JPH06275896A - 半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置 - Google Patents
半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置Info
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- JPH06275896A JPH06275896A JP5060732A JP6073293A JPH06275896A JP H06275896 A JPH06275896 A JP H06275896A JP 5060732 A JP5060732 A JP 5060732A JP 6073293 A JP6073293 A JP 6073293A JP H06275896 A JPH06275896 A JP H06275896A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、バーコード読み取り装置等の読み
取り制御方式に用いて好適な、半導体レーザ制御方法お
よび半導体レーザ制御装置に関し、半導体レーザの出力
に応じた制御を可能とし、且つ、ノイズ等の影響を受け
てもレーザー出力が常時安定するとともに、簡易に出力
調整ができ、更に、熱や電気等の外部ノイズからの影響
を受けないようにすることを目的とする。 【構成】 電流によって光量制御が可能な半導体レーザ
１１の光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制御方法に
おいて、半導体レーザ１１の光量が所定光量以下のとき
は第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、所定光量よりも大きいときは第２の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御するように構成する。
取り制御方式に用いて好適な、半導体レーザ制御方法お
よび半導体レーザ制御装置に関し、半導体レーザの出力
に応じた制御を可能とし、且つ、ノイズ等の影響を受け
てもレーザー出力が常時安定するとともに、簡易に出力
調整ができ、更に、熱や電気等の外部ノイズからの影響
を受けないようにすることを目的とする。 【構成】 電流によって光量制御が可能な半導体レーザ
１１の光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する半導体レーザ制御方法に
おいて、半導体レーザ１１の光量が所定光量以下のとき
は第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、所定光量よりも大きいときは第２の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御するように構成する。
Description
【０００１】 （目次） 産業上の利用分野 従来の技術（図２３〜図２８） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１〜図８） 作用（図図１〜図８） ・第１実施例の説明（図９〜図１０） ・第２実施例の説明（図１０〜図１１） ・第４実施例の説明（図１２〜図１３） ・第５実施例の説明（図１４〜図１５） ・第６実施例の説明（図１６） ・第７実施例の説明（図１７） ・第８実施例の説明（図１９〜図２０） ・第９実施例の説明（図２１〜図２２） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、バーコード読
み取り装置等の読み取り制御方式に用いて好適な、半導
体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置に関す
る。近年、流通産業等のＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｓ
ａｌｅｓ）システムに代表されるように、バーコードの
利用が盛んになって来ている。これに伴い、より小型で
低価格・低消費電力のバーコード読み取り装置の要求が
高まって来ており、そのニーズに応えるため、ガスレー
ザーに代わり半導体レーザの採用が増して来ている。
み取り装置等の読み取り制御方式に用いて好適な、半導
体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置に関す
る。近年、流通産業等のＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ Ｏｆ Ｓ
ａｌｅｓ）システムに代表されるように、バーコードの
利用が盛んになって来ている。これに伴い、より小型で
低価格・低消費電力のバーコード読み取り装置の要求が
高まって来ており、そのニーズに応えるため、ガスレー
ザーに代わり半導体レーザの採用が増して来ている。
【０００３】
【従来の技術】図２３は光学系に従来の半導体レーザ制
御装置を用いた、一般的なバーコード読取装置（バーコ
ードリーダー）の構成を示すブロック図であり、この図
２３において、１は物品等の表面に印刷されたバーコー
ドで、このバーコード１は、通常、複数の黒色のバー
（以下、黒バーという）および白色のバー（以下、白バ
ーという）を交互に配置してなるもので、各黒バーおよ
び各白バーの幅に基づいて所定のデータを表すものであ
る。
御装置を用いた、一般的なバーコード読取装置（バーコ
ードリーダー）の構成を示すブロック図であり、この図
２３において、１は物品等の表面に印刷されたバーコー
ドで、このバーコード１は、通常、複数の黒色のバー
（以下、黒バーという）および白色のバー（以下、白バ
ーという）を交互に配置してなるもので、各黒バーおよ
び各白バーの幅に基づいて所定のデータを表すものであ
る。
【０００４】２はバーコード１に対してレーザビームＬ
２を照射するとともに、バーコード１から反射されてき
たレーザビームＬ２の反射光Ｒ１を受光する光学系であ
り、この光学系２は、半導体レーザ制御装置（レーザ発
光部）３，走査機構４および光電変換部５から構成され
ている。ここで、半導体レーザ制御装置３は、ＣＰＵの
制御によりオン状態となると、そのレーザー出力を所定
の時定数で増幅していき、所定値に達するとその光量を
自動的に保持するものである。
２を照射するとともに、バーコード１から反射されてき
たレーザビームＬ２の反射光Ｒ１を受光する光学系であ
り、この光学系２は、半導体レーザ制御装置（レーザ発
光部）３，走査機構４および光電変換部５から構成され
ている。ここで、半導体レーザ制御装置３は、ＣＰＵの
制御によりオン状態となると、そのレーザー出力を所定
の時定数で増幅していき、所定値に達するとその光量を
自動的に保持するものである。
【０００５】このため、図２４に示すように、半導体レ
ーザ制御装置３は、レーザダイオードチップ（ＬＤチッ
プ）３０内に並列して設置された、半導体レーザを構成
するレーザダイオード（ＬＤ）１１とフォトダイオード
１２の他、トランジスタ３１，アナログスイッチ（Ｓ
Ｗ）３４，オペアンプ（演算増幅器）３６，３８，基準
電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３
２，３３，４６をそなえて構成されている。
ーザ制御装置３は、レーザダイオードチップ（ＬＤチッ
プ）３０内に並列して設置された、半導体レーザを構成
するレーザダイオード（ＬＤ）１１とフォトダイオード
１２の他、トランジスタ３１，アナログスイッチ（Ｓ
Ｗ）３４，オペアンプ（演算増幅器）３６，３８，基準
電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３
２，３３，４６をそなえて構成されている。
【０００６】このような回路構成により、外部フォトダ
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉm が
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
m から得られた電圧ＶA と基準電圧Ｖref とを、オペア
ンプ３６によって等しくなるように、半導体レーザのＬ
Ｄ駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が一定
に保たれる。
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉm が
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
m から得られた電圧ＶA と基準電圧Ｖref とを、オペア
ンプ３６によって等しくなるように、半導体レーザのＬ
Ｄ駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が一定
に保たれる。
【０００７】上記の動作を詳述すると、即ち、図２５の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフ（時間ａを参照）になると、
検出されたレーザーの光量を示すモニタ電流Ｉm は、可
変抵抗３７によって所定光量に対応した電圧ＶA に分圧
される。そして、この電圧ＶA （正確には電圧ＶA1）
は、オペアンプ３６で基準電圧Ｖ ref と比較，積分され
て、その結果、オペアンプ３６の出力側の電圧ＶB は、
図２５に示すように、基準電圧Ｖref から例えば時定数
ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。そののち、このオペ
アンプ３６の出力電圧ＶB は、トランジスタ３１によっ
てＬＤ駆動電流ＩOPに変換される。
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフ（時間ａを参照）になると、
検出されたレーザーの光量を示すモニタ電流Ｉm は、可
変抵抗３７によって所定光量に対応した電圧ＶA に分圧
される。そして、この電圧ＶA （正確には電圧ＶA1）
は、オペアンプ３６で基準電圧Ｖ ref と比較，積分され
て、その結果、オペアンプ３６の出力側の電圧ＶB は、
図２５に示すように、基準電圧Ｖref から例えば時定数
ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。そののち、このオペ
アンプ３６の出力電圧ＶB は、トランジスタ３１によっ
てＬＤ駆動電流ＩOPに変換される。
【０００８】そして、時間ｂが経過して、電圧ＶB がし
きい値を越えると、即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPがレーザダ
イオード１１に対するしきい値電流を越えると、レーザ
ダイオード１１はレーザー発振を起こす。すると、外部
フォトダイオード１２からの電流Ｉm が光量に比例して
増加し、図２５の時間ｂ〜時間ｃの間に示すように、オ
ペアンプ３８の負の入力側へ掛かる電圧ＶA も、これに
応じて増加する。
きい値を越えると、即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPがレーザダ
イオード１１に対するしきい値電流を越えると、レーザ
ダイオード１１はレーザー発振を起こす。すると、外部
フォトダイオード１２からの電流Ｉm が光量に比例して
増加し、図２５の時間ｂ〜時間ｃの間に示すように、オ
ペアンプ３８の負の入力側へ掛かる電圧ＶA も、これに
応じて増加する。
【０００９】そして、電圧ＶA が、基準電圧Ｖref と等
しくなるまで、オペアンプ３６の出力は増加していく。
即ち、オペアンプ３６は、電圧ＶB と基準電圧Ｖref と
が同電位となるように動作し、そして、これらが同電位
となると、その時の出力電圧ＶB を一定の値に保持しよ
うとする。その結果、トランジスタ３１のベースへ送ら
れる信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流ＩOP
が一定に保たれて、レーザダイオード１１の所定のレー
ザー出力が所定値に保持される。尚、電圧変化速度は、
基準電圧Ｖref コンデンサ３５，抵抗４６等によって決
まる。
しくなるまで、オペアンプ３６の出力は増加していく。
即ち、オペアンプ３６は、電圧ＶB と基準電圧Ｖref と
が同電位となるように動作し、そして、これらが同電位
となると、その時の出力電圧ＶB を一定の値に保持しよ
うとする。その結果、トランジスタ３１のベースへ送ら
れる信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流ＩOP
が一定に保たれて、レーザダイオード１１の所定のレー
ザー出力が所定値に保持される。尚、電圧変化速度は、
基準電圧Ｖref コンデンサ３５，抵抗４６等によって決
まる。
【００１０】そして、所定値に達すると、オペアンプ３
６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対して、
この所定値を保持するように上記の時定数で補正を行な
う。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力は基準電
圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフになるためレ
ーザーは消灯する。
６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対して、
この所定値を保持するように上記の時定数で補正を行な
う。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力は基準電
圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフになるためレ
ーザーは消灯する。
【００１１】尚、上記のような時定数で、レーザダイオ
ード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが上昇していくように構成
されているのは、レーザダイオード１１は、所定光量
（図２５の時間ｃ以降）を発生させるようなＬＤ駆動電
流ＩOPを急激に受けると、破壊してしまうことがあるた
めである。以上が、半導体レーザ制御装置の説明であ
る。
ード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが上昇していくように構成
されているのは、レーザダイオード１１は、所定光量
（図２５の時間ｃ以降）を発生させるようなＬＤ駆動電
流ＩOPを急激に受けると、破壊してしまうことがあるた
めである。以上が、半導体レーザ制御装置の説明であ
る。
【００１２】又、上述の半導体レーザ制御装置の変形例
として、図２６に示すような半導体レーザ制御装置３Ａ
がある。この半導体レーザ制御装置３Ａは、先の説明の
半導体レーザ制御装置３におけるオペアンプ３８の負の
入力側に、抵抗６２，６３を加えるとともに、可変抵抗
３７の代わりに抵抗６１をそなえ、更に、抵抗４６とオ
ペアンプ３８との間に可変抵抗２５をそなえるように構
成したものである。
として、図２６に示すような半導体レーザ制御装置３Ａ
がある。この半導体レーザ制御装置３Ａは、先の説明の
半導体レーザ制御装置３におけるオペアンプ３８の負の
入力側に、抵抗６２，６３を加えるとともに、可変抵抗
３７の代わりに抵抗６１をそなえ、更に、抵抗４６とオ
ペアンプ３８との間に可変抵抗２５をそなえるように構
成したものである。
【００１３】このような位置に抵抗６１，６２，６３が
設置されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に
掛かる電流Ｉm が、所定の比率で電圧に変換されるよう
になっている。これにより、可変抵抗２５をオペアンプ
３８の出力側に設置することが可能となり、オペアンプ
３８の出力が、その出力先で分圧されるのである。その
他に関しては、先述の半導体レーザ制御装置３と同様で
ある。
設置されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に
掛かる電流Ｉm が、所定の比率で電圧に変換されるよう
になっている。これにより、可変抵抗２５をオペアンプ
３８の出力側に設置することが可能となり、オペアンプ
３８の出力が、その出力先で分圧されるのである。その
他に関しては、先述の半導体レーザ制御装置３と同様で
ある。
【００１４】尚、半導体レーザ制御装置３，３Ａにおい
て、オペアンプ３８の正の入力側および抵抗４６の入力
側に可変抵抗３７，２５がそなえられているのは、以下
のためである。即ち、図２７に示すように、ＬＤチップ
３０のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１
２とは、同一品種であっても、それらの取付け具合い等
により、同光量時でも、レーザダイオード１１のモニタ
電流Ｉm の値に数倍のばらつきが発生することがある。
このため、光量に対する適正なオペアンプ３６の負の入
力を得れなくなってしまうことがある。しかし、可変抵
抗を上述のように配置することにより電圧を分圧できる
ので、オペアンプ３６側へ送られる電圧を適正な値に調
整することが可能となるのである。
て、オペアンプ３８の正の入力側および抵抗４６の入力
側に可変抵抗３７，２５がそなえられているのは、以下
のためである。即ち、図２７に示すように、ＬＤチップ
３０のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１
２とは、同一品種であっても、それらの取付け具合い等
により、同光量時でも、レーザダイオード１１のモニタ
電流Ｉm の値に数倍のばらつきが発生することがある。
このため、光量に対する適正なオペアンプ３６の負の入
力を得れなくなってしまうことがある。しかし、可変抵
抗を上述のように配置することにより電圧を分圧できる
ので、オペアンプ３６側へ送られる電圧を適正な値に調
整することが可能となるのである。
【００１５】尚、図２７は、５ｍＷの光量Ｐ5 における
分圧比Ｋと電流Ｉm との関係を示したものであり、又、
分圧比Ｋの目盛りは、可変抵抗の抵抗変換用のつまみの
角度に比例している。そして、図２７の２ｍＷ〜４ｍＷ
の区間の光量に示すように、電流Ｉm が大きくなる程、
２ｍＷ〜４ｍＷの区間は小さくなっている。尚、電流Ｉ
m ＝光量Ｐ0 ×光量Ｐ5 ÷５ｍＷ、電圧Ｖm ＝電流Ｉm
×抵抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref ÷電圧Ｖm の
関係がある。ここで、光量Ｐ0 は、特定の電流Ｉm の値
に対して、分圧比Ｋで変更される光量の値を示したもの
である。
分圧比Ｋと電流Ｉm との関係を示したものであり、又、
分圧比Ｋの目盛りは、可変抵抗の抵抗変換用のつまみの
角度に比例している。そして、図２７の２ｍＷ〜４ｍＷ
の区間の光量に示すように、電流Ｉm が大きくなる程、
２ｍＷ〜４ｍＷの区間は小さくなっている。尚、電流Ｉ
m ＝光量Ｐ0 ×光量Ｐ5 ÷５ｍＷ、電圧Ｖm ＝電流Ｉm
×抵抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref ÷電圧Ｖm の
関係がある。ここで、光量Ｐ0 は、特定の電流Ｉm の値
に対して、分圧比Ｋで変更される光量の値を示したもの
である。
【００１６】又、上記のＬＤチップ３０は放熱対策のた
めに、図２８に示すように、金属性のヒートシンク２８
が直接、ＬＤチップ３０に電気的に接触してそなえられ
ることがある。ところで、図２３の走査機構４は、例え
ばモータにより回転駆動されるポリゴンミラーから構成
されるもので、レーザ発光部３からのレーザビームＬ１
を反射することにより、このレーザビームＬ１を、レー
ザビームＬ２としてバーコード１をなす複数の黒バーお
よび白バーへ向けて照射し、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査させる機
能を有している。
めに、図２８に示すように、金属性のヒートシンク２８
が直接、ＬＤチップ３０に電気的に接触してそなえられ
ることがある。ところで、図２３の走査機構４は、例え
ばモータにより回転駆動されるポリゴンミラーから構成
されるもので、レーザ発光部３からのレーザビームＬ１
を反射することにより、このレーザビームＬ１を、レー
ザビームＬ２としてバーコード１をなす複数の黒バーお
よび白バーへ向けて照射し、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査させる機
能を有している。
【００１７】この走査機構４は、バーコード１からのレ
ーザビームＬ２の反射光Ｒ１を反射することにより、レ
ーザビームＬ２の走査に伴って移動する反射光Ｒ１を反
射光Ｒ２として光電変換部５へ入射させる機能も有して
いる。さらに、光電変換部５は、例えばフォトダイオー
ド等の光電変換素子を有して構成されるもので、走査機
構４を介して受光した反射光Ｒ２（光入力信号）をその
光量に応じた電気信号（アナログ値）に変換して出力す
るものである。
ーザビームＬ２の反射光Ｒ１を反射することにより、レ
ーザビームＬ２の走査に伴って移動する反射光Ｒ１を反
射光Ｒ２として光電変換部５へ入射させる機能も有して
いる。さらに、光電変換部５は、例えばフォトダイオー
ド等の光電変換素子を有して構成されるもので、走査機
構４を介して受光した反射光Ｒ２（光入力信号）をその
光量に応じた電気信号（アナログ値）に変換して出力す
るものである。
【００１８】一方、６は光電変換部５からの電気信号を
ディジタル化するＡ／Ｄ変換部で、このＡ／Ｄ変換部６
は、光電変換部５からの電気信号をディジタル化するこ
とにより、バーコード１をなす各黒バーの部分に対応す
る黒レベル信号と、バーコード１をなす各白バーの部分
に対応する白レベル信号との二値化信号に変換するもの
である。この二値化信号としては、通常、各白バーの部
分からの反射光Ｒ２の光量の方が各黒バー部分からの反
射光Ｒ２の光量よりも大きくなるため、白レベル信号を
Ｈｉｇｈレベルとし黒レベル信号をＬｏｗレベルとした
信号が得られる。
ディジタル化するＡ／Ｄ変換部で、このＡ／Ｄ変換部６
は、光電変換部５からの電気信号をディジタル化するこ
とにより、バーコード１をなす各黒バーの部分に対応す
る黒レベル信号と、バーコード１をなす各白バーの部分
に対応する白レベル信号との二値化信号に変換するもの
である。この二値化信号としては、通常、各白バーの部
分からの反射光Ｒ２の光量の方が各黒バー部分からの反
射光Ｒ２の光量よりも大きくなるため、白レベル信号を
Ｈｉｇｈレベルとし黒レベル信号をＬｏｗレベルとした
信号が得られる。
【００１９】また、７はクロックジュネレータ８からの
クロック信号をカウントするバー幅カウンタで、このバ
ー幅カウンタ７は、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅、即
ち実際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に
対応する値をクロック信号のカウント値として出力する
ものである。
クロック信号をカウントするバー幅カウンタで、このバ
ー幅カウンタ７は、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅、即
ち実際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に
対応する値をクロック信号のカウント値として出力する
ものである。
【００２０】さらに、９はバー幅カウンタ７からのバー
幅カウント値を格納するメモリ、１０はＣＰＵで、この
ＣＰＵ１０は、メモリ９に格納されたバー幅カウント値
（各黒バーおよび各白バーの幅に対応する値）に基づい
て、バーコード１のもつ所定データを抽出・復調するた
めのものである。上述の構成により、レーザ発光部３か
ら発光されたレーザビームＬ１は、走査機構４によっ
て、レーザビームＬ２としてバーコード１の黒バーおよ
び白バーへ向けて照射され、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査される。
幅カウント値を格納するメモリ、１０はＣＰＵで、この
ＣＰＵ１０は、メモリ９に格納されたバー幅カウント値
（各黒バーおよび各白バーの幅に対応する値）に基づい
て、バーコード１のもつ所定データを抽出・復調するた
めのものである。上述の構成により、レーザ発光部３か
ら発光されたレーザビームＬ１は、走査機構４によっ
て、レーザビームＬ２としてバーコード１の黒バーおよ
び白バーへ向けて照射され、バーコード１の黒バー，白
バーと交差する方向に一定の速度で移動・走査される。
【００２１】走査機構４から射出されたレーザビームＬ
２は、バーコード１の部分で散乱・反射され反射光Ｒ１
として走査機構４に再入射する。反射光Ｒ１は、レーザ
ビームＬ２の走査移動に伴って反射角が変化して移動す
るが、走査機構４を構成するポリゴンミラーにて反射さ
れることにより、反射光Ｒ２として所定位置に配置され
た光電変換部５の光電変換素子へ入射する。
２は、バーコード１の部分で散乱・反射され反射光Ｒ１
として走査機構４に再入射する。反射光Ｒ１は、レーザ
ビームＬ２の走査移動に伴って反射角が変化して移動す
るが、走査機構４を構成するポリゴンミラーにて反射さ
れることにより、反射光Ｒ２として所定位置に配置され
た光電変換部５の光電変換素子へ入射する。
【００２２】この光電変換部５により反射光Ｒ２はその
光量に応じた電気信号に変換され、その電気信号は、Ａ
／Ｄ変換部６によりディジタル化され、バーコード１の
各黒バーの部分に対応する黒レベル信号と、バーコード
１の各白バーの部分に対応する白レベル信号とを有する
二値化信号に変換される。この後、バー幅カウンタ７に
てクロックジュネレータ８からのクロック信号をカウン
トすることにより、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅（実
際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に対応
する値）がクロック信号のカウント値として計測され、
そのカウント値を、メモリ９に一旦格納する。そして、
ＣＰＵ１０において、メモリ９に格納されたバー幅カウ
ント値に対して所定の復調処理を施すことにより、バー
コード１のもつ所定データが抽出・復調される。
光量に応じた電気信号に変換され、その電気信号は、Ａ
／Ｄ変換部６によりディジタル化され、バーコード１の
各黒バーの部分に対応する黒レベル信号と、バーコード
１の各白バーの部分に対応する白レベル信号とを有する
二値化信号に変換される。この後、バー幅カウンタ７に
てクロックジュネレータ８からのクロック信号をカウン
トすることにより、Ａ／Ｄ変換部６からの二値化信号の
黒レベル信号部分および白レベル信号部分の時間幅（実
際のバーコード１の各黒バーおよび各白バーの幅に対応
する値）がクロック信号のカウント値として計測され、
そのカウント値を、メモリ９に一旦格納する。そして、
ＣＰＵ１０において、メモリ９に格納されたバー幅カウ
ント値に対して所定の復調処理を施すことにより、バー
コード１のもつ所定データが抽出・復調される。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなバーコード読取装置に使用される従来の半導体レ
ーザ制御手段では、適切な所定光量をレーザダイオード
が出力していても、何らかの事情で帰還系にノイズが乗
ってしまうと、帰還制御における帰還電流や電圧の正常
な値を得ることができなくなってしまう。
ようなバーコード読取装置に使用される従来の半導体レ
ーザ制御手段では、適切な所定光量をレーザダイオード
が出力していても、何らかの事情で帰還系にノイズが乗
ってしまうと、帰還制御における帰還電流や電圧の正常
な値を得ることができなくなってしまう。
【００２４】すると、オペアンプは、所定光量を得るた
めの電圧を出力しているにも関わらず、与えられた時定
数、つまり、点灯時から所定光量に達するまでの時定数
で出力を変化させる。しかし、この時定数では、変化速
度が大きすぎるため、帰還制御系の異常を検出するより
先に、レーザダイオードが異常発光してしまうという課
題がある。
めの電圧を出力しているにも関わらず、与えられた時定
数、つまり、点灯時から所定光量に達するまでの時定数
で出力を変化させる。しかし、この時定数では、変化速
度が大きすぎるため、帰還制御系の異常を検出するより
先に、レーザダイオードが異常発光してしまうという課
題がある。
【００２５】更に、所定光量時における処々の理由によ
るレーザー出力の変動に対して、この所定光量を保持す
るように補正を行なうにしても、上記の時定数では補正
による変動が大きすぎて、レーザー出力が安定しないと
いう課題がある。又、図２７に示すように、光量に対す
る電流が大きくなると、光量の目盛り間隔が狭くなるた
め、分圧比Ｋが０．８２〜０．４２ぐらいまでは、可変
抵抗の調整が容易であるが、０．４２よりも小さいと、
可変抵抗の抵抗変更用つまみが僅かな角度変化で光量が
大きく変化するため、その調整が困難になるという課題
がある。
るレーザー出力の変動に対して、この所定光量を保持す
るように補正を行なうにしても、上記の時定数では補正
による変動が大きすぎて、レーザー出力が安定しないと
いう課題がある。又、図２７に示すように、光量に対す
る電流が大きくなると、光量の目盛り間隔が狭くなるた
め、分圧比Ｋが０．８２〜０．４２ぐらいまでは、可変
抵抗の調整が容易であるが、０．４２よりも小さいと、
可変抵抗の抵抗変更用つまみが僅かな角度変化で光量が
大きく変化するため、その調整が困難になるという課題
がある。
【００２６】そして又、ＬＤチップに設けられたヒート
シンクは、その形状により、電波および静電気の影響を
受けてアンテナ効果によって、余計な電流をＬＤチップ
３０に伝達してしまう。この結果、ＬＤチップ内のレー
ザダイオードおよび外部フォトダイオードの寿命が短く
なってしまうという課題がある。本発明は、このような
課題に鑑み創案されたもので、点灯時から所定光量に達
するまでの時間に影響を与えることなく、帰還系にノイ
ズが乗った場合でも、その影響を受けずに正常に作動
し、又、所定光量時における処々の理由によるレーザー
出力の変動に対しても適切な補正を行ない、レーザー出
力を常時安定させることができる他、可変抵抗の抵抗変
更用つまみのレンジをより的確な値に調整できるように
するとともに、更に、熱や電気等の外部ノイズから、Ｌ
Ｄチップ内のレーザダイオードおよび外部フォトダイオ
ードを保護できるようにした、半導体レーザ制御方法お
よび半導体レーザ制御装置を提供することを目的とす
る。
シンクは、その形状により、電波および静電気の影響を
受けてアンテナ効果によって、余計な電流をＬＤチップ
３０に伝達してしまう。この結果、ＬＤチップ内のレー
ザダイオードおよび外部フォトダイオードの寿命が短く
なってしまうという課題がある。本発明は、このような
課題に鑑み創案されたもので、点灯時から所定光量に達
するまでの時間に影響を与えることなく、帰還系にノイ
ズが乗った場合でも、その影響を受けずに正常に作動
し、又、所定光量時における処々の理由によるレーザー
出力の変動に対しても適切な補正を行ない、レーザー出
力を常時安定させることができる他、可変抵抗の抵抗変
更用つまみのレンジをより的確な値に調整できるように
するとともに、更に、熱や電気等の外部ノイズから、Ｌ
Ｄチップ内のレーザダイオードおよび外部フォトダイオ
ードを保護できるようにした、半導体レーザ制御方法お
よび半導体レーザ制御装置を提供することを目的とす
る。
【００２７】
【課題を解決するための手段】図１は第１の発明の原理
ブロック図で、この図１において、２０Ａは半導体レー
ザ制御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置
２０Ａは、半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第
１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，制御モー
ド選択手段１５Ａ，電源２９によって構成されている。
ブロック図で、この図１において、２０Ａは半導体レー
ザ制御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置
２０Ａは、半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第
１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，制御モー
ド選択手段１５Ａ，電源２９によって構成されている。
【００２８】ここで、半導体レーザ１１は、電流によっ
て光量制御が可能なレーザであり、光量モニタ手段１２
は、半導体レーザ１１の光量をモニタするものである。
第１帰還制御手段１３は、光量モニタ手段１２からのモ
ニタ結果に基づき、第１の時定数で半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものであり、第２帰還制御手段１４
は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基づき、第
２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御するも
のである。
て光量制御が可能なレーザであり、光量モニタ手段１２
は、半導体レーザ１１の光量をモニタするものである。
第１帰還制御手段１３は、光量モニタ手段１２からのモ
ニタ結果に基づき、第１の時定数で半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものであり、第２帰還制御手段１４
は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基づき、第
２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御するも
のである。
【００２９】制御モード選択手段１５Ａは、光量モニタ
手段１２からのモニタ結果に基づき、所定光量以下のと
きは第１帰還制御手段１３による制御モードを選択する
一方、所定光量よりも大きいときは第２帰還制御手段１
４による制御モードを選択するものである。尚、第２の
時定数は、第１の時定数よりも長くなるように設定され
ている（請求項２，１０）。
手段１２からのモニタ結果に基づき、所定光量以下のと
きは第１帰還制御手段１３による制御モードを選択する
一方、所定光量よりも大きいときは第２帰還制御手段１
４による制御モードを選択するものである。尚、第２の
時定数は、第１の時定数よりも長くなるように設定され
ている（請求項２，１０）。
【００３０】又、図２は第２の発明の原理ブロック図
で、この図２において、２０Ｂは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第１帰還制御
手段１３，第２帰還制御手段１４，制御モード選択手段
１５Ｂ，オン／オフ制御手段１６，電源２９により構成
されている。
で、この図２において、２０Ｂは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第１帰還制御
手段１３，第２帰還制御手段１４，制御モード選択手段
１５Ｂ，オン／オフ制御手段１６，電源２９により構成
されている。
【００３１】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。制御
モード選択手段１５Ｂは、オン／オフ制御手段１６によ
って半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への移行
後、所定時間が経過するまでは第１帰還制御手段１３に
よる制御モードを選択する一方、半導体レーザ１１がオ
フ状態からオン状態への移行後、所定時間が経過すると
第２帰還制御手段１４による制御モードを選択するもの
である。オン／オフ制御手段１６は、半導体レーザ１１
のオン／オフを制御するものである。
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。制御
モード選択手段１５Ｂは、オン／オフ制御手段１６によ
って半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への移行
後、所定時間が経過するまでは第１帰還制御手段１３に
よる制御モードを選択する一方、半導体レーザ１１がオ
フ状態からオン状態への移行後、所定時間が経過すると
第２帰還制御手段１４による制御モードを選択するもの
である。オン／オフ制御手段１６は、半導体レーザ１１
のオン／オフを制御するものである。
【００３２】尚、上記の所定時間は、第１帰還制御手段
１３の第１の時定数で半導体レーザ１１が所定光量に到
達する時間よりも、長い時間として設定されており、第
１の時定数は、第２の時定数よりも長くなるように設定
されている（請求項２，５，６）。又、図３は第３の発
明の原理ブロック図で、この図３において、２０Ｃは半
導体レーザ制御装置を示したもので、この半導体レーザ
制御装置２０Ｃは、半導体レーザ１１，光量モニタ手段
１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，
制御モード選択手段１５Ｃ，駆動電流測定手段１７，電
源２９をそなえて構成されている。
１３の第１の時定数で半導体レーザ１１が所定光量に到
達する時間よりも、長い時間として設定されており、第
１の時定数は、第２の時定数よりも長くなるように設定
されている（請求項２，５，６）。又、図３は第３の発
明の原理ブロック図で、この図３において、２０Ｃは半
導体レーザ制御装置を示したもので、この半導体レーザ
制御装置２０Ｃは、半導体レーザ１１，光量モニタ手段
１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４，
制御モード選択手段１５Ｃ，駆動電流測定手段１７，電
源２９をそなえて構成されている。
【００３３】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。駆動
電流測定手段１７は、半導体レーザ１１の駆動電流を測
定するものであり、制御モード選択手段１５Ｃは、駆動
電流測定手段１７の測定結果に基づき、所定駆動電流以
下のときは第１帰還制御手段１３による制御モードを選
択する一方、所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還
制御手段１４による制御モードを選択するものである
（請求項２，８）。
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１４
は、第１の発明で説明した通りである。尚、第１帰還制
御手段１３および第２帰還制御手段１４は、半導体レー
ザ制御装置２０Ａの場合と同様に、第１の時定数が、第
２の時定数よりも長くなるように設定されている。駆動
電流測定手段１７は、半導体レーザ１１の駆動電流を測
定するものであり、制御モード選択手段１５Ｃは、駆動
電流測定手段１７の測定結果に基づき、所定駆動電流以
下のときは第１帰還制御手段１３による制御モードを選
択する一方、所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還
制御手段１４による制御モードを選択するものである
（請求項２，８）。
【００３４】又、図４は第４の発明の原理ブロック図
で、この図４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第１帰還制御
手段１３，第２帰還制御手段１４，第３帰還制御手段１
８，制御モード選択手段１５Ｄ，駆動電流測定手段１
７，電源２９をそなえて構成されている。
で、この図４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，第１帰還制御
手段１３，第２帰還制御手段１４，第３帰還制御手段１
８，制御モード選択手段１５Ｄ，駆動電流測定手段１
７，電源２９をそなえて構成されている。
【００３５】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１
４，駆動電流測定手段１７は、第３の発明で説明した通
りである。第３帰還制御手段１８は、光量モニタ手段１
２からのモニタ結果に基づき、第３の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御するものである。制御モード
選択手段１５Ｄは、駆動電流測定手段１７および光量モ
ニタ手段１２の測定結果に基づき、所定駆動電流以下の
ときは第１帰還制御手段１３による制御モードを選択
し、所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還制御手段
１４による制御モードを選択し、所定光量よりも大きい
ときは第３帰還制御手段１８による制御モードを選択す
るものである。
段１２，第１帰還制御手段１３，第２帰還制御手段１
４，駆動電流測定手段１７は、第３の発明で説明した通
りである。第３帰還制御手段１８は、光量モニタ手段１
２からのモニタ結果に基づき、第３の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御するものである。制御モード
選択手段１５Ｄは、駆動電流測定手段１７および光量モ
ニタ手段１２の測定結果に基づき、所定駆動電流以下の
ときは第１帰還制御手段１３による制御モードを選択
し、所定駆動電流よりも大きいときは第２帰還制御手段
１４による制御モードを選択し、所定光量よりも大きい
ときは第３帰還制御手段１８による制御モードを選択す
るものである。
【００３６】尚、第３の時定数は、第２の時定数よりも
長く、且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長く
なるように設定されている（請求項１３，１４）。又、
図５は第５の発明の原理ブロック図で、この図５におい
て、２０Ｅは半導体レーザ制御装置を示したもので、こ
の半導体レーザ制御装置２０Ｅは、半導体レーザ１１，
光量モニタ手段１２，選択手段１５Ｅ，ローパスフィル
タ１９，帰還制御手段２１をそなえて構成されている。
長く、且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長く
なるように設定されている（請求項１３，１４）。又、
図５は第５の発明の原理ブロック図で、この図５におい
て、２０Ｅは半導体レーザ制御装置を示したもので、こ
の半導体レーザ制御装置２０Ｅは、半導体レーザ１１，
光量モニタ手段１２，選択手段１５Ｅ，ローパスフィル
タ１９，帰還制御手段２１をそなえて構成されている。
【００３７】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２は、第１の発明で説明した通りである。帰還制御
手段２１は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基
づき、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制
御するものであり、ローパスフィルタ１９は、光量モニ
タ手段１２からのモニタ信号の低周波数成分を通過させ
るものである。
段１２は、第１の発明で説明した通りである。帰還制御
手段２１は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基
づき、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制
御するものであり、ローパスフィルタ１９は、光量モニ
タ手段１２からのモニタ信号の低周波数成分を通過させ
るものである。
【００３８】選択手段１５Ｅは、光量モニタ手段１２か
らのモニタ結果に基づき、所定光量よりも大きくなる
と、光量モニタ手段１２からのモニタ信号をローパスフ
ィルタ１９を介して帰還制御手段２１へ入力するもので
ある（請求項１６）。又、図５は第６の発明の原理ブロ
ック図で、この図５において、２０Ｆは半導体レーザ制
御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０
Ｆは、半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，選択手
段１５Ｆ，ローパスフィルタ１９，電源２９，帰還制御
手段２１をそなえて構成されている。
らのモニタ結果に基づき、所定光量よりも大きくなる
と、光量モニタ手段１２からのモニタ信号をローパスフ
ィルタ１９を介して帰還制御手段２１へ入力するもので
ある（請求項１６）。又、図５は第６の発明の原理ブロ
ック図で、この図５において、２０Ｆは半導体レーザ制
御装置を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０
Ｆは、半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，選択手
段１５Ｆ，ローパスフィルタ１９，電源２９，帰還制御
手段２１をそなえて構成されている。
【００３９】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２，ローパスフィルタ１９，帰還制御手段２１は、
第１，５の発明で説明した通りである。選択手段１５Ｆ
は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基づき、所
定光量よりも大きくなってから所定時間経過後に、光量
モニタ手段１２からのモニタ信号をローパスフィルタ１
９を介して帰還制御手段２１へ入力するものである（請
求項１８）。
段１２，ローパスフィルタ１９，帰還制御手段２１は、
第１，５の発明で説明した通りである。選択手段１５Ｆ
は、光量モニタ手段１２からのモニタ結果に基づき、所
定光量よりも大きくなってから所定時間経過後に、光量
モニタ手段１２からのモニタ信号をローパスフィルタ１
９を介して帰還制御手段２１へ入力するものである（請
求項１８）。
【００４０】又、図６は第７の発明の原理ブロック図
で、この図６において、２０Ｇは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，選択手段１５
Ｇ，オン／オフ制御手段１６，ローパスフィルタ１９，
電源２９，帰還制御手段２１により構成されている。こ
こで、半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，オン／
オフ制御手段１６，ローパスフィルタ１９，帰還制御手
段２１は、第１，５の発明で説明した通りである。
で、この図６において、２０Ｇは半導体レーザ制御装置
を示したもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、
半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，選択手段１５
Ｇ，オン／オフ制御手段１６，ローパスフィルタ１９，
電源２９，帰還制御手段２１により構成されている。こ
こで、半導体レーザ１１，光量モニタ手段１２，オン／
オフ制御手段１６，ローパスフィルタ１９，帰還制御手
段２１は、第１，５の発明で説明した通りである。
【００４１】選択手段１５Ｇは、オン／オフ制御手段１
６によって半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態へ
の移行後、所定時間が経過すると、光量モニタ手段１２
からのモニタ信号をローパスフィルタを介して帰還制御
手段２１Ｇへ入力するものである（請求項２０）。又、
図７は第８の発明の原理ブロック図で、この図８におい
て、２０は半導体レーザ制御装置を示したもので、この
半導体レーザ制御装置２０は、半導体レーザ１１，光量
モニタ手段１２，電流／電圧変換手段２２，モニタ電圧
分圧手段２３，電源２９をそなえて構成されている。
６によって半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態へ
の移行後、所定時間が経過すると、光量モニタ手段１２
からのモニタ信号をローパスフィルタを介して帰還制御
手段２１Ｇへ入力するものである（請求項２０）。又、
図７は第８の発明の原理ブロック図で、この図８におい
て、２０は半導体レーザ制御装置を示したもので、この
半導体レーザ制御装置２０は、半導体レーザ１１，光量
モニタ手段１２，電流／電圧変換手段２２，モニタ電圧
分圧手段２３，電源２９をそなえて構成されている。
【００４２】ここで、半導体レーザ１１，光量モニタ手
段１２は、先の発明で説明した通りである。電流／電圧
変換手段２２は、光量モニタ手段１２からのモニタ電流
を電圧値に変換するものであり、モニタ電圧分圧手段２
３は、電流／電圧変換手段２２で変換されたモニタ電圧
を分圧すべく、直列接続された２つの抵抗２５，２６を
有するものである。
段１２は、先の発明で説明した通りである。電流／電圧
変換手段２２は、光量モニタ手段１２からのモニタ電流
を電圧値に変換するものであり、モニタ電圧分圧手段２
３は、電流／電圧変換手段２２で変換されたモニタ電圧
を分圧すべく、直列接続された２つの抵抗２５，２６を
有するものである。
【００４３】スイッチ２４は、モニタ電圧分圧手段２３
における一方の抵抗２６に設けられ、この抵抗２６をシ
ョートし分圧比を変更しうるものであり、帰還制御手段
１５Ｈは、モニタ電圧分圧手段２３からのモニタ分圧信
号と基準電圧とが等しくなるように半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものである（請求項２１）。尚、一
方の抵抗２６が、分圧比を連続的に変更するための可変
抵抗としてもよい（請求項２３）。
における一方の抵抗２６に設けられ、この抵抗２６をシ
ョートし分圧比を変更しうるものであり、帰還制御手段
１５Ｈは、モニタ電圧分圧手段２３からのモニタ分圧信
号と基準電圧とが等しくなるように半導体レーザ１１の
光量を帰還制御するものである（請求項２１）。尚、一
方の抵抗２６が、分圧比を連続的に変更するための可変
抵抗としてもよい（請求項２３）。
【００４４】又、このモニタ電圧分圧手段２３は、直列
接続された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成すると
ともに、この固定抵抗２６に並列にスイッチ２４を設け
てもよい。この場合、可変抵抗２５が所定位置にセット
されている時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をシ
ョートしても、半導体レーザ１１が過発光しないような
値に、固定抵抗２６の抵抗値が設定されている（請求項
２２）。
接続された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成すると
ともに、この固定抵抗２６に並列にスイッチ２４を設け
てもよい。この場合、可変抵抗２５が所定位置にセット
されている時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をシ
ョートしても、半導体レーザ１１が過発光しないような
値に、固定抵抗２６の抵抗値が設定されている（請求項
２２）。
【００４５】又、図８は第９の発明の原理ブロック図
で、この図８において、１１は発光ダイオードを示した
もので、この発光ダイオード１１には、非導電材製の中
間部材２７を介して、導電材製の放熱部材２８が取り付
けられている。ここで、中間部材２７は、熱的には接触
したものと等価な厚みをもつ非導電材製であり、放熱部
材２８は、半導体レーザ１１の放熱を行なう導電材製の
ものである（請求項２４）。
で、この図８において、１１は発光ダイオードを示した
もので、この発光ダイオード１１には、非導電材製の中
間部材２７を介して、導電材製の放熱部材２８が取り付
けられている。ここで、中間部材２７は、熱的には接触
したものと等価な厚みをもつ非導電材製であり、放熱部
材２８は、半導体レーザ１１の放熱を行なう導電材製の
ものである（請求項２４）。
【００４６】そして、この放熱部材２８は接地されてい
る（請求項２５）。
る（請求項２５）。
【００４７】
【作用】上述の第１の発明では、図１に示すように、半
導体レーザ制御装置２０Ａは、半導体レーザ１１の光量
モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要の
時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。その
結果、半導体レーザ１１への電流が調整されて、その光
量制御が行なわれる。
導体レーザ制御装置２０Ａは、半導体レーザ１１の光量
モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要の
時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。その
結果、半導体レーザ１１への電流が調整されて、その光
量制御が行なわれる。
【００４８】尚、このような光量制御における時定数の
選択は、制御モード選択手段１５Ａによって行なわれ
る。即ち、半導体レーザ１１の光量が所定光量以下のと
きは、第１帰還制御手段１３による制御モードを選択し
て、第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御す
る。又、所定光量よりも大きいときは、第２帰還制御手
段１４による制御モードを選択して、第１の時定数より
も長い第２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制
御する（請求項１，２，９）。
選択は、制御モード選択手段１５Ａによって行なわれ
る。即ち、半導体レーザ１１の光量が所定光量以下のと
きは、第１帰還制御手段１３による制御モードを選択し
て、第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御す
る。又、所定光量よりも大きいときは、第２帰還制御手
段１４による制御モードを選択して、第１の時定数より
も長い第２の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制
御する（請求項１，２，９）。
【００４９】又、第２の発明では、図２に示すように、
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要
の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。
尚、このような帰還制御における時定数の選択は、制御
モード選択手段１５Ｂによって行なわれる。即ち、オン
／オフ制御手段１６の制御により、半導体レーザ１１が
オン状態からオフ状態への移行後、所定時間が経過する
までは、第１帰還制御手段１３による制御モードを選択
して、第２の時定数よりも大きい第１の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御する。これにより、所定時
間内においては、半導体レーザ１１は、第１の時定数に
よって所定光量に到達する。
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要
の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。
尚、このような帰還制御における時定数の選択は、制御
モード選択手段１５Ｂによって行なわれる。即ち、オン
／オフ制御手段１６の制御により、半導体レーザ１１が
オン状態からオフ状態への移行後、所定時間が経過する
までは、第１帰還制御手段１３による制御モードを選択
して、第２の時定数よりも大きい第１の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御する。これにより、所定時
間内においては、半導体レーザ１１は、第１の時定数に
よって所定光量に到達する。
【００５０】一方、半導体レーザ１１がオフ状態からオ
ン状態への移行後、所定時間が経過すると、第２帰還制
御手段１４による制御モードを選択して、第２の時定数
で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する（請求項３，
４，５）。又、第３の発明では、図３に示すように、半
導体レーザ制御装置２０Ｃは、半導体レーザ１１の光量
モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要の
時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。
ン状態への移行後、所定時間が経過すると、第２帰還制
御手段１４による制御モードを選択して、第２の時定数
で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する（請求項３，
４，５）。又、第３の発明では、図３に示すように、半
導体レーザ制御装置２０Ｃは、半導体レーザ１１の光量
モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要の
時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５１】尚、このような帰還制御における時定数の
選択は、制御モード選択手段１５Ｃによって行なわれ
る。即ち、駆動電流測定手段１７によって、半導体レー
ザ１１の駆動電流を測定して、半導体レーザ１１の駆動
電流が所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１
３による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御する。
選択は、制御モード選択手段１５Ｃによって行なわれ
る。即ち、駆動電流測定手段１７によって、半導体レー
ザ１１の駆動電流を測定して、半導体レーザ１１の駆動
電流が所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１
３による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体
レーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５２】一方、半導体レーザ１１の駆動電流が所定
駆動電流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４に
よる制御モードを選択して、第２の時定数で半導体レー
ザ１１の光量を帰還制御する（請求項７，８）。又、第
４の発明では、図４に示すように、半導体レーザ制御装
置２０Ｄは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２に
よって光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
駆動電流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４に
よる制御モードを選択して、第２の時定数で半導体レー
ザ１１の光量を帰還制御する（請求項７，８）。又、第
４の発明では、図４に示すように、半導体レーザ制御装
置２０Ｄは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２に
よって光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５３】尚、このような帰還制御における時定数の
選択は、制御モード選択手段１５Ｄによって、駆動電流
測定手段１７および光量モニタ手段１２の測定結果に基
づいて行なわれる。即ち、半導体レーザ１１の駆動電流
が所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１３Ｄ
による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
選択は、制御モード選択手段１５Ｄによって、駆動電流
測定手段１７および光量モニタ手段１２の測定結果に基
づいて行なわれる。即ち、半導体レーザ１１の駆動電流
が所定駆動電流以下のときは、第１帰還制御手段１３Ｄ
による制御モードを選択して、第１の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量を帰還制御する。
【００５４】半導体レーザ１１の駆動電流が所定駆動電
流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４Ｄによる
制御モードを選択して、第１の時定数よりも長い第２の
時定数で、半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。半
導体レーザ１１の光量が所定光量よりも大きいときは、
第３帰還制御手段１８による制御モードを選択して、第
２の時定数よりも長い第３の時定数で、半導体レーザ１
１の光量を帰還制御する（請求項１１，１２）。
流よりも大きいときは、第２帰還制御手段１４Ｄによる
制御モードを選択して、第１の時定数よりも長い第２の
時定数で、半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。半
導体レーザ１１の光量が所定光量よりも大きいときは、
第３帰還制御手段１８による制御モードを選択して、第
２の時定数よりも長い第３の時定数で、半導体レーザ１
１の光量を帰還制御する（請求項１１，１２）。
【００５５】又、第５の発明では、図５に示すように、
半導体レーザ制御装置２０Ｅは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要
の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。即
ち、半導体レーザ１１の光量が所定光量よりも小さい
と、帰還制御手段２１Ｅによって、光量モニタ手段１２
からのモニタ結果に基づいた、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量が帰還制御される。
半導体レーザ制御装置２０Ｅは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要
の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。即
ち、半導体レーザ１１の光量が所定光量よりも小さい
と、帰還制御手段２１Ｅによって、光量モニタ手段１２
からのモニタ結果に基づいた、所要の時定数で半導体レ
ーザ１１の光量が帰還制御される。
【００５６】又、選択手段１５Ｅは、光量モニタ手段１
２からのモニタ結果に基づき、半導体レーザ１１の光量
が所定光量よりも大きくなると、光量モニタ信号をロー
パスフィルタ１９を通して帰還制御手段２１Ｅへ入力す
る。この際、ローパスフィルタ１９では、モニタ信号の
低周波数成分が通過する（請求項１５）。又、第６の発
明では、図５に示すように、半導体レーザ制御装置２０
Ｆは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２によって
光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レーザ１
１の光量を帰還制御する。
２からのモニタ結果に基づき、半導体レーザ１１の光量
が所定光量よりも大きくなると、光量モニタ信号をロー
パスフィルタ１９を通して帰還制御手段２１Ｅへ入力す
る。この際、ローパスフィルタ１９では、モニタ信号の
低周波数成分が通過する（請求項１５）。又、第６の発
明では、図５に示すように、半導体レーザ制御装置２０
Ｆは、半導体レーザ１１の光量モニタ手段１２によって
光量をモニタしながら、所要の時定数で半導体レーザ１
１の光量を帰還制御する。
【００５７】即ち、半導体レーザ１１の光量が所定光量
よりも大きくなってから所定時間以内は、帰還制御手段
２１Ｆによって、光量モニタ手段１２からのモニタ結果
に基いた、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量が帰
還制御される。又、半導体レーザ１１の光量が所定光量
よりも大きくなってから所定時間経過後に、選択手段１
５Ｆによって、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９
を通して帰還制御手段２１Ｆへ入力する。この際、ロー
パスフィルタ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通
過する（請求項１７）。
よりも大きくなってから所定時間以内は、帰還制御手段
２１Ｆによって、光量モニタ手段１２からのモニタ結果
に基いた、所要の時定数で半導体レーザ１１の光量が帰
還制御される。又、半導体レーザ１１の光量が所定光量
よりも大きくなってから所定時間経過後に、選択手段１
５Ｆによって、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９
を通して帰還制御手段２１Ｆへ入力する。この際、ロー
パスフィルタ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通
過する（請求項１７）。
【００５８】又、第７の発明では、図６に示すように、
半導体レーザ制御装置２０Ｆは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要
の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。そ
して、半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への移
行後、所定時間が経過すると、選択手段１５Ｇによっ
て、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９を通して帰
還制御手段２１Ｇへ入力する。この際、ローパスフィル
タ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通過する（請
求項１９）。
半導体レーザ制御装置２０Ｆは、半導体レーザ１１の光
量モニタ手段１２によって光量をモニタしながら、所要
の時定数で半導体レーザ１１の光量を帰還制御する。そ
して、半導体レーザ１１がオフ状態からオン状態への移
行後、所定時間が経過すると、選択手段１５Ｇによっ
て、光量モニタ信号をローパスフィルタ１９を通して帰
還制御手段２１Ｇへ入力する。この際、ローパスフィル
タ１９では、モニタ信号の低周波数成分が通過する（請
求項１９）。
【００５９】又、第８の発明では、図７に示すように、
半導体レーザ制御装置２０の光量モニタ手段１２で検出
された半導体レーザ１１の光量を示す電流値が、電流／
電圧変換手段２２によって電圧値に変換されのち、更
に、モニタ電圧分圧手段２３によって分圧される。そし
て、帰還制御手段１５Ｈによって、モニタ電圧分圧手段
２３からのモニタ分圧信号と基準電圧とが、等しくなる
ように半導体レーザ１１の光量が帰還制御される。又、
分圧比を変更する場合は、モニタ電圧分圧手段２３にお
ける一方の抵抗２６に設けられたスイッチ２４によっ
て、その抵抗２６がショートさせられる（請求項２
１）。
半導体レーザ制御装置２０の光量モニタ手段１２で検出
された半導体レーザ１１の光量を示す電流値が、電流／
電圧変換手段２２によって電圧値に変換されのち、更
に、モニタ電圧分圧手段２３によって分圧される。そし
て、帰還制御手段１５Ｈによって、モニタ電圧分圧手段
２３からのモニタ分圧信号と基準電圧とが、等しくなる
ように半導体レーザ１１の光量が帰還制御される。又、
分圧比を変更する場合は、モニタ電圧分圧手段２３にお
ける一方の抵抗２６に設けられたスイッチ２４によっ
て、その抵抗２６がショートさせられる（請求項２
１）。
【００６０】又、モニタ電圧分圧手段２３が、直列接続
された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成されるとと
もに、固定抵抗２６に並列にスイッチ２４が設けられて
いる場合では、可変抵抗２５が所定位置にセットされて
いる時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をショート
しても、半導体レーザ１１は過発光しない（請求項２
２）。
された可変抵抗２５と固定抵抗２６とで構成されるとと
もに、固定抵抗２６に並列にスイッチ２４が設けられて
いる場合では、可変抵抗２５が所定位置にセットされて
いる時に、スイッチ２４により固定抵抗２６をショート
しても、半導体レーザ１１は過発光しない（請求項２
２）。
【００６１】更に、一方の抵抗２６が可変抵抗であるな
らば、目的に応じて分圧比が連続的に変更される（請求
項２３）。又、第９の発明の半導体レーザ制御装置で
は、図８に示すように、半導体レーザ１１に発生した熱
が、中間部材２７を介して放熱部材２８へ伝達され、外
部へ放熱される。
らば、目的に応じて分圧比が連続的に変更される（請求
項２３）。又、第９の発明の半導体レーザ制御装置で
は、図８に示すように、半導体レーザ１１に発生した熱
が、中間部材２７を介して放熱部材２８へ伝達され、外
部へ放熱される。
【００６２】又、放熱部材２８を介して、外部からの電
波および静電気等のノイズが、半導体レーザ１１側へ送
られて来ても、中間部材２７によって遮断されるととも
に、放熱部材２８か接地されていることにより、放熱部
材２８に溜まった電気が逃がされる（請求項２４，２
５）。
波および静電気等のノイズが、半導体レーザ１１側へ送
られて来ても、中間部材２７によって遮断されるととも
に、放熱部材２８か接地されていることにより、放熱部
材２８に溜まった電気が逃がされる（請求項２４，２
５）。
【００６３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。 （ａ）第１実施例の説明 図９は本発明の第１実施例を示すブロック図で、この図
９において、２０Ａは半導体レーザ制御装置を示したも
ので、この半導体レーザ制御装置２０Ａは、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。そして、この半導体レーザ制御装置２０
Ａは、ＬＤチップ（レーザダイオードチップ）３０内に
並列して設置された、半導体レーザを構成するレーザダ
イオード１１とフォトダイオード（光量モニタ手段）１
２，トランジスタ３１，アナログスイッチ（ＳＷ）３
４，３９，アンプ（演算増幅器）３６，３８，コンパレ
ータ（制御モード選択手段）４５，基準電圧源４２，コ
ンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，４０，
４１，４３，４４をそなえて構成されている。尚、先述
の従来例におけるものと同じ符号のものは、同様のもの
を示している。
する。 （ａ）第１実施例の説明 図９は本発明の第１実施例を示すブロック図で、この図
９において、２０Ａは半導体レーザ制御装置を示したも
ので、この半導体レーザ制御装置２０Ａは、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。そして、この半導体レーザ制御装置２０
Ａは、ＬＤチップ（レーザダイオードチップ）３０内に
並列して設置された、半導体レーザを構成するレーザダ
イオード１１とフォトダイオード（光量モニタ手段）１
２，トランジスタ３１，アナログスイッチ（ＳＷ）３
４，３９，アンプ（演算増幅器）３６，３８，コンパレ
ータ（制御モード選択手段）４５，基準電圧源４２，コ
ンデンサ３５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，４０，
４１，４３，４４をそなえて構成されている。尚、先述
の従来例におけるものと同じ符号のものは、同様のもの
を示している。
【００６４】ここで、レーザダイオード１１は、所定値
以上のＬＤ駆動電流ＩOPが流れると、レーザー光を２方
向に発生するものである。外部フォトダイオード１２
は、レーザダイオード１１のレーザー光の内の一方を受
光部で受光し、その受光量に応じたモニタ電流Ｉm を出
力するものである。尚、外部フォトダイオード１２の出
力する電流Ｉm の値と、可変抵抗３７およびアンプ３８
から得られる、図１０の時間ｂ以降の電圧ＶA とは、比
例定数ｋによる比例関係にある（ＶA ＝ｋＩm ；但し、
ＶA は時間ｂ以降）。
以上のＬＤ駆動電流ＩOPが流れると、レーザー光を２方
向に発生するものである。外部フォトダイオード１２
は、レーザダイオード１１のレーザー光の内の一方を受
光部で受光し、その受光量に応じたモニタ電流Ｉm を出
力するものである。尚、外部フォトダイオード１２の出
力する電流Ｉm の値と、可変抵抗３７およびアンプ３８
から得られる、図１０の時間ｂ以降の電圧ＶA とは、比
例定数ｋによる比例関係にある（ＶA ＝ｋＩm ；但し、
ＶA は時間ｂ以降）。
【００６５】又、外部フォトダイオード１２は、その受
光部に光を受けないで順方向から電圧ＶCCのみを受けた
場合は、電圧ＶCCに比例した電流値で電流Ｉm を出力す
るものである。尚、外部フォトダイオード１２の出力す
る電流Ｉm の値と、可変抵抗３７およびアンプ３８から
得られる、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の電圧ＶA と
は、比例定数ｍによる比例関係にある（ＶA ＝ｍＩm ；
但し、ＶA は時間ａ〜時間ｂの間、ｋ＞ｍ）。
光部に光を受けないで順方向から電圧ＶCCのみを受けた
場合は、電圧ＶCCに比例した電流値で電流Ｉm を出力す
るものである。尚、外部フォトダイオード１２の出力す
る電流Ｉm の値と、可変抵抗３７およびアンプ３８から
得られる、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の電圧ＶA と
は、比例定数ｍによる比例関係にある（ＶA ＝ｍＩm ；
但し、ＶA は時間ａ〜時間ｂの間、ｋ＞ｍ）。
【００６６】可変抵抗３７は、先の従来例で説明した通
りのもので、電流Ｉm を電圧に変換して、それを分圧す
ることにより、電流Ｉm と光量の関係を調節するもので
ある。オペアンプ３８は、可変抵抗３７から掛かる電圧
と先の自出力とを比較して、フィードバックした電圧の
方が低ければ、可変抵抗３７の電圧を出力側に掛けるも
のである。
りのもので、電流Ｉm を電圧に変換して、それを分圧す
ることにより、電流Ｉm と光量の関係を調節するもので
ある。オペアンプ３８は、可変抵抗３７から掛かる電圧
と先の自出力とを比較して、フィードバックした電圧の
方が低ければ、可変抵抗３７の電圧を出力側に掛けるも
のである。
【００６７】オペアンプ３６は、アンプ３８からの抵抗
を介して掛かる電圧ＶA を、基準電圧源４２からの基準
電圧Ｖref と比較して、両者の値が等しければ、その時
の出力電圧ＶB を保持するものである。そして、オペア
ンプ３６には、その負の入力側に掛かる電圧ＶA と、出
力側の電圧とが掛かるように、コンデンサ３５が接続さ
れているとともに、抵抗４０，４１が、アンプ３８とア
ンプ３６との間にて並列に接続されている。このため
に、電圧ＶA と基準電圧Ｖref との比較結果が異なれ
ば、以下の処理を行なうようになっている。即ち、電圧
ＶA ＜基準電圧Ｖref であれば、その時の出力電圧Ｖ B
を所定の時定数で上昇させていき、又、電圧ＶA ＞基準
電圧Ｖref であれば、その時の出力電圧ＶB を基準電圧
Ｖref から所定の時定数で下げていくようになってい
る。このように、オペアンプ３６は、帰還系の中におい
て一定の出力を維持しようとするため、電圧ＶA と基準
電圧Ｖref とを同電位にするようになっている。尚、所
定の時定数で積分されていく値は、オペアンプ３６の正
の入力側へ掛かる基準電圧Ｖref である。
を介して掛かる電圧ＶA を、基準電圧源４２からの基準
電圧Ｖref と比較して、両者の値が等しければ、その時
の出力電圧ＶB を保持するものである。そして、オペア
ンプ３６には、その負の入力側に掛かる電圧ＶA と、出
力側の電圧とが掛かるように、コンデンサ３５が接続さ
れているとともに、抵抗４０，４１が、アンプ３８とア
ンプ３６との間にて並列に接続されている。このため
に、電圧ＶA と基準電圧Ｖref との比較結果が異なれ
ば、以下の処理を行なうようになっている。即ち、電圧
ＶA ＜基準電圧Ｖref であれば、その時の出力電圧Ｖ B
を所定の時定数で上昇させていき、又、電圧ＶA ＞基準
電圧Ｖref であれば、その時の出力電圧ＶB を基準電圧
Ｖref から所定の時定数で下げていくようになってい
る。このように、オペアンプ３６は、帰還系の中におい
て一定の出力を維持しようとするため、電圧ＶA と基準
電圧Ｖref とを同電位にするようになっている。尚、所
定の時定数で積分されていく値は、オペアンプ３６の正
の入力側へ掛かる基準電圧Ｖref である。
【００６８】又、この出力電圧ＶB の変化度合いを決定
する時定数は、コンデンサ３５，抵抗４０，４１，基準
電圧Ｖref 等の持つ各値によって影響を受けるようにな
っている。そして、この時定数は、抵抗４０に直列して
アナログスイッチ３９が接続されているため、このスイ
ッチのオン／オフで時定数が変化するようになってい
る。即ち、アナログスイッチ３９のオフ時には、第１の
時定数、例えば、ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ（μＡ／μ
ｓｅｃ）で、オペアンプ３６の出力電圧ＶB が積分され
ていき、オン時には第２の時定数、例えば、ＴC ｍＶ／
ｓｅｃ（１００μＡ／μｓｅｃ）で積分が行なわれるよ
うになっている。つまり、第２の時定数は、第１の時定
数よりも長くなるように設定されている。尚、時定数が
長い短いとは、この時定数により所定値に到達する時間
に着目した表現であり、つまり、この定数値が小さい値
で在るほど、時定数は長くなる。又、このような時定数
からも理解できるように、抵抗４０と抵抗４１の抵抗値
の比は、次のようになっている。
する時定数は、コンデンサ３５，抵抗４０，４１，基準
電圧Ｖref 等の持つ各値によって影響を受けるようにな
っている。そして、この時定数は、抵抗４０に直列して
アナログスイッチ３９が接続されているため、このスイ
ッチのオン／オフで時定数が変化するようになってい
る。即ち、アナログスイッチ３９のオフ時には、第１の
時定数、例えば、ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ（μＡ／μ
ｓｅｃ）で、オペアンプ３６の出力電圧ＶB が積分され
ていき、オン時には第２の時定数、例えば、ＴC ｍＶ／
ｓｅｃ（１００μＡ／μｓｅｃ）で積分が行なわれるよ
うになっている。つまり、第２の時定数は、第１の時定
数よりも長くなるように設定されている。尚、時定数が
長い短いとは、この時定数により所定値に到達する時間
に着目した表現であり、つまり、この定数値が小さい値
で在るほど、時定数は長くなる。又、このような時定数
からも理解できるように、抵抗４０と抵抗４１の抵抗値
の比は、次のようになっている。
【００６９】抵抗４０：抵抗４１＝１００：１ つまり、本回路では、抵抗４０を時定数の決定要素に加
えることをアナログスイッチ３９の制御によって選択で
きるため、時定数の異なる２つの帰還制御装置が設けら
れたようになっており、これらの一方が選択されて、そ
の時定数でレーザダイオード１１の光量が帰還制御され
るようになっている。
えることをアナログスイッチ３９の制御によって選択で
きるため、時定数の異なる２つの帰還制御装置が設けら
れたようになっており、これらの一方が選択されて、そ
の時定数でレーザダイオード１１の光量が帰還制御され
るようになっている。
【００７０】アナログスイッチ３４は、ＣＰＵの制御に
よってオン状態となると、アンプ３６をショートさせる
ように接続されている。アナログスイッチ３９は、上記
に述べたように、抵抗４０の接続をオン／オフとするよ
うに接続されており、その制御は、コンパレータ４５か
らの出力（図１０の参照）によって行なわれるように
なっている。
よってオン状態となると、アンプ３６をショートさせる
ように接続されている。アナログスイッチ３９は、上記
に述べたように、抵抗４０の接続をオン／オフとするよ
うに接続されており、その制御は、コンパレータ４５か
らの出力（図１０の参照）によって行なわれるように
なっている。
【００７１】トランジスタ３１は、コレクタをレーザダ
イオード１１の順方向の出力側に接続され、ベースがレ
ーザダイオード１１の発光量を制御するための信号電圧
ＶBを、抵抗３２を介して信号電流ＩB として受けるよ
うに接続されており、更に、エミッタ電流がアースされ
るようになっている。又、トランジスタ３１のベースに
は、抵抗３２の他に分岐して抵抗３３が接続されてお
り、この抵抗３３はエミッタと同様にアースされてい
る。即ち、トランジスタ３１は、レーザダイオード１１
からのコレクタ信号電流ＩOPの値を、ベース信号電流Ｉ
B の値にほぼ比例した量に制御して受けるようになって
いる。
イオード１１の順方向の出力側に接続され、ベースがレ
ーザダイオード１１の発光量を制御するための信号電圧
ＶBを、抵抗３２を介して信号電流ＩB として受けるよ
うに接続されており、更に、エミッタ電流がアースされ
るようになっている。又、トランジスタ３１のベースに
は、抵抗３２の他に分岐して抵抗３３が接続されてお
り、この抵抗３３はエミッタと同様にアースされてい
る。即ち、トランジスタ３１は、レーザダイオード１１
からのコレクタ信号電流ＩOPの値を、ベース信号電流Ｉ
B の値にほぼ比例した量に制御して受けるようになって
いる。
【００７２】コンパレータ４５は、アンプ３８からレー
ザダイオード１１の光量に対応した電圧ＶA と、基準電
圧源４２からの基準電圧Ｖref の９０パーセントの電圧
とを比較して、電圧ＶA ＜基準電圧Ｖref の９０パーセ
ントならば出力がＨレベルとなり、電圧ＶA ＞基準電圧
Ｖref の９０パーセントならば出力がＬレベルとなるも
のである。
ザダイオード１１の光量に対応した電圧ＶA と、基準電
圧源４２からの基準電圧Ｖref の９０パーセントの電圧
とを比較して、電圧ＶA ＜基準電圧Ｖref の９０パーセ
ントならば出力がＨレベルとなり、電圧ＶA ＞基準電圧
Ｖref の９０パーセントならば出力がＬレベルとなるも
のである。
【００７３】つまり、このコンパレータ４５は、外部フ
ォトダイオード１２からのモニタ結果に基づき、上述の
オペアンプ３６の出力電圧ＶB の増減速度を決める時定
数を自動的に選択するものである。すなわち、外部フォ
トダイオード１２からのモニタ結果が、所定光量ｑ（基
準電圧Ｖref ×０．９によって示される）以下のとき
は、抵抗４０を加えた場合の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃの
制御モードを選択する一方、所定光量ｑよりも大きいと
きは、抵抗４０を省いた場合の時定数ＴC ／１００ｍＶ
／ｓｅｃの制御モードを選択するようになっている。
ォトダイオード１２からのモニタ結果に基づき、上述の
オペアンプ３６の出力電圧ＶB の増減速度を決める時定
数を自動的に選択するものである。すなわち、外部フォ
トダイオード１２からのモニタ結果が、所定光量ｑ（基
準電圧Ｖref ×０．９によって示される）以下のとき
は、抵抗４０を加えた場合の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃの
制御モードを選択する一方、所定光量ｑよりも大きいと
きは、抵抗４０を省いた場合の時定数ＴC ／１００ｍＶ
／ｓｅｃの制御モードを選択するようになっている。
【００７４】尚、基準電圧Ｖref の９０パーセントの電
圧を入力するコンパレータ４５の受信部は、抵抗４３と
抵抗４４の間に選択されており、又、この抵抗４３は、
基準電圧源４２の出力側に接続されている。更に、抵抗
４４は、先の抵抗３３と同様にアースされている。即
ち、これらの抵抗４３，４４は、基準電圧源４２からの
基準電圧Ｖref を９０パーセントのものにするために設
けられたものである。
圧を入力するコンパレータ４５の受信部は、抵抗４３と
抵抗４４の間に選択されており、又、この抵抗４３は、
基準電圧源４２の出力側に接続されている。更に、抵抗
４４は、先の抵抗３３と同様にアースされている。即
ち、これらの抵抗４３，４４は、基準電圧源４２からの
基準電圧Ｖref を９０パーセントのものにするために設
けられたものである。
【００７５】上述の構成により、外部フォトダイオード
１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉm が検出され
て、この電流Ｉm の値を元にＬＤ駆動電流ＩOPが制御さ
れて、レーザーの光量が一定に保たれる。以下、上記の
動作の詳細な説明を、図１０に示すように時間ａ〜時間
ｂ，時間ｂ〜時間ｃ，時間ｃ以降に分けて行なう。
１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉm が検出され
て、この電流Ｉm の値を元にＬＤ駆動電流ＩOPが制御さ
れて、レーザーの光量が一定に保たれる。以下、上記の
動作の詳細な説明を、図１０に示すように時間ａ〜時間
ｂ，時間ｂ〜時間ｃ，時間ｃ以降に分けて行なう。
【００７６】まず、時間ａ〜時間ｂの間の半導体レーザ
制御装置２０Ａの動作から説明する。即ち、図１０の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフになると、検出されたレーザ
ーの光量を示す電流Ｉm は、可変抵抗３７によって、そ
の時の光量に対応した電圧ＶA に分圧される。尚、この
場合においては、まだ、レーザー発振が行なわれていな
いため、電流Ｉm は電圧ＶCCのみに比例した値となって
いる。
制御装置２０Ａの動作から説明する。即ち、図１０の
，に示すように、ＣＰＵからの制御信号によってア
ナログスイッチ３４がオフになると、検出されたレーザ
ーの光量を示す電流Ｉm は、可変抵抗３７によって、そ
の時の光量に対応した電圧ＶA に分圧される。尚、この
場合においては、まだ、レーザー発振が行なわれていな
いため、電流Ｉm は電圧ＶCCのみに比例した値となって
いる。
【００７７】すると、この電圧ＶA は、コンパレータ４
５によって、基準電圧Ｖref の９０パーセントの電圧と
比較される。その結果、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の
電圧ＶA ，コンパレータ４５出力（）に示されるよう
に、電圧ＶA は基準電圧Ｖre f よりも低いために、コン
パレータ４５はＨレベルの信号を出力する。Ｈレベル出
力を受信したアナログスイッチ３９がオンとなることに
より、抵抗４０が抵抗４１とともに並列に接続されて、
電圧ＶA が、これらの抵抗を介してオペアンプ３６とコ
ンデンサ３５へ掛かることになる。
５によって、基準電圧Ｖref の９０パーセントの電圧と
比較される。その結果、図１０の時間ａ〜時間ｂの間の
電圧ＶA ，コンパレータ４５出力（）に示されるよう
に、電圧ＶA は基準電圧Ｖre f よりも低いために、コン
パレータ４５はＨレベルの信号を出力する。Ｈレベル出
力を受信したアナログスイッチ３９がオンとなることに
より、抵抗４０が抵抗４１とともに並列に接続されて、
電圧ＶA が、これらの抵抗を介してオペアンプ３６とコ
ンデンサ３５へ掛かることになる。
【００７８】この結果、オペアンプ３６の出力電圧ＶB
の増減における時定数は、ＴC ｍＶ／ｓｅｃとなり、オ
ペアンプ３６は、その出力電圧ＶB を基準電圧Ｖref か
ら所定の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。これ
により、トランジスタ３１のベースに掛かる電流Ｉ
B も、時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していき、これに
従って、トランジスタ３１のコレクタに掛かるＬＤ駆動
電流ＩOPも上昇していく。
の増減における時定数は、ＴC ｍＶ／ｓｅｃとなり、オ
ペアンプ３６は、その出力電圧ＶB を基準電圧Ｖref か
ら所定の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。これ
により、トランジスタ３１のベースに掛かる電流Ｉ
B も、時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していき、これに
従って、トランジスタ３１のコレクタに掛かるＬＤ駆動
電流ＩOPも上昇していく。
【００７９】このようにして、レーザダイオード１１に
対して、所定の電流変化速度で増加していく電流を送る
ことができるのである。但し、時間ｂ以前では、電圧Ｖ
B は、しきい値α（図１０のα参照）を越えないため、
レーザダイオード１１はレーザー発振を行なわない。そ
して、図１０の時間ｂに示すように、オペアンプ３６の
出力電圧ＶB の増加により、電圧ＶB が、レーザダイオ
ード１１に対するしきい値αを越えると、即ち、モニタ
電圧ＶA が時間ｂでの電圧を越えると、レーザダイオー
ド１１はレーザー発振を起こすのである。そののちも、
電圧ＶA が基準電圧Ｖref と等しくなるまで、オペアン
プ３６の出力電圧ＶB は、時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで増
加していく。
対して、所定の電流変化速度で増加していく電流を送る
ことができるのである。但し、時間ｂ以前では、電圧Ｖ
B は、しきい値α（図１０のα参照）を越えないため、
レーザダイオード１１はレーザー発振を行なわない。そ
して、図１０の時間ｂに示すように、オペアンプ３６の
出力電圧ＶB の増加により、電圧ＶB が、レーザダイオ
ード１１に対するしきい値αを越えると、即ち、モニタ
電圧ＶA が時間ｂでの電圧を越えると、レーザダイオー
ド１１はレーザー発振を起こすのである。そののちも、
電圧ＶA が基準電圧Ｖref と等しくなるまで、オペアン
プ３６の出力電圧ＶB は、時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで増
加していく。
【００８０】続いて、時間ｂ〜時間ｃの間においては、
以下の処理が行なわれる。即ち、レーザダイオード１１
のレーザー発振により、外部フォトダイオード１２から
の電流Ｉm が、電圧ＶCCと光量とに比例して増加する。
そして、可変抵抗３７とオペアンプ３８によって、この
電流Ｉm は、その時の光量に対応した電圧ＶA に分圧さ
れて、オペアンプ３６とコンパレータ４５の負の入力側
へ掛かる。当然のことながら、この電圧ＶA も電流Ｉm
に比例して増加していく。
以下の処理が行なわれる。即ち、レーザダイオード１１
のレーザー発振により、外部フォトダイオード１２から
の電流Ｉm が、電圧ＶCCと光量とに比例して増加する。
そして、可変抵抗３７とオペアンプ３８によって、この
電流Ｉm は、その時の光量に対応した電圧ＶA に分圧さ
れて、オペアンプ３６とコンパレータ４５の負の入力側
へ掛かる。当然のことながら、この電圧ＶA も電流Ｉm
に比例して増加していく。
【００８１】しかし、時間ｂ〜時間ｃの間において、電
圧ＶA は、基準電圧Ｖref の９０パーセントの電圧より
も低いため、先に続いて抵抗４０は接続されたままであ
る。この結果、この区間では、オペアンプ３６の出力電
圧ＶB も、引き続いて時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇し
ていく。この結果、ＬＤ駆動電流ＩOPとともにレーザダ
イオード１１のレーザー出力も、時定数ＴC ｍＶ／ｓｅ
ｃで上昇していく。
圧ＶA は、基準電圧Ｖref の９０パーセントの電圧より
も低いため、先に続いて抵抗４０は接続されたままであ
る。この結果、この区間では、オペアンプ３６の出力電
圧ＶB も、引き続いて時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇し
ていく。この結果、ＬＤ駆動電流ＩOPとともにレーザダ
イオード１１のレーザー出力も、時定数ＴC ｍＶ／ｓｅ
ｃで上昇していく。
【００８２】そして、時間ｃに示すように、電圧ＶA が
基準電圧Ｖref の９０パーセントと等しくなると、コン
パレータ４５はＬレベルを出力して、アナログスイッチ
３９をオフにする。これにより、時間ｃ以降において
は、抵抗４０は切断されて、時定数がＴC ｍＶ／ｓｅｃ
からＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃへ切り替わり、オペアン
プ３６の出力電圧ＶB は、この時定数で変化していくこ
とになる。尚、この時点での電圧ＶBは、レーザダイオ
ード１１に所定光量ｐを発光させるだけの値よりも、僅
かに低い値となっている。
基準電圧Ｖref の９０パーセントと等しくなると、コン
パレータ４５はＬレベルを出力して、アナログスイッチ
３９をオフにする。これにより、時間ｃ以降において
は、抵抗４０は切断されて、時定数がＴC ｍＶ／ｓｅｃ
からＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃへ切り替わり、オペアン
プ３６の出力電圧ＶB は、この時定数で変化していくこ
とになる。尚、この時点での電圧ＶBは、レーザダイオ
ード１１に所定光量ｐを発光させるだけの値よりも、僅
かに低い値となっている。
【００８３】そして、時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ
でオペアンプ３６の出力電圧ＶB が上昇していき、オペ
アンプ３６の正負の入力側に掛かる各電圧ＶA ，Ｖref
が同電位になると（図１０の時間ｄを参照）、オペアン
プ３６の出力電圧ＶB は、所定光量ｐを発するための一
定値となる。このような所定値に達すると、オペアンプ
３６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対し
て、この所定値を保持するように上記の時定数ＴC ／１
００ｍＶ／ｓｅｃで補正を行なう。これにより、時定数
ＴC ｍＶ／ｓｅｃで行なわれるような、急な速度による
補正ではなく、適度な変化速度でレーザー出力が補正さ
れる。
でオペアンプ３６の出力電圧ＶB が上昇していき、オペ
アンプ３６の正負の入力側に掛かる各電圧ＶA ，Ｖref
が同電位になると（図１０の時間ｄを参照）、オペアン
プ３６の出力電圧ＶB は、所定光量ｐを発するための一
定値となる。このような所定値に達すると、オペアンプ
３６は、処々の理由によるレーザー出力の変動に対し
て、この所定値を保持するように上記の時定数ＴC ／１
００ｍＶ／ｓｅｃで補正を行なう。これにより、時定数
ＴC ｍＶ／ｓｅｃで行なわれるような、急な速度による
補正ではなく、適度な変化速度でレーザー出力が補正さ
れる。
【００８４】その結果、トランジスタ３１のベースへ送
られる信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流Ｉ
OPが所定光量ｐを発光させるための値に保持される。
又、レーザダイオード１１が、基準電圧Ｖref による所
定光量ｐで発光している時に、何らかの事情で帰還系に
ノイズが乗ってしまっても、時定数が上記所定光量ｐ発
生する所定値付近では、ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃとい
った小さな値に切り換えられているため、オペアンプ３
６出力は急激に変化することがなく、レーザダイオード
１１の異常発光が防がれる。
られる信号電流が一定に保たれるため、ＬＤ駆動電流Ｉ
OPが所定光量ｐを発光させるための値に保持される。
又、レーザダイオード１１が、基準電圧Ｖref による所
定光量ｐで発光している時に、何らかの事情で帰還系に
ノイズが乗ってしまっても、時定数が上記所定光量ｐ発
生する所定値付近では、ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃとい
った小さな値に切り換えられているため、オペアンプ３
６出力は急激に変化することがなく、レーザダイオード
１１の異常発光が防がれる。
【００８５】然も、上記の所定光量ｐ付近に達するまで
の間においては、時定数は、ＴC ｍＶ／ｓｅｃであるた
め、オペアンプ３６出力は、遅くも無く早くも無く適度
な速度で、所定光量を発する値付近へ到達することがで
きるのである。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナ
ログスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出
力は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフに
なるためレーザーは消灯する。
の間においては、時定数は、ＴC ｍＶ／ｓｅｃであるた
め、オペアンプ３６出力は、遅くも無く早くも無く適度
な速度で、所定光量を発する値付近へ到達することがで
きるのである。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナ
ログスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出
力は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフに
なるためレーザーは消灯する。
【００８６】このように、第１実施例によれば、レーザ
ダイオード１１の光量が所定光量以下のときは、抵抗４
０を加えた第１帰還制御手段による制御モードを選択し
て、第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御し、
又、所定光量よりも大きいときは、抵抗４０を省いた第
２帰還制御手段による制御モードを選択して、第１の時
定数よりも長い第２の時定数で半導体レーザ１１の光量
を帰還制御することにより、レーザダイオード１１の発
光量に応じた帰還制御が可能となる。然も、このような
効果を、従来の半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそ
なえるだけで得ることができ、コスト的にも優れた効果
が得られる。
ダイオード１１の光量が所定光量以下のときは、抵抗４
０を加えた第１帰還制御手段による制御モードを選択し
て、第１の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御し、
又、所定光量よりも大きいときは、抵抗４０を省いた第
２帰還制御手段による制御モードを選択して、第１の時
定数よりも長い第２の時定数で半導体レーザ１１の光量
を帰還制御することにより、レーザダイオード１１の発
光量に応じた帰還制御が可能となる。然も、このような
効果を、従来の半導体レーザ制御装置に僅かな装置をそ
なえるだけで得ることができ、コスト的にも優れた効果
が得られる。
【００８７】（ｂ）第２実施例の説明 図１１は本発明の第２実施例を示すブロック図で、この
図１１において、２０Ｂは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｂは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，
抵抗３２，３３，４０，４１，タイマ５０をそなえて構
成されている。
図１１において、２０Ｂは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｂは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｂは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，可変抵抗３７，
抵抗３２，３３，４０，４１，タイマ５０をそなえて構
成されている。
【００８８】これらの各装置において、第１実施例の半
導体レーザ制御装置２０Ａを構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。つまり、この
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、第１実施例の半導体レ
ーザ制御装置２０Ａから、制御モード選択手段としての
コンパレータ４５、および抵抗４３，４４を省き、その
代わりに、ＣＰＵのアナログスイッチ３４への制御信号
を受信するようにタイマ５０を設け、これをアナログス
イッチ３９に接続したものである。
導体レーザ制御装置２０Ａを構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。つまり、この
半導体レーザ制御装置２０Ｂは、第１実施例の半導体レ
ーザ制御装置２０Ａから、制御モード選択手段としての
コンパレータ４５、および抵抗４３，４４を省き、その
代わりに、ＣＰＵのアナログスイッチ３４への制御信号
を受信するようにタイマ５０を設け、これをアナログス
イッチ３９に接続したものである。
【００８９】そして、このタイマ５０は、ＣＰＵのアナ
ログスイッチ３４に対するオン／オフ制御信号がＬレベ
ルになると起動して、予め設定されている所定時間ｃが
経過すると、Ｌレベル信号を出力するものである。つま
り、タイマ５０は、ＣＰＵからＬレベル信号を受信して
所定時間ｃが経過すると、Ｌレベル信号を出力するよう
になっている。
ログスイッチ３４に対するオン／オフ制御信号がＬレベ
ルになると起動して、予め設定されている所定時間ｃが
経過すると、Ｌレベル信号を出力するものである。つま
り、タイマ５０は、ＣＰＵからＬレベル信号を受信して
所定時間ｃが経過すると、Ｌレベル信号を出力するよう
になっている。
【００９０】尚、上記の所定時間ｃは、図１０に示すよ
うに、抵抗４０を加えた場合の時定数１ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１が所定光量ｑに到達する時間
よりも、長い時間として設定されている。このような構
成により、ＣＰＵからのＬレベル信号が、アナログスイ
ッチ３４とタイマ５０へ送られて来ると、半導体レーザ
制御装置２０Ｂが起動して、これと同時にタイマ５０も
所定時間ｃのカウントを開始する。
うに、抵抗４０を加えた場合の時定数１ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１が所定光量ｑに到達する時間
よりも、長い時間として設定されている。このような構
成により、ＣＰＵからのＬレベル信号が、アナログスイ
ッチ３４とタイマ５０へ送られて来ると、半導体レーザ
制御装置２０Ｂが起動して、これと同時にタイマ５０も
所定時間ｃのカウントを開始する。
【００９１】そして、時間ｂになると、図１０に示すよ
うに、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶB は、
しきい値αを越えるので、半導体レーザ１１へ送られる
ＬＤ駆動電流ＩOPにより、半導体レーザ１１が発光す
る。所定時間ｃが経過するまでは、タイマ５０によっ
て、アナログスイッチ３９がオンとなっているので、抵
抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態となってい
る。
うに、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶB は、
しきい値αを越えるので、半導体レーザ１１へ送られる
ＬＤ駆動電流ＩOPにより、半導体レーザ１１が発光す
る。所定時間ｃが経過するまでは、タイマ５０によっ
て、アナログスイッチ３９がオンとなっているので、抵
抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態となってい
る。
【００９２】これにより、この間においては、時定数Ｔ
C ｍＶ／ｓｅｃによる制御モードが選択されることにな
り、この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶB が上
昇していく（図１０の開始時間ａ〜時間ｃ）。つまり、
この時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで、レーザダイオード１１
の光量の帰還制御が行なわれる。そして、所定光量ｑを
越えて所定時間ｃに達すると、タイマ５０はＬレベル信
号を出力して、アナログスイッチ３９をオフとするた
め、抵抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態から
切断された状態となる。
C ｍＶ／ｓｅｃによる制御モードが選択されることにな
り、この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶB が上
昇していく（図１０の開始時間ａ〜時間ｃ）。つまり、
この時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで、レーザダイオード１１
の光量の帰還制御が行なわれる。そして、所定光量ｑを
越えて所定時間ｃに達すると、タイマ５０はＬレベル信
号を出力して、アナログスイッチ３９をオフとするた
め、抵抗４０は、抵抗４１に並列に接続された状態から
切断された状態となる。
【００９３】この結果、時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅ
ｃによる制御モードが選択されることになり、今度は、
この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶB が上昇し
ていく。つまり、この時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１の光量の帰還制御が行なわれ
る（図１０の所定時間ｃ以降を参照）。そののち、オペ
アンプ３６は、電圧ＶB を時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓ
ｅｃでゆっくりと上昇させていき、レーザダイオード１
１が所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。
以下においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領
で、各処理が行なわれて行く。
ｃによる制御モードが選択されることになり、今度は、
この時定数で、オペアンプ３６の出力電圧ＶB が上昇し
ていく。つまり、この時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ
で、レーザダイオード１１の光量の帰還制御が行なわれ
る（図１０の所定時間ｃ以降を参照）。そののち、オペ
アンプ３６は、電圧ＶB を時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓ
ｅｃでゆっくりと上昇させていき、レーザダイオード１
１が所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。
以下においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領
で、各処理が行なわれて行く。
【００９４】又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。このように、この第２実施
例によれば、第１の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃによって、
半導体レーザ１１が所定光量に到達する時間よりも、長
い時間の所定時間ｃで第１と第２の時定数を切り換える
ことにより、より単純な構成で、又、従来例の半導体レ
ーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得ら
れ、又、コスト性においても優れている。
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。このように、この第２実施
例によれば、第１の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃによって、
半導体レーザ１１が所定光量に到達する時間よりも、長
い時間の所定時間ｃで第１と第２の時定数を切り換える
ことにより、より単純な構成で、又、従来例の半導体レ
ーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得ら
れ、又、コスト性においても優れている。
【００９５】（ｃ）第３実施例の説明 図１２は本発明の第３実施例を示すブロック図で、この
図１２において、２０Ｃは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｃは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可変抵抗
３７，５３，抵抗３２，３３，５１，５４，５５，コン
パレータ４５によって構成されている。
図１２において、２０Ｃは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｃは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可変抵抗
３７，５３，抵抗３２，３３，５１，５４，５５，コン
パレータ４５によって構成されている。
【００９６】これらの各装置において、第１，２実施例
の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂを構成する各装
置と同じ符号を持つものは、それらと同じものである。
つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、第２実施
例の半導体レーザ制御装置２０Ｂからタイマ５０を省
き、その代わりに、制御モード選択手段としての、基準
電圧源５２，可変抵抗５３，コンパレータ４５，抵抗５
１をそなえている。又、抵抗４０，４１の代わりに、抵
抗５４，５５がそなえている。
の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂを構成する各装
置と同じ符号を持つものは、それらと同じものである。
つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｃは、第２実施
例の半導体レーザ制御装置２０Ｂからタイマ５０を省
き、その代わりに、制御モード選択手段としての、基準
電圧源５２，可変抵抗５３，コンパレータ４５，抵抗５
１をそなえている。又、抵抗４０，４１の代わりに、抵
抗５４，５５がそなえている。
【００９７】そして、上記のコンパレータ４５の正の入
力側は、基準電圧源５２から基準電圧Ｖref を、可変抵
抗５３で分圧されてから受けるように接続されており、
また、負の入力側は、トランジスタ３１のエミッタ出力
を受けるように接続されている。さらに、コンパレータ
４５の出力側は、アナログスイッチ３９に接続されてい
る。即ち、このコンパレータ４５は、基準電圧源５２，
可変抵抗５３、そして抵抗５１により、正負の入力に掛
かる電圧を比較した結果、エミッタ出力が、コレクタ出
力に所定光量ｒを発生させるレベルに達すると、Ｌレベ
ル信号を出力するようになっている。
力側は、基準電圧源５２から基準電圧Ｖref を、可変抵
抗５３で分圧されてから受けるように接続されており、
また、負の入力側は、トランジスタ３１のエミッタ出力
を受けるように接続されている。さらに、コンパレータ
４５の出力側は、アナログスイッチ３９に接続されてい
る。即ち、このコンパレータ４５は、基準電圧源５２，
可変抵抗５３、そして抵抗５１により、正負の入力に掛
かる電圧を比較した結果、エミッタ出力が、コレクタ出
力に所定光量ｒを発生させるレベルに達すると、Ｌレベ
ル信号を出力するようになっている。
【００９８】尚、所定光量ｒは、所定光量ｐより少し低
い値に設定されており、言い換えると、コレクタ電流
（ＬＤ駆動電流ＩOP）が、レーザダイオード１１に所定
光量ｒを発生させるときの値（所定ＬＤ駆動電流値Ｉ
OPR ）は、所定光量ｐを発生させる電流値（所定ＬＤ駆
動電流値ＩOPp ）よりも、少し低い値に設定されている
のである。
い値に設定されており、言い換えると、コレクタ電流
（ＬＤ駆動電流ＩOP）が、レーザダイオード１１に所定
光量ｒを発生させるときの値（所定ＬＤ駆動電流値Ｉ
OPR ）は、所定光量ｐを発生させる電流値（所定ＬＤ駆
動電流値ＩOPp ）よりも、少し低い値に設定されている
のである。
【００９９】又、抵抗４０，４１の代わりにそなえられ
た抵抗５４，５５は、この装置２０Ｃのオペアンプ３６
の出力の時定数を、例えば、１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃある
いはＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃとするためのものであ
る。つまり、抵抗５４が抵抗５５に並列に接続されてい
るときは、時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃとなり、抵抗５
４が抵抗５５から切断されているときは、時定数ＴC ／
１００ｍＶ／ｓｅｃとなるようになっている。
た抵抗５４，５５は、この装置２０Ｃのオペアンプ３６
の出力の時定数を、例えば、１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃある
いはＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃとするためのものであ
る。つまり、抵抗５４が抵抗５５に並列に接続されてい
るときは、時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃとなり、抵抗５
４が抵抗５５から切断されているときは、時定数ＴC ／
１００ｍＶ／ｓｅｃとなるようになっている。
【０１００】これにより、半導体レーザ制御装置２０Ｃ
は、レーザダイオード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが所定駆
動電流以下のときは、第１の時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅ
ｃでレーザダイオード１１の光量を帰還制御し、又、Ｌ
Ｄ駆動電流ＩOPが所定駆動電流よりも大きいときは、第
２の時定数ＴC １００ｍＶ／ｓｅｃでレーザダイオード
１１の光量を帰還制御するようになっているのである。
は、レーザダイオード１１のＬＤ駆動電流ＩOPが所定駆
動電流以下のときは、第１の時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅ
ｃでレーザダイオード１１の光量を帰還制御し、又、Ｌ
Ｄ駆動電流ＩOPが所定駆動電流よりも大きいときは、第
２の時定数ＴC １００ｍＶ／ｓｅｃでレーザダイオード
１１の光量を帰還制御するようになっているのである。
【０１０１】上述の構成により、図１３の，に示す
ように、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオフになると、検出されたレーザーの光量を示
す電流Ｉm は、可変抵抗３７によって、その時の光量に
対応した電圧ＶA に分圧される。そして、時間ｆになる
までは、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧Ｖ
B は、エミッタ電流が所定光量ｒを発生させる値に達し
ないために、コンパレータ４５は、Ｈレベル信号を出力
する。これにより、抵抗４０が抵抗４１に並列に接続さ
れた状態となり、時間ｆまでのオペアンプ３６の出力電
圧ＶB は、時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇してい
く。
ように、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオフになると、検出されたレーザーの光量を示
す電流Ｉm は、可変抵抗３７によって、その時の光量に
対応した電圧ＶA に分圧される。そして、時間ｆになる
までは、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧Ｖ
B は、エミッタ電流が所定光量ｒを発生させる値に達し
ないために、コンパレータ４５は、Ｈレベル信号を出力
する。これにより、抵抗４０が抵抗４１に並列に接続さ
れた状態となり、時間ｆまでのオペアンプ３６の出力電
圧ＶB は、時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇してい
く。
【０１０２】このため、時間ｆになると、トランジスタ
３１のベースに掛かる電圧ＶB の上昇により、エミッタ
電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量ｒを発生
する値に到達する。その結果、コンパレータ４５からＬ
レベル信号が、アナログスイッチ３９へ出力されて、抵
抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断される。
これにより、時間ｆ以降のオペアンプ３６の出力電圧Ｖ
B は、時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく
ことになる。
３１のベースに掛かる電圧ＶB の上昇により、エミッタ
電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量ｒを発生
する値に到達する。その結果、コンパレータ４５からＬ
レベル信号が、アナログスイッチ３９へ出力されて、抵
抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断される。
これにより、時間ｆ以降のオペアンプ３６の出力電圧Ｖ
B は、時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく
ことになる。
【０１０３】そして、時間ｂに達すると、オペアンプ３
６の出力電圧ＶB の電圧ＶB が、レーザダイオード１１
に対するしきい値αを越え、レーザダイオード１１はレ
ーザー発振を起こすのである。そののち、オペアンプ３
６は、電圧ＶB を時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆ
っくりと上昇させていき、時間ｅでレーザダイオード１
１が所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。
以下においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領
で、各処理が行なわれて行く。
６の出力電圧ＶB の電圧ＶB が、レーザダイオード１１
に対するしきい値αを越え、レーザダイオード１１はレ
ーザー発振を起こすのである。そののち、オペアンプ３
６は、電圧ＶB を時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆ
っくりと上昇させていき、時間ｅでレーザダイオード１
１が所定光量ｐに達すると、その時の電圧を保持する。
以下においては、先の第１の実施例の場合と同様の要領
で、各処理が行なわれて行く。
【０１０４】又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯するこのように、レーザダイオー
ド１１の駆動電流が所定値に達すると、第１の時定数１
０ＴC ｍＶ／ｓｅｃから第２の時定数ＴC ／１００ｍＶ
／ｓｅｃへ切り換えることにより、従来例の半導体レー
ザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実施
例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得られ
るのである。
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯するこのように、レーザダイオー
ド１１の駆動電流が所定値に達すると、第１の時定数１
０ＴC ｍＶ／ｓｅｃから第２の時定数ＴC ／１００ｍＶ
／ｓｅｃへ切り換えることにより、従来例の半導体レー
ザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実施
例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得られ
るのである。
【０１０５】然も、半導体レーザ１１のＬＤ駆動電流Ｉ
OPを直接的に測定しているので、仮にメインの帰還系に
異常が生じたとしても、的確なタイミングで時定数を切
り換えることができる。更に、電源オン状態後は、二次
曲線特性で素早くＬＤ駆動電流ＩOPを、所定光量ｐを発
生させる値付近に持っていくことができる。
OPを直接的に測定しているので、仮にメインの帰還系に
異常が生じたとしても、的確なタイミングで時定数を切
り換えることができる。更に、電源オン状態後は、二次
曲線特性で素早くＬＤ駆動電流ＩOPを、所定光量ｐを発
生させる値付近に持っていくことができる。
【０１０６】（ｄ）第４実施例の説明 図１４は本発明の第４実施例を示すブロック図で、この
図１４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｄは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，４８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可
変抵抗３７，５３，抵抗３２，３３，４１，４３，４
４，４７，５１，５４，５５，コンパレータ４５，４６
Ｄをそなえて構成されている。
図１４において、２０Ｄは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｄは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｄは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，３９，４８，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，５２，コンデンサ３５，可
変抵抗３７，５３，抵抗３２，３３，４１，４３，４
４，４７，５１，５４，５５，コンパレータ４５，４６
Ｄをそなえて構成されている。
【０１０７】これらの各装置において、第１，２，３実
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを
構成する各装置と同じ符号を持つものは、それらと同じ
ものである。つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｄ
は、第３実施例の半導体レーザ制御装置２０Ｃの制御モ
ード選択手段として機能する、基準電圧源５２，可変抵
抗５３，コンパレータ４５，抵抗５１を、第１実施例の
半導体レーザ制御装置２０Ａに加えた構成になってい
る。
施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを
構成する各装置と同じ符号を持つものは、それらと同じ
ものである。つまり、この半導体レーザ制御装置２０Ｄ
は、第３実施例の半導体レーザ制御装置２０Ｃの制御モ
ード選択手段として機能する、基準電圧源５２，可変抵
抗５３，コンパレータ４５，抵抗５１を、第１実施例の
半導体レーザ制御装置２０Ａに加えた構成になってい
る。
【０１０８】又、先の実施例では、第１，第２帰還制御
手段として機能する、抵抗４０，４１およびアナログス
イッチ３４に、抵抗４０と同様の要領で抵抗４７が並列
に接続されている。更に、この抵抗４７は、スイッチ４
８を直列に接続されており、このスイッチ４８は、コン
パレータ４６Ｄの出力でオン／オフ制御されるように接
続されている。
手段として機能する、抵抗４０，４１およびアナログス
イッチ３４に、抵抗４０と同様の要領で抵抗４７が並列
に接続されている。更に、この抵抗４７は、スイッチ４
８を直列に接続されており、このスイッチ４８は、コン
パレータ４６Ｄの出力でオン／オフ制御されるように接
続されている。
【０１０９】尚、この抵抗４７の抵抗値は、抵抗４１と
同じ値となっており、又、アナログスイッチ４８は、ア
ナログスイッチ３４，３９と同じものであり、コンパレ
ータ４６Ｄは、コンパレータ４５と同じものである。
又、抵抗４０，４１，４７は、この装置２０Ｄのオペア
ンプ３６の出力の時定数を、１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃ（第
１の時定数）あるいはＴC ｍＶ／ｓｅｃ（第２の時定
数）、またはＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ（第３の時定
数）とするためのものである。つまり、抵抗４０と抵抗
４７とが、抵抗４１に並列に接続されているときは、時
定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃとなり、第１帰還制御手段と
して機能するようになっている。又、抵抗４７がアナロ
グスイッチ４８により切断されていて、抵抗４１が抵抗
４０に並列に接続されているときは、時定数ＴC ｍＶ／
ｓｅｃとなり、第２帰還制御手段として機能するように
なっている。更に、抵抗４０，４７がアナログスイッチ
３９，４８により、抵抗４１から切断されているとき
は、時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃとなり、第３帰還
制御手段として機能するようになっている。尚、上記に
示すように、第３の時定数は第２の時定数よりも長く、
且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長くなるよ
うに設定されている。
同じ値となっており、又、アナログスイッチ４８は、ア
ナログスイッチ３４，３９と同じものであり、コンパレ
ータ４６Ｄは、コンパレータ４５と同じものである。
又、抵抗４０，４１，４７は、この装置２０Ｄのオペア
ンプ３６の出力の時定数を、１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃ（第
１の時定数）あるいはＴC ｍＶ／ｓｅｃ（第２の時定
数）、またはＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃ（第３の時定
数）とするためのものである。つまり、抵抗４０と抵抗
４７とが、抵抗４１に並列に接続されているときは、時
定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃとなり、第１帰還制御手段と
して機能するようになっている。又、抵抗４７がアナロ
グスイッチ４８により切断されていて、抵抗４１が抵抗
４０に並列に接続されているときは、時定数ＴC ｍＶ／
ｓｅｃとなり、第２帰還制御手段として機能するように
なっている。更に、抵抗４０，４７がアナログスイッチ
３９，４８により、抵抗４１から切断されているとき
は、時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃとなり、第３帰還
制御手段として機能するようになっている。尚、上記に
示すように、第３の時定数は第２の時定数よりも長く、
且つ、第２の時定数は、第１の時定数よりも長くなるよ
うに設定されている。
【０１１０】又、これらの抵抗４０，４１，４７を選択
するためのコンパレータ４５，４６Ｄを始めとする各装
置が駆動電流測定手段，制御モード選択手段となってい
る。即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPと所定光量の測定結果に基
づき、所定ＬＤ駆動電流値Ｉ OPR 以下のときは、第１帰
還制御手段による制御モードを選択し、所定ＬＤ駆動電
流値ＩOPR よりも大きいときは、第２帰還制御手段によ
る制御モードを選択するようになっている。又、レーザ
ダイオード１１の光量が所定光量ｑよりも大きいとき
は、第３帰還制御手段による制御モードを選択するよう
になっている。尚、第３の実施例で述べたように、所定
光量ｒを発生させるトランジスタ３１のコレクタ電流
（所定ＬＤ駆動電流値ＩOPR ）は、所定光量ｐを発生さ
せるコレクタ電流（所定ＬＤ駆動電流値ＩOPp ）より少
し低い値に設定されている。
するためのコンパレータ４５，４６Ｄを始めとする各装
置が駆動電流測定手段，制御モード選択手段となってい
る。即ち、ＬＤ駆動電流ＩOPと所定光量の測定結果に基
づき、所定ＬＤ駆動電流値Ｉ OPR 以下のときは、第１帰
還制御手段による制御モードを選択し、所定ＬＤ駆動電
流値ＩOPR よりも大きいときは、第２帰還制御手段によ
る制御モードを選択するようになっている。又、レーザ
ダイオード１１の光量が所定光量ｑよりも大きいとき
は、第３帰還制御手段による制御モードを選択するよう
になっている。尚、第３の実施例で述べたように、所定
光量ｒを発生させるトランジスタ３１のコレクタ電流
（所定ＬＤ駆動電流値ＩOPR ）は、所定光量ｐを発生さ
せるコレクタ電流（所定ＬＤ駆動電流値ＩOPp ）より少
し低い値に設定されている。
【０１１１】上述の構成により、図１５の，に示す
ように、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオフになると、検出されたレーザーの光量を示
す電流Ｉm は、可変抵抗３７によって、その時の光量に
対応した電圧ＶA に分圧される。そして、時間ｆになる
までは、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶB に
より発生する半導体レーザ１１のＬＤ駆動電流ＩOPが、
所定ＬＤ駆動電流値ＩOP R 以下であるため、第１帰還制
御手段による制御モードが選択される。すなわち、第１
の時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃで、レーザダイオード１
１の光量が帰還制御行なわれて、オペアンプ３６の出力
電圧ＶB がこの第１の時定数で上昇していく。
ように、ＣＰＵからの制御信号によってアナログスイッ
チ３４がオフになると、検出されたレーザーの光量を示
す電流Ｉm は、可変抵抗３７によって、その時の光量に
対応した電圧ＶA に分圧される。そして、時間ｆになる
までは、トランジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶB に
より発生する半導体レーザ１１のＬＤ駆動電流ＩOPが、
所定ＬＤ駆動電流値ＩOP R 以下であるため、第１帰還制
御手段による制御モードが選択される。すなわち、第１
の時定数１０ＴC ｍＶ／ｓｅｃで、レーザダイオード１
１の光量が帰還制御行なわれて、オペアンプ３６の出力
電圧ＶB がこの第１の時定数で上昇していく。
【０１１２】そして、時間ｆになると、電圧ＶB の上昇
により、エミッタに流れるＬＤ駆動電流ＩOPが所定ＬＤ
駆動電流値ＩOPR に到達する。すると、コンパレータ４
６ＤからＬレベル信号が、アナログスイッチ４８へ出力
されて、抵抗４０，４１と並列に接続されていた抵抗４
７が切断される。これにより、第２帰還制御手段による
制御モードが選択されることになり、電圧ＶB は、第２
の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していくことになる。
により、エミッタに流れるＬＤ駆動電流ＩOPが所定ＬＤ
駆動電流値ＩOPR に到達する。すると、コンパレータ４
６ＤからＬレベル信号が、アナログスイッチ４８へ出力
されて、抵抗４０，４１と並列に接続されていた抵抗４
７が切断される。これにより、第２帰還制御手段による
制御モードが選択されることになり、電圧ＶB は、第２
の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃで上昇していくことになる。
【０１１３】そののち、時間ｂに達すると、オペアンプ
３６の出力電圧ＶB 電圧ＶB が、レーザダイオード１１
に対するしきい値αを越えて、レーザダイオード１１は
レーザー発振を起こす。そして、時間ｃになると、トラ
ンジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶB の上昇により、
エミッタ電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量
ｑを発生する値に到達する。
３６の出力電圧ＶB 電圧ＶB が、レーザダイオード１１
に対するしきい値αを越えて、レーザダイオード１１は
レーザー発振を起こす。そして、時間ｃになると、トラ
ンジスタ３１のベースに掛かる電圧ＶB の上昇により、
エミッタ電流とコレクタ電流とが、それぞれの所定光量
ｑを発生する値に到達する。
【０１１４】その結果、コンパレータ４５の負の入力に
掛かる電圧ＶA は、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの
ものと等しくなり、コンパレータ４５からＬレベル信号
が、アナログスイッチ３９へ出力される。これにより、
抵抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断され
て、時間ｃ以降のオペアンプ３６の出力電圧は、第３の
時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。つま
り、所定光量ｑを越えると、第３帰還制御手段による制
御モードが選択されるのである。
掛かる電圧ＶA は、基準電圧Ｖrefの９０パーセントの
ものと等しくなり、コンパレータ４５からＬレベル信号
が、アナログスイッチ３９へ出力される。これにより、
抵抗４１と並列に接続されていた抵抗４０が切断され
て、時間ｃ以降のオペアンプ３６の出力電圧は、第３の
時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃで上昇していく。つま
り、所定光量ｑを越えると、第３帰還制御手段による制
御モードが選択されるのである。
【０１１５】そののち、オペアンプ３６は、電圧ＶB を
時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆっくりと上昇させ
ていき、時間ｇでレーザダイオード１１が所定光量ｐに
達すると、その時の電圧を保持する。以下においては、
先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が行な
われて行く。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。尚、電圧ＶB は、電圧ＶA
と近似しているので、図１５では省略してある。
時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅｃでゆっくりと上昇させ
ていき、時間ｇでレーザダイオード１１が所定光量ｐに
達すると、その時の電圧を保持する。以下においては、
先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が行な
われて行く。又、ＣＰＵからの制御信号によってアナロ
グスイッチ３４がオンになると、オペアンプ３６の出力
は基準電圧Ｖref となり、トランジスタ３１がオフにな
るためレーザーは消灯する。尚、電圧ＶB は、電圧ＶA
と近似しているので、図１５では省略してある。
【０１１６】このように、レーザダイオード１１の駆動
電流が所定値ＩOPR に達すると、第１の時定数１０ＴC
ｍＶ／ｓｅｃから第２の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃへ切り
換え、更に、所定光量ｑに達すると、第２の時定数ＴC
ｍＶ／ｓｅｃから第３の時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅ
ｃへ切り換えることにより、従来例の半導体レーザ制御
装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１，３の実施例
の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得られる
のである。更に、第３の実施例の場合よりも、電源をオ
ン状態としてから、より早くＬＤ駆動電流ＩOPを、所定
光量ｐを発生させる値付近に持っていくことができる。
電流が所定値ＩOPR に達すると、第１の時定数１０ＴC
ｍＶ／ｓｅｃから第２の時定数ＴC ｍＶ／ｓｅｃへ切り
換え、更に、所定光量ｑに達すると、第２の時定数ＴC
ｍＶ／ｓｅｃから第３の時定数ＴC ／１００ｍＶ／ｓｅ
ｃへ切り換えることにより、従来例の半導体レーザ制御
装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１，３の実施例
の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得られる
のである。更に、第３の実施例の場合よりも、電源をオ
ン状態としてから、より早くＬＤ駆動電流ＩOPを、所定
光量ｐを発生させる値付近に持っていくことができる。
【０１１７】（ｅ）第５実施例の説明 図１６は本発明の第５実施例を示すブロック図で、この
図１６において、２０Ｅは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｅが、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｅは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，コンパレ
ータ４５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，４１，５
４，５５，５６，５７をそなえて構成されている。
図１６において、２０Ｅは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｅが、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｅは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，コンパレ
ータ４５，可変抵抗３７，抵抗３２，３３，４１，５
４，５５，５６，５７をそなえて構成されている。
【０１１８】これらの各装置において、第１，２，３，
４実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０
Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つものは、
それらと同じものである。つまり、この半導体レーザ制
御装置２０Ｅは、第１実施例の半導体レーザ制御装置２
０Ａの抵抗４０，アナログスイッチ３９の代わりに、ア
ナログスイッチ５８，抵抗５４，５５，コンデンサ４９
をそなえている。
４実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０Ｂ，２０
Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つものは、
それらと同じものである。つまり、この半導体レーザ制
御装置２０Ｅは、第１実施例の半導体レーザ制御装置２
０Ａの抵抗４０，アナログスイッチ３９の代わりに、ア
ナログスイッチ５８，抵抗５４，５５，コンデンサ４９
をそなえている。
【０１１９】この抵抗５４は、その電流の入力側が、ア
ナログスイッチ５８を介して外部フォトダイオード１２
に接続されており、出力側は、可変抵抗３７とコンデン
サ４９とに接続されている。又、これらのアナログスイ
ッチ５８と抵抗５４とに並列して、抵抗５５が接続され
ており、この抵抗５５もコンデンサ４９に接続されてい
る。
ナログスイッチ５８を介して外部フォトダイオード１２
に接続されており、出力側は、可変抵抗３７とコンデン
サ４９とに接続されている。又、これらのアナログスイ
ッチ５８と抵抗５４とに並列して、抵抗５５が接続され
ており、この抵抗５５もコンデンサ４９に接続されてい
る。
【０１２０】つまり、これらの装置は、このように配設
されることにより、外部フォトダイオード１２からのモ
ニタ信号（電流Ｉm ）の低周波数成分を通過させる、ロ
ーパスフィルタとして機能するようになっている。そし
て、アナログスイッチ５８がＬレベル信号を受信してオ
ンとなると、これらの装置は、ローパスフィルタとし
て、帰還系（帰還制御手段）に接続されて、外部フォト
ダイオード１２からのモニタ信号（電圧ＶA ）を入力す
るようになっている。これにより、オペアンプ３６の出
力電圧変化が緩和となるように、切り替わるようになっ
ている。
されることにより、外部フォトダイオード１２からのモ
ニタ信号（電流Ｉm ）の低周波数成分を通過させる、ロ
ーパスフィルタとして機能するようになっている。そし
て、アナログスイッチ５８がＬレベル信号を受信してオ
ンとなると、これらの装置は、ローパスフィルタとし
て、帰還系（帰還制御手段）に接続されて、外部フォト
ダイオード１２からのモニタ信号（電圧ＶA ）を入力す
るようになっている。これにより、オペアンプ３６の出
力電圧変化が緩和となるように、切り替わるようになっ
ている。
【０１２１】コンパレータ４５は、選択手段として機能
するもので、つまり、外部フォトダイオード１２からの
モニタ結果に基づき、この値から得られるレーザダイオ
ード１１の光量が、所定光量ｓよりも大きくなると、Ｌ
レベル信号を出力するものである。尚、所定光量ｓは、
所定光量ｐよりも少し低い値となっている。このような
構成により、図１６のに示すように、ＣＰＵからの制
御信号によってアナログスイッチ３４がオフになると、
検出されたレーザーの光量を示す電流Ｉm は、可変抵抗
３７によって、その時の光量に対応した電圧ＶA に分圧
される。この際は、アナログスイッチ５８は、オフにな
っており、電流Ｉm は、抵抗５４を通らない。
するもので、つまり、外部フォトダイオード１２からの
モニタ結果に基づき、この値から得られるレーザダイオ
ード１１の光量が、所定光量ｓよりも大きくなると、Ｌ
レベル信号を出力するものである。尚、所定光量ｓは、
所定光量ｐよりも少し低い値となっている。このような
構成により、図１６のに示すように、ＣＰＵからの制
御信号によってアナログスイッチ３４がオフになると、
検出されたレーザーの光量を示す電流Ｉm は、可変抵抗
３７によって、その時の光量に対応した電圧ＶA に分圧
される。この際は、アナログスイッチ５８は、オフにな
っており、電流Ｉm は、抵抗５４を通らない。
【０１２２】何故ならば電源が入ったばかりで、まだレ
ーザダイオード１１の光量が所定光量ｓに達しておら
ず、電流Ｉm が所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖref の
９５パーセントの電圧値以下であるため、コンパレータ
４５がＨレベル信号を出力しているからである。即ち、
光量が所定光量ｓに達するまでは、短い時定数で、レー
ザダイオード１１の光量が帰還制御行なわれて、オペア
ンプ３６の出力電圧ＶB が、この時定数で上昇してい
く。
ーザダイオード１１の光量が所定光量ｓに達しておら
ず、電流Ｉm が所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖref の
９５パーセントの電圧値以下であるため、コンパレータ
４５がＨレベル信号を出力しているからである。即ち、
光量が所定光量ｓに達するまでは、短い時定数で、レー
ザダイオード１１の光量が帰還制御行なわれて、オペア
ンプ３６の出力電圧ＶB が、この時定数で上昇してい
く。
【０１２３】そして、光量が所定光量ｓに達すると、電
流Ｉm が所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖref の９５パ
ーセントの電圧値を越えるため、コンパレータ４５は、
Ｌレベル信号を出力する。すると、アナログスイッチ５
８はオンになり、電流Ｉm は、抵抗５５に並列に接続さ
れた抵抗５４をも通過する。この結果、これらにコンデ
ンサ４９を加えたローパスフィルタが形成されて、電流
Ｉm の低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、
この帰還系が遅延させられる。
流Ｉm が所定光量ｓに対応する基準電圧Ｖref の９５パ
ーセントの電圧値を越えるため、コンパレータ４５は、
Ｌレベル信号を出力する。すると、アナログスイッチ５
８はオンになり、電流Ｉm は、抵抗５５に並列に接続さ
れた抵抗５４をも通過する。この結果、これらにコンデ
ンサ４９を加えたローパスフィルタが形成されて、電流
Ｉm の低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、
この帰還系が遅延させられる。
【０１２４】これにより、所定光量ｐの少し手前辺りか
ら、オペアンプ３６の出力電圧ＶBは、先の時定数より
も長い時定数で、レーザダイオード１１の光量が帰還制
御される。以下においては、先の第１の実施例の場合と
同様の要領で、各処理が行なわれて行く。又、ＣＰＵか
らの制御信号によってアナログスイッチ３４がオンにな
ると、オペアンプ３６の出力は基準電圧Ｖref となり、
トランジスタ３１がオフになるためレーザーは消灯す
る。
ら、オペアンプ３６の出力電圧ＶBは、先の時定数より
も長い時定数で、レーザダイオード１１の光量が帰還制
御される。以下においては、先の第１の実施例の場合と
同様の要領で、各処理が行なわれて行く。又、ＣＰＵか
らの制御信号によってアナログスイッチ３４がオンにな
ると、オペアンプ３６の出力は基準電圧Ｖref となり、
トランジスタ３１がオフになるためレーザーは消灯す
る。
【０１２５】このように、所定光量ｓを分岐点として、
ローパスフィルタを接続／切断することにより、第１の
実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得
られる。又、帰還系において、第１の実施例と異なり、
オペアンプ３８以前の入力側に、時定数を変更させるた
めの構成部をそなえられるので、第１の実施例のものと
ともに、半導体レーザ制御装置の設計の自由度を拡げる
られる。
ローパスフィルタを接続／切断することにより、第１の
実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａと同様の効果が得
られる。又、帰還系において、第１の実施例と異なり、
オペアンプ３８以前の入力側に、時定数を変更させるた
めの構成部をそなえられるので、第１の実施例のものと
ともに、半導体レーザ制御装置の設計の自由度を拡げる
られる。
【０１２６】（ｆ）第６実施例の説明 図１７は本発明の第６実施例を示すブロック図で、この
図１７において、２０Ｆは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｆは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｆは、先の第５実施例の半導体レーザ制御装置２０
Ｅのコンパレータ４５の出力側とアナログスイッチ５８
との間に、タイマ５０をそなえられたものである。
図１７において、２０Ｆは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｆは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｆは、先の第５実施例の半導体レーザ制御装置２０
Ｅのコンパレータ４５の出力側とアナログスイッチ５８
との間に、タイマ５０をそなえられたものである。
【０１２７】このタイマ５０は、先述の第２実施例で説
明した通りのものであるが、特に、この場合において
は、受信信号がＬレベルになると起動して、予め登録さ
れている所定時間ｕが経過すると、自身もＬレベル信号
を出力するように設定されている。尚、アナログスイッ
チ３４がオフにされてから所定光量ｓに達するまでの時
間に、所定時間ｕを足したものは、アナログスイッチ３
４がオフにされた時点から、レーザダイオード１１が所
定光量ｐに到達するまでに掛かる時間よりも、僅かに短
くなるように設定されている。
明した通りのものであるが、特に、この場合において
は、受信信号がＬレベルになると起動して、予め登録さ
れている所定時間ｕが経過すると、自身もＬレベル信号
を出力するように設定されている。尚、アナログスイッ
チ３４がオフにされてから所定光量ｓに達するまでの時
間に、所定時間ｕを足したものは、アナログスイッチ３
４がオフにされた時点から、レーザダイオード１１が所
定光量ｐに到達するまでに掛かる時間よりも、僅かに短
くなるように設定されている。
【０１２８】つまり、コンパレータ４５は、外部フォト
ダイオード１２からのモニタ結果（電流Ｉm ）に基づ
き、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕ経過
後に、外部フォトダイオード１２からのモニタ信号を、
ローパスフィルタを介して帰還系へ入力するようになっ
ている。このような構成により、レーザダイオード１１
の光量が、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間
ｕ以内は、コンパレータ４５によって、外部フォトダイ
オード１２からのモニタ結果に基づき、短い時定数でレ
ーザダイオード１１の光量が帰還制御される。
ダイオード１２からのモニタ結果（電流Ｉm ）に基づ
き、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕ経過
後に、外部フォトダイオード１２からのモニタ信号を、
ローパスフィルタを介して帰還系へ入力するようになっ
ている。このような構成により、レーザダイオード１１
の光量が、所定光量ｓよりも大きくなってから所定時間
ｕ以内は、コンパレータ４５によって、外部フォトダイ
オード１２からのモニタ結果に基づき、短い時定数でレ
ーザダイオード１１の光量が帰還制御される。
【０１２９】又、レーザダイオード１１の光量が所定光
量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕが経過すると、
コンパレータ４５によって、電流Ｉm がローパスフィル
タを構成する各装置にも接続される。これにより、電流
Ｉm の低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、
この帰還系が遅延させられる。この結果、一層、所定光
量ｐの手前辺りから、オペアンプ３６の出力電圧Ｖ
B は、先の時定数よりも長い時定数で、レーザダイオー
ド１１の光量が帰還制御される。又、タイマ５０に登録
されている所定時間ｕを変更することにより、時定数の
切り換えタイミングを自由に変えることができる。尚、
切り換えタイミングは、所定光量ｓに達する時間が考慮
されているため、タイマ５０で制御しても、予定との時
間のずれがなく信頼性が高いものが得られる。以下、先
の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が行なわ
れて行く。
量ｓよりも大きくなってから所定時間ｕが経過すると、
コンパレータ４５によって、電流Ｉm がローパスフィル
タを構成する各装置にも接続される。これにより、電流
Ｉm の低周波数成分が、帰還系が送られることとなり、
この帰還系が遅延させられる。この結果、一層、所定光
量ｐの手前辺りから、オペアンプ３６の出力電圧Ｖ
B は、先の時定数よりも長い時定数で、レーザダイオー
ド１１の光量が帰還制御される。又、タイマ５０に登録
されている所定時間ｕを変更することにより、時定数の
切り換えタイミングを自由に変えることができる。尚、
切り換えタイミングは、所定光量ｓに達する時間が考慮
されているため、タイマ５０で制御しても、予定との時
間のずれがなく信頼性が高いものが得られる。以下、先
の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が行なわ
れて行く。
【０１３０】（ｇ）第７実施例の説明 図１８は本発明の第７実施例を示すブロック図で、この
図１８において、２０Ｇは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｇは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，可変抵抗
３７，タイマ５０，抵抗３２，３３，４１，５４，５５
によって構成されている。
図１８において、２０Ｇは半導体レーザ制御装置を示し
たもので、この半導体レーザ制御装置２０Ｇは、従来例
における半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置
されるものである。そして、この半導体レーザ制御装置
２０Ｇは、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレー
ザダイオード１１とフォトダイオード１２，トランジス
タ３１，アナログスイッチ３４，５８，アンプ３６，３
８，基準電圧源４２，コンデンサ３５，４９，可変抵抗
３７，タイマ５０，抵抗３２，３３，４１，５４，５５
によって構成されている。
【０１３１】これらの各装置において、第１，２，３，
４，５，６実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０
Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つ
ものは、それらと同じものである。即ち、この半導体レ
ーザ制御装置２０Ｇは、第５実施例の半導体レーザ制御
装置２０Ｅの抵抗５６，５７，コンパレータ４５の代わ
りに、タイマ５０がＣＰＵの出力を受信するように接続
されており、さらに、このタイマ５０の出力は、アナロ
グスイッチ５８を制御するように接続されている。
４，５，６実施例の半導体レーザ制御装置２０Ａ，２０
Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄを構成する各装置と同じ符号を持つ
ものは、それらと同じものである。即ち、この半導体レ
ーザ制御装置２０Ｇは、第５実施例の半導体レーザ制御
装置２０Ｅの抵抗５６，５７，コンパレータ４５の代わ
りに、タイマ５０がＣＰＵの出力を受信するように接続
されており、さらに、このタイマ５０の出力は、アナロ
グスイッチ５８を制御するように接続されている。
【０１３２】このタイマ５０は、先述のものと同様のも
のであるが、特に、この場合においては、予め登録され
ている所定時間ｖが経過すると、Ｌレベル信号を出力す
るように設定されている。尚、所定時間ｖは、アナログ
スイッチ３４がオフにされた時点から、レーザダイオー
ド１１が、所定光量ｐに到達するまでに掛かる時間より
も、僅かに短くなるように設定されている。
のであるが、特に、この場合においては、予め登録され
ている所定時間ｖが経過すると、Ｌレベル信号を出力す
るように設定されている。尚、所定時間ｖは、アナログ
スイッチ３４がオフにされた時点から、レーザダイオー
ド１１が、所定光量ｐに到達するまでに掛かる時間より
も、僅かに短くなるように設定されている。
【０１３３】又、アナログスイッチ５８は、第５実施例
の半導体レーザ制御装置２０Ｅの場合と同様に、タイマ
５０からのＬレベル出力によってオンになると、外部フ
ォトダイオード１２からのモニタ信号（電流Ｉm ）を、
ローパスフィルタを介して帰還系へ入力するようになっ
ている。このような構成により、レーザダイオード１１
がオフ状態からオン状態への移行後、所定時間ｖが経過
すると、タイマ５０およびアナログスイッチ５８によっ
て、電流Ｉm をローパスフィルタを構成する各装置を通
して、それ以降の帰還系へ入力する。
の半導体レーザ制御装置２０Ｅの場合と同様に、タイマ
５０からのＬレベル出力によってオンになると、外部フ
ォトダイオード１２からのモニタ信号（電流Ｉm ）を、
ローパスフィルタを介して帰還系へ入力するようになっ
ている。このような構成により、レーザダイオード１１
がオフ状態からオン状態への移行後、所定時間ｖが経過
すると、タイマ５０およびアナログスイッチ５８によっ
て、電流Ｉm をローパスフィルタを構成する各装置を通
して、それ以降の帰還系へ入力する。
【０１３４】この結果、所定光量ｐの手前辺りから、時
定数が、例えば、ＴC ｍＶ／ｓｅｃからＴC ／１００ｍ
Ｖ／ｓｅｃへ切り換わり、オペアンプ３６の出力電圧
は、所定光量ｐおよびその付近で適切な帰還制御が行な
われる。又、タイマ５０に登録されている所定時間ｖを
変更することにより、簡単な装置でありながら、時定数
の切り換えタイミングを自由に変えることができる。以
下、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が
行なわれて行く。
定数が、例えば、ＴC ｍＶ／ｓｅｃからＴC ／１００ｍ
Ｖ／ｓｅｃへ切り換わり、オペアンプ３６の出力電圧
は、所定光量ｐおよびその付近で適切な帰還制御が行な
われる。又、タイマ５０に登録されている所定時間ｖを
変更することにより、簡単な装置でありながら、時定数
の切り換えタイミングを自由に変えることができる。以
下、先の第１の実施例の場合と同様の要領で、各処理が
行なわれて行く。
【０１３５】（ｈ）第８実施例の説明 図１９は本発明の第８実施例を示すブロック図で、この
図１９において、２０は半導体レーザ制御装置を示した
もので、この半導体レーザ制御装置２０は、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。そして、この半導体レーザ制御装置２０
は、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレーザダイ
オード１１とフォトダイオード１２，トランジスタ３
１，アナログスイッチ３４，コンデンサ３５，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，抵抗３２，３３，４６，電
流／電圧変換手段としての、抵抗６１，６２，６３，モ
ニタ電圧分圧手段としての、アナログスイッチ２４，抵
抗５９，可変抵抗２５をそなえて構成されている。尚、
オペアンプ３６は、帰還制御手段として機能するもので
ある。
図１９において、２０は半導体レーザ制御装置を示した
もので、この半導体レーザ制御装置２０は、従来例にお
ける半導体レーザ制御装置３，３Ａの代わりに設置され
るものである。そして、この半導体レーザ制御装置２０
は、ＬＤチップ３０内に並列して設置されたレーザダイ
オード１１とフォトダイオード１２，トランジスタ３
１，アナログスイッチ３４，コンデンサ３５，アンプ３
６，３８，基準電圧源４２，抵抗３２，３３，４６，電
流／電圧変換手段としての、抵抗６１，６２，６３，モ
ニタ電圧分圧手段としての、アナログスイッチ２４，抵
抗５９，可変抵抗２５をそなえて構成されている。尚、
オペアンプ３６は、帰還制御手段として機能するもので
ある。
【０１３６】これらの各装置において、上述の各実施例
の各半導体レーザ制御装置を構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。即ち、この半
導体レーザ制御装置２０は、先に述べた所の半導体レー
ザ制御装置３Ａのオペアンプ３８と可変抵抗２５との間
に抵抗５９をそなえ、更に、この抵抗５９に並列してア
ナログスイッチ２４をそなえたものである。
の各半導体レーザ制御装置を構成する各装置と同じ符号
を持つものは、それらと同じものである。即ち、この半
導体レーザ制御装置２０は、先に述べた所の半導体レー
ザ制御装置３Ａのオペアンプ３８と可変抵抗２５との間
に抵抗５９をそなえ、更に、この抵抗５９に並列してア
ナログスイッチ２４をそなえたものである。
【０１３７】そして、図２６の従来例において説明した
ように、このような位置に抵抗６１，６２，６３が設置
されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に掛か
る電流Ｉm が、所定の比率で電圧に変換されるようにな
っている。又、上記のオペアンプ３６の負の入力側に
は、時定数を変更するための抵抗等が設けられていない
ため、抵抗４６による時定数で出力電圧が積分されると
ともに、所定の出力を維持するようになっている。
ように、このような位置に抵抗６１，６２，６３が設置
されることにより、オペアンプ３８の正負の入力に掛か
る電流Ｉm が、所定の比率で電圧に変換されるようにな
っている。又、上記のオペアンプ３６の負の入力側に
は、時定数を変更するための抵抗等が設けられていない
ため、抵抗４６による時定数で出力電圧が積分されると
ともに、所定の出力を維持するようになっている。
【０１３８】又、アナログスイッチ２４は、外部制御に
よってオン／オフされるものであり、抵抗５９に並列し
て設けられることにより、この抵抗５９をショートする
ものである。抵抗５９は、アナログスイッチ２４のオフ
時にオペアンプ３８からの電圧Ｖmを所定の比率で下げ
るものである。尚、この抵抗５９の抵抗値は、可変抵抗
２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉm の最小値が送ら
れて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／オフの何
方の状態であったとしても、レーザダイオード１１が過
発光しないような値に設定されている。可変抵抗２５
は、先に図２６の従来例で述べたように、分圧比を連続
的に変更するためのものである。
よってオン／オフされるものであり、抵抗５９に並列し
て設けられることにより、この抵抗５９をショートする
ものである。抵抗５９は、アナログスイッチ２４のオフ
時にオペアンプ３８からの電圧Ｖmを所定の比率で下げ
るものである。尚、この抵抗５９の抵抗値は、可変抵抗
２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉm の最小値が送ら
れて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／オフの何
方の状態であったとしても、レーザダイオード１１が過
発光しないような値に設定されている。可変抵抗２５
は、先に図２６の従来例で述べたように、分圧比を連続
的に変更するためのものである。
【０１３９】上述の構成により、図１９に示すように、
従来例と同様の処理が行なわれる。即ち、外部フォトダ
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉm が
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
m から得られた電圧ＶA と基準電圧Ｖref とを、オペア
ンプ３６によって等しくなるように、半導体レーザ１１
のＬＤ駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が
一定に保たれる。
従来例と同様の処理が行なわれる。即ち、外部フォトダ
イオード１２によってレーザーの光量を示す電流Ｉm が
検出される。そして、図２５に示すように、この電流Ｉ
m から得られた電圧ＶA と基準電圧Ｖref とを、オペア
ンプ３６によって等しくなるように、半導体レーザ１１
のＬＤ駆動電流ＩOPが帰還制御され、レーザーの光量が
一定に保たれる。
【０１４０】尚、ＬＤチップ３０のレーザダイオード１
１と外部フォトダイオード１２とは、それらの取付け具
合い等により、同じものを用いても、レーザダイオード
１１の発光量に対する電流Ｉm の値が変動するが、可変
抵抗２５により電圧を分圧できるので、オペアンプ３６
の負の入力側へ送られる電圧が適正な値に補正される。
１と外部フォトダイオード１２とは、それらの取付け具
合い等により、同じものを用いても、レーザダイオード
１１の発光量に対する電流Ｉm の値が変動するが、可変
抵抗２５により電圧を分圧できるので、オペアンプ３６
の負の入力側へ送られる電圧が適正な値に補正される。
【０１４１】この際、アナログスイッチ２４がオンであ
ると、図２０の左側の分圧比Ｋに示すように、オペアン
プ３８からの電圧Ｖm が直接に可変抵抗２５へ掛かるた
め、電流Ｉm に対する分圧比Ｋのレンジは、図２７に示
す従来例のものと同じになっている。又、アナログスイ
ッチ２４のオープン時には、図２０の右側の分圧比Ｋに
示すように、オペアンプ３８からの電圧Ｖm が抵抗５４
を介して可変抵抗２５へ掛かるため、電流Ｉm に対する
分圧比Ｋのレンジは、抵抗５９の抵抗値に応じて拡大さ
れる。言い換えると、抵抗５９によって、可変抵抗２５
で分圧される電圧を予め下げることで、抵抗調整用つま
みの回転角度量に対する分圧比Ｋのレンジが拡大される
のである。
ると、図２０の左側の分圧比Ｋに示すように、オペアン
プ３８からの電圧Ｖm が直接に可変抵抗２５へ掛かるた
め、電流Ｉm に対する分圧比Ｋのレンジは、図２７に示
す従来例のものと同じになっている。又、アナログスイ
ッチ２４のオープン時には、図２０の右側の分圧比Ｋに
示すように、オペアンプ３８からの電圧Ｖm が抵抗５４
を介して可変抵抗２５へ掛かるため、電流Ｉm に対する
分圧比Ｋのレンジは、抵抗５９の抵抗値に応じて拡大さ
れる。言い換えると、抵抗５９によって、可変抵抗２５
で分圧される電圧を予め下げることで、抵抗調整用つま
みの回転角度量に対する分圧比Ｋのレンジが拡大される
のである。
【０１４２】尚、従来例と同様に、図中の各値は、電流
Ｉm ＝光量Ｐ0 ×光量Ｐ5 ÷５ｍＷ、電圧Ｖm ＝電流Ｉ
m ×抵抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref ÷電圧Ｖm
の関係がある。この結果、図中の２ｍＷ〜４ｍＷの区間
の光量に示すように、電流Ｉm に対する分圧比Ｋのレン
ジを拡大することができるので、電流Ｉm の値が大きく
なっても、その調整を特殊な機器等を用いなくとも実現
できる。然も、このような効果が、簡単な装置を従来の
半導体レーザ制御装置に付加するだけで可能となり、コ
スト面においても優れたものとなる。
Ｉm ＝光量Ｐ0 ×光量Ｐ5 ÷５ｍＷ、電圧Ｖm ＝電流Ｉ
m ×抵抗６１の抵抗値、Ｋ＝基準電圧Ｖref ÷電圧Ｖm
の関係がある。この結果、図中の２ｍＷ〜４ｍＷの区間
の光量に示すように、電流Ｉm に対する分圧比Ｋのレン
ジを拡大することができるので、電流Ｉm の値が大きく
なっても、その調整を特殊な機器等を用いなくとも実現
できる。然も、このような効果が、簡単な装置を従来の
半導体レーザ制御装置に付加するだけで可能となり、コ
スト面においても優れたものとなる。
【０１４３】尚、抵抗５９の代わりに可変抵抗を用いて
もよく、この場合、目的に応じて分圧比Ｋを連続的に変
更することができる。勿論、この抵抗の最大抵抗値は、
可変抵抗２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉm の最小
値が送られて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／
オフの何方の状態であったとしても、レーザダイオード
１１が過発光しないような値に設定されている。
もよく、この場合、目的に応じて分圧比Ｋを連続的に変
更することができる。勿論、この抵抗の最大抵抗値は、
可変抵抗２５が最小値に絞られ、且つ、電流Ｉm の最小
値が送られて来た時に、アナログスイッチ２４のオン／
オフの何方の状態であったとしても、レーザダイオード
１１が過発光しないような値に設定されている。
【０１４４】（ｉ）第９実施例の説明 図２１は本発明の第９実施例における、ヒートシンクを
そえたＬＤチップを示す断面図であり、図２２はこれか
らプリント基板７４を取り省いてＬＤチップの端子側か
ら見た図である。この図２１，２２において、３０はＬ
Ｄチップで、このＬＤチップ３０は、既に述べた各実施
例で説明したように、半導体レーザ制御装置において用
いられるものである。
そえたＬＤチップを示す断面図であり、図２２はこれか
らプリント基板７４を取り省いてＬＤチップの端子側か
ら見た図である。この図２１，２２において、３０はＬ
Ｄチップで、このＬＤチップ３０は、既に述べた各実施
例で説明したように、半導体レーザ制御装置において用
いられるものである。
【０１４５】このＬＤチップ３０は、ケース７１とヒー
トシンク（放熱部材）２８とからなる収容部７０に収容
されており、プラスチック製の中間部材２７を介してヒ
ートシンク２８に接触している。このヒートシンク２８
は、ＬＤチップ３０に発生した熱を伝達される伝達部７
８と、伝達部７８に伝わった熱を放熱するための放熱面
７９によって構成されている。尚、伝達部７８と放熱面
７９は、アルミ等の熱伝達率の高い導電材製であり、プ
ラスチック２７は、熱的には接触したものと等価な厚み
をもつ非導電材製である。
トシンク（放熱部材）２８とからなる収容部７０に収容
されており、プラスチック製の中間部材２７を介してヒ
ートシンク２８に接触している。このヒートシンク２８
は、ＬＤチップ３０に発生した熱を伝達される伝達部７
８と、伝達部７８に伝わった熱を放熱するための放熱面
７９によって構成されている。尚、伝達部７８と放熱面
７９は、アルミ等の熱伝達率の高い導電材製であり、プ
ラスチック２７は、熱的には接触したものと等価な厚み
をもつ非導電材製である。
【０１４６】又、ＬＤチップ３０は、上述の図９に示し
たように、レーザダイオード１１と外部フォトダイオー
ド１２とをそなえており、これらの装置への入出力のた
めに、３つの端子が設けられている。そして、これらの
端子を、それぞれに対応する３つの穴部７２に通して、
蓋部７３がＬＤチップ３０に被さっており、プリント基
板７４によって固定保持されている。又、このプリント
基板７４は、ヒートシンク２８とともに４つのビス７５
が４つの凹部７７に収まることによって、ケース７１に
固定されているのであるが、この際、ＬＤチップ３０の
各端子に対応する３つの穴部７６に、蓋部７３から出て
いる各端子を通している。尚、これらのビス７５は、金
属等の電気を伝える物質で構成されており、ヒートシン
ク２８の伝達部７８を貫通してケース７１に到っている
ため、伝達部７８と接触しており、電気的にも接続され
ていることになる。そして、ビス７５の内の１つには、
グランドへ接続された接地線８０がそなえられている。
尚、凹部７７は、プリント基板７４，ヒートシンク２８
の伝達部７８，ケース７１に、設けられた穴によって構
成されている。又、図２２の鎖線は、プリント基板７４
とこの基板上のプリントパターンの一例を示したもので
ある。
たように、レーザダイオード１１と外部フォトダイオー
ド１２とをそなえており、これらの装置への入出力のた
めに、３つの端子が設けられている。そして、これらの
端子を、それぞれに対応する３つの穴部７２に通して、
蓋部７３がＬＤチップ３０に被さっており、プリント基
板７４によって固定保持されている。又、このプリント
基板７４は、ヒートシンク２８とともに４つのビス７５
が４つの凹部７７に収まることによって、ケース７１に
固定されているのであるが、この際、ＬＤチップ３０の
各端子に対応する３つの穴部７６に、蓋部７３から出て
いる各端子を通している。尚、これらのビス７５は、金
属等の電気を伝える物質で構成されており、ヒートシン
ク２８の伝達部７８を貫通してケース７１に到っている
ため、伝達部７８と接触しており、電気的にも接続され
ていることになる。そして、ビス７５の内の１つには、
グランドへ接続された接地線８０がそなえられている。
尚、凹部７７は、プリント基板７４，ヒートシンク２８
の伝達部７８，ケース７１に、設けられた穴によって構
成されている。又、図２２の鎖線は、プリント基板７４
とこの基板上のプリントパターンの一例を示したもので
ある。
【０１４７】このような構成により、ＬＤチップ３０に
発生した熱が、プラスチック２７を介してヒートシンク
２８の伝達部７８へ伝達されて、放熱面７９から外部へ
放熱される。この結果、ＬＤチップ３０のレーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２との長寿命化が図
れる。又、ヒートシンク２８の放熱面７９がアンテナ効
果を発揮して、外部からの電波および静電気等のノイズ
を受信してしまっても、プラスチック製の中間部材２７
によって遮断されるので、ＬＤチップ３０へ伝達されな
い。この結果、ヒートシンク２８は、ＬＤチップ３０と
異なる一定電位を持つ。
発生した熱が、プラスチック２７を介してヒートシンク
２８の伝達部７８へ伝達されて、放熱面７９から外部へ
放熱される。この結果、ＬＤチップ３０のレーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２との長寿命化が図
れる。又、ヒートシンク２８の放熱面７９がアンテナ効
果を発揮して、外部からの電波および静電気等のノイズ
を受信してしまっても、プラスチック製の中間部材２７
によって遮断されるので、ＬＤチップ３０へ伝達されな
い。この結果、ヒートシンク２８は、ＬＤチップ３０と
異なる一定電位を持つ。
【０１４８】そして、ノイズに起因してヒートシンク２
８に発生した電流は、ヒートシンク２８の伝達部７８に
接触しているビス７５から、接地線８０へ伝わることに
より、グランドへ落とされる。よって、ＬＤチップ３０
内のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１２
とに、余計な電流が流れることを防ぐことができ、各ダ
イオードの長寿命化が図れる。この結果、レーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２とが、ノイズに強
くなり、半導体レーザ制御装置自体の安定性と精度とが
高まる。更に、ダイオードの交換をする必要が殆ど無く
なり、経済性でも優れている。
８に発生した電流は、ヒートシンク２８の伝達部７８に
接触しているビス７５から、接地線８０へ伝わることに
より、グランドへ落とされる。よって、ＬＤチップ３０
内のレーザダイオード１１と外部フォトダイオード１２
とに、余計な電流が流れることを防ぐことができ、各ダ
イオードの長寿命化が図れる。この結果、レーザダイオ
ード１１と外部フォトダイオード１２とが、ノイズに強
くなり、半導体レーザ制御装置自体の安定性と精度とが
高まる。更に、ダイオードの交換をする必要が殆ど無く
なり、経済性でも優れている。
【０１４９】尚、プラスチック製の中間部材２７の代わ
りとして、ガラスまたはシリコン等からなる中間部材を
用いても同等の効果が得られる。
りとして、ガラスまたはシリコン等からなる中間部材を
用いても同等の効果が得られる。
【０１５０】
【発明の効果】以上詳述したように、第１の発明によれ
ば、半導体レーザ１１，光量モニタ手段，第１帰還制御
手段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段とをそな
えて構成するとともに、第２の時定数が第１の時定数よ
りも長くなるように設定されて、半導体レーザの光量が
所定光量以下のときは第１の時定数で半導体レーザの光
量を帰還制御する一方、所定光量よりも大きいときは第
２の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御することに
より、適度な点灯時間で所定光量に到達することができ
て、然も、所定光量到達後は、帰還系等のノイズによる
誤差等の補正を、適切に行なえる利点がある（請求項
１，２，９，１０）。
ば、半導体レーザ１１，光量モニタ手段，第１帰還制御
手段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段とをそな
えて構成するとともに、第２の時定数が第１の時定数よ
りも長くなるように設定されて、半導体レーザの光量が
所定光量以下のときは第１の時定数で半導体レーザの光
量を帰還制御する一方、所定光量よりも大きいときは第
２の時定数で半導体レーザの光量を帰還制御することに
より、適度な点灯時間で所定光量に到達することができ
て、然も、所定光量到達後は、帰還系等のノイズによる
誤差等の補正を、適切に行なえる利点がある（請求項
１，２，９，１０）。
【０１５１】又、第２の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，第１帰還制御手段，第２帰還制御手
段，制御モード選択手段をそなえるとともに、所定時間
が第１の時定数によって半導体レーザが所定光量に到達
する時間よりも長い時間として設定され、且つ、第２の
時定数が第１の時定数よりも長くなるように設定され
て、半導体レーザが消灯状態から点灯状態への移行後、
所定時間が経過するまでは第１の時定数で半導体レーザ
の光量を帰還制御する一方、半導体レーザが消灯状態か
ら点灯状態への移行後、所定時間が経過すると第２の時
定数で半導体レーザの光量を帰還制御することにより、
より単純な構成で、第１の発明と同様の利点が得られる
（請求項３，４，５，６，９，１０）。
光量モニタ手段，第１帰還制御手段，第２帰還制御手
段，制御モード選択手段をそなえるとともに、所定時間
が第１の時定数によって半導体レーザが所定光量に到達
する時間よりも長い時間として設定され、且つ、第２の
時定数が第１の時定数よりも長くなるように設定され
て、半導体レーザが消灯状態から点灯状態への移行後、
所定時間が経過するまでは第１の時定数で半導体レーザ
の光量を帰還制御する一方、半導体レーザが消灯状態か
ら点灯状態への移行後、所定時間が経過すると第２の時
定数で半導体レーザの光量を帰還制御することにより、
より単純な構成で、第１の発明と同様の利点が得られる
（請求項３，４，５，６，９，１０）。
【０１５２】又、第３の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段をそなえる
とともに、第２の時定数が第１の時定数よりも長くなる
ように設定されて、半導体レーザの駆動電流が所定駆動
電流以下のときは第１の時定数で半導体レーザの光量を
帰還制御する一方、半導体レーザの駆動電流が所定駆動
電流よりも大きいときは第２の時定数で半導体レーザの
光量を帰還制御することにより、従来例の半導体レーザ
制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実施例
の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得られ、然も、
効果的に半導体レーザ駆動電流を上昇させることができ
る（請求項７，８，９，１０）。
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，制御モード選択手段をそなえる
とともに、第２の時定数が第１の時定数よりも長くなる
ように設定されて、半導体レーザの駆動電流が所定駆動
電流以下のときは第１の時定数で半導体レーザの光量を
帰還制御する一方、半導体レーザの駆動電流が所定駆動
電流よりも大きいときは第２の時定数で半導体レーザの
光量を帰還制御することにより、従来例の半導体レーザ
制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１の実施例
の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得られ、然も、
効果的に半導体レーザ駆動電流を上昇させることができ
る（請求項７，８，９，１０）。
【０１５３】又、第４の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，第３帰還制御手段，制御モード
選択手段をそなえて構成するとともに、第３の時定数が
第２の時定数よりも長く、且つ、第２の時定数が第１の
時定数よりも長くなるように設定されて、半導体レーザ
の駆動電流が所定駆動電流以下のときは第１の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの駆動
電流が所定駆動電流よりも大きいときは第２の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの光量
が所定光量よりも大きいときは第３の時定数で半導体レ
ーザの光量を帰還制御することにより、従来例の半導体
レーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１，
３の発明の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得ら
れ、然も、第３の発明以上に、より効果的に半導体レー
ザ駆動電流を上昇させることができる（請求項１１，１
２，１３，１４）。
光量モニタ手段，駆動電流測定手段，第１帰還制御手
段，第２帰還制御手段，第３帰還制御手段，制御モード
選択手段をそなえて構成するとともに、第３の時定数が
第２の時定数よりも長く、且つ、第２の時定数が第１の
時定数よりも長くなるように設定されて、半導体レーザ
の駆動電流が所定駆動電流以下のときは第１の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの駆動
電流が所定駆動電流よりも大きいときは第２の時定数で
半導体レーザの光量を帰還制御し、半導体レーザの光量
が所定光量よりも大きいときは第３の時定数で半導体レ
ーザの光量を帰還制御することにより、従来例の半導体
レーザ制御装置に僅かな装置をそなえるだけで、第１，
３の発明の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得ら
れ、然も、第３の発明以上に、より効果的に半導体レー
ザ駆動電流を上昇させることができる（請求項１１，１
２，１３，１４）。
【０１５４】又、第５の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなると、光量モニタ信号をローパスフィ
ルタを通して帰還制御手段へ入力することにより、第１
の発明の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得られる
とともに、設計の自由度が広がる利点がある（請求項１
５，１６）。
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなると、光量モニタ信号をローパスフィ
ルタを通して帰還制御手段へ入力することにより、第１
の発明の半導体レーザ制御装置と同様の効果が得られる
とともに、設計の自由度が広がる利点がある（請求項１
５，１６）。
【０１５５】又、第６の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなってから所定時間経過後に、光量モニ
タ信号をローパスフィルタを通して帰還制御手段へ入力
することにより、第５の発明の半導体レーザ制御装置と
同様の効果が得られる他、自在に、光量モニタ信号をロ
ーパスフィルタを通すかどうかのタイミングを調整でき
る利点がある（請求項１７，１８）。
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，選
択手段をそなえて構成し、半導体レーザの光量が所定光
量よりも大きくなってから所定時間経過後に、光量モニ
タ信号をローパスフィルタを通して帰還制御手段へ入力
することにより、第５の発明の半導体レーザ制御装置と
同様の効果が得られる他、自在に、光量モニタ信号をロ
ーパスフィルタを通すかどうかのタイミングを調整でき
る利点がある（請求項１７，１８）。
【０１５６】又、第７の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，オ
ン／オフ制御手段，選択手段をそなえて構成し、半導体
レーザがオフ状態からオン状態への移行後、所定時間が
経過すると、光量モニタ信号をローパスフィルタを通し
て帰還制御手段へ入力することにより、第６の発明の半
導体レーザ制御装置と同様の効果を、より簡単な構成で
得られる利点がある（請求項１９，２０）。
光量モニタ手段，帰還制御手段，ローパスフィルタ，オ
ン／オフ制御手段，選択手段をそなえて構成し、半導体
レーザがオフ状態からオン状態への移行後、所定時間が
経過すると、光量モニタ信号をローパスフィルタを通し
て帰還制御手段へ入力することにより、第６の発明の半
導体レーザ制御装置と同様の効果を、より簡単な構成で
得られる利点がある（請求項１９，２０）。
【０１５７】又、第８の発明によれば、半導体レーザ，
光量モニタ手段，電流／電圧変換手段，２つの抵抗を有
するモニタ電圧分圧手段，帰還制御手段をそなえ、更
に、モニタ電圧分圧手段における一方の抵抗に抵抗をシ
ョートし分圧比を変更しうるスイッチが設けられている
ことにより、モニタ電流値が大きくなっても、通常の可
変抵抗のボリュームのつまみで十分に半導体レーザの光
量の調整ができる利点がある（請求項２１）。
光量モニタ手段，電流／電圧変換手段，２つの抵抗を有
するモニタ電圧分圧手段，帰還制御手段をそなえ、更
に、モニタ電圧分圧手段における一方の抵抗に抵抗をシ
ョートし分圧比を変更しうるスイッチが設けられている
ことにより、モニタ電流値が大きくなっても、通常の可
変抵抗のボリュームのつまみで十分に半導体レーザの光
量の調整ができる利点がある（請求項２１）。
【０１５８】更に、モニタ電圧分圧手段が直列接続され
た可変抵抗と固定抵抗とで構成されるとともに、固定抵
抗に並列にスイッチが設けられ、且つ、可変抵抗が所定
位置にセットされている時に、スイッチにより固定抵抗
をショートしても、半導体レーザが過発光しないような
値に、固定抵抗の抵抗値が設定されていることにより、
装置のレーザー出力が安定し、オーバーシュートが防が
れる利点がある（請求項２２）。
た可変抵抗と固定抵抗とで構成されるとともに、固定抵
抗に並列にスイッチが設けられ、且つ、可変抵抗が所定
位置にセットされている時に、スイッチにより固定抵抗
をショートしても、半導体レーザが過発光しないような
値に、固定抵抗の抵抗値が設定されていることにより、
装置のレーザー出力が安定し、オーバーシュートが防が
れる利点がある（請求項２２）。
【０１５９】又、一方の抵抗が分圧比を連続的に変更す
るための可変抵抗として構成されたことにより、可変抵
抗のボリュームつまみの回転角度に対する可変抵抗の分
圧比のレンジの大きさを、自在に調整できる利点がある
（請求項２３）。そして、第９の発明によれば、半導体
レーザに、熱的には接触したものと等価な厚みをもつ非
導電材製の中間部材を介して、半導体レーザの放熱を行
なう導電材製の放熱部材が取り付けられたことにより、
上述の各発明における半導体レーザ制御装置の半導体レ
ーザと光量モニタ手段との熱が外部へ逃がされて、これ
らの寿命が長くなる利点がある（請求項２４）。
るための可変抵抗として構成されたことにより、可変抵
抗のボリュームつまみの回転角度に対する可変抵抗の分
圧比のレンジの大きさを、自在に調整できる利点がある
（請求項２３）。そして、第９の発明によれば、半導体
レーザに、熱的には接触したものと等価な厚みをもつ非
導電材製の中間部材を介して、半導体レーザの放熱を行
なう導電材製の放熱部材が取り付けられたことにより、
上述の各発明における半導体レーザ制御装置の半導体レ
ーザと光量モニタ手段との熱が外部へ逃がされて、これ
らの寿命が長くなる利点がある（請求項２４）。
【０１６０】又、放熱部材が接地されていることによ
り、半導体レーザと光量モニタ手段とに、余計な電流が
流れることが防がれ、各装置の寿命が長くなる利点があ
る（請求項２５）。
り、半導体レーザと光量モニタ手段とに、余計な電流が
流れることが防がれ、各装置の寿命が長くなる利点があ
る（請求項２５）。
【図１】第１の発明の原理ブロック図である。
【図２】第２の発明の原理ブロック図である。
【図３】第３の発明の原理ブロック図である。
【図４】第４の発明の原理ブロック図である。
【図５】第５，６の発明の原理ブロック図である。
【図６】第７の発明の原理ブロック図である。
【図７】第８の発明の原理ブロック図である。
【図８】第９の発明の原理説明図である。
【図９】本発明の第１実施例を示すブロック図である。
【図１０】本発明の第１，２実施例の作用を説明する図
である。
である。
【図１１】本発明の第２実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第３実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第３実施例の作用を説明する図であ
る。
る。
【図１４】本発明の第４実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１５】本発明の第４実施例の作用を説明する図であ
る。
る。
【図１６】本発明の第５実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１７】本発明の第６実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１８】本発明の第７実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図１９】本発明の第８実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図２０】本発明の第８実施例の作用を説明する図であ
る。
る。
【図２１】レーザダイオードチップへのヒートシンク取
付状態を示す断面図である。
付状態を示す断面図である。
【図２２】レーザダイオードチップへのヒートシンク取
付状態を示す図である。
付状態を示す図である。
【図２３】一般的なバーコード読み取り装置の構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図２４】従来例を示すブロック図である。
【図２５】従来例の作用を示す図である。
【図２６】他の従来例を示すブロック図である。
【図２７】他の従来例の作用を示す図である。
【図２８】従来例のレーザダイオードチップへのヒート
シンク取付状態を示す模式図である。
シンク取付状態を示す模式図である。
１ バーコード ２ 光学系 ３，２０，３Ａ，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２
０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ半導体レーザ制御装置 ４ 走査機構 ５ 光電変換部 ６ Ａ／Ｄ変換部 ７ バー幅カウンタ７ ８ クロック ９ メモリ １０ ＣＰＵ １１ レーザダイオード（半導体レーザ） １２ 外部フォトダイオード（光量モニタ手段） １３ 第１帰還制御手段 １４ 第２帰還制御手段 １５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ， 制御モード選択手
段 １５Ｅ，１５Ｆ，１５Ｇ 選択手段 １６ オン／オフ制御手段 １７ 駆動電流測定手段 １８ 第３帰還制御手段 １９ ローパスフィルタ ２１，１５Ｈ 帰還制御手段 ２２ 電流／電圧変換手段 ２３ モニタ電圧分圧手段 ２４ アナログスイッチ（スイッチ） ２５，３７，５３ 可変抵抗 ２６ 固定抵抗 ２７ プラスチック（中間部材） ２８ ヒートシンク（放熱部材） ２９ 電源 ３０ ＬＤチップ ３１ トランジスタ ３２，３３，４０，４１，４３，４４，４６，４７，５
１，５４，５５，５６，５７，６１，６２，６３ 抵抗 ３４，３９，４８，５８ アナログスイッチ ３５，４９ コンデンサ ３６ オペアンプ ３８ オペアンプ ４２ 基準電圧源 ４５，４６ コンパレータ ５０ タイマ ５２ 基準電圧源 ７１ ケース ７２ 穴部 ７３ 蓋部 ７４ プリント基板 ７５ ビス ７６ 穴部 ７７ 凹部 ７８ 伝達部 ７９ 放熱面 ８０ 接地線
０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ半導体レーザ制御装置 ４ 走査機構 ５ 光電変換部 ６ Ａ／Ｄ変換部 ７ バー幅カウンタ７ ８ クロック ９ メモリ １０ ＣＰＵ １１ レーザダイオード（半導体レーザ） １２ 外部フォトダイオード（光量モニタ手段） １３ 第１帰還制御手段 １４ 第２帰還制御手段 １５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ， 制御モード選択手
段 １５Ｅ，１５Ｆ，１５Ｇ 選択手段 １６ オン／オフ制御手段 １７ 駆動電流測定手段 １８ 第３帰還制御手段 １９ ローパスフィルタ ２１，１５Ｈ 帰還制御手段 ２２ 電流／電圧変換手段 ２３ モニタ電圧分圧手段 ２４ アナログスイッチ（スイッチ） ２５，３７，５３ 可変抵抗 ２６ 固定抵抗 ２７ プラスチック（中間部材） ２８ ヒートシンク（放熱部材） ２９ 電源 ３０ ＬＤチップ ３１ トランジスタ ３２，３３，４０，４１，４３，４４，４６，４７，５
１，５４，５５，５６，５７，６１，６２，６３ 抵抗 ３４，３９，４８，５８ アナログスイッチ ３５，４９ コンデンサ ３６ オペアンプ ３８ オペアンプ ４２ 基準電圧源 ４５，４６ コンパレータ ５０ タイマ ５２ 基準電圧源 ７１ ケース ７２ 穴部 ７３ 蓋部 ７４ プリント基板 ７５ ビス ７６ 穴部 ７７ 凹部 ７８ 伝達部 ７９ 放熱面 ８０ 接地線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠田 一郎 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (25)
- 【請求項１】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で該
半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レー
ザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）の光量が所定光量以下のときは
第１の時定数で該半導体レーザの光量を帰還制御する一
方、所定光量よりも大きいときは第２の時定数で該半導
体レーザ（１１）の光量を帰還制御することを特徴とす
る、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項２】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第１の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第１帰還制御手段（１３）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第２の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第２帰還制御手段（１４）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
所定光量以下のときは該第１帰還制御手段（１３）によ
る制御モードを選択する一方、所定光量よりも大きいと
きは該第２帰還制御手段（１４）による制御モードを選
択する制御モード選択手段（１５Ａ）とをそなえて構成
されたことを特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項３】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で該
半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レー
ザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）がオフ状態からオン状態への移
行後、所定時間が経過するまでは第１の時定数で該半導
体レーザ（１１）の光量を帰還制御する一方、該半導体
レーザ（１１）がオフ状態からオン状態への移行後、該
所定時間が経過すると第２の時定数で該半導体レーザ
（１１）の光量を帰還制御することを特徴とする、半導
体レーザ制御方法。 - 【請求項４】 該所定時間が該第１の時定数によって該
半導体レーザ（１１）が所定光量に到達する時間よりも
長い時間として設定されていることを特徴とする、請求
項３記載の半導体レーザ制御方法。 - 【請求項５】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第１の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第１帰還制御手段（１３）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第２の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第２帰還制御手段（１４）と、 該半導体レーザ（１１）のオン／オフを制御するオン／
オフ制御手段（１６）と、 該オン／オフ制御手段（１６）によって該半導体レーザ
（１１）がオフ状態からオン状態への移行後、所定時間
が経過するまでは該第１帰還制御手段（１３）による制
御モードを選択する一方、該半導体レーザ（１１）がオ
フ状態からオン状態への移行後、該所定時間が経過する
と該第２帰還制御手段（１４）による制御モードを選択
する制御モード選択手段（１５Ｂ）とをそなえて構成さ
れたことを特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項６】 該所定時間が該第１の時定数によって該
半導体レーザ（１１）が所定光量に到達する時間よりも
長い時間として設定されていることを特徴とする、請求
項４記載の半導体レーザ制御装置。 - 【請求項７】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で該
半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レー
ザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）の駆動電流が所定駆動電流以下
のときは第１の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量
を帰還制御する一方、該半導体レーザ（１１）の駆動電
流が該所定駆動電流よりも大きいときは第２の時定数で
該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御することを特
徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項８】 電流によって光量制御が可能な半導体レ
ーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該半導体レーザ（１１）の駆動電流を測定する駆動電流
測定手段（１７）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第１の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第１帰還制御手段（１３）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第２の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第２帰還制御手段（１４）と、 該駆動電流測定手段（１７）の測定結果に基づき、所定
駆動電流以下のときは該第１帰還制御手段（１３）によ
る制御モードを選択する一方、該所定駆動電流よりも大
きいときは該第２帰還制御手段（１４）による制御モー
ドを選択する制御モード選択手段（１５Ｃ）とをそなえ
て構成されたことを特徴とする、半導体レーザ制御装
置。 - 【請求項９】 該第２の時定数が該第１の時定数よりも
長くなるように設定されていることを特徴とする、請求
項１，３，７のいずれかに記載の半導体レーザ制御方
法。 - 【請求項１０】 該第２の時定数が該第１の時定数より
も長くなるように設定されていることを特徴とする、請
求項２，５，８のいずれかに記載の半導体レーザ制御装
置。 - 【請求項１１】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で
該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レ
ーザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）の駆動電流が所定駆動電流以下
のときは第１の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量
を帰還制御し、該半導体レーザ（１１）の駆動電流が該
所定駆動電流よりも大きいときは第２の時定数で該半導
体レーザ（１１）の光量を帰還制御し、該半導体レーザ
（１１）の光量が所定光量よりも大きいときは第３の時
定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御するこ
とを特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項１２】 該第３の時定数が該第２の時定数より
も長く、且つ、該第２の時定数が該第１の時定数よりも
長くなるように設定されていることを特徴とする、請求
項１１記載の半導体レーザ制御方法。 - 【請求項１３】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該半導体レーザ（１１）の駆動電流を測定する駆動電流
測定手段（１７）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第１の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第１帰還制御手段（１３）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第２の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第２帰還制御手段（１４）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
第３の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する第３帰還制御手段（１８）と、 該駆動電流測定手段（１７）および該光量モニタ手段
（１２）の測定結果に基づき、所定駆動電流以下のとき
は該第１帰還制御手段（１３）による制御モードを選択
し、該所定駆動電流よりも大きいときは該第２帰還制御
手段（１４）による制御モードを選択し、所定光量より
も大きいときは該第３帰還制御手段（１８）による制御
モードを選択する制御モード選択手段（１５Ｄ）とをそ
なえて構成されたことを特徴とする、半導体レーザ制御
装置。 - 【請求項１４】 該第３の時定数が該第２の時定数より
も長く、且つ、該第２の時定数が該第１の時定数よりも
長くなるように設定されていることを特徴とする、請求
項１３記載の半導体レーザ制御装置。 - 【請求項１５】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で
該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レ
ーザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）の光量が所定光量よりも大きく
なると、光量モニタ信号をローパスフィルタ（１９）を
通して帰還制御手段（２１）へ入力することを特徴とす
る、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項１６】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
所要の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する帰還制御手段（２１）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ信号の低周波数
成分を通過させるローパスフィルタ（１９）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
所定光量よりも大きくなると、該光量モニタ手段（１
２）からのモニタ信号を該ローパスフィルタ（１９）を
介して該帰還制御手段（２１）へ入力する選択手段（１
５Ｅ）とをそなえて構成されたことを特徴とする、半導
体レーザ制御装置。 - 【請求項１７】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で
該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レ
ーザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）の光量が所定光量よりも大きく
なってから所定時間経過後に、光量モニタ信号をローパ
スフィルタ（１９）を通して帰還制御手段（２１）へ入
力することを特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項１８】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
所要の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する帰還制御手段（２１）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ信号の低周波数
成分を通過させるローパスフィルタ（１９）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
所定光量よりも大きくなってから所定時間経過後に、該
光量モニタ手段（１２）からのモニタ信号を該ローパス
フィルタ（１９）を介して該帰還制御手段（２１）へ入
力する選択手段（１５Ｆ）とをそなえて構成されたこと
を特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項１９】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）の光量をモニタしながら所要の時定数で
該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制御する半導体レ
ーザ制御方法において、 該半導体レーザ（１１）がオフ状態からオン状態への移
行後、所定時間が経過すると、光量モニタ信号をローパ
スフィルタ（１９）を通して帰還制御手段（２１）へ入
力することを特徴とする、半導体レーザ制御方法。 - 【請求項２０】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量をモニタする光量モニタ
手段（１２）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ結果に基づき、
所要の時定数で該半導体レーザ（１１）の光量を帰還制
御する帰還制御手段（２１）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ信号の低周波数
成分を通過させるローパスフィルタ（１９）と、 該半導体レーザ（１１）のオン／オフを制御するオン／
オフ制御手段（１６）と、 該オン／オフ制御手段（１６）によって該半導体レーザ
（１１）がオフ状態からオン状態への移行後、所定時間
が経過すると、該光量モニタ手段（１２）からのモニタ
信号を該ローパスフィルタを介して該帰還制御手段（２
１）へ入力する選択手段（１５Ｇ）とをそなえて構成さ
れたことを特徴とする、半導体レーザ制御装置。 - 【請求項２１】 電流によって光量制御が可能な半導体
レーザ（１１）と、 該半導体レーザ（１１）の光量を電流値としてモニタす
る光量モニタ手段（１２）と、 該光量モニタ手段（１２）からのモニタ電流を電圧値に
変換する電流／電圧変換手段（２２）と、 該電流／電圧変換手段（２２）で変換されたモニタ電圧
を分圧すべく、直列接続された２つの抵抗を有するモニ
タ電圧分圧手段（２３）と、 該モニタ電圧分圧手段（２３）からのモニタ分圧信号と
基準電圧とが等しくなるように該半導体レーザ（１１）
の光量を帰還制御する帰還制御手段（１５Ｈ）とをそな
え、 該モニタ電圧分圧手段（２３）における一方の抵抗に該
抵抗をショートし分圧比を変更しうるスイッチ（２４）
が設けられていることを特徴とする、半導体レーザ制御
装置。 - 【請求項２２】 該モニタ電圧分圧手段（２３）が直列
接続された可変抵抗（２５）と固定抵抗（２６）とで構
成されるとともに、該固定抵抗（２６）に並列に該スイ
ッチ（２４）が設けられ、 且つ、該可変抵抗（２５）が所定位置にセットされてい
る時に、該スイッチ（２４）により該固定抵抗（２６）
をショートしても、該半導体レーザ（１１）が過発光し
ないような値に、該固定抵抗（２６）の抵抗値が設定さ
れていることを特徴とする請求項２１記載の半導体レー
ザ制御装置。 - 【請求項２３】 該一方の抵抗（２６）が分圧比を連続
的に変更するための可変抵抗として構成されたことを特
徴とする請求項２２記載の半導体レーザ制御装置。 - 【請求項２４】 該半導体レーザ（１１）に、熱的には
接触したものと等価な厚みをもつ非導電材製の中間部材
（２７）を介して、該半導体レーザ（１１）の放熱を行
なう導電材製の放熱部材（２８）が取り付けられたこと
を特徴とする請求項１〜２３のいずれかに記載の半導体
レーザ制御装置。 - 【請求項２５】 該放熱部材（２８）が接地されている
ことを特徴とする請求項２４記載の半導体レーザ制御装
置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP06073293A JP3184359B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置 |
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