JP3146695B2 - 厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタ - Google Patents
厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は厚み滑り振動モードを利
用したセラミックフィルタに関するものである。
用したセラミックフィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１に示されるように厚み滑り振
動モード（ＴＳモード）を利用したセラミックフィルタ
が知られている。このセラミックフィルタは、横長な長
方形の圧電セラミック基板１の表面の両端部に入出力用
の端子電極２，３が形成され、表面の中央部寄りの位置
には上記端子電極２，３と導通する振動電極４，５を夫
々形成されている。これら振動電極４，５には夫々対を
なす振動電極６，７が隣接して形成され、これら振動電
極６，７は互いに導通している。圧電基板１の裏面に
は、上記振動電極４，６と対向する幅広な振動電極８
と、振動電極５，７と対向する幅広な振動電極９とが形
成され、これら振動電極８，９はアース用の端子電極１
０を介して互いに導通している。上記端子電極２，３お
よび１０には、図２に示すようにリード端子１１〜１３
が夫々半田付けされ、圧電セラミック基板１の周囲はシ
リコンゴム１４で覆われ、さらにその外周が外装樹脂１
５で覆われている。
動モード（ＴＳモード）を利用したセラミックフィルタ
が知られている。このセラミックフィルタは、横長な長
方形の圧電セラミック基板１の表面の両端部に入出力用
の端子電極２，３が形成され、表面の中央部寄りの位置
には上記端子電極２，３と導通する振動電極４，５を夫
々形成されている。これら振動電極４，５には夫々対を
なす振動電極６，７が隣接して形成され、これら振動電
極６，７は互いに導通している。圧電基板１の裏面に
は、上記振動電極４，６と対向する幅広な振動電極８
と、振動電極５，７と対向する幅広な振動電極９とが形
成され、これら振動電極８，９はアース用の端子電極１
０を介して互いに導通している。上記端子電極２，３お
よび１０には、図２に示すようにリード端子１１〜１３
が夫々半田付けされ、圧電セラミック基板１の周囲はシ
リコンゴム１４で覆われ、さらにその外周が外装樹脂１
５で覆われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなセラミッ
クフィルタの場合、リード端子１１〜１３との接続電極
部である入出力用の端子電極所２，３およびアース用の
端子電極１０と、振動電極４，５，８，９との間隔
Ｌ1 ，Ｌ2 （図１参照）は、エネルギー閉じ込めの振動
範囲から圧電セラミック基板１の厚みの４〜５倍以上と
している。このため、フィルタ波形の低域・高域周波数
帯に主振動（ＴＳモード）以外の不要振動（例えば長さ
・ベンディング振動など）による大きなレスポンスが見
られ、ＴＶ信号処理時に僅かではあるが通過させたくな
い周波数成分が漏れ、復調検波時に波形歪みとして現れ
るという問題があった。そこで、本発明の目的は、主振
動以外の不要振動を抑え、フィルタ特性を改善できる厚
み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタを提供
することにある。
クフィルタの場合、リード端子１１〜１３との接続電極
部である入出力用の端子電極所２，３およびアース用の
端子電極１０と、振動電極４，５，８，９との間隔
Ｌ1 ，Ｌ2 （図１参照）は、エネルギー閉じ込めの振動
範囲から圧電セラミック基板１の厚みの４〜５倍以上と
している。このため、フィルタ波形の低域・高域周波数
帯に主振動（ＴＳモード）以外の不要振動（例えば長さ
・ベンディング振動など）による大きなレスポンスが見
られ、ＴＶ信号処理時に僅かではあるが通過させたくな
い周波数成分が漏れ、復調検波時に波形歪みとして現れ
るという問題があった。そこで、本発明の目的は、主振
動以外の不要振動を抑え、フィルタ特性を改善できる厚
み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタを提供
することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、２素子型の厚み滑り振動モードを利用したセラミッ
クフィルタに関するものである。すなわち、２つの主面
を有する長方形の圧電セラミック基板１を備え、この圧
電セラミック基板１の第１の主面の長手方向両端部に入
力用端子電極２，出力用端子電極３が設けられるととも
に、圧電セラミック基板１の第２の主面の長手方向中央
部にアース用端子電極１０が設けられ、圧電セラミック
基板１の第１の主面であって、入力用端子電極２とアー
ス用端子電極１０の対向部との間の位置に第１と第２の
振動電極４，６が隣接して形成され、圧電セラミック基
板１の第１の主面であって、出力用端子電極３とアース
用端子電極１０の対向部との間の位置に第３と第４の振
動電極５，７が隣接して形成され、圧電セラミック基板
１の第２の主面であって、第１と第２の振動電極４，６
と対向する位置に第５の振動電極８が形成され、圧電セ
ラミック基板１の第２の主面であって、第３と第４の振
動電極７，５と対向する位置に第６の振動電極９が形成
され、第１の振動電極４は入力用端子電極２と圧電セラ
ミック基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介して
接続され、第２の振動電極６と第３の振動電極７は圧電
セラミック基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介
して接続され、第４の振動電極５は出力用端子電極３と
圧電セラミック基板１の長手方向に延びる細い引出電極
を介して接続され、第５の振動電極８および第６の振動
電極９はアース用端子電極１０と圧電セラミック基板１
の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続され、端
子電極２，３，１０にそれぞれリード端子１１，１２，
１３が半田付けされた厚み滑り振動モードを利用した３
端子型セラミックフィルタにおいて、上記入力用端子電
極２とこの端子電極に隣接する第１の振動電極４との間
隔Ｌ１、および出力用端子電極３とこの端子電極に隣接
する第４の振動電極５との間隔Ｌ１を、圧電セラミック
基板１の厚みｔの１〜３倍とし、第５の振動電極８およ
び第６の振動電極９とアース用端子電極１０との間隔Ｌ
２を、圧電セラミック基板１の厚みｔの４倍以上とした
ものである。また、請求項２に記載の発明は、１素子型
の厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタに
関するものである。すなわち、２つの主面を有する長方
形の圧 電セラミック基板を備え、この圧電セラミック基
板の第１の主面の長手方向両端部に第１，第２の端子電
極が設けられるとともに、圧電セラミック基板の第２の
主面の長手方向中央部に第３の端子電極が設けられ、圧
電セラミック基板の第１の主面であって、第１の端子電
極と第３の端子電極の対向部との間の位置に第１と第２
の振動電極が隣接して形成され、圧電セラミック基板の
第２の主面であって、第１と第２の振動電極と対向する
位置に第３の振動電極が形成され、第１の振動電極は第
１の端子電極と圧電セラミック基板の長手方向に延びる
細い引出電極を介して接続され、第２の振動電極は第２
の端子電極と圧電セラミック基板の長手方向に延びる細
い引出電極を介して接続され、第３の振動電極は第３の
端子電極と圧電セラミック基板の長手方向に延びる細い
引出電極を介して接続され、第１〜第３の端子電極にそ
れぞれリード端子が半田付けされた厚み滑り振動モード
を利用した３端子型セラミックフィルタにおいて、上記
第１の端子電極とこの端子電極に隣接する第１の振動電
極との間隔Ｌ１を、圧電セラミック基板の厚みｔの１〜
３倍とし、第３の振動電極と第３の端子電極との間隔Ｌ
２を、圧電セラミック基板の厚みｔの４倍以上としたも
のである。
は、２素子型の厚み滑り振動モードを利用したセラミッ
クフィルタに関するものである。すなわち、２つの主面
を有する長方形の圧電セラミック基板１を備え、この圧
電セラミック基板１の第１の主面の長手方向両端部に入
力用端子電極２，出力用端子電極３が設けられるととも
に、圧電セラミック基板１の第２の主面の長手方向中央
部にアース用端子電極１０が設けられ、圧電セラミック
基板１の第１の主面であって、入力用端子電極２とアー
ス用端子電極１０の対向部との間の位置に第１と第２の
振動電極４，６が隣接して形成され、圧電セラミック基
板１の第１の主面であって、出力用端子電極３とアース
用端子電極１０の対向部との間の位置に第３と第４の振
動電極５，７が隣接して形成され、圧電セラミック基板
１の第２の主面であって、第１と第２の振動電極４，６
と対向する位置に第５の振動電極８が形成され、圧電セ
ラミック基板１の第２の主面であって、第３と第４の振
動電極７，５と対向する位置に第６の振動電極９が形成
され、第１の振動電極４は入力用端子電極２と圧電セラ
ミック基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介して
接続され、第２の振動電極６と第３の振動電極７は圧電
セラミック基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介
して接続され、第４の振動電極５は出力用端子電極３と
圧電セラミック基板１の長手方向に延びる細い引出電極
を介して接続され、第５の振動電極８および第６の振動
電極９はアース用端子電極１０と圧電セラミック基板１
の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続され、端
子電極２，３，１０にそれぞれリード端子１１，１２，
１３が半田付けされた厚み滑り振動モードを利用した３
端子型セラミックフィルタにおいて、上記入力用端子電
極２とこの端子電極に隣接する第１の振動電極４との間
隔Ｌ１、および出力用端子電極３とこの端子電極に隣接
する第４の振動電極５との間隔Ｌ１を、圧電セラミック
基板１の厚みｔの１〜３倍とし、第５の振動電極８およ
び第６の振動電極９とアース用端子電極１０との間隔Ｌ
２を、圧電セラミック基板１の厚みｔの４倍以上とした
ものである。また、請求項２に記載の発明は、１素子型
の厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタに
関するものである。すなわち、２つの主面を有する長方
形の圧 電セラミック基板を備え、この圧電セラミック基
板の第１の主面の長手方向両端部に第１，第２の端子電
極が設けられるとともに、圧電セラミック基板の第２の
主面の長手方向中央部に第３の端子電極が設けられ、圧
電セラミック基板の第１の主面であって、第１の端子電
極と第３の端子電極の対向部との間の位置に第１と第２
の振動電極が隣接して形成され、圧電セラミック基板の
第２の主面であって、第１と第２の振動電極と対向する
位置に第３の振動電極が形成され、第１の振動電極は第
１の端子電極と圧電セラミック基板の長手方向に延びる
細い引出電極を介して接続され、第２の振動電極は第２
の端子電極と圧電セラミック基板の長手方向に延びる細
い引出電極を介して接続され、第３の振動電極は第３の
端子電極と圧電セラミック基板の長手方向に延びる細い
引出電極を介して接続され、第１〜第３の端子電極にそ
れぞれリード端子が半田付けされた厚み滑り振動モード
を利用した３端子型セラミックフィルタにおいて、上記
第１の端子電極とこの端子電極に隣接する第１の振動電
極との間隔Ｌ１を、圧電セラミック基板の厚みｔの１〜
３倍とし、第３の振動電極と第３の端子電極との間隔Ｌ
２を、圧電セラミック基板の厚みｔの４倍以上としたも
のである。
【０００５】
【作用】エネルギー閉じ込めは、振動電極上では電極材
の質量負荷で電極部のない部分に比べて共振周波数が低
いため、振動電極部での振動エネルギーが電極部から外
へ伝播しないというものである。この場合、振動エネル
ギーは電極端面から厚みの４〜５倍の所まで振動エリア
が指数関数的に減衰するように分布し、この振動を減衰
させないように半田付けを行う端子電極部を振動エリア
の外側へ設けるのが通例である。これに対し、本発明で
は入力用または出力用の端子電極だけ振動エリア内に入
るように設定することにより、次のような作用効果を得
る。第１に、入，出力用端子電極と裏側のアース用振動
電極との間で回り込み容量が発生し、そのため入出力部
とアースとの間に並列容量を付加したと同様になり、フ
ィルタのボトムレベルが下がる。換言すれば、阻止域減
衰量が大きくとれる。第２に、主振動の中に混在してい
る不要振動を半田で押えるため、スプリアスレベルが改
善される。この場合、当然であるが主振動もダンピング
され、フィルタの損失が０．５ｄＢ程度悪化するが、こ
れ以上にスプリアスレベルを下げることができる。但
し、入，出力用の端子電極と振動電極との間隔が厚みの
１倍まで近づくと、損失レベルの劣化が大きくなり、フ
ィルタとしては使用しにくくなる。したがって、本発明
では入力用または出力用の端子電極と振動電極との間隔
を圧電セラミック基板の厚みの１〜３倍に設定してい
る。なお、アース用の端子電極と振動電極との間隔は従
前どおり圧電セラミック基板の厚みの４倍以上とするこ
とにより、エネルギー閉じ込めの振動範囲からアース用
の端子電極を外してある。
の質量負荷で電極部のない部分に比べて共振周波数が低
いため、振動電極部での振動エネルギーが電極部から外
へ伝播しないというものである。この場合、振動エネル
ギーは電極端面から厚みの４〜５倍の所まで振動エリア
が指数関数的に減衰するように分布し、この振動を減衰
させないように半田付けを行う端子電極部を振動エリア
の外側へ設けるのが通例である。これに対し、本発明で
は入力用または出力用の端子電極だけ振動エリア内に入
るように設定することにより、次のような作用効果を得
る。第１に、入，出力用端子電極と裏側のアース用振動
電極との間で回り込み容量が発生し、そのため入出力部
とアースとの間に並列容量を付加したと同様になり、フ
ィルタのボトムレベルが下がる。換言すれば、阻止域減
衰量が大きくとれる。第２に、主振動の中に混在してい
る不要振動を半田で押えるため、スプリアスレベルが改
善される。この場合、当然であるが主振動もダンピング
され、フィルタの損失が０．５ｄＢ程度悪化するが、こ
れ以上にスプリアスレベルを下げることができる。但
し、入，出力用の端子電極と振動電極との間隔が厚みの
１倍まで近づくと、損失レベルの劣化が大きくなり、フ
ィルタとしては使用しにくくなる。したがって、本発明
では入力用または出力用の端子電極と振動電極との間隔
を圧電セラミック基板の厚みの１〜３倍に設定してい
る。なお、アース用の端子電極と振動電極との間隔は従
前どおり圧電セラミック基板の厚みの４倍以上とするこ
とにより、エネルギー閉じ込めの振動範囲からアース用
の端子電極を外してある。
【０００６】
【実施例】図３は本発明の一例であるセラミックフィル
タの構造を示す。このセラミックフィルタの構造は図
１，図２に示されたものと同様であり、同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。このセラミックフィル
タの場合、入力用端子電極２と出力用端子電極３には夫
々リード端子１１，１２が半田付けされるとともに、端
子電極２，３の全域に半田盛り２０が施されている。そ
して、入力用端子電極２と振動電極４，８との間隔Ｌ、
および出力用端子電極３と振動電極５，９との間隔Ｌは
次のように設定されている。 ｔ≦Ｌ≦３ｔ 上式において、ｔは圧電セラミック基板１の厚みであ
る。
タの構造を示す。このセラミックフィルタの構造は図
１，図２に示されたものと同様であり、同一部分には同
一符号を付して説明を省略する。このセラミックフィル
タの場合、入力用端子電極２と出力用端子電極３には夫
々リード端子１１，１２が半田付けされるとともに、端
子電極２，３の全域に半田盛り２０が施されている。そ
して、入力用端子電極２と振動電極４，８との間隔Ｌ、
および出力用端子電極３と振動電極５，９との間隔Ｌは
次のように設定されている。 ｔ≦Ｌ≦３ｔ 上式において、ｔは圧電セラミック基板１の厚みであ
る。
【０００７】図４は、入，出力用端子電極と振動電極と
の間隔Ｌ＝５ｔとした場合（従来例）と、入，出力用端
子電極と振動電極との間隔Ｌ＝２ｔとした場合（本発
明）とのフィルタ波形の比較図である。この波形図から
明らかなように、主振動（４．５ＭＨｚ）におけるレス
ポンスは従来例および本発明共に殆ど変わらないが、そ
の低域側および高域側に生じる不要振動によるレスポン
スが本発明では従来例に比べて約１０ｄＢ程度低くなっ
ていることが判る。そのため、本発明をＴＶ信号処理回
路のバンドパスフィルタとして用いた場合、通過させた
くない周波数成分は確実に阻止され、復調検波時に波形
歪みが現れない。
の間隔Ｌ＝５ｔとした場合（従来例）と、入，出力用端
子電極と振動電極との間隔Ｌ＝２ｔとした場合（本発
明）とのフィルタ波形の比較図である。この波形図から
明らかなように、主振動（４．５ＭＨｚ）におけるレス
ポンスは従来例および本発明共に殆ど変わらないが、そ
の低域側および高域側に生じる不要振動によるレスポン
スが本発明では従来例に比べて約１０ｄＢ程度低くなっ
ていることが判る。そのため、本発明をＴＶ信号処理回
路のバンドパスフィルタとして用いた場合、通過させた
くない周波数成分は確実に阻止され、復調検波時に波形
歪みが現れない。
【０００８】なお、本発明のセラミックフィルタは実施
例のような２素子型に限らず、１素子型でもよい。１素
子型の場合には、振動電極が圧電セラミック基板の入力
側または出力側に偏った位置に設けられるので、入力側
または出力側の一方の端子電極と振動電極との間隔を圧
電セラミック基板の１〜３倍に設定すればよい。
例のような２素子型に限らず、１素子型でもよい。１素
子型の場合には、振動電極が圧電セラミック基板の入力
側または出力側に偏った位置に設けられるので、入力側
または出力側の一方の端子電極と振動電極との間隔を圧
電セラミック基板の１〜３倍に設定すればよい。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、入力用または出力用の端子電極とこの端子電極
に隣接する振動電極との間隔を、圧電セラミック基板の
厚みの１〜３倍としたので、入出力部とアースとの間に
並列容量を付加したと同様になり、阻止域減衰量が大き
くなるとともに、主振動の中に混在している不要振動を
半田で押えるため、スプリアスレベルが改善される。そ
の結果、本発明をＴＶ信号処理回路に用いた場合、通過
させたくない周波数成分は確実に阻止され、復調検波時
に波形歪みを解消できるという効果がある。
よれば、入力用または出力用の端子電極とこの端子電極
に隣接する振動電極との間隔を、圧電セラミック基板の
厚みの１〜３倍としたので、入出力部とアースとの間に
並列容量を付加したと同様になり、阻止域減衰量が大き
くなるとともに、主振動の中に混在している不要振動を
半田で押えるため、スプリアスレベルが改善される。そ
の結果、本発明をＴＶ信号処理回路に用いた場合、通過
させたくない周波数成分は確実に阻止され、復調検波時
に波形歪みを解消できるという効果がある。
【図１】従来のセラミックフィルタの素子単品図であ
る。
る。
【図２】図１におけるセラミックフィルタを製品化した
状態の断面図である。
状態の断面図である。
【図３】本発明にかかるセラミックフィルタの斜視図で
ある。
ある。
【図４】本発明と従来例のフィルタ波形図である。
１ 圧電セラミック基板 ２ 入力用端子電極 ３ 出力用端子電極 ４，５，８，９ 振動電極 １１〜１３ リード端子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−139909（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−52317（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−231511（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−104886（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−131212（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−28121（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−10625（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−125630（ＪＰ，Ｕ) 特公 平２−28922（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭58−10886（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/54 - 9/60
Claims (2)
- 【請求項１】２つの主面を有する長方形の圧電セラミッ
ク基板１を備え、 この圧電セラミック基板１の第１の主面の長手方向両端
部に入力用端子電極２，出力用端子電極３が設けられる
とともに、圧電セラミック基板１の第２の主面の長手方
向中央部にアース用端子電極１０が設けられ、 圧電セラミック基板１の第１の主面であって、入力用端
子電極２とアース用端子電極１０の対向部との間の位置
に第１と第２の振動電極４，６が隣接して形成され、 圧電セラミック基板１の第１の主面であって、出力用端
子電極３とアース用端子電極１０の対向部との間の位置
に第３と第４の振動電極５，７が隣接して形成され、 圧電セラミック基板１の第２の主面であって、第１と第
２の振動電極４，６と対向する位置に第５の振動電極８
が形成され、 圧電セラミック基板１の第２の主面であって、第３と第
４の振動電極７，５と対向する位置に第６の振動電極９
が形成され、 第１の振動電極４は入力用端子電極２と圧電セラミック
基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続さ
れ、 第２の振動電極６と第３の振動電極７は圧電セラミック
基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続さ
れ、 第４の振動電極５は出力用端子電極３と圧電セラミック
基板１の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続さ
れ、 第５の振動電極８および第６の振動電極９はアース用端
子電極１０と圧電セラミック基板１の長手方向に延びる
細い引出電極を介して接続され、 端子電極２，３，１０にそれぞれリード端子１１，１
２，１３が半田付けされた厚み滑り振動モードを利用し
た３端子型セラミックフィルタにおいて、 上記入力用端子電極２とこの端子電極に隣接する第１の
振動電極４との間隔Ｌ１、および出力用端子電極３とこ
の端子電極に隣接する第４の振動電極５との間隔Ｌ１
を、圧電セラミック基板１の厚みｔの１〜３倍とし、 第５の振動電極８および第６の振動電極９とアース用端
子電極１０との間隔Ｌ２ を、圧電セラミック基板１の厚
みｔの４倍以上としたことを特徴とするエネルギー閉じ
込め型厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィル
タ。 - 【請求項２】２つの主面を有する長方形の圧電セラミッ
ク基板を備え、 この圧電セラミック基板の第１の主面の長手方向両端部
に第１，第２の端子電極が設けられるとともに、圧電セ
ラミック基板の第２の主面の長手方向中央部に第３の端
子電極が設けられ、 圧電セラミック基板の第１の主面であって、第１の端子
電極と第３の端子電極の対向部との間の位置に第１と第
２の振動電極が隣接して形成され、 圧電セラミック基板の第２の主面であって、第１と第２
の振動電極と対向する位置に第３の振動電極が形成さ
れ、 第１の振動電極は第１の端子電極と圧電セラミック基板
の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続され、 第２の振動電極は第２の端子電極と圧電セラミック基板
の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続され、 第３の振動電極は第３の端子電極と圧電セラミック基板
の長手方向に延びる細い引出電極を介して接続され、 第１の端子電極に入，出力用リード端子の一方が半田付
けされ、第２の端子電極に入，出力用リード端子の他方
が半田付けされ、第３の端子電極にアース用リード端子
が半田付けされた厚み滑り振動モードを利用した３端子
型セラミックフィルタにおいて、 上記第１の端子電極とこの端子電極に隣接する第１の振
動電極との間隔Ｌ１を、圧電セラミック基板の厚みｔの
１〜３倍とし、 第３の振動電極と第３の端子電極との間隔Ｌ２を、圧電
セラミック基板の厚みｔの４倍以上としたことを特徴と
するエネルギー閉じ込め型厚み滑り振動モードを利用し
たセラミックフィルタ。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP30502992A JP3146695B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタ |
| US08/136,969 US5815053A (en) | 1992-10-16 | 1993-10-14 | Ceramic filter vibrating in the thickness shear-slide mode with electrode spacings in the range of one to three substrate thicknesses |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30502992A JP3146695B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタ |
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Family
ID=17940240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30502992A Expired - Lifetime JP3146695B2 (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | 厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタ |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP3146695B2 (ja) |
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-
1993
- 1993-10-14 US US08/136,969 patent/US5815053A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US5815053A (en) | 1998-09-29 |
| JPH06132778A (ja) | 1994-05-13 |
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