JP3172454U - 発光ダイオードパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】使用寿命を長く伸ばすことができる発光ダイオードのパッケージ構造を提供する。
【解決手段】サセプタ２１と、該サセプタ内に設置される発光ダイオードチップ２２と、パッケージゲル体２３とを備える。該パッケージゲル体は、透明状を呈すると共に、該発光ダイオードチップを覆う第１光学ゲル材２３１と、該第１光学ゲル材の片側に設けられ、第２蛍光粉をドーピングされている少なくとも１つ以上の第２光学ゲル材２３２とを備えるように構成される。
【選択図】図２
【解決手段】サセプタ２１と、該サセプタ内に設置される発光ダイオードチップ２２と、パッケージゲル体２３とを備える。該パッケージゲル体は、透明状を呈すると共に、該発光ダイオードチップを覆う第１光学ゲル材２３１と、該第１光学ゲル材の片側に設けられ、第２蛍光粉をドーピングされている少なくとも１つ以上の第２光学ゲル材２３２とを備えるように構成される。
【選択図】図２
Description
本考案は、パッケージ構造に係り、特に、発光ダイオードパッケージ構造に関する。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ，ＬＥＤ）は、半導体などの固体材料を利用して作製しなる光源システムであり、真空状態や少量の特別な気体などを充填して動作する白熱灯やガス入り放電灯などの伝統的な光源とは異なっている。白色発光ダイオード光源は伝統的な光源に比して、より多く利点を有し、例えば低消費電力、小さい体積、速い応答速度、高効率や環境保全及び平面パッケージができるなどの有利点がある。そして、省エネルギーの観点から、使用可能な寿命が６０年にまで伸びて、伝統的な電球の１００倍であり、しかも消費エネルギーは伝統的な電球の１０％である。
高効率と高輝度な発光ダイオードが開発されて以来、現在の白色発光ダイオードの発光効率は既に６０〜８０ｌｍ／Ｗ以上に達しており、実験室内ではさらに１００ｌｍ／Ｗに達しており、今の発光効率が６０ｌｍ／Ｗの白熱電球と比べて、過ぎたることはあるが、及ばざることはない。発光ダイオードの開発が活発に推進して、絶え間なく研究開発に取り組んで、発光効率が１００ｌｍ／Ｗの白色発光ダイオード（ＬＥＤ）が大量商品化される場合には、現在、市販されている白熱電球と蛍光ランプを全面的に置換されて、次世代の照明光源の主流となっている。
普通の照明として、仮に発光ダイオードを使用して白色ＬＥＤを作製する場合、光色を組み合わせた技術を必要に応用すれば、白色光が得られる目的を達成することができる。今、種々の実行可能な光色を組み合わせた技術の中、蛍光材料を利用して光色の変化および混合を行うことが最も簡便でコストを低減させる方法である。そしてこのような、蛍光材料を応用して作製された白色ＬＥＤは、一般的にＰＣ−ｗｈｉｔｅ−ＬＥＤ（ｐｈｏｓｐｈｏｒ−ｃｏｎｖｅｒｔｅｄ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ）と呼ばれる。
ＬＥＤダイが作製してなった後、それをリードフレームに粘着させ、ダイアタッチ、固化、ワイヤーボンディング、樹脂封止、ベーキング、ダイシング、測定、包装などの製造プロセスを経て、ダイを種々の種類のＬＥＤ素子としてパッケージしてなる。
しかし、白色発光ダイオードの主要なパッケージ形式は、波長が４５０〜４６０ｎｍの青色発光ダイオードの表面に黄色蛍光材料（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｇａｒｎｅｔ，イットリウム・アルミニウム柘榴石，ＹＡＧ）を一層塗布したもので、このＹＡＧ蛍光材料が最も普通で、電源回路構造が最も簡単で必要なコストが最も低い蛍光材料である。ＹＡＧ蛍光材料が励起された時、５５０〜５６０ｎｍの波長域を有する黄色光を発光し、そして４５０〜４６０ｎｍの波長域を有する青色光を吸収して混合することによって、白色光を生成する。その発光スペクトル幅が相当に広いため、波長誤差に対する容許程度と対等に高めて、パッケージ業者が白色発光ダイオードを生成する時、生産良率を高めることから、コストを低減させることができる。
図１を参照して説明する。伝統的な白色発光ダイオード構造１は、青色発光ダイオード１１を反射コップ１２の底部に設置され、そしてＹＡＧ蛍光粉１３を光学ゲル材（例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂など）と混合して、光学ゲル層１４を形成する。図１に示すように、光学ゲル層１４が凝固成形した後、パッケージのプロセスをほぼ完成した。このような生産方式が速いが、蛍光粉１３を含んでいる光学ゲル層１４を青色発光ダイオード１１への混合する厚さを制御し難いし、且つ蛍光粉１３をゲルと混合して一定の時間が経ってから、沈殿効果が発生してしまい、上層の蛍光粉１３の濃度が薄く、下層の蛍光粉１３の濃度が高くなる状態を生成し、厚薄不均一が生じるだけでなく、出光時の色暈が不均一で、内が白で外が黄の黄色輪状の光暈が生じる。また、高効率のＬＥＤを使用する場合、下層の蛍光粉の濃度が比較的に高いし、またＬＥＤチップと相互にタッチしているため、高温高熱で蛍光粉が散熱不良を起こして光衰を速くさせることから、発光効率が低下し、かつ損耗率を増加させ、製品良率の低下につながる。
前述した課題を克服し解決するために、回転塗布、スパッタ塗布やコ字状塗布などのプロセス方法が提案されていたが、この方法には以下のような欠点が存在していた。
１：回転塗布のプロセス方法は、蛍光粉層の厚さが低減されるが、内薄外厚の現象を有し、かつ各蛍光粉層の間に影響があって、基材と分離することができない。
２：スパッタ塗布のプロセス方法は、蛍光粉層の均一分散効果が得られるが、標的にかかる費用が高くなってしまい、製造コストが依然として高いものであり、コスト競争がし難くなっている。
３：コ字状塗布のプロセス方法は、蛍光粉層の厚さを一致させることができるが、蛍光粉の沈殿状態が深刻な現象を抑制することができない。
本考案は、発光ダイオードパッケージ構造、特に、蛍光粉をドーピングした第２光学ゲル材を多層設置して発光ダイオードチップをパッケージすることによって、蛍光粉を発光ダイオードチップに近接しすぎないようにし、光衰を遅らせて、使用寿命を長く伸ばすことができる発光ダイオードパッケージ構造を提供することを主目的としている。
上記目的を達成するために、本考案の発光ダイオードパッケージ構造では、サセプタと、前記サセプタ内に設置される発光ダイオードチップと、パッケージゲル体と、を備える。前記パッケージゲル体は、前記発光ダイオードチップを覆う第１光学ゲル材と、前記第１光学ゲル材の片側に設けられ、第２蛍光粉をドーピングされている少なくとも１つ以上の第２光学ゲル材と、を備えるように構成される。
また、前記第１光学ゲル材は、第１蛍光粉をドーピングされていって、前記第１蛍光粉のドーピング濃度は、前記第２蛍光粉のドーピング濃度より低い。
また、前記第１蛍光粉の濃度は、前記第１光学ゲル材にドーピングした箇所から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈すると共に、前記第２蛍光粉の濃度は、前記第２光学ゲル材にドーピングした箇所から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈する。
また、前記発光ダイオードパッケージ構造は、複数の第２光学ゲル材をさらに有し、且つ前記複数の第２光学ゲル材のいずれかにドーピングした前記第２蛍光粉の濃度は、前記第２光学ゲル材にドーピングした箇所からそれぞれ前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することによって、前記パッケージゲル体全体の外表面側から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化をそれぞれに呈するようにさせることが可能となる。
また、前記発光ダイオードチップを約１６００時間で使用した後、前記発光ダイオードパッケージ構造の照度値は、未使用のものと比べ、約９８％の照度値が残存する。
また、前記第１光学ゲル材の厚さが０．３ミリメートル以下である時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が約３％減少する。
また、前記第１光学ゲル材の厚さが０．５ミリメートルである時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が約７〜１０％減少する。
また、前記サセプタは、発光ダイオード反射コップである。
また、前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、イットリウム・アルミニウム柘榴石（ＹＡＧ）蛍光粉（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）及びその誘導体である。
また、前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、テルビウム・アルミニウム柘榴石（ＴＡＧ）蛍光粉（Ｔｂ3Ａｌ5Ｏ12）及びその誘導体である。
また、前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、ＣＡＳＮ蛍光粉（ＣａＡｌＳｉＮ3：ＥＵ）及びその誘導体である。
また、前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、ケイ酸塩蛍光粉（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）及びその誘導体である。
本考案の内容をより完全に理解するために、以下に添付図面を参照しながら本考案の実施形態を説明する。
［第１実施例］
図２は、本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第１実施例を模式的に示す図である。本実施例では、発光ダイオードパッケージ構造２は、サセプタ２１と、発光ダイオードチップ２２と、パッケージゲル体２３とを備える。
図２は、本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第１実施例を模式的に示す図である。本実施例では、発光ダイオードパッケージ構造２は、サセプタ２１と、発光ダイオードチップ２２と、パッケージゲル体２３とを備える。
本実施例において、使用した該サセプタ２１は、発光ダイオード反射コップである。そして、該発光ダイオードチップ２２は、青色発光ダイオードであって、駆動した後、４５０〜４６０ｎｍ付近の波長域を有する青色光が発光できる状態にし、該サセプタ２１内の底側に設置されている。パッケージゲル体２３は、第１光学ゲル材２３１と、第２光学ゲル材２３２とを備えるように構成される。第１光学ゲル材２３１は、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）やシリコーン樹脂からなってもよく、また発光ダイオードチップ２２を覆うようにする。該第２光学ゲル材２３２は、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）やシリコーン樹脂からなってもよく、また該第１光学ゲル材２３１の片側に設けられ、該サセプタ２１の収容空間に充填されている。該第２光学ゲル材２３２には、第２蛍光粉２３２１をドーピングしている。また、該第２光学ゲル材２３２にドーピングした第２蛍光粉２３２１の濃度分布方式は、該第２光学ゲル材２３２にドーピングした箇所から該発光ダイオードチップ２２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈している。さらに、本実施例において、該第２蛍光粉２３２１は、イットリウム・アルミニウム柘榴石（ＹＡＧ）蛍光粉（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）及びその誘導体であってもよいし、テルビウム・アルミニウム柘榴石（ＴＡＧ）蛍光粉（Ｔｂ3Ａｌ5Ｏ12）及びその誘導体であってもよいし、またはＣＡＳＮ蛍光粉（ＣａＡｌＳｉＮ3：ＥＵ）及びその誘導体であってもよいし、もしくはケイ酸塩蛍光粉（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）及びその誘導体であってもよい。
図３に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第１実施例の光路を模式的に示す図を参照しながらさらに詳しく説明する。該発光ダイオードパッケージ構造２を駆動して該発光ダイオードチップ２２を発光させる場合、該第２蛍光粉２３２１が励起されて５５０〜５６０ｎｍ付近の波長域を有する黄色光を発光し、また青色発光ダイオードチップ２２の発光する青色光とその黄色光とを混合して白色光を発光できる。該発光ダイオードチップ２２に近接している該第１光学ゲル材２３１は、蛍光粉を一切ドーピングされていないため、従来技術のように蛍光粉が該発光ダイオードチップ２２に近接すぎるため、散熱不良を起こして光衰になることから、発光効率が低下し、製品良率が低下するといった状態を避けられて、照度減衰率を低減させて使用寿命を長く伸ばすことができる。また、本実施例において、５１５〜５４５ｎｍ付近の波長域を有する緑色蛍光粉及び６２０〜６５０ｎｍ付近の波長域を有する赤色蛍光粉を励起させた後、該二種類の波長域を有する光と青色発光ダイオードチップ２２の発光する青色光とを混合することによって白色光を形成することもできる。
［第２実施例］
図４に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第２実施例を模式的に示す図を参照しつつ説明する。この図において、発光ダイオードパッケージ構造３は、サセプタ３１と、発光ダイオードチップ３２と、パッケージゲル体３３とを備えるように構成されている。パッケージゲル体３３は、第１光学ゲル材３３１と、第２光学ゲル材３３２とを備えるように構成される。該第２光学ゲル材３３２には、第２蛍光粉３３２１をドーピングしている。本実施例において、該サセプタ３１、該発光ダイオードチップ３２及び該第２光学ゲル材３３２の構造と機能については、上記第１実施例におけるものと同様であり、ここでの説明を省略する。本実施例と第１実施例との相違点は、輝度を高めるために、該第１光学ゲル材３３１内に、さらに第１蛍光粉３３１１をドーピングしている点である。また、蛍光粉が熱を受けて光衰になるのを防ぐために、該第１蛍光粉３３１１の平均ドーピング濃度は第２蛍光粉３３２１より低いように設定されている。その他、該第１蛍光粉３３１１の濃度分布は、該第１光学ゲル材３３１にドーピングした箇所から該発光ダイオードチップ３２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈している。さらに、該第１光学ゲル材３３１の厚さは、設計の要求に応じて変化することができる。厚さが厚いほど、輝度減少率が増加してゆく。該第１光学ゲル材３３１の厚さが０．３ミリメートル以下である場合、該発光ダイオードパッケージ構造３の輝度が約３％減少する。そして、該第１光学ゲル材３３１の厚さが０．５ミリメートルである場合、該発光ダイオードパッケージ構造３の輝度が約７〜１０％減少する。
図４に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第２実施例を模式的に示す図を参照しつつ説明する。この図において、発光ダイオードパッケージ構造３は、サセプタ３１と、発光ダイオードチップ３２と、パッケージゲル体３３とを備えるように構成されている。パッケージゲル体３３は、第１光学ゲル材３３１と、第２光学ゲル材３３２とを備えるように構成される。該第２光学ゲル材３３２には、第２蛍光粉３３２１をドーピングしている。本実施例において、該サセプタ３１、該発光ダイオードチップ３２及び該第２光学ゲル材３３２の構造と機能については、上記第１実施例におけるものと同様であり、ここでの説明を省略する。本実施例と第１実施例との相違点は、輝度を高めるために、該第１光学ゲル材３３１内に、さらに第１蛍光粉３３１１をドーピングしている点である。また、蛍光粉が熱を受けて光衰になるのを防ぐために、該第１蛍光粉３３１１の平均ドーピング濃度は第２蛍光粉３３２１より低いように設定されている。その他、該第１蛍光粉３３１１の濃度分布は、該第１光学ゲル材３３１にドーピングした箇所から該発光ダイオードチップ３２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈している。さらに、該第１光学ゲル材３３１の厚さは、設計の要求に応じて変化することができる。厚さが厚いほど、輝度減少率が増加してゆく。該第１光学ゲル材３３１の厚さが０．３ミリメートル以下である場合、該発光ダイオードパッケージ構造３の輝度が約３％減少する。そして、該第１光学ゲル材３３１の厚さが０．５ミリメートルである場合、該発光ダイオードパッケージ構造３の輝度が約７〜１０％減少する。
[第３実施例]
図５に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第３実施例を模式的に示す図を参照しつつ説明する。この図において、発光ダイオードパッケージ構造４は、サセプタ４１と、発光ダイオードチップ４２と、パッケージゲル体４３とを備えるように構成されている。パッケージゲル体４３は、第１光学ゲル材４３１を備えるように構成される。本実施例において、該サセプタ４１、該発光ダイオードチップ４２及び該第１光学ゲル材４３１の構造と機能については、上記第１実施例におけるものと同様であり、ここでの説明を省略する。本実施例と第１実施例との相違点は、パッケージゲル体４３は、さらに複数の第２光学ゲル材４３２を備える点である。該複数の第２光学ゲル材４３２のいずれかにドーピングした該第２蛍光粉４３２１の濃度分布は、該第２光学ゲル材４３２の箇所からそれぞれ該発光ダイオードチップ４２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することによって、該パッケージゲル体４３全体の外表面側から前記発光ダイオードチップ４２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の循環変化をそれぞれに呈するようにさせる。これにより、パッケージゲル体４３内に蛍光粉が一層均一分布させることによって、出光時の色温度分布をさらに均一させることができる。
図５に示す本考案の発光ダイオードパッケージ構造の第３実施例を模式的に示す図を参照しつつ説明する。この図において、発光ダイオードパッケージ構造４は、サセプタ４１と、発光ダイオードチップ４２と、パッケージゲル体４３とを備えるように構成されている。パッケージゲル体４３は、第１光学ゲル材４３１を備えるように構成される。本実施例において、該サセプタ４１、該発光ダイオードチップ４２及び該第１光学ゲル材４３１の構造と機能については、上記第１実施例におけるものと同様であり、ここでの説明を省略する。本実施例と第１実施例との相違点は、パッケージゲル体４３は、さらに複数の第２光学ゲル材４３２を備える点である。該複数の第２光学ゲル材４３２のいずれかにドーピングした該第２蛍光粉４３２１の濃度分布は、該第２光学ゲル材４３２の箇所からそれぞれ該発光ダイオードチップ４２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することによって、該パッケージゲル体４３全体の外表面側から前記発光ダイオードチップ４２方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の循環変化をそれぞれに呈するようにさせる。これにより、パッケージゲル体４３内に蛍光粉が一層均一分布させることによって、出光時の色温度分布をさらに均一させることができる。
多層の光学ゲル材で発光ダイオードチップをパッケージすることによって引き起こした効果を明らかにするため、図６に示す従来技術及び本考案の発光ダイオードパッケージ構造における、照度と時間との関係を示す分布曲線図を合わせて参照する。従来技術の白色発光ダイオード構造１では、照度と時間との関係を示す分布曲線５１から見れば、約４００時間、８００時間及び９００時間で使用した後、照度値は、未使用のものと比べ、約９５％、９２％及び８８％の照度値が残存し、光衰状況が相当深刻で、長時間動作するが必要な照明として使用することができない。一方、本考案の発光ダイオードパッケージ構造では、照度と時間との関係を示す分布曲線５２から見れば、１１００時間前まで使用しても、照度値は、著しい衰減変化がほとんどないし、約１６００時間で使用した後、照度値は、未使用のものと比べ、約９８％の照度値が残存し、使用寿命を大幅に向上することができる。
上述したように、本考案の発光ダイオードパッケージ構造によれば、複数層の光学ゲル材を設置することによって、該発光ダイオードチップに近接している光学ゲル材は、蛍光粉をドーピングしないまたはほんの少しドーピングすれば、蛍光粉が長時間で熱を受けて光衰になるのを防ぐことができ、使用寿命を長く伸ばすことができる。
本考案の発光ダイオードパッケージ構造によれば、その効果としては該発光ダイオードパッケージ構造は、複数層の光学ゲル材を設置することによって、各光学ゲル材に蛍光粉をドーピングすることによって、光学ゲル材内に蛍光粉が均一分布させて、出光の色温度を均一させることができる。
以上に述べたことは、単に本考案を実施するための最良の形態の項においてなした具体的な実施態様または実施例であり、あくまでも、本考案の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、当業者は、本考案の精神及び添付の特許請求の範囲内で種々の変形や変更して実施することができるものである。
１：白色発光ダイオード構造
１１：青色発光ダイオード
１２：反射コップ
１３： 蛍光粉
１４：光学ゲル層
２：発光ダイオードパッケージ構造
２１：サセプタ
２２：発光ダイオードチップ
２３：パッケージゲル体
２３１：第１光学ゲル材
２３２：第２光学ゲル材
２３２１： 第２蛍光粉
３：発光ダイオードパッケージ構造
３１： サセプタ
３２：発光ダイオードチップ
３３：パッケージゲル体
３３１：第１光学ゲル材
３３１１：第１蛍光粉
３３２：第２光学ゲル材
３３２１：第２蛍光粉
４：発光ダイオードパッケージ構造
４１：サセプタ
４２：発光ダイオードチップ
４３：パッケージゲル体
４３１：第１光学ゲル材
４３２：第２光学ゲル材
４３２１：第２蛍光粉
５１ ：従来技術の発光ダイオードパッケージ構造において、照度と時間との分布曲線
５２ ：本考案の発光ダイオードパッケージ構造において、照度と時間との分布曲線
１１：青色発光ダイオード
１２：反射コップ
１３： 蛍光粉
１４：光学ゲル層
２：発光ダイオードパッケージ構造
２１：サセプタ
２２：発光ダイオードチップ
２３：パッケージゲル体
２３１：第１光学ゲル材
２３２：第２光学ゲル材
２３２１： 第２蛍光粉
３：発光ダイオードパッケージ構造
３１： サセプタ
３２：発光ダイオードチップ
３３：パッケージゲル体
３３１：第１光学ゲル材
３３１１：第１蛍光粉
３３２：第２光学ゲル材
３３２１：第２蛍光粉
４：発光ダイオードパッケージ構造
４１：サセプタ
４２：発光ダイオードチップ
４３：パッケージゲル体
４３１：第１光学ゲル材
４３２：第２光学ゲル材
４３２１：第２蛍光粉
５１ ：従来技術の発光ダイオードパッケージ構造において、照度と時間との分布曲線
５２ ：本考案の発光ダイオードパッケージ構造において、照度と時間との分布曲線
また、前記発光ダイオードチップに近接している前記第１光学ゲル材は、蛍光粉をドーピングしない、またはほんの少しドーピングすることにより、前記発光ダイオードチップを約１６００時間で使用した後、前記発光ダイオードパッケージ構造の照度値は、未使用のものと比べ、約９８％の照度値が残存する。
また、前記第１光学ゲル材の厚さが０．３ミリメートル以下である時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が前記発光ダイオードパッケージ構造に前記第１光学ゲル材と少なくとも１つ以上の第２光学ゲル材とを設置していない状態と比べて約３％減少する。
また、前記第１光学ゲル材の厚さが０．５ミリメートルである時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が前記発光ダイオードパッケージ構造に前記第１光学ゲル材と少なくとも１つ以上の第２光学ゲル材とを設置していない状態と比べて約７〜１０％減少する。
Claims (12)
- サセプタと、前記サセプタ内に設置される発光ダイオードチップと、パッケージゲル体と、を備え、
前記パッケージゲル体は、前記発光ダイオードチップを覆う第１光学ゲル材と、前記第１光学ゲル材の片側に設けられ、第２蛍光粉をドーピングされている少なくとも１つ以上の第２光学ゲル材と、を備えることを特徴とする、発光ダイオードパッケージ構造。 - 前記第１光学ゲル材は、第１蛍光粉をドーピングされていると共に、前記第１蛍光粉のドーピング濃度は、前記第２蛍光粉のドーピング濃度より低いであることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１蛍光粉の濃度は、前記第１光学ゲル材にドーピングした箇所から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈すると共に、前記第２蛍光粉の濃度は、前記第２光学ゲル材にドーピングした箇所から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記発光ダイオードパッケージ構造は、複数の第２光学ゲル材を有し、且つ前記複数の第２光学ゲル材のいずれかにドーピングした前記第２蛍光粉の濃度は、前記第２光学ゲル材の箇所からそれぞれ前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の濃度変化を呈することによって、前記パッケージゲル体全体の外表面側から前記発光ダイオードチップ方向に向かって、順次に中濃度-高濃度-低濃度の循環変化をそれぞれに呈するようにさせることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記発光ダイオードパッケージ構造を約１６００時間で使用した後、前記発光ダイオードパッケージ構造の照度値は、未使用のものと比べ、約９８％の照度値が残存することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１光学ゲル材の厚さが０．３ミリメートル以下である時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が約３％減少することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１光学ゲル材の厚さが０．５ミリメートルである時、前記発光ダイオードパッケージ構造の輝度が約７〜１０％減少することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記サセプタは、発光ダイオード反射コップであることを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、イットリウム・アルミニウム柘榴石（ＹＡＧ）蛍光粉（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）及びその誘導体であることを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、テルビウム・アルミニウム柘榴石（ＴＡＧ）蛍光粉（Ｔｂ3Ａｌ5Ｏ12）及びその誘導体であることを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、ＣＡＳＮ蛍光粉（ＣａＡｌＳｉＮ3：ＥＵ）及びその誘導体であることを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
- 前記第１蛍光粉及び前記第２蛍光粉は、ケイ酸塩蛍光粉（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）及びその誘導体であることを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ構造。
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