JP3170836B2 - ウエハのウェット処理方法及び半導体素子の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハのウェット処理
方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法に係り、特
にウエハ表面に付着したイオン状、粒子状等の汚染物を
洗浄する方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子の製造における半導体ウエハ
プロセスでは、シリコンウエハの洗浄技術が必須工程と
なっている。

【０００３】シリコンウエハ表面の汚染物としてイオン
状、粒子状、膜状が考えられる。

【０００４】図３は、従来方法を示す概略図である。図
３によれば、被洗浄（ウェット処理）対象となるウエハ
１が槽１１内に配置されており、その下部が支持台６で
支持され、また上方での倒れが各ウエハ１間に延在する
ように配置されたカセットケース７によって防止されて
いる。槽１１内には洗浄液１０としてフロン系の有機溶
剤が収容されており、図３のように、複数枚配置された
ウエハ１を、上記洗浄液に超音波を与えて矢印方向に洗
浄液１０を移動させることによって汚染物を剥離、除去
して洗浄する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この従来の洗浄方法で
は、図４に模式的に示すように、ウエハ１の裏面側（図
で右側）に付着している多数の汚染物粒子（パーティク
ル）２が、超音波洗浄により剥離して矢印方向に移動す
る。この粒子２の移動中に下流側（特に隣り）のウエハ
の表面に粒子が転写され、ウエハの洗浄度を低下させ、
ひいては半導体素子の製造歩留りの低下を招いていた。

【０００６】そこで、本発明は、特にウエハの裏面に付
着した汚染物の洗浄効果を向上させたウエハのウェット
処理方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、複数のウエハをウェット処理する際に、洗浄液の出
入りを可能にする複数の開口を有する電極板を前記ウエ
ハ間に配して、前記ウエハに付着している汚染物が液中
で有する極性と反対の極性の電位を前記電極板に付与す
るウエハのウェット処理方法であって、前記電極板の複
数の開口による開口部が電極板の面積の約１／２である
ことを特徴とするウエハのウェット処理方法によって解
決される。更に、上記課題は本発明によれば、複数のウ
エハをウェット処理する際に、洗浄液の出入りを可能に
する複数の開口を有し、この複数の開口による開口部が
全体の面積の約１／２である電極板を前記ウエハ間に配
して、前記ウエハに付着している汚染物が液中で有する
極性と反対の極性の電位を前記電極板に付与することを
特徴とする半導体素子の製造方法によって解決される。

【０００８】

【作用】本発明によれば、ウエハ１間に電極板３ａを配
して、上記ウエハ１に付着している汚染物２が液中で有
する極性と反対の極性を上記電極に付与しているため、
ウエハ１に付着していた汚染物が剥離して、液中で浮動
あるいは浮遊した場合、汚染物の多くを電気泳動効果に
より有効に電極板に捕獲することができる。また、電極
板には開口４を設けているため、洗浄液の移動も円滑に
なされる。また、開口部の面積は電極板の面積の約１／
２が好ましい。これにより、汚染物をより有効に電極板
に捕獲できると共に、洗浄液の移動も円滑に行われる。

【０００９】また、本発明は、ウエハのウェット処理と
してウエハの洗浄が主に用いられる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１１】図１は、本発明の一実施例を説明するため
の概略模式図である。

【００１２】まず、部分拡大図の図１（ａ）に示すよう
に、ウエハ１間にメッシュ（格子状）電極板３ａが配置
されている。図１（ｂ）にウエハ１とメッシュ電極の配
置状況が模式的に示されている。

【００１３】本実施例では、汚染物粒子２として負
（−）に帯電しているもの（ＳｉＯ₂等）を洗浄除去し
た。この洗浄ではメッシュ電極板３ａを全て正（＋）に
帯電させ、負に帯電している粒子が電極面に移動せしめ
られ捕獲される。

【００１４】もちろん、他の箇所から流れ出た粒子も同
様に電極に捕獲される。

【００１５】すなわち、本方法は、粒子を分散させた液
体に電位差を与えた場合、それらの分散粒子は自己が帯
電している極性とは反対の極性の電極へ移動する、いわ
ゆる電気泳動を利用したものである。

【００１６】図１で説明したメッシュ電極板３ａは、そ
の正面図が図２（ａ）で示されている。すなわち、図２
（ａ）に示すように、メッシュ電極板３ａは格子状にな
っており、その表面に浮遊粒子が吸着捕獲され、一方、
開口４は洗浄液の出入りを可能にする。

【００１７】汚染物粒子２を捕獲するための電極板とし
て、上記メッシュ電極板３ａの他に、図２（ｂ）に示す
円形穴抜き電極板３ｂも有効に用いられる。４はその開
口である。

【００１８】電極板の材料としては、金属表面をＳｉＯ
₂等でコート（被覆）した材料が好ましく用いられる。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハの裏面に付着していた汚染物をそのウエハの下流
側（特に隣り）のウエハの表面に転写させることなく、
所定の極性に帯電された電極板で有効に捕獲し得るウェ
ット処理を行なうことができる。電極板の複数の開口に
よる開口部を電極板の面積の約１／２にしたので、汚染
物をより有効に電極板に捕獲すると共に、洗浄液の移動
も円滑に行われるという特有の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を説明するための概略模式図
である。

【図２】本発明に係る電極板を示す図である。

【図３】従来方法を示す概略図である。

【図４】従来方法による汚染物の動きを示す模式図であ
る。

【符号の説明】 １ ウエハ ２ 汚染物粒子 ３ａ メッシュ電極板 ３ｂ 円形穴抜き電極板 ４ 開口 ６ 支持台 ７ カセットケース １０ 洗浄液 １１ 槽

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のウエハをウェット処理する際に、
   洗浄液の出入りを可能にする複数の開口を有する電極板
   を前記ウエハ間に配して、前記ウエハに付着している汚
   染物が液中で有する極性と反対の極性の電位を前記電極
   板に付与するウエハのウェット処理方法であって、 前記電極板の複数の開口による開口部が電極板の面積の
   約１／２である ことを特徴とするウエハのウェット処理
   方法。
2. 【請求項２】 前記複数の開口を有する電極板が格子状
   であることを特徴とする請求項１記載のウエハのウェッ
   ト処理方法。
3. 【請求項３】 前記複数の開口を有する電極板が円形穴
   抜き状であることを特徴とする請求項１記載のウエハの
   ウェット処理方法。
4. 【請求項４】 複数のウエハをウェット処理する際に、
   洗浄液の出入りを可能にする複数の開口を有し、この複
   数の開口による開口部が全体の面積の約１／２である電
   極板を前記ウエハ間に配して、前記ウエハに付着してい
   る汚染物が液中で有する極性と反対の極性の電位を前記
   電極板に付与することを特徴とする半導体素子の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記複数の開口を有する電極板が格子状
   であることを特徴とする請求項４記載の半導体素子の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記複数の開口を有する電極板が円形穴
   抜き状であることを特徴とする請求項４記載の半導体素
   子の製造方法。