JP3159746B2 - 光磁気ディスク装置の信号検出系 - Google Patents

光磁気ディスク装置の信号検出系

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気ディスクから
の反射光に基づいてトラッキングエラー信号、フォーカ
シングエラー信号、情報記録信号を検出する光磁気ディ
スク装置の信号検出系に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図13は、従来の光磁気ディスク装置の光
学系を示したものである。
【0003】この光学系は、半導体レーザー1、コリメ
ータレンズ2、整形プリズム3、2つのハーフミラー面4a,
4bを有する複合プリズム4からなる発光系と、集光レン
ズ5、シリンドリカルレンズ6、サーボセンサー7aからな
るエラー信号検出系と、集光レンズ5、λ/2板8、偏光ビ
ームスプリッター9、データセンサー7b,7cからなる情報
記録信号検出系とから構成されている。
【0004】半導体レーザー1を発した光束は、複合プ
リズム4のハーフミラー面4a,4bを透過して光磁気ディス
クへ向かう。そして、光ディスクからの反射光は、それ
ぞれのハーフミラー面で反射されて各センサーに達す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光磁気ディスク装置に
おいては、ディスクからの光束を受光してフォーカシン
グエラー信号、トラッキングエラー信号、情報記録信号
の3つの信号を少なくとも検出しなければならない。上
述した従来の光ディスク装置は、エラー信号の検出用に
1つの受光素子を設け、情報記録信号の検出用に2つの受
光素子を設けている。
【0006】しかしながら、エラー信号の検出用に専用
の素子を設けると受光素子の数が多くなり、光学系が複
雑になるという問題がある。
【0007】
【発明の目的】この発明は、上記の課題に鑑みてなされ
たものであり、エラー信号と情報記録信号とを共通の受
光素子で検出することができる光磁気ディスク装置の検
出系を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる光磁気
ディスク装置の信号検出系は、上記の目的を達成させる
ため、光磁気ディスクからの反射光を互いに微小角度を
なすP,S偏光成分に分離する偏光分離手段と、各偏光成
分をそれぞれ第1、第2の方向に分離する非偏光分離手段
と、第1の方向に向かうP偏光成分を受光する位置に形成
され、トラッキングエラー信号またはフォーカスエラー
信号のどちらか一方のエラー信号を検出するための分割
受光領域と、第1の方向へ向かうS偏光成分を受光する位
置に形成された非分割受光領域とを備える第1の受光素
子と、前記第2の方向に向かうS偏光成分を受光する位
置に形成され、トラッキングエラー信号またはフォーカ
スエラー信号うちの前記第1の受光素子の分割受光領域
によって検出されるエラー信号以外のエラー信号を検出
するための分割受光領域と、第2の方向へ向かうP偏光成
分を受光する位置に形成された非分割受光領域とを有す
る第2の受光素子とを備えることを特徴とする。
【0009】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。
【0010】
【実施例1】図1はこの発明の実施例1にかかる光磁気デ
ィスクの光学系を示したものである。
【0011】図1(A)に示したように、半導体レーザー10
から発した発散光束は、コリメータレンズ11によって平
行光束とされ、整形プリズム12により断面形状が円形に
整形され、ハーフミラープリズム30に入射する。ハーフ
ミラープリズム30に入射した光束の一部は、このプリズ
ムで反射され、集光レンズ31により半導体レーザーの自
動出力調整用の受光素子40上に集光される。ハーフミラ
ープリズム30を透過した光束は、ミラー20によって図1
(A)の紙面と垂直な方向に反射され、図1(B)に示すよう
に対物レンズ21を介して光磁気ディスクMODに収束す
る。対物レンズ21とミラー20とは、光磁気ディスクMOD
のラジアル方向にスライドされる図示せぬヘッド内に設
けられている。また、対物レンズ21は、ヘッド内に設け
られたアクチュエータ上に設けられており、その光軸方
向に駆動される。
【0012】ディスクMODで反射された光束は再びハー
フミラープリズム30に入射する。ハーフミラープリズム
30で反射された光束は、λ/2板34により偏光方向が45゜
回転させられ、偏光分離プリズム50に入射する。偏光分
離プリズム50の斜面50aには、偏光分離用の多層膜がコ
ートされると共に、ウェッジプリズム51が貼り付けられ
ている。
【0013】偏光分離プリズムに入射した光束のP偏光
成分は、二点鎖線で示すように斜面50aを透過してウェ
ッジプリズム51で反射され、S偏光成分は一点鎖線で示
すように斜面50aで反射される。両偏光成分は、ウェッ
ジプリズム51の頂角分の角度差をもって偏光分離プリズ
ム50を射出し、非偏光分離手段であるハーフミラー面52
aを有するプリズムブロック52に入射する。なお、この
ハーフミラー面52aのS偏光成分及びP偏光成分の反射率
は、共に50%である。
【0014】ハーフミラー面52aを透過した光束は、集
光レンズ53、シリンドリカルレンズ54を介して第1の受
光素子41上に集光する。ハーフミラー面52aで反射され
た光束は、集光レンズ55を介して第2の受光素子42上に
集光する。
【0015】実施例1では、ウェッジプリズム51、プリ
ズムブロック52により光束分離手段が構成され、反射光
を微小にずらして2つの光束に分離する第1の分離機能
と、反射光をP,S偏光成分に分離する第2の分離機能とが
ウェッジプリズム51、反射光を第1、第2の方向に分離す
る第3の分離機能がプリズムブロック52により実行され
る。
【0016】図2は、各受光素子41、42の受光領域と集
光されるスポット(図中、二点鎖線で示す)の位置関係と
を示したものである。受光素子41上には、P偏光成分を
受光するフォーカシングエラー信号検出用の受光部41a
と、S偏光成分を受光する非分割の情報記録信号検出用
の受光部41bとが設けられている。また、受光素子42上
には、S偏光成分を受光するトラッキングエラー信号検
出用の受光部42aと、P偏光成分を受光する非分割の情報
記録信号検出用の受光部42bとが設けられている。
【0017】受光素子41のフォーカシングエラー信号検
出用受光部41aは、図3に示すように「田」字状に配列し
た4つの受光領域A,B,C,Dを有しており、受光素子42のト
ラッキングエラー信号検出用受光部42aはスポット中の
主として一次回折光を受光する位置に対称に設けられた
2つの受光領域E,Fを有している。情報記録信号再生用の
受光部41b,42bの受光領域はそれぞれH,Gで表されてい
る。
【0018】ここで、第1の受光素子41の各領域から出
力される信号を領域名A,B,C,D,Hで表し、第2の受光素子
42の受光領域から出力される信号をE,F,Gで表すと、フ
ォーカシングエラー信号FE、トラッキングエラー信号T
E、情報記録再生信号MOは、各々以下の演算により求め
られる。 FE = (A + D) - (B + C) TE = E - F MO = G - H 次に、受光素子上の受光領域の設定について説明する。
2つの受光素子によりエラー信号と情報記録信号とを検
出する場合、P,S偏光成分の一方を「田」字状の4分割素
子で受光し、他方を非分割の素子で受光する方法が考え
られる。この場合、フォーカシングエラー信号は、4分
割素子の対角に位置する受光部の出力和の差、トラッキ
ングエラー信号は、4分割素子のディスクタンジェンシ
ャル方向に相当する境界線を境として二分割される領域
の出力和の差、情報記録信号は4分割素子の全領域の出
力和と非分割素子の出力との差として求められる。
【0019】しかし、4分割素子は非点収差法によるフ
ォーカシングエラー信号の検出には適しているが、ディ
スクの変形等によって光束が傾くような場合に生じるス
ポットのシフト等を考慮すると、プッシュプル法による
トラッキングエラー信号の検出には最適ではない。トラ
ッキングエラー信号の検出のためには、受光素子上に形
成されるスポットの一次回折光を主として受光するパタ
ーン、すなわち図3のE,F領域のパターンが望ましい。
【0020】そこで、フォーカスエラー検出用のA,B,C,
Dの領域の他にトラックエラー検出のためにE,Fの領域を
設ければ、トラック、フォーカス両エラー信号を精度よ
く検出することができる。しかし、E,Fの間隙部分の領
域が不感帯となるため、スポット中央の最もエネルギー
が高い部分を無駄にすることとなり、情報記録信号を検
出する際の信号レベルが小さくなる。
【0021】また、何れの場合にも分割型の受光素子は
不感帯の分だけ非分割の受光素子より受光領域が狭いた
め、情報記録信号の検出の際に両受光素子の出力に当初
から差があり、電気的なバランスをとるための調整が困
難である。
【0022】この実施例では、上記の各問題を解消する
ため、各受光素子にエラー検出用の受光部と情報記録信
号検出用の受光部とを独立して設けている。このような
構成とすることにより、各エラー信号を正確に検出でき
る。また、同一形状の非分割領域によって情報記録信号
を検出できるため、不感帯の影響がなく、P,S各偏光成
分の電気的なバランスを容易にとることができる。
【0023】図4は、上述した実施例1の変形例を示した
ものである。実施例1では、各受光素子毎に集光レンズ
が設けられていたが、この例では1つの集光レンズ53を
プリズムブロック52による光束の分離前に配置し、これ
を両検出系に共用している。なお、集光レンズ53から両
受光素子までの光路長を同一にするため、受光素子41が
実施例1より後方に位置している。他の構成は図1に示し
た実施例1と同一である。
【0024】
【実施例2】図5はこの発明の実施例2を示したものであ
る。
【0025】この実施例2では、実施例1の偏光分離プリ
ズム50とウェッジプリズム51との代わりに、光磁気ディ
スクからの反射光をP,S偏光成分に分離するウォーラス
トンプリズム70と、ウォーラストンプリズム70からのP,
S偏光成分をプリズムブロック52に向けて反射させる全
反射プリズム71とが偏光分離手段として用いられてい
る。
【0026】ウォーラストンプリズム70は、結晶性偏光
子の一種であって、図6(A)に示されるように、水晶
等をくさび型にカットして貼り合わせたものである。そ
して、ウォーラストンプリズム70は、入射光をP,S偏光
成分に分離して射出面70aから射出する。このとき、射
出面70aから射出されるP,S偏光成分のなす角度は、分離
角度αとなっている。このウォーラストンプリズム70の
他に結晶性偏光子として用いることができるものに、図
6(B)、(C)、(D)に示されるローションプリズ
ム、セナルモンプリズム、グラムトムソンプリズムなど
がある。ローションプリズム、セナルモンプリズムで
は、P,S偏光成分の中の一つの成分が直進して射出面か
ら射出され、他の成分が直進する偏光成分に対して所定
の分離角をもって射出される。また、図6(D)のグラ
ムトムソンプリズムでは、一つの偏光成分が射出面70b
から射出され、他の偏光成分が端面70cから射出される
ので、P,S偏光成分の分離角度が先に述べた3つのプリ
ズムより大きくなる。
【0027】図7は、実施例2の変形例を示したものであ
る。この変形例では、実施例2の全反射プリズム71を除
いた構成になっており、ウォーラストンプリズム70から
のP,S偏光成分は、直接、プリズムブロック52に入射す
る。このような変形例は、実施例2に比べると構造が簡
単化されている。
【0028】なお、図4に示される光磁気ディスクの光
学系でも、図5のように、偏光分離プリズム50とウェッ
ジプリズム51の代わりに、ウォーラストンプリズム70と
全反射プリズム71とを用いるか、または、図7のよう
に、ウォーラストンプリズム70のみを用いることが可能
である。
【0029】
【実施例3】図8は、この発明の実施例3を示したもので
ある。
【0030】実施例1では、フォーカシング、トラッキ
ングの各エラー信号を別個の受光素子で検出する例につ
いて述べたが、実施例3では、第1、第2の受光素子に同
一のパターンを持つエラー信号検出用の受光部を設け、
両受光素子で両エラー信号を検出する構成である。
【0031】偏光分離プリズム50とウェッジプリズム51
とにより微小角度をもって分離されたP,S各偏光成分
は、プリズムブロック52により非偏光分離され、透過成
分は集光レンズ53、シリンドリカルレンズ54を介して第
1の受光素子41上に集光される。一方、反射成分は、集
光レンズ55、シリンドリカルレンズ56を介して第2の受
光素子42上に集光される。光学系の他の配置構成は図1
に示した実施例1と同一である。
【0032】第1の受光素子41は、図9に示すように、P
偏光成分を受光するエラー信号検出用の受光部41aと、S
偏光成分を受光する非分割の情報記録信号検出用の受光
部41bとを有している。
【0033】受光素子41のエラー信号検出用受光部41a
は、プッシュプル法によるトラッキングエラー検出のた
め、スポット中の一次回折光を主として受光する位置に
互いに離間して対称形に設けられた2つのトラッキング
エラー用受光部E,Fと、非点収差法によるフォーカシン
グエラー検出のため、トラッキングエラー用受光部の外
側に設けられた4つのフォーカシングエラー検出用受光
部A,B,C,Dとを有している。情報記録信号再生用の受光
部41bは、受光領域Gを有している。
【0034】第2の受光素子42は第1の受光素子41とは逆
に、S偏光成分を受光するエラー信号検出用の受光部
と、P偏光成分を受光する非分割の情報記録信号検出用
の受光部とが設けられている。それぞれの受光部内の受
光領域の配列は第1の受光素子と同一であるため、ここ
では図示を省略する。
【0035】ここで、第1の受光素子41の各領域から出
力される信号を領域名A,B,C,D,E,F,Gで表し、第2の受光
素子42の同様の領域から出力される信号をA',B',C',D',
E',F',G'で表すと、フォーカシングエラー信号FE、トラ
ッキングエラー信号TE、情報記録再生信号MOは、各々以
下の演算により求められる。 FE = {(A + C) - (B + D)} + {(A' + C') - (B' + D')} TE = (E - F) + (E' - F') MO = G - G' エラー信号FE,TEは、和をとることにより振幅が約2倍と
なり、検出の精度を高めることができる。また、両受光
素子の受光領域のパターンが同一であるため、情報記録
信号MOは以下の演算によっても求めることができる。 MO = (A + B + C + D + E + F + G') -(A'+ B'+ C'+ D'
+ E'+ F'+ G) このような演算によれば、ディスクから導かれる光束の
エネルギーをより有効に活用することができる。
【0036】図10は、実施例3の変形例を示す説明図で
ある。この例では、実施例3と同様に2つの受光素子41,4
2によりエラー信号と情報記録信号との再生を行う構成
であるが、受光素子の配置が実施例3とは異なってい
る。実施例3の構成では、受光素子41,42が同一方向を向
いて並列して配置されていたため、受光素子が相互に干
渉する可能性がある。
【0037】この変形例では、受光素子の方向を互いに
異ならせることにより受光素子の干渉を防止すると共
に、一方の受光素子に向かう光路を光源から光ディスク
へ向かう光束の光路と交差させることにより、全体の光
学系の小型化を図っている。他の構成は、実施例3と同
様である。
【0038】
【実施例4】図11はこの発明の実施例4を示したもので
ある。
【0039】この実施例4では、実施例3の偏光分離プリ
ズム50とウェッジプリズム51の代わりに、ウォーラスト
ンプリズム70と全反射プリズム71とが偏光分離手段とし
て用いられている。このような構成は、実施例2と同一
である。また、実施例4の全反射プリズム71を除いて、
ウォーラストンプリズム70からのP,S偏光成分を直接、
プリズムブロック52に入射するように構成することも可
能である。
【0040】このような構成は、図10に示される実施例
3の変形例にも適用できる。すなわち、図10の偏光分離
プリズム50とウェッジプリズム51の代わりに、ウォーラ
ストンプリズム70と全反射プリズム71とを用いるか、ま
たは、ウォーラストンプリズム70のみを用いることが可
能である。
【0041】この発明では、光束をP,S偏光成分に偏光
分離する段階と、それぞれの偏光成分を角度の異なる2
つの成分に非偏光分離する段階とが必要となる。上述し
た実施例では、これらの分離を同時に行なっているが、
これらを別個の手段により行なうことも可能である。
【0042】例えば、図1においてウェッジプリズム51
の反射面50aを非偏光のハーフミラー面とし、プリズム
ブロック52の反射面52aを偏光分離面とする。この場合
には、反射面50aを透過してウェッジプリズム51の裏面
で反射された光束の一部が、再び反射面52aで反射され
る。この反射による光量ロスを考慮に入れて微小分離さ
れる光束の光量を等しくするためには、P,S両偏光成分
に対する反射面52aの反射率を共に38.2%とする必要が
ある。
【0043】図12は、光学系のうち光束を分離する部分
のみを取り出して示したものである。図12の例では、偏
光ビームスプリッター60で光束を偏光分離した後に、P
偏光成分はプリズム61と平行平面板62とにより、S偏光
成分はプリズム63と平行平面板64との組み合せにより、
それぞれ2つの光束に分離する。偏光成分P1,P2の光量を
等しくし、また、S1,S2の光量を等しくするためには、
共にプリズムの反射率を38.2%に設定する。
【0044】図12の例では、偏光ビームスプリッター60
が反射光をP,S偏光成分に分離する第2の分離機能と、こ
れを第1、第2の方向に分離する第3の分離機能とを果た
し、平行平面板62,64が反射光を微小にずらして2つの
(平行な)光束に分離する第1の分離機能を果たす。
【0045】図12の例で示したように、光束を微小に
らして2つに分離するためには、必ずしも角度差を付け
る必要はなく、前記の各実施例においてもウェッジプリ
ズムの代わりに平行平面板を用いることができる。
【0046】
【効果】以上説明したように、この発明によれば、2つ
の受光素子でトラッキングエラー信号およびフォーカス
エラー信号などのエラー信号と情報記録信号とを共に検
出することができ、かつ、各受光素子内でエラー検出用
の受光領域と情報記録信号受光用の受光領域とを分離す
ることにより、情報記録信号のレベルを下げることなく
各エラー信号の検出に最適な受光パターンによってエラ
ー信号を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1にかかる光学系の説明図であり、(A)
は平面図、(B)は対物レンズとディスクとの関係を示す
側面図である。
【図2】 実施例1の受光素子のとスポットとの関係を
示す説明図であり、(A)は第1の受光素子、(B)は第2の受
光素子を示したものである。
【図3】 図2に示した受光素子の受光領域の配置を示
す説明図であり、(A)は第1の受光素子、(B)は第2の受光
素子を示したものである。
【図4】 実施例1の変形例を示す光学系の説明図であ
り、(A)は平面図、(B)は対物レンズとディスクとの関係
を示す側面図である。
【図5】 実施例2にかかる光学系の説明図であり、(A)
は平面図、(B)は対物レンズとディスクとの関係を示す
側面図である。
【図6】 結晶性偏光子を説明するための図である。
【図7】 実施例1の変形例を示す光学系の説明図であ
り、(A)は平面図、(B)は対物レンズとディスクとの関係
を示す側面図である。
【図8】 実施例3にかかる光学系の説明図であり、(A)
は平面図、(B)は対物レンズとディスクとの関係を示す
側面図である。
【図9】 実施例3の受光素子の受光領域の配置を示す
説明図である。
【図10】 実施例3の変形例を示す光学系の斜視図で
ある。
【図11】 実施例4にかかる光学系の説明図であり、
(A)は平面図、(B)は対物レンズとディスクとの関係を示
す側面図である。
【図12】 光束分離手段の他の例を示す説明図であ
る。
【図13】 従来の光磁気ディスク装置の光学系の平面
図である。
【符号の説明】
10 半導体レーザー MOD 光磁気ディスク 41,42 受光素子 50 偏光分離プリズム 51 ウェッジプリズム 52 プリズムブロック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105 G11B 7/09 - 7/135

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光磁気ディスクからの反射光を互いに微小
    角度をなすP,S偏光成分に分離する偏光分離手段と、 各偏光成分をそれぞれ第1、第2の方向に分離する非偏光
    分離手段と、 前記第1の方向に向かうP偏光成分を受光する位置に形成
    され、トラッキングエラー信号またはフォーカスエラー
    信号のどちらか一方のエラー信号を検出するための分割
    受光領域と、前記第1の方向へ向かうS偏光成分を受光す
    る位置に形成された非分割受光領域とを備える第1の受
    光素子と、前記第2の方向に向かうS偏光成分を受光する位置に形
    成され、トラッキングエラー信号またはフォーカスエラ
    ー信号うちの前記第1の受光素子の分割受光領域によっ
    て検出されるエラー信号以外のエラー信号を検出するた
    めの分割受光領域と、 前記第2の方向へ向かうP偏光成分
    を受光する位置に形成された非分割受光領域とを有する
    第2の受光素子とを備えることを特徴とする光磁気ディ
    スク装置の信号検出系。
  2. 【請求項2】前記偏光分離手段は偏光分離面を有するウ
    ェッジプリズムであり、前記非偏光分離手段は前記ウェ
    ッジプリズムにより分離された光束を各々分離するハー
    フミラープリズムであることを特徴とする請求項1に記
    載の光磁気ディスク装置の信号検出系。
  3. 【請求項3】前記偏光分離手段は、光磁気ディスクから
    の反射光を所定の分離角度をなすP,S偏光成分に分離す
    る結晶性偏光子である請求項1に記載の光磁気ディスク
    装置の信号検出系。
  4. 【請求項4】 光磁気ディスクからの反射光を微小にずら
    して2つの光束に分離する第1の分離機能と、前記反射
    光をP,S偏光成分に分離する第2の分離機能と、前記反射
    光を第1、第2の方向に分離する第3の分離機能とを備
    え、前記第2の機能は、第1、第3のいずれか一方の機能
    と共通の光学素子によって実行され、光束を微小にずら
    て2つに分離されて第1の方向へ向かう第1の光束群と
    第2の方向へ向かう第2の光束群との4光束に分離する光
    束分離手段と、 前記第1の方向に向かうP偏光成分を受光する位置に形成
    され、トラッキングエラー信号またはフォーカスエラー
    信号のどちらか一方のエラー信号を検出するための分割
    受光領域と、前記第1の方向へ向かうS偏光成分を受光す
    る位置に形成された非分割受光領域とを備える第1の受
    光素子と、前記第2の方向に向かうS偏光成分を受光する位置に形
    成され、トラッキングエラー信号またはフォーカスエラ
    ー信号うちの前記第1の受光素子の分割受光領域によっ
    て検出されるエラー信号以外のエラー信号を検出するた
    めの分割受光領域と、 前記第2の方向へ向かうP偏光成分
    を受光する位置に形成された非分割受光領域とを有する
    第2の受光素子とを備えることを特徴とする光磁気ディ
    スク装置の信号検出系。
  5. 【請求項5】 前記光束分離手段は、前記第1、第2の分離
    機能を有する微小分離プリズムと、前記第3の分離機能
    を有するハーフミラープリズムとから成ることを特徴と
    する請求項4に記載の光磁気ディスク装置の信号検出
    系。
  6. 【請求項6】 前記微小分離プリズムは、ウェッジプリズ
    ムであることを特徴とする請求項5に記載の光磁気ディ
    スク装置の信号検出系。
  7. 【請求項7】 前記微小分離プリズムは、平行平面板であ
    ることを特徴とする請求項5に記載の光磁気ディスク装
    置の信号検出系。
  8. 【請求項8】 前記光束分離手段は、前記第2、第3の分離
    機能を有する偏光ビームスプリッターと、前記第1の分
    離機能を有する微小分離プリズムとから成ることを特徴
    とする請求項4に記載の光磁気ディスク装置の信号検出
    系。
  9. 【請求項9】 前記微小分離プリズムは、ウェッジプリズ
    ムであることを特徴とする請求項8に記載の光磁気ディ
    スク装置の信号検出系。
  10. 【請求項10】 前記微小分離プリズムは、平行平面板で
    あることを特徴とする請求項8に記載の光磁気ディスク
    装置の信号検出系。
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