JP3169883B2 - 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法 - Google Patents

半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法

Info

Publication number
JP3169883B2
JP3169883B2 JP04565298A JP4565298A JP3169883B2 JP 3169883 B2 JP3169883 B2 JP 3169883B2 JP 04565298 A JP04565298 A JP 04565298A JP 4565298 A JP4565298 A JP 4565298A JP 3169883 B2 JP3169883 B2 JP 3169883B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
cells
functional
function
semiconductor integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04565298A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11251561A (ja
Inventor
政弘 原山
Original Assignee
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 filed Critical 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Priority to JP04565298A priority Critical patent/JP3169883B2/ja
Priority to KR1019990006135A priority patent/KR100309304B1/ko
Priority to EP99103677A priority patent/EP0939445A3/en
Priority to US09/258,571 priority patent/US6075260A/en
Priority to CN99100797A priority patent/CN1227414A/zh
Priority to TW088103032A priority patent/TW452964B/zh
Publication of JPH11251561A publication Critical patent/JPH11251561A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3169883B2 publication Critical patent/JP3169883B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路装置
及びその機能セルの配置方法に関し、特にCML(カレ
ントモードロジック:Current Mode Lo
gic)から成る超高速動作の論理回路を搭載したゲー
トアレイ等の半導体集積回路装置及びその機能セルの配
置方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置においては、600
MHzを超えるような超高周波ディジタル信号処理、特
にタイミング設計において金属配線のインピーダンスを
無視することはできない。
【0003】この種の超高周波ディジタル信号処理用の
論理回路として代表的なものに公知のCMLがあり、こ
のCMLは差動増幅器で構成され、入力及び出力は差動
増幅器の入力及び出力に対応する正相,逆相の相補信号
でインタフェースする。
【0004】論理回路としてCMLを搭載したゲートア
レイでは機能セル間の相補信号である正相及び逆相の各
信号間の配線長差からくるインピーダンスの違いによ
り、両者の出力がアンバランスとなり最適なタイミング
設計が困難になる。
【0005】ここで、CML機能セルの論理接続図の一
部を回路図で示す図8(A)及びこの論理回路の具体的
回路を回路図で示す図8(B)を参照して、CML機能
セル間のタイミングの問題について説明すると、前段の
機能セル401の正相出力は配線W31により次段の機
能セル402の正相入力へ、同様に逆相出力は配線W4
1により次段の機能セル402の逆相入力へそれぞれ供
給される。
【0006】図8(B)を参照すると、機能セル401
は、差動対トランジスタQ11,Q12及び電流源トラ
ンジスタQ13と、トランジスタQ11,Q12の各々
の負荷抵抗R11,R12と、トランジスタQ13のエ
ミッタ抵抗R14とを有する。同様に、機能セル402
は、差動対トランジスタQ21,Q22及び電流源トラ
ンジスタQ23と、トランジスタQ21,Q22の各々
の負荷抵抗R22,R22と、トランジスタQ23のエ
ミッタ抵抗R24とを有する。
【0007】トランジスタQ11のコレクタとトランジ
スタQ21のベース間の抵抗R31は配線W31の寄生
抵抗であり、トランジスタQ12のコレクタとトランジ
スタQ22のベース間の抵抗R41は配線W41の寄生
抵抗である。また、トランジスタQ21,Q22の各々
のベースと接地間に挿入された容量C31,C41はそ
れぞれ配線W31,W41の寄生容量を示す。
【0008】機能セル402の正逆各相の入力端の信号
波形を模式的に示す説明図である図8(C)を参照する
と、この図に示す正相の波形Sと逆相の波形SBは寄生
抵抗R31,R41及び寄生容量C31,C41がそれ
ぞれ等しい場合は中央のP1点でクロスする。しかし、
仮に正相側の寄生抵抗R31と寄生容量C31の方が、
逆相側の寄生抵抗R41と寄生容量C41より大きい場
合波形がアンバランスとなり、P1点より上のP2点で
クロスし遅延Tpdが生ずる。
【0009】この種の従来の半導体集積回路装置では、
正相と逆相の配線長を揃えるため、特に、クリティカル
な信号経路に関しては、予め優先的に機能セルを強制配
置したり、自動配置配線後に接続された配線経路の変更
や、機能セルの配置位置変更を行いバランス調整を実現
していた。
【0010】ゲートアレイ型の従来の半導体集積回路装
置におけるCML用内部論理回路領域のセル構造の一例
をレイアウト図で示す図9(A)を参照すると、この図
に示す従来のCML用のセル501の形状は矩形であ
り、CML回路を構成するNPN型のトランジスタ11
及び抵抗12は同一方向に配列される。
【0011】また、従来の半導体集積回路装置の内部論
理領域におけるセルのアレイ構造の一例をレイアウト図
で示す図9(B)を参照すると、この図に示す従来のセ
ルアレイ510は、このセルアレイ510を構成する機
能セル511〜514が全て同一方向のアレイ構造と成
るよう配列されていた。この図には、縦方向に1列に配
列された機能セル511から機能セル512への正,逆
各相信号配線W51,W51Bと、横方向に1列に配列
した機能セル513から機能セル514への正,逆各相
信号配線W52,W52Bを併せて示す。図から明らか
なように、横方向配列の機能セル513の下辺の出力端
子と機能セル514の上辺の入力端子は対面しておら
ず、したがって、配線W52,W52Bは直線状での配
設は不可能であり、配線長差の要因となる迂回配線を余
儀なくされる。一方、縦方向配列の機能セル511の出
力端子と機能セル512の入力端子は対面しており、配
線W51,W51Bは直線状に配設できる。
【0012】従来の自動配置配線の手順をフローチャー
トで示す図10を参照して、従来の自動配置配線方法に
ついて説明すると、まず、回路接続情報302及び自動
配線データベース303を基にステップP1で、同一方
向にアレイ配列されたセル上に機能セルを配置し、次に
ステップP2で、配置された機能セル間の出力及び入力
端子間を接続する。
【0013】次にステップP3で、各CMLの正相,逆
相信号配線長を抽出し、ステップP4で両者の配線長を
比較し、一致していれば自動配置配線を終了し、次のス
テップへ進む。
【0014】許容範囲を超える差が生じ、一致していな
い場合は、ステップP5で人手により配線経路を変更
し、ステップP6で、再度正相,逆相信号配線長を比較
する。各信号経路に付き比較し、一致していれば、自動
配置配線を終了し次のステップへ進む。
【0015】配線経路の変更で一致しない場合、ステッ
プP7で、配置された機能セル位置を変更する。再度ス
テップP4に戻り、全ての信号配線を確認していた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路装置及びその機能セルの配置方法は、前段の機
能セルの出力端子と次段の機能セルの入力端子が必ずし
も最短距離の位置になく、CMLの正相,逆相の各信号
配線の長さが異なりインピーダンス差を生じこれら両信
号のバランスをとるために両信号配線長を揃えようとす
る場合、短い方に冗長な配線を付加し、長い方の配線長
に合わせる必要があるため、この冗長な配線長により遅
延を大きくし、タイミングマージンやパワーを増加させ
るという欠点があった。
【0017】また、自動配線のみでは正相、逆相の信号
配線長を揃えることができず、両者の差がタイミング設
計上の許容範囲を超えた場合、自動配線後に人手による
配線経路修正や機能セルの配置位置を変更することによ
り、タイミング検証の収束に時間がかかるため、自動配
線や機能セル配置位置修正により、設計TATが増大す
るという欠点があった。
【0018】本発明の目的は、CMLの正相と逆相の信
号配線間のばらつき補正のための冗長な付加配線をなく
しタイミングマージンやパワーを増加させることなく、
また、設計TATの増大を抑制した半導体集積回路装置
及びその機能セルの配置方法を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】第1の発明の半導体集積
回路装置は、入力信号及び出力信号が相補の信号である
カレントモードロジック(CML)型論理回路を構成す
る素子を配置した機能セルを搭載する半導体集積回路装
置において、前記機能セルが、このセルの中心点に対し
て90°毎に回転対称となるように前記素子を配置した
十文字型の構造を有することを特徴とするものである。
【0020】第2の発明の半導体集積回路装置は、第1
の発明の機能セルを第1の座標に配置し、前記第1の座
標から前記セルの第1の方向の第1のサイズのピッチで
この第1の方向に複数個の前記機能セルを配列し、前記
セルの第2の方向の第2のサイズの1.5倍のピッチで
この第2の方向に複数個の前記機能セルを配列した第1
のセルアレイと、前記第1の座標から前記第1の方向に
前記第1のサイズの1/2倍の距離分シフトし、前記第
2の方向に前記第2のサイズの3/4倍の距離分シフト
した第2の座標から前記セルの第1の方向の第1のサイ
ズのピッチでこの第1の方向に複数個の前記機能セルを
配列し、前記セルの第2の方向の第2のサイズの1.5
倍のピッチでこの第2の方向に複数個の前記機能セルを
配列した第2のセルアレイとから成るセルアレイ構造を
有することを特徴とするものである。
【0021】本発明の半導体集積回路装置の機能セルの
配置方法は、入力信号及び出力信号が相補の信号である
カレントモードロジック(CML)型論理回路を構成す
る素子をセルの中心点に対して90°毎に回転対称とな
るように配置した十文字型の構造を有する機能セルを搭
載した半導体集積回路装置の機能セルの配置方法におい
て、回路接続データ及び自動配線データベースを基に前
記回路接続データの各信号配線の前段及び次段の機能セ
ルの座標を読み取る座標読み取りステップと、前記前段
及び次段の機能セルが、X軸またはY軸に対し同一座標
軸上にあるか否かを判断し、同一座標軸上にある場合前
記前段及び次段の両機能セルの配置方向を適正化する配
置方向適正化ステップと、同一座標軸上にない場合、前
記機能セルの配置位置及び配置方向を適正化する移動適
正化ステップとを有することを特徴とするものである。
【0022】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第1の実施の形態
の半導体集積回路装置のセル1のセル構造をレイアウト
図で示す図1を参照すると、この図に示す本実施の形態
の半導体集積回路装置の機能セル1のセル構造は、十文
字型で構成され、セル1の中心点に対して90°毎に回
転対称となるようにCML構成素子であるNPN型のト
ランジスタ11及び抵抗12を配置する。
【0023】図1を参照すると、トランジスタ11は、
機能セル1の中心を軸として90°毎に各1個ずつ計4
個配置され、抵抗12は、同様に90°毎にトランジス
タ11の外側にセルの一辺に付き4個ずつ計16個配置
されている。したがって、機能セル1は、トランジスタ
11をセルの内側に、その上下、左右に抵抗12を配置
した十文字型となる。
【0024】機能セルの長さ(セル長)L1は縦横共同
一とし、十文字の突出部の幅D1は突出部の長さD2の
2倍で決定される。
【0025】次に、本発明の第2の実施の形態の半導体
集積回路装置の機能セル2のセル構造を同様にレイアウ
ト図で示す図2を参照すると、この図に示す本実施の形
態の半導体集積回路装置の機能セル2のセル構造は、同
様に十文字型で構成され、このセル2の中心を通るX軸
及びY軸に対して線対称になるようにCML構成素子で
あるNPN型のトランジスタ11及び抵抗12を配置す
る。
【0026】図2を参照すると、トランジスタ11は、
それぞれセル中心に対しX軸の左右及びY軸の上下の各
々に1個ずつ、計4個配置され、これら4個のトランジ
スタ11の各々の両脇に抵抗12を1個ずつ計8個配置
する。
【0027】セル長L1は縦横共同一とし、十文字の突
出部の幅D1は突出部の長さD2の2倍で決定される。
【0028】自動配線対象の2つの機能セル間の接続用
の入力端子及び出力端子の各位置の例をレイアウト図で
示す図3を参照すると、自動配線を行うための配線位置
の基準となる配線格子G上において、機能セル3の正
相,逆相の各入力端子TI,TIBはそれぞれ出力端子
TO,TOBと同一Y軸上に配置する。
【0029】次に、本発明の第3の実施の形態の半導体
集積回路装置のセルアレイの構造の一例をレイアウト図
で示す図4を参照すると、この図に示す本実施の形態の
半導体集積回路装置のセルアレイの構造は、第1の実施
の形態のセル又は第2の実施の形態のセルをチップ上に
配置したセルアレイの構造であり、任意位置に配置した
セルを基準機能セル111とし、この基準機能セル11
1と同一セルをセル長L1と同一ピッチでX方向に、セ
ル長L1の1.5倍のピッチでY方向にそれぞれ配列す
るようアレイ配列する。さらに、機能セル111を含む
アレイを第1行とすると、第2行のアレイの機能セル1
11に隣接しこの機能セル111に対しX方向にセル長
の1/2、Y方向にセル長の3/4シフトした位置の機
能セルを2番目の基準機能セル121とする。この基準
機能セル121と同一セルをセル長L1と同一ピッチで
X方向に、セル長L1の1.5倍のピッチでY方向にそ
れぞれ配列するようアレイ配列する。ここで、説明の便
宜上、第1行の機能セルを第1列から順に機能セル11
1,112,・・・、第2行のセルを機能セル121,
122,・・・、第3行の機能セルを機能セル131,
132,・・・とする。
【0030】後述するように、本実施の形態では、第1
行の機能セル111,112,・・・及び第5行の機能
セル151,152,・・・はセル上辺に入力端子T
I,TIBをセル下辺に出力端子TO,TOBをそれぞ
れ備える。また、第2行の機能セル121,122,・
・・は、セル左辺に入力端子TI,TIBをセル右辺に
出力端子TO,TOBをそれぞれ備える。
【0031】この図の例では、第1行の機能セル113
の出力と第5行の機能セル153の入力とを配線W1,
W1Bで接続し、第2行の機能セル121の出力と機能
セル124の入力とを配線W2,W2Bで接続し、第2
行の機能セル124の出力と第5行の機能セル155の
入力とを配線W3,W3Bで接続している。
【0032】次に、本発明の第4の実施の形態をフロー
チャートで示す図5,図6及び図7を参照して、本実施
の形態の半導体集積回路装置の機能セルの配置方法につ
いて説明すると、この図に示す本実施の形態の機能セル
の配置方法は、従来のフローに対し、初期配置後のステ
ップS4の配置方向適正化及びステップS6の機能セル
の移動を追加している。
【0033】最初にステップS1で、回路接続情報30
2及び自動配線データベース303を基に、従来通りの
機能セル配置を行う。
【0034】次に、ステップS2で、配置された機能セ
ルのうちの前段機能セルと次段機能セルの座標を読み取
り、ステップS3で、これら前段及び次段の機能セルが
X軸又はY軸いずれかの同一座標軸上にあるかを判定す
る。
【0035】同一座標軸上にある場合はステップS4
へ、また同一座標軸上にない場合はステップS6へ進
み、機能セルの配置方向及び配置位置を適正化する。
【0036】ステップS5で、全ての信号配線を適正化
したかを確認し、適正化された時点で機能セルの配置フ
ローを終了する(ステップS7)。
【0037】配置方向適正化ステップS4の詳細フロー
をフローチャートで示す図6を参照すると、まず、ステ
ップS41で、機能セルの配置座標を読み取り、ステッ
プS42で、同一座標軸がX軸とY軸のいずれであるか
を判定する。
【0038】X軸が同一座標軸である場合、両座標の差
から正負を判断し適正な方向を決定する(ステップS4
3〜S46)。
【0039】同様にY軸上にある場合も適正な方向を決
定する(ステップS47〜S50)。
【0040】機能セルの移動ステップS6の詳細フロー
をフローチャートで示す図7を参照すると、まず、ステ
ップS61で、前段機能セルと次段機能セルのX座標,
Y座標の各々の差を抽出し、さらにステップS62で、
その差を抽出する。その差から機能セルの移動座標軸を
決定する(ステップS63)。機能セルの移動先は、ス
テップS62の計算結果の値の正負から判断する(ステ
ップS64,S65)。
【0041】ステップS63の判定結果、次段機能セル
をY座標方向に移動する場合は、ステップS64で、次
段機能セルをY座標で座標Dだけ移動の後、ステップS
66で、機能セルの移動先に既に他の機能セルが置かれ
ていないかを判定し、置かれていた場合は両者のタイミ
ング設計上の優先度を比較し(ステップS67)、優先
度の低い方の機能セルを移動させる(ステップS68,
S69)。
【0042】ステップS63の判定結果、機能セルをX
座標に移動する場合は、ステップS65で、次段機能セ
ルをX座標で座標Cだけ移動の後、ステップS70で、
X軸の処理ステップS66〜S69と同様の処理を行
う。
【0043】次に、図5、図6及び図7を再度参照し
て、本実施の形態の機能セル配置方法のフロー動作につ
いて説明すると、まず、ステップS1で機能セルを配置
し、ステップS2で、前段及び次段の各機能セルの配置
位置の座標を読み取る。次に、ステップS3で前段及び
次段の各機能セルの配置位置が同一座標軸上にあるかを
判断し、X軸又はY軸のいずれかの同一座標軸上にある
場合は、ステップS4に、またX軸又はY軸のいずれの
同一座標軸上にもない場合はステップS6にそれぞれ進
む。
【0044】前段及び次段の各機能セルの配置位置が同
一座標軸上にあり、ステップS4に進んだ場合は、ま
ず、ステップS41で各機能セルの配置座標を読み取っ
た後、次段の機能セルのY座標と、前段の機能セルのY
座標との差を取り、ステップS42で差の値が0である
か又は、0以外かの判断を行う。0の場合、同一X軸上
に配置されていると判断する。
【0045】次にステップS43で次段のX座標と前段
のX座標との差をとり、ステップS44でこの差値の正
負を判断する。
【0046】正の場合、前段の機能セルが左、次段の機
能セルが右にあると判断し、これら両機能セル間の信号
の流れは左から右に向かっていることが分かる。
【0047】したがって、図3に示したような入力・出
力各端子配列を有する機能セル3を配置する場合、前段
の機能セルの出力端子と次段の機能セルの各入力端子を
対面させるため両者共配置方向を90°と決定する。
【0048】また、ステップS44にて、上記とは逆
に、前段の機能セルが右、次段の機能セルが左にあると
判断した場合、同様に配置方向を270°と決定する。
【0049】また、ステップS42で、前段及び次段の
各機能セルがY軸上に配置されていると判断した場合
も、同様の手法のステップS47〜S50で、これら前
段及び次段の各機能セルの方向を決定する。
【0050】これで、前段の機能セルの出力端子と次段
の入力端子が同一座標軸上で対向するように配置され、
自動配線ツールの直線配線を優先する特性である配線直
線性より正相,逆相の各配線が同一長さでしかも最短距
離で接続される。
【0051】前段及び次段の各機能セルの配置位置が同
一座標軸上になく、ステップS6に進んだ場合は、ま
ず、ステップS61で次段と前段の機能ブロックのX座
標、Y座標それぞれの差を計算し、ステップS62でさ
らにその計算結果同士の差をとる。
【0052】本実施の形態では、XまたはY座標の距離
の短い方に移動させるため、ステップS63で、この値
の正負を判断する。この値が正の場合は次段の機能セル
のY座標を移動させ、また負の場合はX座標を移動させ
る。
【0053】Y座標を移動させる場合は、移動前の次段
の機能セルのY座標と前段の機能セルのY座標の差の距
離を、またX座標を移動させる場合は、同様に、X座標
の差の距離だけ移動させる。
【0054】ここで、図4を再度参照すると、機能セル
121,124,155のように、信号の流れる向き
が、機能セル125を介して90゜変わる場合は、配線
W3Bに着目し、機能セル124の出力端子座標と機能
セル155の入力端子座標とを揃える様、機能セル15
5の配置座標を決定する。
【0055】さらにステップS64でY座標を移動させ
た場合、ステップS66で移動先に他の機能セルが配置
されていないかを判断させる。配置された全ての機能セ
ルに対し、移動先の配置座標と比較して同一の座標がな
いかを判断し、あった場合はステップS67で両者の優
先度を比較する。
【0056】クリティカルパス情報301より移動先の
機能セルの方が優先度が高い場合はステップS68で移
動した機能セルのY座標を1セルずつ移動し、他の機能
セルとの重複がなくなるまでこれを繰り返す。
【0057】さらに、ステップS2に戻り、ステップS
4の各処理にて方向を適正化する。
【0058】これを順次、次段の機能セルへと繰り返し
全ての機能セルを同一のX軸又はY軸上に配置する。
【0059】また、ステップS63で、次段の機能セル
のX座標を移動させると判断した場合も、Y軸の移動処
理ステップS66〜S69と同様の処理ステップS70
で機能セルを移動し配置位置及び方向を適正化する。
【0060】次に、図4に示した第3の実施の形態の半
導体集積回路装置のセルアレイを用いて本実施の形態の
処理フローについて説明すると、この図には第1の実施
の形態の機能セル1を内部論理領域上にアレイ配列し、
さらにこれら機能セルの端子間を接続した機能セル11
1〜115,121〜124,131〜135,141
〜144,151〜155を示す。
【0061】ここで、本実施の形態の配置配線フローに
関係する機能セル113、153,155,121,1
24について再度述べると、上述したように、機能セル
113,153,155は、セル上辺に入力端子TI,
TIBをセル下辺に出力端子TO,TOBをそれぞれ備
え、いわゆる0°方向に配置される。また、機能セル1
21,124は、セル左辺に入力端子TI,TIBをセ
ル右辺に出力端子TO,TOBをそれぞれ備え、いわゆ
る90°方向に配置される。
【0062】機能セル113の出力と機能セル153の
入力とを正相信号配線W1,逆相信号配線W1Bで接続
している。
【0063】また、機能セル121の出力と機能セル1
24の入力とを正相信号配線W2,逆相信号配線W2B
で接続し、さらに、機能セル124の出力と機能セル1
55の入力とを正相信号配線W3,逆相信号配線W3B
で接続している。
【0064】機能セルのサイズが、セル長L1を100
μm、辺の長さD1を50μm、辺の長さD2を25μ
mの場合、1行分アレイピッチはX方向が100μm、
Y方向がその1.5倍の150μmとなる。
【0065】また機能セルの入力端子TI,TIB及び
出力端子TO,TOBがセル端から10μmの距離にあ
るとすると、機能セル113と153の間の信号の流れ
は機能セル113から153へ向かっているため、両者
の配置方向は0゜となり、機能セル113の出力端子と
機能セル153の入力端子は同一Y軸上で対向する。
【0066】この間を自動配線すると端子間距離は2セ
ル分の200μmと各機能セル内のセル端と端子までの
距離の和となり、220μmとなる。また、正相と逆相
の各端子位置は同一Y座標で同一X軸上にあるため両者
の長さは同じになる。
【0067】従来のセル構造では、正相,逆相のうちの
短い方の配線が200μmでも、長い方が300μmで
接続されていれば、短い方に100μmの冗長な配線を
付加する必要があったが、本発明では両者共200μm
の配線長となり、従来に比べこの冗長な100μmによ
る遅延や、タイミングマージン及びパワーの増加を防ぐ
ことができる。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路装置及びその機能セルの配置方法は、機能セル
が、このセルの中心点に対して90°毎に回転対称とな
るように素子を配置した十文字型の構造を有することに
より、前段の機能セルの出力端子と次段の機能セルの入
力端子を同一座標軸上に対向させることで最短距離で配
線できるため、CMLの正相,逆相の各信号を冗長な配
線の付加なく、両者のインピーダンスを合わせることに
より遅延や、タイミングマージン及びパワーの増加を防
ぐことができるという効果がある。
【0069】また、自動配線前に機能セルを最適配置す
ることにより、自動配線後のタイミング検証による配線
長調整や配置修正の必要がなくなるため品種設計のTA
Tを短縮できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路装置の第1の実施の形
態のセル構造を示すレイアウト図である。
【図2】本発明の半導体集積回路装置の第2の実施の形
態のセル構造を示すレイアウト図である。
【図3】自動配線対象の2つの機能セルの接続用の入力
端子及び出力端子の各位置の例を示すレイアウト図であ
る。
【図4】本発明の半導体集積回路装置の第3の実施の形
態のセルアレイの構造を示すレイアウト図である。
【図5】本発明の半導体集積回路装置の第4の実施の形
態の機能セル配置方法における動作の一例を示すフロー
チャートである。
【図6】本実施の形態の機能セル配置方向適正化の詳細
を示すフローチャートである。
【図7】本実施の形態の機能セルの移動の詳細を示すフ
ローチャートである。
【図8】CML機能セルの論理接続図及び回路及び動作
波形をそれぞれ示す回路図及びタイムチャートである。
【図9】従来の半導体集積回路装置のセル構造及びセル
アレイ構造の各々の一例を示すレイアウト図である。
【図10】従来の半導体集積回路装置の機能セル配置方
法における動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
1,2,3,111〜115,121〜124,131
〜135,141〜144,151〜155,401,
402,511〜514 機能セル 11 トランジスタ 12 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/82 H01L 27/118

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号及び出力信号が相補の信号であ
    るカレントモードロジック(CML)型論理回路を構成
    する素子を配置した機能セルを搭載する半導体集積回路
    装置において、 前記機能セルが、このセルの中心点に対して90°毎に
    回転対称となるように前記素子を配置した十文字型の構
    造を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 入力信号及び出力信号が相補の信号であ
    るカレントモードロジック(CML)型論理回路を構成
    する素子を配置した機能セルを搭載する半導体集積回路
    装置において、 前記機能セルが、前記素子をセルの中心を通るX軸及び
    Y軸に対して線対称に折り返して配置した十文字型の構
    造を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の機能セルを第1の
    座標に配置し、前記第1の座標から前記セルの第1の方
    向の第1のサイズのピッチでこの第1の方向に複数個の
    前記機能セルを配列し、前記セルの第2の方向の第2の
    サイズの1.5倍のピッチでこの第2の方向に複数個の
    前記機能セルを配列した第1のセルアレイと、 前記第1の座標から前記第1の方向に前記第1のサイズ
    の1/2倍の距離分シフトし、前記第2の方向に前記第
    2のサイズの3/4倍の距離分シフトした第2の座標か
    ら前記セルの第1の方向の第1のサイズのピッチでこの
    第1の方向に複数個の前記機能セルを配列し、前記セル
    の第2の方向の第2のサイズの1.5倍のピッチでこの
    第2の方向に複数個の前記機能セルを配列した第2のセ
    ルアレイとから成るセルアレイ構造を有することを特徴
    とする半導体集積回路装置。
  4. 【請求項4】記機能セルの入力端子位置と出力端子
    位置とを、前記機能セル間の自動配線用の配線格子にお
    けるX軸又はY軸の同一の座標軸上に配置することを特
    徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体集積回路装
    置。
  5. 【請求項5】 入力信号及び出力信号が相補の信号であ
    るカレントモードロジック(CML)型論理回路を構成
    する素子をセルの中心点に対して90°毎に回転対称と
    なるように配置した十文字型の構造を有する機能セルを
    搭載した半導体集積回路装置の機能セルの配置方法にお
    いて、 回路接続データ及び自動配線データベースを基に前記回
    路接続データの各信号配線の前段及び次段の機能セルの
    座標を読み取る座標読み取りステップと、 前記前段及び次段の機能セルが、X軸またはY軸に対し
    同一座標軸上にあるか否かを判断し、同一座標軸上にあ
    る場合前記前段及び次段の両機能セルの配置方向を適正
    化する配置方向適正化ステップと、 同一座標軸上にない場合、前記機能セルの配置位置及び
    配置方向を適正化する移動適正化ステップとを有するこ
    とを特徴とする半導体集積回路装置の機能セルの配置方
    法。
  6. 【請求項6】 前記配置方向適正化ステップが、前記信
    号配線の前段及び次段の機能セルの配置座標からこれら
    前記前段及び次段の機能セルの相対位置関係を求め信号
    の伝達方向を検出する信号伝達方向検出ステップと、 前段のの機能セルの出力端子を次段の機能セルの入力端
    子に対向させる端子対向ステップとを有することを特徴
    とする請求項5記載の半導体集積回路装置の機能セルの
    配置方法。
  7. 【請求項7】 前記移動適正化ステップが、前記信号配
    線の前段及び次段の機能セルがX軸及びY軸共同一座標
    軸上にない場合、前段及び次段の機能セルの配置座標か
    ら次段の機能セルの移動座標軸及び移動方向を決定し適
    正な位置に移動する移動ステップを有することを特徴と
    する請求項5記載の半導体集積回路装置の機能セルの配
    置方法。
JP04565298A 1998-02-26 1998-02-26 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法 Expired - Fee Related JP3169883B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04565298A JP3169883B2 (ja) 1998-02-26 1998-02-26 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法
KR1019990006135A KR100309304B1 (ko) 1998-02-26 1999-02-24 반도체 집적회로 장치 및 기능 셀의 배치방법
EP99103677A EP0939445A3 (en) 1998-02-26 1999-02-25 Semiconductor integrated circuit device and method of arranging functional cell
US09/258,571 US6075260A (en) 1998-02-26 1999-02-26 Semiconductor integrated circuit device and method of arranging functional cell
CN99100797A CN1227414A (zh) 1998-02-26 1999-02-26 半导体集成电路器件和排列功能单元的方法
TW088103032A TW452964B (en) 1998-02-26 1999-02-26 Semiconductor integrated circuit device and method of arranging functional cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04565298A JP3169883B2 (ja) 1998-02-26 1998-02-26 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11251561A JPH11251561A (ja) 1999-09-17
JP3169883B2 true JP3169883B2 (ja) 2001-05-28

Family

ID=12725318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04565298A Expired - Fee Related JP3169883B2 (ja) 1998-02-26 1998-02-26 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6075260A (ja)
EP (1) EP0939445A3 (ja)
JP (1) JP3169883B2 (ja)
KR (1) KR100309304B1 (ja)
CN (1) CN1227414A (ja)
TW (1) TW452964B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8723230B2 (en) 2009-11-20 2014-05-13 Masaki Yoshimura Semiconductor device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI221656B (en) * 2001-10-24 2004-10-01 Sanyo Electric Co Semiconductor integrated circuit device
TW579576B (en) * 2001-10-24 2004-03-11 Sanyo Electric Co Semiconductor circuit
KR100448901B1 (ko) * 2002-08-23 2004-09-16 삼성전자주식회사 종결 회로를 갖는 반도체 집적 회로의 레이아웃
US20060286754A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Eiichi Hosomi Semiconductor device with interface circuit and method of configuring semiconductor devices
CN101452496B (zh) * 2007-12-06 2010-09-22 英业达股份有限公司 获取信号线的布设路径的方法
JP7093020B2 (ja) * 2017-05-15 2022-06-29 株式会社ソシオネクスト 半導体集積回路装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2018021B (en) * 1978-04-01 1982-10-13 Racal Microelect System Uncommitted logic cells
WO1985000468A1 (en) * 1983-07-14 1985-01-31 Advanced Micro Devices, Inc. A semiconductor die having undedicated input/output cells
JPS6027145A (ja) * 1983-07-25 1985-02-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS63107144A (ja) * 1986-10-24 1988-05-12 Hitachi Ltd 半導体装置
EP0466463A1 (en) * 1990-07-10 1992-01-15 Kawasaki Steel Corporation Basic cell and arrangement structure thereof
US5187556A (en) * 1990-08-13 1993-02-16 Kawasaki Steel Corporation Cmos master slice
JP2508386B2 (ja) * 1990-08-29 1996-06-19 三菱電機株式会社 集積回路のレイアウト構造
WO1993005537A1 (en) * 1991-09-02 1993-03-18 Seiko Epson Corporation Semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8723230B2 (en) 2009-11-20 2014-05-13 Masaki Yoshimura Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0939445A2 (en) 1999-09-01
EP0939445A3 (en) 2001-10-24
KR100309304B1 (ko) 2001-09-26
KR19990072900A (ko) 1999-09-27
JPH11251561A (ja) 1999-09-17
TW452964B (en) 2001-09-01
CN1227414A (zh) 1999-09-01
US6075260A (en) 2000-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4926066A (en) Clock distribution circuit having minimal skew
JP3169883B2 (ja) 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法
JPS60263491A (ja) 配線相互接続構造体
CN116629186A (zh) 两级全差分运算放大器的版图设计方法和版图布局结构
US4866303A (en) ECL gate array with collector resistance compensation for distance from power supply pad
JP3144114B2 (ja) 半導体装置
US6489811B2 (en) Logic gate with symmetrical propagation delay from any input to any output and a controlled output pulse width
US5418385A (en) Semiconductor devices using potential wells or resistive elements as delay elements and apparatus for forming such devices
JP3550271B2 (ja) フィルタ回路
JP3273683B2 (ja) 半導体集積回路
JP2972713B2 (ja) 半導体集積回路製造装置および半導体集積回路の配線方法、並びに記録媒体
JP2004031407A (ja) 半導体集積回路とその設計方法及び設計装置
JPH0422026B2 (ja)
JP3006804B2 (ja) ゲートアレイ型半導体集積回路装置およびそのクロックドライバのクロックスキューの調整方法
JPS643056B2 (ja)
JPH0793359B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP3141444B2 (ja) 集積回路自動レイアウトシステム
JP2811740B2 (ja) 集積回路
JPH0850604A (ja) クロックスキュー防止レイアウト設計方法
JP3062149B2 (ja) 自動配線方法
JP2872174B2 (ja) マスタースライス方式の半導体集積回路及びそのレイアウト方法
JP2000148283A (ja) 半導体集積回路装置とシステム
JP3003151B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法
JPH0669339A (ja) 半導体装置
JPS60218856A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20010227

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees