JP3335212B2

JP3335212B2 - 光ヘッド

Info

Publication number: JP3335212B2
Application number: JP08063993A
Authority: JP
Inventors: 正人宮田; 章兵小林
Original assignee: Olympus Optic Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1993-04-07
Filing date: 1993-04-07
Publication date: 2002-10-15
Anticipated expiration: 2017-10-15
Also published as: JPH06295480A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光磁気記録媒体に対
して情報の記録、再生を行うための光ヘッドに関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】光ヘッドは、従来種々のものが提案され
ており、本願人も例えば特開平４−２４８１３４号公報
において、図１４に示すようなものを提案している。こ
の光ヘッドにおいては、半導体基板１に半導体レーザ２
をマウントすると共に、この半導体レーザ２からの出射
光の光路を境とする両側に光検出部３および４を形成し
て、半導体レーザ２から基板１と平行な方向に光を出射
させ、これを図１５に平面図を示すように、基板１に設
けた立ち上げミラー５で反射させた後、ホログラム素子
６に入射させている。

【０００３】ホログラム素子６には、その半導体基板１
に面する表面に、グレーテング６ａを、他方の表面には
ホログラムパターン領域６ｂをそれぞれ形成し、このホ
ログラム素子６に入射する半導体レーザ２からの光を、
グレーテング６ａによって１本のメインビームと、トラ
ッキングエラー検出用の２本のサブビームとの３本のビ
ームに分離して、これらを対物レンズ７を経て記録媒体
８に投射するようにしている。

【０００４】また、記録媒体８で反射される各ビームの
戻り光は、対物レンズ７を経てホログラム素子６に入射
させ、そのホログラムパターン領域６ｂで互いに逆方向
のパワーを生じる±１次回折光を発生させて、それらの
＋１次回折光を光検出部３で、−１次回折光を光検出部
４でそれぞれ受光するようにしている。

【０００５】ここで、光検出部３は、３ビームの各＋１
次回折光を受光するように３つの光検出器３ａ，３ｂ，
３ｃをもって構成されていると共に、中央のメインビー
ムを受光する光検出器３ｂは、ホログラムパターン領域
６ｂでの回折方向に分割線を有する３分割した受光領域
３ｄ，３ｅ，３ｆをもって構成されている。同様に、光
検出部４は、３ビームの各−１次回折光を受光するよう
に３つの光検出器４ａ，４ｂ，４ｃをもって構成されて
いると共に、中央のメインビームを受光する光検出器４
ｂは、ホログラムパターン領域６ｂでの回折方向に分割
線を有する３分割した受光領域４ｄ，４ｅ，４ｆをもっ
て構成されている。

【０００６】このようにして、メインビームの＋１次回
折光を受光する光検出器３ｂの受光領域３ｄ，３ｅ，３
ｆの出力と、−１次回折光を受光する光検出器４ｂの受
光領域４ｄ，４ｅ，４ｆの出力とに基づいて、ビームサ
イズ法によりフォーカスエラー信号を検出するようにし
ている。また、２本のサブビームの＋１次回折光を受光
する光検出器３ａ，３ｃの出力と、−１次回折光を受光
する光検出器４ａ，４ｃの出力とに基づいて、３ビーム
法によりトラッキングエラー信号を検出するようにして
いる。なお、図１４および図１５において、記録媒体８
の情報トラックと平行な方向をＸ方向、それと直交する
トラッキング方向をＹ方向とする。

【０００７】この光ヘッドは、部品点数が少なく、また
半導体レーザ２と、光検出部３および光検出部４とを同
一の半導体基板１に配置しているので、小形にできる利
点がある。また、半導体レーザ２から放射される光の波
長変化により、ホログラムパターン領域６ｂでの±１次
回折光の回折角が変化すると、光検出器３ｂ，４ｂ上で
のスポットは分割線と平行な方向に移動することになる
ので、フォーカスエラー信号が波長変化の影響を受けに
くくなる。さらに、部品加工誤差や組み立て誤差等で光
検出器３ｂ，４ｂ上のスポットがずれても、±１次回折
光で同じずれかたをするので、光検出器３ｂから得られ
る＋１次回折光のフォーカスエラー信号と、光検出器４
ｂから得られる−１次回折光のフォーカスエラー信号と
の差を取ることで、それぞれのフォーカスエラー信号の
オフセットをキャンセルすることができ、安定した信号
検出を行うことができる。したがって、各部品の位置調
整も容易にできる利点がある。

【０００８】また、他の光ヘッドとして、本願人は、特
願平３−２７９６１４号（特開平５−１２０７５５号）
において、図１６に示すようなものを既に提案してい
る。この光ヘッドにおいては、半導体基板１１に、図１
７に平面図をも示すように、第１〜第３の光検出部１２
〜１４を形成すると共に、半導体レーザ１５、立ち上げ
ミラー１６および偏光ビームスプリッタ１７をマウント
し、半導体レーザ１５から基板１１と平行な方向に出射
される光を、立ち上げミラー１６で反射させてホログラ
ム素子１８に入射させている。

【０００９】ホログラム素子１８には、半導体レーザ１
５と反対側の表面にホログラム１８ａ，１８ｂが重畳し
て形成され、半導体レーザ１５側の表面には、半導体レ
ーザ１５からの光を１本のメインビームと２本のサブビ
ームとに分離するためのグレーティング１８ｃが形成さ
れている。このホログラム素子１８のグレーティング１
８ｃで分離された３本のビームは、対物レンズ１９を経
て光磁気記録媒体２０に集光される。なお、図１６，図
１７では、光磁気記録媒体２０の情報トラックと平行な
方向をＸ、それと直交するトラッキング方向をＹとし
て、半導体レーザ１５から光磁気記録媒体２０にＹ方向
の直線偏光を照射している。

【００１０】光磁気記録媒体２０で反射される各ビーム
の戻り光は、対物レンズ１９を経てホログラム素子１８
に入射し、そのホログラム１８ａで回折される各ビーム
のそれぞれの＋１次回折光を第１の光検出部１２で、−
１次回折光を第２の光検出部１３でそれぞれ受光し、ホ
ログラム１８ｂで回折されるメインビームの＋１次回折
光を偏光ビームスプリッタ１７を経て第３の光検出部１
４で受光するようにしている。

【００１１】ここで、第１の光検出部１２は、３ビーム
の各＋１次回折光を受光するように３つの光検出器１２
ａ，１２ｂ，１２ｃをもって構成されていると共に、中
央のメインビームを受光する光検出器１２ｂは、ホログ
ラム１８ａでの回折方向に分割線を有する３分割した受
光領域１２ｄ，１２ｅ，１２ｆをもって構成されてい
る。同様に、第２の光検出部１３は、３ビームの各−１
次回折光を受光するように３つの光検出器１３ａ，１３
ｂ，１３ｃをもって構成されていると共に、中央のメイ
ンビームを受光する光検出器１３ｂは、ホログラム１８
ａでの回折方向に分割線を有する３分割した受光領域１
３ｄ，１３ｅ，１３ｆをもって構成されている。第３の
光検出部１４は、ＸおよびＹ方向に対して４５°傾いた
２つの受光領域１４ａ，１４ｂをもって構成され、この
第３の光検出部１４上に、偏光ビームスプリッタ１７
が、その誘電体多層膜をコーティングした面１７ａの法
線がＹ方向に対して４５°となるようにマウントされて
いる。

【００１２】このようにして、メインビームの＋１次回
折光を受光する光検出器１２ｂの受光領域１２ｄ，１２
ｅ，１２ｆの出力と、−１次回折光を受光する光検出器
１３ｂの受光領域１３ｄ，１３ｅ，１３ｆの出力とに基
づいて、ビームサイズ法によりフォーカスエラー信号を
検出し、２本のサブビームの＋１次回折光を受光する光
検出器１２ａ，１２ｃの出力と、−１次回折光を受光す
る光検出器１３ａ，１３ｃの出力とに基づいて、３ビー
ム法によりトラッキングエラー信号を検出するようにし
ている。

【００１３】また、ホログラム１８ｂで分離されて偏光
ビームスプリッター１７に入射するメインビームの＋１
次回折光のうち、面１７ａを透過するＰ偏光を受光領域
１４ａで受光し、面１７ａで反射されるＳ偏光を受光領
域１４ｂで受光して、受光領域１４ａの出力をＩａ、受
光領域１４ｂの出力をＩｂとするとき、

【数１】Ｓ＝Ｉａ−Ｉｂより、光磁気信号Ｓを得るようにしている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
特開平４−２４８１３４号公報において提案した光ヘッ
ドにおいては、コンパクトに構成でき、コンパクトディ
スクや追記型のディスクを用いる装置に適用することが
できるが、偏光分離手段を有しないために光磁気信号を
検出することができず、これがため書換え型の光磁気デ
ィスクには対応できないという改良すべき点がある。

【００１５】また、特願平３−２７９６１４号（特開平
５−１２０７５５号）において提案した光ヘッドにおい
ては、偏光ビームスプリッタ１７を有しているので、書
換え型の光磁気ディスクに対応させることができるが、
形状が複雑で小形な偏光ビームスプリッタ１７を、光検
出器１４上で位置調整をしながらマウントしなければな
らないという困難な作業が必要になり、コストアップに
なるという改良すべき点がある。

【００１６】この発明は、上述した点を改良し、書換え
型の光磁気ディスクに対応できると共に、小形にでき、
しかも位置調整が容易にでき、安価にできるよう適切に
構成した光ヘッドを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、半導体レーザからの光を集光手段を
経て光磁気記録媒体に集光し、前記光磁気記録媒体で反
射される戻り光を前記集光手段を経て光検出手段で受光
するようにした光ヘッドにおいて、前記戻り光を回折す
るように前記半導体レーザと前記集光手段との間に配置
したホログラム素子と、このホログラム素子での前記戻
り光の０次光の光軸とほぼ平行な偏光分離面を有し、前
記ホログラム素子で回折される戻り光をその偏光方向に
応じて分離して前記光検出手段に入射させる偏光分離素
子とを具え、前記偏光分離素子を前記ホログラム素子の
側面に一体に設けたことを特徴とするものである。

【００１８】

【作用】このように、偏光分離素子の偏光分離面を、ホ
ログラム素子からの戻り光の０次光の光軸とほぼ平行に
すると、偏光分離面に入射する光線の入射角を大きくと
ることができ、したがって偏光分離面の作成が容易にな
ると共に、光検出手段と偏光分離素子との位置調整が従
来のものより簡素化でき、さらに偏光分離素子をホログ
ラム素子の側面に一体に設けることで、コストダウンが
可能になると共に、コンパクト化が可能になる。

【００１９】

【実施例】以下、この図面に基づき、この発明の実施例
について説明する。図１、図２および図３は、この発明
の第１実施例を示すものである。この実施例では、シリ
コン等の半導体基板２１に半導体レーザ２２をマウント
すると共に、第１〜第４の光検出部２３〜２６を形成す
る。半導体レーザ２２からは、半導体基板２１と平行な
方向に光を出射させ、これを半導体基板２１に設けた立
ち上げミラー２７で基板垂直方向に反射させた後、ブロ
ック状の光分岐素子２８および対物レンズ２９を経て光
磁気記録媒体３０に照射する。なお、図１〜図３では、
光磁気記録媒体３０の情報トラックと平行な方向をＸ、
それと直交するトラッキング方向をＹ方向とする。

【００２０】光磁気記録媒体３０での反射光（戻り光）
は、対物レンズ２９および光分岐素子２８を経て第１〜
第４の光検出部２３〜２６で受光する。

【００２１】光分岐素子２８には、平行平板状のホログ
ラム素子２８ａと、その対向する側面にそれぞれ貼着し
て平行平板２８ｂ，２８ｃとを設ける。ホログラム素子
２８ａには、その半導体基板２１に面する表面にグレー
ティング２８ｄをエッチング法や２Ｐ法等により形成
し、反対側の表面には±１次回折光に互いに逆方向のパ
ワーを与えるレンズ作用を有するホログラム２８ｅを、
同様にエッチング法や２Ｐ法等により形成する。また、
平行平板２８ｂ，２８ｃは、ホログラム素子２８ａとの
それぞれの接合面が、ホログラム２８ｅからの０次光の
光軸とほぼ平行となるように貼着すると共に、これら接
合面に誘電体多層膜をコーティングして偏光分離面２８
ｆ，２８ｇを形成する。この光分岐素子２８は、偏光分
離面２８ｆ，２８ｇの法線が、Ｘ・Ｙ平面上でＸおよび
Ｙ軸に対してほぼ４５°となるように配置する。なお、
この実施例では、ホログラム２８ｅの格子方向をＸ方向
（情報トラック）と平行とする。

【００２２】このようにして、半導体レーザ２２から出
射される光を、立ち上げミラー２７を経て光分岐素子２
８のホログラム素子２８ａに入射させて、グレーティン
グ２８ｄで１本のメインビーム（０次回折光）と２本の
サブビーム（±１次回折光）とに分離した後、ホログラ
ム２８ｅを０次回折光で透過させて、３本のビームを対
物レンズ２９を経て光磁気記録媒体３０に、その情報ト
ラックに対してわずかな角度をもって集光させるように
する。ここで、半導体レーザ２２からの出射光は、Ｙ方
向に直線偏光しているが、光磁気記録倍体３０での反射
光は、カー効果により光磁気記録媒体３０に記録された
磁化の方向に応じて偏光方向がＹ方向よりカー回転角だ
け回転することになる。

【００２３】また、光磁気記録媒体３０での各ビームの
戻り光は、光分岐素子２８のホログラム素子２８ａに入
射させて、ホログラム２８ｅで互いに逆方向のパワーを
有する±１次回折光にそれぞれ分離する。このホログラ
ム２８ｅで分離されるメインビームの＋１次回折光は、
偏光分離面２８ｆに入射させ、この偏光分離面２８ｆを
透過するＰ偏光を第１の光検出部２３で受光し、偏光分
離面２８ｆで反射されるＳ偏光を第４の光検出部２６で
受光する。同様に、メインビームの−１次回折光は、偏
光分離面２８ｇに入射させて、そのＰ偏光を第２の光検
出部２４で受光し、Ｓ偏光を第３の光検出部２５で受光
する。

【００２４】また、２本のサブビームについては、それ
らの＋１次回折光を、偏光分離面２８ｆを透過させて第
１の光検出部２３で受光し、−１次回折光は偏光分離面
２８ｇを透過させて第２の光検出部２４で受光する。

【００２５】ここで、第１の光検出部２３は、３ビーム
の各＋１次回折光を受光するように３つの光検出器２３
ａ，２３ｂ，２３ｃをもって構成すると共に、中央のメ
インビームの＋１次回折光を受光する光検出器２３ｂ
は、ホログラム２８ｅでの回折方向に分割線を有する３
分割した受光領域２３ｄ，２３ｅ，２３ｆをもって構成
する。同様に、第２の光検出部２４は、３ビームの各−
１次回折光を受光するように３つの光検出器２４ａ，２
４ｂ，２４ｃをもって構成すると共に、中央のメインビ
ームの−１次回折光を受光する光検出器２４ｂは、ホロ
グラム２８ｅでの回折方向に分割線を有する３分割した
受光領域２４ｄ，２４ｅ，２４ｆをもって構成する。ま
た、第４，第３の光検出部２６，２５は、メインビーム
の±１次回折光の偏光分離面２８ｆ，２８ｇでのＳ偏光
を受光するように、それぞれ１つの受光領域をもって構
成する。

【００２６】上記構成において、第１の検出部２３の光
検出器２３ｂの３分割された受光領域２３ｄ，２３ｅ，
２３ｆの出力をそれぞれＩｄ₁，Ｉｅ₁，Ｉｆ₁、第２
の光検出部２４の光検出器２４ｂの３分割された受光領
域２４ｄ，２４ｅ，２４ｆの出力をそれぞれＩｄ₂，Ｉ
ｅ₂，Ｉｆ₂とし、また、第１の光検出部２３の光検出
器２３ａ，２３ｃの出力をそれぞれＩａ₁，Ｉｃ₁、第
２の光検出部２４の光検出器２４ａ，２４ｃの出力をそ
れぞれＩａ₂，Ｉｃ₂とし、さらに第３の光検出部２５
の出力をＩ₂₅、第４の光検出部２６の出力をＩ₂₆とする
と、光磁気信号Ｓは、

【数２】Ｓ＝（Ｉｄ₁＋Ｉｅ₁＋Ｉｆ₁＋Ｉｄ₂＋Ｉｅ₂＋Ｉｆ₂） −（Ｉ₂₅＋Ｉ₂₆）により得ることができる。

【００２７】また、ホログラム２８ｅでの＋１次回折光
は、ホログラム２８ｅでのレンズ作用により第１の光検
出部２３の手前で焦点を結び、−１次回折光は第２の光
検出部２４の後側で焦点を結ぶことになり、これら第１
の光検出部２３および第２の光検出部２４上に形成され
る±１次回折光のスポットの大きさは、対物レンズ２９
が光磁気記録媒体３０に対して合焦位置にあるとき等し
くなり、対物レンズ２９が光磁気記録媒体３０に対して
近づいたり、遠ざかると、その大きさが逆方向に変化す
ることになる。したがって、フォーカスエラー信号ＦＥ
は、ビームサイズ法により、

【数３】ＦＥ＝（Ｉｄ₁＋Ｉｅ₂＋Ｉｆ₂）−（Ｉｄ₂＋Ｉｅ₁＋Ｉｆ₁）から得ることができる。

【００２８】また、トラッキングエラー信号ＴＥは、３
ビーム法により、

【数４】ＴＥ＝（Ｉａ₁−Ｉｃ₁）＋（Ｉａ₂−Ｉｃ₂）から得ることができる。

【００２９】図４および図５は、この発明の第２実施例
の要部の構成を示すものである。この実施例は、ホログ
ラム２８ｅの格子方向を偏光分離面２８ｆ，２８ｇとほ
ぼ平行にすると共に、それに応じて第１〜第４の光検出
部２３〜２６の配置を変更したもので、その他の構成は
第１実施例と同様である。この実施例においても、第１
実施例と同様にして、光磁気信号、フォーカスエラー信
号およびトラッキングエラー信号を検出することができ
る。

【００３０】図６および図７は、この発明の第３実施例
を示すものである。この実施例は、偏光分離面２８ｆ，
２８ｇとホログラム素子２８ａとのそれぞれの間に、１
／２波長板３１ａ，３１ｂを設けて、ホログラム２８ｅ
で回折される戻り光の±１次回折光の偏光方向をそれぞ
れ４５°回転させるようにすると共に、それに応じて第
１〜第４の光検出部２３〜２６の配置を変更したもの
で、その他の構成は第１実施例と同様である。

【００３１】このように構成すれば、偏光分離面２８
ｆ，２８ｇの法線をＹ方向と平行にすることができ、第
１，第２実施例と同様にして、光磁気信号、フォーカス
エラー信号およびトラッキングエラー信号を検出するこ
とができる。

【００３２】以上の第１〜第３実施例においては、３ビ
ーム法によってトラッキングエラー信号を検出するよう
にしたが、この発明の他の実施例では、プッシュプル法
によりトラッキングエラー信号を検出することもでき
る。以下、プッシュプル法によりトラッキングエラー信
号を検出するようにした実施例について説明をする。

【００３３】図８および図９は、この発明の第４実施例
を示すものである。この実施例では、第３実施例におい
てホログラム素子２８ａの半導体基板２１に面する側
に、グレーティング２８ｄに代えてホログラム２８ｈを
形成し、半導体レーザ２２から立ち上げミラー２７を経
てホログラム素子２８ａに入射する光を、ホログラム２
８ｈおよびホログラム２８ｅを０次光で透過させて、対
物レンズ２９により光磁気記録媒体３０に集光させる。

【００３４】光磁気記録媒体３０からの戻り光は、対物
レンズ２９を経てホログラム２８ｅに入射させ、ここで
０次光とＹ方向に回折する±１次回折光とに分離する。
この分離された±１次回折光は、それぞれ１／２波長板
３１ａ，３１ｂを経て偏光分離面２８ｆ，２８ｇに入射
させ、偏光分離面２８ｆを透過する＋１次回折光のＰ偏
光を第１の光検出部２３で受光し、偏光分離面２８ｆで
反射される＋１次回折光のＳ偏光を第４の光検出部２６
でそれぞれ受光し、偏光分離面２８ｇを透過する−１次
回折光のＰ偏光を第２の光検出部２４で、偏光分離面２
８ｇで反射される−１次回折光のＳ偏光を第３の光検出
部２５でそれぞれ受光する。また、ホログラム２８ｅを
０次光で透過する戻り光は、ホログラム２８ｈで回折さ
せ、その＋１次回折光または−１次回折光を第５の光検
出部３２で受光する。

【００３５】ここで、第１，第２の光検出部２３，２４
は、ホログラム２８ｅの回折方向と平行な分割線で分割
されたそれぞれ３つの受光領域２３ｄ，２３ｅ，２３
ｆ；２４ｄ，２４ｅ，２４ｆを有する光検出器２３ｂ，
２４ｂをもって構成し、第３，第４の光検出部２５，２
６は、それぞれ１つの受光領域を有する光検出器をもっ
て構成する。また、第５の光検出部３２は、ホログラム
２８ｈの回折方向と平行な分割線で分割された２つの受
光領域３２ａ，３２ｂを有する光検出器をもって構成す
る。

【００３６】この実施例においては、光磁気信号および
フォーカスエラー信号を第１〜３実施例と同様にして得
ることができ、またトラッキングエラー信号ＴＥは、光
検出器３２の２つの受光領域３２ａ，３２ｂの出力をＩ
_32a，Ｉ_32bとすると、プッシュプル法により、

【数５】ＴＥ＝Ｉ_32a−Ｉ_32b で得ることができる。

【００３７】図１０および図１１は、この発明の第５実
施例を示すものである。この実施例は、第４実施例にお
いてホログラム素子２８ａの半導体基板２１に面する側
に形成したホログラム２８ｈを、反対側の面、すなわち
対物レンズ２９側の面に、ホログラム２８ｅに重畳して
形成したもので、その他の構成は第４実施例と同様であ
る。

【００３８】この実施例においては、第４実施例と同様
にして、光磁気信号、フォーカスエラー信号およびトラ
ッキングエラー信号を得ることができるほか、ホログラ
ム２８ｈを対物レンズ２９側の面に形成しているので、
光分岐素子２８を半導体基板２１上に密着して設けるこ
ともできる。

【００３９】図１２および図１３は、この発明の第６実
施例を示すものである。この実施例は、第３実施例にお
いて、ホログラム素子２８ａの半導体基板２１に面する
表面に、３枚の平行平板２８ｉ，２８ｊ，２８ｋをＹ方
向に積層するように設け、これら平行平板２８ｉ，２８
ｊの間および、平行平板２８ｊ，２８ｋの間にそれぞれ
１／２波長板３１ａ，３１ｂを設けると共に、１／２波
長板３１ａと平行平板２８ｉとの接合面および１／２波
長板３１ｂと平行平板２８ｋとの接合面に、それぞれ誘
電体多層膜をコーティングして偏光分離面２８ｆ，２８
ｇを形成したもので、その他の構成は第３実施例と同様
である。したがって、この実施例においても、第３実施
例と同様にして、光磁気信号、フォーカスエラー信号お
よびトラッキングエラー信号を得ることができる。

【００４０】以上の各実施例においては、光磁気記録媒
体３０からの戻り光を偏光方向に応じて分離する偏光分
離面２８ｆ，２８ｇを、戻り光を回折するホログラム２
８ｅでの０次光の光軸に対してほぼ平行としたので、偏
光分離面２８ｆ，２８ｇに入射する光線の入射角を大き
くとることができる。したがって、偏光分離面２８ｆ，
２８ｇを容易に作成することができると共に、各光検出
器を形成した半導体基板２１と偏光分離面２８ｆ，２８
ｇを形成した光分岐素子２８との位置調整を簡素化でき
るので、安価にできる。

【００４１】また、光磁気記録媒体３０からの戻り光を
回折するホログラム２８ｅと、偏光分離面２８ｆ，２８
ｇとを、光分岐素子２８として一体化したので、全体を
コンパクトにできると共に、これらホログラム２８ｅお
よび偏光分離面２８ｆ，２８ｇを平行平板を用いて形成
したので、量産性を向上でき、さらにコストダウンする
ことができる。

【００４２】なお、この発明は、上述した実施例にのみ
限定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能
である。例えば、第６実施例においては、グレーティン
グ２８ｄを第４実施例と同様にホログラム２８ｈに代え
たり、またこのホログラム２８ｈを対物レンズ２９側の
表面にホログラム２８ｅと重畳して形成して、トラッキ
ングエラー信号をプッシュプル法により得るよう構成す
ることもできる。

【００４３】また、第３〜第６実施例では、光磁気記録
媒体３０からの反射光を偏光分離するために、１／２波
長板３１ａ，３１ｂをそれぞれ偏光分離面２８ｆ，２８
ｇの前に配置したが、第１実施例と同様に、偏光分離面
２８ｆ，２８ｇの法線が、Ｘ・Ｙ平面上でＹ方向に対し
てほぼ４５°になるように光分岐素子２８を配置するこ
とにより、１／２波長板を省略して光磁気記録媒体３０
からの戻り光を偏光分離するよう構成することもでき
る。

【００４４】さらに、上述した実施例では光学系を有限
光学系としたが、対物レンズ２９と光分岐素子２８との
間にコリメータレンズを配置して無限光学系とすること
もできる。

【００４５】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザと集光手段との間に光磁気記録媒体からの戻り
光を回折するホログラム素子を設けると共に、このホロ
グラム素子での戻り光の０次光の光軸とほぼ平行な偏光
分離面を有する偏光分離素子を設けて、ホログラム素子
で回折される光をその偏光方向に応じて分離して光検出
手段に入射させるようにしたので、偏光分離面に入射す
る光線の入射角を大きくすることができ、したがって偏
光分離面を容易に作成できると共に、光検出手段と偏光
分離素子との位置調整を簡素化でき、さらに偏光分離素
子をホログラム素子の側面に一体に設けたので、小形か
つ安価な構成で、書換え型の光磁気ディスクに対応でき
る光ヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例を示す図である。

【図２】図１に示す光分岐素子の平面図である。

【図３】同じく半導体基板の平面図である。

【図４】この発明の第２実施例における光分岐素子の平
面図である。

【図５】同じく半導体基板の平面図である。

【図６】この発明の第３実施例を示す図である。

【図７】図６に示す半導体基板の平面図である。

【図８】この発明の第４実施例を示す図である。

【図９】図８に示す半導体基板の平面図である。

【図１０】この発明の第５実施例を示す図である。

【図１１】図１０に示す半導体基板の平面図である。

【図１２】この発明の第６実施例を示す図である。

【図１３】図１２に示す半導体基板の平面図である。

【図１４】従来の光ヘッドの一例を示す図である。

【図１５】図１４に示す半導体基板の平面図である。

【図１６】本願人が提案している光ヘッドの構成を示す
図である。

【図１７】図１６に示す半導体基板の平面図である。

【符号の説明】

２１半導体基板２２半導体レーザ２３第１の光検出部２４第２の光検出部２５第３の光検出部２６第４の光検出部２７立ち上げミラー２８光分岐素子２８ａホログラム素子２８ｂ，２８ｃ平行平板２８ｄグレーティング２８ｅ，２８ｈホログラム２８ｆ，２８ｇ偏光分離面２９対物レンズ３０光磁気記録媒体３１ａ，３１ｂ１／２波長板３２第５の光検出部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 11/105 G11B 7/135

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザからの光を集光手段を経て
光磁気記録媒体に集光し、前記光磁気記録媒体で反射さ
れる戻り光を前記集光手段を経て光検出手段で受光する
ようにした光ヘッドにおいて、前記戻り光を回折するよ
うに前記半導体レーザと前記集光手段との間に配置した
ホログラム素子と、このホログラム素子での前記戻り光
の０次光の光軸とほぼ平行な偏光分離面を有し、前記ホ
ログラム素子で回折される戻り光をその偏光方向に応じ
て分離して前記光検出手段に入射させる偏光分離素子と
を具え、前記偏光分離素子を前記ホログラム素子の側面
に一体に設けたことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】前記光磁気記録媒体のトラックと平行な
方向をＸ、それと交差するトラッキング方向をＹとする
とき、前記偏光分離素子の偏光分離面を、その法線が前
記Ｘ・Ｙ平面上でＹ方向に対してほぼ４５°になるよう
に配置したことを特徴とする請求項１記載の光ヘッド。