JP3135332B2 - 近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体及びその成形体 - Google Patents
近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体及びその成形体Info
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- JP3135332B2 JP3135332B2 JP04000328A JP32892A JP3135332B2 JP 3135332 B2 JP3135332 B2 JP 3135332B2 JP 04000328 A JP04000328 A JP 04000328A JP 32892 A JP32892 A JP 32892A JP 3135332 B2 JP3135332 B2 JP 3135332B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅化合物とチオ尿素系
誘導体又はチオアミド系誘導体とから成る、可視光線を
比較的良く透過し、近赤外線吸収能に優れた新規なポリ
カーボネート系樹脂積層体、及び波板状に成形されて成
る近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂成形体に関する
ものである。近赤外線吸収材料は、最近特に研究開発が
盛んに行われている機能材料であり、近赤外領域の波長
を有する半導体レーザー光等を光源とする感光材料、光
ディスク用記録材料等の情報記録材料、赤外線カットフ
ィルターやフィルム等の光学材料、熱線吸収性グレージ
ング材料として利用することができる。
誘導体又はチオアミド系誘導体とから成る、可視光線を
比較的良く透過し、近赤外線吸収能に優れた新規なポリ
カーボネート系樹脂積層体、及び波板状に成形されて成
る近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂成形体に関する
ものである。近赤外線吸収材料は、最近特に研究開発が
盛んに行われている機能材料であり、近赤外領域の波長
を有する半導体レーザー光等を光源とする感光材料、光
ディスク用記録材料等の情報記録材料、赤外線カットフ
ィルターやフィルム等の光学材料、熱線吸収性グレージ
ング材料として利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】従来、近赤外線吸収性の光透過性材料と
しては、米国特許第 3692688号に示されるように六塩化
タングステン (WCl6) と塩化スズ(SnCl2・2H2O) をメタ
クリル酸メチルシラップ（モノマー）に溶解し、重合し
て得られる実質的にヘイズのない近赤外線吸収能に優れ
た材料が知られている。更に、この他これまでに開発さ
れた近赤外線吸収材料としては、特公昭60−42269 号公
報にはクロム、コバルト錯塩、特公昭60−21294 号公報
にはチオールニッケル錯体、特開昭61−115958号公報に
はアントラキノン誘導体、及び特開昭61−218551号公報
には 700〜800nm の領域に極大吸収波長のある新規スク
アリリウム化合物が開示されている。
しては、米国特許第 3692688号に示されるように六塩化
タングステン (WCl6) と塩化スズ(SnCl2・2H2O) をメタ
クリル酸メチルシラップ（モノマー）に溶解し、重合し
て得られる実質的にヘイズのない近赤外線吸収能に優れ
た材料が知られている。更に、この他これまでに開発さ
れた近赤外線吸収材料としては、特公昭60−42269 号公
報にはクロム、コバルト錯塩、特公昭60−21294 号公報
にはチオールニッケル錯体、特開昭61−115958号公報に
はアントラキノン誘導体、及び特開昭61−218551号公報
には 700〜800nm の領域に極大吸収波長のある新規スク
アリリウム化合物が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の近赤外線吸収材
料は、有機系のものは耐久性が悪く環境条件の変化や時
間の経過に伴って初期の能力が劣化してくるという問題
点があり、一方錯体系のものは耐久性があるが、近赤外
部のみならず可視部にも吸収があり、化合物そのものが
強く着色しているものが多く用途が制限されてしまうと
いった問題があった。更にどちらの系のものも特定の波
長において吸収ピークがみられ、そのピークからはずれ
た波長では殆ど吸収能はないものであった。これらの素
材を利用して、例えば近赤外部の波長を有するレーザー
光を光源とする記録体を考えると、レーザー線の波長と
材料の吸収ピークでの波長を合わせる必要がある。しか
し、レーザー線の波長も近赤外線吸収材料の吸収波長も
限られたものしか得られないから、レーザー線の波長と
近赤外線吸収材料の吸収ピークでの波長が合致する組み
合わせは極く限られたものにならざるを得なかった。
料は、有機系のものは耐久性が悪く環境条件の変化や時
間の経過に伴って初期の能力が劣化してくるという問題
点があり、一方錯体系のものは耐久性があるが、近赤外
部のみならず可視部にも吸収があり、化合物そのものが
強く着色しているものが多く用途が制限されてしまうと
いった問題があった。更にどちらの系のものも特定の波
長において吸収ピークがみられ、そのピークからはずれ
た波長では殆ど吸収能はないものであった。これらの素
材を利用して、例えば近赤外部の波長を有するレーザー
光を光源とする記録体を考えると、レーザー線の波長と
材料の吸収ピークでの波長を合わせる必要がある。しか
し、レーザー線の波長も近赤外線吸収材料の吸収波長も
限られたものしか得られないから、レーザー線の波長と
近赤外線吸収材料の吸収ピークでの波長が合致する組み
合わせは極く限られたものにならざるを得なかった。
【０００４】また、上記従来技術のWCl6と SnCl2・2H2O
をメタクリル酸メチルシラップに溶解した組成物は濃青
色に発色し、近赤外線を良く吸収する性質を持っている
が、暗所で長期間放置の間に褪色するという問題点を有
してた。このように緩やかに進行するフォトクロミズム
などは一定の品質を備えた光学フィルターや熱線吸収性
グレージングなどの工業製品を提供する上で好ましくな
い問題点であった。
をメタクリル酸メチルシラップに溶解した組成物は濃青
色に発色し、近赤外線を良く吸収する性質を持っている
が、暗所で長期間放置の間に褪色するという問題点を有
してた。このように緩やかに進行するフォトクロミズム
などは一定の品質を備えた光学フィルターや熱線吸収性
グレージングなどの工業製品を提供する上で好ましくな
い問題点であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、 800〜2000nm
の近赤外領域全体に一様に吸収がみられ、着色が少なく
且つ耐久性が優れた近赤外線吸収材料について鋭意検討
を重ねた結果、銅化合物とチオ尿素系誘導体及び（又
は）チオアミド系誘導体とをポリカーボネート系樹脂或
はメタクリル系樹脂中に含有せしめ、これらを積層する
ことによって、目的とする優れた近赤外線吸収材料が得
られることを見出し、本発明を完成するに至ったもので
ある。
の近赤外領域全体に一様に吸収がみられ、着色が少なく
且つ耐久性が優れた近赤外線吸収材料について鋭意検討
を重ねた結果、銅化合物とチオ尿素系誘導体及び（又
は）チオアミド系誘導体とをポリカーボネート系樹脂或
はメタクリル系樹脂中に含有せしめ、これらを積層する
ことによって、目的とする優れた近赤外線吸収材料が得
られることを見出し、本発明を完成するに至ったもので
ある。
【０００６】即ち本発明は、ポリカーボネート系樹脂 1
00重量部に対し、下記一般式（Ｉ） (R−X)nCu （Ｉ） 〔式中、R は水素、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アラルキル基及び複素環残基（各基は１個以
上の置換基を有していても良い）から成る群から選ばれ
る一価基，X は−COO,−SO4,−SO3,−PO4,−O 、n は１
〜４の整数〕で表わされる銅化合物、クロロフィル銅、
銅クロロフィリンナトリウム及びビスアセチルアセトナ
ート銅より成る群から選ばれる少なくとも一種の銅化合
物0.05〜５重量部、(C) 下記一般式（II）
00重量部に対し、下記一般式（Ｉ） (R−X)nCu （Ｉ） 〔式中、R は水素、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アラルキル基及び複素環残基（各基は１個以
上の置換基を有していても良い）から成る群から選ばれ
る一価基，X は−COO,−SO4,−SO3,−PO4,−O 、n は１
〜４の整数〕で表わされる銅化合物、クロロフィル銅、
銅クロロフィリンナトリウム及びビスアセチルアセトナ
ート銅より成る群から選ばれる少なくとも一種の銅化合
物0.05〜５重量部、(C) 下記一般式（II）
【０００７】
【化３】
【０００８】（R1, R2, R3は、水素、アルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基、アラルキル基及び５員又は
６員の複素環残基から成る群から選ばれる一価基を表わ
し、各基は１個以上の置換基を有していても良く、R1と
R2又はR2とR3は連結して環を形成しても良い) で示され
るチオ尿素誘導体から成る群から選ばれる少なくとも一
種及び下記一般式(III)
ロアルキル基、アリール基、アラルキル基及び５員又は
６員の複素環残基から成る群から選ばれる一価基を表わ
し、各基は１個以上の置換基を有していても良く、R1と
R2又はR2とR3は連結して環を形成しても良い) で示され
るチオ尿素誘導体から成る群から選ばれる少なくとも一
種及び下記一般式(III)
【０００９】
【化４】
【００１０】（R4, R5は、水素、アルキル基、アルケニ
ル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基及
び５員又は６員の複素環残基から成る群から選ばれる一
価基を表わし、R5は更にアルコキシ基をも表わし、各基
は１個以上の置換基を有していても良く、R4とR5は連結
して環を形成しても良い) で示されるチオアミド誘導体
から成る群から選ばれる少なくとも１種0.05〜50重量部
を含有して成るポリカーボネート系樹脂シートに対し
て、メタクリル系樹脂フィルムを積層一体化して成るこ
とを特徴とする近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積
層体に関する。又本発明は、前記の組成から成る近赤外
線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体が波板状に成形さ
れて成る近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂成形体に
関する。
ル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基及
び５員又は６員の複素環残基から成る群から選ばれる一
価基を表わし、R5は更にアルコキシ基をも表わし、各基
は１個以上の置換基を有していても良く、R4とR5は連結
して環を形成しても良い) で示されるチオアミド誘導体
から成る群から選ばれる少なくとも１種0.05〜50重量部
を含有して成るポリカーボネート系樹脂シートに対し
て、メタクリル系樹脂フィルムを積層一体化して成るこ
とを特徴とする近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積
層体に関する。又本発明は、前記の組成から成る近赤外
線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体が波板状に成形さ
れて成る近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂成形体に
関する。
【００１１】本発明において用いられるポリカーボネー
ト系樹脂とは、２価フェノールとカーボネート前駆体と
を溶液法又は溶融法で反応せしめて製造されるものであ
る。２価フェノールの代表的な例としては、 2,2−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノール
Ａ〕、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、 1,1−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、 2,2
−ビス（４−ヒドロキシ−3,5 −ジメチルフェニル）プ
ロパン、 2,2−ビス（４−ヒドロキシ−3,5 −メチルフ
ェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）サ
ルファイド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン
等が挙げられる。好ましい２価フェノールは、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）アルカン系、特にビスフェノー
ルＡを主原料とするものである。また、カーボネート前
駆体としてはカルボニルハライド、カルボニルエステル
又はハロホルメート等が挙げられ、具体的にはホスゲ
ン、ジフェニルカーボネート、２価フェノールのジハロ
ホルメート及びこれらの混合物である。
ト系樹脂とは、２価フェノールとカーボネート前駆体と
を溶液法又は溶融法で反応せしめて製造されるものであ
る。２価フェノールの代表的な例としては、 2,2−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノール
Ａ〕、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、 1,1−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、 2,2
−ビス（４−ヒドロキシ−3,5 −ジメチルフェニル）プ
ロパン、 2,2−ビス（４−ヒドロキシ−3,5 −メチルフ
ェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）サ
ルファイド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン
等が挙げられる。好ましい２価フェノールは、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）アルカン系、特にビスフェノー
ルＡを主原料とするものである。また、カーボネート前
駆体としてはカルボニルハライド、カルボニルエステル
又はハロホルメート等が挙げられ、具体的にはホスゲ
ン、ジフェニルカーボネート、２価フェノールのジハロ
ホルメート及びこれらの混合物である。
【００１２】ポリカーボネートを製造するに当り、前記
２価フェノールを単独で又は２種以上を使用することが
できる。また、得られたポリカーボネートを２種以上混
合して使用しても良い。ポリカーボネートの粘度平均分
子量は、一般に 10000〜100000、好ましくは 20000〜60
000 である。かかるポリカーボネートを製造するに際
し、適当な分子量調節剤、加工性改善のための分岐剤、
反応を促進するための触媒等必要に応じて使用すること
ができる。
２価フェノールを単独で又は２種以上を使用することが
できる。また、得られたポリカーボネートを２種以上混
合して使用しても良い。ポリカーボネートの粘度平均分
子量は、一般に 10000〜100000、好ましくは 20000〜60
000 である。かかるポリカーボネートを製造するに際
し、適当な分子量調節剤、加工性改善のための分岐剤、
反応を促進するための触媒等必要に応じて使用すること
ができる。
【００１３】本発明のメタクリル系樹脂材料の製造にお
いて使用される重合性原料としては、メタクリル酸メチ
ル又はメタクリル酸メチルを主成分とする重合性不飽和
単量体である。メタクリル酸メチルと共重合可能な重合
性不飽和単量体の例としては、（メタ）アクリル酸（ア
クリル酸或はメタアクリル酸の意味。以下同様）、アク
リル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）ア
クリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸−
2−エチルヘキシル、エチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、（メタ）
アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチ
ル等が具体例として挙げることができる。本発明におい
て重合原料としてメタクリル酸メチルを主成分とする重
合性不飽和単量体を使用する場合、メタクリル酸メチル
を50重量％以上、好ましくは60重量％以上含むことが望
ましい。重合原料として、メタクリル酸メチル又はメタ
クリル酸メチルを主成分とする重合性不飽和単量体中に
該単量体の重合体を含有するシラップを得る方法として
は、通常行われているように塊状予備重合により部分重
合物を得る方法、或は重合物を単量体に溶解する方法が
挙げられ、注入を考慮して35重量％以下の重合体含有率
に調整することが好ましい。また、次のような代表的な
重合方法である懸濁重合、乳化重合、溶液重合も用いる
ことができる。また、本発明のメタクリル樹脂材料を重
合によって製造する際に重合開始剤としてアゾ化合物或
は有機過酸化物のラジカル重合開始剤が用いられる。
いて使用される重合性原料としては、メタクリル酸メチ
ル又はメタクリル酸メチルを主成分とする重合性不飽和
単量体である。メタクリル酸メチルと共重合可能な重合
性不飽和単量体の例としては、（メタ）アクリル酸（ア
クリル酸或はメタアクリル酸の意味。以下同様）、アク
リル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）ア
クリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メ
タ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸−
2−エチルヘキシル、エチレングリコールジ（メタ）ア
クリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ネオ
ペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、（メタ）
アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチ
ル等が具体例として挙げることができる。本発明におい
て重合原料としてメタクリル酸メチルを主成分とする重
合性不飽和単量体を使用する場合、メタクリル酸メチル
を50重量％以上、好ましくは60重量％以上含むことが望
ましい。重合原料として、メタクリル酸メチル又はメタ
クリル酸メチルを主成分とする重合性不飽和単量体中に
該単量体の重合体を含有するシラップを得る方法として
は、通常行われているように塊状予備重合により部分重
合物を得る方法、或は重合物を単量体に溶解する方法が
挙げられ、注入を考慮して35重量％以下の重合体含有率
に調整することが好ましい。また、次のような代表的な
重合方法である懸濁重合、乳化重合、溶液重合も用いる
ことができる。また、本発明のメタクリル樹脂材料を重
合によって製造する際に重合開始剤としてアゾ化合物或
は有機過酸化物のラジカル重合開始剤が用いられる。
【００１４】また、本発明で使用する上記一般式（Ｉ）
で示される銅化合物として、下記のものを例示できる
が、これらに限定されるものではない。ステアリン酸
銅、パナミチン酸銅、オレイン酸銅、ベヘン酸銅、ラウ
リル酸銅、カプリン酸銅、カプロン酸銅、吉草酸銅、イ
ソ酪酸銅、酪酸銅、プロピオン酸銅、酢酸銅、ギ酸銅、
水酸化銅、安息香酸銅、オルトトルイル酸銅、メタトル
イル酸銅、パラトルイル酸銅、パラターシャリブチル安
息香酸銅、オルトクロル安息香酸銅、ジクロル安息香酸
銅、トリクロル安息香酸銅、ｐ−ブロム安息香酸銅、ｐ
−ヨード安息香酸銅、ｏ−ベンゾイル安息香酸銅、ｐ−
ニトロ安息香酸銅、アントラニル酸銅、ｐ−アミノ安息
香酸銅、シュウ酸銅、マロン酸銅、コハク酸銅、グルタ
ル酸銅、アジピン酸銅、ピメリン酸銅、スベリン酸銅、
アゼライン酸銅、セバシン酸銅、フタル酸銅、モノエス
テルフタル酸銅、ナフテン酸銅、ナフタリンカルボン酸
銅、酒石酸銅、ジフェニルアミン−２−カルボン酸銅、
４−シクロヘキシル酪酸銅、ジエチルジチオカルバミン
酸銅、グルコン酸銅、ジエトキシ銅、ジ−ｉ−プロポキ
シ銅、オクチル酸銅、アルキルベンゼンスルホン酸銅、
ｐ−トルエンスルホン酸銅、ナフタリンスルホン酸銅、
ナフチルアミンスルホン酸銅、ｎ−ドデシルベンゼンス
ルホン酸銅、ドデシル硫酸銅、2,5 −ジメチルベンゼン
スルホン酸銅、２−カルボメトキシ−５−メチルベンゼ
ンスルホン酸銅、α−ナフチルリン酸銅、ジ−２−エチ
ルヘキシルリン酸銅、イソデシルリン酸銅。
で示される銅化合物として、下記のものを例示できる
が、これらに限定されるものではない。ステアリン酸
銅、パナミチン酸銅、オレイン酸銅、ベヘン酸銅、ラウ
リル酸銅、カプリン酸銅、カプロン酸銅、吉草酸銅、イ
ソ酪酸銅、酪酸銅、プロピオン酸銅、酢酸銅、ギ酸銅、
水酸化銅、安息香酸銅、オルトトルイル酸銅、メタトル
イル酸銅、パラトルイル酸銅、パラターシャリブチル安
息香酸銅、オルトクロル安息香酸銅、ジクロル安息香酸
銅、トリクロル安息香酸銅、ｐ−ブロム安息香酸銅、ｐ
−ヨード安息香酸銅、ｏ−ベンゾイル安息香酸銅、ｐ−
ニトロ安息香酸銅、アントラニル酸銅、ｐ−アミノ安息
香酸銅、シュウ酸銅、マロン酸銅、コハク酸銅、グルタ
ル酸銅、アジピン酸銅、ピメリン酸銅、スベリン酸銅、
アゼライン酸銅、セバシン酸銅、フタル酸銅、モノエス
テルフタル酸銅、ナフテン酸銅、ナフタリンカルボン酸
銅、酒石酸銅、ジフェニルアミン−２−カルボン酸銅、
４−シクロヘキシル酪酸銅、ジエチルジチオカルバミン
酸銅、グルコン酸銅、ジエトキシ銅、ジ−ｉ−プロポキ
シ銅、オクチル酸銅、アルキルベンゼンスルホン酸銅、
ｐ−トルエンスルホン酸銅、ナフタリンスルホン酸銅、
ナフチルアミンスルホン酸銅、ｎ−ドデシルベンゼンス
ルホン酸銅、ドデシル硫酸銅、2,5 −ジメチルベンゼン
スルホン酸銅、２−カルボメトキシ−５−メチルベンゼ
ンスルホン酸銅、α−ナフチルリン酸銅、ジ−２−エチ
ルヘキシルリン酸銅、イソデシルリン酸銅。
【００１５】本発明で使用する一般式（II）で示される
チオ尿素誘導体として以下のものを例示できるが、これ
らに限定されるものではない。１−エチル−３−フェニ
ルチオウレア、1,3 −ジフェニルチオウレア、1,3 −ジ
エチルチオウレア、１−エチル−３− p−クロロフェニ
ルチオウレア、１−エチル−３−（２−ヒドロキシエチ
ル）チオウレア、１−（２−チアゾリル）−３−フェニ
ルチオウレア、1,3 −ジステアリルチオウレア、1,3 −
ジベヘニルチオウレア、１−エチルチオウレア、１− p
−ブロモフェニル−３−フェニルチオウレア、１−（２
−チオフェニル）−３−フェニルチオウレア、1,3 −ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）チオウレア、１−ｐ−アミ
ノフェニル−３−フェニルチオウレア、１−ｐ−ニトロ
フェニル−３−フェニルチオウレア、１−ｐ−ヒドロキ
シフェニル−３−フェニルチオウレア、1,3 −ジ− m−
クロルフェニルチオウレア、エチレンチオウレア、チオ
ウレア、１−メチル−３− p−ヒドロキシフェニルチオ
ウレア、１−フェニルチオウレア、１− m−ニトロフェ
ニルチオウレア、１− p−ニトロフェニルチオウレア、
１− p−アミノフェニルチオウレア、1,3 −ジメチルチ
オウレア、1,3 −ジシクロヘキシルチオウレア、１−フ
ェニル−３−p−クロロフェニルチオウレア、１−フェ
ニル−３− p−メトキシフェニルチオウレア、1,1 −ジ
フェニルチオウレア、1,1 −ジベンジル−３−フェネチ
ルチオウレア、１−フェニル−３−（２−ヒドロキシエ
チル）チオウレア。
チオ尿素誘導体として以下のものを例示できるが、これ
らに限定されるものではない。１−エチル−３−フェニ
ルチオウレア、1,3 −ジフェニルチオウレア、1,3 −ジ
エチルチオウレア、１−エチル−３− p−クロロフェニ
ルチオウレア、１−エチル−３−（２−ヒドロキシエチ
ル）チオウレア、１−（２−チアゾリル）−３−フェニ
ルチオウレア、1,3 −ジステアリルチオウレア、1,3 −
ジベヘニルチオウレア、１−エチルチオウレア、１− p
−ブロモフェニル−３−フェニルチオウレア、１−（２
−チオフェニル）−３−フェニルチオウレア、1,3 −ビ
ス（２−ヒドロキシエチル）チオウレア、１−ｐ−アミ
ノフェニル−３−フェニルチオウレア、１−ｐ−ニトロ
フェニル−３−フェニルチオウレア、１−ｐ−ヒドロキ
シフェニル−３−フェニルチオウレア、1,3 −ジ− m−
クロルフェニルチオウレア、エチレンチオウレア、チオ
ウレア、１−メチル−３− p−ヒドロキシフェニルチオ
ウレア、１−フェニルチオウレア、１− m−ニトロフェ
ニルチオウレア、１− p−ニトロフェニルチオウレア、
１− p−アミノフェニルチオウレア、1,3 −ジメチルチ
オウレア、1,3 −ジシクロヘキシルチオウレア、１−フ
ェニル−３−p−クロロフェニルチオウレア、１−フェ
ニル−３− p−メトキシフェニルチオウレア、1,1 −ジ
フェニルチオウレア、1,1 −ジベンジル−３−フェネチ
ルチオウレア、１−フェニル−３−（２−ヒドロキシエ
チル）チオウレア。
【００１６】本発明で使用する一般式（III)で示される
チオアミド誘導体として以下のものを例示できるが、こ
れらに限定されるものではない。N−メチルチオベンツ
アミド、 N−フェニルチオベンツアミド、 N−エチルチ
オエチルアミド、 N−エチルチオ− p−クロルベンツア
ミド、 N−プロピルチオベンツアミド、 N−エチルチオ
ステアリルアミド、 N−１−（２−チアゾリル）チオベ
ンツアミド、 N−ステアリルチオステアリルアミド、 N
−ベヘニルチオベヘニルアミド、チオアセトアミド、 N
−フェニル−チオ− p−ブロモベンツアミド、 N−１−
（２−チオフェニル）チオベンツアミド、 N−ベヘニル
チオアセトアミド、 N− p−アミノフェニルチオベンツ
アミド、 N− p−ニトロフェニルチオベンツアミド、 N
− p−ヒドロキシフェニルチオベンツアミド、 N− m−
クロルフェニルチオベンツアミド、チオニコチン酸アミ
ド、チオアセトアニリド、 O−エチル− N−フェニル
（チオカルバマート）、チオベンツアミド、チオ− m−
ニトロベンツアミド、チオ− p−ニトロベンツアミド、
チオ− p−アミノベンツアミド、 N−メチルチオアセト
アミド、 N−シクロヘキシルベンツアミド、 N−クロロ
フェニルチオベンツアミド、 N− p−メトキシフェニル
チオベンツアミド、 N−ステアリルチオベンツアミド。
チオアミド誘導体として以下のものを例示できるが、こ
れらに限定されるものではない。N−メチルチオベンツ
アミド、 N−フェニルチオベンツアミド、 N−エチルチ
オエチルアミド、 N−エチルチオ− p−クロルベンツア
ミド、 N−プロピルチオベンツアミド、 N−エチルチオ
ステアリルアミド、 N−１−（２−チアゾリル）チオベ
ンツアミド、 N−ステアリルチオステアリルアミド、 N
−ベヘニルチオベヘニルアミド、チオアセトアミド、 N
−フェニル−チオ− p−ブロモベンツアミド、 N−１−
（２−チオフェニル）チオベンツアミド、 N−ベヘニル
チオアセトアミド、 N− p−アミノフェニルチオベンツ
アミド、 N− p−ニトロフェニルチオベンツアミド、 N
− p−ヒドロキシフェニルチオベンツアミド、 N− m−
クロルフェニルチオベンツアミド、チオニコチン酸アミ
ド、チオアセトアニリド、 O−エチル− N−フェニル
（チオカルバマート）、チオベンツアミド、チオ− m−
ニトロベンツアミド、チオ− p−ニトロベンツアミド、
チオ− p−アミノベンツアミド、 N−メチルチオアセト
アミド、 N−シクロヘキシルベンツアミド、 N−クロロ
フェニルチオベンツアミド、 N− p−メトキシフェニル
チオベンツアミド、 N−ステアリルチオベンツアミド。
【００１７】本発明において用いられる銅化合物とチオ
尿素誘導体及び（又は）チオアミド誘導体は、可視及び
近赤外域の透過率の設定によって含有させる量を変化さ
せることができる。銅化合物の添加量は、ポリカーボネ
ート系樹脂 100重量部に対して0.05〜５重量部、好まし
くは0.05〜 2.5重量部である。また、チオ尿素誘導体の
添加量は、ポリカーボネート系樹脂 100重量部に対して
0.05〜50重量部、好ましくは0.05〜10重量部である。ま
た、チオアミド誘導体の添加量は、ポリカーボネート系
樹脂 100重量部に対して0.05〜50重量部、好ましくは0.
05〜10重量部である。また、同じ含有量でも透過率は本
発明で得られる樹脂材料が例えば板である時、その板厚
によって変化するので、最終的には設定した板厚におけ
る透過率が得られる様に含有量を決定する必要がある。
尿素誘導体及び（又は）チオアミド誘導体は、可視及び
近赤外域の透過率の設定によって含有させる量を変化さ
せることができる。銅化合物の添加量は、ポリカーボネ
ート系樹脂 100重量部に対して0.05〜５重量部、好まし
くは0.05〜 2.5重量部である。また、チオ尿素誘導体の
添加量は、ポリカーボネート系樹脂 100重量部に対して
0.05〜50重量部、好ましくは0.05〜10重量部である。ま
た、チオアミド誘導体の添加量は、ポリカーボネート系
樹脂 100重量部に対して0.05〜50重量部、好ましくは0.
05〜10重量部である。また、同じ含有量でも透過率は本
発明で得られる樹脂材料が例えば板である時、その板厚
によって変化するので、最終的には設定した板厚におけ
る透過率が得られる様に含有量を決定する必要がある。
【００１８】本発明において銅化合物とチオ尿素誘導体
及び（又は）チオアミド誘導体の添加量がポリカーボネ
ート系樹脂 100重量部に対してそれぞれ0.05重量部未満
の場合には、近赤外線吸収能の向上が十分でなく、一方
銅化合物の添加量がポリカーボネート系樹脂 100重量部
に対して５重量部を超える場合には、近赤外線吸収能の
向上は見られず、チオ尿素誘導体及び（又は）チオアミ
ド誘導体の添加量がポリカーボネート系樹脂 100重量部
に対して50重量部を超える場合には、近赤外線吸収能の
向上が見られず、材料中にヘイズが発生する恐れがあ
る。
及び（又は）チオアミド誘導体の添加量がポリカーボネ
ート系樹脂 100重量部に対してそれぞれ0.05重量部未満
の場合には、近赤外線吸収能の向上が十分でなく、一方
銅化合物の添加量がポリカーボネート系樹脂 100重量部
に対して５重量部を超える場合には、近赤外線吸収能の
向上は見られず、チオ尿素誘導体及び（又は）チオアミ
ド誘導体の添加量がポリカーボネート系樹脂 100重量部
に対して50重量部を超える場合には、近赤外線吸収能の
向上が見られず、材料中にヘイズが発生する恐れがあ
る。
【００１９】尚、上記成分の他に、必要に応じて一般に
使用されている添加剤、例えば難燃剤、熱安定剤、抗酸
化剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、着色剤、無機充
填剤、ガラス繊維等の補強材等を配合することもでき
る。本発明におけるポリカーボネート系樹脂、チオ尿素
誘導体、チオアミド誘導体、銅化合物の混合方法として
は、特別な手段、混合順序を要することなく、汎用の混
合装置、例えば熱ロール、バンバリーミキサー又は押出
機により容易に製造できる。フィルム又はシートは、通
常の製造法によって製造されたもので良い。押出機によ
るＴダイ法、インフレーション成形法、カレンダー成形
法、圧縮成形法によって製造できる。
使用されている添加剤、例えば難燃剤、熱安定剤、抗酸
化剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、着色剤、無機充
填剤、ガラス繊維等の補強材等を配合することもでき
る。本発明におけるポリカーボネート系樹脂、チオ尿素
誘導体、チオアミド誘導体、銅化合物の混合方法として
は、特別な手段、混合順序を要することなく、汎用の混
合装置、例えば熱ロール、バンバリーミキサー又は押出
機により容易に製造できる。フィルム又はシートは、通
常の製造法によって製造されたもので良い。押出機によ
るＴダイ法、インフレーション成形法、カレンダー成形
法、圧縮成形法によって製造できる。
【００２０】この発明のプラスチック積層体は、上記ポ
リカーボネート系樹脂板の少なくとも一面に、前記反応
物含有メタクリル系樹脂フィルムを積層する。次いで、
この積層体を波板状に成形する場合は、加圧成形（例え
ば、型押出、フォーミングロール等）、真空成形、熱板
成形等に付することにより得られる。この際の積層は、
いわゆるウェットラミネーション、ドライラミネーショ
ン、エクストルージョンラミネーション、ホットプレス
等の公知の方法で行うことができる。また、各樹脂層別
に複数の押出機を使用して１個のダイで同時に複合押出
しをするコエクストルージョン法も適用できる。ここで
ポリカーボネート系樹脂板の厚さは、 0.2〜10mmの範囲
内とするのが適しており、 0.6〜５mmであるのが好まし
い。一方、メタクリル系樹脂フィルムの厚みは、0.02〜
0.1mm の範囲内とするのが適しており、0.04〜0.06mmで
あるのが好ましい。ポリカーボネート系樹脂板の厚みが
上記範囲から逸脱すると、積層体或は波板の強度が低下
したり、経済性に欠けるため好ましくない。また、重合
体フィルムの厚みが薄すぎると遮光効果が不充分とな
り、厚すぎると耐衝撃性が低下するため好ましくない。
リカーボネート系樹脂板の少なくとも一面に、前記反応
物含有メタクリル系樹脂フィルムを積層する。次いで、
この積層体を波板状に成形する場合は、加圧成形（例え
ば、型押出、フォーミングロール等）、真空成形、熱板
成形等に付することにより得られる。この際の積層は、
いわゆるウェットラミネーション、ドライラミネーショ
ン、エクストルージョンラミネーション、ホットプレス
等の公知の方法で行うことができる。また、各樹脂層別
に複数の押出機を使用して１個のダイで同時に複合押出
しをするコエクストルージョン法も適用できる。ここで
ポリカーボネート系樹脂板の厚さは、 0.2〜10mmの範囲
内とするのが適しており、 0.6〜５mmであるのが好まし
い。一方、メタクリル系樹脂フィルムの厚みは、0.02〜
0.1mm の範囲内とするのが適しており、0.04〜0.06mmで
あるのが好ましい。ポリカーボネート系樹脂板の厚みが
上記範囲から逸脱すると、積層体或は波板の強度が低下
したり、経済性に欠けるため好ましくない。また、重合
体フィルムの厚みが薄すぎると遮光効果が不充分とな
り、厚すぎると耐衝撃性が低下するため好ましくない。
【００２１】一方、波形の成形は、上記積層体に、断面
が半円形、角形、台形、三角形等の連続した凹凸を付与
することにより行われる。これらの波形形状のピッチは
通常20〜150mm で、その深さは通常５〜100mm とするの
が適している。尚、更にシートの強度を増加したり、模
様を付ける時は、例えば、約５mm角の格子状にガラスフ
ィラメントヤーンを編織したガラス繊維ネットやステン
レス製金網を内部に含有させて成形しても良い。また、
この発明のプラスチック積層体は、複数以上組合わせて
用いても良く、例えば、２枚の積層波板や積層板をリブ
により所定の間隔で一体化したもの（中空形状）は、特
に強度や断熱性が要求される複合板として有用であり、
この発明の一つの好ましい態様である。
が半円形、角形、台形、三角形等の連続した凹凸を付与
することにより行われる。これらの波形形状のピッチは
通常20〜150mm で、その深さは通常５〜100mm とするの
が適している。尚、更にシートの強度を増加したり、模
様を付ける時は、例えば、約５mm角の格子状にガラスフ
ィラメントヤーンを編織したガラス繊維ネットやステン
レス製金網を内部に含有させて成形しても良い。また、
この発明のプラスチック積層体は、複数以上組合わせて
用いても良く、例えば、２枚の積層波板や積層板をリブ
により所定の間隔で一体化したもの（中空形状）は、特
に強度や断熱性が要求される複合板として有用であり、
この発明の一つの好ましい態様である。
【００２２】
【作用】上記の如く、一般式（Ｉ）の銅化合物或はクロ
ロフィル銅、銅クロロフィリンナトリウム、ビスアセチ
ルアセトナート銅と一般式（II）のチオ尿素誘導体又は
一般式（III)のチオアミド誘導体とを含有した混合物を
ポリカーボネート系樹脂に上記混合方法により加熱混練
することによって 800〜2000nmの全域に渡りほぼ一様に
近赤外線を吸収するようになる。その理由は明らかでな
いが、以下に示す実施例及び比較例から明らかな様に、
チオ尿素誘導体、チオアミド誘導体或は銅化合物をそれ
ぞれ単独でポリカーボネート系樹脂に加熱混練しても 8
00〜2000nmの近赤外領域全域に渡りほぼ一様に且つ強く
近赤外線を吸収することはなく、単にポリカーボネート
系樹脂、チオ尿素誘導体或はチオアミド誘導体と銅化合
物とを混合しただけでも同様であることからすれば、チ
オ尿素誘導体又はチオアミド誘導体と銅化合物とを含有
した混合物をポリカーボネート系樹脂に上記混合方法に
より加熱混練することにより、チオ尿素誘導体又はチオ
アミド誘導体と銅化合物との間で何らかの反応が起き、
コンプレックス（錯体）が生じていることによると推定
される。
ロフィル銅、銅クロロフィリンナトリウム、ビスアセチ
ルアセトナート銅と一般式（II）のチオ尿素誘導体又は
一般式（III)のチオアミド誘導体とを含有した混合物を
ポリカーボネート系樹脂に上記混合方法により加熱混練
することによって 800〜2000nmの全域に渡りほぼ一様に
近赤外線を吸収するようになる。その理由は明らかでな
いが、以下に示す実施例及び比較例から明らかな様に、
チオ尿素誘導体、チオアミド誘導体或は銅化合物をそれ
ぞれ単独でポリカーボネート系樹脂に加熱混練しても 8
00〜2000nmの近赤外領域全域に渡りほぼ一様に且つ強く
近赤外線を吸収することはなく、単にポリカーボネート
系樹脂、チオ尿素誘導体或はチオアミド誘導体と銅化合
物とを混合しただけでも同様であることからすれば、チ
オ尿素誘導体又はチオアミド誘導体と銅化合物とを含有
した混合物をポリカーボネート系樹脂に上記混合方法に
より加熱混練することにより、チオ尿素誘導体又はチオ
アミド誘導体と銅化合物との間で何らかの反応が起き、
コンプレックス（錯体）が生じていることによると推定
される。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を掲げて、本発明の詳細を述べ
るが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではな
い。尚、実施例中の添加割合は全て重量部を示す。ま
た、得られた樹脂材料の透過スペクトルは、分光光度計
（（株）日立製作所製：３２３型) で測定した。近赤外
線吸収能の判定は、900 、1000、1100、1500nmの各波長
の吸収値の平均が80％以上のものを◎、60％以上を○、
30％以上を△、30％以下を×とした。
るが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではな
い。尚、実施例中の添加割合は全て重量部を示す。ま
た、得られた樹脂材料の透過スペクトルは、分光光度計
（（株）日立製作所製：３２３型) で測定した。近赤外
線吸収能の判定は、900 、1000、1100、1500nmの各波長
の吸収値の平均が80％以上のものを◎、60％以上を○、
30％以上を△、30％以下を×とした。
【００２４】近赤外線吸収能の熱、湿度、光に対する安
定性を下記の方法で測定した。 耐熱性・耐湿性：近赤外線吸収性シートを80℃、 100％
ＲＨのオーブン中に480時間放置した後、近赤外線吸収
性を再度分光光度計 (波長：1000nm) で測定した。その
保存性は、下記式により算出した結果で評価した。
定性を下記の方法で測定した。 耐熱性・耐湿性：近赤外線吸収性シートを80℃、 100％
ＲＨのオーブン中に480時間放置した後、近赤外線吸収
性を再度分光光度計 (波長：1000nm) で測定した。その
保存性は、下記式により算出した結果で評価した。
【００２５】
【数１】
【００２６】耐光性：近赤外線吸収性シートをＵＶ（紫
外線）テスター（大日本プラスチックス（株）製、超促
進耐光試験機）で 200時間光照射した後、近赤外線吸収
性を再度分光光度計 (波長：1000nm) で測定した。その
保存性は、下記式により算出した結果で評価した。
外線）テスター（大日本プラスチックス（株）製、超促
進耐光試験機）で 200時間光照射した後、近赤外線吸収
性を再度分光光度計 (波長：1000nm) で測定した。その
保存性は、下記式により算出した結果で評価した。
【００２７】
【数２】
【００２８】熱安定性は、積層体を 150℃の設定温度の
ギアオーブン中に60分間入れ、得られたサンプルの色調
変化を日本電色（株）製色差計にて測定し、L.a.b.法に
より色差（ΔＥ）を求め、以下のように判定した。 ◎：優良 ○：良好 △：ヤケ無（黄色変化大） ×：ヤケ有実施例１〜１０ 表１に示す組合わせのチオ尿素化合物又はチオアミド化
合物２重量部と銅化合物 0.2重量部とをポリカーボネー
ト樹脂 100重量部に添加し、タンブラーミキサーで20分
間混合し、40mmφ押出成型機によって 300℃で混練後、
0.7mm 厚にシート化し、押出し直後に0.05mm厚のメタク
リル樹脂フィルムを押出しラミネートし、0.75mm厚に積
層一体化した。積層に使用した冷却ロールの温度は 120
℃であった。得られたシートをピッチ32mm、谷の深さ９
mmに波付け機で成形した。得られたこれらの積層板につ
いて透過スペクトルを測定した。表３に 800〜2000nmに
おける結果を示すが、近赤外域の吸収能に優れていた。
また、実施例１で得られた透明樹脂シートの透過スペク
トルを図１中のＡで示すが、同図に示す近赤外線吸収剤
を含まない通常のポリカーボネート樹脂シートの透過ス
ペクトルＢとの比較から分かるように、この樹脂シート
は可視域の光は比較的良く透過するが、通常のポリカー
ボネート樹脂シートに見られない近赤外域の吸収能に優
れていた。
ギアオーブン中に60分間入れ、得られたサンプルの色調
変化を日本電色（株）製色差計にて測定し、L.a.b.法に
より色差（ΔＥ）を求め、以下のように判定した。 ◎：優良 ○：良好 △：ヤケ無（黄色変化大） ×：ヤケ有実施例１〜１０ 表１に示す組合わせのチオ尿素化合物又はチオアミド化
合物２重量部と銅化合物 0.2重量部とをポリカーボネー
ト樹脂 100重量部に添加し、タンブラーミキサーで20分
間混合し、40mmφ押出成型機によって 300℃で混練後、
0.7mm 厚にシート化し、押出し直後に0.05mm厚のメタク
リル樹脂フィルムを押出しラミネートし、0.75mm厚に積
層一体化した。積層に使用した冷却ロールの温度は 120
℃であった。得られたシートをピッチ32mm、谷の深さ９
mmに波付け機で成形した。得られたこれらの積層板につ
いて透過スペクトルを測定した。表３に 800〜2000nmに
おける結果を示すが、近赤外域の吸収能に優れていた。
また、実施例１で得られた透明樹脂シートの透過スペク
トルを図１中のＡで示すが、同図に示す近赤外線吸収剤
を含まない通常のポリカーボネート樹脂シートの透過ス
ペクトルＢとの比較から分かるように、この樹脂シート
は可視域の光は比較的良く透過するが、通常のポリカー
ボネート樹脂シートに見られない近赤外域の吸収能に優
れていた。
【００２９】実施例１１〜１９ 表１に示す組合わせのチオ尿素化合物又はチオアミド化
合物２重量部と銅化合物とをメタクリル樹脂 100重量部
に添加し、タンブラーミキサーで20分間混合し、40mmφ
押出成型機によって 230℃で混練後、0.05mm厚のフィル
ム〔Ｉ〕を得た。さらに、40mmφ押出成型機によって 3
00℃で混練後、 0.7mm厚にポリカーボネート樹脂をシー
ト化し、押出し直後にフィルム〔Ｉ〕を押出しラミネー
トし、0.75mm厚に積層一体化した。積層に使用した冷却
ロールの温度は 120℃であった。得られたシートをピッ
チ32mm、谷の深さ９mmに波付け機で成形した。得られた
これらの板について透過スペクトルを測定した。表３に
800〜2000nmにおける結果を示すが、近赤外域の吸収能
に優れていた。
合物２重量部と銅化合物とをメタクリル樹脂 100重量部
に添加し、タンブラーミキサーで20分間混合し、40mmφ
押出成型機によって 230℃で混練後、0.05mm厚のフィル
ム〔Ｉ〕を得た。さらに、40mmφ押出成型機によって 3
00℃で混練後、 0.7mm厚にポリカーボネート樹脂をシー
ト化し、押出し直後にフィルム〔Ｉ〕を押出しラミネー
トし、0.75mm厚に積層一体化した。積層に使用した冷却
ロールの温度は 120℃であった。得られたシートをピッ
チ32mm、谷の深さ９mmに波付け機で成形した。得られた
これらの板について透過スペクトルを測定した。表３に
800〜2000nmにおける結果を示すが、近赤外域の吸収能
に優れていた。
【００３０】
【表１】
【００３１】（注）ＰＣ ：ポリカーボネート樹脂 ＰＭＭＡ：メタクリル樹脂実施例２０ 実施例１に示す組合わせのチオ尿素化合物又はチオアミ
ド化合物２重量部と銅化合物とをメタクリル樹脂 100重
量部に添加し、タンブラーミキサーで20分間混合し、40
mmφ押出成型機によって 230℃で混練後、0.05mm厚のフ
ィルムと40mmφ押出成型機によって 300℃で混練後、0.
7mm 厚のポリカーボネート樹脂シートとを、共押出成形
により0.75mm厚に積層一体化した。積層に使用した冷却
ロールの温度は 120℃であった。得られたシートをピッ
チ32mm、谷の深さ９mmに波付け機で成形した。得られた
これらの板について透過スペクトルを測定した。表３に
800〜2000nmにおける結果を示すが、近赤外域の吸収能
に優れていた。
ド化合物２重量部と銅化合物とをメタクリル樹脂 100重
量部に添加し、タンブラーミキサーで20分間混合し、40
mmφ押出成型機によって 230℃で混練後、0.05mm厚のフ
ィルムと40mmφ押出成型機によって 300℃で混練後、0.
7mm 厚のポリカーボネート樹脂シートとを、共押出成形
により0.75mm厚に積層一体化した。積層に使用した冷却
ロールの温度は 120℃であった。得られたシートをピッ
チ32mm、谷の深さ９mmに波付け機で成形した。得られた
これらの板について透過スペクトルを測定した。表３に
800〜2000nmにおける結果を示すが、近赤外域の吸収能
に優れていた。
【００３２】比較例１〜４ 表２に示す組合わせの配合で実施例１〜１０と同様の方
法でポリカーボネート樹脂に添加後、 0.7mm厚にシート
化し、押出し直後に0.05mm厚のメタクリル樹脂フィルム
を押出しラミネートし、0.75mm厚に積層一体化した。得
られたこれらの板について透過スペクトルを測定した。
表４に 800〜2000nmにおける結果を示すが、全て30％以
下の近赤外線吸収能しかなかった。
法でポリカーボネート樹脂に添加後、 0.7mm厚にシート
化し、押出し直後に0.05mm厚のメタクリル樹脂フィルム
を押出しラミネートし、0.75mm厚に積層一体化した。得
られたこれらの板について透過スペクトルを測定した。
表４に 800〜2000nmにおける結果を示すが、全て30％以
下の近赤外線吸収能しかなかった。
【００３３】比較例５〜８ 表２に示す組合わせの配合で実施例１１〜１９と同様の
方法でメタクリル樹脂100重量部に添加後、0.05mm厚の
フィルム〔II〕を得た。さらに、40mmφ押出成型機によ
って 300℃で混練後、 0.7mm厚にポリカーボネート樹脂
をシート化し、押出し直後にフィルム〔II〕を押出しラ
ミネートし、0.75mm厚に積層一体化した。得られたこれ
らの板について透過スペクトルを測定した。表４に 800
〜2000nmにおける結果を示すが、全て30％以下の近赤外
線吸収能しかなかった。
方法でメタクリル樹脂100重量部に添加後、0.05mm厚の
フィルム〔II〕を得た。さらに、40mmφ押出成型機によ
って 300℃で混練後、 0.7mm厚にポリカーボネート樹脂
をシート化し、押出し直後にフィルム〔II〕を押出しラ
ミネートし、0.75mm厚に積層一体化した。得られたこれ
らの板について透過スペクトルを測定した。表４に 800
〜2000nmにおける結果を示すが、全て30％以下の近赤外
線吸収能しかなかった。
【００３４】
【表２】
【００３５】（注）ＰＣ ：ポリカーボネート樹脂 ＰＭＭＡ：メタクリル樹脂
【００３６】
【表３】
【００３７】
【表４】
【００３８】表３、表４によればチオ尿素化合物又はチ
オアミド化合物と銅化合物とを混練したポリカーボネー
ト系樹脂のシートは、強い近赤外線吸収性シートとなる
ことが明らかである。また、この近赤外線吸収性は、加
熱や加湿或は露光によって殆ど低下せず、取扱いや保存
の環境条件の変化に対して安定性が高いものであること
が分かる。尚、チオ尿素化合物、チオアミド化合物或は
銅化合物とを単独に混練したポリカーボネート系樹脂の
シートは、近赤外線吸収性を実質的に示さなかった。
オアミド化合物と銅化合物とを混練したポリカーボネー
ト系樹脂のシートは、強い近赤外線吸収性シートとなる
ことが明らかである。また、この近赤外線吸収性は、加
熱や加湿或は露光によって殆ど低下せず、取扱いや保存
の環境条件の変化に対して安定性が高いものであること
が分かる。尚、チオ尿素化合物、チオアミド化合物或は
銅化合物とを単独に混練したポリカーボネート系樹脂の
シートは、近赤外線吸収性を実質的に示さなかった。
【００３９】
【発明の効果】本発明の近赤外線吸収ポリカーボネート
系樹脂積層体が波板状に成形されてなる成形体は褪色な
どの不安定性はなく、暗所に長期間放置により褪色する
というフォトクロミズムも見られず、優れた近赤外線吸
収能を示すので、光学的フィルター、熱線吸収性グレー
ジング材等として工業的に有用である。また、得られた
近赤外線吸収シートは 800〜2000nmの近赤外領域全域に
わたる強い吸収性を有している。これらの性質を利用す
ることによって近赤外線カットフィルターなどの光学材
料、記録材料、熱線遮蔽材料、蓄熱材料、近赤外線検出
センサー等として利用できる。本発明の積層体は、金属
を含んでいるにもかかわらず、着色が少ないから、これ
らを成形した成形体は外観が優れたものとなる。
系樹脂積層体が波板状に成形されてなる成形体は褪色な
どの不安定性はなく、暗所に長期間放置により褪色する
というフォトクロミズムも見られず、優れた近赤外線吸
収能を示すので、光学的フィルター、熱線吸収性グレー
ジング材等として工業的に有用である。また、得られた
近赤外線吸収シートは 800〜2000nmの近赤外領域全域に
わたる強い吸収性を有している。これらの性質を利用す
ることによって近赤外線カットフィルターなどの光学材
料、記録材料、熱線遮蔽材料、蓄熱材料、近赤外線検出
センサー等として利用できる。本発明の積層体は、金属
を含んでいるにもかかわらず、着色が少ないから、これ
らを成形した成形体は外観が優れたものとなる。
【図１】透過スペクトルを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−61275（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−49265（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−161644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−169352（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−34682（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−80486（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B32B 1/00 - 35/00 C08L 33/00 - 33/26 C08L 69/00
Claims (3)
- 【請求項１】(A) ポリカーボネート系樹脂 100重量部に
対し、 (B) 下記一般式（Ｉ） (R−X)nCu （Ｉ） 〔式中、R は水素、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アラルキル基及び複素環残基（各基は１個以
上の置換基を有していても良い）から成る群から選ばれ
る一価基，X は−COO,−SO4,−SO3,−PO4,−O 、n は１
〜４の整数〕で表わされる銅化合物、クロロフィル銅、
銅クロロフィリンナトリウム及びビスアセチルアセトナ
ート銅より成る群から選ばれる少なくとも一種の銅化合
物0.05〜５重量部、 (C) 下記一般式（II） 【化１】 （R1, R2, R3は、水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アラルキル基及び５員又は６員の複素
環残基から成る群から選ばれる一価基を表わし、各基は
１個以上の置換基を有していても良く、R1とR2又はR2と
R3は連結して環を形成しても良い) で示されるチオ尿素
誘導体から選ばれる少なくとも一種及び下記一般式（Ｉ
ＩＩ） 【化２】 （Ｒ４， Ｒ５は、水素、アルキル基、アルケニル基、
シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基及び５員
又は６員の複素環残基から成る群から選ばれる一価基を
表わし、R5は更にアルコキシ基をも表わし、各基は１個
以上の置換基を有していても良く、R4とR5は連結して環
を形成しても良い) で示されるチオアミド誘導体から選
ばれる少なくとも１種0.05〜50重量部を含有して成るポ
リカーボネート系樹脂シートに対して、メタクリル系樹
脂フィルムを積層一体化して成ることを特徴とする近赤
外線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体。 - 【請求項２】 (A) メタクリル系樹脂 100重量部に対
し、(B) 一般式(I) で表わされる銅化合物或はクロロフ
ィル銅、銅クロロフィリンナトリウム、ビスアセチルア
セトナート銅から成る銅化合物の群から選ばれる少なく
とも一種0.05〜５重量部、(C) 一般式(II)で示されるチ
オ尿素誘導体から選ばれる少なくとも１種及び一般式(I
II) で示されるチオアミド誘導体から選ばれる少なくと
も一種0.05〜50重量部を含有する近赤外線吸収メタクリ
ル系樹脂フィルムを、ポリカーボネート系樹脂シートに
積層一体化されて成ることを特徴とする近赤外線吸収ポ
リカーボネート系樹脂積層体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の近赤外線吸収ポリ
カーボネート系樹脂積層体が波板状に成形されて成る近
赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂成形体。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04000328A JP3135332B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体及びその成形体 |
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| JP04000328A JP3135332B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体及びその成形体 |
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|---|---|
| JPH05177786A JPH05177786A (ja) | 1993-07-20 |
| JP3135332B2 true JP3135332B2 (ja) | 2001-02-13 |
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| JP04000328A Expired - Fee Related JP3135332B2 (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 近赤外線吸収ポリカーボネート系樹脂積層体及びその成形体 |
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| JP (1) | JP3135332B2 (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| US10927131B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Near-infrared absorbing composition, optical structure, and camera module and electronic device comprising the same |
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| WO2020022426A1 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 株式会社クラレ | 赤外線遮蔽性積層シートとその製造方法 |
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1992
- 1992-01-06 JP JP04000328A patent/JP3135332B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH05177786A (ja) | 1993-07-20 |
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