，９，１０）。
光量モニタ手段，第１帰還制御手段，第２帰還制御手
段，制御モード選択手段をそなえるとともに、所定時間
が第１の時定数によって半導体レーザが基準値に対応す
る光量よりも少ない所定光量に到達する時間よりも長い
時間として設定され、且つ、第２の時定数が第１の時定
数よりも長くなるように設定されて、半導体レーザが消
灯状態から点灯状態への移行後に基準値に対応する光量
よりも少ない光量に到達すべき所定時間が経過するまで
は第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、半導体レーザが消灯状態から点灯状態への移行後に
上記所定時間が経過すると第２の時定数で半導体レーザ
の光量を帰還制御することにより、より単純な構成で、
第１の発明と同様の利点が得られる（請求項３，４，
５，６，９，１０）。
【０１５３】又、第３の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段をそなえる
とともに、第２の時定数が第１の時定数よりも長くなる
ように設定されて、半導体レーザの駆動電流が基準値に
対応する光量よりも少ない光量を生じさせる所定駆動電
流以下のときは第１の時定数で半導体レーザの光量を帰
還制御する一方、半導体レーザの駆動電流が上記所定駆
動電流よりも大きいときは第２の時定数で半導体レーザ
の光量を帰還制御することにより、従来例の半導体レー
ザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の発明
の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得られ、然も、
効果的に半導体レーザ駆動電流を上昇させることができ
る（請求項７，８，９，１０）。
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段をそなえる
とともに、第２の時定数が第１の時定数よりも長くなる
ように設定されて、半導体レーザの駆動電流が基準値に
対応する光量よりも少ない光量を生じさせる所定駆動電
流以下のときは第１の時定数で半導体レーザの光量を帰
還制御する一方、半導体レーザの駆動電流が上記所定駆
動電流よりも大きいときは第２の時定数で半導体レーザ
の光量を帰還制御することにより、従来例の半導体レー
ザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の発明
の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得られ、然も、
効果的に半導体レーザ駆動電流を上昇させることができ
る（請求項７，８，９，１０）。
【０１５４】又、第４の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，第３帰還制御手段，制御モード
選択手段をそなえて構成するとともに、第３の時定数が
第２の時定数よりも長く、且つ、第２の時定数が第１の
時定数よりも長くなるように設定されて、半導体レーザ
の駆動電流が基準値に対応する光量よりも少ない光量を
生じさせる所定駆動電流以下のときは第１の時定数で半
導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの駆動電
流が上記所定駆動電流よりも大きいときは第２の時定数
で半導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの光
量が所定光量よりも大きいとき上記駆動電流に基づいて
設定される時定数での光量帰還制御に優先して第３の時
定数で半導体レーザの光量を帰還制御することにより、
従来例の半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそなえる
だけで、第１，３の発明の半導体レーザ制御装置と同様
の効果が得られ、然も、第３の発明以上に、より効果的
に半導体レーザ駆動電流を上昇させることができる（請
求項１１，１２，１３，１４，２４）。
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，第３帰還制御手段，制御モード
選択手段をそなえて構成するとともに、第３の時定数が
第２の時定数よりも長く、且つ、第２の時定数が第１の
時定数よりも長くなるように設定されて、半導体レーザ
の駆動電流が基準値に対応する光量よりも少ない光量を
生じさせる所定駆動電流以下のときは第１の時定数で半
導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの駆動電
流が上記所定駆動電流よりも大きいときは第２の時定数
で半導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの光
量が所定光量よりも大きいとき上記駆動電流に基づいて
設定される時定数での光量帰還制御に優先して第３の時
定数で半導体レーザの光量を帰還制御することにより、
従来例の半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそなえる
だけで、第１，３の発明の半導体レーザ制御装置と同様
の効果が得られ、然も、第３の発明以上に、より効果的
に半導体レーザ駆動電流を上昇させることができる（請
求項１１，１２，１３，１４，２４）。
【０１５５】又、第５の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなると、光量モニタ信号をローパスフィ
ルタを通して帰還制御手段へ入力するとともに、半導体
レーザの光量が所定光量以下の場合は、光量モニタ信号
をローパスフィルタを介さずに帰還制御手段へ入力する
ことにより、第１の発明の半導体レーザ制御装置と同様
の効果が得られるとともに、設計の自由度が広がる利点
がある（請求項１５，１６）。
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなると、光量モニタ信号をローパスフィ
ルタを通して帰還制御手段へ入力するとともに、半導体
レーザの光量が所定光量以下の場合は、光量モニタ信号
をローパスフィルタを介さずに帰還制御手段へ入力する
ことにより、第１の発明の半導体レーザ制御装置と同様
の効果が得られるとともに、設計の自由度が広がる利点
がある（請求項１５，１６）。
【０１５６】又、第６の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなってから所定時間経過後は、光量モニ
タ信号をローパスフィルタを通して帰還制御手段へ入力
する一方、所定時間経過前は、光量モニタ信号をローパ
スフィルタを介さずに帰還制御手段へ入力することによ
り、第５の発明の半導体レーザ制御装置と同様の効果が
得られる他、自在に、光量モニタ信号をローパスフィル
タを通すかどうかのタイミングを調整できる利点がある
（請求項１７，１８）。
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなってから所定時間経過後は、光量モニ
タ信号をローパスフィルタを通して帰還制御手段へ入力
する一方、所定時間経過前は、光量モニタ信号をローパ
スフィルタを介さずに帰還制御手段へ入力することによ
り、第５の発明の半導体レーザ制御装置と同様の効果が
得られる他、自在に、光量モニタ信号をローパスフィル
タを通すかどうかのタイミングを調整できる利点がある
（請求項１７，１８）。
【０１５７】又、第７の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，オ
ン／オフ制御手段，選択手段をそなえて構成し、半導体
レーザがオフ状態からオン状態への移行後に基準値に対
応する光量よりも少ない光量に到達すべき所定時間が経
過すると、光量モニタ信号をローパスフィルタを通して
帰還制御手段へ入力する一方、所定時間が経過する前に
は、光量モニタ信号をローパスフィルタを介さずに帰還
制御手段へ入力することにより、第６の発明の半導体レ
ーザ制御装置と同様の効果を、より簡単な構成で得られ
る利点がある（請求項１９，２０）。
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，オ
ン／オフ制御手段，選択手段をそなえて構成し、半導体
レーザがオフ状態からオン状態への移行後に基準値に対
応する光量よりも少ない光量に到達すべき所定時間が経
過すると、光量モニタ信号をローパスフィルタを通して
帰還制御手段へ入力する一方、所定時間が経過する前に
は、光量モニタ信号をローパスフィルタを介さずに帰還
制御手段へ入力することにより、第６の発明の半導体レ
ーザ制御装置と同様の効果を、より簡単な構成で得られ
る利点がある（請求項１９，２０）。
【０１５８】又、第８の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，電流／電圧変換手段，２つの抵抗を有
するモニタ電圧分圧手段，帰還制御手段をそなえ、更
に、モニタ電圧分圧手段における一方の抵抗に抵抗をシ
ョートし分圧比を変更しうるスイッチが設けられている
ことにより、モニタ電流値が大きくなっても、通常の可
変抵抗のボリュームのつまみで十分に半導体レーザの光
量の調整ができる利点がある（請求項２１）。
光量モニタ手段，電流／電圧変換手段，２つの抵抗を有
するモニタ電圧分圧手段，帰還制御手段をそなえ、更
に、モニタ電圧分圧手段における一方の抵抗に抵抗をシ
ョートし分圧比を変更しうるスイッチが設けられている
ことにより、モニタ電流値が大きくなっても、通常の可
変抵抗のボリュームのつまみで十分に半導体レーザの光
量の調整ができる利点がある（請求項２１）。
【０１５９】更に、モニタ電圧分圧手段が直列接続され
た可変抵抗と固定抵抗とで構成されるとともに、固定抵
抗に並列にスイッチが設けられ、且つ、可変抵抗が所定
位置にセットされている時に、スイッチにより固定抵抗
をショートしても、半導体レーザが過発光しないような
値に、固定抵抗の抵抗値が設定されていることにより、
装置のレーザー出力が安定し、オーバーシュートが防が
れる利点がある（請求項２２）。
た可変抵抗と固定抵抗とで構成されるとともに、固定抵
抗に並列にスイッチが設けられ、且つ、可変抵抗が所定
位置にセットされている時に、スイッチにより固定抵抗
をショートしても、半導体レーザが過発光しないような
値に、固定抵抗の抵抗値が設定されていることにより、
装置のレーザー出力が安定し、オーバーシュートが防が
れる利点がある（請求項２２）。
【０１６０】又、一方の抵抗が分圧比を連続的に変更す
るための可変抵抗として構成されたことにより、可変抵
抗のボリュームつまみの回転角度に対する可変抵抗の分
圧比のレンジの大きさを、自在に調整できる利点がある
（請求項２３）。
るための可変抵抗として構成されたことにより、可変抵
抗のボリュームつまみの回転角度に対する可変抵抗の分
圧比のレンジの大きさを、自在に調整できる利点がある
（請求項２３）。
【図１】第１の発明の原理ブロック図である。
【図２】第２の発明の原理ブロック図である。
【図３】第３の発明の原理ブロック図である。
【図４】第４の発明の原理ブロック図である。
【図５】第５，６の発明の原理ブロック図である。
【図６】第７の発明の原理ブロック図である。
【図７】第８の発明の原理ブロック図である。
【図８】本発明の付属品を説明する図である。
【図９】本発明の第１実施例を示すブロック図である。
【図１０】本発明の第１，２実施例の作用を説明する図
である。
である。
【図１１】本発明の第２実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第３実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第３実施例の作用を説明する図であ
る。
る。
【図１４】本発明の第４実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１５】本発明の第４実施例の作用を説明する図であ
る。
る。
【図１６】本発明の第５実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１７】本発明の第６実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１８】本発明の第７実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１９】本発明の第８実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図２０】本発明の第８実施例の作用を説明する図であ
る。
る。
【図２１】レーザダイオードチップへのヒートシンク取
付状態を示す断面図である。
付状態を示す断面図である。
【図２２】レーザダイオードチップへのヒートシンク取
付状態を示す図である。
付状態を示す図である。
【図２３】一般的なバーコード読み取り装置の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２４】従来例を示すブロック図である。
【図２５】従来例の作用を示す図である。
【図２６】他の従来例を示すブロック図である。
【図２７】他の従来例の作用を示す図である。
【図２８】従来例のレーザダイオードチップへのヒート
シンク取付状態を示す模式図である。
シンク取付状態を示す模式図である。
１ バーコード ２ 光学系 ３，２０，３Ａ，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２
０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ半導体レーザ制御装置 ４ 走査機構 ５ 光電変換部 ６ Ａ／Ｄ変換部 ７ バー幅カウンタ７ ８ クロック ９ メモリ １０ ＣＰＵ １１ レーザダイオード（半導体レーザ） １２ 外部フォトダイオード（光量モニタ手段） １３ 第１帰還制御手段 １４ 第２帰還制御手段 １５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ， 制御モード選択手
段 １５Ｅ，１５Ｆ，１５Ｇ 選択手段 １６ オン／オフ制御手段 １７ 駆動電流測定手段 １８ 第３帰還制御手段 １９ ローパスフィルタ ２１，１５Ｈ 帰還制御手段 ２２ 電流／電圧変換手段 ２３ モニタ電圧分圧手段 ２４ アナログスイッチ（スイッチ） ２５，３７，５３ 可変抵抗 ２６ 固定抵抗 ２７ プラスチック（中間部材） ２８ ヒートシンク（放熱部材） ２９ 電源 ３０ ＬＤチップ ３１ トランジスタ ３２，３３，４０，４１，４３，４４，４６，４７，５
１，５４，５５，５６，５７，６１，６２，６３ 抵抗 ３４，３９，４８，５８ アナログスイッチ ３５，４９ コンデンサ ３６ オペアンプ ３８ オペアンプ ４２ 基準電圧源 ４５，４６ コンパレータ ５０ タイマ ５２ 基準電圧源 ７１ ケース ７２ 穴部 ７３ 蓋部 ７４ プリント基板 ７５ ビス ７６ 穴部 ７７ 凹部 ７８ 伝達部 ７９ 放熱面 ８０ 接地線
０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ半導体レーザ制御装置 ４ 走査機構 ５ 光電変換部 ６ Ａ／Ｄ変換部 ７ バー幅カウンタ７ ８ クロック ９ メモリ １０ ＣＰＵ １１ レーザダイオード（半導体レーザ） １２ 外部フォトダイオード（光量モニタ手段） １３ 第１帰還制御手段 １４ 第２帰還制御手段 １５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ， 制御モード選択手
段 １５Ｅ，１５Ｆ，１５Ｇ 選択手段 １６ オン／オフ制御手段 １７ 駆動電流測定手段 １８ 第３帰還制御手段 １９ ローパスフィルタ ２１，１５Ｈ 帰還制御手段 ２２ 電流／電圧変換手段 ２３ モニタ電圧分圧手段 ２４ アナログスイッチ（スイッチ） ２５，３７，５３ 可変抵抗 ２６ 固定抵抗 ２７ プラスチック（中間部材） ２８ ヒートシンク（放熱部材） ２９ 電源 ３０ ＬＤチップ ３１ トランジスタ ３２，３３，４０，４１，４３，４４，４６，４７，５
１，５４，５５，５６，５７，６１，６２，６３ 抵抗 ３４，３９，４８，５８ アナログスイッチ ３５，４９ コンデンサ ３６ オペアンプ ３８ オペアンプ ４２ 基準電圧源 ４５，４６ コンパレータ ５０ タイマ ５２ 基準電圧源 ７１ ケース ７２ 穴部 ７３ 蓋部 ７４ プリント基板 ７５ ビス ７６ 穴部 ７７ 凹部 ７８ 伝達部 ７９ 放熱面 ８０ 接地線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠田 一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−148426（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−115278（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−284747（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−240087（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−217381（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−71942（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−37892（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−160291（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−144588（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/0683 G06K 7/10
Claims (24)
- 【請求項１】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準
値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
る半導体レーザ制御方法において、 該半導体レーザの光量が該基準値に対応する光量よりも
少ない所定光量以下のときは第１の時定数で該半導体レ
ーザの光量を帰還制御する一方、該所定光量よりも大き
いときは第２の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制
御することを特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項２】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準
値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
る半導体レーザ制御装置において、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第１の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第１帰還制
御手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第２の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第２帰還制
御手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果が該基準値に対応す
る光量よりも少ない所定光量以下のときは該第１帰還制
御手段による制御モードを選択する一方、該所定光量よ
りも大きいときは該第２帰還制御手段による制御モード
を選択する制御モード選択手段とをそなえて構成された
ことを特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項３】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準
値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
る半導体レーザ制御方法において、 該半導体レーザがオフ状態からオン状態への移行後に該
基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達すべき所
定時間が経過するまでは第１の時定数で該半導体レーザ
の光量を帰還制御する一方、該半導体レーザがオフ状態
からオン状態への移行後、該所定時間が経過すると第２
の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御することを
特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項４】 該所定時間が該第１の時定数によって該
半導体レーザが所定光量に到達する時間よりも長い時間
として設定されていることを特徴とする、請求項３記載
の半導体レーザ制御方法。 - 【請求項５】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準
値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
る半導体レーザ制御装置において、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第１の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第１帰還制
御手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第２の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第２帰還制
御手段と、 該半導体レーザのオン／オフを制御するオン／オフ制御
手段と、 該オン／オフ制御手段によって該半導体レーザがオフ状
態からオン状態への移行後に該基準値に対応する光量よ
りも少ない光量に到達すべき所定時間が経過するまでは
該第１帰還制御手段による制御モードを選択する一方、
該半導体レーザがオフ状態からオン状態への移行後、該
所定時間が経過すると該第２帰還制御手段による制御モ
ードを選択する制御モード選択手段とをそなえて構成さ
れたことを特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項６】 該所定時間が該第１の時定数によって該
半導体レーザが所定光量に到達する時間よりも長い時間
として設定されていることを特徴とする、請求項５記載
の半導体レーザ制御装置。 - 【請求項７】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準
値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
る半導体レーザ制御方法において、 該半導体レーザの駆動電流が該基準値に対応する光量よ
りも少ない光量を生じさせる所定駆動電流以下のときは
第１の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、該半導体レーザの駆動電流が該所定駆動電流よりも
大きいときは第２の時定数で該半導体レーザの光量を帰
還制御することを特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項８】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基準
値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となるよ
うに所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
る半導体レーザ制御装置において、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該半導体レーザの駆動電流を測定する駆動電流測定手段
と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第１の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第１帰還制
御手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第２の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第２帰還制
御手段と、 該駆動電流測定手段の測定結果が該基準値に対応する光
量よりも少ない光量を生じさせる所定駆動電流以下のと
きは該第１帰還制御手段による制御モードを選択する一
方、該所定駆動電流よりも大きいときは該第２帰還制御
手段による制御モードを選択する制御モード選択手段と
をそなえて構成されたことを特徴とする、半導体レーザ
制御装置。 - 【請求項９】 該第２の時定数が該第１の時定数よりも
長くなるように設定されていることを特徴とする、請求
項１，３，７のいずれかに記載の半導体レーザ制御方
法。 - 【請求項１０】 該第２の時定数が該第１の時定数より
も長くなるように設定されていることを特徴とする、請
求項２，５，８のいずれかに記載の半導体レーザ制御装
置。 - 【請求項１１】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタしながら所要の時定数で該半導体
レーザの光量を帰還制御する半導体レーザ制御方法にお
いて、 該半導体レーザの駆動電流が所定駆動電流以下のときは
第１の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御し、該
半導体レーザの駆動電流が該所定駆動電流よりも大きい
ときは第２の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御
し、該半導体レーザの光量が所定光量よりも大きいとき
は上記駆動電流に基づいて設定される時定数での光量帰
還制御に優先して第３の時定数で該半導体レーザの光量
を帰還制御することを特徴とする、半導体レーザ制御方
法。 - 【請求項１２】 該第３の時定数が該第２の時定数より
も長く、且つ、該第２の時定数が該第１の時定数よりも
長くなるように設定されていることを特徴とする、請求
項１１記載の半導体レーザ制御方法。 - 【請求項１３】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザと、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該半導体レーザの駆動電流を測定する駆動電流測定手段
と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第１の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第１帰還制
御手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第２の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第２帰還制
御手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、第３の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する第３帰還制
御手段と、 該駆動電流測定手段および該光量モニタ手段の測定結果
に基づき、所定駆動電流以下のときは該第１帰還制御手
段による制御モードを選択し、該所定駆動電流よりも大
きいときは該第２帰還制御手段による制御モードを選択
し、所定光量よりも大きいときは該第３帰還制御手段に
よる制御モードを選択する制御モード選択手段とをそな
えて構成されたことを特徴とする、半導体レーザ制御装
置。 - 【請求項１４】 該第３の時定数が該第２の時定数より
も長く、且つ、該第２の時定数が該第１の時定数よりも
長くなるように設定されていることを特徴とする、請求
項１３記載の半導体レーザ制御装置。 - 【請求項１５】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基
準値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となる
ように所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御
する半導体レーザ制御方法において、 該半導体レーザの光量が該基準値に対応する光量よりも
少ない所定光量よりも大きい場合、光量モニタ信号をロ
ーパスフィルタを通して帰還制御手段へ入力するととも
に、 該半導体レーザの光量が該所定光量以下の場合、該光量
モニタ信号を該ローパスフィルタを介さずに該帰還制御
手段へ入力する ことを特徴とする、半導体レーザ制御方
法。 - 【請求項１６】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基
準値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となる
ように所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御
する半導体レーザ制御装置において、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、所要の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する帰還制御手
段と、 該光量モニタ手段からのモニタ信号の低周波数成分を通
過させるローパスフィルタと、 該光量モニタ手段からのモニタ結果が該基準値に対応す
る光量よりも少ない所定光量よりも大きい場合に、該光
量モニタ手段からのモニタ信号を該ローパスフィルタを
介して該帰還制御手段へ入力するとともに、 該光量モニタ手段からのモニタ結果が該所定光量以下の
場合に、該光量モニタ手段からのモニタ信号を該ローパ
スフィルタを介さずに該帰還制御手段へ入力する 選択手
段とをそなえて構成されたことを特徴とする、半導体レ
ーザ制御装置。 - 【請求項１７】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタながら所要の時定数で該半導体レ
ーザの光量を帰還制御する半導体レーザ制御方法におい
て、 該半導体レーザの光量が所定光量よりも大きくなってか
ら所定時間経過後は、光量モニタ信号をローパスフィル
タを通して帰還制御手段へ入力する一方、 該所定時間経過前は、該光量モニタ信号を該ローパスフ
ィルタを介さずに該帰還制御手段へ入力する ことを特徴
とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項１８】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザと、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、所要の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する帰還制御手
段と、 該光量モニタ手段からのモニタ信号の低周波数成分を通
過させるローパスフィルタと、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、所定光量
よりも大きくなってから所定時間経過後は、該光量モニ
タ手段からのモニタ信号を該ローパスフィルタを介して
該帰還制御手段へ入力する一方、該所定時間経過前は、
該光量モニタ手段からの該モニタ信号を該ローパスフィ
ルタを介さずに該帰還制御手段へ入力する選択手段とを
そなえて構成されたことを特徴とする、半導体レーザ制
御装置。 - 【請求項１９】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基
準値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となる
ように所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御
する半導体レーザ制御方法において、 該半導体レーザがオフ状態からオン状態への移行後に該
基準値に対応する光量よりも少ない光量に到達すべき所
定時間が経過すると、光量モニタ信号をローパスフィル
タを通して帰還制御手段へ入力する一方、 該所定時間が経過する前には、該光量モニタ信号を該ロ
ーパスフィルタを介さずに該帰還制御手段へ入力する こ
とを特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項２０】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタして、このモニタ結果と所要の基
準値とを比較しながら、該基準値に対応する光量となる
ように所要の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御
する半導体レーザ制御装置において、 該半導体レーザの光量をモニタする光量モニタ手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ結果に基づき、所要の時
定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する帰還制御手
段と、 該光量モニタ手段からのモニタ信号の低周波数成分を通
過させるローパスフィルタと、 該半導体レーザのオン／オフを制御するオン／オフ制御
手段と、 該オン／オフ制御手段によって該半導体レーザがオフ状
態からオン状態への移行後に該基準値に対応する光量よ
りも少ない光量に到達すべき所定時間が経過すると、該
光量モニタ手段からのモニタ信号を該ローパスフィルタ
を介して該帰還制御手段へ入力する一方、該所定時間が
経過する前には、該光量モニタ手段からのモニタ信号を
該ローパスフィルタを介さずに該帰還制御手段へ入力す
る選択手段とをそなえて構成されたことを特徴とする、
半導体レーザ制御装置。 - 【請求項２１】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザと、 該半導体レーザの光量を電流値としてモニタする光量モ
ニタ手段と、 該光量モニタ手段からのモニタ電流を電圧値に変換する
電流／電圧変換手段と、 該電流／電圧変換手段で変換されたモニタ電圧を分圧す
べく、直列接続された２つの抵抗を有するモニタ電圧分
圧手段と、 該モニタ電圧分圧手段からのモニタ分圧信号と基準電圧
とが等しくなるように該半導体レーザの光量を帰還制御
する帰還制御手段とをそなえ、 該モニタ電圧分圧手段における一方の抵抗に該抵抗をシ
ョートし分圧比を変更しうるスイッチが設けられている
ことを特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項２２】 該モニタ電圧分圧手段が直列接続され
た可変抵抗と固定抵抗とで構成されるとともに、該固定
抵抗に並列に該スイッチが設けられ、 且つ、該可変抵抗が所定位置にセットされている時に、
該スイッチにより該固定抵抗をショートしても、該半導
体レーザが過発光しないような値に、該固定抵抗の抵抗
値が設定されていることを特徴とする請求項２１記載の
半導体レーザ制御装置。 - 【請求項２３】 該一方の抵抗が分圧比を連続的に変更
するための可変抵抗として構成されたことを特徴とする
請求項２２記載の半導体レーザ制御装置。 - 【請求項２４】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザの光量をモニタしながら所要の時定数で該半導体
レーザの光量を帰還制御する半導体レーザ制御方法にお
いて、 該半導体レーザの駆動電流が所定駆動電流以下のときは
第１の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御し、該
半導体レーザの駆動電流が該所定駆動電流よりも大きく
且つ該半導体レーザの光量が所定光量よりも小さいとき
は第２の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御し、
該半導体レーザの駆動電流が該所定駆動電流よりも大き
く且つ該半導体レーザの光量が所定光量よりも大きいと
きは第３の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御す
ることを特徴とする、半導体レーザ制御方法。
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