JPH01255226A - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置Info
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- JPH01255226A JPH01255226A JP8328488A JP8328488A JPH01255226A JP H01255226 A JPH01255226 A JP H01255226A JP 8328488 A JP8328488 A JP 8328488A JP 8328488 A JP8328488 A JP 8328488A JP H01255226 A JPH01255226 A JP H01255226A
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- electrodes
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- cleaning
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 58
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板を洗浄するための基板洗浄装置に関す
るものである。
るものである。
従来の例えば半導体基板洗浄装置は、超純水の流れおよ
び汚染物等の超純水への拡散を利用して半導体基板を清
浄化するようにしている。
び汚染物等の超純水への拡散を利用して半導体基板を清
浄化するようにしている。
以下、この半導体基板洗浄装置を第4図に基づいて説明
する。
する。
この半導体基板洗浄装置は、第4図に示すように、洗浄
槽2の底部に多孔板4を設けた構成としている。多孔板
4は、多数の孔が板金体に開けられている。
槽2の底部に多孔板4を設けた構成としている。多孔板
4は、多数の孔が板金体に開けられている。
例えば半導体基板(図示せず)を洗浄槽2の中に立てて
入れ、洗浄槽2の底から洗浄槽2の底部の多孔板4の孔
を通して超純水(図示せず)を洗浄槽2内に注水する。
入れ、洗浄槽2の底から洗浄槽2の底部の多孔板4の孔
を通して超純水(図示せず)を洗浄槽2内に注水する。
このことにより、超純水は、洗浄槽2の下方から上方に
流れ、水流が発生することになる。
流れ、水流が発生することになる。
そして、この超純水の水流により、基板に付着している
汚染物等を取り除く、また、この基板から取り除かれた
汚染物等が超純水中に拡散する。
汚染物等を取り除く、また、この基板から取り除かれた
汚染物等が超純水中に拡散する。
さらに、超純水は、洗浄槽2の下方から上方に流れてい
るため、汚染物が拡散した超純水は、洗浄槽2の上方か
らオーバ・フローする。また、超純水が洗浄槽2の底か
ら多孔板4を介し常時注水されているため、半導体基板
は、常に、超純水により清浄化されることになる。
るため、汚染物が拡散した超純水は、洗浄槽2の上方か
らオーバ・フローする。また、超純水が洗浄槽2の底か
ら多孔板4を介し常時注水されているため、半導体基板
は、常に、超純水により清浄化されることになる。
(発明が解決しようとする課題〕
従来の基板洗浄装置においては、超純水中の汚染物質が
減少するにつれて、例えばシリコン基板等からなる半導
体基板が帯電する。そして、超純水の洗浄により半導体
基板から取り除かれたイオン性の汚染物質は、このイオ
ン性の汚染物質の持つ電荷および半導体基板の帯電によ
る引力により、半導体基板に再付着する。この再付着し
たイオン性の汚染物質を超純水の流速のみで取り除くこ
とは難しいという問題があった。
減少するにつれて、例えばシリコン基板等からなる半導
体基板が帯電する。そして、超純水の洗浄により半導体
基板から取り除かれたイオン性の汚染物質は、このイオ
ン性の汚染物質の持つ電荷および半導体基板の帯電によ
る引力により、半導体基板に再付着する。この再付着し
たイオン性の汚染物質を超純水の流速のみで取り除くこ
とは難しいという問題があった。
したがって、この発明の目的は、基板からイオン性の汚
染物質を分離するとともに再付着を防止できる基板洗浄
装置を提供することである。
染物質を分離するとともに再付着を防止できる基板洗浄
装置を提供することである。
この発明の基板洗浄装置は、基板洗浄槽の内部に、対向
する一対の電極を設け、この一対の電極に電圧を加える
T!1iaを設けたことを特徴としている。
する一対の電極を設け、この一対の電極に電圧を加える
T!1iaを設けたことを特徴としている。
この発明の構成によれば、基板洗浄槽の内部に、一対の
電極を対向して設け、この対向する一対の電極に電圧を
印加し、一対の電極間に電位差を発生させている。そし
て、超純水中の電荷を持ったイオン性の汚染物質を一対
の電極に引きつけるようにし、イオン性の汚染物質を前
記基板から分離するとともに前記基板への再付着を防止
する。
電極を対向して設け、この対向する一対の電極に電圧を
印加し、一対の電極間に電位差を発生させている。そし
て、超純水中の電荷を持ったイオン性の汚染物質を一対
の電極に引きつけるようにし、イオン性の汚染物質を前
記基板から分離するとともに前記基板への再付着を防止
する。
この発明の一実施例の基板洗浄装置を第1図ないし第3
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
この基板洗浄装置は、第1図に示すように、洗浄槽2の
内部に、対向した一対の電極3.3′を設け、この一対
の電極3,3′に電圧を加える例えば直流電源装置から
なるtallを設け、洗浄槽2の底部に多孔板4を設け
た構成としている。
内部に、対向した一対の電極3.3′を設け、この一対
の電極3,3′に電圧を加える例えば直流電源装置から
なるtallを設け、洗浄槽2の底部に多孔板4を設け
た構成としている。
以下、この基板洗浄装置の具体構成および動作を第2図
および第3図に基づいて詳しく説明する。
および第3図に基づいて詳しく説明する。
この基板洗浄装置は、第2図に示すように、洗浄槽2の
底部に多数の孔が開けられた多孔板4を設けている。そ
して、洗浄槽2の底に超純水20を注入する純水流入口
5を設けている。また、洗浄槽2の内部に、対向した一
対の電極3.3′を設け、この一対の電極3.3′に電
′tA1を接続している。
底部に多数の孔が開けられた多孔板4を設けている。そ
して、洗浄槽2の底に超純水20を注入する純水流入口
5を設けている。また、洗浄槽2の内部に、対向した一
対の電極3.3′を設け、この一対の電極3.3′に電
′tA1を接続している。
電源1は、一対の電極3.3′間に任意の電位差を与え
ることができるものとしている。
ることができるものとしている。
また、電源lの出力端子の両端に電位差計7を接続し、
電2!iIlと電極3′との間に電流計8を接続してい
る。
電2!iIlと電極3′との間に電流計8を接続してい
る。
さらに、洗浄槽2の中央に、洗浄する例えば半導体基板
からなる基板6を入れた状態としている。
からなる基板6を入れた状態としている。
超純水20は、洗浄槽2の底の純水流入口5から注水さ
れる。そして、超純水20は、多孔板4の多数の孔を通
り、洗浄槽2内に注入される。このことにより、超純水
20は、第2図に示す矢印A、Bのように、洗浄槽2の
下方から上方に流れる。そして、この水流により、基板
6を清浄化し、基板6に付着していた汚染物が取り除か
れ超純水20中に拡散することになる。
れる。そして、超純水20は、多孔板4の多数の孔を通
り、洗浄槽2内に注入される。このことにより、超純水
20は、第2図に示す矢印A、Bのように、洗浄槽2の
下方から上方に流れる。そして、この水流により、基板
6を清浄化し、基板6に付着していた汚染物が取り除か
れ超純水20中に拡散することになる。
また、洗浄p!2の内壁に対向した一対の電極3゜3′
に例えば直流電源装置からなる電#lから直流電圧が印
加されることにより、ti3.3’間に電位差が発生す
る。この電位差により、第3図に示すように、基板6に
付着しているイオン性の汚染物質9を基板6から分離す
る。そして、超純水20中に拡散したイオン性の汚染物
質9を電極3.3′の一方の電極側に引きつけ、イオン
性の汚染物質9の基板6への再付着を防止する。
に例えば直流電源装置からなる電#lから直流電圧が印
加されることにより、ti3.3’間に電位差が発生す
る。この電位差により、第3図に示すように、基板6に
付着しているイオン性の汚染物質9を基板6から分離す
る。そして、超純水20中に拡散したイオン性の汚染物
質9を電極3.3′の一方の電極側に引きつけ、イオン
性の汚染物質9の基板6への再付着を防止する。
また、汚染物質が拡散した超純水20中には、酸化物コ
ロイド粒子10が含まれている。そして、この酸化物コ
ロイド粒子10も例えば水素イオン(H”)、ナトリウ
ムイオン(Na’)、カリウムイオン(K゛)や水酸化
イオン(OH−)が吸着しており、電荷を持つことにな
る。したがって、この酸化物コロイド粒子10に対して
も前記イオン性の汚染物質9に対する作用と同様に作用
する。
ロイド粒子10が含まれている。そして、この酸化物コ
ロイド粒子10も例えば水素イオン(H”)、ナトリウ
ムイオン(Na’)、カリウムイオン(K゛)や水酸化
イオン(OH−)が吸着しており、電荷を持つことにな
る。したがって、この酸化物コロイド粒子10に対して
も前記イオン性の汚染物質9に対する作用と同様に作用
する。
そして、超純水20は、第2図の矢印A、Bに示すよう
に洗浄槽2の下方から上方に常時流れているため、基板
6から分離されて一対の電極3゜3′側に引きつけられ
たイオン性の汚染物質9おおび酸化物コロイド粒子10
とその他の汚染物質が拡散している超純水20は、洗浄
槽2の上方からオーバ・フローする。
に洗浄槽2の下方から上方に常時流れているため、基板
6から分離されて一対の電極3゜3′側に引きつけられ
たイオン性の汚染物質9おおび酸化物コロイド粒子10
とその他の汚染物質が拡散している超純水20は、洗浄
槽2の上方からオーバ・フローする。
このように、前述の洗浄を行うことにより、基板6が清
浄化される。
浄化される。
この実施例の基板洗浄装置は、洗浄槽2の内部に、対向
する一対の電i3.3’を設け、この電極3.3′に電
圧を加える電alを設けた構成としているので、基板6
が超純水20の流速により帯電しても、イオン性の汚染
物質9および酸化物コロイド粒子10を基板6から分離
するとともに基板6への再付着することを防止でき、基
板6を完全に清浄化することができる。
する一対の電i3.3’を設け、この電極3.3′に電
圧を加える電alを設けた構成としているので、基板6
が超純水20の流速により帯電しても、イオン性の汚染
物質9および酸化物コロイド粒子10を基板6から分離
するとともに基板6への再付着することを防止でき、基
板6を完全に清浄化することができる。
また、電源1の出力端の両側に接続した電位差計7およ
び電源1と一対の電極3.3′との間に接続した電流計
8により、洗浄槽2内の超純水20の比抵抗をモニタす
ることができる。そして、超純水20中の汚染物が減少
するにつれて超純水20の比抵抗が上がるため、この比
抵抗のモニタにより基板6の清浄化の度合いを判定する
ことができる。
び電源1と一対の電極3.3′との間に接続した電流計
8により、洗浄槽2内の超純水20の比抵抗をモニタす
ることができる。そして、超純水20中の汚染物が減少
するにつれて超純水20の比抵抗が上がるため、この比
抵抗のモニタにより基板6の清浄化の度合いを判定する
ことができる。
さらに、基板6の帯電の値が変化しても、電源1の出力
電圧を基板6の帯電の値に対応させて変えることにより
、常にイオン性の汚染物質9および酸化物コロイド粒子
10を基板6から分離するとともに再付着を防止できる
。
電圧を基板6の帯電の値に対応させて変えることにより
、常にイオン性の汚染物質9および酸化物コロイド粒子
10を基板6から分離するとともに再付着を防止できる
。
なお、この実施例の基板洗浄装置では、電源1を直流電
源装置としたが、電源1を交流電源装置とし、その周波
数を適当な値に設定することにより、イオン性の汚染物
質を除去することが可能である。
源装置としたが、電源1を交流電源装置とし、その周波
数を適当な値に設定することにより、イオン性の汚染物
質を除去することが可能である。
この発明の基板洗浄装置は、洗浄槽の内部に、対向した
一対の電極を設け、この一対の電極に電位差を与えるよ
うにしているので、イオン性の汚染物質を基板から分離
するとともに再付着を防止することができる。
一対の電極を設け、この一対の電極に電位差を与えるよ
うにしているので、イオン性の汚染物質を基板から分離
するとともに再付着を防止することができる。
この結果、基板の洗浄効率が向上し、基板の表面の清浄
化を促進することができる。
化を促進することができる。
第1図はこの発明の一実施例の基板洗浄装置の全体斜視
図、第2図は第1図の断面図、第3図はこの実施例の洗
浄の状態を説明するための断面図、第4図は従来の基板
洗浄装置の全体斜視図である。 。 l・・・電源、2・・・洗浄槽、3.3′・・・電
極第1図 第2図 第3図 第4図
図、第2図は第1図の断面図、第3図はこの実施例の洗
浄の状態を説明するための断面図、第4図は従来の基板
洗浄装置の全体斜視図である。 。 l・・・電源、2・・・洗浄槽、3.3′・・・電
極第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 基板洗浄槽の内部に、対向する一対の電極を設け、こ
の一対の電極に電圧を加える電源を設けたことを特徴と
する基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8328488A JPH01255226A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8328488A JPH01255226A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 基板洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01255226A true JPH01255226A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13798077
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8328488A Pending JPH01255226A (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01255226A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0740329A1 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
JP2016049534A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5866334A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-20 | Toshiba Corp | 半導体基板の処理装置 |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP8328488A patent/JPH01255226A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5866334A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-20 | Toshiba Corp | 半導体基板の処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0740329A1 (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
WO2001054181A3 (en) * | 2000-01-22 | 2002-01-03 | Ted Albert Loxley | Process and apparatus for cleaning silicon wafers |
JP2016049534A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | AvanStrate株式会社 | ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置 |
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