JP3125302B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3125302B2 JP3125302B2 JP02317557A JP31755790A JP3125302B2 JP 3125302 B2 JP3125302 B2 JP 3125302B2 JP 02317557 A JP02317557 A JP 02317557A JP 31755790 A JP31755790 A JP 31755790A JP 3125302 B2 JP3125302 B2 JP 3125302B2
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- Japan
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- semiconductor device
- aluminum
- manufacturing
- metal polycide
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置のアルミニウム膜堆積工程の製
造方法に関する。
造方法に関する。
［従来の技術］ 従来のアルミニウム膜堆積の製造工程は、弗化水素酸
系溶液を用いたウェットエッチングによる前処理からア
ルミニウム膜を堆積するまでの間、半導体装置を製造す
るクリーンルーム内環境と同等の雰囲気中に、第２図に
示すような容器の中に保持されていた。
系溶液を用いたウェットエッチングによる前処理からア
ルミニウム膜を堆積するまでの間、半導体装置を製造す
るクリーンルーム内環境と同等の雰囲気中に、第２図に
示すような容器の中に保持されていた。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来技術では、高融点金属ポリサイド膜が時
間とともに吸湿し、通常のアルミニウム膜堆積以降の製
造工程における熱履歴により、前記ポリサイド膜表面か
らガス放出が起こり、密着性の弱い高融点金属ポリサイ
ドとアルミニウム界面に空隙が発生して、前記両金属を
接続するコンタクト部の抵抗が高くなり、開放状態にな
る場合も生ずるという問題点を有する。
間とともに吸湿し、通常のアルミニウム膜堆積以降の製
造工程における熱履歴により、前記ポリサイド膜表面か
らガス放出が起こり、密着性の弱い高融点金属ポリサイ
ドとアルミニウム界面に空隙が発生して、前記両金属を
接続するコンタクト部の抵抗が高くなり、開放状態にな
る場合も生ずるという問題点を有する。
本発明は、このような問題点を解決するもので、その
目的とするところは、安定した信頼性の高い高融点金属
ポリサイドとアルミニウム間コンタクト構造を提供する
ところにある。
目的とするところは、安定した信頼性の高い高融点金属
ポリサイドとアルミニウム間コンタクト構造を提供する
ところにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方
に形成された高融点金属ポリサイドとアルミニウム配線
とがコンタクト孔を介して接する構造の半導体装置の製
造方法であって、 前記高融点金属ポリサイドの上方にコンタクト孔を形
成した後に前記高融点金属ポリサイド表面に形成された
自然酸化膜を除去する第１の工程と、 アルミニウム膜堆積装置を用いて、半導体基板の上方
にアルミニウム膜を堆積する第２の工程と、をこの順序
で有し、かつ、 前記第１の工程後から前記第２の工程前までの間に、
前記アルミニウム膜堆積装置とは独立した保管庫の窒素
雰囲気中に半導体基板を保持する工程をさらに有するこ
とを特徴とする。
に形成された高融点金属ポリサイドとアルミニウム配線
とがコンタクト孔を介して接する構造の半導体装置の製
造方法であって、 前記高融点金属ポリサイドの上方にコンタクト孔を形
成した後に前記高融点金属ポリサイド表面に形成された
自然酸化膜を除去する第１の工程と、 アルミニウム膜堆積装置を用いて、半導体基板の上方
にアルミニウム膜を堆積する第２の工程と、をこの順序
で有し、かつ、 前記第１の工程後から前記第２の工程前までの間に、
前記アルミニウム膜堆積装置とは独立した保管庫の窒素
雰囲気中に半導体基板を保持する工程をさらに有するこ
とを特徴とする。
また、上記半導体装置の製造方法において、前記窒素
雰囲気中に半導体基板を保持する時間は100時間以内で
あることを特徴とする。
雰囲気中に半導体基板を保持する時間は100時間以内で
あることを特徴とする。
さらに、上記半導体装置の製造方法において、前記窒
素雰囲気の温度は20℃以上60℃以下であることを特徴と
する。
素雰囲気の温度は20℃以上60℃以下であることを特徴と
する。
［実施例］ 第１図に、本発明の半導体製造装置の製造方法による
一実施例を示す。
一実施例を示す。
11はウェハー、12はウェハーキャリア、13は保管庫、
14はヘパフィルター、15は循環ユニットである。
14はヘパフィルター、15は循環ユニットである。
以下、詳細に説明する。
まず、通常のフォトエッチ工程にて高融点金属ポリサ
イドとアルミニウムを接続するコンタクト孔を開孔した
後、アルミニウム膜堆積の前処理として、高融点金属ポ
リサイド膜表面に形成された自然酸化膜の除去、及び、
オーミックな電気特性を得る目的で、弗化水素酸系溶液
でエッチングを行う。そして、アルミニウム膜をスパッ
タ法により堆積するまでの間、保管庫13内にウェハーを
保持する。
イドとアルミニウムを接続するコンタクト孔を開孔した
後、アルミニウム膜堆積の前処理として、高融点金属ポ
リサイド膜表面に形成された自然酸化膜の除去、及び、
オーミックな電気特性を得る目的で、弗化水素酸系溶液
でエッチングを行う。そして、アルミニウム膜をスパッ
タ法により堆積するまでの間、保管庫13内にウェハーを
保持する。
保管庫13は前面に扉を有するチャンバーになってお
り、ファンを有し、チャンバー内の雰囲気を循環させる
働きをもつ循環ユニット15を備えている。そして、チャ
ンバー内に窒素ガスを導入することにより、ウェハーを
空気及び水分と接しない機構となっている。
り、ファンを有し、チャンバー内の雰囲気を循環させる
働きをもつ循環ユニット15を備えている。そして、チャ
ンバー内に窒素ガスを導入することにより、ウェハーを
空気及び水分と接しない機構となっている。
半導体製造工程中にあるウェハー11及びウェハーキャ
リア12を次工程のアルミニウムをスパッタするまでの
間、このような保管庫内に、窒素雰囲気中に保持するこ
とで、ウェハー表面の酸化及び水分の吸着が抑制され、
より安定した信頼性の高い高融点金属ポリサイドとアル
ミニウム間コンタクト構造を提供することができる。
リア12を次工程のアルミニウムをスパッタするまでの
間、このような保管庫内に、窒素雰囲気中に保持するこ
とで、ウェハー表面の酸化及び水分の吸着が抑制され、
より安定した信頼性の高い高融点金属ポリサイドとアル
ミニウム間コンタクト構造を提供することができる。
尚、窒素雰囲気中の保持環境としては、高融点金属ポ
リサイド表面が窒化しないよう、20〜60℃及び100時間
以内であることが望ましい。
リサイド表面が窒化しないよう、20〜60℃及び100時間
以内であることが望ましい。
［発明の効果］ 以上述べてきたように、本発明によれば、高融点金属
ポリサイドとアルミニウム配線がコンタクト孔を介して
接する構造を有する半導体装置のアルミニウム膜堆積の
製造工程において、前処理からアルミニウム膜を堆積す
るまでの期間を、窒素雰囲気中で保持することで、ウェ
ハー表面の酸化及び水分の吸着が抑制され、より安定し
た高融点金属ポリサイドとアルミニウム間のコンタクト
抵抗を得ることが可能となり、且つ、信頼性の高いコン
タクト構造を提供することが可能となる。
ポリサイドとアルミニウム配線がコンタクト孔を介して
接する構造を有する半導体装置のアルミニウム膜堆積の
製造工程において、前処理からアルミニウム膜を堆積す
るまでの期間を、窒素雰囲気中で保持することで、ウェ
ハー表面の酸化及び水分の吸着が抑制され、より安定し
た高融点金属ポリサイドとアルミニウム間のコンタクト
抵抗を得ることが可能となり、且つ、信頼性の高いコン
タクト構造を提供することが可能となる。
第１図は、本発明の実施例における半導体装置の製造方
法を示す工程図。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程図。 11、21……ウェハー 12、22……ウェハーキャリア 13、23……保管庫 14……ヘパフィルター 15……循環ユニット
法を示す工程図。 第２図は、従来の半導体装置の製造方法を示す工程図。 11、21……ウェハー 12、22……ウェハーキャリア 13、23……保管庫 14……ヘパフィルター 15……循環ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 H01L 21/3213 H01L 21/44 - 21/445 H01L 21/768 H01L 29/40 - 29/51
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板の上方に形成された高融点金属
ポリサイドとアルミニウム配線とがコンタクト孔を介し
て接する構造の半導体装置の製造方法であって、 前記高融点金属ポリサイドの上方にコンタクト孔を形成
した後に前記高融点金属ポリサイド表面に形成された自
然酸化膜を除去する第１の工程と、 アルミニウム膜堆積装置を用いて、半導体基板の上方に
アルミニウム膜を堆積する第２の工程と、をこの順序で
有し、かつ、 前記第１の工程後から前記第２の工程前までの間に、前
記アルミニウム膜堆積装置とは独立した保管庫の窒素雰
囲気中に半導体基板を保持する工程をさらに有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、前記窒素雰囲気中に半
導体基板を保持する時間は100時間以内であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】請求項１又は２において、前記窒素雰囲気
の温度は20℃以上60℃以下であることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02317557A JP3125302B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02317557A JP3125302B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188752A JPH04188752A (ja) | 1992-07-07 |
| JP3125302B2 true JP3125302B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=18089587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02317557A Expired - Fee Related JP3125302B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3125302B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016508770A (ja) * | 2013-10-21 | 2016-03-24 | シーティーケー カンパニー リミテッドＣｔｋ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | 化粧品容器キャップ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100208439B1 (ko) * | 1995-05-04 | 1999-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP02317557A patent/JP3125302B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016508770A (ja) * | 2013-10-21 | 2016-03-24 | シーティーケー カンパニー リミテッドＣｔｋ Ｃｏ．， Ｌｔｄ | 化粧品容器キャップ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04188752A (ja) | 1992-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071102 Year of fee payment: 7 |
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