JP3172454U - 発光ダイオードパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サセプタ21と、該サセプタ内に設置される発光ダイオードチップ22と、パッケージゲル体23とを備える。該パッケージゲル体は、透明状を呈すると共に、該発光ダイオードチップを覆う第1光学ゲル材231と、該第1光学ゲル材の片側に設けられ、第2蛍光粉をドーピングされている少なくとも1つ以上の第2光学ゲル材232とを備えるように構成される。
【選択図】図2
Description
図2は、本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第1実施例を模式的に示す図である。本実施例では、発光ダイオードパッケージ構造2は、サセプタ21と、発光ダイオードチップ22と、パッケージゲル体23とを備える。
図4に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第2実施例を模式的に示す図を参照しつつ説明する。この図において、発光ダイオードパッケージ構造3は、サセプタ31と、発光ダイオードチップ32と、パッケージゲル体33とを備えるように構成されている。パッケージゲル体33は、第1光学ゲル材331と、第2光学ゲル材332とを備えるように構成される。該第2光学ゲル材332には、第2蛍光粉3321をドーピングしている。本実施例において、該サセプタ31、該発光ダイオードチップ32及び該第2光学ゲル材332の構造と機能については、上記第1実施例におけるものと同様であり、ここでの説明を省略する。本実施例と第1実施例との相違点は、輝度を高めるために、該第1光学ゲル材331内に、さらに第1蛍光粉3311をドーピングしている点である。また、蛍光粉が熱を受けて光衰になるのを防ぐために、該第1蛍光粉3311の平均ドーピング濃度は第2蛍光粉3321より低いように設定されている。その他、該第1蛍光粉3311の濃度分布は、該第1光学ゲル材331にドーピングした箇所から該発光ダイオードチップ32方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈している。さらに、該第1光学ゲル材331の厚さは、設計の要求に応じて変化することができる。厚さが厚いほど、輝度減少率が増加してゆく。該第1光学ゲル材331の厚さが0.3ミリメートル以下である場合、該発光ダイオードパッケージ構造3の輝度が約3%減少する。そして、該第1光学ゲル材331の厚さが0.5ミリメートルである場合、該発光ダイオードパッケージ構造3の輝度が約7〜10%減少する。
図5に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第3実施例を模式的に示す図を参照しつつ説明する。この図において、発光ダイオードパッケージ構造4は、サセプタ41と、発光ダイオードチップ42と、パッケージゲル体43とを備えるように構成されている。パッケージゲル体43は、第1光学ゲル材431を備えるように構成される。本実施例において、該サセプタ41、該発光ダイオードチップ42及び該第1光学ゲル材431の構造と機能については、上記第1実施例におけるものと同様であり、ここでの説明を省略する。本実施例と第1実施例との相違点は、パッケージゲル体43は、さらに複数の第2光学ゲル材432を備える点である。該複数の第2光学ゲル材432のいずれかにドーピングした該第2蛍光粉4321の濃度分布は、該第2光学ゲル材432の箇所からそれぞれ該発光ダイオードチップ42方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することによって、該パッケージゲル体43全体の外表面側から前記発光ダイオードチップ42方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の循環変化をそれぞれに呈するようにさせる。これにより、パッケージゲル体43内に蛍光粉が一層均一分布させることによって、出光時の色温度分布をさらに均一させることができる。
11:青色発光ダイオード
12:反射コップ
13: 蛍光粉
14:光学ゲル層
2:発光ダイオードパッケージ構造
21:サセプタ
22:発光ダイオードチップ
23:パッケージゲル体
231:第1光学ゲル材
232:第2光学ゲル材
2321: 第2蛍光粉
3:発光ダイオードパッケージ構造
31: サセプタ
32:発光ダイオードチップ
33:パッケージゲル体
331:第1光学ゲル材
3311:第1蛍光粉
332:第2光学ゲル材
3321:第2蛍光粉
4:発光ダイオードパッケージ構造
41:サセプタ
42:発光ダイオードチップ
43:パッケージゲル体
431:第1光学ゲル材
432:第2光学ゲル材
4321:第2蛍光粉
51 :従来技術の発光ダイオードパッケージ構造において、照度と時間との分布曲線
52 :本考案の発光ダイオードパッケージ構造において、照度と時間との分布曲線
Claims (12)
- サセプタと、前記サセプタ内に設置される発光ダイオードチップと、パッケージゲル体と、を備え、
前記パッケージゲル体は、前記発光ダイオードチップを覆う第1光学ゲル材と、前記第1光学ゲル材の片側に設けられ、第2蛍光粉をドーピングされている少なくとも1つ以上の第2光学ゲル材と、を備えることを特徴とする、発光ダイオードパッケージ構造。 - 前記第1光学ゲル材は、第1蛍光粉をドーピングされていると共に、前記第1蛍光粉のドーピング濃度は、前記第2蛍光粉のドーピング濃度より低いであることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1蛍光粉の濃度は、前記第1光学ゲル材にドーピングした箇所から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈すると共に、前記第2蛍光粉の濃度は、前記第2光学ゲル材にドーピングした箇所から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することを特徴とする、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記発光ダイオードパッケージ構造は、複数の第2光学ゲル材を有し、且つ前記複数の第2光学ゲル材のいずれかにドーピングした前記第2蛍光粉の濃度は、前記第2光学ゲル材の箇所からそれぞれ前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することによって、前記パッケージゲル体全体の外表面側から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の循環変化をそれぞれに呈するようにさせることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記発光ダイオードパッケージ構造を約1600時間で使用した後、前記発光ダイオードパッケージ構造の照度値は、未使用のものと比べ、約98%の照度値が残存することを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1光学ゲル材の厚さが0.3ミリメートル以下である時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が約3%減少することを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1光学ゲル材の厚さが0.5ミリメートルである時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が約7〜10%減少することを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記サセプタは、発光ダイオード反射コップであることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1蛍光粉及び前記第2蛍光粉は、イットリウム・アルミニウム柘榴石(YAG)蛍光粉(Y3Al5O12)及びその誘導体であることを特徴とする、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1蛍光粉及び前記第2蛍光粉は、テルビウム・アルミニウム柘榴石(TAG)蛍光粉(Tb3Al5O12)及びその誘導体であることを特徴とする、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1蛍光粉及び前記第2蛍光粉は、CASN蛍光粉(CaAlSiN3:EU)及びその誘導体であることを特徴とする、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第1蛍光粉及び前記第2蛍光粉は、ケイ酸塩蛍光粉(Silicate)及びその誘導体であることを特徴とする、請求項2に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
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Cited By (2)
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JP2016058614A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
Families Citing this family (10)
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---|---|---|---|---|
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CN103337584A (zh) * | 2013-06-06 | 2013-10-02 | 河北神通光电科技有限公司 | 一种白光led及其封装方法 |
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DE102015204057A1 (de) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | Osram Gmbh | Herstellen eines Beleuchtungsmoduls |
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DE102017117488A1 (de) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
CN109713112A (zh) * | 2017-10-26 | 2019-05-03 | 深圳市聚飞光电股份有限公司 | 白光led芯片、灯珠及白光led芯片、灯珠制备方法 |
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Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JP2001144331A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-05-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
US6791116B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-09-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
CN1684278A (zh) * | 2004-04-15 | 2005-10-19 | 联欣光电股份有限公司 | 一种发光二极管的封装结构及其封装方法 |
US20090236622A1 (en) * | 2005-06-20 | 2009-09-24 | Rohm Co., Ltd | White Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same |
US7504272B2 (en) * | 2006-11-06 | 2009-03-17 | Stanley Electric Co., Ltd. | Method for producing color-converting light-emitting device using electrophoresis |
US7781783B2 (en) * | 2007-02-07 | 2010-08-24 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | White light LED device |
CN101577297A (zh) * | 2008-05-09 | 2009-11-11 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 发光封装结构及其制造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014175362A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2016058614A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置、及び照明装置 |
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