JPS63260313A - 弾性表面波コンボルバ - Google Patents
弾性表面波コンボルバInfo
- Publication number
- JPS63260313A JPS63260313A JP62094490A JP9449087A JPS63260313A JP S63260313 A JPS63260313 A JP S63260313A JP 62094490 A JP62094490 A JP 62094490A JP 9449087 A JP9449087 A JP 9449087A JP S63260313 A JPS63260313 A JP S63260313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode
- semiconductor layer
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000000887 face Anatomy 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06G—ANALOGUE COMPUTERS
- G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
- G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
- G06G7/19—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals, correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions
- G06G7/195—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for forming integrals of products, e.g. Fourier integrals, Laplace integrals, correlation integrals; for analysis or synthesis of functions using orthogonal functions using electro- acoustic elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は弾性表面波コンボルバ（以下ＳＡＷコンボルバ
と称する）に係り、特にセルフコンボリューション信号
を減少せしめるための改良に関する。
と称する）に係り、特にセルフコンボリューション信号
を減少せしめるための改良に関する。
［発明の概要］
ＳＡＷコンボルバにおいて、ゲート電極と各入力電極間
に副電極が設けられていて、各副電極にはその下の半導
体層を反転状態となるようなバイアス電圧が印加される
ことによりセルフコンボリューションを減少させたもの
である。
に副電極が設けられていて、各副電極にはその下の半導
体層を反転状態となるようなバイアス電圧が印加される
ことによりセルフコンボリューションを減少させたもの
である。
［従来の技術］
同図において、１は圧電体層、２は絶縁体層、３は半導
体層、４はゲート電極、５は入力電極。
体層、４はゲート電極、５は入力電極。
例えばくし形電極、６は裏面電極、７は入力端子。
８は出力端子であり、２つのくし形電極５に印加された
入力信号のコンボリューション信号がゲート電極４から
取り出される。
入力信号のコンボリューション信号がゲート電極４から
取り出される。
第５図の構造は、コンボルバのコンボリューション効率
が極めて高いという特徴を有している。
が極めて高いという特徴を有している。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかし、第５図の構造では、２つのくし形電極５（以後
１．Ｄ、Ｔと称す）に入力した信号の間のコンボリュー
ション信号の他に、セルフコンボリューション信号と呼
ばれる不必要な信号が生じる。
１．Ｄ、Ｔと称す）に入力した信号の間のコンボリュー
ション信号の他に、セルフコンボリューション信号と呼
ばれる不必要な信号が生じる。
セルフコンボリューション信号とは、１つの１．Ｄ。
Ｔによって生起された表面波が、対向する１、Ｄ。
Ｔによって反射されることによって生ずる信号であり、
自分自身のコンボリューション信号に対応する。第６図
にその様子を示す、第２図において入力信号Ｐ１．Ｐ、
により生ずる弾性表面波Ｓ１と８２の目的とするコンボ
リューション信号Ｐ ｏｕｔの他に、Ｓｌとその反射波
Ｓｉｒの間、及びＳ２とその反射波Ｓ２ｒの間、におい
てもコンボリューション信号が生じることは明らかであ
ろう。後者の二つの信号がセルフコンポリ亙−シ３ン信
号である。
自分自身のコンボリューション信号に対応する。第６図
にその様子を示す、第２図において入力信号Ｐ１．Ｐ、
により生ずる弾性表面波Ｓ１と８２の目的とするコンボ
リューション信号Ｐ ｏｕｔの他に、Ｓｌとその反射波
Ｓｉｒの間、及びＳ２とその反射波Ｓ２ｒの間、におい
てもコンボリューション信号が生じることは明らかであ
ろう。後者の二つの信号がセルフコンポリ亙−シ３ン信
号である。
さて、このようなセルフコンボリューション信号は、コ
ンボルバの出力にとっては、スプリアスノイズとしてあ
られれ、コンボルバのダイナミックレンジを低下させる
という好ましくない影響を与える。特に第５図のような
従来構造では、ゲート電極４の長さが短くなると、その
影響が縦著になるという欠点がある。この点に関し、よ
り詳細には１次の文献を参照されたい。
ンボルバの出力にとっては、スプリアスノイズとしてあ
られれ、コンボルバのダイナミックレンジを低下させる
という好ましくない影響を与える。特に第５図のような
従来構造では、ゲート電極４の長さが短くなると、その
影響が縦著になるという欠点がある。この点に関し、よ
り詳細には１次の文献を参照されたい。
文献［１］
Ｓ 、 Ｍｉｎａｇａｖａ 、 ａｔ ａｌ“Ｅｆｆ
ｉｃｉｓｎｔ ＺｎＯ−５ｉＯ，−５ｉ Ｓａｚａｗ
ａ ｗａｖａＣｏｎｖｏｌｖｅｒ”、Ｉ［ＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ ５ｏｎｉｃｓ Ｕｌｔｒａｓｏｎ。
ｉｃｉｓｎｔ ＺｎＯ−５ｉＯ，−５ｉ Ｓａｚａｗ
ａ ｗａｖａＣｏｎｖｏｌｖｅｒ”、Ｉ［ＥＥＥ Ｔｒ
ａｎｓ ５ｏｎｉｃｓ Ｕｌｔｒａｓｏｎ。
ｖｏｌ、５ｌＩ−３２，Ｎａ３．５ｅｐｔｅｓ＋ｂｅｒ
１９８５．ｐｐ６７０−６７４このようなセルフコン
ボリューション信号の影響を減少させるための一般的な
方法としては１例えば、デュアルゲートのコンボルバ（
文献［２コ）や、一方向性トランスデユーサの利用（文
献［３］）などの方法がある。
１９８５．ｐｐ６７０−６７４このようなセルフコン
ボリューション信号の影響を減少させるための一般的な
方法としては１例えば、デュアルゲートのコンボルバ（
文献［２コ）や、一方向性トランスデユーサの利用（文
献［３］）などの方法がある。
文献［２］
１、ＹａＯ。
“Ｈｉｇｈ−ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｅｌａｓｔｉｃ
ｃｏｎｖｏｌｖｅｒｖｉｔｈＰａｒａｂｏｌｉｃ ｈ
ｏｒｎｓ ” 、 Ｐｒｏｃ、１９８０ ＩＥＩＥＥＵ
ｌｔｒａｓｏｎ Ｓｙｍｐ、、１９８０．ｐｐ３７−４
２文献［３］ Ｃ−Ｌ 、 Ｗｅｓｔ ｔ ”５Ａｖｃｏｎｖｏｌｖｅｒ ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ ｕ
ｎｉｄｉｒｅｃｔｏｎａｌｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ ｆ
ｏｒ ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ”。
ｃｏｎｖｏｌｖｅｒｖｉｔｈＰａｒａｂｏｌｉｃ ｈ
ｏｒｎｓ ” 、 Ｐｒｏｃ、１９８０ ＩＥＩＥＥＵ
ｌｔｒａｓｏｎ Ｓｙｍｐ、、１９８０．ｐｐ３７−４
２文献［３］ Ｃ−Ｌ 、 Ｗｅｓｔ ｔ ”５Ａｖｃｏｎｖｏｌｖｅｒ ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ ｕ
ｎｉｄｉｒｅｃｔｏｎａｌｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ ｆ
ｏｒ ｉｍｐｒｏｖｅｄ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ”。
Ｐｒｏｃ、１９８２．Ｕｌｔｒａｓｏｎ Ｓｙｍｐ、、
１９８２．ｐｐＨ９−１２３しかし、前者の方法では素
子面積が大きくなり、外部回路も複雑になるという欠点
があるし、後者の方法では、やはり素子面積が増加し、
また、周波数帯域を拡げることが困難であるという欠点
がある。
１９８２．ｐｐＨ９−１２３しかし、前者の方法では素
子面積が大きくなり、外部回路も複雑になるという欠点
があるし、後者の方法では、やはり素子面積が増加し、
また、周波数帯域を拡げることが困難であるという欠点
がある。
従って本発明の目的は上述した従来のＳＡＷコンボルバ
の構造を大幅に変更することなく、しかも簡単な外部回
路を付加するのみでセルフコンボリューション信号を抑
圧できるＳＡＷコンボルバを提供することにある。
の構造を大幅に変更することなく、しかも簡単な外部回
路を付加するのみでセルフコンボリューション信号を抑
圧できるＳＡＷコンボルバを提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明はかかる目的を達成するため、少なくとも圧電体
層／半導体層又は圧電体層／絶縁体層／半導体層の積層
構造体上に１対の入力電極及び１個のゲート電極を有す
るＳＡＷコンボルバにおいて、該ゲート電極と各入力電
極間に副電極を設け、該副電極にその下の半導体層が反
転状態となるようなバイアス電圧を印加したことを要旨
とする。
層／半導体層又は圧電体層／絶縁体層／半導体層の積層
構造体上に１対の入力電極及び１個のゲート電極を有す
るＳＡＷコンボルバにおいて、該ゲート電極と各入力電
極間に副電極を設け、該副電極にその下の半導体層が反
転状態となるようなバイアス電圧を印加したことを要旨
とする。
［作用］
上記構成のＳＡＷコンボルバにおいては、副電極の下の
半導体層が反転状態となっているので、入力信号によっ
て生起された弾性表面波は僅かに減衰されるのみである
が、その反射波は大幅に減衰されるので、コンボリュー
ション信号は減少される。
半導体層が反転状態となっているので、入力信号によっ
て生起された弾性表面波は僅かに減衰されるのみである
が、その反射波は大幅に減衰されるので、コンボリュー
ション信号は減少される。
［実施例］
以下図面に示す実施例を参照して本発明を説明すると、
本発明によるモノリシックＳＡＷコンボルバの一実施例
の構造を第１図に示す、同図に示す如くこの実施例では
、従来構造と異なり、ゲート電極１３と、くし形電極１
２の間で、しかも弾性表面波の伝播路上に、二つの副電
極１４を設置し、さらにその副電極に直流バイアス源１
５よりバイアス電圧を印加する。そのバイアス電圧の値
は、副電極１４の下の絶縁体層１０と半導体層１１の界
面部において、半導体層側が反転状態となるような程度
とする。
本発明によるモノリシックＳＡＷコンボルバの一実施例
の構造を第１図に示す、同図に示す如くこの実施例では
、従来構造と異なり、ゲート電極１３と、くし形電極１
２の間で、しかも弾性表面波の伝播路上に、二つの副電
極１４を設置し、さらにその副電極に直流バイアス源１
５よりバイアス電圧を印加する。そのバイアス電圧の値
は、副電極１４の下の絶縁体層１０と半導体層１１の界
面部において、半導体層側が反転状態となるような程度
とする。
なお、本発明で用いる半導体層１１は、特に限定されな
い１通常のバルク基板でも良いし１文献［１］で示され
ているようなエピタキシャル基板（ｎ／ｎ十基板基板い
はＰ／Ｐ十基板基板も良い。
い１通常のバルク基板でも良いし１文献［１］で示され
ているようなエピタキシャル基板（ｎ／ｎ十基板基板い
はＰ／Ｐ十基板基板も良い。
より高いコンボリューション効率を得るためには、エピ
タキシャル基板を用いる方が望ましい。また、第１図に
は絶縁体層１０を有する積層構造体が示されているが、
絶縁体層の無い積層構造体であっても良い。ただし、素
子の安定的な動作をはがる意味では、絶縁体層の存在す
る積層構造体の方が望ましい。なお第１図で９は圧電体
層、１６は裏面電極、１７は入力端子、１８は出力端子
である。
タキシャル基板を用いる方が望ましい。また、第１図に
は絶縁体層１０を有する積層構造体が示されているが、
絶縁体層の無い積層構造体であっても良い。ただし、素
子の安定的な動作をはがる意味では、絶縁体層の存在す
る積層構造体の方が望ましい。なお第１図で９は圧電体
層、１６は裏面電極、１７は入力端子、１８は出力端子
である。
次に上記実施例においてセルフコンボリューション信号
が抑圧される理由を以下に述べる。また、実際に本発明
を実施した場合の実験結果も示す。
が抑圧される理由を以下に述べる。また、実際に本発明
を実施した場合の実験結果も示す。
第２図に示したようにセルフコンボリューション発生の
原因は、おもに、対向する１、Ｄ、Ｔでの弾性表面波の
反射波にある。従ってセルフコンボリューション信号を
抑圧するには、第２図において、反射波Ｓｉｒ、Ｓ、ｒ
の強度を、進行波Ｓ、、 Ｓ。
原因は、おもに、対向する１、Ｄ、Ｔでの弾性表面波の
反射波にある。従ってセルフコンボリューション信号を
抑圧するには、第２図において、反射波Ｓｉｒ、Ｓ、ｒ
の強度を、進行波Ｓ、、 Ｓ。
に比べて充分に減衰させれば良い。
本発明者は、第１図に示したような副電極１４によって
上述した動作が実現し得ることを見出した。すなわち、
第１図の副電極１４に、その下の半導体層１１が反転状
態となるようなバイアス電圧を印加すると、第２図に示
したように、入力信号Ｐ、、Ｐ、によって生起された弾
性表面波Ｓ １ ｆＳ２については減衰が小さいが、ゲ
ート電極１３を通過したあとの進行波５ＬＺ５２′や、
１．Ｄ、Ｔ１２で反射された弾性表面波Ｓ ｔｒｙ Ｓ
、ｒについては、減衰が大きくなるような状態となるこ
とがわかった。このような状態になれば、反射波Ｓｌｒ
。
上述した動作が実現し得ることを見出した。すなわち、
第１図の副電極１４に、その下の半導体層１１が反転状
態となるようなバイアス電圧を印加すると、第２図に示
したように、入力信号Ｐ、、Ｐ、によって生起された弾
性表面波Ｓ １ ｆＳ２については減衰が小さいが、ゲ
ート電極１３を通過したあとの進行波５ＬＺ５２′や、
１．Ｄ、Ｔ１２で反射された弾性表面波Ｓ ｔｒｙ Ｓ
、ｒについては、減衰が大きくなるような状態となるこ
とがわかった。このような状態になれば、反射波Ｓｌｒ
。
Ｓ２ｒは、進行波Ｓ１．Ｓ、に比べて充分に小さくなり
、セルフコンポリューシュン信号のレベルが減少するこ
とは明らかである。
、セルフコンポリューシュン信号のレベルが減少するこ
とは明らかである。
次に第２図のような状態が実現する理由を述べる。その
理由は、金属層／圧電体層／半導体層の積層構造体では
、その構造体を伝播する表面波の伝播損失が、表面波の
パワーに依存するためである。第３図に、第５図の構造
のＳＡＷコンボルバを用い、２つのくし形電極（１，Ｄ
、Ｔ）の間の挿入損失を、ゲート電極の電圧に対して測
定した結果を示す、第３図では、比較のためにゲート電
極と裏面電極の間の電圧−容量特性も示した。第３図は
、ＡＱ／ＺｎＯ／５ｉＯｚ／ｎ−８ｉ／’ｎ÷−５ｉの
積層構造体で、ゲート長２０ｍのコンボルバを用いた場
合の例である（入力信号の周波数２１５ＭＨｚ）、第３
図を見ると、挿入損失は、入力電力に依存することがわ
かる。特に、ゲート電圧を。
理由は、金属層／圧電体層／半導体層の積層構造体では
、その構造体を伝播する表面波の伝播損失が、表面波の
パワーに依存するためである。第３図に、第５図の構造
のＳＡＷコンボルバを用い、２つのくし形電極（１，Ｄ
、Ｔ）の間の挿入損失を、ゲート電極の電圧に対して測
定した結果を示す、第３図では、比較のためにゲート電
極と裏面電極の間の電圧−容量特性も示した。第３図は
、ＡＱ／ＺｎＯ／５ｉＯｚ／ｎ−８ｉ／’ｎ÷−５ｉの
積層構造体で、ゲート長２０ｍのコンボルバを用いた場
合の例である（入力信号の周波数２１５ＭＨｚ）、第３
図を見ると、挿入損失は、入力電力に依存することがわ
かる。特に、ゲート電圧を。
半導体層が反転状態になるような電圧にすると、入力電
力による挿入損失の差は非常に大きくなることがわかる
。これは、そのような状態では、表面波の伝播損失が、
そのパワーが大きく依存していることを示す。第３図か
ら、表面波のパワーが大きい時は、伝播損失が小さく、
パワーが小さい時は、伝播損失が大きくなることがわか
る。第１図の副電極の部分も第５図と同様に金属層／圧
電体層／半導体層の構造体であるから、副電極にバイア
ス電圧を印加すれば、上述したことと、まったく同じ現
象が生じる。すなわち、副電極部を通過する弾性表面波
は、そのパワーが大きい場合は伝播損失が小さく、逆に
パワーが小さい場合は伝播損失が大きい、その際、副電
極下の半導体層が反転状態になるようなバイアス電圧を
印加すれば、パワーによる伝播損失の差を大きくするこ
とができるのは、第３図の場合と同様である。副電極の
長さとしては、できるだけ短い方が素子寸法を小さくで
きるので、副電極には、半導体層が反転状態となるよう
なバイアス電圧を印加することが望ましい、その状態で
はパワーによる伝播損失の差が大きいので、短い長さで
も、副電極を通過する表面波の減衰量のパワー依存性を
大きくすることができるからである。副電極部の表面波
の減衰量は前述した理由によって、表面波のパワーが大
きい場合は小さく、パワーが小さい場合は大きくなる。
力による挿入損失の差は非常に大きくなることがわかる
。これは、そのような状態では、表面波の伝播損失が、
そのパワーが大きく依存していることを示す。第３図か
ら、表面波のパワーが大きい時は、伝播損失が小さく、
パワーが小さい時は、伝播損失が大きくなることがわか
る。第１図の副電極の部分も第５図と同様に金属層／圧
電体層／半導体層の構造体であるから、副電極にバイア
ス電圧を印加すれば、上述したことと、まったく同じ現
象が生じる。すなわち、副電極部を通過する弾性表面波
は、そのパワーが大きい場合は伝播損失が小さく、逆に
パワーが小さい場合は伝播損失が大きい、その際、副電
極下の半導体層が反転状態になるようなバイアス電圧を
印加すれば、パワーによる伝播損失の差を大きくするこ
とができるのは、第３図の場合と同様である。副電極の
長さとしては、できるだけ短い方が素子寸法を小さくで
きるので、副電極には、半導体層が反転状態となるよう
なバイアス電圧を印加することが望ましい、その状態で
はパワーによる伝播損失の差が大きいので、短い長さで
も、副電極を通過する表面波の減衰量のパワー依存性を
大きくすることができるからである。副電極部の表面波
の減衰量は前述した理由によって、表面波のパワーが大
きい場合は小さく、パワーが小さい場合は大きくなる。
一方、第２図において１弾性表面波Ｓ１． Ｓ２は、１
．Ｄ、Ｔから生起されたばかりであるのでパワーが大き
いが、弾性表面波Ｓ、’、ｓ、″ｔｓｘｒｔＳ２ｒは長
い距離を進行したあとの波であるのでパワーは小さい。
．Ｄ、Ｔから生起されたばかりであるのでパワーが大き
いが、弾性表面波Ｓ、’、ｓ、″ｔｓｘｒｔＳ２ｒは長
い距離を進行したあとの波であるのでパワーは小さい。
従って第２図においてＳｌ、Ｓ、に対する減衰量は小さ
く、Ｓ ｉ′＋ Ｓｔ’ｔＳｔｒｔ Ｓ、ｒに対する減
衰量は大きくなる９以上が本発明の動作の基本原理であ
る。
く、Ｓ ｉ′＋ Ｓｔ’ｔＳｔｒｔ Ｓ、ｒに対する減
衰量は大きくなる９以上が本発明の動作の基本原理であ
る。
次に、本発明を実施した場合の実験結果の一例を第４図
に示す、第４図は、副電極が存在する点を除けば、第３
図の実験で用いた素子と同じ構造のものである。ただし
、ゲート長は１５瞳、各副電極の長さは２．３ｍｍであ
る。第４図は、２つの１、Ｄ、Ｔに同じパワーの入力信
号を加えた場合、ゲート電極から出力するセルフコンボ
リューション出力Ｐｓと、コンボリューション出力Ｐｃ
ｔ＆測定し、その比をとったものである。第４図の横軸
は、一つの１．Ｄ、Ｔに入力する入力電力の大きさであ
る。入力信号は２１５ＭＨｚのセザワ波である。
に示す、第４図は、副電極が存在する点を除けば、第３
図の実験で用いた素子と同じ構造のものである。ただし
、ゲート長は１５瞳、各副電極の長さは２．３ｍｍであ
る。第４図は、２つの１、Ｄ、Ｔに同じパワーの入力信
号を加えた場合、ゲート電極から出力するセルフコンボ
リューション出力Ｐｓと、コンボリューション出力Ｐｃ
ｔ＆測定し、その比をとったものである。第４図の横軸
は、一つの１．Ｄ、Ｔに入力する入力電力の大きさであ
る。入力信号は２１５ＭＨｚのセザワ波である。
第４図では、ゲート電極Ｖｇと、副電極のバイアス電圧
Ｖｃの値を変えた時の結果を比較している。
Ｖｃの値を変えた時の結果を比較している。
第３図を見てわかるように電圧−１ｖは、半導体が空乏
〜弱反転の状態に対応し、電圧−５ｖは、半導体が反転
状態になるような電圧である。第４図を見ると、副電極
に、半導体層が反転状態になるような電圧を印加すると
、セルフコンボリューションレベルが低下し、コンボリ
ューション信号に対するセルフコンボリューション信号
の抑圧度を、従来より、数ｄＢ〜１０ｄＢ以上改善でき
ることがわかる。
〜弱反転の状態に対応し、電圧−５ｖは、半導体が反転
状態になるような電圧である。第４図を見ると、副電極
に、半導体層が反転状態になるような電圧を印加すると
、セルフコンボリューションレベルが低下し、コンボリ
ューション信号に対するセルフコンボリューション信号
の抑圧度を、従来より、数ｄＢ〜１０ｄＢ以上改善でき
ることがわかる。
以上のように、本発明によれば、従来構造を大きく変え
ることなく、シかも簡単な外部回路によってセルフコン
ボリューション信号を抑圧することができる。
ることなく、シかも簡単な外部回路によってセルフコン
ボリューション信号を抑圧することができる。
なお、本発明で用いる圧電体層／絶縁体層／半導体層の
積層構造体の各層の具体的な材質としては、特に限定は
しないが、半導体層としては、例えばＳｉやＧａＡｓを
用いることができ、絶縁体層としては、Ｓｉｏ、やＳｉ
、Ｎ４ を用いることができる。また、圧電体層として
は、ＺｎＯや、ＡｆｌＮなどを用いることができる。特
に、コンボリューション効率を高くできるものとして、
ＺｎＯ／５ｉｎ２／Ｓｉの構造体で、しかも弾性表面波
の伝播モードがセザワ波であるようにするのが有利であ
る。その場合、Ｓｉの面方位を（１１０）とし、弾性表
面波の伝播方向を［１００１とすると、弾性表面波の電
機機械結合定数を大きくすることができるため特に有利
である。また、Ｓｉの面方位を（１００）とし、弾性表
面波の伝播方向を［１１０１としても、電機機械結合定
数がかなり大きいので、上記の条件の次に有利と言える
６また。前述したように、全体の構造で、絶縁体が無い
構造としても、基本的な動作は可能である。
積層構造体の各層の具体的な材質としては、特に限定は
しないが、半導体層としては、例えばＳｉやＧａＡｓを
用いることができ、絶縁体層としては、Ｓｉｏ、やＳｉ
、Ｎ４ を用いることができる。また、圧電体層として
は、ＺｎＯや、ＡｆｌＮなどを用いることができる。特
に、コンボリューション効率を高くできるものとして、
ＺｎＯ／５ｉｎ２／Ｓｉの構造体で、しかも弾性表面波
の伝播モードがセザワ波であるようにするのが有利であ
る。その場合、Ｓｉの面方位を（１１０）とし、弾性表
面波の伝播方向を［１００１とすると、弾性表面波の電
機機械結合定数を大きくすることができるため特に有利
である。また、Ｓｉの面方位を（１００）とし、弾性表
面波の伝播方向を［１１０１としても、電機機械結合定
数がかなり大きいので、上記の条件の次に有利と言える
６また。前述したように、全体の構造で、絶縁体が無い
構造としても、基本的な動作は可能である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、従来のＳＡＷコン
ボルバ構造を大幅に変更することなくセルフコンボリュ
ーション信号を抑圧することができる。
ボルバ構造を大幅に変更することなくセルフコンボリュ
ーション信号を抑圧することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図はその
動作説明図、第３図は従来のＳＡＷコンボルバの実測特
性図、第４図は本発明のＳＡＷコ９・・・圧電体層、 １０・・・絶縁体層、 １１・・・半導体層、 １２・・・くし形電極、 １３・・・ゲート電極、 １４・・・副電極、 １５・・・バイアス電源。 第１図 ９；圧嗜俸１ １６ ｉ １ｍ電極１３；ゲー
ト１１１極 １４１副９ｍ １５ｉ＆１１役Ｊｕｌ曳＋ＣイＴス 第２図 ５１′、 Ｓｚ′、Ｓ＋ｒ、Ｓ２ｒ ；ＡＨ＜第３図 キャλ謹欠（ｄＢ）＄量（ＰＦ） ゲート電斥 （Ｖ） 第４図 ｓ −ｔｄｓ） 印ルフコンどリュージョン出力乙コンメリ
エーシーン比力のル〕Ｃ λカミ力（ｄＢｍ）
動作説明図、第３図は従来のＳＡＷコンボルバの実測特
性図、第４図は本発明のＳＡＷコ９・・・圧電体層、 １０・・・絶縁体層、 １１・・・半導体層、 １２・・・くし形電極、 １３・・・ゲート電極、 １４・・・副電極、 １５・・・バイアス電源。 第１図 ９；圧嗜俸１ １６ ｉ １ｍ電極１３；ゲー
ト１１１極 １４１副９ｍ １５ｉ＆１１役Ｊｕｌ曳＋ＣイＴス 第２図 ５１′、 Ｓｚ′、Ｓ＋ｒ、Ｓ２ｒ ；ＡＨ＜第３図 キャλ謹欠（ｄＢ）＄量（ＰＦ） ゲート電斥 （Ｖ） 第４図 ｓ −ｔｄｓ） 印ルフコンどリュージョン出力乙コンメリ
エーシーン比力のル〕Ｃ λカミ力（ｄＢｍ）
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094490A JPS63260313A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 弾性表面波コンボルバ |
| US07/179,403 US4900969A (en) | 1987-04-17 | 1988-04-08 | Surface acoustic wave convolver |
| DE3812598A DE3812598A1 (de) | 1987-04-17 | 1988-04-15 | Oberflaechenwellenconvolver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62094490A JPS63260313A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 弾性表面波コンボルバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260313A true JPS63260313A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14111738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62094490A Pending JPS63260313A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 弾性表面波コンボルバ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4900969A (ja) |
| JP (1) | JPS63260313A (ja) |
| DE (1) | DE3812598A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036915A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ及び弾性表面波コンボルバによるたたみ込み積分器 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091669A (en) * | 1990-05-31 | 1992-02-25 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave convolver |
| US5153476A (en) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Acoustic vibrator with variable sensitivity to external acceleration |
| US5440189A (en) * | 1991-09-30 | 1995-08-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JPH06260881A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-09-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
| JPH06188675A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Canon Inc | 弾性表面波コンボルバ |
| WO2002007309A2 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-24 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Integrated tunable surface acoustic wave technology and sensors provided thereby |
| US10305443B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-05-28 | Qorvo Us, Inc. | Mixed domain guided wave devices utilizing embedded electrodes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621309A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55158720A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-10 | Clarion Co Ltd | Surface elastic wave device |
| GB2166616B (en) * | 1984-09-21 | 1989-07-19 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPS6194411A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Clarion Co Ltd | 帯域可変弾性表面波フイルタ |
| US4748364A (en) * | 1984-10-15 | 1988-05-31 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| JPS6264113A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-23 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS6362281A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP62094490A patent/JPS63260313A/ja active Pending
-
1988
- 1988-04-08 US US07/179,403 patent/US4900969A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-04-15 DE DE3812598A patent/DE3812598A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621309A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH036915A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-14 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ及び弾性表面波コンボルバによるたたみ込み積分器 |
| GB2234407A (en) * | 1989-06-02 | 1991-01-30 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave convolver and convolution integrator. |
| GB2234407B (en) * | 1989-06-02 | 1993-10-27 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave convolver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4900969A (en) | 1990-02-13 |
| DE3812598A1 (de) | 1988-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0633659A1 (en) | Surface acoustic wave filter | |
| US3980904A (en) | Elastic surface wave device | |
| US4931755A (en) | Surface-acoustic-wave device with a capacitance coupled between input and output | |
| JPS63260313A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| Hikita et al. | Miniature SAW antenna duplexer for 800-MHz portable telephone used in cellular radio systems | |
| KR100588450B1 (ko) | 탄성표면파소자및이를이용한휴대전화기 | |
| US4544857A (en) | High electromechanical-coupling coefficient surface acoustic wave device | |
| US4047130A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| US5708403A (en) | Saw resonator having transverse mode ripple at antiresonance point | |
| KR100491018B1 (ko) | 탄성표면파 필터장치 | |
| RU201785U1 (ru) | Веерный фильтр на поверхностных акустических волнах | |
| JP2628985B2 (ja) | 改良された表面音波フィルタ | |
| JPS5883420A (ja) | 弾性境界波装置 | |
| US20030160545A1 (en) | Piezoelectric vibrator and filter using the same | |
| US4450420A (en) | Surface acoustic wave filter | |
| JPS5885611A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP3146695B2 (ja) | 厚み滑り振動モードを利用したセラミックフィルタ | |
| JPS60140918A (ja) | 弾性表面波共振子 | |
| JPH02199910A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3198563B2 (ja) | 表面波装置 | |
| KR100611297B1 (ko) | 탄성표면파소자 | |
| WO1997047085A1 (fr) | Element a onde acoustique de surface | |
| JPH08321740A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP3338650B2 (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| Chamorro | Low loss SAW filter design using reflector multistrip coupler |