JP3177026B2 - セラミックスヒーター及びその製造方法 - Google Patents
セラミックスヒーター及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基体中に
抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーター及びそ
の製造方法に関し、例えば半導体加熱用として好適に使
用できるセラミックスヒーター及びその製造方法に関す
るものである。
抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーター及びそ
の製造方法に関し、例えば半導体加熱用として好適に使
用できるセラミックスヒーター及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造装置における熱源とし
ては、いわゆるステンレスヒーターや間接加熱方式のも
のが一般的であった。しかし、これらの熱源を用いる
と、ハロゲン系腐蝕性ガスの作用によってパーティクル
が発生したり、熱効率が悪いといった問題があった。こ
うした問題を解決するため、本発明者らは、緻密質セラ
ミックスからなる円盤状基体の内部に、高融点金属から
なるワイヤーを埋設したセラミックスヒーターを提案し
た。
ては、いわゆるステンレスヒーターや間接加熱方式のも
のが一般的であった。しかし、これらの熱源を用いる
と、ハロゲン系腐蝕性ガスの作用によってパーティクル
が発生したり、熱効率が悪いといった問題があった。こ
うした問題を解決するため、本発明者らは、緻密質セラ
ミックスからなる円盤状基体の内部に、高融点金属から
なるワイヤーを埋設したセラミックスヒーターを提案し
た。
【０００３】上述したセラミックスヒーターを製造する
ためには、まず高融点金属からなるワイヤーを螺旋状に
巻回させ、ワイヤーの両端に端子（電極）を接着し、ア
ニールする。一方、プレス成形機内にセラミックス粉体
をセットし、ある程度の硬さになるまで予備成形し、こ
の際、予備成形体の表面に凹部を設ける。そして、ワイ
ヤーをこの凹部に収容し、その上にさらにセラミックス
粉体を充填する。そして、セラミックス粉体を加圧成形
して円盤状成形体を作製し、円盤状成形体をホットプレ
ス焼結させる。
ためには、まず高融点金属からなるワイヤーを螺旋状に
巻回させ、ワイヤーの両端に端子（電極）を接着し、ア
ニールする。一方、プレス成形機内にセラミックス粉体
をセットし、ある程度の硬さになるまで予備成形し、こ
の際、予備成形体の表面に凹部を設ける。そして、ワイ
ヤーをこの凹部に収容し、その上にさらにセラミックス
粉体を充填する。そして、セラミックス粉体を加圧成形
して円盤状成形体を作製し、円盤状成形体をホットプレ
ス焼結させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のセラミックスヒーターの製造方法では、抵抗発
熱体をアニール装置から予備成形装置へと運ぶ際、抵抗
発熱体の形状を崩さずに運ぶことは極めて難しく、どう
しても型崩れしてしまうことが多い。また、予備成形体
の凹部へ抵抗発熱体をセットした後、その上にセラミッ
クス粉体を充填し、加圧成形するのだが、この際にも粉
体の流動から、抵抗発熱体が型崩れし易い。さらに、ホ
ットプレス時に大きな圧力が円盤状基体の厚さ方向にか
かるので、たとえ成形時点で型崩れがなくとも、ホット
プレス時に抵抗発熱体が位置ずれすることがある。これ
らの現象が生ずると、いずれの場合も、ヒーター発熱面
の温度むらが生じるし、ヒーター特性が一定しない問題
があった。
た従来のセラミックスヒーターの製造方法では、抵抗発
熱体をアニール装置から予備成形装置へと運ぶ際、抵抗
発熱体の形状を崩さずに運ぶことは極めて難しく、どう
しても型崩れしてしまうことが多い。また、予備成形体
の凹部へ抵抗発熱体をセットした後、その上にセラミッ
クス粉体を充填し、加圧成形するのだが、この際にも粉
体の流動から、抵抗発熱体が型崩れし易い。さらに、ホ
ットプレス時に大きな圧力が円盤状基体の厚さ方向にか
かるので、たとえ成形時点で型崩れがなくとも、ホット
プレス時に抵抗発熱体が位置ずれすることがある。これ
らの現象が生ずると、いずれの場合も、ヒーター発熱面
の温度むらが生じるし、ヒーター特性が一定しない問題
があった。
【０００５】また、抵抗発熱体であるワイヤーは、加圧
成形時やホットプレス時にかかるせん断力によって、端
子近傍で破線し易い。これを防止するためには、円盤状
成形体の厚さをある程度厚くして、端子がせん断力に対
して多少動ける自由度を与える必要がある。また、抵抗
発熱体であるワイヤー自体から旋状に巻回させてあり、
３次元構造をとっているため、ある程度の厚みが必要で
ある。こうした制限から、ヒーターの肉厚を小さくして
その熱容量を下げ、また発熱量を大きくすることができ
ず、表面温度変化に対する応答が遅く、また昇温速度が
遅いため、この点で半導体の生産性を上げることができ
ない問題もあった。
成形時やホットプレス時にかかるせん断力によって、端
子近傍で破線し易い。これを防止するためには、円盤状
成形体の厚さをある程度厚くして、端子がせん断力に対
して多少動ける自由度を与える必要がある。また、抵抗
発熱体であるワイヤー自体から旋状に巻回させてあり、
３次元構造をとっているため、ある程度の厚みが必要で
ある。こうした制限から、ヒーターの肉厚を小さくして
その熱容量を下げ、また発熱量を大きくすることができ
ず、表面温度変化に対する応答が遅く、また昇温速度が
遅いため、この点で半導体の生産性を上げることができ
ない問題もあった。
【０００６】さらに、上述した従来のセラミックスヒー
ターの製造方法では、ホットプレスを実施する必要があ
り、焼結温度がSi3N4 、AlN 等では１８００〜１９００
℃と非常に高温のため、セラミックス成形体中に埋設さ
れた抵抗発熱体が、焼成時に雰囲気（Ｃ等）やセラミッ
クス粉体と反応し、断線や抵抗上昇などの劣化が認めら
れ、やはりヒーター特性が安定しない問題もあった。
ターの製造方法では、ホットプレスを実施する必要があ
り、焼結温度がSi3N4 、AlN 等では１８００〜１９００
℃と非常に高温のため、セラミックス成形体中に埋設さ
れた抵抗発熱体が、焼成時に雰囲気（Ｃ等）やセラミッ
クス粉体と反応し、断線や抵抗上昇などの劣化が認めら
れ、やはりヒーター特性が安定しない問題もあった。
【０００７】本発明の目的は上述した課題を解消し、作
製時の抵抗発熱体の劣化がなく、均熱性と品質の安定性
とを確保できるセラミックスヒーター及びその製造方法
を提供しようとするものである。
製時の抵抗発熱体の劣化がなく、均熱性と品質の安定性
とを確保できるセラミックスヒーター及びその製造方法
を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造用セ
ラミックスヒーターは、窒化アルミニウムまたは窒化珪
素からなる上下基板と、これら上下基板の間に設けたオ
キシナイトライトガラス（ＹＳｉＡｌＯＮ）からなるガ
ラス層と、このガラス層中に埋設したシート状抵抗発熱
体とからなることを特徴とするものである。
ラミックスヒーターは、窒化アルミニウムまたは窒化珪
素からなる上下基板と、これら上下基板の間に設けたオ
キシナイトライトガラス（ＹＳｉＡｌＯＮ）からなるガ
ラス層と、このガラス層中に埋設したシート状抵抗発熱
体とからなることを特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の半導体製造用セラミックス
ヒーターの製造方法は、焼結した窒化アルミニウムまた
は窒化珪素からなる上下基板の間に、オキシナイトライ
トガラス（ＹＳｉＡｌＯＮ）からなる接合用のガラスを
介してシート状抵抗発熱体をはさみ、必要に応じて上記
構造を多層化し、前記セラミックスの焼結温度より低温
で前記ガラスを溶融してガラス封着したことを特徴とす
るものである。
ヒーターの製造方法は、焼結した窒化アルミニウムまた
は窒化珪素からなる上下基板の間に、オキシナイトライ
トガラス（ＹＳｉＡｌＯＮ）からなる接合用のガラスを
介してシート状抵抗発熱体をはさみ、必要に応じて上記
構造を多層化し、前記セラミックスの焼結温度より低温
で前記ガラスを溶融してガラス封着したことを特徴とす
るものである。
【００１０】
【作用】上述した構成において、シート状抵抗発熱体の
一体化をガラス接合により実施しているため、一体化の
ために従来のホットプレス時のような高温を必要とせ
ず、焼成温度により低温で行うことができるため、シー
ト状抵抗発熱体がほとんど劣化せず、その結果高寿命で
安定性に優れるセラミックスヒーターを得ることができ
る。また、ガラスの組成を選定することにより、セラミ
ックス基板とシート状抵抗発熱体との間に多少の熱膨張
差があっても、加熱時に生じる応力を緩和可能である。
さらに、抵抗発熱体がシート状であり、すでに焼成収縮
の完了した緻密質セラミックスを用いるため、一体化す
る際抵抗発熱体の変形や位置ずれをほとんどなくすこと
ができ、セラミックスヒーターの均熱性が向上し、製品
の品質が安定する。しかも、抵抗発熱体がシート状であ
るため、抵抗発熱体を薄くすることができ、温度の上
昇、下降についての応答を速くすることができる。
一体化をガラス接合により実施しているため、一体化の
ために従来のホットプレス時のような高温を必要とせ
ず、焼成温度により低温で行うことができるため、シー
ト状抵抗発熱体がほとんど劣化せず、その結果高寿命で
安定性に優れるセラミックスヒーターを得ることができ
る。また、ガラスの組成を選定することにより、セラミ
ックス基板とシート状抵抗発熱体との間に多少の熱膨張
差があっても、加熱時に生じる応力を緩和可能である。
さらに、抵抗発熱体がシート状であり、すでに焼成収縮
の完了した緻密質セラミックスを用いるため、一体化す
る際抵抗発熱体の変形や位置ずれをほとんどなくすこと
ができ、セラミックスヒーターの均熱性が向上し、製品
の品質が安定する。しかも、抵抗発熱体がシート状であ
るため、抵抗発熱体を薄くすることができ、温度の上
昇、下降についての応答を速くすることができる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明のセラミックスヒーターの一例
の構成を示す図であり、図１（ａ）は平面図を、図１
（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面図を
示している。図１に示す実施例において、１は焼結した
緻密質セラミックスからなる上基板、２は上基板１と同
一の材質からなる下基板、３は接合用のガラス層、４は
シート状の抵抗発熱体、５−１、５−２はシート状の抵
抗発熱体４の両端部に設けた電極部、６−１、６−２は
シート状抵抗発熱体４に電力を供給するための取り出し
電極である。
の構成を示す図であり、図１（ａ）は平面図を、図１
（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面図を
示している。図１に示す実施例において、１は焼結した
緻密質セラミックスからなる上基板、２は上基板１と同
一の材質からなる下基板、３は接合用のガラス層、４は
シート状の抵抗発熱体、５−１、５−２はシート状の抵
抗発熱体４の両端部に設けた電極部、６−１、６−２は
シート状抵抗発熱体４に電力を供給するための取り出し
電極である。
【００１２】上述した各構成部材のうち、上基板１およ
び下基板２としては、Si3N4 、AlN、SiAlON等の材料を
使用すると好ましい。シート状の抵抗発熱体４として
は、Mo、W 、Pt等の高融点金属やSiC 、WC等のセラミッ
クスを使用する。高融点金属を使用する場合、例えば厚
さ２５μm 程度の箔をブラスト抜きによりパターニング
したものを使用すると好ましい。また、別の方法とし
て、Mo、W 、Pt、SiC 、WC等の粉末を有機バインダーと
混練してペースト状にしたものを、スクリーン印刷によ
り、基板１に印刷する方法もある。これらは、脱脂後の
ガラス接合時に粒子同士が焼結して、シート状になる。
接合用のガラス層３としては、例えばY2O3：30wt% 、Al
2O3 ：30wt% 、SiO2：30wt% 、Si3N4 ：10wt% からなる
オキシナイトライトガラス（YSiAlON ）を使用すること
が好ましい。
び下基板２としては、Si3N4 、AlN、SiAlON等の材料を
使用すると好ましい。シート状の抵抗発熱体４として
は、Mo、W 、Pt等の高融点金属やSiC 、WC等のセラミッ
クスを使用する。高融点金属を使用する場合、例えば厚
さ２５μm 程度の箔をブラスト抜きによりパターニング
したものを使用すると好ましい。また、別の方法とし
て、Mo、W 、Pt、SiC 、WC等の粉末を有機バインダーと
混練してペースト状にしたものを、スクリーン印刷によ
り、基板１に印刷する方法もある。これらは、脱脂後の
ガラス接合時に粒子同士が焼結して、シート状になる。
接合用のガラス層３としては、例えばY2O3：30wt% 、Al
2O3 ：30wt% 、SiO2：30wt% 、Si3N4 ：10wt% からなる
オキシナイトライトガラス（YSiAlON ）を使用すること
が好ましい。
【００１３】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明のセラミック
スヒーターの製造方法の一例を工程順に示す図である。
図２に示す実施例において、図１に示す部材と同一の部
材には同一の符号を付し、その説明を省略する。まず、
図２（ａ）に示すように、従来から公知の方法に従っ
て、例えば窒化珪素焼結体からなる上基板１と、電極６
−１、６−２を設置するための電極穴７−１、７−２を
有する上基板１と同一材質の焼結体からなる下基板２と
を準備する。同時に、例えば厚さ２５μm のタングステ
ン箔をパターニングして得たシート状の抵抗発熱体４を
準備する。
スヒーターの製造方法の一例を工程順に示す図である。
図２に示す実施例において、図１に示す部材と同一の部
材には同一の符号を付し、その説明を省略する。まず、
図２（ａ）に示すように、従来から公知の方法に従っ
て、例えば窒化珪素焼結体からなる上基板１と、電極６
−１、６−２を設置するための電極穴７−１、７−２を
有する上基板１と同一材質の焼結体からなる下基板２と
を準備する。同時に、例えば厚さ２５μm のタングステ
ン箔をパターニングして得たシート状の抵抗発熱体４を
準備する。
【００１４】次に、図２（ｂ）に示すように、上基板１
と下基板２との間に、例えばオキシナイトライドガラス
からなるガラス層３を介して、準備したシート状の抵抗
発熱体４をその電極部５−１、５−２と電極穴７−１、
７−２とを位置決めした状態で重ね合わせする。この状
態で例えば５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプレスして接合体
を作製し、これを例えば１５５０℃の温度で加熱してガ
ラス層３を溶融して、ガラス接合を行う。その後、図２
（ｃ）に示すように、例えばNiからなる電極６−１、６
−２を電極穴７−１、７−２にロウ付けする。ロウ付け
は、１０-5torrの真空中で、Ti、Zr等を含有する活性Ag
ロウの場合は７９０℃で１０分間、活性Auロウの場合は
１０５０℃で１０分間の条件で実施すると好ましい。以
上で、最終製品としてのセラミックスヒーターを得るこ
とができる。
と下基板２との間に、例えばオキシナイトライドガラス
からなるガラス層３を介して、準備したシート状の抵抗
発熱体４をその電極部５−１、５−２と電極穴７−１、
７−２とを位置決めした状態で重ね合わせする。この状
態で例えば５０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力でプレスして接合体
を作製し、これを例えば１５５０℃の温度で加熱してガ
ラス層３を溶融して、ガラス接合を行う。その後、図２
（ｃ）に示すように、例えばNiからなる電極６−１、６
−２を電極穴７−１、７−２にロウ付けする。ロウ付け
は、１０-5torrの真空中で、Ti、Zr等を含有する活性Ag
ロウの場合は７９０℃で１０分間、活性Auロウの場合は
１０５０℃で１０分間の条件で実施すると好ましい。以
上で、最終製品としてのセラミックスヒーターを得るこ
とができる。
【００１５】図３（ａ）〜（ｂ）は本発明のセラミック
スヒーターの製造方法の他の例を工程順に示す図であ
る。図３に示す実施例において図２に示す実施例と異な
る点は、電極の付与方法が異なる点である。すなわち、
図３に示す実施例では、まず図３（ａ）に示すように、
下基板２を焼成して準備する際、電極穴７−１、７ー２
内に予め例えばタングステンからなる電極６−１、６ー
２を埋め込んだものを準備する。次に、ガラス層３を介
してシート状の抵抗発熱体４を重ね合わせる際に、図２
（ｂ）に示す実施例と同様にガラス溶融のための加熱を
する際に、タングステン粉末層８−１、８−２をタング
ステンからなる電極６−１、６−２とシート状の抵抗発
熱体４とに拡散接合させて、電極６−１、６−２と電極
部５−１、５−２とを電気的に接合している。なお、拡
散接合時の電極の材質は、基板が窒化珪素の場合はタン
グステンが好ましく、基板が窒化アルミニウムの場合は
モリブデンが好ましい。
スヒーターの製造方法の他の例を工程順に示す図であ
る。図３に示す実施例において図２に示す実施例と異な
る点は、電極の付与方法が異なる点である。すなわち、
図３に示す実施例では、まず図３（ａ）に示すように、
下基板２を焼成して準備する際、電極穴７−１、７ー２
内に予め例えばタングステンからなる電極６−１、６ー
２を埋め込んだものを準備する。次に、ガラス層３を介
してシート状の抵抗発熱体４を重ね合わせる際に、図２
（ｂ）に示す実施例と同様にガラス溶融のための加熱を
する際に、タングステン粉末層８−１、８−２をタング
ステンからなる電極６−１、６−２とシート状の抵抗発
熱体４とに拡散接合させて、電極６−１、６−２と電極
部５−１、５−２とを電気的に接合している。なお、拡
散接合時の電極の材質は、基板が窒化珪素の場合はタン
グステンが好ましく、基板が窒化アルミニウムの場合は
モリブデンが好ましい。
【００１６】図４は上述した構造のセラミックスヒータ
ーを多層化した場合の一例の構成を示す図である。図４
においても、図１と同一の部材には同一の符号を付し、
その説明を省略する。図４に示した例では、抵抗発熱体
４が３層となっているが、層数に特に制限はない。ま
た、多層化した場合、中間層の基板は、下側のガラス層
３に対しては上基板１として、上側のガラス層３に対し
ては下基板２として作用する。また、図４に示す例で
は、縦方向にセラミックスヒーターが並んだ並列接続と
なっているが、狭時する抵抗発熱体４の形状を変えて直
列接続すること、さらには直並列混在構造とすることも
可能である。多層化のメリットは、単位面積あたりの発
熱量を増すことができることにある。
ーを多層化した場合の一例の構成を示す図である。図４
においても、図１と同一の部材には同一の符号を付し、
その説明を省略する。図４に示した例では、抵抗発熱体
４が３層となっているが、層数に特に制限はない。ま
た、多層化した場合、中間層の基板は、下側のガラス層
３に対しては上基板１として、上側のガラス層３に対し
ては下基板２として作用する。また、図４に示す例で
は、縦方向にセラミックスヒーターが並んだ並列接続と
なっているが、狭時する抵抗発熱体４の形状を変えて直
列接続すること、さらには直並列混在構造とすることも
可能である。多層化のメリットは、単位面積あたりの発
熱量を増すことができることにある。
【００１７】実際の抵抗発熱体の熱による劣化状態を調
べるため、従来法に従って窒化珪素からなる成形体中に
コイル状のタングステン抵抗体を埋め込んで、これをカ
ーボン炉中で窒素雰囲気下１８００℃で焼成した一体焼
成品と、本発明に従って１５５０℃でシート状のタング
ステン抵抗体を窒化珪素からなる焼結体間にガラス接合
した本発明のガラス接合品とを準備し、それぞれの抵抗
体を取り出して断面を観察した。図５（ａ）に従来例の
抵抗体の断面を、図５（ｂ）に本発明例の抵抗体の断面
をそれぞれ示す。
べるため、従来法に従って窒化珪素からなる成形体中に
コイル状のタングステン抵抗体を埋め込んで、これをカ
ーボン炉中で窒素雰囲気下１８００℃で焼成した一体焼
成品と、本発明に従って１５５０℃でシート状のタング
ステン抵抗体を窒化珪素からなる焼結体間にガラス接合
した本発明のガラス接合品とを準備し、それぞれの抵抗
体を取り出して断面を観察した。図５（ａ）に従来例の
抵抗体の断面を、図５（ｂ）に本発明例の抵抗体の断面
をそれぞれ示す。
【００１８】これらを比較すると、従来例では、図５
（ａ）に示すように、線状のタングステンの周囲に５０
〜１００μm 程度のＷＣｙからなる炭化物層が形成さ
れ、その上にＷＳｉｘからなるシリサイド層が２０〜３
０μm 生成されているのがわかり、このシリサイド層が
クラックが多く脆い層であるため、ヒーター劣化の原因
となることがわかる。これに対し、本発明例では、図５
（ｂ）に示すように、シート状のタングステンの周囲に
１０μm 以下のＷＣｙからなる炭化物層は認められるも
のの、ＷＳｉｘからなるシリサイド層は存在せず、抵抗
劣化の原因となるクラックはほとんど認められないこと
がわかる。
（ａ）に示すように、線状のタングステンの周囲に５０
〜１００μm 程度のＷＣｙからなる炭化物層が形成さ
れ、その上にＷＳｉｘからなるシリサイド層が２０〜３
０μm 生成されているのがわかり、このシリサイド層が
クラックが多く脆い層であるため、ヒーター劣化の原因
となることがわかる。これに対し、本発明例では、図５
（ｂ）に示すように、シート状のタングステンの周囲に
１０μm 以下のＷＣｙからなる炭化物層は認められるも
のの、ＷＳｉｘからなるシリサイド層は存在せず、抵抗
劣化の原因となるクラックはほとんど認められないこと
がわかる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、シート状抵抗発熱体の一体化をガラス接合に
より実施しているため、シート状抵抗発熱体を高温にさ
らすことがないため、シート状抵抗発熱体がほとんど劣
化せず、その結果高寿命で安定性に優れるセラミックス
ヒーターを得ることができる。また、抵抗発熱体がシー
ト状であり、すでに焼成収縮を完了した緻密質セラミッ
クスを用いるため、一体化する際抵抗発熱体の変形や位
置ずれをほとんどなくすことができ、セラミックスヒー
ターの均熱性が向上し、製品の品質が安定する。
によれば、シート状抵抗発熱体の一体化をガラス接合に
より実施しているため、シート状抵抗発熱体を高温にさ
らすことがないため、シート状抵抗発熱体がほとんど劣
化せず、その結果高寿命で安定性に優れるセラミックス
ヒーターを得ることができる。また、抵抗発熱体がシー
ト状であり、すでに焼成収縮を完了した緻密質セラミッ
クスを用いるため、一体化する際抵抗発熱体の変形や位
置ずれをほとんどなくすことができ、セラミックスヒー
ターの均熱性が向上し、製品の品質が安定する。
【図１】本発明のセラミックスヒーターの一例の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明のセラミックスヒーターの製造方法の一
例を工程順に示す図である。
例を工程順に示す図である。
【図３】本発明のセラミックスヒーターの製造方法の他
の例を工程順に示す図である。
の例を工程順に示す図である。
【図４】本発明のセラミックスヒーターを多層化した例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図５】抵抗発熱体の熱による劣化状態を示す図であ
る。
る。
１ 上基板 ２ 下基板 ３ ガラス層 ４ 抵抗発熱体 ５−１、５−２ 電極部 ６−１、６−２ 電極 ７−１、７−２ 電極穴 ８−１、８−２ タングステン粉末層
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 3/14 H05B 3/20
Claims (3)
- 【請求項１】窒化アルミニウムまたは窒化珪素からなる
上下基板と、これら上下基板の間に設けたオキシナイト
ライトガラス（ＹＳｉＡｌＯＮ）からなるガラス層と、
このガラス層中に埋設したシート状抵抗発熱体とからな
ることを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒー
ター。 - 【請求項２】請求項１記載の構造のセラミックスヒータ
ーを多層化して、シート状抵抗発熱体を多層に設けたこ
とを特徴とする半導体製造装置用セラミックスヒータ
ー。 - 【請求項３】焼結した窒化アルミニウムまたは窒化珪素
からなる上下基板の間に、オキシナイトライトガラス
（ＹＳｉＡｌＯＮ）からなる接合用のガラスを介してシ
ート状抵抗発熱体をはさみ、必要に応じて上記構造を多
層化し、前記セラミックスの焼結温度より低温で前記ガ
ラスを溶融してガラス封着したことを特徴とする半導体
製造装置用セラミックスヒーターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30235792A JP3177026B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | セラミックスヒーター及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30235792A JP3177026B2 (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | セラミックスヒーター及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151044A JPH06151044A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3177026B2 true JP3177026B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=17907937
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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