JP3137513B2 - 半導体リード成形装置の制御方法および制御装置 - Google Patents

半導体リード成形装置の制御方法および制御装置

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JP3137513B2 JP05251501A JP25150193A JP3137513B2 JP 3137513 B2 JP3137513 B2 JP 3137513B2 JP 05251501 A JP05251501 A JP 05251501A JP 25150193 A JP25150193 A JP 25150193A JP 3137513 B2 JP3137513 B2 JP 3137513B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体リード成形装置
の制御方法および制御装置に係り、特に金型を下降駆動
するプレス機構の制御方法および制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば樹脂封止型の半導体装置の製造に
際して、多連リードフレームに形成された半導体装置の
外部リードをプレス機構の金型により打ち抜いて成形す
るための半導体リード成形装置を用いている。この半導
体リード成形装置の金型を上下駆動するプレス機構は、
油圧シリンダーなどを用いた圧力制御方式あるいはサー
ボモータなどを用いた位置制御方式が採用されている。
【0003】図5は、従来の圧力制御方式を用いた半導
体リード成形装置によって、外部リードを例えばガル・
ウィング状(L字状)に成形する加工状態における加工
速度の変化の一例を示している。
【0004】しかし、この従来の圧力制御方式は、図5
中に示す曲線部Aに示すように、外部リードの本数や前
工程までの応力履歴による加工応力の差により加工速度
が不安定になり、加工条件が不均一になる。
【0005】図6は、従来の位置制御方式を用いた半導
体リード成形装置によって、外部リードを例えばガル・
ウィング状に成形する加工状態における圧力の変化の一
例を示している。
【0006】しかし、この従来の位置制御方式は、図6
中に示す領域Bのように、最終加圧部が外部リードの厚
さや金型の高さに依存してばらつき、加工条件が不均一
になる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
半導体リード成形装置の制御方法は、外部リードの本数
や前工程までの応力履歴による加工応力の差により加工
速度が不安定になり、あるいは、最終加圧部が外部リー
ドの厚さや金型全体の高さのばらつきに依存してばらつ
き、加工条件が不均一になるという問題があった。
【0008】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、外部リードの状態や金型全体の高さのばらつ
きに影響されずに加工条件を均一化し得る半導体リード
成形装置の制御方法および制御装置を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体リード成
形装置の制御方法は、半導体装置の外部リードを成形す
るための金型をプレス機構により下降させるように制御
する際、速度制御方式により前記金型を予め設定された
速度で下降させる第1のステップと、この速度制御によ
り前記金型が前記外部リードに対して予め設定された圧
力を加える状態になった時点で前記速度制御方式に代え
て圧力制御方式に切換え、前記金型に前記設定された圧
力を所定時間加え続ける第2のステップとを具備するこ
とを特徴とする。
【0010】また、本発明の半導体リード成形装置の制
御装置は、半導体装置の外部リードを成形するための金
型と、この金型を上下駆動するプレス機構と、上記金型
の上下方向の位置を検出する変位検出器と、上記金型に
かかる圧力を検出する金型圧力検出器と、上記プレス機
構を速度制御方式あるいは圧力制御方式で制御すると共
に上記変位検出器および圧力検出器の検出出力に応じて
上記プレス機構を制御するプレス機構制御部とを有し、
上記プレス機構制御部は、前記金型を下降させるように
前記プレス機構を制御する際、予め設定されたサーチ位
置に前記金型が達したことを前記変位検出器が検出する
までは前記金型を予め設定された第1の速度で下降さ
せ、上記サーチ位置に達したことを前記変位検出器が検
出した時点で上記金型を予め設定された第2の速度に切
り換えて下降させるように制御する速度制御手段と、こ
の速度制御手段により前記金型の圧力が予め設定された
値に達したことを前記金型圧力検出器が検出した時点で
速度制御方式に代えて圧力制御方式に切換え、前記金型
に前記設定された圧力を所定時間加え続ける圧力制御手
段とを具備することを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明方法は、半導体装置の外部リードを成形
するための金型をプレス機構により下降させるように制
御する際、速度制御方式により金型を予め設定された速
度で下降させ、この速度制御により金型が外部リードに
対して予め設定された圧力を加える状態になった時点で
速度制御方式に代えて圧力制御方式に切換え、金型に設
定された圧力を所定時間加え続ける。
【0012】これにより、外部リードの本数や前工程ま
での応力履歴による加工応力の差による加工速度の変化
が最小にし、加工条件を均一化することが可能になる。
また、外部リードの厚さや金型全体の高さのばらつきに
よる最終加圧力の変化が最小にし、加工条件を均一化す
ることが可能になる。
【0013】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明の半導体リード成形装置の
制御方法の第1実施例における制御手順の一例(制御手
段のアルゴリズム)を示すフローチャートである。
【0014】この実施例の制御方法は、半導体装置の外
部リードを成形するための金型をプレス機構により下降
させるように制御する際、速度制御方式により前記金型
を予め設定された速度で下降させる第1のステップと、
この速度制御により前記金型が前記外部リードに対して
予め設定された圧力を加える状態になった時点で前記速
度制御方式に代えて圧力制御方式に切換え、前記金型に
前記設定された圧力を所定時間加え続ける第2のステッ
プと、上記所定の加圧時間が経過した後に金型を上昇さ
せる第3のステップとを具備することを特徴とする。
【0015】上記速度制御方式の具体例としては、ま
ず、前記金型を予め設定されたサーチ位置に達するまで
予め設定された速度で下降させ、このサーチ位置に達し
た後は、ワーク(外部リード)位置に達するまで予め設
定されたサーチ速度で金型を下降させ、金型がワーク
(外部リード)位置に達した後は、前記金型がワーク加
工終了位置に達する(金型の圧力が予め設定された最終
加圧力に達する)までワーク(外部リード)の加工速度
を制御する。
【0016】また、前記圧力制御方式の具体例として
は、金型の下降により金型の圧力が予め設定された最終
加圧力に達した時点を検出すると、所定時間にわたって
金型に前記設定された圧力を加える(前記最終加圧力を
保持する)。
【0017】図2は、図1の制御方法で使用される半導
体リード成形装置の構成の一例を概略的に示す側面図で
ある。この半導体リード成形装置は、半導体装置の外部
リードを成形するための金型21と、この金型を上下駆
動するプレス機構22と、上記金型の上下方向の位置
(ストローク)を検出する変位検出器23と、上記金型
にかかる圧力を検出する金型圧力検出器24と、上記プ
レス機構を速度制御方式あるいは圧力制御方式で制御す
ると共に上記変位検出器および金型圧力検出器の検出出
力に応じて上記プレス機構を制御するプレス機構制御部
25とを有する。
【0018】そして、上記プレス機構制御部25は、前
記金型21を下降させるように前記プレス機構22を制
御する際、予め設定されたサーチ位置に前記金型が達し
たことを前記変位検出器23が検出するまでは前記金型
21を予め設定された第1の速度で下降させ、上記サー
チ位置に達したことを前記変位検出器23が検出した時
点で上記金型21を予め設定された第2の速度に切り換
えて下降させるように制御する速度制御手段と、この速
度制御手段により前記金型の圧力が予め設定された値に
達したことを前記金型圧力検出器24が検出した時点で
速度制御方式に代えて圧力制御方式に切換え、前記金型
21に予め設定された圧力を加える圧力制御手段とを具
備することを特徴とする。
【0019】なお、前記金型にかかる圧力を検出する金
型圧力検出器の具体例としては、例えば加工時に発生す
る金型からの反力に基づいて検出する構成とか、金型と
ワーク(外部リード)との相対位置関係を電気的あるい
は光学的に検出する構成などが挙げられる。
【0020】図3(a)乃至(c)は、図1の制御方法
および図2の成形装置により半導体装置30の外部リー
ド31をガル・ウィング状に成形する様子を示す断面図
である。
【0021】図4(a)、(b)は、図3に示す半導体
装置の外部リードを成形する時の加工速度および加工圧
力の変化の一例を示すグラフである。次に、図1乃至図
4を参照しながら、多連リードフレームに形成された樹
脂封止型の半導体装置の外部リードをプレス機構の金型
により打ち抜いて例えばガル・ウィング状(表面実装パ
ッケージで多用される)に成形する際の制御方法の一例
について説明する。
【0022】プレス機構の制御パラメータを設定した
後、まず、速度制御方式により金型21を予め設定され
たサーチ位置に達するまで予め設定された第1の速度で
下降させる。この場合、このサーチ位置は、図3(a)
に示すように、金型が外部リード31に最初に接触する
位置の例えば0.1mm前とする。
【0023】上記サーチ位置に達した時点を検出した後
は、上記金型21を予め設定された第2の速度に切り換
えて下降させる。この時、図3(b)に示すように、外
部リード31の加工が開始し、図4(a)に示すよう
に、一定の加工速度で外部リード31が曲げられる。
【0024】この速度制御方式による金型21の下降に
より金型の圧力が予め設定された値(最終加圧力)に達
した時点、つまり、図3(c)に示すように外部リード
31が曲げ終えられた時点を検出すると、速度制御方式
に代えて圧力制御方式に切換え、図4(b)に示すよう
に、金型に予め設定された一定の圧力を加える(最終加
圧力を保持する)。
【0025】そして、金型が前記最終加圧力に達した
後、予め設定された加圧時間が経過した後に金型21を
上昇させ、加工を終了する。即ち、上記実施例の半導体
リード成形装置の制御方法によれば、半導体装置の外部
リードを成形するための金型をプレス機構により下降さ
せるように制御する際、速度制御方式により金型を予め
設定された速度で下降させ、この速度制御により金型が
外部リードに対して予め設定された圧力を加える状態に
なった時点で速度制御方式に代えて圧力制御方式に切換
え、金型に設定された圧力を所定時間加え続ける。
【0026】これにより、外部リードの本数や前工程ま
での応力履歴による加工応力の差による加工速度の変化
を最小にし、加工条件を均一化することが可能になる。
また、外部リードの厚さや金型全体の高さのばらつきに
よる最終加圧力の変化を最小にし、加工条件を均一化す
ることが可能になる。
【0027】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、外部リ
ードの状態や金型全体の高さのばらつきに影響されずに
加工条件を均一化し得る半導体リード成形装置の制御方
法および制御装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体リードの制御方法の第1実施例
における制御手順を示すフローチャート。
【図2】図1の制御方法で使用される半導体リード成形
装置の構成の一例を概略的に示す側面図。
【図3】図1の制御方法および図2の成形装置により半
導体装置の外部リードを成形する様子を示す断面図。
【図4】図3に示す半導体装置の外部リードを成形する
時の加工速度および加工圧力の変化の一例を示すグラ
フ。
【図5】従来の圧力制御方式を用いた半導体リード成形
装置によって外部リードをガル・ウィング状に成形する
加工状態における加工速度の変化の一例を示すグラフ。
【図6】従来の位置制御方式を用いた半導体リード成形
装置によって外部リードをガル・ウィング状に成形する
加工状態における圧力の変化の一例を示すグラフ。
【符号の説明】
21…金型、22…プレス機構、23…変位検出器、2
4…金型圧力検出器、25…プレス機構制御部、30…
半導体装置、31…外部リード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−192500(JP,A) 実開 昭63−15038(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の外部リードを成形するため
    の金型をプレス機構により下降させるように制御する
    際、 速度制御方式により前記金型を予め設定された速度で下
    降させる第1のステップと、 この速度制御により前記金型が前記外部リードに対して
    予め設定された圧力を加える状態になった時点で前記速
    度制御方式に代えて圧力制御方式に切換え、前記金型に
    前記設定された圧力を所定時間加え続ける第2のステッ
    プとを具備することを特徴とする半導体リード成形装置
    の制御方法。
  2. 【請求項2】 半導体装置の外部リードを成形するため
    の金型と、 この金型を上下駆動するプレス機構と、 上記金型の上下方向の位置を検出する変位検出器と、 上記金型にかかる圧力を検出する金型圧力検出器と、 上記プレス機構を速度制御方式あるいは圧力制御方式で
    制御すると共に上記変位検出器および圧力検出器の検出
    出力に応じて上記プレス機構を制御するプレス機構制御
    部とを有し、 上記プレス機構制御部は、 前記金型を下降させるように前記プレス機構を制御する
    際、予め設定されたサーチ位置に前記金型が達したこと
    を前記変位検出器が検出するまでは前記金型を予め設定
    された第1の速度で下降させ、上記サーチ位置に達した
    時点を前記変位検出器が検出した後は上記金型を予め設
    定された第2の速度で下降させるように制御する速度制
    御手段と、 この速度制御手段により前記金型の圧力が予め設定され
    た値に達したことを前記金型圧力検出器が検出した時点
    で速度制御方式に代えて圧力制御方式に切換え、前記金
    型に前記設定された圧力を所定時間加え続ける圧力制御
    手段とを具備することを特徴とする半導体リード成形装
    置の制御装置。
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