JP3163284B2 - メタ硼酸塩構造を持つ発光物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は、慣用の発光物に比較して
改善された発光性および短い波長の紫外線光の影響に対
して優れた安定性を有する活性化された種々のメタ硼酸
塩構造の発光物に関し、このものはあらゆる種類および
あらゆる構造の発光性スクリーン、特にＨｇ−低圧放電
灯において使用するのに適している。
改善された発光性および短い波長の紫外線光の影響に対
して優れた安定性を有する活性化された種々のメタ硼酸
塩構造の発光物に関し、このものはあらゆる種類および
あらゆる構造の発光性スクリーン、特にＨｇ−低圧放電
灯において使用するのに適している。
【０００２】発光物ランプ、殊にコンパクト発光物ラン
プおよび三帯域発光物ランプ(Dreibandenleuchtstoffla
mpen) の緑成分として，約５４１〜５４３ｎｍの極大波
長を有する典型的なテルビウム−発光をベースとする細
い狭い帯状に発光する化合物を使用するのが特に有利で
ある。かゝる化合物には、最も重要な代表例としての発
光物のセリウム−マグネシウム−アルミン酸塩：オース
トリア特許第３５１６３５号明細書のＴｂ（ＣＡＴ）、
ランタン燐酸塩：ドイツ特許第３３２６９２１号明細書
および米国特許第４，８９１，５５０号明細書のＣｅ，
Ｔｂ（ＬＡＰ）並びにランタン燐酸塩−珪酸塩：ドイツ
特許第３２４８８０９号明細書のＣｅ，Ｔｂ（ＬＡＰ
Ｓ）およびＹ2 ＳｉＯ5 ：ヨーロッパ特許第３７６８８
号明細書のＣｅ，Ｔｂがある。これらの全ての発光物は
高い温度安定性および光収率（Leichtausbeute) に特徴
がある。これらの化合物の欠点は、１３００〜１６００
℃の製造温度を必要とすることに起因して、製造コスト
が高いことである。
プおよび三帯域発光物ランプ(Dreibandenleuchtstoffla
mpen) の緑成分として，約５４１〜５４３ｎｍの極大波
長を有する典型的なテルビウム−発光をベースとする細
い狭い帯状に発光する化合物を使用するのが特に有利で
ある。かゝる化合物には、最も重要な代表例としての発
光物のセリウム−マグネシウム−アルミン酸塩：オース
トリア特許第３５１６３５号明細書のＴｂ（ＣＡＴ）、
ランタン燐酸塩：ドイツ特許第３３２６９２１号明細書
および米国特許第４，８９１，５５０号明細書のＣｅ，
Ｔｂ（ＬＡＰ）並びにランタン燐酸塩−珪酸塩：ドイツ
特許第３２４８８０９号明細書のＣｅ，Ｔｂ（ＬＡＰ
Ｓ）およびＹ2 ＳｉＯ5 ：ヨーロッパ特許第３７６８８
号明細書のＣｅ，Ｔｂがある。これらの全ての発光物は
高い温度安定性および光収率（Leichtausbeute) に特徴
がある。これらの化合物の欠点は、１３００〜１６００
℃の製造温度を必要とすることに起因して、製造コスト
が高いことである。
【０００３】５４２ｎｍの所に発光極大値を有する別の
発光物には、ガドリニウム−マグネシウム−五硼酸塩：
ヨーロッパ特許第２３０６８号明細書に記載されている
Ｃｅ，Ｔｂがある。発光物ＣＢＴの特徴は、１０００℃
より僅かに上の比較的低い製造温度である。安定性が高
くそして発光性が良いので、このものは使用する際に発
光物のＣＡＴ、ＬＡＰ、ＬＡＰＳおよびＹ2 ＳｉＯ5 ：
Ｃｅ，Ｔｂと同等であるが、不均一な粒度の比較的に粗
粒でそして加工し難いという殆どの硼酸塩発光物の欠点
を有している。
発光物には、ガドリニウム−マグネシウム−五硼酸塩：
ヨーロッパ特許第２３０６８号明細書に記載されている
Ｃｅ，Ｔｂがある。発光物ＣＢＴの特徴は、１０００℃
より僅かに上の比較的低い製造温度である。安定性が高
くそして発光性が良いので、このものは使用する際に発
光物のＣＡＴ、ＬＡＰ、ＬＡＰＳおよびＹ2 ＳｉＯ5 ：
Ｃｅ，Ｔｂと同等であるが、不均一な粒度の比較的に粗
粒でそして加工し難いという殆どの硼酸塩発光物の欠点
を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、標準
的発光ランプでもコンパクトな省エネルギーランプでも
並びに最近の発光ランプでも使用することができる更に
改善された発光性および加工性を有する発光物を提供す
ることである。
的発光ランプでもコンパクトな省エネルギーランプでも
並びに最近の発光ランプでも使用することができる更に
改善された発光性および加工性を有する発光物を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、一般式 (Y,La)1-x-y-z Cex Gdy Tbz (Z)1-p Mn p B5-q-s (Al,Ga) q (X) s O10 ［式中、(Y,La)は Yおよび／またはLaを、そしてＺはM
g、ZnまたはCdを意味しそしてX はSi、Ge、P 、Zr、V
、Nb、TaまたはW であり、そして更に である。］で表される希土類金属−メタ硼酸塩をベース
とすることを特徴とする、発光物によって解決される。
g、ZnまたはCdを意味しそしてX はSi、Ge、P 、Zr、V
、Nb、TaまたはW であり、そして更に である。］で表される希土類金属−メタ硼酸塩をベース
とすることを特徴とする、発光物によって解決される。
【０００６】これらの発光性化合物は全て、ＬｎＭｇＢ
5 Ｏ10のスペースグループ(Raumgruppe)Ｐ２1 ／ｃに匹
敵し得るスペスグループＰ２1 ／ｃを有する単結晶系の
スペース構造を検出可能に有する（Ｂ．Ｓａｕｂａｔ，
Ｍ．ＶｌａｓｓｅおよびＣ．Ｆｏｕａｓｓｉｅｒ，”
Ｊ．ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．３４
（１９８０）３、第２７１〜２７７頁）。
5 Ｏ10のスペースグループ(Raumgruppe)Ｐ２1 ／ｃに匹
敵し得るスペスグループＰ２1 ／ｃを有する単結晶系の
スペース構造を検出可能に有する（Ｂ．Ｓａｕｂａｔ，
Ｍ．ＶｌａｓｓｅおよびＣ．Ｆｏｕａｓｓｉｅｒ，”
Ｊ．ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｈｅｍ．３４
（１９８０）３、第２７１〜２７７頁）。
【０００７】本発明の発光物は５４２ｎｍのところに発
光極大をおよび／または６３０ｎｍのところに広い発光
バンドを有する。発光バンド極大のこの擦れは取り込ま
れる元素Ｘの量および種類に強く関係している。以下に
本発明を色々な実施例によって実験結果で詳細に説明す
る。本発明の発光物および試料の実験結果を表１〜５お
よび図１〜３に掲載する。
光極大をおよび／または６３０ｎｍのところに広い発光
バンドを有する。発光バンド極大のこの擦れは取り込ま
れる元素Ｘの量および種類に強く関係している。以下に
本発明を色々な実施例によって実験結果で詳細に説明す
る。本発明の発光物および試料の実験結果を表１〜５お
よび図１〜３に掲載する。
【０００８】表１〜４において、ｒｅｌ．Ｉｎｔ＝発光
極大における相対的発光強度；ｒｅｌ．Ｉｎｔｅｎｓｉ
ｔａｅｔ＝相対的積分発光強度およびｑ＝相対的量子収
率を意味する。量子収率を比較するための基準として、
Ｊ．ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ４８／４９（１
９９１）、第５３頁にＷｅｌｋｅｒによっておよびＭａ
ｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．ａｎｄ Ｐｈｙｓ．１６（１９８
７）、第２９２頁にＳｍｅｔｓによって詳述された非置
換の発光試料（Ｘ＝０）を使用する。図１には実施例１
（表１の例Ｎｏ．２）に記載されているのと同じ発光体
ＢＳＣＴについての特徴的な発光スペクトルを示してい
る。このメタ硼酸塩発光体は５４２ｎｍの波長の所に狭
い吸収バンドの典型的なＴｂ3+発光および三つの小さな
線群を示す。図２は、実施例３（表２の例Ｎｏ．９）に
記載されているのと同じ発光体ＢＳＣＭの発光スペクト
ルを示している。このメタ硼酸発光体は６２８ｎｍの波
長の所に広い吸収バンドのＭｎ2+−イオンの代表的なス
ペクトルを出す。図３は実施例５（表３の例Ｎｏ．１
４）に記載されているのと同じ発光体ＢＳＣＴＭの発光
スペクトルを示している。このメタ硼酸発光体のこのス
ペクトルは５４２ｎｍの波長の所に緑色の狭い吸収バン
ドＴｂ3+発光並びに約６３０ｎｍの波長の所に幅広い吸
収バンドＭｎ2+発光を示す。
極大における相対的発光強度；ｒｅｌ．Ｉｎｔｅｎｓｉ
ｔａｅｔ＝相対的積分発光強度およびｑ＝相対的量子収
率を意味する。量子収率を比較するための基準として、
Ｊ．ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ４８／４９（１
９９１）、第５３頁にＷｅｌｋｅｒによっておよびＭａ
ｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．ａｎｄ Ｐｈｙｓ．１６（１９８
７）、第２９２頁にＳｍｅｔｓによって詳述された非置
換の発光試料（Ｘ＝０）を使用する。図１には実施例１
（表１の例Ｎｏ．２）に記載されているのと同じ発光体
ＢＳＣＴについての特徴的な発光スペクトルを示してい
る。このメタ硼酸塩発光体は５４２ｎｍの波長の所に狭
い吸収バンドの典型的なＴｂ3+発光および三つの小さな
線群を示す。図２は、実施例３（表２の例Ｎｏ．９）に
記載されているのと同じ発光体ＢＳＣＭの発光スペクト
ルを示している。このメタ硼酸発光体は６２８ｎｍの波
長の所に広い吸収バンドのＭｎ2+−イオンの代表的なス
ペクトルを出す。図３は実施例５（表３の例Ｎｏ．１
４）に記載されているのと同じ発光体ＢＳＣＴＭの発光
スペクトルを示している。このメタ硼酸発光体のこのス
ペクトルは５４２ｎｍの波長の所に緑色の狭い吸収バン
ドＴｂ3+発光並びに約６３０ｎｍの波長の所に幅広い吸
収バンドＭｎ2+発光を示す。
【０００９】
実施例１： 表１の例Ｎｏ．２に従う下記式の発光物 Ｇｄ0.6 Ｃｅ0.2 Ｔｂ0.2 ＭｇＡｌ0.1 Ｓｉ0.05Ｂ4.85
Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 ５．１７６ｇ ＣｅＯ2 ０．４３１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 １．３６０ｇ ＭｇＣＯ3 １．２３０ｇ（０．０５モル過剰） ＳｉＯ2 ０．０３８ｇ Ｔｂ4 Ｏ7 ０．４６７ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．０６４ｇ 製造：酸化物状態の原料または酸化物に転化され得る物
質を、上記の比で０．０５モル過剰のマグネシウムおよ
び反応条件次第で５％〜５０％過剰の硼酸と混合し、６
００℃で３０分予備加熱する。中間生成物を粉砕した後
にこれを再び鋼玉製坩堝中で１０３５℃に加熱しそして
この反応温度において窒素／水素−混合物中での還元条
件のもとで３時間か焼する。最終生成物を水で洗浄し、
乾燥しそして分級する。得られる化合物は、図１に示す
通り、５４２ｎｍの発光極大を有する。
Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 ５．１７６ｇ ＣｅＯ2 ０．４３１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 １．３６０ｇ ＭｇＣＯ3 １．２３０ｇ（０．０５モル過剰） ＳｉＯ2 ０．０３８ｇ Ｔｂ4 Ｏ7 ０．４６７ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．０６４ｇ 製造：酸化物状態の原料または酸化物に転化され得る物
質を、上記の比で０．０５モル過剰のマグネシウムおよ
び反応条件次第で５％〜５０％過剰の硼酸と混合し、６
００℃で３０分予備加熱する。中間生成物を粉砕した後
にこれを再び鋼玉製坩堝中で１０３５℃に加熱しそして
この反応温度において窒素／水素−混合物中での還元条
件のもとで３時間か焼する。最終生成物を水で洗浄し、
乾燥しそして分級する。得られる化合物は、図１に示す
通り、５４２ｎｍの発光極大を有する。
【００１０】実施例２： 表１の例Ｎｏ．５に従う下記
式の発光物 Ｇｄ0.6 Ｃｅ0.2 Ｔｂ0.2 ＭｇＡｌ0.1 Ｓｉ0.1 Ｂ4.80
Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 ５．１７６ｇ ＣｅＯ2 ０．４３１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 １．３６０ｇ ＭｇＣＯ3 １．２３０ｇ（０．０５モル過剰） ＳｉＯ2 ０．０７５ｇ Ｔｂ4 Ｏ3 ０．４６７ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．０６４ｇ 製造：製造は表１の例Ｎｏ．２と同様に行なう。得られ
る発光物は５４２ｎｍの発光極大を有する。
式の発光物 Ｇｄ0.6 Ｃｅ0.2 Ｔｂ0.2 ＭｇＡｌ0.1 Ｓｉ0.1 Ｂ4.80
Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 ５．１７６ｇ ＣｅＯ2 ０．４３１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 １．３６０ｇ ＭｇＣＯ3 １．２３０ｇ（０．０５モル過剰） ＳｉＯ2 ０．０７５ｇ Ｔｂ4 Ｏ3 ０．４６７ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．０６４ｇ 製造：製造は表１の例Ｎｏ．２と同様に行なう。得られ
る発光物は５４２ｎｍの発光極大を有する。
【００１１】実施例３： 表２の例Ｎｏ．９に従う下記
式の発光物 Ｇｄ0.8 Ｃｅ0.2 Ｍｇ0.9 Ｍｎ0.1 Ａｌ0.1 Ｓｉ0.05Ｂ
4.85Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 １２．７４８ｇ ＣｅＯ2 １．２９１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 ５．４３９ｇ ＭｇＣＯ3 ３．３４２ｇ（０．０５モル過剰） ＭｎＣＯ3 ０．４３１１ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．１９１１ｇ ＳｉＯ2 ０．１１３ｇ 製造：原料を良く混合し、室温で炉に導入しそして窒素
雰囲気で５６０℃に加熱する。３０分の保持時間の後に
中間生成物を除き、粉砕する。粉砕された中間生成物を
再度、炉に導入し、その後に還元条件のもとで１０１５
℃で４時間に渡ってか焼する。５００℃に冷却した後
に、微細結晶の最終生成物を攪拌下に８０℃の温水で３
０分に渡って洗浄しそしてその後に乾燥する。こうして
得られる化合物は６２８ｎｍの極大を有する発光バンド
を示す。発光スペクトルを図２に示す。
式の発光物 Ｇｄ0.8 Ｃｅ0.2 Ｍｇ0.9 Ｍｎ0.1 Ａｌ0.1 Ｓｉ0.05Ｂ
4.85Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 １２．７４８ｇ ＣｅＯ2 １．２９１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 ５．４３９ｇ ＭｇＣＯ3 ３．３４２ｇ（０．０５モル過剰） ＭｎＣＯ3 ０．４３１１ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．１９１１ｇ ＳｉＯ2 ０．１１３ｇ 製造：原料を良く混合し、室温で炉に導入しそして窒素
雰囲気で５６０℃に加熱する。３０分の保持時間の後に
中間生成物を除き、粉砕する。粉砕された中間生成物を
再度、炉に導入し、その後に還元条件のもとで１０１５
℃で４時間に渡ってか焼する。５００℃に冷却した後
に、微細結晶の最終生成物を攪拌下に８０℃の温水で３
０分に渡って洗浄しそしてその後に乾燥する。こうして
得られる化合物は６２８ｎｍの極大を有する発光バンド
を示す。発光スペクトルを図２に示す。
【００１２】実施例４： 表２の例Ｎｏ．１１に従う下
記式の発光物 Ｇｄ0.8 Ｃｅ0.2 Ｍｇ0.9 Ｍｎ0.1 Ｓｉ0.1 Ｂ4.9 Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 １２．７４８ｇ ＣｅＯ2 １．２９１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 ５．４３９ｇ ＭｇＣＯ3 ３．３４２ｇ（０．０５モル過剰） ＭｎＣＯ3 ０．４３１ｇ ＳｉＯ2 ０．２２６ｇ 製造：全ての原料を表２の例Ｎｏ．９における様に処理
するが、上記の反応温度で６時間か焼する。６２９ｎｍ
に極大を示す発光バンドを有する発光物が生じる。
記式の発光物 Ｇｄ0.8 Ｃｅ0.2 Ｍｇ0.9 Ｍｎ0.1 Ｓｉ0.1 Ｂ4.9 Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 １２．７４８ｇ ＣｅＯ2 １．２９１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 ５．４３９ｇ ＭｇＣＯ3 ３．３４２ｇ（０．０５モル過剰） ＭｎＣＯ3 ０．４３１ｇ ＳｉＯ2 ０．２２６ｇ 製造：全ての原料を表２の例Ｎｏ．９における様に処理
するが、上記の反応温度で６時間か焼する。６２９ｎｍ
に極大を示す発光バンドを有する発光物が生じる。
【００１３】実施例５： 表３の例Ｎｏ．１４に従う下
記式の発光物 Ｇｄ0.6 Ｃｅ0.2 Ｔｂ0.2 Ｍｇ0.9 Ｍｎ0.1 Ａｌ0.1 Ｓ
ｉ0.05Ｂ4.85Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 ４．８０１ｇ ＣｅＯ2 ０．４３１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 １．３６０ｇ ＭｇＣＯ3 １．１１３ｇ（０．０５モル過剰） ＭｎＣＯ3 ０．１４４ｇ ＳｉＯ2 ０．０７５ｇ Ｔｂ4 Ｏ3 ０．４６７ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．０６４ｇ 製造：原料を窒素雰囲気で５８０℃にまで加熱しそして
３０分の保持時間の後に炉から取り出し、粉砕する。中
間生成物を次いで再度、還元条件のもとで１０２５℃で
２時間に渡ってか焼する。取り出しそして粉砕した後
に、第二回目のか焼を同じ条件で行なう。冷却しそして
洗浄した生成物は、図３に示す通り、５４２ｎｍにテル
ビウムの特徴的輝線を示しそして６２８ｎｍのところに
マンガン放射バンドを示す。
記式の発光物 Ｇｄ0.6 Ｃｅ0.2 Ｔｂ0.2 Ｍｇ0.9 Ｍｎ0.1 Ａｌ0.1 Ｓ
ｉ0.05Ｂ4.85Ｏ10 原料は以下の通り： Ｈ3 ＢＯ3 ４．８０１ｇ ＣｅＯ2 ０．４３１ｇ Ｇｄ2 Ｏ3 １．３６０ｇ ＭｇＣＯ3 １．１１３ｇ（０．０５モル過剰） ＭｎＣＯ3 ０．１４４ｇ ＳｉＯ2 ０．０７５ｇ Ｔｂ4 Ｏ3 ０．４６７ｇ Ａｌ2 Ｏ3 ０．０６４ｇ 製造：原料を窒素雰囲気で５８０℃にまで加熱しそして
３０分の保持時間の後に炉から取り出し、粉砕する。中
間生成物を次いで再度、還元条件のもとで１０２５℃で
２時間に渡ってか焼する。取り出しそして粉砕した後
に、第二回目のか焼を同じ条件で行なう。冷却しそして
洗浄した生成物は、図３に示す通り、５４２ｎｍにテル
ビウムの特徴的輝線を示しそして６２８ｎｍのところに
マンガン放射バンドを示す。
【００１４】表１
【００１５】
【表１】
【００１６】表２
【００１７】
【表２】
【００１８】表３
【００１９】
【表３】
【００２０】表４
【００２１】
【表４】
【００２２】表１〜４並びに上記の実施例においては、
製造に必要とされた過剰の硼酸並びに過剰の二価のカチ
オンに基づいて、選択される置換基によって生じる、酸
素原子による電荷平衡が考慮されていないので、Ｏ10+s
の代わりに近似的に単純なＯ10を載せている。発光物Ｂ
ＳＣＴについての表１、発光物ＢＳＣＭについての表
２、発光物ＢＳＣＴＭについての表３および発光物ＢＳ
ＣＸについての表４に従う結果は、従来公知の簡単な五
硼酸塩発光物の発光性が部分的に著しく優れておいるこ
と、特に珪素を追加的に組み入れることによて、および
マンガンだけで活性化された表５のメタ硼酸塩発光物の
例の構造が従来公知の五硼酸塩発光物のそれと著しく相
違しているメタ硼酸塩発光物の図によって優れているこ
とが実証されている。ただしディフラクトメーター写真
からθ値の倍率が判る様に、格子縮小が生じる。
製造に必要とされた過剰の硼酸並びに過剰の二価のカチ
オンに基づいて、選択される置換基によって生じる、酸
素原子による電荷平衡が考慮されていないので、Ｏ10+s
の代わりに近似的に単純なＯ10を載せている。発光物Ｂ
ＳＣＴについての表１、発光物ＢＳＣＭについての表
２、発光物ＢＳＣＴＭについての表３および発光物ＢＳ
ＣＸについての表４に従う結果は、従来公知の簡単な五
硼酸塩発光物の発光性が部分的に著しく優れておいるこ
と、特に珪素を追加的に組み入れることによて、および
マンガンだけで活性化された表５のメタ硼酸塩発光物の
例の構造が従来公知の五硼酸塩発光物のそれと著しく相
違しているメタ硼酸塩発光物の図によって優れているこ
とが実証されている。ただしディフラクトメーター写真
からθ値の倍率が判る様に、格子縮小が生じる。
【００２３】表５においては例Ｎｏ．８（ＣＢＭ）では
Ｓｉ＝０を、例Ｎｏ．１０（ＢＳＣＭ）ではＳｉ＝０．
０５を，例Ｎｏ．１１（ＢＳＣＭ）ではＳｉ＝０．１を
そして例Ｎｏ．９（ＢＳＣＭ）では追加的にＳｉ＝０．
０５を意味している。同様の構造変化が全ての実験試料
の場合に生じ、中心イオンの縮小が格子の縮小を、しか
し拡大は格子の拡大をもたらす。慣用の五硼酸塩発光物
に比較して、前者の場合には発光性の改善が顕著であ
り、後者の場合には変わらないかまたは僅かな悪化が認
められる。
Ｓｉ＝０を、例Ｎｏ．１０（ＢＳＣＭ）ではＳｉ＝０．
０５を，例Ｎｏ．１１（ＢＳＣＭ）ではＳｉ＝０．１を
そして例Ｎｏ．９（ＢＳＣＭ）では追加的にＳｉ＝０．
０５を意味している。同様の構造変化が全ての実験試料
の場合に生じ、中心イオンの縮小が格子の縮小を、しか
し拡大は格子の拡大をもたらす。慣用の五硼酸塩発光物
に比較して、前者の場合には発光性の改善が顕著であ
り、後者の場合には変わらないかまたは僅かな悪化が認
められる。
【００２４】表１〜５に掲載した全ての例は、特にメタ
硼酸塩、またゲルマニウム酸塩−硼酸塩および燐酸塩−
硼酸塩がセリウム、テルビウム、ガドリウムおよびマン
ガンで活性化するための優れた基本格子であることおよ
びその非常に良好な発光性のために単独でまたは互いの
混合状態で発光スクリーンで使用することができること
が判る。特に水銀低圧放電ランプにおいて発光性層とし
て使用することができ、このことが数％の光流利得(Lic
htstromgewinnen)をもたらす。
硼酸塩、またゲルマニウム酸塩−硼酸塩および燐酸塩−
硼酸塩がセリウム、テルビウム、ガドリウムおよびマン
ガンで活性化するための優れた基本格子であることおよ
びその非常に良好な発光性のために単独でまたは互いの
混合状態で発光スクリーンで使用することができること
が判る。特に水銀低圧放電ランプにおいて発光性層とし
て使用することができ、このことが数％の光流利得(Lic
htstromgewinnen)をもたらす。
【００２５】表５
【００２６】
【表５】
【図１】図１は実施例１の発光物の発光スペクトルであ
る。
る。
【図２】図２は実施例３の発光物の発光スペクトルであ
る。
る。
【図３】図３は実施例５の発光物の発光スペクトルであ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グンドウラ・ロート ドイツ連邦共和国、17498 レーフエン ハーゲン、ドルフストラーセ、13アー (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09K 11/00 - 11/89
Claims (9)
- 【請求項１】 式 (Y,La)1-x-y-z Cex Gdy Tbz (Z）1-p Mn p B5-q-s (Al,Ga) q (X) s O10 ［式中、(Y,La)は Yおよび／またはLaを、そしてＺはM
g、ZnまたはCdを意味しそしてX はSi、Ge、P 、Zr、V
、Nb、TaまたはW であり、そして更に である。］で表されるメタ硼酸塩構造を持つ発光物。 - 【請求項２】 y = z = p = 0 でそし 0.01 ≦ x ≦
0.50 である請求項１に記載のメタ硼酸塩構造を持つ発
光物。 - 【請求項３】 z = p = 0 、0.01≦ x ≦0.50、0.05≦
y ≦0.75そしてx+y ≦ 1である請求項１に記載のメタ
硼酸塩構造を持つ珪酸塩。 - 【請求項４】 p = 0 、0.01≦ z ≦0.75および x + y
+ z = 1である請求項１に記載のメタ硼酸塩構造を持つ
発光物。 - 【請求項５】 z = 0、0.01≦ p ≦ 0.30 そして x + y
= 1である請求項１に記載のメタ硼酸塩構造を持つ発光
物 - 【請求項６】 0.01 ≦ p ≦ 0.30 、0.01≦ z ≦0.75
および x + y + z =1である請求項１に記載のメタ硼酸
塩構造を持つ発光物。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一つに記載の１
種類以上のメタ硼酸塩構造を持つ発光物発光性スクリー
ンにおいて使用する方法。 - 【請求項８】請求項１〜６のいずれか一つに記載の１種
類以上のメタ硼酸塩構造を持つ発光物を水銀蒸気低圧放
電灯の発光性層のためにまたは該発光性層において使用
する方法。 - 【請求項９】 メタ硼酸塩構造を持つ発光物を５ｍｍよ
り大きい直径を有する水銀蒸気低圧放電灯の放電用容器
の内側に配置し、その際に放電の紫外線照射電力が２０
０Ｗ／ｍ2 より大きい、請求項８に記載の方法。
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-
1998
- 1998-07-10 KR KR1019980027826A patent/KR100358573B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-07-10 JP JP19627298A patent/JP3163284B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-10 CN CN98115943A patent/CN1105765C/zh not_active Expired - Fee Related
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