JP3162883B2 - 情報記録再生装置 - Google Patents
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- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- G—PHYSICS
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/002—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by perturbation of the physical or electrical structure
- G11B11/007—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by perturbation of the physical or electrical structure with reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as defined in G11B9/14
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- G11B20/18—Error detection or correction; Testing, e.g. of drop-outs
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- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/943—Information storage or retrieval using nanostructure
- Y10S977/947—Information storage or retrieval using nanostructure with scanning probe instrument
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は走査型プローブ顕微鏡を
応用した高密度記録再生装置において、プローブを記録
媒体に接触させて情報の記録再生を行う情報記録再生装
置に関するものである。
応用した高密度記録再生装置において、プローブを記録
媒体に接触させて情報の記録再生を行う情報記録再生装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、米国特許第４３４３９９３号に記
載されているようなナノメートル以下の分解能で導電性
物質表面を観察可能な走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴ
Ｍと略す）が開発され、金属・半導体表面の原子配列、
有機分子の配向等の観察が原子・分子スケールでなされ
ている。また、ＳＴＭ技術を発展させ、絶縁物質等の表
面をＳＴＭと同様の分解能で観察可能な原子間力顕微鏡
（以下ＡＦＭと略す）も開発された（米国特許第４７２
４３１８号）。
載されているようなナノメートル以下の分解能で導電性
物質表面を観察可能な走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴ
Ｍと略す）が開発され、金属・半導体表面の原子配列、
有機分子の配向等の観察が原子・分子スケールでなされ
ている。また、ＳＴＭ技術を発展させ、絶縁物質等の表
面をＳＴＭと同様の分解能で観察可能な原子間力顕微鏡
（以下ＡＦＭと略す）も開発された（米国特許第４７２
４３１８号）。
【０００３】このＳＴＭの原理を応用し、記録媒体に対
してプローブを原子、分子スケールでアクセスし、記録
再生を行うことにより、高密度メモリーを実現するとい
う提案がなされている（米国特許第４５７５８２２号、
日本特開昭６３−１６１５５２、１６１５５３号）。
してプローブを原子、分子スケールでアクセスし、記録
再生を行うことにより、高密度メモリーを実現するとい
う提案がなされている（米国特許第４５７５８２２号、
日本特開昭６３−１６１５５２、１６１５５３号）。
【０００４】さらに、ＳＴＭとＡＦＭとを組み合わせた
装置構成の高密度メモリーに関して、ＳＴＭ構成で探針
−記録媒体間に電圧を印加することにより記録を行い、
ＡＦＭ構成で記録ビット形状を検出することにより再生
を行う記録再生装置や、記録及び再生中の探針位置制御
をＡＦＭの原理を応用して行う記録再生装置や、探針を
支持する弾性体の変形を利用して、記録及び再生中に探
針を記録媒体表面をなする記録再生装置の提案もなされ
ている（日本特開平１−２４５４４５、特開平４−３２
１９５５、特開平３−１９４１２４）。
装置構成の高密度メモリーに関して、ＳＴＭ構成で探針
−記録媒体間に電圧を印加することにより記録を行い、
ＡＦＭ構成で記録ビット形状を検出することにより再生
を行う記録再生装置や、記録及び再生中の探針位置制御
をＡＦＭの原理を応用して行う記録再生装置や、探針を
支持する弾性体の変形を利用して、記録及び再生中に探
針を記録媒体表面をなする記録再生装置の提案もなされ
ている（日本特開平１−２４５４４５、特開平４−３２
１９５５、特開平３−１９４１２４）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のうち、ＳＴＭとＡＴＭとを組み合わせた装置構成
の記録再生装置においては、探針が記録媒体に接触した
状態で記録再生を行っている。探針が記録媒体に接触し
た状態で、探針−記録媒体間に記録のための電圧を印加
すると、接触状態では流れる電流値を制御することが困
難であるため、記録時に流れる電流により、探針先端が
破壊することがあった。また、探針先端と記録媒体とが
接触しているため、記録時に破壊が生じた記録媒体の破
片が探針先端に付着することもあった。これらの結果、
探針先端が汚染し、探針先端の分解能が低下したり、探
針先端の導電性が低下し、記録再生の信頼性が低下した
りするという問題が起こることがあった。本発明はこれ
らの問題点を解決しようとするものである。
来例のうち、ＳＴＭとＡＴＭとを組み合わせた装置構成
の記録再生装置においては、探針が記録媒体に接触した
状態で記録再生を行っている。探針が記録媒体に接触し
た状態で、探針−記録媒体間に記録のための電圧を印加
すると、接触状態では流れる電流値を制御することが困
難であるため、記録時に流れる電流により、探針先端が
破壊することがあった。また、探針先端と記録媒体とが
接触しているため、記録時に破壊が生じた記録媒体の破
片が探針先端に付着することもあった。これらの結果、
探針先端が汚染し、探針先端の分解能が低下したり、探
針先端の導電性が低下し、記録再生の信頼性が低下した
りするという問題が起こることがあった。本発明はこれ
らの問題点を解決しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の情報記録再生装置は、大気中で電流が流れ
る部分が酸化し、体積が増大することにより、凸形状の
記録ビットを生じる記録媒体と、該記録媒体表面に先端
を接触させ配置され、弾性体からなる記録再生プローブ
と、該プローブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に
相対走査させる相対走査手段と、該記録再生プローブと
該記録媒体との間に電流を流し、該記録媒体表面上の該
記録再生プローブ先端が接触している位置に情報記録を
行うための電圧を該記録再生プローブと該記録媒体との
間に印加する記録信号電圧印加手段と、該記録媒体上を
該記録再生プローブが走査する際に生じる該記録再生プ
ローブの弾性変形量を検出する弾性変形量検出手段と、
該弾性変形量検出手段から出力される弾性変形量検出信
号から、情報が記録された該記録媒体表面の該記録ビッ
ト凸形状を検知することにより、情報の再生を行う情報
再生手段と、を有することを特徴とする。
め、本発明の情報記録再生装置は、大気中で電流が流れ
る部分が酸化し、体積が増大することにより、凸形状の
記録ビットを生じる記録媒体と、該記録媒体表面に先端
を接触させ配置され、弾性体からなる記録再生プローブ
と、該プローブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に
相対走査させる相対走査手段と、該記録再生プローブと
該記録媒体との間に電流を流し、該記録媒体表面上の該
記録再生プローブ先端が接触している位置に情報記録を
行うための電圧を該記録再生プローブと該記録媒体との
間に印加する記録信号電圧印加手段と、該記録媒体上を
該記録再生プローブが走査する際に生じる該記録再生プ
ローブの弾性変形量を検出する弾性変形量検出手段と、
該弾性変形量検出手段から出力される弾性変形量検出信
号から、情報が記録された該記録媒体表面の該記録ビッ
ト凸形状を検知することにより、情報の再生を行う情報
再生手段と、を有することを特徴とする。
【０００７】本発明装置においては、以下のような方法
により好適に情報の再生を行うことができる。 （ａ）前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧印加手段
であり、前記情報再生手段が、該変調電圧による前記弾
性変形量検出信号の２次微分信号を算出する微分回路を
有し、該微分回路において算出される該２次微分信号か
ら、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再
生プローブとの間の静電容量の減少を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｂ）前記記録再生プローブと前記記録媒体との間隔を
変調する間隔駆動手段を有し、前記情報再生手段が、該
間隔変調量による前記弾性変形量検出信号の１次微分信
号を算出する微分回路を有し、該微分回路において算出
される該１次微分信号から、前記記録ビットにおける前
記記録媒体表面のヤング率の変化を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｃ）前記情報再生手段が、前記弾性変形量検出信号の
時間微分信号を算出する微分回路を有し、該微分回路に
おいて算出される該時間微分信号から、前記記録ビット
における前記記録媒体表面の凸形状を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｄ）前記弾性体が、前記記録再生プローブと前記記録
媒体との間に前記相対走査方向に作用する摩擦力によ
り、弾性変形を生じるものであり、前記弾性変形量検出
信号から、前記記録ビットにおける該摩擦力の増加を検
知し、該記録ビットの凸形状を検知することにより、情
報の再生を行う。 （ｅ）前記弾性体が、前記記録再生プローブと前記記録
媒体との間に前記相対走査方向に作用する摩擦力によ
り、弾性変形を生じるものであり、前記弾性変形量検出
信号から、前記記録ビットにおける該摩擦力の減少を検
知し、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録
再生プローブとの間の静電容量の減少を検知することに
より、情報の再生を行う。
により好適に情報の再生を行うことができる。 （ａ）前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧印加手段
であり、前記情報再生手段が、該変調電圧による前記弾
性変形量検出信号の２次微分信号を算出する微分回路を
有し、該微分回路において算出される該２次微分信号か
ら、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再
生プローブとの間の静電容量の減少を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｂ）前記記録再生プローブと前記記録媒体との間隔を
変調する間隔駆動手段を有し、前記情報再生手段が、該
間隔変調量による前記弾性変形量検出信号の１次微分信
号を算出する微分回路を有し、該微分回路において算出
される該１次微分信号から、前記記録ビットにおける前
記記録媒体表面のヤング率の変化を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｃ）前記情報再生手段が、前記弾性変形量検出信号の
時間微分信号を算出する微分回路を有し、該微分回路に
おいて算出される該時間微分信号から、前記記録ビット
における前記記録媒体表面の凸形状を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｄ）前記弾性体が、前記記録再生プローブと前記記録
媒体との間に前記相対走査方向に作用する摩擦力によ
り、弾性変形を生じるものであり、前記弾性変形量検出
信号から、前記記録ビットにおける該摩擦力の増加を検
知し、該記録ビットの凸形状を検知することにより、情
報の再生を行う。 （ｅ）前記弾性体が、前記記録再生プローブと前記記録
媒体との間に前記相対走査方向に作用する摩擦力によ
り、弾性変形を生じるものであり、前記弾性変形量検出
信号から、前記記録ビットにおける該摩擦力の減少を検
知し、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録
再生プローブとの間の静電容量の減少を検知することに
より、情報の再生を行う。
【０００８】また、本発明の情報記録再生装置は、大気
中で電力が流れる部分が酸化することにより、導電性が
減少した記録ビットを生じる記録媒体と、該記録媒体表
面に先端を接触させて配置された弾性体からなる記録再
生プローブと、該プローブと該記録媒体とを該記録媒体
面内方向に相対走査させる相対走査手段と、該記録再生
プローブと該記録媒体との間に電流を流し、該記録媒体
表面上の該記録再生プローブ先端が接触している位置に
情報記録を行うための電圧を該記録再生プローブと該記
録媒体との間に印加する記録信号電圧印加手段と、該記
録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、該記
録媒体表面上の該記録再生プローブ先端が接触している
位置の情報再生を行うための電圧を該記録再生プローブ
と該記録媒体との間に印加する再生電圧印加手段と、該
記録媒体上を該記録再生プローブが走査する際に生じる
該記録媒体と該記録再生プローブとの間に流れる電流を
検出する再生電流検出手段と、該再生電流検出手段から
出力される再生電流検出信号により、情報が記録された
該記録媒体表面の該記録ビットの導電性の減少を検知す
ることにより、情報の再生を行う情報再生手段と、を有
することを特徴とする。
中で電力が流れる部分が酸化することにより、導電性が
減少した記録ビットを生じる記録媒体と、該記録媒体表
面に先端を接触させて配置された弾性体からなる記録再
生プローブと、該プローブと該記録媒体とを該記録媒体
面内方向に相対走査させる相対走査手段と、該記録再生
プローブと該記録媒体との間に電流を流し、該記録媒体
表面上の該記録再生プローブ先端が接触している位置に
情報記録を行うための電圧を該記録再生プローブと該記
録媒体との間に印加する記録信号電圧印加手段と、該記
録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、該記
録媒体表面上の該記録再生プローブ先端が接触している
位置の情報再生を行うための電圧を該記録再生プローブ
と該記録媒体との間に印加する再生電圧印加手段と、該
記録媒体上を該記録再生プローブが走査する際に生じる
該記録媒体と該記録再生プローブとの間に流れる電流を
検出する再生電流検出手段と、該再生電流検出手段から
出力される再生電流検出信号により、情報が記録された
該記録媒体表面の該記録ビットの導電性の減少を検知す
ることにより、情報の再生を行う情報再生手段と、を有
することを特徴とする。
【０００９】本発明装置においては、以下の方法により
好適に情報の再生を行うことができる。 （ａ）前記記録再生プローブと前記記録媒体とが接触状
態と非接触状態とをとるように、該記録再生プローブと
該記録媒体との間隔を振動させる間隔駆動手段を有し、
前記情報再生手段が、該記録再生プローブの該記録媒体
に対する接触に同期して前記再生電流検出信号を同期検
出する同期検出回路を有し、該同期検出回路において算
出される同期検出信号から、前記記録ビットにおける前
記記録媒体表面の導電性の減少を検知することにより、
情報の再生を行う。 （ｂ）前記再生電圧印加手段がパルス電圧印加手段であ
り、前記再生電流検出手段がパルス電流検出手段であ
り、該再生電流検出手段において算出されるパルス電流
検出信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表
面の導電性の減少を検知することにより、情報の再生を
行う。 （ｃ）前記再生電圧印加手段が高周波信号電圧印加手段
であり、前記再生電流検出手段が高周波信号電流検出手
段であり、前記情報再生手段が、該高周波信号電圧に同
期して前記再生電流検出信号を同期検出する同期検出回
路を有し、該同期検出回路において算出される同期検出
信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記
記録再生プローブとの間の静電容量の減少を検知するこ
とにより、情報の再生を行う。 （ｄ）前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧印加手段
であり、前記情報再生手段が、該変調電圧による前記再
生電流検出信号の１次あるいは２次微分信号を算出する
微分回路を有し、該微分回路において算出される該１次
あるいは２次微分信号から、前記記録ビットにおける前
記記録媒体表面の接触抵抗の増加あるいは電子状態密度
の変化を検知することにより、情報の再生を行う。 （ｅ）前記記録再生プローブと前記記録媒体との間隔を
変調する間隔駆動手段を有し、前記情報再生手段が、該
間隔変調量による前記再生電流検出信号の１次微分信号
を算出する微分回路を有し、該微分回路において算出さ
れる該１次微分信号から、前記記録ビットにおける前記
記録媒体表面の仕事関数の変化を検知することにより、
情報の再生を行う。 （ｆ）前記情報再生手段が、前記再生電流検出信号の時
間微分信号を算出する微分回路を有し、該微分回路にお
いて算出される該時間微分信号から、前記記録ビットに
おける前記記録媒体表面の導電性の減少を検知すること
により、情報の再生を行う。
好適に情報の再生を行うことができる。 （ａ）前記記録再生プローブと前記記録媒体とが接触状
態と非接触状態とをとるように、該記録再生プローブと
該記録媒体との間隔を振動させる間隔駆動手段を有し、
前記情報再生手段が、該記録再生プローブの該記録媒体
に対する接触に同期して前記再生電流検出信号を同期検
出する同期検出回路を有し、該同期検出回路において算
出される同期検出信号から、前記記録ビットにおける前
記記録媒体表面の導電性の減少を検知することにより、
情報の再生を行う。 （ｂ）前記再生電圧印加手段がパルス電圧印加手段であ
り、前記再生電流検出手段がパルス電流検出手段であ
り、該再生電流検出手段において算出されるパルス電流
検出信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表
面の導電性の減少を検知することにより、情報の再生を
行う。 （ｃ）前記再生電圧印加手段が高周波信号電圧印加手段
であり、前記再生電流検出手段が高周波信号電流検出手
段であり、前記情報再生手段が、該高周波信号電圧に同
期して前記再生電流検出信号を同期検出する同期検出回
路を有し、該同期検出回路において算出される同期検出
信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記
記録再生プローブとの間の静電容量の減少を検知するこ
とにより、情報の再生を行う。 （ｄ）前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧印加手段
であり、前記情報再生手段が、該変調電圧による前記再
生電流検出信号の１次あるいは２次微分信号を算出する
微分回路を有し、該微分回路において算出される該１次
あるいは２次微分信号から、前記記録ビットにおける前
記記録媒体表面の接触抵抗の増加あるいは電子状態密度
の変化を検知することにより、情報の再生を行う。 （ｅ）前記記録再生プローブと前記記録媒体との間隔を
変調する間隔駆動手段を有し、前記情報再生手段が、該
間隔変調量による前記再生電流検出信号の１次微分信号
を算出する微分回路を有し、該微分回路において算出さ
れる該１次微分信号から、前記記録ビットにおける前記
記録媒体表面の仕事関数の変化を検知することにより、
情報の再生を行う。 （ｆ）前記情報再生手段が、前記再生電流検出信号の時
間微分信号を算出する微分回路を有し、該微分回路にお
いて算出される該時間微分信号から、前記記録ビットに
おける前記記録媒体表面の導電性の減少を検知すること
により、情報の再生を行う。
【００１０】また、本発明の情報記録再生装置は、大気
中で電流が流れる部分が酸化し、導電性が減少し、か
つ、体積が増大することにより、凸形状の記録ビットを
生じる記録媒体と、該記録媒体表面に先端を接触させて
配置され、弾性体からなる記録再生プローブと、該プロ
ーブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に相対走査さ
せる相対走査手段と、該記録再生プローブと該記録媒体
との間に電流を流し、該記録媒体表面上の該記録再生プ
ローブ先端が接触している位置に情報記録を行うための
電圧を該記録再生プローブと該記録媒体との間に印加す
る記録信号電圧印加手段と、該記録媒体上を該記録再生
プローブが走査する際に生じる該記録再生プローブの弾
性変形量を検出する弾性変形量検出手段と、該記録再生
プローブと該記録媒体との間に電流を流し、該記録媒体
表面上の該記録再生プローブ先端が接触している位置の
情報再生を行うための電圧を該記録再生プローブと該記
録媒体との間に印加する再生電圧印加手段と、該記録媒
体上を該記録再生プローブが走査する際に生じる該記録
媒体と該記録再生プローブとの間に流れる電流を検出す
る再生電流検出手段と、該弾性変形量検出手段から出力
される弾性変形量検出信号から、情報が記録された該記
録媒体表面の該記録ビットの凸形状を検知し、該再生電
流検出手段から出力される再生電流検出信号により、情
報が記録された該記録媒体表面の該記録ビットの導電性
の減少を検知することにより、情報の再生を行う情報再
生手段と、を有することを特徴とする。
中で電流が流れる部分が酸化し、導電性が減少し、か
つ、体積が増大することにより、凸形状の記録ビットを
生じる記録媒体と、該記録媒体表面に先端を接触させて
配置され、弾性体からなる記録再生プローブと、該プロ
ーブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に相対走査さ
せる相対走査手段と、該記録再生プローブと該記録媒体
との間に電流を流し、該記録媒体表面上の該記録再生プ
ローブ先端が接触している位置に情報記録を行うための
電圧を該記録再生プローブと該記録媒体との間に印加す
る記録信号電圧印加手段と、該記録媒体上を該記録再生
プローブが走査する際に生じる該記録再生プローブの弾
性変形量を検出する弾性変形量検出手段と、該記録再生
プローブと該記録媒体との間に電流を流し、該記録媒体
表面上の該記録再生プローブ先端が接触している位置の
情報再生を行うための電圧を該記録再生プローブと該記
録媒体との間に印加する再生電圧印加手段と、該記録媒
体上を該記録再生プローブが走査する際に生じる該記録
媒体と該記録再生プローブとの間に流れる電流を検出す
る再生電流検出手段と、該弾性変形量検出手段から出力
される弾性変形量検出信号から、情報が記録された該記
録媒体表面の該記録ビットの凸形状を検知し、該再生電
流検出手段から出力される再生電流検出信号により、情
報が記録された該記録媒体表面の該記録ビットの導電性
の減少を検知することにより、情報の再生を行う情報再
生手段と、を有することを特徴とする。
【００１１】本発明装置においては、以下の方法により
情報の再生を行うことができる。 （ａ）前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧印加手段
であり、前記情報再生手段が、該変調電圧による前記再
生電流検出信号の１次あるいは２次微分信号を算出する
第１の微分回路と、該変調電圧による前記弾性変形量検
出信号の２次微分信号を算出する第２の微分回路とを有
し、該第１の微分回路において算出される該再生電流検
出信号の１次あるいは２次微分信号から、前記記録ビッ
トにおける前記記録媒体表面の接触抵抗の増加あるいは
電子状態密度の変化を検知し、該第２の微分回路におい
て算出される該弾性変形量検出信号の２次微分信号か
ら、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再
生プローブとの間の静電容量の減少を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｂ）前記記録再生プローブと前記記録媒体との間隔を
変調する間隔駆動手段を有し、前記情報再生手段が、該
間隔変調量による前記再生電流検出信号の１次微分信号
を算出する第１の微分回路と、該間隔変調量による前記
弾性変形量検出信号の１次微分信号を算出する第２の微
分回路とを有し、該第１の微分回路において算出される
該再生電流検出信号の１次微分信号から、前記記録ビッ
トにおける前記記録媒体表面の仕事関数の変化を検知
し、該第２の微分回路において算出される該弾性変形量
検出信号の１次微分信号から、前記記録ビットにおける
前記記録媒体表面のヤング率の変化を検知することによ
り情報の再生を行う。 （ｃ）前記情報再生手段が、前記再生電流検出信号の時
間微分信号を算出する第１の微分回路と、前記弾性変形
量検出信号の時間微分信号を算出する第２の微分回路を
有し、該第１の微分回路において算出される該再生電流
検出信号の時間微分信号から、前記記録ビットにおける
前記記録媒体表面の導電性の減少を検知し、該第２の微
分回路において算出される該弾性変形量検出信号の時間
微分信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表
面の凸形状を検知することにより、情報の再生を行う。
情報の再生を行うことができる。 （ａ）前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧印加手段
であり、前記情報再生手段が、該変調電圧による前記再
生電流検出信号の１次あるいは２次微分信号を算出する
第１の微分回路と、該変調電圧による前記弾性変形量検
出信号の２次微分信号を算出する第２の微分回路とを有
し、該第１の微分回路において算出される該再生電流検
出信号の１次あるいは２次微分信号から、前記記録ビッ
トにおける前記記録媒体表面の接触抵抗の増加あるいは
電子状態密度の変化を検知し、該第２の微分回路におい
て算出される該弾性変形量検出信号の２次微分信号か
ら、前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再
生プローブとの間の静電容量の減少を検知することによ
り、情報の再生を行う。 （ｂ）前記記録再生プローブと前記記録媒体との間隔を
変調する間隔駆動手段を有し、前記情報再生手段が、該
間隔変調量による前記再生電流検出信号の１次微分信号
を算出する第１の微分回路と、該間隔変調量による前記
弾性変形量検出信号の１次微分信号を算出する第２の微
分回路とを有し、該第１の微分回路において算出される
該再生電流検出信号の１次微分信号から、前記記録ビッ
トにおける前記記録媒体表面の仕事関数の変化を検知
し、該第２の微分回路において算出される該弾性変形量
検出信号の１次微分信号から、前記記録ビットにおける
前記記録媒体表面のヤング率の変化を検知することによ
り情報の再生を行う。 （ｃ）前記情報再生手段が、前記再生電流検出信号の時
間微分信号を算出する第１の微分回路と、前記弾性変形
量検出信号の時間微分信号を算出する第２の微分回路を
有し、該第１の微分回路において算出される該再生電流
検出信号の時間微分信号から、前記記録ビットにおける
前記記録媒体表面の導電性の減少を検知し、該第２の微
分回路において算出される該弾性変形量検出信号の時間
微分信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表
面の凸形状を検知することにより、情報の再生を行う。
【００１２】本発明においては、前記酸化が陽極酸化に
よるものであってもよい。
よるものであってもよい。
【００１３】さらに、前記記録媒体は、Ｓｉ、ＧａＡ
ｓ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎのうちから選択されてもよい。
ｓ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎのうちから選択されてもよい。
【００１４】本発明においては、記録媒体として、大気
中で電流を流すことにより酸化を生じ、凸形状を形成す
ると同時に局所的に接触抵抗が増大するような物質を用
いて、プローブを接触させ、電流を流して記録を行い、
ＡＦＭの原理を用いて凸形状を検出する、あるいは、プ
ローブ−記録媒体間に流れる電流を検知することによ
り、記録媒体表面の接触抵抗の増大を検出するようにし
たので、記録時に流れる電流による探針先端や記録媒体
の破壊を避けることができ、探針先端の汚染もなくなっ
た。
中で電流を流すことにより酸化を生じ、凸形状を形成す
ると同時に局所的に接触抵抗が増大するような物質を用
いて、プローブを接触させ、電流を流して記録を行い、
ＡＦＭの原理を用いて凸形状を検出する、あるいは、プ
ローブ−記録媒体間に流れる電流を検知することによ
り、記録媒体表面の接触抵抗の増大を検出するようにし
たので、記録時に流れる電流による探針先端や記録媒体
の破壊を避けることができ、探針先端の汚染もなくなっ
た。
【００１５】
【実施例】以下に実施例により、図１〜１１を用いて本
発明の情報記録再生装置及びこの装置による記録方法及
び再生方法について説明する。
発明の情報記録再生装置及びこの装置による記録方法及
び再生方法について説明する。
【００１６】本発明に用いる記録媒体としては、プロー
ブからの電圧印加により、プローブ先端と記録媒体との
間に局所的に流れる電流によって、記録媒体表面が局所
的に酸化されるような物質を用いる。このような物質と
しては、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎ等が
挙げられる。
ブからの電圧印加により、プローブ先端と記録媒体との
間に局所的に流れる電流によって、記録媒体表面が局所
的に酸化されるような物質を用いる。このような物質と
しては、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｔｉ、Ｗ、Ｚｎ等が
挙げられる。
【００１７】まず本発明に用いる情報記録再生装置の具
体的構成を図３に示す。図３において、３０１はディス
ク記録媒体、３０２はディスク記録媒体３０１を回転さ
せるモーターである。ディスク記録媒体３０１上の複数
の記録領域にそれぞれ対向して、並列に記録再生を行う
先端に導電性探針３１７を有する複数のプローブ３０３
と、複数のプローブ３０３における記録再生信号を並列
化・多重化するための並列化・多重化回路３０４、配線
等の電気回路とが、マルチプローブユニット３０５基板
上に一体構成されている。ディスク記録媒体３０１には
記録再生時のバイアス電圧を印加するためのバイアス電
圧印加回路３０６が電気的に接続されている。
体的構成を図３に示す。図３において、３０１はディス
ク記録媒体、３０２はディスク記録媒体３０１を回転さ
せるモーターである。ディスク記録媒体３０１上の複数
の記録領域にそれぞれ対向して、並列に記録再生を行う
先端に導電性探針３１７を有する複数のプローブ３０３
と、複数のプローブ３０３における記録再生信号を並列
化・多重化するための並列化・多重化回路３０４、配線
等の電気回路とが、マルチプローブユニット３０５基板
上に一体構成されている。ディスク記録媒体３０１には
記録再生時のバイアス電圧を印加するためのバイアス電
圧印加回路３０６が電気的に接続されている。
【００１８】マルチプローブユニット３０５は、マイク
ロメカニクスと呼ばれる微細加工技術［例えば、Ｐｅｔ
ｅｒｓｅｎ， Ｐｒｏｃ． ＩＥＥＥ， ｖｏｌ．７
０，ｐ．４２０，（１９８２）］やＬＳＩ等を作製する
際のマイクロエレクトロニクス技術を用いて、Ｓｉ等の
基板上に作製される。具体的には、まずＳｉウェハ上に
並列化・多重化回路等の周辺電気回路を作製する。次に
このＳｉウェハを用いて、フォトリソグラフィーによ
り、複数のプローブ先端に設ける電圧印加及び電流検出
用の複数の導電性探針３１７及び電気配線パターンを作
製し、カンチレバー形状のパターニングを行う。最後に
ＫＯＨ溶液によるＳｉの異方性エッチングを用いて、複
数のカンチレバー構造を形成し、個々のマルチプローブ
ユニットに切断する。
ロメカニクスと呼ばれる微細加工技術［例えば、Ｐｅｔ
ｅｒｓｅｎ， Ｐｒｏｃ． ＩＥＥＥ， ｖｏｌ．７
０，ｐ．４２０，（１９８２）］やＬＳＩ等を作製する
際のマイクロエレクトロニクス技術を用いて、Ｓｉ等の
基板上に作製される。具体的には、まずＳｉウェハ上に
並列化・多重化回路等の周辺電気回路を作製する。次に
このＳｉウェハを用いて、フォトリソグラフィーによ
り、複数のプローブ先端に設ける電圧印加及び電流検出
用の複数の導電性探針３１７及び電気配線パターンを作
製し、カンチレバー形状のパターニングを行う。最後に
ＫＯＨ溶液によるＳｉの異方性エッチングを用いて、複
数のカンチレバー構造を形成し、個々のマルチプローブ
ユニットに切断する。
【００１９】ここで、探針材料として用いられるのは、
電流を流した際に酸化を受けにくい物質、例えば、Ａ
ｕ、Ｐｔ等の貴金属である。
電流を流した際に酸化を受けにくい物質、例えば、Ａ
ｕ、Ｐｔ等の貴金属である。
【００２０】複数のプローブ３０３によるディスク記録
媒体３０１への記録に関する記録信号は次にようにやり
とりされる。制御コンピュータ３０７から出力される制
御信号に基づき、記録信号制御回路３０８から記録信号
が、並列化・多重化回路３０４に入力される。並列化・
多重化電気回路３０４では、制御コンピュータ３０７か
らの並列化制御信号に基づき、記録信号の並列化が行わ
れ、複数のプローブ３０３に並列化された複数の記録信
号が印加される。この複数の記録信号により、複数のプ
ローブ３０３のそれぞれにおいて、ディスク記録媒体３
０１への情報の記録が並列に行われる。
媒体３０１への記録に関する記録信号は次にようにやり
とりされる。制御コンピュータ３０７から出力される制
御信号に基づき、記録信号制御回路３０８から記録信号
が、並列化・多重化回路３０４に入力される。並列化・
多重化電気回路３０４では、制御コンピュータ３０７か
らの並列化制御信号に基づき、記録信号の並列化が行わ
れ、複数のプローブ３０３に並列化された複数の記録信
号が印加される。この複数の記録信号により、複数のプ
ローブ３０３のそれぞれにおいて、ディスク記録媒体３
０１への情報の記録が並列に行われる。
【００２１】次に図１に本発明の情報記録再生装置にお
ける記録方法の第１の実施例を示す。前記のような物質
を記録媒体１０１とし、大気中で記録媒体表面にプロー
ブ先端１０２を接触させて、電圧印加手段１０３によ
り、記録媒体とプローブ先端の間に電圧を印加する。記
録媒体１０１表面は大気中で表面原子数層程度の厚さの
自然酸化膜１０４で被われているが、プローブ先端に接
触している部分に電流が流れると、発生するジュール熱
により、記録媒体表面で局所的に酸化が促進される。こ
のような局所的酸化により、記録媒体を構成する物質が
大気中よりさらに酸素を取り込むことになり、酸化膜１
０４の膜厚が増大し、体積が増大するため表面形状が局
所的に凸に変化し、記録ビット１０５を形成する。
ける記録方法の第１の実施例を示す。前記のような物質
を記録媒体１０１とし、大気中で記録媒体表面にプロー
ブ先端１０２を接触させて、電圧印加手段１０３によ
り、記録媒体とプローブ先端の間に電圧を印加する。記
録媒体１０１表面は大気中で表面原子数層程度の厚さの
自然酸化膜１０４で被われているが、プローブ先端に接
触している部分に電流が流れると、発生するジュール熱
により、記録媒体表面で局所的に酸化が促進される。こ
のような局所的酸化により、記録媒体を構成する物質が
大気中よりさらに酸素を取り込むことになり、酸化膜１
０４の膜厚が増大し、体積が増大するため表面形状が局
所的に凸に変化し、記録ビット１０５を形成する。
【００２２】ここでは、Ｓｉを記録媒体として記録再生
を行った場合を例にあげ、詳細に説明を行う。図３に示
すようなディスク型の情報記録再生装置用の記録媒体と
して、２インチのエピタキシャル成長Ｓｉウェハを用い
た。面の結晶軸は（１１１）であった。基板ＳｉはＳｂ
ドープのｎタイプで、抵抗率は０．０１Ω／ｃｍであっ
た。基板Ｓｉ上に成長させたエピタキシャル層ＳｉはＰ
ドープのｎタイプで、抵抗率は５Ω・ｃｍであった。こ
のＳｉウェハを１０％のＨＦ溶液に５秒間浸し、表面の
自然酸化膜を取り除く。この処理を行うことにより、Ｓ
ｉ表面に露出したＳｉのダングリングボンドがＨ（水
素）により終端化され、Ｓｉ表面が大気中ですぐには酸
化されにくい安定な構造を作ることがわかっている。酸
化膜の厚さが大きいと記録の際に十分な電流が流れない
ため、記録が不安定になるという問題があり、この処理
を行うことが望ましい。ここで、（１１１）軸エピタキ
シャル成長Ｓｉウェハを用いたのは、他のＳｉウェハ
（（１００）軸のウェハやＦＺ法やＣＺ法で作製された
ウェハ）に比べ、ＨＦ処理後の記録ビットの大きさのレ
ベルでの表面平坦性が良いからである。
を行った場合を例にあげ、詳細に説明を行う。図３に示
すようなディスク型の情報記録再生装置用の記録媒体と
して、２インチのエピタキシャル成長Ｓｉウェハを用い
た。面の結晶軸は（１１１）であった。基板ＳｉはＳｂ
ドープのｎタイプで、抵抗率は０．０１Ω／ｃｍであっ
た。基板Ｓｉ上に成長させたエピタキシャル層ＳｉはＰ
ドープのｎタイプで、抵抗率は５Ω・ｃｍであった。こ
のＳｉウェハを１０％のＨＦ溶液に５秒間浸し、表面の
自然酸化膜を取り除く。この処理を行うことにより、Ｓ
ｉ表面に露出したＳｉのダングリングボンドがＨ（水
素）により終端化され、Ｓｉ表面が大気中ですぐには酸
化されにくい安定な構造を作ることがわかっている。酸
化膜の厚さが大きいと記録の際に十分な電流が流れない
ため、記録が不安定になるという問題があり、この処理
を行うことが望ましい。ここで、（１１１）軸エピタキ
シャル成長Ｓｉウェハを用いたのは、他のＳｉウェハ
（（１００）軸のウェハやＦＺ法やＣＺ法で作製された
ウェハ）に比べ、ＨＦ処理後の記録ビットの大きさのレ
ベルでの表面平坦性が良いからである。
【００２３】このようなＳｉウェハをディスク記録媒体
として図３に示したような装置に搭載し、情報の記録再
生を行った。記録媒体上の所望の位置にプローブ先端の
探針を接触させ、探針−記録媒体間に４Ｖ、１０μｓの
電圧パルスを印加したところ、高さ１ｎｍ、直径３０ｎ
ｍの凸形状を有する記録ビットが再現性良く形成され
た。印加する電圧パルスの波高値及び時間幅を変えて記
録を行うことにより、記録ビットの高さや直径を変化さ
せることができた。例えば、４Ｖ、１００ｍｓの電圧パ
ルスでは、高さ１０ｎｍ、直径１００ｎｍの記録ビット
が形成された。また、波高値２Ｖ以下では、Ｓ／Ｎ比の
面から実用上再生可能な記録ビットが形成されなかっ
た。波高値が５Ｖを越えると、電界やジュール熱による
探針先端の破壊が生じる確率が増大した。したがって、
波高値は２〜５Ｖの範囲であることが望ましいことがわ
かった。
として図３に示したような装置に搭載し、情報の記録再
生を行った。記録媒体上の所望の位置にプローブ先端の
探針を接触させ、探針−記録媒体間に４Ｖ、１０μｓの
電圧パルスを印加したところ、高さ１ｎｍ、直径３０ｎ
ｍの凸形状を有する記録ビットが再現性良く形成され
た。印加する電圧パルスの波高値及び時間幅を変えて記
録を行うことにより、記録ビットの高さや直径を変化さ
せることができた。例えば、４Ｖ、１００ｍｓの電圧パ
ルスでは、高さ１０ｎｍ、直径１００ｎｍの記録ビット
が形成された。また、波高値２Ｖ以下では、Ｓ／Ｎ比の
面から実用上再生可能な記録ビットが形成されなかっ
た。波高値が５Ｖを越えると、電界やジュール熱による
探針先端の破壊が生じる確率が増大した。したがって、
波高値は２〜５Ｖの範囲であることが望ましいことがわ
かった。
【００２４】また、記録ビットの部分ではＳｉ表面酸化
膜の厚さが厚くなっているため、表面の接触抵抗が増大
している。探針−Ｓｉ記録媒体間に１Ｖのバイアス電圧
を印加し、間に流れる電流を検出したところ、ＨＦ処理
後の記録を行っていないＳｉ表面では、１００ｎＡの電
流が流れ、接触抵抗が１０ＭΩであったのに対し、前記
の記録を行った部分においては、流れる電流は１ｎＡ以
下で、接触抵抗が１ＧΩ以上に増大していた。
膜の厚さが厚くなっているため、表面の接触抵抗が増大
している。探針−Ｓｉ記録媒体間に１Ｖのバイアス電圧
を印加し、間に流れる電流を検出したところ、ＨＦ処理
後の記録を行っていないＳｉ表面では、１００ｎＡの電
流が流れ、接触抵抗が１０ＭΩであったのに対し、前記
の記録を行った部分においては、流れる電流は１ｎＡ以
下で、接触抵抗が１ＧΩ以上に増大していた。
【００２５】さらに、記録ビットの部分ではＳｉ表面酸
化膜の厚さが変化しているため、表面の静電容量が変化
している。探針−Ｓｉ記録媒体間に周波数１ＧＨｚ、振
幅１Ｖの高周波信号を印加し、探針−Ｓｉ記録媒体間の
容量リアクタンスを測定したところ、ＨＦ処理後の記録
を行っていないＳｉ表面では、１０＾−１５Ｆであった
のに対し、前記の記録を行った部分においては、１０＾
−１６Ｆ以下に減少していた。
化膜の厚さが変化しているため、表面の静電容量が変化
している。探針−Ｓｉ記録媒体間に周波数１ＧＨｚ、振
幅１Ｖの高周波信号を印加し、探針−Ｓｉ記録媒体間の
容量リアクタンスを測定したところ、ＨＦ処理後の記録
を行っていないＳｉ表面では、１０＾−１５Ｆであった
のに対し、前記の記録を行った部分においては、１０＾
−１６Ｆ以下に減少していた。
【００２６】図２は、本発明の情報記録再生装置におけ
る記録方法の第２の実施例を示す。前記のような物質を
記録媒体２０１とし、大気中で記録媒体表面にプローブ
先端２０２を接触させて、電圧印加手段２０３により、
記録媒体とプローブ先端の間に記録媒体側が陽極になる
ように電圧を印加する。プローブ先端に接触している部
分に電流が流れ、陽極酸化により、記録媒体表面で局所
的に酸化が促進される。このような酸化においては、Ｈ
２Ｏの介在が必要であるが、大気中では普通、物質表面
には水が吸着しており、この記録媒体表面に吸着してい
る吸着水２０４が陽極酸化に寄与している。陽極酸化に
より、記録媒体を構成している物質が吸着水２０４を分
解して生じる酸素を取り込むことにより、体積が増大
し、表面形状が局所的に凸に変化し、記録ビット２０５
が生成する。ここで起こっている化学反応は記録媒体物
質をＭで表すと次式に示される。
る記録方法の第２の実施例を示す。前記のような物質を
記録媒体２０１とし、大気中で記録媒体表面にプローブ
先端２０２を接触させて、電圧印加手段２０３により、
記録媒体とプローブ先端の間に記録媒体側が陽極になる
ように電圧を印加する。プローブ先端に接触している部
分に電流が流れ、陽極酸化により、記録媒体表面で局所
的に酸化が促進される。このような酸化においては、Ｈ
２Ｏの介在が必要であるが、大気中では普通、物質表面
には水が吸着しており、この記録媒体表面に吸着してい
る吸着水２０４が陽極酸化に寄与している。陽極酸化に
より、記録媒体を構成している物質が吸着水２０４を分
解して生じる酸素を取り込むことにより、体積が増大
し、表面形状が局所的に凸に変化し、記録ビット２０５
が生成する。ここで起こっている化学反応は記録媒体物
質をＭで表すと次式に示される。
【００２７】Ｍ ＋ ｎＨ２Ｏ → ＭＯｎ ＋ ２ｎ
Ｈ＋ ＋ ２ｎｅ− ここでは、Ｔｉを記録媒体として記録再生を行った場合
を例にあげ、詳細に説明を行う。図３に示すようなディ
スク型の情報記録再生装置用の記録媒体として、２イン
チのＳｉウェハ上にＴｉを１０ｎｍの膜厚で真空蒸着し
たものを用いた。このようなＳｉウェハ上のＴｉ薄膜を
ディスク記録媒体として図３に示したような装置に搭載
し、情報の記録再生を行った。記録媒体上の所望の位置
にプローブ先端の探針を接触させ、探針−記録媒体間に
記録媒体側を陽極として４Ｖ、３０μｓの電圧パルスを
印加したところ、高さ２ｎｍ、直径２０ｎｍの凸形状を
有する記録ビットが再現性良く形成された。印加する電
圧パルスの波高値及び時間幅を変えて記録を行うことに
より、記録ビットの高さや直径を変化させることができ
た。例えば、７Ｖ、１０ｍｓの電圧パルスでは、高さ５
ｎｍ、直径５０ｎｍの記録ビットが形成された。また、
波高値が２Ｖ以下では、Ｓ／Ｎ比の面から実用上再生可
能な記録ビットが形成されなかった。波高値が８Ｖを越
えると、電界やジュール熱による探針先端の破壊が生じ
る確率が増大した。したがって、波高値は２〜８Ｖの範
囲であることが望ましいことがわかった。
Ｈ＋ ＋ ２ｎｅ− ここでは、Ｔｉを記録媒体として記録再生を行った場合
を例にあげ、詳細に説明を行う。図３に示すようなディ
スク型の情報記録再生装置用の記録媒体として、２イン
チのＳｉウェハ上にＴｉを１０ｎｍの膜厚で真空蒸着し
たものを用いた。このようなＳｉウェハ上のＴｉ薄膜を
ディスク記録媒体として図３に示したような装置に搭載
し、情報の記録再生を行った。記録媒体上の所望の位置
にプローブ先端の探針を接触させ、探針−記録媒体間に
記録媒体側を陽極として４Ｖ、３０μｓの電圧パルスを
印加したところ、高さ２ｎｍ、直径２０ｎｍの凸形状を
有する記録ビットが再現性良く形成された。印加する電
圧パルスの波高値及び時間幅を変えて記録を行うことに
より、記録ビットの高さや直径を変化させることができ
た。例えば、７Ｖ、１０ｍｓの電圧パルスでは、高さ５
ｎｍ、直径５０ｎｍの記録ビットが形成された。また、
波高値が２Ｖ以下では、Ｓ／Ｎ比の面から実用上再生可
能な記録ビットが形成されなかった。波高値が８Ｖを越
えると、電界やジュール熱による探針先端の破壊が生じ
る確率が増大した。したがって、波高値は２〜８Ｖの範
囲であることが望ましいことがわかった。
【００２８】また、記録ビットの部分ではＴｉ表面がＴ
ｉ酸化物に変化しているため、表面の接触抵抗が変化し
ている。探針−Ｔｉ記録媒体間に探針側を陽極として１
Ｖのバイアス電圧を印加し、間に流れる電流を検出した
ところ、記録を行っていないＴｉ表面では、１ｎＡの電
流が流れ、接触抵抗が１ＧΩであったのに対し、前記の
記録を行った部分においては、流れる電流は１００ｐＡ
以下で、接触抵抗が１０ＧΩ以上に増大していた。
ｉ酸化物に変化しているため、表面の接触抵抗が変化し
ている。探針−Ｔｉ記録媒体間に探針側を陽極として１
Ｖのバイアス電圧を印加し、間に流れる電流を検出した
ところ、記録を行っていないＴｉ表面では、１ｎＡの電
流が流れ、接触抵抗が１ＧΩであったのに対し、前記の
記録を行った部分においては、流れる電流は１００ｐＡ
以下で、接触抵抗が１０ＧΩ以上に増大していた。
【００２９】さらに、記録ビットの部分ではＴｉ表面が
Ｔｉ酸化物に変化しているため、表面の静電容量が変化
している。探針−Ｔｉ記録媒体間に周波数１ＧＨｚ、振
幅１Ｖの高周波信号を印加し、探針−Ｔｉ記録媒体間の
容量リアクタンスを測定したところ、記録を行っていな
いＴｉ表面では、１０＾−１６Ｆであったのに対し、前
記の記録を行った部分においては、１０＾−１７Ｆ以下
に減少していた。
Ｔｉ酸化物に変化しているため、表面の静電容量が変化
している。探針−Ｔｉ記録媒体間に周波数１ＧＨｚ、振
幅１Ｖの高周波信号を印加し、探針−Ｔｉ記録媒体間の
容量リアクタンスを測定したところ、記録を行っていな
いＴｉ表面では、１０＾−１６Ｆであったのに対し、前
記の記録を行った部分においては、１０＾−１７Ｆ以下
に減少していた。
【００３０】以上、記録方法の第１及び第２の実施例に
示したこれらの記録ビットの再生方法として、（１）局
所的に酸化が起こったところでは、表面の接触抵抗が増
大する（＝導電性が減少する）、あるいは静電容量が減
少することを利用してこれを電気的に検出する方法、
（２）記録ビットの凸構造をＡＦＭの原理を用いて検出
する方法がある。
示したこれらの記録ビットの再生方法として、（１）局
所的に酸化が起こったところでは、表面の接触抵抗が増
大する（＝導電性が減少する）、あるいは静電容量が減
少することを利用してこれを電気的に検出する方法、
（２）記録ビットの凸構造をＡＦＭの原理を用いて検出
する方法がある。
【００３１】第１の電気的再生方法は記録ビットの接触
抵抗や静電容量を介してプローブと記録媒体との間の流
れる電流値を基に記録ビットの再生を行うものである。
電気的再生方法において、図３に示される複数のプロー
ブ３０３によるディスク記録媒体３０１からの再生信号
は次のようにやりとりされる。まず、複数のプローブ３
０３によって、それぞれ、ディスク記録媒体３０１から
情報を並列に再生した複数の再生信号が並列化・多重化
回路３０４に入力される。さらに、制御コンピュータ３
０７から出力される多重化制御信号に基づき、並列化・
多重化回路３０４では再生信号の多重化が行われる。多
重化された再生信号は多重再生信号回路Ａ（３０９）に
送られる。
抵抗や静電容量を介してプローブと記録媒体との間の流
れる電流値を基に記録ビットの再生を行うものである。
電気的再生方法において、図３に示される複数のプロー
ブ３０３によるディスク記録媒体３０１からの再生信号
は次のようにやりとりされる。まず、複数のプローブ３
０３によって、それぞれ、ディスク記録媒体３０１から
情報を並列に再生した複数の再生信号が並列化・多重化
回路３０４に入力される。さらに、制御コンピュータ３
０７から出力される多重化制御信号に基づき、並列化・
多重化回路３０４では再生信号の多重化が行われる。多
重化された再生信号は多重再生信号回路Ａ（３０９）に
送られる。
【００３２】第２の凸形状検知による再生方法はＡＦＭ
の原理を用いて行う。プローブを弾性体で作製し、記録
媒体表面とプローブとの間に働く原子間力や分子間力に
よる弾性体の変形量を検知、凸形状を有する記録ビット
において生じる弾性体の変形を検出して再生を行う。具
体的には図３に示されるマルチプローブユニット３０５
において、カンチレバー構造を有する複数のプローブ３
０３のたわみ量をそれぞれ検出する手段を付加し、この
たわみ量検出手段からの出力を再生信号とする。
の原理を用いて行う。プローブを弾性体で作製し、記録
媒体表面とプローブとの間に働く原子間力や分子間力に
よる弾性体の変形量を検知、凸形状を有する記録ビット
において生じる弾性体の変形を検出して再生を行う。具
体的には図３に示されるマルチプローブユニット３０５
において、カンチレバー構造を有する複数のプローブ３
０３のたわみ量をそれぞれ検出する手段を付加し、この
たわみ量検出手段からの出力を再生信号とする。
【００３３】複数のプローブのたわみ量をそれぞれ検出
する手段としては、例えば日本特開平０４−３２１９５
５号に示したような光てこ方式のカンチレバー（本実施
例ではプローブにあたる）のたわみ量検出手段におい
て、たわみ量検出用の光ビームを複数のカンチレバーに
対して走査し、複数のカンチレバーのたわみ量を順次検
出する方式を用いることができる。図３において、制御
コンピュータ３０７からの制御信号をもとにミラー走査
信号制御回路３１０から出力される駆動信号により、走
査ミラー３１１を駆動し、レーザ３１２からの光を複数
のプローブ３０３に順次照射する。複数のプローブ３０
３からの反射光をビームスプリッタ３１３で反射された
後、位置検出素子３１４に入射させる。位置検出素子３
１４から出力される反射光スポット位置信号を走査ミラ
ー３１１の駆動のタイミングで分割して検出することに
より、各プローブのたわみ量を順次検出することができ
る。この反射光スポット位置信号は各プローブからの再
生信号が多重化されたものになっており、これを多重再
生信号回路Ｂ（３１５）に送る。
する手段としては、例えば日本特開平０４−３２１９５
５号に示したような光てこ方式のカンチレバー（本実施
例ではプローブにあたる）のたわみ量検出手段におい
て、たわみ量検出用の光ビームを複数のカンチレバーに
対して走査し、複数のカンチレバーのたわみ量を順次検
出する方式を用いることができる。図３において、制御
コンピュータ３０７からの制御信号をもとにミラー走査
信号制御回路３１０から出力される駆動信号により、走
査ミラー３１１を駆動し、レーザ３１２からの光を複数
のプローブ３０３に順次照射する。複数のプローブ３０
３からの反射光をビームスプリッタ３１３で反射された
後、位置検出素子３１４に入射させる。位置検出素子３
１４から出力される反射光スポット位置信号を走査ミラ
ー３１１の駆動のタイミングで分割して検出することに
より、各プローブのたわみ量を順次検出することができ
る。この反射光スポット位置信号は各プローブからの再
生信号が多重化されたものになっており、これを多重再
生信号回路Ｂ（３１５）に送る。
【００３４】なお、複数のプローブ３０３のたわみ量を
検出する手段としては、他に光波干渉計等の光学的な検
出手段や圧電センサ、歪抵抗センサ等の電気的な検出手
段等のプローブのたわみ量検出手段をプローブと一体構
成に複数個集積化したものを用いることもできる。
検出する手段としては、他に光波干渉計等の光学的な検
出手段や圧電センサ、歪抵抗センサ等の電気的な検出手
段等のプローブのたわみ量検出手段をプローブと一体構
成に複数個集積化したものを用いることもできる。
【００３５】本発明の情報記録再生装置における再生方
法としては、前述のような電気的検出手段や凸形状検出
手段を単独に用いても良い。しかしながら、電気的検出
方法のうち、記録ビットの接触抵抗を検出する方法にお
いては、接触抵抗検出のためにＤＣ電流を流すと、記録
状態を変化させてしまうほどではないものの、記録媒体
表面の酸化がわずかながらも進み、表面の接触抵抗値が
増大し、電流が流れにくくなる。このため、再生を繰り
返しているうちに、記録ビット検出信号のＳ／Ｎ比が低
下してしまう。電流が流れなくなっても、探針−記録媒
体間に印加するバイアス電圧を増大させれば電流が流れ
るようにはなるが、電圧をあまり増大させると記録状態
を変化させてしまうことになり、好ましくない。
法としては、前述のような電気的検出手段や凸形状検出
手段を単独に用いても良い。しかしながら、電気的検出
方法のうち、記録ビットの接触抵抗を検出する方法にお
いては、接触抵抗検出のためにＤＣ電流を流すと、記録
状態を変化させてしまうほどではないものの、記録媒体
表面の酸化がわずかながらも進み、表面の接触抵抗値が
増大し、電流が流れにくくなる。このため、再生を繰り
返しているうちに、記録ビット検出信号のＳ／Ｎ比が低
下してしまう。電流が流れなくなっても、探針−記録媒
体間に印加するバイアス電圧を増大させれば電流が流れ
るようにはなるが、電圧をあまり増大させると記録状態
を変化させてしまうことになり、好ましくない。
【００３６】また、凸形状検出方法においても、記録ビ
ット高さが記録媒体表面の凹凸に比べ桁違いに大きいわ
けでもないので、記録媒体表面の凹凸が大きいと記録ビ
ット検出信号のＳ／Ｎ比が低下してしまう。これらに鑑
み、記録ビットの検出に、次に説明するような方法を用
いれば、Ｓ／Ｎ低下を避けることができる。
ット高さが記録媒体表面の凹凸に比べ桁違いに大きいわ
けでもないので、記録媒体表面の凹凸が大きいと記録ビ
ット検出信号のＳ／Ｎ比が低下してしまう。これらに鑑
み、記録ビットの検出に、次に説明するような方法を用
いれば、Ｓ／Ｎ低下を避けることができる。
【００３７】第１の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図３で示
した記録ビットの電流による検出信号と凸形状による検
出信号を組み合わせて再生信号とする。
した記録ビットの電流による検出信号と凸形状による検
出信号を組み合わせて再生信号とする。
【００３８】この方法における信号のやりとりの詳細を
図４に示す。電流による検出信号は多重再生信号回路Ａ
（４０１）に入力され、凸形状による検出信号は多重再
生信号回路Ｂ（４０２）に入力される。多重再生信号回
路Ａ（４０１）、Ｂ（４０２）から出力される再生信号
Ａと再生信号ＢをＡＮＤ回路４０３に入力し、ＡＮＤ回
路からの出力が真の時、すなわち、両再生信号において
同時に記録ビット４０４が検出された時のみ正しい記録
ビットと認知するようにする。
図４に示す。電流による検出信号は多重再生信号回路Ａ
（４０１）に入力され、凸形状による検出信号は多重再
生信号回路Ｂ（４０２）に入力される。多重再生信号回
路Ａ（４０１）、Ｂ（４０２）から出力される再生信号
Ａと再生信号ＢをＡＮＤ回路４０３に入力し、ＡＮＤ回
路からの出力が真の時、すなわち、両再生信号において
同時に記録ビット４０４が検出された時のみ正しい記録
ビットと認知するようにする。
【００３９】この方法により、記録媒体４０５の表面凹
凸が多少大きく、凸形状検出信号では記録ビットの凸形
状と記録媒体の表面凹凸とが区別しにくい時において
も、電流による検出信号（接触抵抗値による再生信号）
と組み合わせることにより、Ｓ／Ｎ比の高い再生が可能
になった。
凸が多少大きく、凸形状検出信号では記録ビットの凸形
状と記録媒体の表面凹凸とが区別しにくい時において
も、電流による検出信号（接触抵抗値による再生信号）
と組み合わせることにより、Ｓ／Ｎ比の高い再生が可能
になった。
【００４０】第２の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図５に示
すように、プローブ５０１を記録媒体５０２と対向する
方向に微小振動させ、探針５０３先端が記録媒体５０２
に接触している間に電流を検出して再生を行う。
すように、プローブ５０１を記録媒体５０２と対向する
方向に微小振動させ、探針５０３先端が記録媒体５０２
に接触している間に電流を検出して再生を行う。
【００４１】具体的には、マルチプローブユニット５０
４にピエゾ素子５０５を取り付け、図５中ｚ方向に１０
０ｎｍ程度の微笑振幅で振動させる。この振動によって
探針５０３先端が記録媒体５０２に対して接触状態と非
接触状態の両状態をとるように、マルチプローブユニッ
ト５０４と記録媒体５０２の間隔を設定する。ピエゾ素
子５０５の駆動は関数発生器５０６からの信号をもと
に、ピエゾ素子駆動回路５０７からの駆動信号を印加し
て行う。バイアス電圧印加手段５０８により、探針５０
３と記録媒体５０２との間にバイアス電圧を印加し、間
に流れる電流を電流検出回路５０９で検出する。検出電
流信号を同期検出回路５１０にて、関数発生器５０６か
らのピエゾ素子駆動信号と同期する信号と同期検出し、
これを再生信号とする。
４にピエゾ素子５０５を取り付け、図５中ｚ方向に１０
０ｎｍ程度の微笑振幅で振動させる。この振動によって
探針５０３先端が記録媒体５０２に対して接触状態と非
接触状態の両状態をとるように、マルチプローブユニッ
ト５０４と記録媒体５０２の間隔を設定する。ピエゾ素
子５０５の駆動は関数発生器５０６からの信号をもと
に、ピエゾ素子駆動回路５０７からの駆動信号を印加し
て行う。バイアス電圧印加手段５０８により、探針５０
３と記録媒体５０２との間にバイアス電圧を印加し、間
に流れる電流を電流検出回路５０９で検出する。検出電
流信号を同期検出回路５１０にて、関数発生器５０６か
らのピエゾ素子駆動信号と同期する信号と同期検出し、
これを再生信号とする。
【００４２】この方法により、探針５０３先端が記録媒
体５０２に接触しているときのみ、プローブ５０１と記
録媒体５０２との間に電流を流して記録媒体５０２の表
面抵抗を検出することができ、記録ビットの再生時に流
す電流値を時間平均的に減少させることができた。この
結果、記録媒体の酸化を進めることの少ないＳ／Ｎ比の
高い再生が可能になった。
体５０２に接触しているときのみ、プローブ５０１と記
録媒体５０２との間に電流を流して記録媒体５０２の表
面抵抗を検出することができ、記録ビットの再生時に流
す電流値を時間平均的に減少させることができた。この
結果、記録媒体の酸化を進めることの少ないＳ／Ｎ比の
高い再生が可能になった。
【００４３】第３の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図６に示
しように、パルス状に電圧を印加し、電圧印加の瞬間の
みに流れる電流を検出して再生を行う。
しように、パルス状に電圧を印加し、電圧印加の瞬間の
みに流れる電流を検出して再生を行う。
【００４４】具体的には、パルス状バイアス電圧印加回
路６０３により、探針６０１−記録媒体６０２間にパル
ス状のバイアス電圧を印加する。ここで、パルス状のバ
イアス電圧というのは、記録用のパルス電圧に比べて低
電圧のパルスをいう。パルス状バイアス電圧印加回路６
０３からのタイミングトリガーを受け、パルス電流検出
回路６０４では、記録ビット６０５を通して流れるパル
ス電流を検出し、これを再生信号とする。
路６０３により、探針６０１−記録媒体６０２間にパル
ス状のバイアス電圧を印加する。ここで、パルス状のバ
イアス電圧というのは、記録用のパルス電圧に比べて低
電圧のパルスをいう。パルス状バイアス電圧印加回路６
０３からのタイミングトリガーを受け、パルス電流検出
回路６０４では、記録ビット６０５を通して流れるパル
ス電流を検出し、これを再生信号とする。
【００４５】この方法により、探針６０１−記録媒体６
０２に再生用のパルス電圧が印加されているときのみ、
プローブ６０６と記録媒体６０２との間に電流を流して
記録媒体６０２の表面抵抗を検出することができ、記録
ビットの再生時に流す電流値を時間平均的に減少させる
ことができた。この結果、記録媒体の酸化を進めること
の少ないＳ／Ｎ比の高い再生が可能になった。
０２に再生用のパルス電圧が印加されているときのみ、
プローブ６０６と記録媒体６０２との間に電流を流して
記録媒体６０２の表面抵抗を検出することができ、記録
ビットの再生時に流す電流値を時間平均的に減少させる
ことができた。この結果、記録媒体の酸化を進めること
の少ないＳ／Ｎ比の高い再生が可能になった。
【００４６】第４の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図７に示
すように、探針７０１−記録媒体７０２間の容量リアク
タンスを測定することにより、記録ビット７０３の検出
を行う。記録ビットの部分では、記録媒体表面の静電容
量が変化しており、これを検出する。
すように、探針７０１−記録媒体７０２間の容量リアク
タンスを測定することにより、記録ビット７０３の検出
を行う。記録ビットの部分では、記録媒体表面の静電容
量が変化しており、これを検出する。
【００４７】具体的には、高周波信号印加回路７０４に
より、探針７０１−記録媒体７０２間に、振幅が１Ｖ程
度の低電圧で、周波数が１ＧＨｚ程度の高周波信号を印
加し、プローブ７０５でこれを検出する。検出高周波信
号は、高周波増幅器７０６、バンドパスフィルタ７０７
を通した後、同期検出器７０８にて、参照高周波信号と
同期検出により高感度検出される。高周波信号印加回路
７０４からの参照高周波信号は位相シフタ７０９を通
し、位相を９０度遅らせた後、同期検出器７０８に入力
される。ここで位相シフタ７０９により、参照高周波信
号の位相を遅らせるのは、検出高周波信号のうち、高周
波信号印加回路７０４から出力される元の高周波信号の
位相に比べ、９０度遅れる位相成分が、探針７０１−記
録媒体７０２間の容量リアクタンスを反映しているから
である。同期検出器７０８の出力信号を絶対値回路７１
０、平均化回路７１１に通したものが、探針７０１−記
録媒体７０２間の容量リアクタンス、すなわち、静電容
量値を表すものであり、これを再生信号とする。
より、探針７０１−記録媒体７０２間に、振幅が１Ｖ程
度の低電圧で、周波数が１ＧＨｚ程度の高周波信号を印
加し、プローブ７０５でこれを検出する。検出高周波信
号は、高周波増幅器７０６、バンドパスフィルタ７０７
を通した後、同期検出器７０８にて、参照高周波信号と
同期検出により高感度検出される。高周波信号印加回路
７０４からの参照高周波信号は位相シフタ７０９を通
し、位相を９０度遅らせた後、同期検出器７０８に入力
される。ここで位相シフタ７０９により、参照高周波信
号の位相を遅らせるのは、検出高周波信号のうち、高周
波信号印加回路７０４から出力される元の高周波信号の
位相に比べ、９０度遅れる位相成分が、探針７０１−記
録媒体７０２間の容量リアクタンスを反映しているから
である。同期検出器７０８の出力信号を絶対値回路７１
０、平均化回路７１１に通したものが、探針７０１−記
録媒体７０２間の容量リアクタンス、すなわち、静電容
量値を表すものであり、これを再生信号とする。
【００４８】再生時に記録媒体に電流を流す際に酸化が
進んだり、大気中で自然酸化が進んだりして表面抵抗が
増大し、直流電流が流れにくくなっても、記録媒体は有
限の容量リアクタンスを有するため、高周波電流での検
出は可能である。以上のような静電容量を検出する方法
により、Ｓ／Ｎ比の高い再生が可能になった。
進んだり、大気中で自然酸化が進んだりして表面抵抗が
増大し、直流電流が流れにくくなっても、記録媒体は有
限の容量リアクタンスを有するため、高周波電流での検
出は可能である。以上のような静電容量を検出する方法
により、Ｓ／Ｎ比の高い再生が可能になった。
【００４９】第５の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図８に示
すように、再生時に探針８０１−記録媒体８０２間に印
加するバイアス電圧を変調し、バイアス電圧による電流
検出信号あるいは凸形状検出信号の１次微分あるいは２
次微分信号を検出して、再生を行う。
すように、再生時に探針８０１−記録媒体８０２間に印
加するバイアス電圧を変調し、バイアス電圧による電流
検出信号あるいは凸形状検出信号の１次微分あるいは２
次微分信号を検出して、再生を行う。
【００５０】具体的には、変調バイアス電圧印加手段８
０３、及び、直流バイアス電圧印加手段８０４により、
探針８０１−記録媒体８０２間に、直流バイアス電圧に
重畳させて変調バイアス電圧を印加する。ここで、直流
バイアス電圧の大きさは−１Ｖ〜＋１Ｖ程度、変調バイ
アス電圧の振幅は０．１Ｖ程度、変調周波数は１００ｋ
Ｈｚ程度である。探針８０１−記録媒体８０２間に流れ
る電流を電流検出回路８０５で検出し、この電流検出信
号を微分回路Ａ（８０６）に入力する。微分回路Ａ（８
０６）では、変調バイアス電圧印加手段８０３からの変
調バイアス電圧信号をもとに、電流検出信号の１次及び
２次微分演算を行い、得られた結果を再生信号Ａとす
る。電流検出信号の電圧による１次微分は、記録媒体８
０２表面の接触抵抗、２次微分は表面の電子状態密度を
表すものである。記録ビット８１１の部分では、記録媒
体８０２表面の局所的酸化が進んでいるため、記録が行
われていない部分に比べて接触抵抗値及び電子状態密度
が変化しており、電流検出信号の電圧による１次微分及
び２次微分信号により、再生が可能である。
０３、及び、直流バイアス電圧印加手段８０４により、
探針８０１−記録媒体８０２間に、直流バイアス電圧に
重畳させて変調バイアス電圧を印加する。ここで、直流
バイアス電圧の大きさは−１Ｖ〜＋１Ｖ程度、変調バイ
アス電圧の振幅は０．１Ｖ程度、変調周波数は１００ｋ
Ｈｚ程度である。探針８０１−記録媒体８０２間に流れ
る電流を電流検出回路８０５で検出し、この電流検出信
号を微分回路Ａ（８０６）に入力する。微分回路Ａ（８
０６）では、変調バイアス電圧印加手段８０３からの変
調バイアス電圧信号をもとに、電流検出信号の１次及び
２次微分演算を行い、得られた結果を再生信号Ａとす
る。電流検出信号の電圧による１次微分は、記録媒体８
０２表面の接触抵抗、２次微分は表面の電子状態密度を
表すものである。記録ビット８１１の部分では、記録媒
体８０２表面の局所的酸化が進んでいるため、記録が行
われていない部分に比べて接触抵抗値及び電子状態密度
が変化しており、電流検出信号の電圧による１次微分及
び２次微分信号により、再生が可能である。
【００５１】また、レーザー８０７からプローブ８０８
先端に照射された光の反射光スポット位置を検出する位
置検出素子８０９から出力される凸形状検出信号を微分
回路Ｂ（８１０）に入力する。微分回路Ｂ（８１０）で
は、変調バイアス電圧印加手段８０３からの変調バイア
ス電圧信号をもとに、凸形状検出信号の２次微分演算を
行い、得られた結果を再生信号Ｂとする。凸形状検出信
号、すなわち、探針８０１−記録媒体８０２間作用力検
出信号には、探針８０１−記録媒体８０２間に作用する
静電力の成分を含んでおり、静電力の電圧による２次微
分は静電容量に比例する。前述のように、記録ビット８
１１の部分では静電容量が変化しているので、凸形状検
出信号の電圧による２次微分信号により、再生が可能で
ある。
先端に照射された光の反射光スポット位置を検出する位
置検出素子８０９から出力される凸形状検出信号を微分
回路Ｂ（８１０）に入力する。微分回路Ｂ（８１０）で
は、変調バイアス電圧印加手段８０３からの変調バイア
ス電圧信号をもとに、凸形状検出信号の２次微分演算を
行い、得られた結果を再生信号Ｂとする。凸形状検出信
号、すなわち、探針８０１−記録媒体８０２間作用力検
出信号には、探針８０１−記録媒体８０２間に作用する
静電力の成分を含んでおり、静電力の電圧による２次微
分は静電容量に比例する。前述のように、記録ビット８
１１の部分では静電容量が変化しているので、凸形状検
出信号の電圧による２次微分信号により、再生が可能で
ある。
【００５２】なお、第１の高Ｓ／Ｎ比再生方法のように
電流検出信号の微分信号と凸形状検出信号の微分信号を
組み合わせて再生信号としてもよい。
電流検出信号の微分信号と凸形状検出信号の微分信号を
組み合わせて再生信号としてもよい。
【００５３】以上のように、バイアス電圧を変調するこ
とにより、直流バイアス電圧を小さくし、記録媒体に流
れる直流電流値を減少させ、再生時の酸化がより進みに
くい状態で電流信号を基にした再生ができる。また、凸
形状信号を基にして、静電容量による検出もできる。以
上のような方法により、Ｓ／Ｎ比の高い再生が可能にな
った。
とにより、直流バイアス電圧を小さくし、記録媒体に流
れる直流電流値を減少させ、再生時の酸化がより進みに
くい状態で電流信号を基にした再生ができる。また、凸
形状信号を基にして、静電容量による検出もできる。以
上のような方法により、Ｓ／Ｎ比の高い再生が可能にな
った。
【００５４】第６の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図９に示
すように、プローブ９０１を記録媒体９０２に対して接
触させた状態、あるいは非接触状態で、対向する方向に
微小振動させ、微小振動駆動信号による電流検出信号あ
るいは凸形状検出信号の１次微分信号を検出して、再生
を行う。
すように、プローブ９０１を記録媒体９０２に対して接
触させた状態、あるいは非接触状態で、対向する方向に
微小振動させ、微小振動駆動信号による電流検出信号あ
るいは凸形状検出信号の１次微分信号を検出して、再生
を行う。
【００５５】具体的には、記録媒体９０２にピエゾ素子
９０３を取り付け、図９中ｚ方向に１０ｎｍ程度の微小
振幅で振動させる。この振動によって探針９０４先端が
記録媒体９０２に対して接触状態、あるいは非接触状態
をとるように、プローブ９０１と記録媒体９０２の間隔
を設定する。ピエゾ素子９０３の駆動は関数発生器９０
５からの信号をもとに、ピエゾ素子駆動回路９０６から
の駆動信号を印加して行う。バイアス電圧印加手段９０
７により、探針９０４と記録媒体９０２との間にバイア
ス電圧を印加し、間に流れる電流を電流検出回路９０８
で検出する。検出電流信号を微分回路Ａ（９０９）に入
力する。微分回路Ａ（９０９）において、関数発生器９
０５からのピエゾ素子駆動信号と同期する信号により、
検出電流信号の１次微分演算を行い、これを再生信号Ａ
とする。
９０３を取り付け、図９中ｚ方向に１０ｎｍ程度の微小
振幅で振動させる。この振動によって探針９０４先端が
記録媒体９０２に対して接触状態、あるいは非接触状態
をとるように、プローブ９０１と記録媒体９０２の間隔
を設定する。ピエゾ素子９０３の駆動は関数発生器９０
５からの信号をもとに、ピエゾ素子駆動回路９０６から
の駆動信号を印加して行う。バイアス電圧印加手段９０
７により、探針９０４と記録媒体９０２との間にバイア
ス電圧を印加し、間に流れる電流を電流検出回路９０８
で検出する。検出電流信号を微分回路Ａ（９０９）に入
力する。微分回路Ａ（９０９）において、関数発生器９
０５からのピエゾ素子駆動信号と同期する信号により、
検出電流信号の１次微分演算を行い、これを再生信号Ａ
とする。
【００５６】ｚ方向微小振動駆動信号による電流検出信
号の１次微分は、記録媒体９０２表面の仕事関数を表す
ものである。記録ビット９１０の部分では、記録媒体９
０２表面の局所的酸化が進んでいるため、記録が行われ
ていない部分に比べて仕事関数が局所的に変化してお
り、ｚ方向微小振動駆動信号による電流検出信号の１次
微分信号により、再生が可能である。
号の１次微分は、記録媒体９０２表面の仕事関数を表す
ものである。記録ビット９１０の部分では、記録媒体９
０２表面の局所的酸化が進んでいるため、記録が行われ
ていない部分に比べて仕事関数が局所的に変化してお
り、ｚ方向微小振動駆動信号による電流検出信号の１次
微分信号により、再生が可能である。
【００５７】また、レーザー９１１からプローブ９０１
先端に照射された光の反射光スポット位置を検出する位
置検出素子９１２から出力される凸形状検出信号を微分
回路Ｂ（９１３）に入力する。微分回路Ｂ（９１３）で
は、関数発生器９０５からのピエゾ素子駆動信号と同期
する信号により、凸形状検出信号の１次微分演算を行
い、これを再生信号Ｂとする。
先端に照射された光の反射光スポット位置を検出する位
置検出素子９１２から出力される凸形状検出信号を微分
回路Ｂ（９１３）に入力する。微分回路Ｂ（９１３）で
は、関数発生器９０５からのピエゾ素子駆動信号と同期
する信号により、凸形状検出信号の１次微分演算を行
い、これを再生信号Ｂとする。
【００５８】微小振動駆動信号による凸形状検出信号の
１次微分は、記録媒体９０２表面のヤング率を表すもの
である。記録ビット９１０の部分では、記録媒体９０２
表面が酸化物となっているため、記録が行われていない
部分に比べて記録媒体９０２表面のヤング率が局所的に
変化しており、ｚ方向微小振動駆動信号による凸形状検
出信号の１次微分信号により、再生が可能である。
１次微分は、記録媒体９０２表面のヤング率を表すもの
である。記録ビット９１０の部分では、記録媒体９０２
表面が酸化物となっているため、記録が行われていない
部分に比べて記録媒体９０２表面のヤング率が局所的に
変化しており、ｚ方向微小振動駆動信号による凸形状検
出信号の１次微分信号により、再生が可能である。
【００５９】なお、第１の高Ｓ／Ｎ比再生方法のように
電流検出信号の微分信号と凸形状検出信号の微分信号を
組み合わせて再生信号としてもよい。
電流検出信号の微分信号と凸形状検出信号の微分信号を
組み合わせて再生信号としてもよい。
【００６０】以上のように、探針−記録媒体間隔を変調
することにより、電流検出信号を基にして、記録媒体表
面の仕事関数の違いによる検出もできる。また、凸形状
信号と基にして、記録媒体表面のヤング率の違いによる
検出もできる。いずれも、記録媒体表面の単なる凹凸と
記録ビットとを精度良く区別することができ、Ｓ／Ｎ比
の高い再生が可能になった。
することにより、電流検出信号を基にして、記録媒体表
面の仕事関数の違いによる検出もできる。また、凸形状
信号と基にして、記録媒体表面のヤング率の違いによる
検出もできる。いずれも、記録媒体表面の単なる凹凸と
記録ビットとを精度良く区別することができ、Ｓ／Ｎ比
の高い再生が可能になった。
【００６１】第７の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図１０に
示すように、電流検出信号あるいは凸形状検出信号の時
間微分から再生を行う。
示すように、電流検出信号あるいは凸形状検出信号の時
間微分から再生を行う。
【００６２】具体的には、前述と同様に電流検出回路で
検出した検出電流信号を時間微分回路Ａ（１００１）に
入力する。時間微分回路Ａ（１００１）では、検出電流
信号の時間微分演算を行い、これを再生信号Ａとする。
記録媒体１００３上の記録ビット１００４の部分では、
検出電流が減少するため、再生信号Ａの値（符号）は０
→−→＋→０と変化する。記録ビットの大きさと探針−
記録媒体相対走査速度はあらかじめ既知であるから、記
録ビットを検出する際の再生信号Ａの値（符号）の時間
変化も既知であり、記録ビットの検出が可能である。
検出した検出電流信号を時間微分回路Ａ（１００１）に
入力する。時間微分回路Ａ（１００１）では、検出電流
信号の時間微分演算を行い、これを再生信号Ａとする。
記録媒体１００３上の記録ビット１００４の部分では、
検出電流が減少するため、再生信号Ａの値（符号）は０
→−→＋→０と変化する。記録ビットの大きさと探針−
記録媒体相対走査速度はあらかじめ既知であるから、記
録ビットを検出する際の再生信号Ａの値（符号）の時間
変化も既知であり、記録ビットの検出が可能である。
【００６３】位置検出素子から出力される凸形状検出信
号を時間微分回路Ｂ（１００２）に入力する。時間微分
回路Ｂ（１００２）では、凸形状検出信号の時間微分演
算を行い、これを再生信号Ｂとする。記録媒体１００３
上の記録ビット１００４の部分では、凸形状を有するた
め、再生信号Ｂの値（符号）は０→＋→−→０と変化す
る。記録ビットの大きさと探針−記録媒体相対走査速度
はあらかじめ既知であるから、記録ビットを検出する際
の再生信号Ｂの値（符号）の時間変化も既知であり、記
録ビットの検出が可能である。
号を時間微分回路Ｂ（１００２）に入力する。時間微分
回路Ｂ（１００２）では、凸形状検出信号の時間微分演
算を行い、これを再生信号Ｂとする。記録媒体１００３
上の記録ビット１００４の部分では、凸形状を有するた
め、再生信号Ｂの値（符号）は０→＋→−→０と変化す
る。記録ビットの大きさと探針−記録媒体相対走査速度
はあらかじめ既知であるから、記録ビットを検出する際
の再生信号Ｂの値（符号）の時間変化も既知であり、記
録ビットの検出が可能である。
【００６４】なお、第１の高Ｓ／Ｎ比再生方法のように
電流検出信号の微分信号と凸形状検出信号の微分信号を
組み合わせて再生信号としてもよい。
電流検出信号の微分信号と凸形状検出信号の微分信号を
組み合わせて再生信号としてもよい。
【００６５】記録媒体１００３表面の接触抵抗値は、酸
化膜の厚さや探針表面に付着しているコンタミによって
大きく変化する。したがって、記録の行われていない部
分で流れる電流値も大きく異なり、記録ビット１００４
を検出する際に、流れる電流がこれ以下なら記録ビット
と判断する電流しきい値の設定が難しくなる。上述のよ
うに、電流検出信号の時間微分信号により記録ビットを
検出するようにすると、検出電流の絶対値に関われず記
録ビットの検出が可能となる。
化膜の厚さや探針表面に付着しているコンタミによって
大きく変化する。したがって、記録の行われていない部
分で流れる電流値も大きく異なり、記録ビット１００４
を検出する際に、流れる電流がこれ以下なら記録ビット
と判断する電流しきい値の設定が難しくなる。上述のよ
うに、電流検出信号の時間微分信号により記録ビットを
検出するようにすると、検出電流の絶対値に関われず記
録ビットの検出が可能となる。
【００６６】また、前述したように、記録ビット１００
４の凸形状の高さは記録媒体１００３表面の凹凸に比
べ、桁違いに大きいわけではないため、記録ビット１０
０４を検出する際に、凸形状高さがこれ以上なら記録ビ
ットと判断する凸形状高さのしきい値の設定が難しい。
上述のように、凸形状検出信号の時間微分信号により記
録ビットを検出するようにすると、凸形状検出信号の大
きさに関わらず記録ビットの検出が可能となる。
４の凸形状の高さは記録媒体１００３表面の凹凸に比
べ、桁違いに大きいわけではないため、記録ビット１０
０４を検出する際に、凸形状高さがこれ以上なら記録ビ
ットと判断する凸形状高さのしきい値の設定が難しい。
上述のように、凸形状検出信号の時間微分信号により記
録ビットを検出するようにすると、凸形状検出信号の大
きさに関わらず記録ビットの検出が可能となる。
【００６７】以上のように、電流検出信号あるいは凸形
状検出信号の時間微分により再生することにより、Ｓ／
Ｎ比の高い再生が可能になった。
状検出信号の時間微分により再生することにより、Ｓ／
Ｎ比の高い再生が可能になった。
【００６８】第８の高Ｓ／Ｎ比の再生方法は、図１１に
示すように、プローブ１１０１と記録媒体１１０２との
相対走査を行う際に、探針１１０３先端に作用する摩擦
力等の相対走査方向に作用する力によるプローブ１１０
１のねじれ量の大きさを検出して再生を行う。
示すように、プローブ１１０１と記録媒体１１０２との
相対走査を行う際に、探針１１０３先端に作用する摩擦
力等の相対走査方向に作用する力によるプローブ１１０
１のねじれ量の大きさを検出して再生を行う。
【００６９】具体的には、レーザー１１０４からの光を
プローブ１１０１先端に照射し、反射光のスポット位置
を位置検出素子１１０５で検出する。ここで、再生時に
おけるプローブ１１０１と記録媒体１１０２の相対走査
方向をプローブ１１０１と垂直な方向とし、位置検出素
子１１０５における位置検出方向を図３〜１０で示した
方向とは９０度違え、プローブ１１０１のたわみ量の代
わりにねじれ量を検出できるようにする。プローブねじ
れ量検出信号を再生信号回路１１０６に入力し、これを
再生信号とする。
プローブ１１０１先端に照射し、反射光のスポット位置
を位置検出素子１１０５で検出する。ここで、再生時に
おけるプローブ１１０１と記録媒体１１０２の相対走査
方向をプローブ１１０１と垂直な方向とし、位置検出素
子１１０５における位置検出方向を図３〜１０で示した
方向とは９０度違え、プローブ１１０１のたわみ量の代
わりにねじれ量を検出できるようにする。プローブねじ
れ量検出信号を再生信号回路１１０６に入力し、これを
再生信号とする。
【００７０】プローブ１１０１と記録媒体１１０２の図
中ｘ方向に相対走査中、記録ビット１１０７の凸形状に
より探針１１０３先端がｘ方向に力を受け、プローブ１
１０１にねじれが生じる。したがって、このねじれ量を
検知することにより、記録ビット１１０７の再生を行う
ことができる。
中ｘ方向に相対走査中、記録ビット１１０７の凸形状に
より探針１１０３先端がｘ方向に力を受け、プローブ１
１０１にねじれが生じる。したがって、このねじれ量を
検知することにより、記録ビット１１０７の再生を行う
ことができる。
【００７１】また、バイアス電圧印加手段１１０８によ
り、探針１１０３と記録媒体１１０２との間にバイアス
電圧を印加した状態で相対走査を行うと、記録ビット１
１０７の部分では、静電容量が減少しているため、探針
１１０３と記録媒体１１０２との間に作用する静電力が
減少する。この結果、探針１１０３と記録媒体１１０２
との間で図中ｘ方向に作用する摩擦力も減少し、記録ビ
ット１１０７の部分でねじれ量が減少する。したがっ
て、このねじれ量を検知することにより、記録ビット１
１０７の再生を行うことができる。
り、探針１１０３と記録媒体１１０２との間にバイアス
電圧を印加した状態で相対走査を行うと、記録ビット１
１０７の部分では、静電容量が減少しているため、探針
１１０３と記録媒体１１０２との間に作用する静電力が
減少する。この結果、探針１１０３と記録媒体１１０２
との間で図中ｘ方向に作用する摩擦力も減少し、記録ビ
ット１１０７の部分でねじれ量が減少する。したがっ
て、このねじれ量を検知することにより、記録ビット１
１０７の再生を行うことができる。
【００７２】以上のように、探針１１０３と記録媒体１
１０２の相対走査中に記録ビット１１０７において走査
方向に作用する力を検出して再生することにより、Ｓ／
Ｎ比の高い再生が可能になった。
１０２の相対走査中に記録ビット１１０７において走査
方向に作用する力を検出して再生することにより、Ｓ／
Ｎ比の高い再生が可能になった。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、記録
媒体として、大気中で電流を流すことにより酸化を生
じ、凸形状を形成すると同時に局所的に接触抵抗が増大
するような物質を用いて、プローブを接触させ、電流を
流して記録を行い、ＡＦＭの原理を用いて凸形状を検出
する、あるいは、プローブ−記録媒体間に流れる電流を
検知することにより、記録媒体表面の接触抵抗の増大を
検出するようにした。
媒体として、大気中で電流を流すことにより酸化を生
じ、凸形状を形成すると同時に局所的に接触抵抗が増大
するような物質を用いて、プローブを接触させ、電流を
流して記録を行い、ＡＦＭの原理を用いて凸形状を検出
する、あるいは、プローブ−記録媒体間に流れる電流を
検知することにより、記録媒体表面の接触抵抗の増大を
検出するようにした。
【００７４】この結果、記録時に流れる電流による探針
先端や記録媒体の破壊を避けることができ、探針先端の
汚染もなくなった。このため、探針先端の分解能も良
く、記録再生時の信頼性も向上した。
先端や記録媒体の破壊を避けることができ、探針先端の
汚染もなくなった。このため、探針先端の分解能も良
く、記録再生時の信頼性も向上した。
【図１】本発明の情報記録再生装置における記録方法の
第１の実施例の原理を説明する概念図である。 （Ａ）記録媒体と、プローブ先端を示す図 （Ｂ）記録媒体とプローブ先端の間に電圧を印加した状
態を示す図
第１の実施例の原理を説明する概念図である。 （Ａ）記録媒体と、プローブ先端を示す図 （Ｂ）記録媒体とプローブ先端の間に電圧を印加した状
態を示す図
【図２】本発明の情報記録再生装置における記録方法の
第２の実施例の原理を説明する概念図である。 （Ａ）記録媒体と、プローブ先端を示す図 （Ｂ）記録媒体とプローブ先端の間に電圧を印加した状
態を示す図
第２の実施例の原理を説明する概念図である。 （Ａ）記録媒体と、プローブ先端を示す図 （Ｂ）記録媒体とプローブ先端の間に電圧を印加した状
態を示す図
【図３】本発明の情報記録再生装置の具体的構成を説明
する図である。
する図である。
【図４】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ比
の再生方法の第１の実施例を説明する図である。
の再生方法の第１の実施例を説明する図である。
【図５】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ比
の再生方法の第２の実施例を説明する図である。
の再生方法の第２の実施例を説明する図である。
【図６】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ比
の再生方法の第３の実施例を説明する図である。
の再生方法の第３の実施例を説明する図である。
【図７】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ比
の再生方法の第４の実施例を説明する図である。
の再生方法の第４の実施例を説明する図である。
【図８】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ比
の再生方法の第５の実施例を説明する図である。
の再生方法の第５の実施例を説明する図である。
【図９】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ比
の再生方法の第６の実施例を説明する図である。
の再生方法の第６の実施例を説明する図である。
【図１０】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ
比の再生方法の第７の実施例を説明する図である。
比の再生方法の第７の実施例を説明する図である。
【図１１】本発明の情報記録再生装置における高Ｓ／Ｎ
比の再生方法の第８の実施例を説明する図である。
比の再生方法の第８の実施例を説明する図である。
１０１ 記録媒体 １０２ プローブ先端 １０３ 電圧印加手段 １０４ 酸化膜 １０５ 記録ビット ２０１ 記録媒体 ２０２ プローブ先端 ２０３ 電圧印加手段 ２０４ 吸着水 ２０５ 記録ビット ３０１ ディスク記録媒体 ３０２ 回転モータ ３０３ 複数のプローブ ３０４ 並列化・多重化回路 ３０５ マルチプローブユニット ３０６ バイアス電圧印加回路 ３０７ 制御コンピュータ ３０８ 記録信号制御回路 ３０９ 多重再生信号回路Ａ ３１０ ミラー走査信号制御回路 ３１１ 走査ミラー ３１２ レーザ ３１３ ビームスプリッタ ３１４ 位置検出素子 ３１５ 多重再生信号回路Ｂ ３１７ 探針 ４０１ 多重再生信号回路Ａ ４０２ 多重再生信号回路Ｂ ４０３ ＡＮＤ回路 ４０４ 記録ビット ４０５ 記録媒体 ５０１ プローブ ５０２ 記録媒体 ５０３ 探針 ５０４ マルチプローブユニット ５０５ ピエゾ素子 ５０６ 関数発生器 ５０７ ピエゾ素子駆動回路 ５０８ バイアス電圧印加手段 ５０９ 電流検出回路 ５１０ 同期検出回路 ６０１ 探針 ６０２ 記録媒体 ６０３ パルス状バイアス電圧印加回路 ６０４ パルス電流検出回路 ６０５ 記録ビット ６０６ プローブ ７０１ 探針 ７０２ 記録媒体 ７０３ 記録ビット ７０４ 高周波信号印加回路 ７０５ プローブ ７０６ 高周波増幅器 ７０７ バンドパスフィルタ ７０８ 同期検出器 ７０９ 位相シフタ ７１０ 絶対値回路 ７１１ 平均化回路 ８０１ 探針 ８０２ 記録媒体 ８０３ 変調バイアス電圧印加手段 ８０４ 直流バイアス電圧印加手段 ８０５ 電流検出回路 ８０６ 微分回路Ａ ８０７ レーザ ８０８ プローブ ８０９ 位置検出素子 ８１０ 微分回路Ｂ ８１１ 記録ビット ９０１ プローブ ９０２ 記録媒体 ９０３ ピエゾ素子 ９０４ 探針 ９０５ 関数発生器 ９０６ ピエゾ素子駆動回路 ９０７ バイアス電圧印加手段 ９０８ 電流検出回路 ９０９ 微分回路Ａ ９１０ 記録ビット ９１１ レーザ ９１２ 位置検出素子 ９１３ 微分回路Ｂ １００１ 時間微分回路Ａ １００２ 時間微分回路Ｂ １００３ 記録媒体 １００４ 記録ビット １１０１ プローブ １１０２ 記録媒体 １１０３ 探針 １１０４ レーザ １１０５ 位置検出素子 １１０６ 再生信号回路 １１０７ 記録ビット １１０８ バイアス電圧印加手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 9/14
Claims (19)
- 【請求項１】 大気中で電流が流れる部分が酸化し、体
積が増大することにより凸形状の記録ビットを生じる記
録媒体と、 該記録媒体表面に先端を接触させて配置され弾性体から
なる記録再生プローブと、 該プローブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に相対
走査させる相対走査手段と、 該記録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、
該記録媒体表面上の該記録再生プローブ先端が接触して
いる位置に情報記録を行うための電圧を該記録再生プロ
ーブと該記録媒体との間に印加する記録信号電圧印加手
段と、 該記録媒体上を該記録再生プローブが走査する際に生じ
る該記録再生プローブの弾性変形量を検出する弾性変形
量検出手段と、 該弾性変形量検出手段から出力される弾性変形量検出信
号から、情報が記録された該記録媒体表面の該記録ビッ
トの凸形状を検知することにより、情報の再生を行う情
報再生手段とを有することを特徴とする情報記録再生装
置。 - 【請求項２】 前記記録信号電圧印加手段が、変調電圧
印加手段であり、 前記情報再生手段が、該変調電圧による前記弾性変形量
検出信号の２次微分信号を算出する微分回路を有し、 該微分回路において算出される該２次微分信号から、前
記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再生プロ
ーブとの間の静電容量の減少を検知することにより、情
報の再生を行うことを特徴とする請求項１記載の情報記
録再生装置。 - 【請求項３】 前記記録再生プローブと前記記録媒体と
の間隔を変調する間隔駆動手段を有し、 前記情報再生手段が、該間隔変調量による前記弾性変形
量検出信号の１次微分信号を算出する微分回路を有し、 該微分回路において算出される該１次微分信号から、前
記記録ビットにおける前記記録媒体表面のヤング率の変
化を検知することにより、情報の再生を行うことを特徴
とする請求項１記載の情報記録再生装置。 - 【請求項４】 前記情報再生手段が、前記弾性変形量検
出信号の時間微分信号を算出する微分回路を有し、 該微分回路において算出される該時間微分信号から、前
記記録ビットにおける前記記録媒体表面の凸形状を検知
することにより、情報の再生を行うことを特徴とする請
求項１記載の情報記録再生装置。 - 【請求項５】 前記弾性体が、前記記録再生プローブと
前記記録媒体との間に前記相対走査方向に作用する摩擦
力により、弾性変形を生じるものであり、前記弾性変形
量検出信号から、前記記録ビットにおける該摩擦力の増
加を検知し、該記録ビットの凸形状を検知することよ
り、情報の再生を行うことを特徴とする請求項１記載の
情報記録再生装置。 - 【請求項６】 前記弾性体が、前記記録再生プローブと
前記記録媒体との間に前記相対走査方向に作用する摩擦
力により、弾性変形を生じるものであり、 前記弾性変形量検出信号から、前記記録ビットにおける
該摩擦力の減少を検知し、前記記録ビットにおける前記
記録媒体と前記記録再生プローブとの間の静電容量の減
少を検知することにより、情報の再生を行うことを特徴
とする請求項１記載の情報記録再生装置。 - 【請求項７】 大気中で電流が流れる部分が酸化するこ
とにより、導電性が減少した記録ビットを生じる記録媒
体と、 該記録媒体表面に先端を接触させて配置された弾性体か
らなる記録再生プローブと、 該プローブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に相対
走査させる相対走査手段と、 該記録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、
該記録媒体表面上の該記録再生プローブ先端が接触して
いる位置に情報記録を行うための電圧を該記録再生プロ
ーブと該記録媒体との間に印加する記録信号電圧印加手
段と、 該記録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、
該記録媒体表面上の該記録再生プローブ先端が接触して
いる位置の情報再生を行うための電圧を該記録再生プロ
ーブと該記録媒体との間に印加する再生電圧加手段と、 該記録媒体上を該記録再生プローブが走査する際に生じ
る該記録媒体と該記録再生プローブとの間に流れる電流
を検出する再生電流検出手段と、 該再生電流検出手段から出力される再生電流検出信号に
より、情報が記録された該記録媒体表面の該記録ビット
の導電性の減少を検知することにより、情報の再生を行
う情報再生手段とを有することを特徴とする情報記録再
生装置。 - 【請求項８】 前記記録再生プローブと前記記録媒体と
が接触状態と非接触状態とをとるように、該記録再生プ
ローブと該記録媒体との間隔を振動させる間隔駆動手段
を有し、 前記情報再生手段が、該記録再生プローブの該記録媒体
に対する接触に同期して前記再生電流検出信号を同期検
出する同期検出回路を有し、 該同期検出回路において算出される同期検出信号から、
前記記録ビットにおける前記記録体表面の導電性の減少
を検知することにより、情報の再生を行うことを特徴と
する請求項７記載の情報記録再生装置。 - 【請求項９】 前記再生電圧印加手段がパルス電圧印加
手段であり、前記再生電流検出手段がパルス電流検出手
段であり、 該再生電流検出手段において算出されるパルス電流検出
信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表面の
導電性の減少を検知することにより、情報の再生を行う
ことを特徴とする請求項７記載の情報記録再生装置。 - 【請求項１０】 前記再生電圧印加手段が高周波信号電
圧印加手段であり、前記再生電流検出手段が高周波信号
電流検出手段であり、 前記情報再生手段が、該高周波信号電圧に同期して前記
再生電流検出信号を同期検出する同期検出回路を有し、 該同期検出回路において算出される同期検出信号から、
前記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再生プ
ローブとの間の静電容量の減少を検知することにより、
情報の再生を行うことを特徴とする請求項７記載の情報
記録再生装置。 - 【請求項１１】 前記記録信号電圧印加手段が、変調電
圧印加手段であり、前記情報再生手段が、該変調電圧に
よる前記再生電流検出信号の１次あるいは２次微分信号
を算出する微分回路を有し、 該微分回路において算出される該１次あるいは２次微分
信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表面の
接触抵抗の増加あるいは電子状態密度の変化を検知する
ことにより、情報の再生を行うことを特徴とする請求項
７記載の情報記録再生装置。 - 【請求項１２】 前記記録再生プローブと前記記録媒体
との間隔を変調する間隔駆動手段を有し、 前記情報再生手段が、該間隔変調量による前記再生電流
検出信号の１次微分信号を算出する微分回路を有し、 該微分回路において算出される該１次微分信号から、前
記記録ビットにおける前記記録媒体表面の仕事関数の変
化を検知することにより、情報の再生を行うことを特徴
とする請求項７記載の情報記録再生装置。 - 【請求項１３】 前記情報再生手段が、前記再生電流検
出信号の時間微分信号を算出する微分回路を有し、 該微分回路において算出される該時間微分信号から、前
記記録ビットにおける前記記録媒体表面の導電性の減少
を検知することにより、情報の再生を行うことを特徴と
する請求項７記載の情報記録再生装置。 - 【請求項１４】 大気中で電流が流れる部分が酸化し、
導電性が減少し、かつ、体積が増大することにより、凸
形状の記録ビットを生じる記録媒体と、 該記録媒体表面に先端を接触させて配置され、弾性体か
らなる記録再生プローブと、 該プローブと該記録媒体とを該記録媒体面内方向に相対
走査させる相対走査手段と、 該記録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、
該記録媒体表面上の該記録再生プローブ先端が接触して
いる位置に情報記録を行うための電圧を該記録再生プロ
ーブと該記録媒体との間に印加する記録信号電圧印加手
段と、 該記録媒体上を該記録再生プローブが走査する際に生じ
る該記録再生プローブの弾性変形量を検出する弾性変形
量検出手段と、 該記録再生プローブと該記録媒体との間に電流を流し、
該記録媒体上の該記録再生プローブ先端が接触している
位置の情報再生を行うための電圧を該記録再生プローブ
と該記録媒体との間に印加する再生電圧印加手段と、 該記録媒体上を該記録再生プローブが走査する際に生じ
る該記録媒体と該記録再生プローブとの間に流れる電流
を検出する再生電流検出手段と、 該弾性変形量検出手段から出力される弾性変形量検出信
号から、情報が記録された該記録媒体表面の該記録ビッ
ト凸形状を検知し、該再生電流検出手段から出力される
再生電流検出信号により、情報が記録された該記録媒体
表面の該記録ビットの導電性の減少を検知することによ
り、情報の再生を行う情報再生手段と、を有することを
特徴とする情報記録再生装置。 - 【請求項１５】 前記記録信号電圧印加手段が、変調電
圧印加手段であり、 前記情報再生手段が、該変調電圧による前記再生電流検
出信号の１次あるいは２次微分信号を算出する第１の微
分回路と、該変調電圧による前記弾性変形量検出信号の
２次微分信号を算出する第２の微分回路とを有し、 該第１の微分回路において算出される該再生電流検出信
号の１次あるいは２次微分信号から、前記記録ビットに
おける前記記録媒体表面の接触抵抗の増加あるいは電子
状態密度の変化を検知し、該第２の微分回路において算
出される該弾性変形量検出信号の２次微分信号から、前
記記録ビットにおける前記記録媒体と前記記録再生プロ
ーブとの間の静電容量の減少を検知することにより、情
報の再生を行うことをと特徴とする請求項１４記載の情
報記録再生装置。 - 【請求項１６】 前記記録再生プローブと前記記録媒体
との間隔を変調する間隔駆動手段を有し、 前記情報再生手段が、該間隔変調量による前記再生電流
検出信号の１次微分信号を算出する第１の微分回路と、
該間隔変調量による前記弾性変形量検出信号の１次微分
信号を算出する第２の微分回路とを有し、 該第１の微分回路において算出される該再生電流検出信
号の１次微分信号から、前記記録ビットにおける前記記
録媒体表面の仕事関数の変化を検知し、該第２の微分回
路において算出される該弾性変形量検出信号の１次微分
信号から、前記記録ビットにおける前記記録媒体表面の
ヤング率の変化を検知することにより、情報の再生を行
うことを特徴とする請求項１４記載の情報記録再生装
置。 - 【請求項１７】 前記情報再生手段が、前記再生電流検
出信号の時間微分信号を算出する第１の微分回路と、前
記弾性変形量検出信号の時間微分信号を算出する第２の
微分回路有し、 該第１の微分回路において算出される該再生電流検出信
号の時間微分信号から、前記記録ビットにおける前記記
録媒体表面の導電性の減少を検知し、該第２の微分回路
において算出される該弾性変形量検出信号の時間微分信
号から前記記録ビットにおける前記記録媒体表面の凸形
状を検知することにより、情報の再生を行うことを特徴
とする請求項１４記載の情報記録再生装置。 - 【請求項１８】 前記酸化が陽極酸化である請求項1〜
１７のいずれか１項に記載の情報記録再生装置。 - 【請求項１９】 前記記録媒体がＳｉ、ＧａＡｓ、Ｔ
ｉ、Ｗ又はＺｎである請求項1〜１８のいずれか１項に
記載の情報記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24258293A JP3162883B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 情報記録再生装置 |
| US08/311,856 US5546374A (en) | 1993-09-29 | 1994-09-26 | Information recording and/or reproducing apparatus using probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24258293A JP3162883B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 情報記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798892A JPH0798892A (ja) | 1995-04-11 |
| JP3162883B2 true JP3162883B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=17091210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24258293A Expired - Fee Related JP3162883B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 情報記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5546374A (ja) |
| JP (1) | JP3162883B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2756254B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1998-05-25 | キヤノン株式会社 | 記録装置及び再生装置 |
| JPH08329538A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Hewlett Packard Co <Hp> | プローブ装置 |
| JP3576644B2 (ja) * | 1995-06-19 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 情報記録装置のプローブ及び記録媒体、並びにこれらを用いた情報記録方法 |
| US6366340B1 (en) * | 1995-08-18 | 2002-04-02 | Hitachi, Ltd. | Electron exposure apparatus |
| JP3647199B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 情報の記録再生方法及び記録再生装置 |
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| US7436753B2 (en) | 2003-12-17 | 2008-10-14 | Mejia Robert G | Contact probe storage FET sensor |
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| JP4622351B2 (ja) | 2004-07-09 | 2011-02-02 | 船井電機株式会社 | ハードディスク装置 |
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| US4907195A (en) * | 1984-09-14 | 1990-03-06 | Xerox Corporation | Method of and system for atomic scale recording of information |
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-
1993
- 1993-09-29 JP JP24258293A patent/JP3162883B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-09-26 US US08/311,856 patent/US5546374A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0798892A (ja) | 1995-04-11 |
| US5546374A (en) | 1996-08-13 |
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Legal Events
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|
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |